JP2001358058A - ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法Info
- Publication number
- JP2001358058A JP2001358058A JP2000180792A JP2000180792A JP2001358058A JP 2001358058 A JP2001358058 A JP 2001358058A JP 2000180792 A JP2000180792 A JP 2000180792A JP 2000180792 A JP2000180792 A JP 2000180792A JP 2001358058 A JP2001358058 A JP 2001358058A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- movement stage
- spring
- fine movement
- fine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ばね部材を用いた自重補償ステージの安定性
を向上させる。 【解決手段】 微動ステージ１と粗動ステージ２の間に
は、少なくとも３個のばね部材３ａ〜３ｃからなる自重
補償手段と、微動ステージ１をＺ並進微駆動するリニア
モータ４ａ〜４ｃが設けられる。微動ステージ１の重心
点Ｇは、バーミラー１０等のためにステージ中心Ｏから
ずれた位置にあり、ばね部材３ａ〜３ｃによって静的つ
りあい状態にもどるときに回転モーメントが発生し、ス
テージのかじり、損傷等を引き起こす。これを防ぐため
に、３個のばね部材３ａ〜３ｃのそれぞれのばね定数
を、重心点Ｇに対する各ばね部材３ａ〜３ｃの相対位置
に基づいて設定し、前記回転モーメントの発生を防ぐ。
を向上させる。 【解決手段】 微動ステージ１と粗動ステージ２の間に
は、少なくとも３個のばね部材３ａ〜３ｃからなる自重
補償手段と、微動ステージ１をＺ並進微駆動するリニア
モータ４ａ〜４ｃが設けられる。微動ステージ１の重心
点Ｇは、バーミラー１０等のためにステージ中心Ｏから
ずれた位置にあり、ばね部材３ａ〜３ｃによって静的つ
りあい状態にもどるときに回転モーメントが発生し、ス
テージのかじり、損傷等を引き起こす。これを防ぐため
に、３個のばね部材３ａ〜３ｃのそれぞれのばね定数
を、重心点Ｇに対する各ばね部材３ａ〜３ｃの相対位置
に基づいて設定し、前記回転モーメントの発生を防ぐ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置等におい
てウエハ等基板やレチクル等を微小位置決めするための
微動ステージ等に用いられるステージ装置、露光装置お
よびデバイス製造方法に関するものである。
てウエハ等基板やレチクル等を微小位置決めするための
微動ステージ等に用いられるステージ装置、露光装置お
よびデバイス製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】産業機器や情報機器における制御技術
は、機器の複雑化・高度化・微細化に伴ない、高精度化
・高速化が進んでいる。そして、こうした各種機器を支
える“半導体デバイス”を製造する露光装置もまた、高
速化・高精度化が急激に進んでおり、ナノメートルオー
ダの位置決め精度等が要求されてきている。
は、機器の複雑化・高度化・微細化に伴ない、高精度化
・高速化が進んでいる。そして、こうした各種機器を支
える“半導体デバイス”を製造する露光装置もまた、高
速化・高精度化が急激に進んでおり、ナノメートルオー
ダの位置決め精度等が要求されてきている。
【０００３】露光装置のウエハやレチクルの位置決め機
構としては、微小並進機構と微小回転機構を有する微動
ステージと、並進方向への大ストローク移動機構を有す
る粗動ステージとから構成されるステージ装置が一般的
に知られている。
構としては、微小並進機構と微小回転機構を有する微動
ステージと、並進方向への大ストローク移動機構を有す
る粗動ステージとから構成されるステージ装置が一般的
に知られている。
【０００４】この装置は、粗動ステージによって大スト
ロークの移動を行ないつつ、微動ステージの微動アクチ
ュエータによって、微動ステージ上のウエハやレチクル
が像面に一致するように微動位置決め制御し、露光を行
なう。
ロークの移動を行ないつつ、微動ステージの微動アクチ
ュエータによって、微動ステージ上のウエハやレチクル
が像面に一致するように微動位置決め制御し、露光を行
なう。
【０００５】一般的に、粗動ステージ、微動ステージは
ともに、位置決め機構のアクチュエータとしてローレン
ツ力を利用したリニアモータを用いることが多い。
ともに、位置決め機構のアクチュエータとしてローレン
ツ力を利用したリニアモータを用いることが多い。
【０００６】ところが、露光装置の微動ステージにおい
ては、近年、以下のような問題点が生じている。
ては、近年、以下のような問題点が生じている。
【０００７】（１）チップサイズ、ウエハおよびレチク
ルの大型化に伴ない、微動ステージのサイズも大型化
し、微動ステージをローレンツ力によるリニアモータで
浮上させる場合には、アクチュエータの消費電力も増加
してしまう。
ルの大型化に伴ない、微動ステージのサイズも大型化
し、微動ステージをローレンツ力によるリニアモータで
浮上させる場合には、アクチュエータの消費電力も増加
してしまう。
【０００８】特に微動ステージのアクチュエータは、ウ
エハもしくはレチクル近傍に取り付けられることが多い
ため、粗動ステージに比べて熱によるウエハもしくはレ
チクルへの影響が大きく、ウエハおよびレチクルの熱変
形を生じ、ひいては最終的な露光精度を著しく劣化させ
てしまう。
エハもしくはレチクル近傍に取り付けられることが多い
ため、粗動ステージに比べて熱によるウエハもしくはレ
チクルへの影響が大きく、ウエハおよびレチクルの熱変
形を生じ、ひいては最終的な露光精度を著しく劣化させ
てしまう。
【０００９】（２）露光装置に対する高速化の要求は高
まってきており、粗動ステージの加速度アップが進めら
れている。しかしながらこれは、粗動ステージから微動
ステージに加えられる加速度も大きくなる、ということ
を意味する。そして、粗動アクチュエータが微動ステー
ジを押す“加力点”と、微動ステージの重心点のずれに
よって、粗動ステージによって微動ステージが加速され
た際に、粗動ステージの加速度に比例したモーメント力
が微動ステージにかかることになる。
まってきており、粗動ステージの加速度アップが進めら
れている。しかしながらこれは、粗動ステージから微動
ステージに加えられる加速度も大きくなる、ということ
を意味する。そして、粗動アクチュエータが微動ステー
ジを押す“加力点”と、微動ステージの重心点のずれに
よって、粗動ステージによって微動ステージが加速され
た際に、粗動ステージの加速度に比例したモーメント力
が微動ステージにかかることになる。
【００１０】従って、高速化が進むほど、上記モーメン
