JP2001335378A - セラミックス基複合部材の製造方法 - Google Patents
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Abstract
リックス形成速度が速く、短時間に気密性の高いCMC
を製造することができるセラミックス基複合部材の製造
方法を提供する。 【解決手段】 カーボン粉末4とシリコン粉末5を固相
同士で混合・分散し、これを繊維織物2の内部に含浸
し、次いで反応焼成に十分な高温に曝すことにより反応
焼成する。
Description
の残存が少なく気密性の高いセラミックス基複合部材の
製造方法に関する。
進剤とするロケットエンジンの高性能化のために、燃焼
器(スラストチャンバ)の耐熱温度を高めることが要望
される。そのため、耐熱温度が約1500℃であるコー
ティング付きのニオブ合金が、従来多くのロケットエン
ジンのチャンバ材料として用いられてきた。しかしこの
材料は、密度が高いため重く、高温強度が低く、コーテ
ィングの寿命が短い欠点があった。
欠点があるため、これをセラミックス繊維で強化したセ
ラミックス基複合部材(Ceramic Matrix
Composite:以下、CMCと略称する)が開
発されている。すなわち、セラミックス基複合部材(C
MC)はセラミックス繊維とセラミックスマトリックス
とからなる。なお、一般にCMCはその素材により、セ
ラミックス繊維/セラミックスマトリックス(例えば、
両方がSiCからなる場合、SiC/SiC)と表示さ
れる。
上述したロケットエンジンの燃焼器(スラストチャン
バ)の他、高温部の燃料配管、ジェットエンジンのター
ビン翼、燃焼器、アフターバーナ部品等に極めて有望な
材料である。
は、気密性を保持することができず、かつ耐熱衝撃性が
低い問題点があった。すなわち、従来のCMCは、所定
の形状をセラミックス繊維で構成したのち、いわゆるC
VI法(Chemical Vapor Infilt
ration:気相含浸法)で繊維の隙間にマトリック
スを形成するが、このCVI法で繊維間の隙間を完全に
埋めるには実用不可能な長期間(例えば1年以上)を要
する問題点があった。
溶融した原料ポリマーにセラミックス繊維からなる部品
を単に浸して焼成するPIP法(Polymer Im
pregnate and Pyrolysis Me
thod)が有効であるが、含浸・焼成のサイクルを多
数回繰り返す必要があり(例えば40回以上)、効率が
悪かった。
わるCMCの製造方法として、反応焼結法(React
ion Sintering:RS法)が一部で提案さ
れている(例えば、「SiC基繊維複合材料の製造方
法」特開平8−81275号)。この方法は、セラミッ
クス繊維で所定形状を有する三次元構造体を形成する一
方、けい素および炭素源を含有する出発原料を上記三次
元構造体に含浸せしめて所定形状の成形体を形成し、得
られた成形体を、真空中または不活性ガス雰囲気中でけ
い素の融点未満の温度に加熱すると同時に成形体を加圧
することによりけい素と炭素との反応焼結を行ってSi
Cマトリックスを形成し、緻密化するものである。
合材料の開発」(耐熱金属材料第123委員会研究報告
Vol.40,No.3)に開示された反応焼結法によ
るSiC基長繊維複合材料の製造プロセスフロー図であ
る。この図に示すように、RS法では、モノフィラメン
ト表面にBN/SiCコーティングしたSiC繊維1を
製織して、繊維プリフォーム2(三次元構造体)を形成
する。一方、SiC粉末、C粉末、分散剤、水を調合・
混合してマトリックス成形用スラリー3を形成する。次
いで、繊維プリフォーム2内にマトリックススラリー3
を加圧含浸・成形する。最後に、真空炉中で1723K
に加熱しSi溶浸を行って反応焼成させることによりC
MCが完成する。
反応のC粒子とSi粒子が残ってしまう問題点があっ
た。すなわち、RS法では、SiC粉末及びC粉末を含
むスラリー3を繊維プリフォーム2内に加圧含浸させ、
その後にけい素の融点(Siの融点は約1683K)以
上の温度(例えば1723K)に加熱しSi溶浸を行っ
て反応焼成させるが、Si溶浸の際に余分なSiが残存
し、Siの融点以上の使用に際し、強度が大幅に低下す
る問題点があった。また、これを回避するために、Si
溶浸時のSi量を減らすと逆にC粒子が残存して酸化に
よる強度低下という結果を引き起こす問題点があった。
創案されたものである。すなわち、本発明の目的は、C
粒子とSi粒子の残存が少なく、かつマトリックス形成
