JP4484004B2 - セラミックス基複合部材の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｃ粒子とＳｉ粒子の残存が少なく気密性の高いセラミックス基複合部材の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＮＴＯ／Ｎ2Ｈ4、ＮＴＯ／ＭＭＨ等を推進剤とするロケットエンジンの高性能化のために、燃焼器（スラストチャンバ）の耐熱温度を高めることが要望される。そのため、耐熱温度が約１５００℃であるコーティング付きのニオブ合金が、従来多くのロケットエンジンのチャンバ材料として用いられてきた。しかしこの材料は、密度が高いため重く、高温強度が低く、コーティングの寿命が短い欠点があった。
【０００３】
一方、セラミックスは耐熱性が高いが脆い欠点があるため、これをセラミックス繊維で強化したセラミックス基複合部材（Ｃｅｒａｍｉｃ Ｍａｔｒｉｘ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ：以下、ＣＭＣと略称する）が開発されている。すなわち、セラミックス基複合部材（ＣＭＣ）はセラミックス繊維とセラミックスマトリックスとからなる。なお、一般にＣＭＣはその素材により、セラミックス繊維／セラミックスマトリックス（例えば、両方がＳｉＣからなる場合、ＳｉＣ／ＳｉＣ）と表示される。
【０００４】
ＣＭＣは、軽量かつ高温強度が高いため、上述したロケットエンジンの燃焼器（スラストチャンバ）の他、高温部の燃料配管、ジェットエンジンのタービン翼、燃焼器、アフターバーナ部品等に極めて有望な材料である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のＣＭＣは、気密性を保持することができず、かつ耐熱衝撃性が低い問題点があった。すなわち、従来のＣＭＣは、所定の形状をセラミックス繊維で構成したのち、いわゆるＣＶＩ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｉｎｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ：気相含浸法）で繊維の隙間にマトリックスを形成するが、このＣＶＩ法で繊維間の隙間を完全に埋めるには実用不可能な長期間（例えば１年以上）を要する問題点があった。
【０００６】
また、ＣＭＣの気密性自体を上げるには、溶融した原料ポリマーにセラミックス繊維からなる部品を単に浸して焼成するＰＩＰ法（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｉｍｐｒｅｇｎａｔｅ ａｎｄ Ｐｙｒｏｌｙｓｉｓ Ｍｅｔｈｏｄ）が有効であるが、含浸・焼成のサイクルを多数回繰り返す必要があり（例えば４０回以上）、効率が悪かった。
【０００７】
一方、上述したＣＶＩ法及びＰＩＰ法に代わるＣＭＣの製造方法として、反応焼結法（Ｒｅａｃｔｉｏｎ Ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ：ＲＳ法）が一部で提案されている（例えば、「ＳｉＣ基繊維複合材料の製造方法」特開平８−８１２７５号）。
この方法は、セラミックス繊維で所定形状を有する三次元構造体を形成する一方、けい素および炭素源を含有する出発原料を上記三次元構造体に含浸せしめて所定形状の成形体を形成し、得られた成形体を、真空中または不活性ガス雰囲気中でけい素の融点未満の温度に加熱すると同時に成形体を加圧することによりけい素と炭素との反応焼結を行ってＳｉＣマトリックスを形成し、緻密化するものである。
【０００８】