ト力に耐え得るために、微動ステージのアクチュエータ
が巨大になり、微動アクチュエータにおける発熱量が増
え、露光精度に悪影響が生じるという問題が発生する。
すなわち、アクチュエータの大型化が、さらなる熱の増
加につながり、悪循環をもたらす。
ト力に耐え得るために、微動ステージのアクチュエータ
が巨大になり、微動アクチュエータにおける発熱量が増
え、露光精度に悪影響が生じるという問題が発生する。
すなわち、アクチュエータの大型化が、さらなる熱の増
加につながり、悪循環をもたらす。
【００１１】このような問題点を解決するための手段と
して、磁石もしくは電磁石の反発力や吸着力を用いて微
動ステージの自重補償を行なう方法が考えられる。この
場合、磁石による補償だけでは微動ステージの姿勢を保
持することが困難なため、ばねによる姿勢保持を行なう
ことが一般的によく用いられる。
して、磁石もしくは電磁石の反発力や吸着力を用いて微
動ステージの自重補償を行なう方法が考えられる。この
場合、磁石による補償だけでは微動ステージの姿勢を保
持することが困難なため、ばねによる姿勢保持を行なう
ことが一般的によく用いられる。
【００１２】図５は磁石反発による自重補償を行なった
一従来例によるウエハ微動ステージを模式的に示すもの
で、これは、ウエハＷ0 を保持する保持面１０１ａを有
する微動ステージ１０１と、図示しない大ストロークの
移動機構を有する粗動ステージ１０２と、粗動ステージ
１０２上で微動ステージ１０１の姿勢保持等を行なうた
めの第１ないし第３のばね部材１０３ａ〜１０３ｃと、
微動ステージ１０１の重さを支持するいわゆる磁気反発
力による自重補償のための第１ないし第３の磁石ユニッ
ト１０４ａ〜１０４ｃを有し、各磁石ユニット１０４ａ
〜１０４ｃは、粗動ステージ１０２上に固定された磁石
１４１ａ〜１４１ｃと、これらにそれぞれ対向するよう
に微動ステージ１０１の下面に固定された磁石１４２ａ
〜１４２ｃによって構成される。
一従来例によるウエハ微動ステージを模式的に示すもの
で、これは、ウエハＷ0 を保持する保持面１０１ａを有
する微動ステージ１０１と、図示しない大ストロークの
移動機構を有する粗動ステージ１０２と、粗動ステージ
１０２上で微動ステージ１０１の姿勢保持等を行なうた
めの第１ないし第３のばね部材１０３ａ〜１０３ｃと、
微動ステージ１０１の重さを支持するいわゆる磁気反発
力による自重補償のための第１ないし第３の磁石ユニッ
ト１０４ａ〜１０４ｃを有し、各磁石ユニット１０４ａ
〜１０４ｃは、粗動ステージ１０２上に固定された磁石
１４１ａ〜１４１ｃと、これらにそれぞれ対向するよう
に微動ステージ１０１の下面に固定された磁石１４２ａ
〜１４２ｃによって構成される。
【００１３】各磁石ユニット１０４ａ〜１０４ｃの磁石
１４１ａ〜１４１ｃと磁石１４２ａ〜１４２ｃの磁気反
発力によって、微動ステージ１０１の自重補償が行なわ
れる。すなわち、図示しない投影光学系の像面近傍にウ
エハＷ0 が位置した時の微動ステージ１０１の自重が、
前記磁気反発力によって相殺される。
１４１ａ〜１４１ｃと磁石１４２ａ〜１４２ｃの磁気反
発力によって、微動ステージ１０１の自重補償が行なわ
れる。すなわち、図示しない投影光学系の像面近傍にウ
エハＷ0 が位置した時の微動ステージ１０１の自重が、
前記磁気反発力によって相殺される。
【００１４】微動ステージ１０１の姿勢補償を行なう３
個のばね部材１０３ａ〜１０３ｃのばね定数は等しく、
上記のようにウエハＷ0 が像面近傍にある状態で、ばね
の復元力が最小になるように設定される。
個のばね部材１０３ａ〜１０３ｃのばね定数は等しく、
上記のようにウエハＷ0 が像面近傍にある状態で、ばね
の復元力が最小になるように設定される。
【００１５】微動ステージ１０１は、レーザ干渉計等に
よって微動ステージ１０１の位置を検出するための一対
のバーミラー１１０を有し、微動ステージ１０１の位置
情報を粗動ステージ１０２のアクチュエータにフィード
バックする制御系が設けられている。
よって微動ステージ１０１の位置を検出するための一対
のバーミラー１１０を有し、微動ステージ１０１の位置
情報を粗動ステージ１０２のアクチュエータにフィード
バックする制御系が設けられている。
【００１６】３本の姿勢補償用のばね部材１０３ａ〜１
０３ｃは、微動ステージ１０１の中心Ｏから等距離ｒの
円周上に１２０度の等間隔の位置Ｚ1 〜Ｚ3 に配置する
ことが一般的である。
０３ｃは、微動ステージ１０１の中心Ｏから等距離ｒの
円周上に１２０度の等間隔の位置Ｚ1 〜Ｚ3 に配置する
ことが一般的である。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の技術によれば、ウエハを保持する微動ステージに固定
されたバーミラー等の影響によって、微動ステージの重
心が、微動ステージの幾何学的中心と異なる位置に存在
するため、微動ステージを回転運動を生じさせずに＋Ｚ
方向にのみ押し上げて所定の浮上位置と姿勢に保つのに
必要な３個のばね部材の復元力は、互いに異なることに
なる。
の技術によれば、ウエハを保持する微動ステージに固定
されたバーミラー等の影響によって、微動ステージの重
心が、微動ステージの幾何学的中心と異なる位置に存在
するため、微動ステージを回転運動を生じさせずに＋Ｚ
方向にのみ押し上げて所定の浮上位置と姿勢に保つのに
必要な３個のばね部材の復元力は、互いに異なることに
なる。
【００１８】従って、ばね定数の等しい３個のばねによ
って姿勢保持を行なった場合には、たとえ磁石によって
微動ステージの自重を補償しても、例えば、微動ステー
ジを回転させずに−Ｚ方向に垂直に変位させ、各ばねが
均等に撓んだ状態にした場合であっても、３個のばねの
復元力の合力は、微動ステージを＋Ｚ方向に並進させる
だけでなく、回転も発生せしめることになる。
って姿勢保持を行なった場合には、たとえ磁石によって
微動ステージの自重を補償しても、例えば、微動ステー
ジを回転させずに−Ｚ方向に垂直に変位させ、各ばねが
均等に撓んだ状態にした場合であっても、３個のばねの
復元力の合力は、微動ステージを＋Ｚ方向に並進させる
だけでなく、回転も発生せしめることになる。
【００１９】すなわち、微動ステージのアクチュエータ
による位置制御が切れた状態で、微動ステージに何らか
の要因で外力が加わった場合や、ウエハ交換等のよう
に、微動ステージをアクチュエータによって−Ｚ方向へ
変位せしめる動作をしている状態で、事故による非常停
止等のために位置制御が切れた場合は、微動ステージの
＋Ｚ方向への復元運動に加えて、回転方向の可動ストロ
ークを超えた傾き運動が発生し、ステージのかじりや破
損を招くおそれがあった。
による位置制御が切れた状態で、微動ステージに何らか
の要因で外力が加わった場合や、ウエハ交換等のよう
に、微動ステージをアクチュエータによって−Ｚ方向へ
変位せしめる動作をしている状態で、事故による非常停
止等のために位置制御が切れた場合は、微動ステージの
＋Ｚ方向への復元運動に加えて、回転方向の可動ストロ
ークを超えた傾き運動が発生し、ステージのかじりや破
損を招くおそれがあった。