速度が速く、短時間に気密性の高いCMCを製造するこ
とができるセラミックス基複合部材の製造方法を提供す
ることにある。
ン粉末(4)とシリコン粉末(5)を固相同士で混合・
分散し、これを繊維織物(2)の内部に含浸し、次いで
反応焼成に十分な高温に曝すことにより反応焼成する、
ことを特徴とするセラミックス基複合部材の製造方法が
提供される。また、本発明の方法は、カーボン粉末
(4)とシリコン粉末(5)を固相同士で混合・分散さ
せる混合・分散工程(13)と、混合・分散した混合粉
体に溶剤及び分散剤を添加してスラリー(8)を製造す
るスラリー化工程(14)と、SiC繊維(1)で成形
した繊維織物(2)に前記スラリーを含浸させる含浸工
程(16)と、前記含浸工程後の繊維織物を反応焼成に
十分な高温に曝すことにより、反応焼成させてマトリッ
クス部を形成する反応焼成工程(18)とを備える。
ールミル等によりSi粒子とC粒子が均一に分散・混合
されており、この均一に分散されている混合粉末を繊維
織物に含浸し、その後反応焼成させることで未反応粒子
がないSiCマトリックスを形成することができる。す
なわち、混合粉砕された微細なSiとC粒子が均一に分
散された状態でSiC生成反応が生じるため未反応粒子
が残らずかつ反応制御が容易である。従って、従来の方
法に比較して手間がかからないため、製造期間の短縮及
びコストダウンが可能である。また、反応焼成をシリコ
ンの融点近傍において、昇温速度を十分に下げて反応焼
成を行うため、溶融Siの流出や、未反応Si、C元素
をマトリックス中に残すことなく気密性の高いCMCを
製造することができる。
スラリー化工程(14)の後に、スラリー(8)を減圧
して混入ガスを除去する真空脱泡工程(15)を有す
る。この工程により、スラリーに含まれる混入ガスを予
め除去し、含浸工程(16)において、Si粒子とC粒
子の混合粒子の充填率を高めることができる。
リーを含浸した繊維織物を乾燥させシリコンの融点より
低い温度で仮焼成する仮焼成工程(17)を有する。こ
の工程により、スラリー中の溶剤及び分散剤を予め除去
し、反応焼成工程(18)における反応を効率的に行う
ことができる。
を図面を参照して説明する。図1は、本発明のセラミッ
クス基複合部材の製造方法を示すフロー図である。この
図に示すように、本発明の方法は、成形工程11、粉砕
工程12、混合・分散工程13、スラリー化工程14、
真空脱泡工程15、含浸工程16、仮焼成工程17、及
び反応焼成工程18からなる。
定の形状の繊維織物2を成形する。成形する形状は、適
用するロケットエンジンの燃焼器(スラストチャンバ)
の他、高温部の燃料配管、タービン翼、燃焼器、アフタ
ーバーナ部品等に適した立体形状であるのがよい。
えばボールミルを用いて、カーボン粉末4とシリコン粉
末5を固相同士で混合・分散させる。この工程におい
て、カーボン粉末4とシリコン粉末5は、等しいモル数
を混合するのがよい。なお、ボールミル以外の装置を用
いて粉砕工程12と混合・分散工程13を別々に行って
もよい。
13で混合・分散した混合粉体に溶剤及び分散剤を添加
してスラリー8を製造する。この溶剤には、例えばエタ
ノールを用い、混合粉末をエタノールに50〜70重量
%分散させる。更に、分散剤として例えばポリエチレン
イミンを1重量%添加する。
4で製造したスラリー8を真空容器内で減圧して混入ガ
スを除去する。この減圧・脱泡は例えば10〜15分程
度実施する。
製したスラリー8中にSiC繊維1で成形した繊維織物
2を浸し、繊維織物2の内部にスラリー8を含浸させ
る。この含浸は、常圧下で行うことができるが、必要に
より真空含浸又は加圧含浸を行ってもよい。
た繊維織物2を真空乾燥機内で例えば60〜100℃の
低温で24時間程度乾燥させてスラリー中のエタノール
を分解除去する。次いで常圧状態で約60℃程度で8時
間程度放置し、その後、アルゴンガス中で約1000℃
で1〜2時間仮焼成する。この仮焼成工程17により、
スラリー中の溶剤及び分散剤を予め完全に除去する。
織物を反応焼成に十分な高温に曝すことにより、反応焼
成させてマトリックス部を形成する。この昇温は、例え
ばシリコンの融点(1414℃)付近ではゆっくりと昇
温し(例えば0.5〜1℃/min)、シリコンの融点
より若干高い温度(例えば約1420℃)で2時間程度
保持した後に、降温する。この反応焼成工程18によ
り、混合粉砕された微細なSiとC粒子が均一に分散さ
れた状態でSiC生成反応が生じるため未反応粒子が残
