JP2001520457A - 膜堆積用プラズマの２周波数励起 - Google Patents

膜堆積用プラズマの２周波数励起

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Abstract

(57)【要約】 装置は、リアクタ内で透過性の基板の上に高品質の膜を堆積する。この透過性の基板は、ガラス製、クオーツ製、あるいはプラスチック等のポリマー製であってもよい。透過性の基板は、プロセスチャンバ内で加熱され、プロセスチャンバ内にはプロセスガスの流れが導入される。該装置は、高周波電源から高周波数電力の出力を、低周波電源から低周波数電力の出力を、それぞれ生成する。高周波電力の出力は約１３ＭＨｚ以上の周波数、約１〜５キロワットの電力で発生し、低周波電力の出力は約２ＭＨｚ以下の周波数、約３００ワット〜２キロワットの電力で発生する。この高周波出力と低周波出力は重ね合わされ、透過性の基板上にスムーズな膜を堆積するために、圧力約０．４トール〜３トール、温度約２５０℃〜４５０℃でプロセスガス流れよりプラズマを生成するために用いられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、膜堆積のためのシステム及び方法に関し、特に、大面積の透過性基
板の上に高品質の膜を高速で堆積するための改良型システム及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、軽量且つ低消費電力の高品質ディスプレイを作るための、液晶ディスプ
レイの開発が進んでいる。この液晶は典型的には２枚のガラス基板を有し、これ
らガラス基板が液晶材料の層をサンドイッチしている。これらガラス基板の上に
導電体の膜をパターニングして、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の回路要素を形
成する。液晶材料の配向を変えるために基板は電源に接続され、液晶ディスプレ
イの様々な領域がＴＦＴを用いて選択的にエネルギーを与えられるようになって
いる。
【０００３】 シリコン基板とは対照的に、ガラス基板上に回路要素を堆積する場合には、半
導体チャンネル材料をガラス基板上に製造する必要がある。そして、ゲートへの
導電経路をガラス基板上に堆積する。更に具体的には、バックチャンネルデバイ
スの場合、ＴＦＴでは、パターニングされたゲートメタル層の上にゲート誘電体
層を堆積する必要がある。従って、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の層をゲ
ート誘電体層の上に堆積する場合もある。このアモルファスシリコン層の上に、
メタルコンタクトを堆積する場合もある。このアモルファスシリコン層は、その
上のメタルとの接触性を向上するため、ドープアモルファスシリコン層の薄膜を
有していてもよい。窒化珪素（ＳｉＮ）やシリコン酸化物（ＳｉＯ2）をエッチ ストップとして、アモルファスシリコン層の上に堆積してもよい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
大面積のガラス基板上に膜を堆積するためのリアクタは典型的には、プラズマ
励起化学気相堆積を活用するものであるが、これは、プロセスチャンバ内でプロ
セスガスの分解を誘起するため、単一高周波の電源を用いる。この高周波電源に
よって生成した高エネルギーが膜の上層を加熱することが望ましいのだが、平坦
度の高い膜を与えるに十分のイオンエネルギーの量を与えない。更に、ガラス基
板は通常、シリコン基板よりもかなり大型であるため、電極の大きさが、この電
源の周波数の波長に近くなることもある。このような状況では、ガラス基板の表
面上の放電強度の分布が不均一になってしまう。この不均一な分布が、基板表面
上への膜堆積を不均一なものにしてしまうことがある。
【０００５】 上記の諸因子により、ガラス基板上に堆積される膜は、かなりの表面粗さを有
している。このように膜が粗ければ、膜の品質が低下する。更に、堆積膜の粗さ
は、電子移動度に影響を与え、そして終局的にはディスプレイの性能が低くなる
