JPH06237169A - スイッチを内蔵したpll周波数シンセサイザ - Google Patents
スイッチを内蔵したpll周波数シンセサイザInfo
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- JPH06237169A JPH06237169A JP5021180A JP2118093A JPH06237169A JP H06237169 A JPH06237169 A JP H06237169A JP 5021180 A JP5021180 A JP 5021180A JP 2118093 A JP2118093 A JP 2118093A JP H06237169 A JPH06237169 A JP H06237169A
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- switch
- oscillator
- amplifier
- attenuator
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- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 TDMA方式のデジタル伝送装置に使用され
るスイッチを内蔵したPLL周波数シンセサイザにおい
て、スイッチ切換時の発振器の周波数変動が小さい、低
スプリアス特性で、C/N劣化の小さいスイッチを内蔵
したPLL周波数シンセサイザを実現すること。 【構成】 発振器1,9、アッテネータ2,4,10,1
2、増幅器3,11、増幅型スイッチ5,13、SPSTス
イッチ6,14、SPDTスイッチ7により構成し、増幅
型スイッチ5,13をソース接地型FETで構成し、かつ
線形動作領域で使用し、アッテネータ2,10を増幅器
3,11の入力に、アッテネータ4,12を出力に接続した
構成とする。
るスイッチを内蔵したPLL周波数シンセサイザにおい
て、スイッチ切換時の発振器の周波数変動が小さい、低
スプリアス特性で、C/N劣化の小さいスイッチを内蔵
したPLL周波数シンセサイザを実現すること。 【構成】 発振器1,9、アッテネータ2,4,10,1
2、増幅器3,11、増幅型スイッチ5,13、SPSTス
イッチ6,14、SPDTスイッチ7により構成し、増幅
型スイッチ5,13をソース接地型FETで構成し、かつ
線形動作領域で使用し、アッテネータ2,10を増幅器
3,11の入力に、アッテネータ4,12を出力に接続した
構成とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、TDMA(Time Divi
sion Multiple Accese)方式のデジタル伝送装置の局
部発振器に使用されるスイッチを内蔵したPLL周波数
シンセサイザに関するものである。
sion Multiple Accese)方式のデジタル伝送装置の局
部発振器に使用されるスイッチを内蔵したPLL周波数
シンセサイザに関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3に一般的なスイッチを内蔵したPL
L周波数シンサイザの構成の一例を示す。図3におい
て、1,9は発振器、2,10はアッテネータ、3,11は
増幅器、6,14,29,30はSPSTスイッチ(single端
子スイッチ)、7はSPDTスイッチ(double端子スイッ
チ)、8はSPDTスイッチの第1の入力端子、15はS
PDTスイッチの第2の入力端子、16は出力端子、27,
28は切換信号入力端子である。
L周波数シンサイザの構成の一例を示す。図3におい
て、1,9は発振器、2,10はアッテネータ、3,11は
増幅器、6,14,29,30はSPSTスイッチ(single端
子スイッチ)、7はSPDTスイッチ(double端子スイッ
チ)、8はSPDTスイッチの第1の入力端子、15はS
PDTスイッチの第2の入力端子、16は出力端子、27,
28は切換信号入力端子である。
【0003】以下にその構成ならびに動作について説明
する。発振器1の出力にはそれぞれアッテネータ2、増
幅器3、SPSTスイッチ6,29が接続されており、S