【００２０】また、磁石によって微動ステージの自重を
補償し、ばねによって姿勢補償を行なう構成以外に、微
動ステージのＺ方向ストロークのほぼ全域において、磁
石によって均一な自重補償力を発生せしめる方法も提案
されているが、このような場合でも、磁石による補償だ
けでは不安定なため、コイルばねや板ばね等による姿勢
保持手段は必要であり、上記の静的不つりあいによる問
題点は、そのままあてはまる。
補償し、ばねによって姿勢補償を行なう構成以外に、微
動ステージのＺ方向ストロークのほぼ全域において、磁
石によって均一な自重補償力を発生せしめる方法も提案
されているが、このような場合でも、磁石による補償だ
けでは不安定なため、コイルばねや板ばね等による姿勢
保持手段は必要であり、上記の静的不つりあいによる問
題点は、そのままあてはまる。
【００２１】あるいは、微動ステージの自重補償をもば
ねによって直接行なう方法も考えられるが、こうした場
合においても、上記の問題点は、そのままあてはまる。
ねによって直接行なう方法も考えられるが、こうした場
合においても、上記の問題点は、そのままあてはまる。
【００２２】本発明は上記従来の技術の有する未解決の
課題に鑑みてなされたものであり、ウエハやレチクルを
搭載する微動ステージの自重補償および姿勢補償または
そのうちの一方のために少なくとも３個のばね部材を用
いるステージ装置において、ばね部材による補償機能の
安定性を向上させ、ステージのかじりや破損を効果的に
回避できるステージ装置、露光装置およびデバイス製造
方法を提供することを目的とするものである。
課題に鑑みてなされたものであり、ウエハやレチクルを
搭載する微動ステージの自重補償および姿勢補償または
そのうちの一方のために少なくとも３個のばね部材を用
いるステージ装置において、ばね部材による補償機能の
安定性を向上させ、ステージのかじりや破損を効果的に
回避できるステージ装置、露光装置およびデバイス製造
方法を提供することを目的とするものである。
【００２３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のステージ装置は、保持面を有する微動ステ
ージと、該微動ステージの自重および姿勢またはそのう
ちの一方を補償する少なくとも３個のばね部材を備えた
自重補償手段と、前記微動ステージを鉛直方向に駆動す
るアクチュエータを有し、前記３個のばね部材のそれぞ
れのばね定数が、静的なつりあい状態にあるときの前記
微動ステージの重心に対する各ばね部材の相対位置に基
づいて設定されていることを特徴とする。
め、本発明のステージ装置は、保持面を有する微動ステ
ージと、該微動ステージの自重および姿勢またはそのう
ちの一方を補償する少なくとも３個のばね部材を備えた
自重補償手段と、前記微動ステージを鉛直方向に駆動す
るアクチュエータを有し、前記３個のばね部材のそれぞ
れのばね定数が、静的なつりあい状態にあるときの前記
微動ステージの重心に対する各ばね部材の相対位置に基
づいて設定されていることを特徴とする。
【００２４】ばね部材がコイルばねであるとよい。
【００２５】ばね部材が空気圧シリンダであってもよ
い。
い。
【００２６】ばね部材が板ばねであってもよい。
【００２７】自重補償手段が、少なくとも３個のばね部
材と磁気手段を備えているとよい。
材と磁気手段を備えているとよい。
【００２８】
【作用】３個のばね部材の復元力によって微動ステージ
が静的なつりあい状態にもどるとき、各ばね部材の復元
力の合力の作用点が微動ステージの重心位置からずれて
いると回転モーメントが発生し、微動ステージが傾い
て、かじり、損傷等を引き起こす。そこで、３個のばね
部材の復元力の合力が微動ステージの重心位置と一致す
るように、該重心位置に対する各ばね部材の相対位置に
基づいてばね定数を設定する。
が静的なつりあい状態にもどるとき、各ばね部材の復元
力の合力の作用点が微動ステージの重心位置からずれて
いると回転モーメントが発生し、微動ステージが傾い
て、かじり、損傷等を引き起こす。そこで、３個のばね
部材の復元力の合力が微動ステージの重心位置と一致す
るように、該重心位置に対する各ばね部材の相対位置に
基づいてばね定数を設定する。
【００２９】アクチュエータが不作動である場合の外力
等に対する微動ステージの安定性を向上させ、ステージ
の傾きによるかじり、損傷のおそれのない高性能なステ
ージ装置を実現できる。
等に対する微動ステージの安定性を向上させ、ステージ
の傾きによるかじり、損傷のおそれのない高性能なステ
ージ装置を実現できる。
【００３０】このようなステージ装置を用いることで、
露光装置の転写性能と生産性を向上させ、半導体デバイ
ス等の低価格化に貢献できる。
露光装置の転写性能と生産性を向上させ、半導体デバイ
ス等の低価格化に貢献できる。
【００３１】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。
いて説明する。
【００３２】図１は第１の実施の形態による露光装置の
ステージ装置を示すもので、これは、基板であるウエハ
Ｗ1 あるいはレチクルを保持する保持面１ａを有する微
動ステージ１と、図示しない大ストロークの移動機構を
有する粗動ステージ２と、粗動ステージ２と微動ステー
ジ１の間に配設された自重補償手段である第１ないし第
３のばね部材３ａ〜３ｃと、第１ないし第３のアクチュ
エータであるリニアモータ４ａ〜４ｃを有し、各リニア
モータ４ａ〜４ｃは、粗動ステージ２上に固定された固
定子４１ａ〜４１ｃと、これらに対向するように微動ス
テージ１の下面に固定された可動子４２ａ〜４２ｃによ
って構成される。
ステージ装置を示すもので、これは、基板であるウエハ
Ｗ1 あるいはレチクルを保持する保持面１ａを有する微
動ステージ１と、図示しない大ストロークの移動機構を
有する粗動ステージ２と、粗動ステージ２と微動ステー
ジ１の間に配設された自重補償手段である第１ないし第
３のばね部材３ａ〜３ｃと、第１ないし第３のアクチュ
エータであるリニアモータ４ａ〜４ｃを有し、各リニア
モータ４ａ〜４ｃは、粗動ステージ２上に固定された固
定子４１ａ〜４１ｃと、これらに対向するように微動ス
テージ１の下面に固定された可動子４２ａ〜４２ｃによ
って構成される。
【００３３】各リニアモータ４ａ〜４ｃの固定子４１ａ
〜４１ｃと可動子４２ａ〜４２ｃの間に作用するローレ
ンツ力によって、微動ステージ１の鉛直方向の位置制御
が行なわれ、図示しない露光手段である投影光学系の像
面近傍にウエハＷ1 を位置決めする。このとき、微動ス
テージ１の自重は、前記３個のばね部材３ａ〜３ｃによ
って相殺され、微動ステージ１の姿勢補償も３個のばね
部材３ａ〜３ｃによって行なわれる。
〜４１ｃと可動子４２ａ〜４２ｃの間に作用するローレ
ンツ力によって、微動ステージ１の鉛直方向の位置制御
が行なわれ、図示しない露光手段である投影光学系の像
面近傍にウエハＷ1 を位置決めする。このとき、微動ス
テージ１の自重は、前記３個のばね部材３ａ〜３ｃによ
って相殺され、微動ステージ１の姿勢補償も３個のばね
部材３ａ〜３ｃによって行なわれる。