図５は、「反応焼結炭化ケイ素基長繊維複合材料の開発」（耐熱金属材料第１２３委員会研究報告Ｖｏｌ．４０，Ｎｏ．３）に開示された反応焼結法によるＳｉＣ基長繊維複合材料の製造プロセスフロー図である。
この図に示すように、ＲＳ法では、モノフィラメント表面にＢＮ／ＳｉＣコーティングしたＳｉＣ繊維１を製織して、繊維プリフォーム２（三次元構造体）を形成する。一方、ＳｉＣ粉末、Ｃ粉末、分散剤、水を調合・混合してマトリックス成形用スラリー３を形成する。次いで、繊維プリフォーム２内にマトリックススラリー３を加圧含浸・成形する。最後に、真空炉中で１７２３Ｋに加熱しＳｉ溶浸を行って反応焼成させることによりＣＭＣが完成する。
【０００９】
しかし、上述したＲＳ法は、その原理上未反応のＣ粒子とＳｉ粒子が残ってしまう問題点があった。すなわち、ＲＳ法では、ＳｉＣ粉末及びＣ粉末を含むスラリー３を繊維プリフォーム２内に加圧含浸させ、その後にけい素の融点（Ｓｉの融点は約１６８３Ｋ）以上の温度（例えば１７２３Ｋ）に加熱しＳｉ溶浸を行って反応焼成させるが、Ｓｉ溶浸の際に余分なＳｉが残存し、Ｓｉの融点以上の使用に際し、強度が大幅に低下する問題点があった。また、これを回避するために、Ｓｉ溶浸時のＳｉ量を減らすと逆にＣ粒子が残存して酸化による強度低下という結果を引き起こす問題点があった。
【００１０】
本発明は上述した問題点を解決するために創案されたものである。すなわち、本発明の目的は、Ｃ粒子とＳｉ粒子の残存が少なく、かつマトリックス形成速度が速く、短時間に気密性の高いＣＭＣを製造することができるセラミックス基複合部材の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、カーボン粉末（４）とシリコン粉末（５）を固相同士で混合・分散し、これを繊維織物（２）の内部に含浸し、次いで、シリコンの融点より若干高い温度に曝すことにより反応焼成する、ことを特徴とするセラミックス基複合部材の製造方法が提供される。また、本発明の方法は、カーボン粉末（４）とシリコン粉末（５）を固相同士で混合・分散させる混合・分散工程（１３）と、混合・分散した混合粉体に溶剤及び分散剤を添加してスラリー（８）を製造するスラリー化工程（１４）と、ＳｉＣ繊維（１）で成形した繊維織物（２）に前記スラリーを含浸させる含浸工程（１６）と、前記含浸工程後の繊維織物をシリコンの融点より若干高い温度に曝すことにより、反応焼成させてマトリックス部を形成する反応焼成工程（１８）とを備える。
【００１２】
上記本発明の方法によれば、あらかじめボールミル等によりＳｉ粒子とＣ粒子が均一に分散・混合されており、この均一に分散されている混合粉末を繊維織物に含浸し、その後反応焼成させることで未反応粒子がないＳｉＣマトリックスを形成することができる。すなわち、混合粉砕された微細なＳｉとＣ粒子が均一に分散された状態でＳｉＣ生成反応が生じるため未反応粒子が残らずかつ反応制御が容易である。従って、従来の方法に比較して手間がかからないため、製造期間の短縮及びコストダウンが可能である。また、反応焼成をシリコンの融点近傍において、昇温速度を十分に下げて反応焼成を行うため、溶融Ｓｉの流出や、未反応Ｓｉ、Ｃ元素をマトリックス中に残すことなく気密性の高いＣＭＣを製造することができる。
【００１３】
本発明の好ましい実施形態によれば、前記スラリー化工程（１４）の後に、スラリー（８）を減圧して混入ガスを除去する真空脱泡工程（１５）を有する。この工程により、スラリーに含まれる混入ガスを予め除去し、含浸工程（１６）において、Ｓｉ粒子とＣ粒子の混合粒子の充填率を高めることができる。
【００１４】
また、前記含浸工程（１６）の後に、スラリーを含浸した繊維織物を乾燥させシリコンの融点より低い温度で仮焼成する仮焼成工程（１７）を有する。この工程により、スラリー中の溶剤及び分散剤を予め除去し、反応焼成工程（１８）における反応を効率的に行うことができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施形態を図面を参照して説明する。