PSTスイッチ6の出力はSPDTスイッチ7の第1の
入力端子8に接続されている。一方、発振器9の出力に
はそれぞれアッテネータ10、増幅器11、SPSTスイッ
チ14,30が接続されており、SPSTスイッチ14の出力
はSPDTスイッチ7の第2の入力端子15に接続されて
いる。ここでアッテネータ2はSPSTスイッチ6,29
のオン/オフ時の発振器の負荷変動を抑えるためのもの
であり、増幅器3はアッテネータ2の減衰量とSPST
スイッチ6,29、SPDTスイッチ7の損失を補償する
ものであり、アッテネータ10、増幅器11も同じ働きをす
る。
する。発振器1の出力にはそれぞれアッテネータ2、増
幅器3、SPSTスイッチ6,29が接続されており、S
PSTスイッチ6の出力はSPDTスイッチ7の第1の
入力端子8に接続されている。一方、発振器9の出力に
はそれぞれアッテネータ10、増幅器11、SPSTスイッ
チ14,30が接続されており、SPSTスイッチ14の出力
はSPDTスイッチ7の第2の入力端子15に接続されて
いる。ここでアッテネータ2はSPSTスイッチ6,29
のオン/オフ時の発振器の負荷変動を抑えるためのもの
であり、増幅器3はアッテネータ2の減衰量とSPST
スイッチ6,29、SPDTスイッチ7の損失を補償する
ものであり、アッテネータ10、増幅器11も同じ働きをす
る。
【0004】切換信号入力端子27に0Vを、切換信号入
力端子28に−5Vの切換信号を入力すれば、SPSTス
イッチ6,29はオンし、SPSTスイッチ14,30はオフ
し、さらにSPDTスイッチ7は第1の入力端子8を選
択し、出力端子16には発振器1の信号が出力される(発
振器1を選択)。また、切換信号入力端子28に0Vを、
切換信号入力端子27に−5Vの切換信号を入力すれば、
SPSTスイッチ14,30はオンし、SPSTスイッチ
6,29はオフし、さらにSTDTスイッチ7は第2の入
力端子15を選択し、出力端子16には発振器9の信号が出
力される(発振器9を選択)。
力端子28に−5Vの切換信号を入力すれば、SPSTス
イッチ6,29はオンし、SPSTスイッチ14,30はオフ
し、さらにSPDTスイッチ7は第1の入力端子8を選
択し、出力端子16には発振器1の信号が出力される(発
振器1を選択)。また、切換信号入力端子28に0Vを、
切換信号入力端子27に−5Vの切換信号を入力すれば、
SPSTスイッチ14,30はオンし、SPSTスイッチ
6,29はオフし、さらにSTDTスイッチ7は第2の入
力端子15を選択し、出力端子16には発振器9の信号が出
力される(発振器9を選択)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、所望の出力レベルを得るためには、アッテ
ネータの値を大きくできないため、SPSTスイッチの
オン/オフ時に発振器の周波数が大きく変動する。SP
STスイッチの一段当たりのアイソレーションが良くな
いため、非選択の発振器の信号がスプリアス信号として
出力端子に表れる。そのため、このスプリアス信号を低
減するためにはSPSTスイッチの段数を増やす必要が
あるという問題を有していた。本発明は上記従来の問題
点を解決するもので、スイッチのオン/オフ時に発振器
の周波数変動が少ない、低いスプリアス特性のスイッチ
を内蔵したPLL周波数シンセサイザを提供することを
目的とするものである。
の構成では、所望の出力レベルを得るためには、アッテ
ネータの値を大きくできないため、SPSTスイッチの
オン/オフ時に発振器の周波数が大きく変動する。SP
STスイッチの一段当たりのアイソレーションが良くな
いため、非選択の発振器の信号がスプリアス信号として
出力端子に表れる。そのため、このスプリアス信号を低
減するためにはSPSTスイッチの段数を増やす必要が
あるという問題を有していた。本発明は上記従来の問題
点を解決するもので、スイッチのオン/オフ時に発振器
の周波数変動が少ない、低いスプリアス特性のスイッチ
を内蔵したPLL周波数シンセサイザを提供することを
目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、第1の発振器と第2の発振器のどちらか一方