ことになる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
装置は、リアクタ内で透過性の基板の上に高品質の膜を堆積する。この透過性
の基板は、ガラス製、クオーツ製、あるいはプラスチック等のポリマー製であっ
てもよい。透過性の基板は、プロセスチャンバ内で加熱され、プロセスチャンバ
内にはプロセスガスの流れが導入される。該装置は、高周波電源から高周波数電
力の出力を、低周波電源から低周波数電力の出力を、それぞれ生成する。この高
周波出力と低周波出力は重ね合わされ、透過性の基板上にスムーズな膜を堆積す
るために、圧力約０．４トール〜３トール、温度約２５０℃〜４５０℃でプロセ
スガス流れよりプラズマを生成するために用いられる。
【０００７】 本発明の特徴の１つでは、高周波電源と低周波電源のそれぞれがインピーダン
ス整合回路と、このインピーダンス整合回路に結合したフィルタとを有している
。
【０００８】 本発明の別の特徴では、高周波電力の出力が、約１３ＭＨｚ以上の周波数、約
１〜５キロワットの電力で発生する。更に、低周波電力の出力が、約２ＭＨｚ以
下の周波数、約３００ワット〜２キロワットの電力で発生する。
【０００９】 本発明の別の特徴では、プロセスガスは、シランと酸素の混合ガス、シランと
窒素酸化物の混合ガス、ＴＥＯＳと酸素の混合ガス、ＴＥＯＳと窒素酸化物の混
合ガスであってもよい。あるいは、プロセスガスはシラン、窒素及びアンモニア
の混合ガスであってもよい。
【００１０】 本発明のまた別の特徴では、基板はサセプタ上で支持されるが、このサセプタ
は中心で接地されている。サセプタは更に、自身の四隅のそれぞれで接地されて
いてもよい。
【００１１】 本発明の別の特徴では、サセプタとチャンバ内に導入されるプロセスガスがそ
の中を通るシャワーヘッドとの間に、基板が配置される。低周波電源と高周波電
源の一方が選択されてサセプタに接続され、残りの方がシャワーヘッドに接続さ
れる。
【００１２】 本発明の利点としては、次のものが含まれる。２周波数励起プラズマで堆積し
た膜は非常にスムーズである。このスムーズな膜は、続いて堆積した層と良好な
界面を与え、電子移動度を高める。電子移動度が高められれば、ディスプレイの
電気的な性能が向上する。また、得られた膜の安定性も高い。密度や応力といっ
た他の膜の性能も高められつつも、高速の堆積速度が実現される。
【００１３】 本発明の他の特徴及び利点は、図面と請求の範囲を含めた発明の詳細な説明よ
り明らかになるだろう。
【００１４】
【発明の実施の形態】
概して、本発明の操作においては、透過性の基板を真空堆積プロセスチャンバ
の中で支持し、これを摂氏数百度（℃）に加熱する。堆積ガスをチャンバ内に注
入し、２周波数電源システムによりこれを励起する。プラズマ励起化学気相堆積
（ＰＥＣＶＤ）反応が生じて、透過性基板の上に薄膜層が堆積される。堆積され
た薄膜層は、誘電層（ＳｉＮやＳｉＯ等）であってもよく、あるいは半導体層（
ａ−Ｓｉ等）であってもよい。
【００１５】 本発明は、米国カリフォルニア州サンタクララのアプライドコマツテクノロジ
ー社により製造されたＰＥＣＶＤシステムにおいて使用されてもよい。また、本
発明は、市場で入手可能な別の堆積システムで使用してもよい。透過性基板は、
ラス製、クオーツ製又はプラスチック等のポリマー製であってもよい。通常の基
板サイズは、約５５０〜６５０ｍｍである。
【００１６】 図１に戻り、ＰＥＣＶＤ装置１３０は、ステム１３７を有するサセプタ１３５
を有している。サセプタ１３５は、真空堆積プロセスチャンバ１３３内の中央に
置かれている。サセプタ１３５は、ガラスパネル等の透過性基板３８を、基板処
理領域ないし反応領域１４１において保持する。サセプタ１３５を昇降させるた
めに、リフト機構（図示せず）が具備される。リフト機構に対する命令は、コン
トローラ図示せず）により与えられる。基板３８のチャンバ１３３に対する出し
入れは、ロボットブレード（図示せず）により、チャンバ１３３の側壁１３４の
開口１４２を介して行われる。基板３８は、ヒータ７０により約２５０℃〜４０
０℃の温度に加熱されるが、このヒータ７０は、サセプタ１３５に埋め込まれた