図１は、本発明のセラミックス基複合部材の製造方法を示すフロー図である。この図に示すように、本発明の方法は、成形工程１１、粉砕工程１２、混合・分散工程１３、スラリー化工程１４、真空脱泡工程１５、含浸工程１６、仮焼成工程１７、及び反応焼成工程１８からなる。
【００１６】
成形工程１では、ＳｉＣ繊維１を用いて所定の形状の繊維織物２を成形する。成形する形状は、適用するロケットエンジンの燃焼器（スラストチャンバ）の他、高温部の燃料配管、タービン翼、燃焼器、アフターバーナ部品等に適した立体形状であるのがよい。
【００１７】
粉砕工程１２と混合・分散工程１３は、例えばボールミルを用いて、カーボン粉末４とシリコン粉末５を固相同士で混合・分散させる。この工程において、カーボン粉末４とシリコン粉末５は、等しいモル数を混合するのがよい。なお、ボールミル以外の装置を用いて粉砕工程１２と混合・分散工程１３を別々に行ってもよい。
【００１８】
スラリー化工程１４では、混合・分散工程１３で混合・分散した混合粉体に溶剤及び分散剤を添加してスラリー８を製造する。この溶剤には、例えばエタノールを用い、混合粉末をエタノールに５０〜７０重量％分散させる。更に、分散剤として例えばポリエチレンイミンを１重量％添加する。
【００１９】
真空脱泡工程１５では、スラリー化工程１４で製造したスラリー８を真空容器内で減圧して混入ガスを除去する。この減圧・脱泡は例えば１０〜１５分程度実施する。
【００２０】
含浸工程１６では、真空脱泡工程１５で調製したスラリー８中にＳｉＣ繊維１で成形した繊維織物２を浸し、繊維織物２の内部にスラリー８を含浸させる。この含浸は、常圧下で行うことができるが、必要により真空含浸又は加圧含浸を行ってもよい。
【００２１】
仮焼成工程１７では、スラリー８を含浸した繊維織物２を真空乾燥機内で例えば６０〜１００℃の低温で２４時間程度乾燥させてスラリー中のエタノールを分解除去する。次いで常圧状態で約６０℃程度で８時間程度放置し、その後、アルゴンガス中で約１０００℃で１〜２時間仮焼成する。この仮焼成工程１７により、スラリー中の溶剤及び分散剤を予め完全に除去する。
【００２２】
反応焼成工程１８では、含浸工程後の繊維織物を反応焼成に十分な高温に曝すことにより、反応焼成させてマトリックス部を形成する。この昇温は、例えばシリコンの融点（１４１４℃）付近ではゆっくりと昇温し（例えば０．５〜１℃／ｍｉｎ）、シリコンの融点より若干高い温度（例えば約１４２０℃）で２時間程度保持した後に、降温する。この反応焼成工程１８により、混合粉砕された微細なＳｉとＣ粒子が均一に分散された状態でＳｉＣ生成反応が生じるため未反応粒子が残らずかつ反応制御が容易である。また、反応焼成をシリコンの融点より高い温度まで昇温して行うので、Ｃ粒子とＳｉとの反応速度が速く、短時間に気密性の高いＣＭＣを製造することができる。
【００２３】
【実施例】
以下、上述した本発明の方法の実施例を説明する。
図２は、本発明による原料粉末の反応前の顕微鏡写真（約１０００倍）である。この図において、（Ａ）は混合・粉砕前のＳｉ粉末、（Ｂ）は混合・粉砕前のＣ粉末である。Ｓｉ粉末（Ａ）は平均粒径７０〜１００μｍの比較的大きい粒子であるのに対して、Ｃ粉末（Ｂ）は平均粒径１〜１０μｍの微粒であることがわかる。
【００２４】
図３は、本発明による混合粉末とＣＭＣの顕微鏡写真（約１０００倍）である。この図において、（Ａ）はボールミルを用いて混合・粉砕後（工程１２，１３後）の粉末であり、（Ｂ）は含浸・反応焼成後（工程１６〜１８の後）のＣＭＣである。
図３（Ａ）から、ボールミルによる粉砕・混合・分散により、Ｓｉ粉末とＣ粉末の両方が平均粒径数μｍに微細化され、かつ互いに均一に混合・分散されているのがわかる。
また、図３（Ｂ）から、約直径１１μｍのＳｉＣ繊維１に密着して緻密なＳｉＣマトリックス９が形成されているのがわかる。
【００２５】
図４は、反応焼成前後のＸ線回析による組成分析結果である。この図において、（Ａ）は反応焼成前、（Ｂ）は反応焼成後であり、横軸はＸ線回析角度、図中の縦線は組成（Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＯ2）に対応するピーク位置を示している。
図４の（Ａ）と（Ｂ）との対比から、反応焼成前（Ａ）の主成分がＳｉであるのに対して、反応焼成後（Ｂ）の主成分はＳｉＣであり、反応焼成後（Ｂ）のＳｉの残存はほとんどなく、ＳｉＯ2がわずかに存在していることがわかる。
【００２６】
上述したように、本発明の方法によれば、あらかじめボールミル等によりＳｉ粒子とＣ粒子が均一に分散・混合されており、この均一に分散されている混合粉末を繊維織物に含浸し、その後反応焼成させることで未反応粒子がないＳｉＣマトリックスを形成することができる。すなわち、混合粉砕された微細なＳｉとＣ粒子が均一に分散された状態でＳｉＣ生成反応が生じるため未反応粒子が残らずかつ反応制御が容易である。従って、従来の方法に比較して手間がかからないため、製造期間の短縮及びコストダウンが可能である。また、反応焼成をシリコンの融点近傍において、昇温速度を十分に下げて反応焼成を行うため、溶融Ｓｉの流出や、未反応Ｓｉ、Ｃ元素をマトリックス中に残すことなく気密性の高いＣＭＣを製造することができる。
【００２７】
なお、本発明は上述した実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更できることは勿論である。
【００２８】
【発明の効果】
上述したように、本発明のセラミックス基複合部材の製造方法は、Ｃ粒子とＳｉ粒子の残存が少なく、かつマトリックス形成速度が速く、短時間に気密性の高いＣＭＣを製造することができる等の優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のセラミックス基複合部材の製造方法を示すフロー図である。
【図２】本発明による原料粉末の顕微鏡写真である。
【図３】本発明による混合粉末とＣＭＣの顕微鏡写真である。
【図４】反応焼成前後のＸ線回析による組成分析結果である。
【図５】従来の反応焼結法の模式的フロー図である。
【符号の説明】
１ ＳｉＣ繊維、２ 繊維プリフォーム（三次元構造体）、
３ マトリックス成形用スラリー、４ カーボン粉末、
５ シリコン粉末、６ 溶剤、７ 分散剤、８ スラリー、
９ ＳｉＣマトリックス、１１ 成形工程、１２ 粉砕工程、
１３ 混合・分散工程、１４ スラリー化工程、１５ 真空脱泡工程、
１６ 含浸工程、１７ 仮焼成工程、１８ 反応焼成工程
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｃ粒子とＳｉ粒子の残存が少なく気密性の高いセラミックス基複合部材の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＮＴＯ／Ｎ2Ｈ4、ＮＴＯ／ＭＭＨ等を推進剤とするロケットエンジンの高性能化のために、燃焼器（スラストチャンバ）の耐熱温度を高めることが要望される。そのため、耐熱温度が約１５００℃であるコーティング付きのニオブ合金が、従来多くのロケットエンジンのチャンバ材料として用いられてきた。しかしこの材料は、密度が高いため重く、高温強度が低く、コーティングの寿命が短い欠点があった。
【０００３】
一方、セラミックスは耐熱性が高いが脆い欠点があるため、これをセラミックス繊維で強化したセラミックス基複合部材（Ｃｅｒａｍｉｃ Ｍａｔｒｉｘ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ：以下、ＣＭＣと略称する）が開発されている。すなわち、セラミックス基複合部材（ＣＭＣ）はセラミックス繊維とセラミックスマトリックスとからなる。なお、一般にＣＭＣはその素材により、セラミックス繊維／セラミックスマトリックス（例えば、両方がＳｉＣからなる場合、ＳｉＣ／ＳｉＣ）と表示される。
【０００４】
ＣＭＣは、軽量かつ高温強度が高いため、上述したロケットエンジンの燃焼器（スラストチャンバ）の他、高温部の燃料配管、ジェットエンジンのタービン翼、燃焼器、アフターバーナ部品等に極めて有望な材料である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のＣＭＣは、気密性を保持することができず、かつ耐熱衝撃性が低い問題点があった。すなわち、従来のＣＭＣは、所定の形状をセラミックス繊維で構成したのち、いわゆるＣＶＩ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｉｎｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ：気相含浸法）で繊維の隙間にマトリックスを形成するが、このＣＶＩ法で繊維間の隙間を完全に埋めるには実用不可能な長期間（例えば１年以上）を要する問題点があった。
【０００６】
また、ＣＭＣの気密性自体を上げるには、溶融した原料ポリマーにセラミックス繊維からなる部品を単に浸して焼成するＰＩＰ法（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｉｍｐｒｅｇｎａｔｅ ａｎｄ Ｐｙｒｏｌｙｓｉｓ Ｍｅｔｈｏｄ）が有効であるが、含浸・焼成のサイクルを多数回繰り返す必要があり（例えば４０回以上）、効率が悪かった。
【０００７】
一方、上述したＣＶＩ法及びＰＩＰ法に代わるＣＭＣの製造方法として、反応焼結法（Ｒｅａｃｔｉｏｎ Ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ：ＲＳ法）が一部で提案されている（例えば、「ＳｉＣ基繊維複合材料の製造方法」特開平８−８１２７５号）。
この方法は、セラミックス繊維で所定形状を有する三次元構造体を形成する一方、けい素および炭素源を含有する出発原料を上記三次元構造体に含浸せしめて所定形状の成形体を形成し、得られた成形体を、真空中または不活性ガス雰囲気中でけい素の融点未満の温度に加熱すると同時に成形体を加圧することによりけい素と炭素との反応焼結を行ってＳｉＣマトリックスを形成し、緻密化するものである。
【０００８】
図５は、「反応焼結炭化ケイ素基長繊維複合材料の開発」（耐熱金属材料第１２３委員会研究報告Ｖｏｌ．４０，Ｎｏ．３）に開示された反応焼結法によるＳｉＣ基長繊維複合材料の製造プロセスフロー図である。
この図に示すように、ＲＳ法では、モノフィラメント表面にＢＮ／ＳｉＣコーティングしたＳｉＣ繊維１を製織して、繊維プリフォーム２（三次元構造体）を形成する。一方、ＳｉＣ粉末、Ｃ粉末、分散剤、水を調合・混合してマトリックス成形用スラリー３を形成する。次いで、繊維プリフォーム２内にマトリックススラリー３を加圧含浸・成形する。最後に、真空炉中で１７２３Ｋに加熱しＳｉ溶浸を行って反応焼成させることによりＣＭＣが完成する。
【０００９】
しかし、上述したＲＳ法は、その原理上未反応のＣ粒子とＳｉ粒子が残ってしまう問題点があった。すなわち、ＲＳ法では、ＳｉＣ粉末及びＣ粉末を含むスラリー３を繊維プリフォーム２内に加圧含浸させ、その後にけい素の融点（Ｓｉの融点は約１６８３Ｋ）以上の温度（例えば１７２３Ｋ）に加熱しＳｉ溶浸を行って反応焼成させるが、Ｓｉ溶浸の際に余分なＳｉが残存し、Ｓｉの融点以上の使用に際し、強度が大幅に低下する問題点があった。また、これを回避するために、Ｓｉ溶浸時のＳｉ量を減らすと逆にＣ粒子が残存して酸化による強度低下という結果を引き起こす問題点があった。
【００１０】
本発明は上述した問題点を解決するために創案されたものである。すなわち、本発明の目的は、Ｃ粒子とＳｉ粒子の残存が少なく、かつマトリックス形成速度が速く、短時間に気密性の高いＣＭＣを製造することができるセラミックス基複合部材の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、カーボン粉末（４）とシリコン粉末（５）を固相同士で混合・分散し、これを繊維織物（２）の内部に含浸し、次いで、シリコンの融点より若干高い温度に曝すことにより反応焼成する、ことを特徴とするセラミックス基複合部材の製造方法が提供される。また、本発明の方法は、カーボン粉末（４）とシリコン粉末（５）を固相同士で混合・分散させる混合・分散工程（１３）と、混合・分散した混合粉体に溶剤及び分散剤を添加してスラリー（８）を製造するスラリー化工程（１４）と、ＳｉＣ繊維（１）で成形した繊維織物（２）に前記スラリーを含浸させる含浸工程（１６）と、前記含浸工程後の繊維織物をシリコンの融点より若干高い温度に曝すことにより、反応焼成させてマトリックス部を形成する反応焼成工程（１８）とを備える。
【００１２】
上記本発明の方法によれば、あらかじめボールミル等によりＳｉ粒子とＣ粒子が均一に分散・混合されており、この均一に分散されている混合粉末を繊維織物に含浸し、その後反応焼成させることで未反応粒子がないＳｉＣマトリックスを形成することができる。すなわち、混合粉砕された微細なＳｉとＣ粒子が均一に分散された状態でＳｉＣ生成反応が生じるため未反応粒子が残らずかつ反応制御が容易である。従って、従来の方法に比較して手間がかからないため、製造期間の短縮及びコストダウンが可能である。また、反応焼成をシリコンの融点近傍において、昇温速度を十分に下げて反応焼成を行うため、溶融Ｓｉの流出や、未反応Ｓｉ、Ｃ元素をマトリックス中に残すことなく気密性の高いＣＭＣを製造することができる。
【００１３】
本発明の好ましい実施形態によれば、前記スラリー化工程（１４）の後に、スラリー（８）を減圧して混入ガスを除去する真空脱泡工程（１５）を有する。この工程により、スラリーに含まれる混入ガスを予め除去し、含浸工程（１６）において、Ｓｉ粒子とＣ粒子の混合粒子の充填率を高めることができる。
【００１４】
また、前記含浸工程（１６）の後に、スラリーを含浸した繊維織物を乾燥させシリコンの融点より低い温度で仮焼成する仮焼成工程（１７）を有する。この工程により、スラリー中の溶剤及び分散剤を予め除去し、反応焼成工程（１８）における反応を効率的に行うことができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施形態を図面を参照して説明する。
図１は、本発明のセラミックス基複合部材の製造方法を示すフロー図である。この図に示すように、本発明の方法は、成形工程１１、粉砕工程１２、混合・分散工程１３、スラリー化工程１４、真空脱泡工程１５、含浸工程１６、仮焼成工程１７、及び反応焼成工程１８からなる。
【００１６】
成形工程１では、ＳｉＣ繊維１を用いて所定の形状の繊維織物２を成形する。成形する形状は、適用するロケットエンジンの燃焼器（スラストチャンバ）の他、高温部の燃料配管、タービン翼、燃焼器、アフターバーナ部品等に適した立体形状であるのがよい。
【００１７】
粉砕工程１２と混合・分散工程１３は、例えばボールミルを用いて、カーボン粉末４とシリコン粉末５を固相同士で混合・分散させる。この工程において、カーボン粉末４とシリコン粉末５は、等しいモル数を混合するのがよい。なお、ボールミル以外の装置を用いて粉砕工程１２と混合・分散工程１３を別々に行ってもよい。
【００１８】
スラリー化工程１４では、混合・分散工程１３で混合・分散した混合粉体に溶剤及び分散剤を添加してスラリー８を製造する。この溶剤には、例えばエタノールを用い、混合粉末をエタノールに５０〜７０重量％分散させる。更に、分散剤として例えばポリエチレンイミンを１重量％添加する。
【００１９】
真空脱泡工程１５では、スラリー化工程１４で製造したスラリー８を真空容器内で減圧して混入ガスを除去する。この減圧・脱泡は例えば１０〜１５分程度実施する。
【００２０】
含浸工程１６では、真空脱泡工程１５で調製したスラリー８中にＳｉＣ繊維１で成形した繊維織物２を浸し、繊維織物２の内部にスラリー８を含浸させる。この含浸は、常圧下で行うことができるが、必要により真空含浸又は加圧含浸を行ってもよい。
【００２１】
仮焼成工程１７では、スラリー８を含浸した繊維織物２を真空乾燥機内で例えば６０〜１００℃の低温で２４時間程度乾燥させてスラリー中のエタノールを分解除去する。次いで常圧状態で約６０℃程度で８時間程度放置し、その後、アルゴンガス中で約１０００℃で１〜２時間仮焼成する。この仮焼成工程１７により、スラリー中の溶剤及び分散剤を予め完全に除去する。
【００２２】
反応焼成工程１８では、含浸工程後の繊維織物を反応焼成に十分な高温に曝すことにより、反応焼成させてマトリックス部を形成する。この昇温は、例えばシリコンの融点（１４１４℃）付近ではゆっくりと昇温し（例えば０．５〜１℃／ｍｉｎ）、シリコンの融点より若干高い温度（例えば約１４２０℃）で２時間程度保持した後に、降温する。この反応焼成工程１８により、混合粉砕された微細なＳｉとＣ粒子が均一に分散された状態でＳｉＣ生成反応が生じるため未反応粒子が残らずかつ反応制御が容易である。また、反応焼成をシリコンの融点より高い温度まで昇温して行うので、Ｃ粒子とＳｉとの反応速度が速く、短時間に気密性の高いＣＭＣを製造することができる。
【００２３】
【実施例】
以下、上述した本発明の方法の実施例を説明する。
図２は、本発明による原料粉末の反応前の顕微鏡写真（約１０００倍）である。この図において、（Ａ）は混合・粉砕前のＳｉ粉末、（Ｂ）は混合・粉砕前のＣ粉末である。Ｓｉ粉末（Ａ）は平均粒径７０〜１００μｍの比較的大きい粒子であるのに対して、Ｃ粉末（Ｂ）は平均粒径１〜１０μｍの微粒であることがわかる。
【００２４】
図３は、本発明による混合粉末とＣＭＣの顕微鏡写真（約１０００倍）である。この図において、（Ａ）はボールミルを用いて混合・粉砕後（工程１２，１３後）の粉末であり、（Ｂ）は含浸・反応焼成後（工程１６〜１８の後）のＣＭＣである。
図３（Ａ）から、ボールミルによる粉砕・混合・分散により、Ｓｉ粉末とＣ粉末の両方が平均粒径数μｍに微細化され、かつ互いに均一に混合・分散されているのがわかる。
また、図３（Ｂ）から、約直径１１μｍのＳｉＣ繊維１に密着して緻密なＳｉＣマトリックス９が形成されているのがわかる。
【００２５】
図４は、反応焼成前後のＸ線回析による組成分析結果である。この図において、（Ａ）は反応焼成前、（Ｂ）は反応焼成後であり、横軸はＸ線回析角度、図中の縦線は組成（Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＯ2）に対応するピーク位置を示している。
図４の（Ａ）と（Ｂ）との対比から、反応焼成前（Ａ）の主成分がＳｉであるのに対して、反応焼成後（Ｂ）の主成分はＳｉＣであり、反応焼成後（Ｂ）のＳｉの残存はほとんどなく、ＳｉＯ2がわずかに存在していることがわかる。
【００２６】
上述したように、本発明の方法によれば、あらかじめボールミル等によりＳｉ粒子とＣ粒子が均一に分散・混合されており、この均一に分散されている混合粉末を繊維織物に含浸し、その後反応焼成させることで未反応粒子がないＳｉＣマトリックスを形成することができる。すなわち、混合粉砕された微細なＳｉとＣ粒子が均一に分散された状態でＳｉＣ生成反応が生じるため未反応粒子が残らずかつ反応制御が容易である。従って、従来の方法に比較して手間がかからないため、製造期間の短縮及びコストダウンが可能である。また、反応焼成をシリコンの融点近傍において、昇温速度を十分に下げて反応焼成を行うため、溶融Ｓｉの流出や、未反応Ｓｉ、Ｃ元素をマトリックス中に残すことなく気密性の高いＣＭＣを製造することができる。
【００２７】
なお、本発明は上述した実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更できることは勿論である。
【００２８】
【発明の効果】
上述したように、本発明のセラミックス基複合部材の製造方法は、Ｃ粒子とＳｉ粒子の残存が少なく、かつマトリックス形成速度が速く、短時間に気密性の高いＣＭＣを製造することができる等の優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のセラミックス基複合部材の製造方法を示すフロー図である。
【図２】本発明による原料粉末の顕微鏡写真である。
【図３】本発明による混合粉末とＣＭＣの顕微鏡写真である。
【図４】反応焼成前後のＸ線回析による組成分析結果である。
【図５】従来の反応焼結法の模式的フロー図である。
【符号の説明】
１ ＳｉＣ繊維、２ 繊維プリフォーム（三次元構造体）、
３ マトリックス成形用スラリー、４ カーボン粉末、
５ シリコン粉末、６ 溶剤、７ 分散剤、８ スラリー、
９ ＳｉＣマトリックス、１１ 成形工程、１２ 粉砕工程、
１３ 混合・分散工程、１４ スラリー化工程、１５ 真空脱泡工程、
１６ 含浸工程、１７ 仮焼成工程、１８ 反応焼成工程
Claims (5)
- カーボン粉末（４）とシリコン粉末（５）を固相同士で混合・分散し、これを繊維織物（２）の内部に含浸し、次いで、シリコンの融点より若干高い温度に曝すことにより反応焼成する、ことを特徴とするセラミックス基複合部材の製造方法。
- カーボン粉末（４）とシリコン粉末（５）を固相同士で混合・分散させる混合・分散工程（１３）と、混合・分散した混合粉体に溶剤及び分散剤を添加してスラリー（８）を製造するスラリー化工程（１４）と、ＳｉＣ繊維（１）で成形した繊維織物（２）に前記スラリーを含浸させる含浸工程（１６）と、前記含浸工程後の繊維織物をシリコンの融点より若干高い温度に曝すことにより、反応焼成させてマトリックス部を形成する反応焼成工程（１８）とを備えた、ことを特徴とするセラミックス基複合部材の製造方法。
- 前記スラリー化工程（１４）の後に、スラリー（８）を減圧して混入ガスを除去する真空脱泡工程（１５）を有する、ことを特徴とする請求項２に記載のセラミックス基複合部材の製造方法。
- 前記含浸工程（１６）の後に、スラリーを含浸した繊維織物を乾燥させシリコンの融点より低い温度で仮焼成する仮焼成工程（１７）を有する、ことを特徴とする請求項２に記載のセラミックス基複合部材の製造方法。
- シリコンの融点より若干高い前記温度は、１４２０℃である、ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のセラミックス基複合部材の製造方法。
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