を選択し出力するPLL周波数シンセサイザにおいて、
前記第1の発振器と、少なくとも1段以上の第1の増幅
器と、少なくとも1段以上の第1の増幅型スイッチと、
少なくとも1段以上の第1のSPSTスイッチを従属接
続し、前記第1の発振器と前記第1の増幅器の間に少な
くとも1個以上の第1のアッテネータを挿入し、前記第
1の増幅器と前記第1の増幅型スイッチの間に少なくと
も1個以上の第2のテッテネータを挿入し、前記第1の
SPSTスイッチの出力をSPDTスイッチの第1の入
力端子に接続し、前記第2の発振器と、少なくとも1段
以上の第2の増幅器と、少なくとも1段以上の第2の増
幅型スイッチと、少なくとも1段以上の第2のSPST
スイッチを従属接続し、前記第2の発振器と前記第2の
増幅器の間に少なくとも1個以上の第3のアッテネータ
を挿入し、前記第2の増幅器と前記第2の増幅型スイッ
チの間に少なくとも1個以上の第4のアッテネータを挿
入し、前記第2のSPSTスイッチの出力を前記SPD
Tスイッチの第2の入力端子に接続し、前記第1,第2
の増幅型スイッチをソース接地高周波FET(Field E
ffect Transistor)とし、前記第1,第2の増幅器、前
記第1,第2の増幅型スイッチを線形領域で動作させ、
前記第1,第2の増幅器を常時動作状態としたPLL周
波数シンセサイザとするものである。
本発明は、第1の発振器と第2の発振器のどちらか一方
を選択し出力するPLL周波数シンセサイザにおいて、
前記第1の発振器と、少なくとも1段以上の第1の増幅
器と、少なくとも1段以上の第1の増幅型スイッチと、
少なくとも1段以上の第1のSPSTスイッチを従属接
続し、前記第1の発振器と前記第1の増幅器の間に少な
くとも1個以上の第1のアッテネータを挿入し、前記第
1の増幅器と前記第1の増幅型スイッチの間に少なくと
も1個以上の第2のテッテネータを挿入し、前記第1の
SPSTスイッチの出力をSPDTスイッチの第1の入
力端子に接続し、前記第2の発振器と、少なくとも1段
以上の第2の増幅器と、少なくとも1段以上の第2の増
幅型スイッチと、少なくとも1段以上の第2のSPST
スイッチを従属接続し、前記第2の発振器と前記第2の
増幅器の間に少なくとも1個以上の第3のアッテネータ
を挿入し、前記第2の増幅器と前記第2の増幅型スイッ
チの間に少なくとも1個以上の第4のアッテネータを挿
入し、前記第2のSPSTスイッチの出力を前記SPD
Tスイッチの第2の入力端子に接続し、前記第1,第2
の増幅型スイッチをソース接地高周波FET(Field E
ffect Transistor)とし、前記第1,第2の増幅器、前
記第1,第2の増幅型スイッチを線形領域で動作させ、
前記第1,第2の増幅器を常時動作状態としたPLL周
波数シンセサイザとするものである。
【0007】
【作用】したがって本発明によると、スイッチのオン/
オフ時に発振器の周波数変動が少ない、低スプリアス特
性のPLL周波数シンセサイザとすることができる。
オフ時に発振器の周波数変動が少ない、低スプリアス特
性のPLL周波数シンセサイザとすることができる。
【0008】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。図1は本発明の一実施例におけるス
イッチを内蔵したPLL周波数シンセサイザの構成を示
す図、図2は発明の一実施例の増幅型スイッチの具体的
な回路を示す図である。図1,2において、1,9は発
振器、2,4,10,12はアッテネータ、3,11は増幅
器、5,13は増幅型スイッチ、6,14はSPSTスイッ
チ、7はSPDTスイッチ、8はSPDTスイッチの第
1の入力端子、15はSPDTスイッチの第2の入力端
子、16は出力端子、17はデュアルゲートFET、18,1
9,20は抵抗、21,27,28は切換信号入力端子、22,2
5,26,31,33はコンデンサ、23,32はチョークコイル
である。
しながら説明する。図1は本発明の一実施例におけるス
イッチを内蔵したPLL周波数シンセサイザの構成を示
す図、図2は発明の一実施例の増幅型スイッチの具体的
な回路を示す図である。図1,2において、1,9は発
振器、2,4,10,12はアッテネータ、3,11は増幅