らずかつ反応制御が容易である。また、反応焼成をシリ
コンの融点より高い温度まで昇温して行うので、C粒子
とSiとの反応速度が速く、短時間に気密性の高いCM
Cを製造することができる。
する。図2は、本発明による原料粉末の反応前の顕微鏡
写真(約1000倍)である。この図において、(A)
は混合・粉砕前のSi粉末、(B)は混合・粉砕前のC
粉末である。Si粉末(A)は平均粒径70〜100μ
mの比較的大きい粒子であるのに対して、C粉末(B)
は平均粒径1〜10μmの微粒であることがわかる。
顕微鏡写真(約1000倍)である。この図において、
(A)はボールミルを用いて混合・粉砕後(工程12,
13後)の粉末であり、(B)は含浸・反応焼成後(工
程16〜18の後)のCMCである。図3(A)から、
ボールミルによる粉砕・混合・分散により、Si粉末と
C粉末の両方が平均粒径数μmに微細化され、かつ互い
に均一に混合・分散されているのがわかる。また、図3
(B)から、約直径11μmのSiC繊維1に密着して
緻密なSiCマトリックス9が形成されているのがわか
る。
成分析結果である。この図において、(A)は反応焼成
前、(B)は反応焼成後であり、横軸はX線回析角度、
図中の縦線は組成(Si、SiC、SiO2)に対応す
るピーク位置を示している。図4の(A)と(B)との
対比から、反応焼成前(A)の主成分がSiであるのに
対して、反応焼成後(B)の主成分はSiCであり、反
応焼成後(B)のSiの残存はほとんどなく、SiO2
がわずかに存在していることがわかる。
あらかじめボールミル等によりSi粒子とC粒子が均一
に分散・混合されており、この均一に分散されている混
合粉末を繊維織物に含浸し、その後反応焼成させること
で未反応粒子がないSiCマトリックスを形成すること
ができる。すなわち、混合粉砕された微細なSiとC粒
子が均一に分散された状態でSiC生成反応が生じるた
め未反応粒子が残らずかつ反応制御が容易である。従っ
て、従来の方法に比較して手間がかからないため、製造
期間の短縮及びコストダウンが可能である。また、反応
焼成をシリコンの融点近傍において、昇温速度を十分に
下げて反応焼成を行うため、溶融Siの流出や、未反応
Si、C元素をマトリックス中に残すことなく気密性の
高いCMCを製造することができる。
されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更でき
ることは勿論である。
基複合部材の製造方法は、C粒子とSi粒子の残存が少
なく、かつマトリックス形成速度が速く、短時間に気密
性の高いCMCを製造することができる等の優れた効果
を有する。
示すフロー図である。
ある。
ある。
体)、3 マトリックス成形用スラリー、4 カーボン
粉末、5 シリコン粉末、6 溶剤、7 分散剤、8
スラリー、9 SiCマトリックス、11 成形工程、
12 粉砕工程、13 混合・分散工程、14 スラリ
ー化工程、15 真空脱泡工程、16 含浸工程、17
仮焼成工程、18 反応焼成工程
Claims (4)
- 【請求項1】 カーボン粉末(4)とシリコン粉末
(5)を固相同士で混合・分散し、これを繊維織物
(2)の内部に含浸し、次いで反応焼成に十分な高温に
曝すことにより反応焼成する、ことを特徴とするセラミ
ックス基複合部材の製造方法。 - 【請求項2】 カーボン粉末(4)とシリコン粉末
(5)を固相同士で混合・分散させる混合・分散工程
(13)と、混合・分散した混合粉体に溶剤及び分散剤
を添加してスラリー(8)を製造するスラリー化工程
(14)と、SiC繊維(1)で成形した繊維織物
(2)に前記スラリーを含浸させる含浸工程(16)
と、前記含浸工程後の繊維織物を反応焼成に十分な高温
に曝すことにより、反応焼成させてマトリックス部を形
成する反応焼成工程(18)とを備えた、ことを特徴と
するセラミックス基複合部材の製造方法。 - 【請求項3】 前記スラリー化工程(14)の後に、ス
ラリー(8)を減圧して混入ガスを除去する真空脱泡工
程(15)を有する、ことを特徴とする請求項2に記載
のセラミックス基複合部材の製造方法。 - 【請求項4】 前記含浸工程(16)の後に、スラリー
を含浸した繊維織物を乾燥させシリコンの融点より低い
温度で仮焼成する仮焼成工程(17)を有する、ことを
特徴とする請求項2に記載のセラミックス基複合部材の
製造方法。
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