【００３４】微動ステージ１は、レーザ干渉計等によっ
て微動ステージ１の位置を検出するための一対のバーミ
ラー１０を有し、微動ステージ１の位置情報を粗動ステ
ージ２の図示しないアクチュエータにフィードバックす
る制御系が設けられる。
て微動ステージ１の位置を検出するための一対のバーミ
ラー１０を有し、微動ステージ１の位置情報を粗動ステ
ージ２の図示しないアクチュエータにフィードバックす
る制御系が設けられる。
【００３５】第１ないし第３のばね部材３ａ〜３ｃは、
それぞれ微動ステージ１の中心点Ｏから等距離ｒの円周
上で１２０度の角度をおいた位置Ｚ1 〜Ｚ3 を支えてい
る。一方、微動ステージ１の重心点Ｇは、バーミラー１
０などの影響により、前記微動ステージ１の中心点Ｏに
対して＋Ｘおよび＋Ｙ方向にずれた位置にある。
それぞれ微動ステージ１の中心点Ｏから等距離ｒの円周
上で１２０度の角度をおいた位置Ｚ1 〜Ｚ3 を支えてい
る。一方、微動ステージ１の重心点Ｇは、バーミラー１
０などの影響により、前記微動ステージ１の中心点Ｏに
対して＋Ｘおよび＋Ｙ方向にずれた位置にある。
【００３６】従って、３個のばね部材３ａ〜３ｃのばね
定数が同じであれば、中心点Ｏから等距離ｒの円周上で
１２０度の角度の等間隔にある位置Ｚ1 〜Ｚ3 において
微動ステージ１を支えている各ばね部材３ａ〜３ｃの復
元力の合力は、中心点Ｏに作用することになり、微動ス
テージ１の重心点Ｇのまわりに回転モーメントを発生さ
せる。
定数が同じであれば、中心点Ｏから等距離ｒの円周上で
１２０度の角度の等間隔にある位置Ｚ1 〜Ｚ3 において
微動ステージ１を支えている各ばね部材３ａ〜３ｃの復
元力の合力は、中心点Ｏに作用することになり、微動ス
テージ１の重心点Ｇのまわりに回転モーメントを発生さ
せる。
【００３７】そこで、このような回転モーメントによる
微動ステージ１の傾きを防ぐために、各リニアモータ４
ａ〜４ｃが非駆動で微動ステージ１が静的なつりあい状
態にあるときの各ばね部材３ａ〜３ｃの復元力の合力の
作用点が、微動ステージ１の重心点Ｇに一致するよう
に、３個のばね部材３ａ〜３ｃのばね定数の比を図１の
相対的位置関係から求めて、この比を満たし、かつ自重
による微動ステージ１の変位が適切な量となるように各
ばね部材３ａ〜３ｃのばね定数を設定する。
微動ステージ１の傾きを防ぐために、各リニアモータ４
ａ〜４ｃが非駆動で微動ステージ１が静的なつりあい状
態にあるときの各ばね部材３ａ〜３ｃの復元力の合力の
作用点が、微動ステージ１の重心点Ｇに一致するよう
に、３個のばね部材３ａ〜３ｃのばね定数の比を図１の
相対的位置関係から求めて、この比を満たし、かつ自重
による微動ステージ１の変位が適切な量となるように各
ばね部材３ａ〜３ｃのばね定数を設定する。
【００３８】すなわち、図１に示した位置に重心点Ｇが
ある場合は、第１ないし第３のばね部材３ａ〜３ｃの重
心点Ｇに対する相対位置に基づいて設定された各ばね部
材３ａ、３ｂ、３ｃのばね定数ｋ１、ｋ２、ｋ３の間に
は以下の関係が成立する。ｋ１＞ｋ３＞ｋ２
ある場合は、第１ないし第３のばね部材３ａ〜３ｃの重
心点Ｇに対する相対位置に基づいて設定された各ばね部
材３ａ、３ｂ、３ｃのばね定数ｋ１、ｋ２、ｋ３の間に
は以下の関係が成立する。ｋ１＞ｋ３＞ｋ２
【００３９】第１ないし第３のリニアモータ４ａ〜４ｃ
は、微動ステージ１の各点Ｚ1 〜Ｚ 3 近傍のＺ方向変位
を計測する位置センサによって、微動ステージ１のＺ並
進（鉛直方向）およびピッチング、ローリング方向の位
置決め制御を行なう。
は、微動ステージ１の各点Ｚ1 〜Ｚ 3 近傍のＺ方向変位
を計測する位置センサによって、微動ステージ１のＺ並
進（鉛直方向）およびピッチング、ローリング方向の位
置決め制御を行なう。
【００４０】本実施の形態によれば、微動ステージのリ
ニアモータは、粗動ステージの加減速中においても重心
のずれに起因したモーメント力に対抗する力を発生すれ
ばよいから、ローレンツ力によって重力補償も行なう場
合に比べて、リニアモータに発生する熱量を格段に低く
抑えることができる。
ニアモータは、粗動ステージの加減速中においても重心
のずれに起因したモーメント力に対抗する力を発生すれ
ばよいから、ローレンツ力によって重力補償も行なう場
合に比べて、リニアモータに発生する熱量を格段に低く
抑えることができる。
【００４１】さらに、例えば微動ステージのサーボが不
作動状態であるときに微動ステージに何らかの要因で外
力が加わったり、ウエハ交換等のようにリニアモータに
よる位置制御によって微動ステージを−Ｚ方向へ押し下
げる動作をしている状態で、非常停止などが発生し、位
置制御が切れてしまったときでも、従来例のようにばね
定数が等しいばね部材による自重補償を行なった場合に
生じるステージのかじりや破損等を極めて効果的に防ぐ
ことができる。
作動状態であるときに微動ステージに何らかの要因で外
力が加わったり、ウエハ交換等のようにリニアモータに
よる位置制御によって微動ステージを−Ｚ方向へ押し下
げる動作をしている状態で、非常停止などが発生し、位
置制御が切れてしまったときでも、従来例のようにばね
定数が等しいばね部材による自重補償を行なった場合に
生じるステージのかじりや破損等を極めて効果的に防ぐ
ことができる。
【００４２】なお、ばね部材としては、図１に示すコイ
ルばねの外に、板ばね等他のばね部材を用いてもよい。
ルばねの外に、板ばね等他のばね部材を用いてもよい。
【００４３】図２は第２の実施の形態を示すもので、こ
れは、第１の実施の形態における第１ないし第３のばね
部材３ａ〜３ｃの替わりに、第１ないし第３の空気圧シ
リンダ２３ａ〜２３ｃを設けて、各空気圧シリンダ２３
ａ〜２３ｃによって発生する微動ステージ１に対する浮
上量が、ちょうどウエハＷ2 が像面近傍に来るように、
圧力調整手段２４ａ〜２４ｃによって、各空気圧シリン
ダ２３ａ〜２３ｃの圧力を調整するように構成したもの
である。微動ステージ１、粗動ステージ２、リニアモー
タ４ａ〜４ｃ、バーミラー１０等は第１の実施の形態と
同様であるから同一符号で表わし、説明は省略する。
れは、第１の実施の形態における第１ないし第３のばね
部材３ａ〜３ｃの替わりに、第１ないし第３の空気圧シ
リンダ２３ａ〜２３ｃを設けて、各空気圧シリンダ２３
ａ〜２３ｃによって発生する微動ステージ１に対する浮
上量が、ちょうどウエハＷ2 が像面近傍に来るように、
圧力調整手段２４ａ〜２４ｃによって、各空気圧シリン
ダ２３ａ〜２３ｃの圧力を調整するように構成したもの
である。微動ステージ１、粗動ステージ２、リニアモー
タ４ａ〜４ｃ、バーミラー１０等は第１の実施の形態と
同様であるから同一符号で表わし、説明は省略する。
【００４４】各空気シリンダ２３ａ〜２３ｃのばね定数
である圧力比の算出方法は、第１の実施の形態における
ばね部材のばね定数比の場合と同様である。
である圧力比の算出方法は、第１の実施の形態における
ばね部材のばね定数比の場合と同様である。
【００４５】すなわち、第１ないし第３の空気圧シリン
ダ２３ａ〜２３ｃは、ばね定数の異なる３個のコイルば