器、5,13は増幅型スイッチ、6,14はSPSTスイッ
チ、7はSPDTスイッチ、8はSPDTスイッチの第
1の入力端子、15はSPDTスイッチの第2の入力端
子、16は出力端子、17はデュアルゲートFET、18,1
9,20は抵抗、21,27,28は切換信号入力端子、22,2
5,26,31,33はコンデンサ、23,32はチョークコイル
である。
【0009】まず図1についてその構成を説明する。発
振器1の出力にはアッテネータ2,増幅器3,アッテネ
ータ4,増幅型スイッチ5,SPSTスイッチ6が従属
接続されており、SPSTスイッチ6の出力はSPDT
スイッチ7の第1の入力端子8に接続されている。ま
た、発振器9の出力にはアッテネータ10,増幅器11,ア
ッテネータ12,増幅型スイッチ13,SPSTスイッチ14
が従属接続されており、SPSTスイッチ14の出力はS
PDTスイッチ7の第2の入力端子15に接続されてい
る。増幅型スイッチ5,13が直線動作領域で動作し、か
つ所望の出力が得られように増幅型スイッチ5,13と発
振器1,9の間にアッテネータの減衰量を定めている。
さらに、この減衰量をアッテネータ2,10、アッテネー
タ4,12に振り分けている。本実施例ではアッテネータ
2,10,4,12はパイ型で構成し、アッテネータ4,12
に比べてアッテネータ2,10の減衰量を大きくした。
振器1の出力にはアッテネータ2,増幅器3,アッテネ
ータ4,増幅型スイッチ5,SPSTスイッチ6が従属
接続されており、SPSTスイッチ6の出力はSPDT
スイッチ7の第1の入力端子8に接続されている。ま
た、発振器9の出力にはアッテネータ10,増幅器11,ア
ッテネータ12,増幅型スイッチ13,SPSTスイッチ14
が従属接続されており、SPSTスイッチ14の出力はS
PDTスイッチ7の第2の入力端子15に接続されてい
る。増幅型スイッチ5,13が直線動作領域で動作し、か
つ所望の出力が得られように増幅型スイッチ5,13と発
振器1,9の間にアッテネータの減衰量を定めている。
さらに、この減衰量をアッテネータ2,10、アッテネー
タ4,12に振り分けている。本実施例ではアッテネータ
2,10,4,12はパイ型で構成し、アッテネータ4,12
に比べてアッテネータ2,10の減衰量を大きくした。
【0010】次に図2について構成と動作を説明する。
デュアルゲートFET17のソース端子Sを接地し、所望
のドレイン電流が流れるように第1ゲート端子G1には
抵抗18,抵抗19で分圧された負電圧を加えている。第2
ゲート端子G2は抵抗20を介して切換信号入力端子21に
接続されている。第2ゲート端子G2と抵抗20の間には
一端が接地されたコンデンサ22が接続されている。ドレ
イ端子Dはチョークコイル23を介して正電圧端子24に接
続されている。チョークコイル23と正電圧端子24の間に
一端が接地されたコンデンサ25が接続されている。RF
信号はコンデンサ26を介して第1ゲート端子G1に入力
され、ドレイン端子Dより出力される。
デュアルゲートFET17のソース端子Sを接地し、所望
のドレイン電流が流れるように第1ゲート端子G1には
抵抗18,抵抗19で分圧された負電圧を加えている。第2
ゲート端子G2は抵抗20を介して切換信号入力端子21に
接続されている。第2ゲート端子G2と抵抗20の間には
一端が接地されたコンデンサ22が接続されている。ドレ
イ端子Dはチョークコイル23を介して正電圧端子24に接
続されている。チョークコイル23と正電圧端子24の間に
一端が接地されたコンデンサ25が接続されている。RF
信号はコンデンサ26を介して第1ゲート端子G1に入力
され、ドレイン端子Dより出力される。
【0011】切換信号入力端子21の切換信号として0V
を加えるデュアルゲートFET17は通常の増幅動作をす
る。次に切換信号入力端子21にピンチオフ電圧よりも負
側の電圧(本実施例では−5V)を切換信号として加える
とデュアルゲートFET17はピンチオフし、増幅動作を
しない。すなわち、通常動作時の利得とピンチオフした
ときのロスの和が、この増幅型スイッチのアイソレーシ
ョンとなる。ここで、抵抗20とコンデンサ22より構成さ