抵抗ヒータであってもよい。あるいは、ランプヒータ又は当業者に知られるその
他の適当なヒータを用いてもよい。
【００１７】 堆積プロセスガスは、ガスソースマニホールド６１及びガス流入マニホールド
１２６を介して、チャンバ１３３内に流入する。ガスソースマニホールド６１は
、ソース５６〜５９からの反応性ガスを受け取るが、このガスソースは５６がシ
ラン（ＳｉＨ4）を、５７がテトラエチルオルソシラン（ＴＥＯＳ）を、５８が 酸素（Ｏ2）を、５９が亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）を、６０が窒素（Ｎ2）を、６１が アンモニア（ＮＨ3）を、それぞれ供給する。ガスマニホールド６１は、プロセ スガスとして、シランと酸素の混合ガス、シランと亜酸化窒素の混合ガス、ＴＥ
ＯＳと酸素の混合ガス、あるいはＴＥＯＳと亜酸化窒素の混合ガスを生成しても
よい。あるいは、プロセスガスは、シランと窒素とアンモニアの混合ガスであっ
てもよい。プロセスガスは、多孔のブロッカプレート１２４の中を通り、また、
プロセスガス散布フェースプレートないしシャワーヘッド１２２の多数の穴の中
を通って、流れてもよい。米国特許第４,８５４,２６３号、米国特許第５,６１ １,８６５号及び米国特許第５,３６６,５８５号に示されるものをはじめとして 、様々なシャワーヘッドの構成を用いる事ができる。電極間隔ないし基板表面と
フェースプレート１２２の放電面との間の距離は、約４００〜１５００ mils で
ある。プロセスガスの流れは、図１の基板処理領域１４１に小さな矢印で示され
る。捜査中は、チャンバ１３３は典型的には約０．４トール〜３トールの圧力、
約２５０℃〜４５０℃の温度に維持される。
【００１８】 図１に示されるチャンバ内では、堆積プロセスの向上のためにプラズマが用い
られる。従って、適切なプラズマ点火回路、好ましくは２周波数高周波（ＲＦ:r
adio frequency）電源システムが必要である。２周波数ＲＦ電源システムは、低
周波数（ＬＦ:low frequency）ＲＦ電源５０と、高周波数（ＨＦ:high frequenc
y）ＲＦ電源６０を有しており、これらは、プロセスガス混合物を励起してプラ ズマを生成するため、ガス散布フェースプレート１２２とサセプタ１３５の間に
電力を印加する。低周波数ＲＦ電源５０は、約２ＭＨｚ以下、好ましくは２００
ｋＨｚ〜５００ｋＨｚの周波数の範囲で動作する。高周波数ＲＦ電源６０は、約
１３ＭＨｚ以上、好ましくは１３．５６ＭＨｚ及びこの調波（ハーモニクス）の
周波数で動作する。ＲＦ電源は、固定周波数で動作してもよく、あるいは装置１
３０のチューニングを可能にするため可変周波数で用いてもよい。
【００１９】 高周波数ＲＦ電源６０の出力は、インピーダンス整合回路網６２に与えられる
が、このインピーダンス整合回路網６２は、不要なノイズをカットするためフィ
ルタ６４に接続される。高周波数電源６０は、単独で用いられる場合は、非常に
スムーズな膜を実現するためには十分とは言えない量のイオンエネルギーしか与
えない。低周波数電源５０を、これに連合するインピーダンス整合回路網５２及
びフィルタ５４と共に加えて、有用とすることができるイオンエネルギーの量を
増やす。このようにイオンエネルギーの量が増えれば、堆積膜の表面形態が向上
することになる。
【００２０】 約１〜５キロワットの高周波数ＲＦ電力と約３００ワット〜２キロワットの低
周波数ＲＦ電力をフェースプレート１２２に印加して、プラズマを生成する。低
周波数ＲＦ電源５０と高周波数ＲＦ電源６０は、組み合わせで、プラズマの成分
を反応させて透過性基板３８の表面上に膜を堆積する役割を負う。
【００２１】 基板のサイズが変われば、別のＲＦ電力が必要となることが指摘されるべきで
ある。このように、上記に特定した電力の値は、寸法が約５００ｍｍｘ６５０ｍ
ｍの基板に適したものである。基板が大きくなれば、必要な電力は増加するだろ
う。例えば、同じ低周波数と高周波数では、基板の面積が大きくなれば、それぞ
れの電源からの更に大きな電力が必要となる。