ね等のばね部材と同じ働きをする。
ダ２３ａ〜２３ｃは、ばね定数の異なる３個のコイルば
ね等のばね部材と同じ働きをする。
【００４６】本実施の形態においても、微動ステージの
リニアモータは、粗動ステージの加減速中においても重
心のずれに起因したモーメント力に対抗する力を発生す
ればよいから、ローレンツ力によって重力補償も行なう
場合に比べて、リニアモータに発生する熱量を格段に低
く抑えることができる。
リニアモータは、粗動ステージの加減速中においても重
心のずれに起因したモーメント力に対抗する力を発生す
ればよいから、ローレンツ力によって重力補償も行なう
場合に比べて、リニアモータに発生する熱量を格段に低
く抑えることができる。
【００４７】さらに、例えば微動ステージのサーボが不
作動状態で、微動ステージに何らかの要因で外力が加わ
ったり、ウエハ交換等のようにリニアモータによる位置
制御によって微動ステージをＺ方向へ押し下げる動作を
している状態で、非常停止などが発生し、位置制御が切
れてしまったときでも、従来例のようなステージのかじ
りや破損を防ぐことができる。
作動状態で、微動ステージに何らかの要因で外力が加わ
ったり、ウエハ交換等のようにリニアモータによる位置
制御によって微動ステージをＺ方向へ押し下げる動作を
している状態で、非常停止などが発生し、位置制御が切
れてしまったときでも、従来例のようなステージのかじ
りや破損を防ぐことができる。
【００４８】なお、磁気手段である磁石や電磁石等を、
ばね部材や空気圧シリンダ等と併用し、微動ステージの
自重補償の一部もしくは全てを行なう場合であっても、
上記と同様に微動ステージの重心位置に基づいてばね定
数等の比率を設定することで、微動ステージを安定化
し、破損等を防ぐことができる。
ばね部材や空気圧シリンダ等と併用し、微動ステージの
自重補償の一部もしくは全てを行なう場合であっても、
上記と同様に微動ステージの重心位置に基づいてばね定
数等の比率を設定することで、微動ステージを安定化
し、破損等を防ぐことができる。
【００４９】次にデバイス製造方法の実施例を説明す
る。図３は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チ
ップ、あるいは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造フローを
示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回
路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計し
た回路パターンを形成した原版であるマスク（レチク
ル）を製作する。ステップ３（ウエハ製造）ではシリコ
ン等の材料を用いて基板であるウエハを製造する。ステ
ップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意
したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によっ
てウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組
立）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製された
ウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセ
ンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージ
ング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６
（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こう
した工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷
（ステップ７）される。
る。図３は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チ
ップ、あるいは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造フローを
示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回
路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計し
た回路パターンを形成した原版であるマスク（レチク
ル）を製作する。ステップ３（ウエハ製造）ではシリコ
ン等の材料を用いて基板であるウエハを製造する。ステ
ップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意
したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によっ
てウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組
立）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製された
ウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセ
ンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージ
ング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６
（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こう
した工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷
（ステップ７）される。
【００５０】図４は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記露光装置によってマスクの回
路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現
像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エ
ッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済
んで不要となったレジストを、前述の基板処理方法によ
って、取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこ
とによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成され
る。本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難し
かった高集積度の半導体デバイスを製造することができ