れるローパスフィルタはRF(低周波)信号を阻止するも
のである。抵抗20の抵抗値R、コンデンサ22の容量値C
は切換信号の周期よりも十分小さな時定数T(T=R・
C)となるように設定している。
を加えるデュアルゲートFET17は通常の増幅動作をす
る。次に切換信号入力端子21にピンチオフ電圧よりも負
側の電圧(本実施例では−5V)を切換信号として加える
とデュアルゲートFET17はピンチオフし、増幅動作を
しない。すなわち、通常動作時の利得とピンチオフした
ときのロスの和が、この増幅型スイッチのアイソレーシ
ョンとなる。ここで、抵抗20とコンデンサ22より構成さ
れるローパスフィルタはRF(低周波)信号を阻止するも
のである。抵抗20の抵抗値R、コンデンサ22の容量値C
は切換信号の周期よりも十分小さな時定数T(T=R・
C)となるように設定している。
【0012】次に図1の動作について説明する。本実施
例では、SPSTスイッチ6,14はGaAs MMICで
あり、端子Aに0V、端子Bに−5Vの信号を加えると
オンし、端子Aに−5V、端子Bに0Vの信号を加える
とOFFする。SPDTスイッチ7はGaAs MMIC
であり、端子Cに0V、端子Dに−5Vの信号を加える
と第1の入力端子8を選択し、端子Cに−5V、端子D
に0Vの信号を加えると第2の入力端子15を選択する。
すなわち、切換信号入力端子27に切換信号(1)として0
Vを切換信号入力端子28に切換信号(2)として−5Vを
加えると、増幅型スイッチ5は上記説明より、通常の増
幅動作を行い、増幅型スイッチ13は増幅動作を停止す
る。SPSTスイッチ6はオン、SPSTスイッチ14は
オフし、SPDTスイッチは第1の入力端子8を選択
し、出力端子16には発振器1の出力がでる(発振器1を
選択)。また、切換信号入力端子27の切換信号(1)として
−5Vを切換信号入力端子28に切換信号(2)として0V
を加えた場合は、増幅型スイッチ5,13、SPSTスイ
ッチ6,14、SPDTスイッチ7は上記説明と逆の動作
をし、出力端子16には発振器9の出力がでる(発振器9
を選択)。また、本実施例では発振器1,9、増幅器
3,11は常時動作させている。
例では、SPSTスイッチ6,14はGaAs MMICで
あり、端子Aに0V、端子Bに−5Vの信号を加えると
オンし、端子Aに−5V、端子Bに0Vの信号を加える
とOFFする。SPDTスイッチ7はGaAs MMIC
であり、端子Cに0V、端子Dに−5Vの信号を加える
と第1の入力端子8を選択し、端子Cに−5V、端子D
に0Vの信号を加えると第2の入力端子15を選択する。
すなわち、切換信号入力端子27に切換信号(1)として0
Vを切換信号入力端子28に切換信号(2)として−5Vを
加えると、増幅型スイッチ5は上記説明より、通常の増
幅動作を行い、増幅型スイッチ13は増幅動作を停止す
る。SPSTスイッチ6はオン、SPSTスイッチ14は
オフし、SPDTスイッチは第1の入力端子8を選択
し、出力端子16には発振器1の出力がでる(発振器1を
選択)。また、切換信号入力端子27の切換信号(1)として
−5Vを切換信号入力端子28に切換信号(2)として0V
を加えた場合は、増幅型スイッチ5,13、SPSTスイ
ッチ6,14、SPDTスイッチ7は上記説明と逆の動作
をし、出力端子16には発振器9の出力がでる(発振器9
を選択)。また、本実施例では発振器1,9、増幅器
3,11は常時動作させている。
【0013】以上本実施例では、増幅型スイッチを用い
ているため後段のSPSTスイッチ、SPDTスイッチ
の損失を補償でき、増幅型スイッチと発振器間のアッテ
ネータの減衰量を大きくできる。その結果、増幅型スイ
ッチのオン/オフ時の発振器の周波数変動を小さくでき
る。増幅型スイッチを飽和領域でなく直線領域で動作さ
せ、所望の出力を得るために必要な増幅型スイッチと発
振器間のアッテネータの減衰量を増幅器の前に集中させ
ることなく、増幅器の前後に振り分けている。その結
果、アッテネータ2,10によるC/N(Carrier to No
ise)の劣化を小さくできる。
ているため後段のSPSTスイッチ、SPDTスイッチ
の損失を補償でき、増幅型スイッチと発振器間のアッテ