【００２２】 堆積プロセスガスは、基板処理領域１４１を取り囲むスロット状オリフィス１
３１を通って、排気プレナム１５０へと排気されてもよい。ガスは、排気プレナ
ム１５０から真空遮断弁１５４により、外部の真空ポンプ（図示せず）に接続す
る排気出口１５２へと流れていく。
【００２３】 マノメータ６３は、チャンバ１３３内のガスの圧力を測定する。無論、マノメ
ータ６３は、多数ある別のタイプの圧力センサに替えることもできる。例えば、
イオンゲージを用いることができる。ガバナ（律速器）１３６を排気流れ中に配
置して、チャンバ１３３内の全圧を調整してもよい。チャンバの全圧を一定に維
持するため、マノメータ６３からの信号１５１を、ガバナ１３６の電気コントロ
ーラの入力として用いてもよい。
【００２４】 図２には、２周波数電源５０及び６０を用いて、透過性基板３８上に膜を堆積
するためのプロセスのフローチャートが示される。先ず、透過性基板３８がサセ
プタ１３５の上に配置される（ステップ２００）。次いで、基板ヒータ７０を用
いて、透過性基板３８が加熱される（ステップ２０２）。プロセスソースからの
ガス流れが、反応チャンバ内で平衡状態になる（ステップ２０４）。低周波数Ｒ
Ｆ電源５０及び高周波数ＲＦ電源６０のスイッチをオンにし、チャンバ内部にプ
ラズマを励起し、透過性基板３８上に膜を堆積させる（ステップ２０６）。先ず
高周波数ＲＦ電源６０の方を先にスイッチオンにすることが好ましい。しかし、
低周波数ＲＦ電源５０と高周波数ＲＦ電源６０を同時にスイッチオンにしてもよ
く、あるいは、所望により低周波数ＲＦ電源を先にスイッチオフにしてもよい。
透過性基板３８上への膜の堆積が完了した後、低周波数ＲＦ電源と高周波数ＲＦ
電源のスイッチをオフにしてもよく、これは同時にオフにすることが好ましい（
ステップ２０８）。
【００２５】 図３Ａ、図３Ｂ及び図３Ｃは、２周波数電源がシャワーヘッド１２２及びサセ
プタ１３５へ電気的に結合する種々の構成を模式的に例示する。図３Ａでは、低
周波数電源の出力と高周波数電源の出力が重ね合わせられており、これを電圧ソ
ース２１０として表す。電圧ソース２１０は、一点でシャワーヘッド１２２に接
続されている。サセプタ１３５に集められる電子を空にするための電気帰還路を
与えるため、サセプタ１３５を支持し且つサセプタに電気的に接続されるステム
１３７が接地される。
【００２６】 大型の基板に対しては、図３Ｂの構成が好ましい。この構成では、低周波数電
源の出力と高周波数電源の出力の重ね合わせ出力を与える電圧ソース２２０が、
シャワーヘッド１２２の中心に印加される。多数の電子帰還路が、ステム１３７
だけでなくサセプタ１３５のコーナー２３０及び２３２にも与えられる。更に、
側部が４つのサセプタの残りの２つのコーナーにも電子帰還路を与えてもよい。
このように、サセプタ１３５は４つのコーナー全部で接地される。この多数の電
子帰還路を用いることにより、サセプタ１３５から電子を完全に空にすることが
可能になる。
【００２７】 図３Ａと図３Ｂでは、重ね合わせ電圧をシャワーヘッド１２２へ印加する用途
について示しているが、本発明では、シャワーヘッド１２２とサセプタ１３５を
別々の電源に別個に接続してもよいことも意図しているものである。図３Ｃでは
、第１の周波数で動作する電源２４０がインピーダンス整合回路２４２に接続さ
れる。この整合回路２４２は、フィルタ２４４に接続され、フィルタ２４４はシ
ャワーヘッド１２２に接続される。同様に、第２の周波数で動作する電源２５０
がインピーダンス整合回路２５２に接続される。この整合回路２５２は、フィル
タ２５４に接続され、フィルタ２５４はサセプタ１３５に接続される。第１の周
波数が高い周波数である場合は第２の周波数が低い周波数であり、第１の周波数
が低い周波数である場合は第２の周波数が高い周波数である。
【００２８】 このように、低周波数電源の出力と高周波数電源の出力が重ね合わせられてシ
ャワーヘッド１２２に与えられてもよい。あるいは、低周波数電源と高周波数電
源の一方がシャワーヘッド１２２に接続され、他方で低周波数電源と高周波数電
源のの残りの方がサセプタ１３５に接続されてもよい。
【００２９】 本発明に従って堆積した膜は、下の表１に示すように、従来技術の高周波数電