る。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記露光装置によってマスクの回
路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現
像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エ
ッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済
んで不要となったレジストを、前述の基板処理方法によ
って、取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこ
とによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成され
る。本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難し
かった高集積度の半導体デバイスを製造することができ
る。
【００５１】
【発明の効果】本発明は上述のとおり構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
で、以下に記載するような効果を奏する。
【００５２】少なくとも３個のばね部材を用いて微動ス
テージの自重補償等を行なうことで、ローレンツ力を利
用したアクチュエータであるリニアモータ等の駆動量を
低減し、発熱を抑えて熱変形による露光精度等の劣化を
回避するとともに、ばね部材の復元力による回転モーメ
ントの発生を防ぎ、ステージの位置制御が切れたときに
かじりや損傷等のトラブルを生じるおそれのない安定性
の高い微動ステージを実現できる。
テージの自重補償等を行なうことで、ローレンツ力を利
用したアクチュエータであるリニアモータ等の駆動量を
低減し、発熱を抑えて熱変形による露光精度等の劣化を
回避するとともに、ばね部材の復元力による回転モーメ
ントの発生を防ぎ、ステージの位置制御が切れたときに
かじりや損傷等のトラブルを生じるおそれのない安定性
の高い微動ステージを実現できる。
【図１】第１の実施の形態による露光装置のステージ装
置を示すもので、（ａ）はその平面図、（ｂ）は立面図
である。
置を示すもので、（ａ）はその平面図、（ｂ）は立面図
である。
【図２】第２の実施の形態によるステージ装置を示すも
ので、（ａ）はその平面図、（ｂ）は立面図である。
ので、（ａ）はその平面図、（ｂ）は立面図である。
【図３】半導体製造工程を示すフローチャートである。
【図４】ウエハプロセスを示すフローチャートである。
【図５】一従来例によるステージ装置を示すもので、
（ａ）はその平面図、（ｂ）は立面図である。
（ａ）はその平面図、（ｂ）は立面図である。
１ 微動ステージ ２ 粗動ステージ ３ａ〜３ｃ ばね部材 ４ａ〜４ｃ リニアモータ １０ バーミラー ２３ａ〜２３ｃ 空気圧シリンダ ２４ａ〜２４ｃ 圧力調整手段
Claims (9)
- 【請求項１】 保持面を有する微動ステージと、該微動
ステージの自重および姿勢またはそのうちの一方を補償
する少なくとも３個のばね部材を備えた自重補償手段
と、前記微動ステージを鉛直方向に駆動するアクチュエ
ータを有し、前記３個のばね部材のそれぞれのばね定数
が、静的なつりあい状態にあるときの前記微動ステージ
の重心に対する各ばね部材の相対位置に基づいて設定さ
れていることを特徴とするステージ装置。 - 【請求項２】 ばね部材がコイルばねであることを特徴
とする請求項１記載のステージ装置。 - 【請求項３】 ばね部材が空気圧シリンダであることを
特徴とする請求項１記載のステージ装置。 - 【請求項４】 ばね部材が板ばねであることを特徴とす
る請求項１記載のステージ装置。 - 【請求項５】 自重補償手段が、少なくとも３個のばね
部材と磁気手段を備えていることを特徴とする請求項１
ないし４いずれか１項記載のステージ装置。 - 【請求項６】 アクチュエータがリニアモータを有する
ことを特徴とする請求項１ないし５いずれか１項記載の
ステージ装置。 - 【請求項７】 請求項１ないし６いずれか１項記載のス
テージ装置によって基板を位置決めし、露光手段によっ
て露光することを特徴とする露光装置。 - 【請求項８】 請求項１ないし６いずれか１項記載のス
テージ装置によってレチクルを位置決めすることを特徴
とする露光装置。 - 【請求項９】 請求項７または８記載の露光装置によっ
て基板を露光する工程を有するデバイス製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000180792A JP3720680B2 (ja) | 2000-06-16 | 2000-06-16 | ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
| US09/879,193 US6504599B2 (en) | 2000-06-16 | 2001-06-13 | Stage apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000180792A JP3720680B2 (ja) | 2000-06-16 | 2000-06-16 | ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001358058A true JP2001358058A (ja) | 2001-12-26 |
| JP3720680B2 JP3720680B2 (ja) | 2005-11-30 |
Family
ID=18681811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000180792A Expired - Fee Related JP3720680B2 (ja) | 2000-06-16 | 2000-06-16 | ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6504599B2 (ja) |
| JP (1) | JP3720680B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5992770A (ja) * | 1982-11-17 | 1984-05-29 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置 |
| JP2009016385A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-22 | Canon Inc | ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2010080980A (ja) * | 2004-11-17 | 2010-04-08 | Asml Netherlands Bv | 光学露光装置及び基板取り扱いシステム |