ネータの減衰量を大きくできる。その結果、増幅型スイ
ッチのオン/オフ時の発振器の周波数変動を小さくでき
る。増幅型スイッチを飽和領域でなく直線領域で動作さ
せ、所望の出力を得るために必要な増幅型スイッチと発
振器間のアッテネータの減衰量を増幅器の前に集中させ
ることなく、増幅器の前後に振り分けている。その結
果、アッテネータ2,10によるC/N(Carrier to No
ise)の劣化を小さくできる。
【0014】アッテネータをパイ型で構成しているため
にT型に比べて大きな減衰量が得られるため、アッテネ
ータ4,12の減衰量に比べてアッテネータ2,10の減衰
量を大きくでき、増幅量3,11と発振器1,9間のアイ
ソレーションが大きくできる。その結果、増幅型スイッ
チ5,13のオン/オフ時の発振器の周波数変動を小さく
できる。また、増幅型スイッチの線形動作領域で動作さ
せているため、アイソレーションを大きくできる。な
お、本実施例では増幅型スイッチをデュアルゲートFE
Tで構成しているが、シングルゲートFETで構成して
も同じ効果が得られることは言うまでもない。
にT型に比べて大きな減衰量が得られるため、アッテネ
ータ4,12の減衰量に比べてアッテネータ2,10の減衰
量を大きくでき、増幅量3,11と発振器1,9間のアイ
ソレーションが大きくできる。その結果、増幅型スイッ
チ5,13のオン/オフ時の発振器の周波数変動を小さく
できる。また、増幅型スイッチの線形動作領域で動作さ
せているため、アイソレーションを大きくできる。な
お、本実施例では増幅型スイッチをデュアルゲートFE
Tで構成しているが、シングルゲートFETで構成して
も同じ効果が得られることは言うまでもない。
【0015】
【発明の効果】以上のように本発明は、増幅型スイッチ
を用いたため、発振器と増幅型スイッチ間のアイソレー
ションを大きくすることができる。その結果、増幅型ス
イッチのオン/オフ時の発振器の周波数変動を小さくで
きる。また、増幅型スイッチの線形動作領域で使用して
いるため、アイソレーションを大きくできる。その結
果、PLL周波数シンセサイザの出力端でのスプリアス
信号レベルを低くできる。アッテネータを増幅器の前後
に配置したため、C/Nの劣化の少ないPLL周波数シ
ンセサイザとなる。
を用いたため、発振器と増幅型スイッチ間のアイソレー
ションを大きくすることができる。その結果、増幅型ス
イッチのオン/オフ時の発振器の周波数変動を小さくで
きる。また、増幅型スイッチの線形動作領域で使用して
いるため、アイソレーションを大きくできる。その結
果、PLL周波数シンセサイザの出力端でのスプリアス
信号レベルを低くできる。アッテネータを増幅器の前後
に配置したため、C/Nの劣化の少ないPLL周波数シ
ンセサイザとなる。
【図1】本発明の一実施例におけるスイッチを内蔵した
PLL周波数シンセサイザの構成を示す図である。
PLL周波数シンセサイザの構成を示す図である。
【図2】本発明の一実施例による増幅型スイッチの具体
的な回路図である。
的な回路図である。
【図3】従来のスイッチを内蔵したPLL周波数シンセ
サイザの構成を示す図である。
サイザの構成を示す図である。
1,9…発振器、 2,4,10,12…アッテネータ、
3,11…増幅器、 5,13…増幅型スイッチ、 6,1
4,29,30…SPSTスイッチ、 7…SPDTスイッ
チ、 8…SPDTスイッチの第1の入力端子、 15…
SPDTスイッチの第2の入力端子、 16…出力端子、
17…デュアルゲートFET、 18,19,20…抵抗、
21,27,28…切換信号入力端子、 22,25,26,31,33
…コンデンサ、 23,32…チョークコイル。
3,11…増幅器、 5,13…増幅型スイッチ、 6,1
4,29,30…SPSTスイッチ、 7…SPDTスイッ
チ、 8…SPDTスイッチの第1の入力端子、 15…
SPDTスイッチの第2の入力端子、 16…出力端子、
17…デュアルゲートFET、 18,19,20…抵抗、
21,27,28…切換信号入力端子、 22,25,26,31,33
…コンデンサ、 23,32…チョークコイル。
Claims (1)
- 【請求項1】 第1の発振器と第2の発振器のどちらか