源（ＨＦ電源）を単独で使用したリアクタを用いて堆積した膜よりも高い品質の
膜を有している。表１の左から２列は、温度約３２０℃、圧力約２０トールで、
高周波数電源を単独で、それぞれ４０００Ｗと４８００Ｗで用いて得られた窒化
珪素の膜の性質を示す。表１の最後の列は本発明に従った結果を示すが、ここで
は、図３Ｂに示される構成の低周波数電源と高周波数電源を用い、これはそれぞ
れ約４００ｋＨｚと約１３．５６ＭＨｚで動作し、全電力は４７００Ｗ、温度は
約３２０℃、圧力は約２．０トールであった。
【００３０】
【表１】 ここに示されるように、２周波数電源システムを用いたリアクタの堆積速度が
４０００Å／分であり、これはＨＦ電源を単独で４８００Ｗで動作した場合と同
じである。これら特定の具体例において、２周波数電源システムを用いて生成し
た膜で測定した応力は、４０００Ｗと４８００Ｗで動作する単独の電源システム
を用いて堆積した膜のそれよりも大きい。この応力は、２周波数電源システムを
用いて堆積した膜のウェットエッチレイト（ＷＥＲ:wet etch rate）が低いこと
とスムーズであることと相俟って、膜が安定であり且つ高品質であることを示す
ものである。
【００３１】 顕著な点としては、２周波数電源システムで堆積した膜の粗さは、自乗平均（
ｒｍｓ:root-mean-square）値での測定では、単一周波数電源システムで堆積し た膜の粗さよりも優れていたということである。粗さが大きくなれば、堆積した
ゲートを通過する電子に対する抵抗は高くなる。従って、２周波数電源システム
を用いて堆積したスムーズな膜は、電子移動度を高くする事に役立つので、良好
なディスプレイを与えることになる。
【００３２】 図４Ａ〜図４Ｃに、各リアクタで堆積した膜の表面粗さを３次元で例示する。
図４Ａ及び図４Ｂは、単一ＨＦ電源リアクタを、表１に示すようにそれぞれ４０
００Ｗと４８００Ｗで動作させて用い堆積した膜表面の３次元像である。図４Ａ
の表面は、ｒｍｓが１．００ｎｍと比較的粗い。図４Ｂの表面は、ｒｍｓが１．
７４ｎｍと、更に粗くなっている。
【００３３】 対照的に、図４Ｃに示されるように、全電力が４７００Ｗの２周波数電源シス
テムを用いて堆積した膜の表面のｒｍｓ粗さは０．７３ｎｍである。従って、こ
の全電力は４８００Ｗの電源に匹敵しているが、この２周波数電源システムによ
れば、これに相当する４８００Ｗの単一周波数電源よりも５０％以上高いスムー
ズさをもった膜を生成したといえる。
【００３４】 ２周波数で励起したプラズマで堆積したスムーズな膜は、その次に堆積した層
との接着性を良好にし、また電子移動度を向上する。電子移動度が向上すること
により、ディスプレイの電気的特性が向上する。また、得られた膜の安定性も高
くなる。
【００３５】 特定の具体例やシーケンスを用いて本発明を例示しまた説明してきたが、本発
明の本質から離れることなく様々な変形が可能である。本発明は、数多くの他の
ＣＶＤシステムにも適用可能であり、それだけでなく数多くの他の堆積方法を用
いたシステムにも適用可能である。混合ガス、温度や圧力の変更を考慮してもよ
い。電源については、電源の周波数をチューニングすることに代えて、インピー
ダンス整合回路をチューニングしてもよい。更に、ここでは電極間隔について４
００〜１５００milsを開示しているが、他の適切な間隔を用いてもよい。更に、
電源の加熱やサイクルの様々なシーケンスは、所望の膜及び堆積シーケンスによ
って遂行することが可能である。
【００３６】 このような変形や変更は当業者には自明であると思われ、本発明は添付の請求
の範囲によってのみ画定される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に従ったリアクタの断面図である。
【図２】 ２周波数電源を用いて大面積透過性基板の上に膜を堆積するためのプロセスを
例示するフローチャートである。
【図３Ａ】 ２周波数電源がリアクタ内で回路に接続されている場合の、様々なトポロジー
を例示する模式図である。
【図３Ｂ】 ２周波数電源がリアクタ内で回路に接続されている場合の、様々なトポロジー
を例示する模式図である。
【図３Ｃ】 ２周波数電源がリアクタ内で回路に接続されている場合の、様々なトポロジー
を例示する模式図である。
【図４Ａ】 大面積透過性基板の上に膜を堆積する場合において、２周波数電源リアクタの
性能を、種々の１周波数電源リアクタと比較する三次元の表現である。
【図４Ｂ】 大面積透過性基板の上に膜を堆積する場合において、２周波数電源リアクタの
性能を、種々の１周波数電源リアクタと比較する三次元の表現である。
【図４Ｃ】 大面積透過性基板の上に膜を堆積する場合において、２周波数電源リアクタの
性能を、種々の１周波数電源リアクタと比較する三次元の表現である。
【符号の説明】
３８…透過性基板、１３０…ＰＥＣＶＤ装置、１３５…サセプタ、１３７…ス
テム、１４１…反応領域。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シャン， チュアンユアン アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン ノゼ， ジョンソン アヴェニュー 1507 (72)発明者 オールセン， ジェフ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， ロス ガトス， ラス アスタス ドライ ヴ 140 (72)発明者 ソレンセン， カール アメリカ合衆国， カリフォルニア州， モルガン ヒル， イー．デューン アヴ ェニュー 4566 Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA09 AA13 AA14 AA18 AA24 BA30 BA40 BA44 CA05 CA06 CA17 FA03 GA02 JA09 JA10 JA16 JA18 KA17 KA23 KA30 LA18 5F045 AA08 AB04 AB32 AB33 AC01 AC07 AC11 AC12 AD06 AD07 AD08 AE19 AE21 AF07 BB02 EH05 EH14 EH19 EM10

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 薄膜を堆積する方法であって、 プロセスチャンバ内で透過性の基板を加熱し、 プロセスガスの流れをプロセスチャンバ内に導入し、 高周波数電力出力を発生し、 低周波数電力出力を発生し、 前記高周波数電力出力と前記低波数電力出力を重ね合わせ、 高周波数電力出力及び低波数電力出力の重ね合わせを用いてプロセスガス流れ
    からプラズマを励起し、圧力約０．４トール〜３トール、温度約２５０℃〜４５
    ０℃で、透過性基板の上に薄膜を堆積する 各段階を有する方法。
  2. 【請求項２】 プロセスチャンバ内の透過性基板が、ガラス基板である請求
    項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 プロセスチャンバ内の透過性基板が、クオーツ基板である請
    求項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】 プロセスチャンバ内に導入されるガス流れが、シランと酸素
    を含んでいる請求項１に記載の方法。
  5. 【請求項５】 プロセスチャンバ内に導入されるガス流れが、テトラエチル
    オルソシラン（ＴＥＯＳ）を含んでいる請求項１に記載の方法。
  6. 【請求項６】 プロセスチャンバ内に導入されるガス流れが、シランと亜酸
    化窒素を含んでいる請求項１に記載の方法。
  7. 【請求項７】 プロセスチャンバ内に導入されるガス流れが、ＴＥＯＳと亜
    酸化窒素を含んでいる請求項１に記載の方法。
  8. 【請求項８】 プロセスチャンバ内に導入されるガス流れが、シランと窒素
    とアンモニアを含んでいる請求項１に記載の方法。
  9. 【請求項９】 該重ね合わせた電力出力に結合される中心領域を有するシャ
    ワーヘッドを更に備える請求項１に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 基板がサセプタに保持され、前記サセプタがコーナーと中
    心部を備え、該方法が更に、該サセプタコーナーと該サセプタ中心部分において
    該サセプタを接地することを有する請求項１に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 該高周波数電力出力が、低周波数電力出力に先だって発生
    される請求項１に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 基板がサセプタに保持され、基板がシャワーヘッドの下に
    配置され、該電力出力を重ね合わせる段階が更に、 低周波数電力出力と高周波数電力出力のいずれか一方をサセプタに印加し、 低周波数電力出力と高周波数電力出力の残りの一方をシャワーヘッドに印加す
    る 各段階を更に有する請求項１に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 該高周波数電力出力が、周波数約１３ＭＨｚ以上、電力約
    １〜５キロワットで発生する請求項１に記載の方法。
  14. 【請求項１４】 該低周波電力の出力が、周波数約２ＭＨｚ以下、電力約３
    ００ワット〜２キロワットで発生する請求項１に記載の方法。
  15. 【請求項１５】 該高周波数電力出力が、周波数約１３ＭＨｚ以上、電力約
    １〜５キロワットで発生し、該低周波電力の出力が、周波数約２ＭＨｚ以下、電
    力約３００ワット〜２キロワットで発生する請求項１に記載の方法。
  16. 【請求項１６】 膜を堆積するための装置であって、 内部に透過性の被処理基板を配置することが可能で圧力を約０．４〜３トール
    に制御することが可能な真空チャンバと、 前記真空チャンバ内にガスの流れを導入するために前記真空チャンバに結合さ
    れるプロセスガスソースと、 前記チャンバ内で透過性基板を約２５０℃〜４５０℃の温度に加熱するヒータ
    と、 高周波数電源と、 低周波数電源と を備え、前記チャンバ内でプロセスガスからプラズマを励起して、透過性基板上
    に膜を堆積するために、前記高周波数電源の出力と前記低周波数電源の出力を足
    し合わせる装置。
  17. 【請求項１７】 該高周波数電源と該低周波数電源のそれぞれが、 インピーダンス整合回路と、 該インピーダンス整合回路に結合されるフィルタと を有する請求項１６に記載の装置。
  18. 【請求項１８】 基板がサセプタ上に支持され、該サセプタが接地される請
    求項１６に記載の装置。
  19. 【請求項１９】 該サセプタが４つのコーナーと１つの中心部を有し、４つ
    のコーナー及び１つの中心部のそれぞれが接地される請求項１８に記載の装置。
  20. 【請求項２０】 更に、 低周波数電源と高周波数電源の何れか一方に結合した、基板を支持するための
    サセプタと、 低周波数電源と高周波数電源の残りの一方に結合した、チャンバ内へプロセス
    ガスがその中を通って導入されるシャワーヘッドと を備える請求項１６に記載の装置。
  21. 【請求項２１】 その中を通ってプロセスガスがチャンバに導入されるため
    のシャワーヘッドを更に備え、前記シャワーヘッドは中心部を有し、前記シャワ
    ーヘッドは前記中心部の近傍で前記高周波数電源の出力と前記低周波数電源の出
    力に結合される請求項１６に記載の装置。
  22. 【請求項２２】 更に、 その中を通ってプロセスガスがチャンバに導入されるためのシャワーヘッドで
    あって、前記シャワーヘッドは中心部を有し、前記シャワーヘッドは前記中心部
    の近傍で前記高周波数電源の出力と前記低周波数電源の出力に結合される、前記
    シャワーヘッドと、 透過性基板を支持するためのサセプタであって、前記サセプタは４つのコーナ
    ーと１つの中心部を有し、４つのコーナー及び１つの中心部で接地される、前記
    サセプタと を備える請求項１６に記載の装置。
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