| JP2010085447A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Nidec Copal Corp | 像振れ補正装置、撮像レンズユニット、及び光量制御装置 |
| JP2011035392A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | 位置決めシステム、リソグラフィ装置及び方法 |
| JP2013127516A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-27 | Canon Inc | 撮像装置 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4649136B2 (ja) * | 2003-07-31 | 2011-03-09 | キヤノン株式会社 | アクチュエータ、露光装置及びデバイス製造方法 |
| US7375800B2 (en) * | 2004-09-09 | 2008-05-20 | Nikon Corporation | Non-contact pneumatic transfer for stages with small motion |
| US7869000B2 (en) * | 2004-11-02 | 2011-01-11 | Nikon Corporation | Stage assembly with lightweight fine stage and low transmissibility |
| US7417714B2 (en) | 2004-11-02 | 2008-08-26 | Nikon Corporation | Stage assembly with measurement system initialization, vibration compensation, low transmissibility, and lightweight fine stage |
| KR101216467B1 (ko) * | 2005-05-30 | 2012-12-31 | 엘지전자 주식회사 | 기판 척의 평탄도 유지수단을 구비하는 노광장치 |
| US7545563B2 (en) * | 2006-01-13 | 2009-06-09 | Shane Chen | Lightweight compactible projection screen for trade show and other uses |
| US20080100812A1 (en) * | 2006-10-26 | 2008-05-01 | Nikon Corporation | Immersion lithography system and method having a wafer chuck made of a porous material |
| NL2002888A1 (nl) * | 2008-06-12 | 2009-12-15 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, composite material and manufacturing method. |
| US8952342B2 (en) * | 2009-12-17 | 2015-02-10 | Mapper Lithography Ip B.V. | Support and positioning structure, semiconductor equipment system and method for positioning |
| WO2013160123A1 (en) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus comprising an actuator, and method for protecting such actuator |
| CN114413134B (zh) * | 2022-02-23 | 2022-07-08 | 上海隐冠半导体技术有限公司 | 一种重力补偿装置及运动台 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3005972B2 (ja) * | 1992-05-19 | 2000-02-07 | 株式会社 セル・コーポレーション | 閾動作式半導体型静電力装置 |
| US5806193A (en) * | 1995-11-09 | 1998-09-15 | Nikon Corporation | Tilt and movement apparatus using flexure and air cylinder |
| US5780943A (en) * | 1996-04-04 | 1998-07-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method |
| JPH1089403A (ja) * | 1996-09-10 | 1998-04-07 | Nikon Corp | 防振装置 |
| US6130517A (en) * | 1998-02-12 | 2000-10-10 | Nikon Corporation | Magnetic actuator producing large acceleration on fine stage and low RMS power gain |
-
2000
- 2000-06-16 JP JP2000180792A patent/JP3720680B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-06-13 US US09/879,193 patent/US6504599B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5992770A (ja) * | 1982-11-17 | 1984-05-29 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置 |
| JP2010080980A (ja) * | 2004-11-17 | 2010-04-08 | Asml Netherlands Bv | 光学露光装置及び基板取り扱いシステム |
| US9188882B2 (en) | 2004-11-17 | 2015-11-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9581916B2 (en) | 2004-11-17 | 2017-02-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2009016385A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-22 | Canon Inc | ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2010085447A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Nidec Copal Corp | 像振れ補正装置、撮像レンズユニット、及び光量制御装置 |