一方を選択し出力するPLL(Phase Lock Loop)周波
数シンセサイザにおいて、前記第1の発振器と、少なく
とも1段以上の第1の増幅器と、少なくとも1段以上の
第1の増幅型スイッチと、少なくとも1段以上の第1の
SPST(single端子)スイッチを従属接続し、前記第1
の発振器と前記第1の増幅器の間に少なくとも1個以上
の第1のアッテネータを挿入し、前記第1の増幅器と前
記第1の増幅型スイッチの間に少なくとも1個以上の第
2のアッテネータを挿入し、前記第1のSPSTスイッ
チの出力をSPDT(double端子)スイッチの第1の入力
端子に接続し、 前記第2の発振器と、少なくとも1段以上の第2の増幅
器と、少なくとも1段以上の第2の増幅型スイッチと、
少なくとも1段以上の第2のSPSTスイッチを従属接
続し、前記第2の発振器と前記第2の増幅器の間に少な
くとも1個以上の第3のアッテネータを挿入し、前記第
2の増幅器と前記第2の増幅型スイッチの間に少なくと
も1個以上の第4のアッテネータを挿入し、前記第2の
SPSTスイッチの出力を前記SPDTスイッチの第2
の入力端子に接続し、かつ、前記第1,第2の増幅型ス
イッチをソース接地高周波FETで構成し、前記第1,
第2の増幅型スイッチを線形動作領域で動作させ、前記
第1,第2の増幅器を常時動作状態としたことを特徴と
するスイッチを内蔵したPLL周波数シンセサイザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5021180A JPH06237169A (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | スイッチを内蔵したpll周波数シンセサイザ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5021180A JPH06237169A (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | スイッチを内蔵したpll周波数シンセサイザ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06237169A true JPH06237169A (ja) | 1994-08-23 |
Family
ID=12047745
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5021180A Pending JPH06237169A (ja) | 1993-02-09 | 1993-02-09 | スイッチを内蔵したpll周波数シンセサイザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06237169A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100375403C (zh) * | 2005-01-26 | 2008-03-12 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种同频无线通讯系统板间本振复用备份的装置 |
CN104637456A (zh) * | 2013-11-08 | 2015-05-20 | 瑞鼎科技股份有限公司 | 应用于液晶显示装置的模拟数据传送器及其运作方法 |
-
1993
- 1993-02-09 JP JP5021180A patent/JPH06237169A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100375403C (zh) * | 2005-01-26 | 2008-03-12 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种同频无线通讯系统板间本振复用备份的装置 |
CN104637456A (zh) * | 2013-11-08 | 2015-05-20 | 瑞鼎科技股份有限公司 | 应用于液晶显示装置的模拟数据传送器及其运作方法 |
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