| JP2011035392A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | 位置決めシステム、リソグラフィ装置及び方法 |
| US8482719B2 (en) | 2009-07-31 | 2013-07-09 | Asml Netherlands B.V. | Positioning system, lithographic apparatus and method |
| JP2016028306A (ja) * | 2009-07-31 | 2016-02-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 位置決めシステム、リソグラフィ装置及び方法 |
| JP2013127516A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-27 | Canon Inc | 撮像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010052970A1 (en) | 2001-12-20 |
| US6504599B2 (en) | 2003-01-07 |
| JP3720680B2 (ja) | 2005-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3720680B2 (ja) | ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法 | |
| US7336344B2 (en) | Positioning system, exposure apparatus using the same, and device manufacturing method | |
| KR100625625B1 (ko) | 기판, 스테이지 장치, 스테이지 구동 방법, 노광 장치 및노광 방법 | |
| US7282874B2 (en) | Alignment apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| US6396566B2 (en) | Stage system for exposure apparatus and device manufacturing method in which a stage supporting member and a countermass supporting member provide vibration isolation | |
| US6903468B2 (en) | Moving stage device in exposure apparatus | |
| US7656062B2 (en) | Split coil linear motor for z force | |
| US20060082225A1 (en) | Linear motor, moving stage system, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| JPH11190786A (ja) | ステージ装置、およびこれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 | |
| US20060215144A1 (en) | Stage drive method, stage apparatus, and exposure apparatus | |
| JP3155936B2 (ja) | リニアモータとステージ装置及びこれを用いた走査型露光装置やデバイス製造方法 | |
| JPH11297587A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2002008971A (ja) | 移動装置、ステージ及び露光装置 | |
| JP2002015985A (ja) | リソグラフィ投影装置に使うための平衡位置決めシステム | |
| US6618120B2 (en) | Devices and methods for compensating for tilting of a leveling table in a microlithography apparatus | |
| JP2005046941A (ja) | ケーブル微動ユニット付きステージ装置 | |
| JP2001195130A (ja) | 位置決め装置、半導体露光装置およびデバイス製造方法 | |
| US6320645B1 (en) | Stage system and exposure apparatus, and device manufacturing method using the same | |
| JP2005142501A (ja) | ステージ装置および露光装置ならびにデバイス製造方法 | |
| JP5013941B2 (ja) | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
| JP2010262969A (ja) | ステージ装置、それを用いた露光装置及びデバイスの製造方法 | |
| JP2008182210A (ja) | ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| KR20070027704A (ko) | 위치 결정 장치, 위치 결정 방법, 노광 장치, 노광 방법 및디바이스의 제조 방법 | |
| JPH1012539A (ja) | 移動ステージ装置およびこれを用いた露光装置 | |
| JP2001023896A (ja) | ステージ装置及び露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040324 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050808 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050830 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050908 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090916 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090916 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100916 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |