JP2001322806A - 三フッ化窒素の製造方法及びその用途 - Google Patents
三フッ化窒素の製造方法及びその用途Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 工業的に安全かつ効率よく経済的にＮＦ3を
製造することができる製造方法を提供する。 【解決手段】 希釈ガスの存在下、Ｆ2ガスとＮＨ3ガス
を気相で８０℃以下で反応させてＮＦ3を製造する。
製造することができる製造方法を提供する。 【解決手段】 希釈ガスの存在下、Ｆ2ガスとＮＨ3ガス
を気相で８０℃以下で反応させてＮＦ3を製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフッ素ガス（Ｆ2）
とアンモニアガス（ＮＨ3）を気相で直接反応させて三
フッ化窒素（以下「ＮＦ3」という。）を製造する方法
及びその用途に関する。
とアンモニアガス（ＮＨ3）を気相で直接反応させて三
フッ化窒素（以下「ＮＦ3」という。）を製造する方法
及びその用途に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＮＦ3は、例えば半導体デバイス製造プ
ロセスにおけるドライエッチング用ガス等に使用され、
その製造方法としては、一般に化学法と電解法に大別さ
れる。化学法としては、例えば、（１）溶融酸性フッ化
アンモニウム中にＦ2ガスとＮＨ3ガスを吹き込む方法
（特公昭５５−８９２６号公報）、（２）固体状の金属
フッ化物アンモニウム錯体とＦ2ガスを反応させる方法
（特公昭６０−７１５０３号公報）、（３）Ｆ2ガスと
ＮＨ3ガスを直接反応させる方法（特開平２−２５５５
１３号公報）、等が知られている。
ロセスにおけるドライエッチング用ガス等に使用され、
その製造方法としては、一般に化学法と電解法に大別さ
れる。化学法としては、例えば、（１）溶融酸性フッ化
アンモニウム中にＦ2ガスとＮＨ3ガスを吹き込む方法
（特公昭５５−８９２６号公報）、（２）固体状の金属
フッ化物アンモニウム錯体とＦ2ガスを反応させる方法
（特公昭６０−７１５０３号公報）、（３）Ｆ2ガスと
ＮＨ3ガスを直接反応させる方法（特開平２−２５５５
１３号公報）、等が知られている。
【０００３】一方、電解法としては、例えば、溶融酸性
フッ化アンモニウムを電解液として、（４）黒鉛（グラ
ファイト）を陽極として電解する方法、（５）ニッケル
を陽極として電解する方法等が知られている。また、Ｒ
ｕｆｆらは、Ｆ2とＮＨ3を気相状で反応させて、５％以
下の収率ではあるが化学法によりＮＦ3を合成し（Ｚ．
ａｎｏｒｇ．ａｌlｇ．Ｃｈｅｍ．１９７，３９５（１
９３１））、Ｍｏｒｒｏｗらも同様に気相でＮＦ3を合
成したことを報告している（Ｊ，Ａｍｅｒ．Ｃｈｅｍ．
Ｓｏｃ．８２．５３０１（１９６０))。
フッ化アンモニウムを電解液として、（４）黒鉛（グラ
ファイト）を陽極として電解する方法、（５）ニッケル
を陽極として電解する方法等が知られている。また、Ｒ
ｕｆｆらは、Ｆ2とＮＨ3を気相状で反応させて、５％以
下の収率ではあるが化学法によりＮＦ3を合成し（Ｚ．
ａｎｏｒｇ．ａｌlｇ．Ｃｈｅｍ．１９７，３９５（１
９３１））、Ｍｏｒｒｏｗらも同様に気相でＮＦ3を合
成したことを報告している（Ｊ，Ａｍｅｒ．Ｃｈｅｍ．
Ｓｏｃ．８２．５３０１（１９６０))。
【０００４】しかしながら、従来のＦ2ガスを使用して
反応基質であるＮＨ3からＮＦ3を合成する直接フッ素化
法は、極めて反応性に富むＦ2ガスを用いるため、基質
とＦ2ガスとの爆発や腐食の危険があり、さらにこれら
の反応は反応熱が大きく、反応器内の温度が上昇し生成
したＮＦ3の分解や副反応によるＮ2、ＨＦ、ＮＨ4Ｆが
生成して収率が低下する等の問題があった。また、特開
平２−２５５５１３号公報に記載された方法は、反応器
温度を８０〜２５０℃の温度に維持された熱媒内で、Ｎ
Ｈ3に対してＦ2ガスを３〜２０倍用いてＮＦ3を製造す
る方法であり、Ｆ2基準での収率が悪く経済的ではない
という問題がある。
反応基質であるＮＨ3からＮＦ3を合成する直接フッ素化
法は、極めて反応性に富むＦ2ガスを用いるため、基質
とＦ2ガスとの爆発や腐食の危険があり、さらにこれら
の反応は反応熱が大きく、反応器内の温度が上昇し生成
したＮＦ3の分解や副反応によるＮ2、ＨＦ、ＮＨ4Ｆが
生成して収率が低下する等の問題があった。また、特開
平２−２５５５１３号公報に記載された方法は、反応器
温度を８０〜２５０℃の温度に維持された熱媒内で、Ｎ
Ｈ3に対してＦ2ガスを３〜２０倍用いてＮＦ3を製造す
る方法であり、Ｆ2基準での収率が悪く経済的ではない
という問題がある。
【０００５】Ｆ2ガスを使用する直接フッ素化法は、基
質中の水素１個をフッ素１個に置換するには、約−１１
０kcal／molの反応熱が発生する。従ってＦ2とＮＨ3を
反応させてＮＦ3を製造する場合は、水素とフッ素の置
換で約−３３０kcal／molの反応熱が発生し、この発熱
によるＮ−Ｆ結合の切断や爆発等が起こりやすく、さら
に収率の低下をもたらし、製造上の問題となる。
質中の水素１個をフッ素１個に置換するには、約−１１
０kcal／molの反応熱が発生する。従ってＦ2とＮＨ3を
反応させてＮＦ3を製造する場合は、水素とフッ素の置
換で約−３３０kcal／molの反応熱が発生し、この発熱
によるＮ−Ｆ結合の切断や爆発等が起こりやすく、さら
に収率の低下をもたらし、製造上の問題となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような背
景の下になされたものであって、本発明は基質（Ｎ
Ｈ3）とＦ2ガスを反応させてＮＦ3を製造する直接フッ
素化法において、工業的に安全かつ効率よく経済的にＮ
Ｆ3を製造することができる製造方法を提供することを
課題とする。
景の下になされたものであって、本発明は基質（Ｎ
Ｈ3）とＦ2ガスを反応させてＮＦ3を製造する直接フッ
素化法において、工業的に安全かつ効率よく経済的にＮ
Ｆ3を製造することができる製造方法を提供することを
課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記の課
題を解決すべく鋭意検討した結果、Ｆ2ガスとＮＨ3ガス
とを反応させてＮＦ3を製造する方法において、希釈ガ
スの存在下、８０℃以下で反応を行えば収率よくＮＦ3
を製造できることを見出し本発明を完成するに至った。
本発明は以下の（１）〜（１３）に示されるＮＦ3の製
造方法及びその用途である。
題を解決すべく鋭意検討した結果、Ｆ2ガスとＮＨ3ガス
とを反応させてＮＦ3を製造する方法において、希釈ガ
スの存在下、８０℃以下で反応を行えば収率よくＮＦ3
を製造できることを見出し本発明を完成するに至った。
本発明は以下の（１）〜（１３）に示されるＮＦ3の製
造方法及びその用途である。
【０００８】（１）フッ素ガスとアンモニアガスを気相
で反応させて三フッ化窒素を製造する方法において、希
釈ガスの存在下、８０℃以下で反応を行うことを特徴と
する三フッ化窒素の製造方法。 （２）反応温度が５０℃以下である上記（１）に記載の
三フッ化窒素の製造方法。 （３）フッ素ガスとアンモニアガスの供給濃度が、モル
比で１：１〜１：２である上記（１）または（２）に記
載の三フッ化窒素の製造方法。 （４）フッ素ガス及び／またはアンモニアガスを分割供
給する上記（１）〜（３）のいずれかに記載の三フッ化
窒素の製造方法。 （５）フッ素ガスの供給濃度が３モル％以下である上記
（１）〜（４）のいずれかに記載の三フッ化窒素の製造
方法。 （６）アンモニアガスの供給濃度が６モル％以下である
上記（１）〜（５）のいずれかに記載の三フッ化窒素の
製造方法。
で反応させて三フッ化窒素を製造する方法において、希
釈ガスの存在下、８０℃以下で反応を行うことを特徴と
する三フッ化窒素の製造方法。 （２）反応温度が５０℃以下である上記（１）に記載の
三フッ化窒素の製造方法。 （３）フッ素ガスとアンモニアガスの供給濃度が、モル
比で１：１〜１：２である上記（１）または（２）に記
載の三フッ化窒素の製造方法。 （４）フッ素ガス及び／またはアンモニアガスを分割供
給する上記（１）〜（３）のいずれかに記載の三フッ化
窒素の製造方法。 （５）フッ素ガスの供給濃度が３モル％以下である上記
（１）〜（４）のいずれかに記載の三フッ化窒素の製造
方法。 （６）アンモニアガスの供給濃度が６モル％以下である
上記（１）〜（５）のいずれかに記載の三フッ化窒素の
製造方法。
【０００９】（７）希釈ガスが、窒素、ヘリウム、アル
ゴン、ヘキサフルオロエタン及びオクタフルオロプロパ
ンからなる群から選ばれる少なくとも一種である上記
（１）〜（６）のいずれかに記載の三フッ化窒素の製造
方法。 （８）希釈ガスを循環使用する上記（１）〜（７）のい
ずれかに記載の三フッ化窒素の製造方法。 （９）未反応フッ素ガスを処理する工程を含み、該工程
が未反応フッ素ガスをアルカリ水溶液及び／またはアル
ミナで処理するものである上記（１）〜（８）のいずれ
かに記載の三フッ化窒素の製造方法。 （１０）前記処理工程を８０℃以下で行う上記（９）に
記載の三フッ化窒素の製造方法。 （１１）上記（１）〜（１０）のいずれかに記載の製造
方法により得られる三フッ化窒素を含むことを特徴とす
る三フッ化窒素製品。 （１２）上記（１１）に記載の三フッ化窒素製品を含有
するエッチングガス。 （１３）上記（１１）に記載の三フッ化窒素製品を含有
するクリーニングガス。
ゴン、ヘキサフルオロエタン及びオクタフルオロプロパ
ンからなる群から選ばれる少なくとも一種である上記
（１）〜（６）のいずれかに記載の三フッ化窒素の製造
方法。 （８）希釈ガスを循環使用する上記（１）〜（７）のい
ずれかに記載の三フッ化窒素の製造方法。 （９）未反応フッ素ガスを処理する工程を含み、該工程
が未反応フッ素ガスをアルカリ水溶液及び／またはアル
ミナで処理するものである上記（１）〜（８）のいずれ
かに記載の三フッ化窒素の製造方法。 （１０）前記処理工程を８０℃以下で行う上記（９）に
記載の三フッ化窒素の製造方法。 （１１）上記（１）〜（１０）のいずれかに記載の製造
方法により得られる三フッ化窒素を含むことを特徴とす
る三フッ化窒素製品。 （１２）上記（１１）に記載の三フッ化窒素製品を含有
するエッチングガス。 （１３）上記（１１）に記載の三フッ化窒素製品を含有
するクリーニングガス。
【００１０】すなわち、本発明は「フッ素ガスとアンモ
ニアガスを気相で反応させて三フッ化窒素を製造する方
法において、希釈ガスの存在下、８０℃以下で反応を行
うことを特徴とする三フッ化窒素の製造方法」、「前記
製造方法により得られる三フッ化窒素を含むことを特徴
とする三フッ化窒素製品」及び「前記三フッ化窒素製品
を含有するエッチングガス及びクリーニングガス」であ
る。
ニアガスを気相で反応させて三フッ化窒素を製造する方
法において、希釈ガスの存在下、８０℃以下で反応を行
うことを特徴とする三フッ化窒素の製造方法」、「前記
製造方法により得られる三フッ化窒素を含むことを特徴
とする三フッ化窒素製品」及び「前記三フッ化窒素製品
を含有するエッチングガス及びクリーニングガス」であ
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳しく説明
する。本発明は、Ｆ2ガスとＮＨ3ガスとを、希釈ガスの
存在下、気相で８０℃以下で直接（無触媒）反応させて
ＮＦ3を製造する方法であり、従来の直接フッ素化反応
の問題や課題を克服し、工業的に安全かつ効率よく、ま
た経済的にＮＦ3を製造することができる。
する。本発明は、Ｆ2ガスとＮＨ3ガスとを、希釈ガスの
存在下、気相で８０℃以下で直接（無触媒）反応させて
ＮＦ3を製造する方法であり、従来の直接フッ素化反応
の問題や課題を克服し、工業的に安全かつ効率よく、ま
た経済的にＮＦ3を製造することができる。
【００１２】前述のように、Ｆ2ガスを使用する直接フ
ッ素化法は、基質中の水素１個をフッ素１個に置換する
場合、約−１１０kcal／molの大きな反応熱が発生す
る。Ｆ2ガスとＮＨ3ガスを反応させてＮＦ3を製造する
場合は、水素とフッ素の置換だけで約−３３０kcal／mo
lの反応熱が発生し、局部温度が高くなることが多い。
温度が高い場合は目的の反応（下記式１）以外に副反応
（下記式２）が支配的に起こる。 ４ＮＨ3＋３Ｆ2 → ＮＦ3＋３ＮＨ4Ｆ （式１） ２ＮＨ3＋３Ｆ2 → Ｎ2＋６ＨＦ （式２）
ッ素化法は、基質中の水素１個をフッ素１個に置換する
場合、約−１１０kcal／molの大きな反応熱が発生す
る。Ｆ2ガスとＮＨ3ガスを反応させてＮＦ3を製造する
場合は、水素とフッ素の置換だけで約−３３０kcal／mo
lの反応熱が発生し、局部温度が高くなることが多い。
温度が高い場合は目的の反応（下記式１）以外に副反応
（下記式２）が支配的に起こる。 ４ＮＨ3＋３Ｆ2 → ＮＦ3＋３ＮＨ4Ｆ （式１） ２ＮＨ3＋３Ｆ2 → Ｎ2＋６ＨＦ （式２）
【００１３】このため、副反応（式２）を制御して、目
的の反応（式１）を選択的に進める必要がある。この課
題に対して、本発明者等は鋭意検討を重ねた結果、反応
温度が副反応と蜜接に関連していることを見出した。反
応温度が８０℃以上、例えば１１０℃では副反応（式
２）が支配的に進行し、生成物は窒素とフッ化水素のみ
であり、目的物のＮＦ3は殆ど生成しないが、反応温度
を８０℃以下にすると目的の反応（式１）が選択的に進
行する。すなわち、本発明の反応温度は８０℃以下であ
り、好ましくは５０℃以下がよい。また、さらに冷却す
るとより選択的に目的の反応（式１）が進行するが、反
応温度が低すぎると反応速度が下がりすぎ、場合によっ
ては希釈ガスが凝縮する可能性もある。従って下限温度
は−３０℃以上が適当である。
的の反応（式１）を選択的に進める必要がある。この課
題に対して、本発明者等は鋭意検討を重ねた結果、反応
温度が副反応と蜜接に関連していることを見出した。反
応温度が８０℃以上、例えば１１０℃では副反応（式
２）が支配的に進行し、生成物は窒素とフッ化水素のみ
であり、目的物のＮＦ3は殆ど生成しないが、反応温度
を８０℃以下にすると目的の反応（式１）が選択的に進
行する。すなわち、本発明の反応温度は８０℃以下であ
り、好ましくは５０℃以下がよい。また、さらに冷却す
るとより選択的に目的の反応（式１）が進行するが、反
応温度が低すぎると反応速度が下がりすぎ、場合によっ
ては希釈ガスが凝縮する可能性もある。従って下限温度
は−３０℃以上が適当である。
【００１４】冷却方法としては、例えばジャケット式や
コイル式等を用いて循環させる方法が好ましい。また、
場合によっては反応器内の温度を均一にするため、例え
ば攪拌等を行ってもよく、大きな反応熱を除去し、局部
温度の上昇を防止することが好ましい。また、反応熱に
よる局部温度の上昇を制御するため、原料のＦ2、ＮＨ3
濃度が薄い場合はそれぞれ一括で供給してもよいが、濃
度が高い場合は分割供給することが局部温度の上昇を制
御するうえで好ましい。原料のＦ2ガスとＮＨ3ガスを分
割供給する方法は、例えば第１の原料ガス供給口からＦ
2ガスとＮＨ3ガスを流しておき、第２のガス供給口から
ＮＨ3ガスを流す方法を用いることができる。このよう
に分割供給することで、反応温度の局部上昇をさらに効
果的に制御することが可能となる。
コイル式等を用いて循環させる方法が好ましい。また、
場合によっては反応器内の温度を均一にするため、例え
ば攪拌等を行ってもよく、大きな反応熱を除去し、局部
温度の上昇を防止することが好ましい。また、反応熱に
よる局部温度の上昇を制御するため、原料のＦ2、ＮＨ3
濃度が薄い場合はそれぞれ一括で供給してもよいが、濃
度が高い場合は分割供給することが局部温度の上昇を制
御するうえで好ましい。原料のＦ2ガスとＮＨ3ガスを分
割供給する方法は、例えば第１の原料ガス供給口からＦ
2ガスとＮＨ3ガスを流しておき、第２のガス供給口から
ＮＨ3ガスを流す方法を用いることができる。このよう
に分割供給することで、反応温度の局部上昇をさらに効
果的に制御することが可能となる。
【００１５】Ｆ2ガスを用いる直接フッ素化反応は前記
の如く反応に伴う発熱が大きく、この発熱を抑える方法
として、Ｆ2ガスを不活性ガスで希釈する方法あるいは
基質のＮＨ3ガスを不活性ガスで希釈する方法等が用い
られる。希釈ガスとしては、窒素、ヘリウム、アルゴ
ン、ヘキサフルオロエタン及びオクタフルオロプロパン
からなる群から選ばれる少なくとも一種の不活性ガスが
よい。好ましくは目的物のＮＦ3（沸点：−１２０℃）
とこれらの不活性ガスとの蒸留工程での分離・精製操作
等を考慮し、ＮＦ3と比較して高沸点であるヘキサフル
オロエタン（沸点：−７８．１℃）とオクタフルオロプ
ロパン（沸点：−３６．７℃）が分離コスト面から有利
であり、さらに好ましくはオクタフルオロプロパンがよ
い。
の如く反応に伴う発熱が大きく、この発熱を抑える方法
として、Ｆ2ガスを不活性ガスで希釈する方法あるいは
基質のＮＨ3ガスを不活性ガスで希釈する方法等が用い
られる。希釈ガスとしては、窒素、ヘリウム、アルゴ
ン、ヘキサフルオロエタン及びオクタフルオロプロパン
からなる群から選ばれる少なくとも一種の不活性ガスが
よい。好ましくは目的物のＮＦ3（沸点：−１２０℃）
とこれらの不活性ガスとの蒸留工程での分離・精製操作
等を考慮し、ＮＦ3と比較して高沸点であるヘキサフル
オロエタン（沸点：−７８．１℃）とオクタフルオロプ
ロパン（沸点：−３６．７℃）が分離コスト面から有利
であり、さらに好ましくはオクタフルオロプロパンがよ
い。
【００１６】Ｆ2ガス及びＮＨ3ガスは反応器に導入する
前にいずれか一方またはどちらも希釈ガスで希釈された
後、反応器へ導入することが好ましく、安全性を考慮す
ればＦ2ガスもＮＨ3ガスも共に希釈ガスで低濃度とする
ことが好ましい。また、希釈ガスは生成したＮＦ3と分
離された後に回収して循環使用されることが好ましい。
希釈ガスの回収方法は蒸留分離による方法が一般的に用
いられるが、例えば希釈ガスとしてオクタフルオロプロ
パンを用いた場合には、目的物のＮＦ3を低沸分として
蒸留塔のトップから抜き出し、希釈ガスのオクタフルオ
ロプロパンは蒸留塔のボトムから抜き出されて、反応系
で循環使用される。
前にいずれか一方またはどちらも希釈ガスで希釈された
後、反応器へ導入することが好ましく、安全性を考慮す
ればＦ2ガスもＮＨ3ガスも共に希釈ガスで低濃度とする
ことが好ましい。また、希釈ガスは生成したＮＦ3と分
離された後に回収して循環使用されることが好ましい。
希釈ガスの回収方法は蒸留分離による方法が一般的に用
いられるが、例えば希釈ガスとしてオクタフルオロプロ
パンを用いた場合には、目的物のＮＦ3を低沸分として
蒸留塔のトップから抜き出し、希釈ガスのオクタフルオ
ロプロパンは蒸留塔のボトムから抜き出されて、反応系
で循環使用される。
【００１７】本反応を実施するに際し、原料であるＦ2
ガスとＮＨ3ガスを供給する際の両者の濃度はモル比で
１：１〜１：２の範囲が好ましい。また、前述のように
原料を分割供給する場合であっても、反応全体で使用す
るＦ2ガスとＮＨ3ガスの比はこの範囲を超えないことが
好ましい。ＮＨ3ガスのＦ2ガスに対するモル比が２倍モ
ル以上では未反応アンモニアガスの回収のための設備等
が必要で経済的でない。また、１倍モル以下では未反応
フッ素ガスが大量にでるため、安全上あるいは経済的に
好ましくない。
ガスとＮＨ3ガスを供給する際の両者の濃度はモル比で
１：１〜１：２の範囲が好ましい。また、前述のように
原料を分割供給する場合であっても、反応全体で使用す
るＦ2ガスとＮＨ3ガスの比はこの範囲を超えないことが
好ましい。ＮＨ3ガスのＦ2ガスに対するモル比が２倍モ
ル以上では未反応アンモニアガスの回収のための設備等
が必要で経済的でない。また、１倍モル以下では未反応
フッ素ガスが大量にでるため、安全上あるいは経済的に
好ましくない。
【００１８】また、Ｆ2ガスの供給濃度は３モル％以下
が好ましく、ＮＨ3ガスの供給濃度は６モル％以下が好
ましい。従って、供給された反応器入り口のガス組成は
反応の基質（Ｆ2＋ＮＨ3）が９モル％以下で、希釈ガス
が９１モル％以上であることが好ましい。前述のように
Ｆ2ガスを使用する直接フッ素化法は、極めて反応性に
富むＦ2ガスを用いるため、水素を含有するＮＨ3は、フ
ッ素にさらされると燃焼あるいは爆発する危険がある。
このため、ＮＨ3ガスとＦ2ガスの爆発防止が本発明の重
要なポイントである。本発明者等がＮＨ3ガスとＦ2ガス
との爆発範囲を検討したところ、ＮＨ3の爆発範囲の下
限値が６モル％以下であることが判明し本反応の安全な
範囲が設定できる。また、Ｆ2ガス及び／またはＮＨ3ガ
スを２箇所以上のガス導入口から反応器に分割供給する
ことにより、反応器内のガス濃度をより安全な範囲に調
整することが可能となる。
が好ましく、ＮＨ3ガスの供給濃度は６モル％以下が好
ましい。従って、供給された反応器入り口のガス組成は
反応の基質（Ｆ2＋ＮＨ3）が９モル％以下で、希釈ガス
が９１モル％以上であることが好ましい。前述のように
Ｆ2ガスを使用する直接フッ素化法は、極めて反応性に
富むＦ2ガスを用いるため、水素を含有するＮＨ3は、フ
ッ素にさらされると燃焼あるいは爆発する危険がある。
このため、ＮＨ3ガスとＦ2ガスの爆発防止が本発明の重
要なポイントである。本発明者等がＮＨ3ガスとＦ2ガス
との爆発範囲を検討したところ、ＮＨ3の爆発範囲の下
限値が６モル％以下であることが判明し本反応の安全な
範囲が設定できる。また、Ｆ2ガス及び／またはＮＨ3ガ
スを２箇所以上のガス導入口から反応器に分割供給する
ことにより、反応器内のガス濃度をより安全な範囲に調
整することが可能となる。
【００１９】未反応Ｆ2ガスは、蒸留工程での濃縮等の
際に安全上の問題があり、極力除去しなければならな
い。従って、本発明のＮＦ3の製造方法は未反応Ｆ2ガス
を処理する工程を含むものである。Ｆ2ガスの除去方法
としては、アルカリ水溶液と接触する方法、例えばＫＯ
Ｈ水溶液等と接触する方法、またはアルミナと接触させ
て除去する方法が好ましい。処理温度は８０℃以下が好
ましく、８０℃以上では目的物のＮＦ3が一部分解する
ため好ましくない。
際に安全上の問題があり、極力除去しなければならな
い。従って、本発明のＮＦ3の製造方法は未反応Ｆ2ガス
を処理する工程を含むものである。Ｆ2ガスの除去方法
としては、アルカリ水溶液と接触する方法、例えばＫＯ
Ｈ水溶液等と接触する方法、またはアルミナと接触させ
て除去する方法が好ましい。処理温度は８０℃以下が好
ましく、８０℃以上では目的物のＮＦ3が一部分解する
ため好ましくない。
【００２０】また、Ｆ2ガスとＮＨ3ガスの直接フッ素化
反応によるＮＦ3の製造工程では、前記（式１）で示し
たように副生物としてＮＨ4Ｆが生成する。このため、
反応の形式としては、例えば反応器２基を用いて切り替
え方式で副生成物のＮＨ4Ｆを回収し、再利用すること
が望ましい。
反応によるＮＦ3の製造工程では、前記（式１）で示し
たように副生物としてＮＨ4Ｆが生成する。このため、
反応の形式としては、例えば反応器２基を用いて切り替
え方式で副生成物のＮＨ4Ｆを回収し、再利用すること
が望ましい。
【００２１】また、本発明の製造方法により得られるＮ
Ｆ3は、半導体デバイス製造工程の中のエッチング工程
におけるエッチングガスとして用いることができる。ま
た、半導体デバイス製造工程の中のクリーニング工程に
おけるクリーニングガスとしても用いることができる。
LSIやTFTなどの半導体デバイスの製造プロセスでは、CV
D法、スパッタリング法あるいは蒸着法などを用いて薄
膜や厚膜を形成し、回路パターンを形成するためにエッ
チングを行う。また、薄膜や厚膜を形成する装置におい
ては、装置内壁、冶具等に堆積した不要な堆積物を除去
するためのクリーニングが行われる。これは不要な堆積
物が生成するとパーティクル発生の原因となるためであ
り、良質な膜を製造するために随時除去する必要があ
る。
Ｆ3は、半導体デバイス製造工程の中のエッチング工程
におけるエッチングガスとして用いることができる。ま
た、半導体デバイス製造工程の中のクリーニング工程に
おけるクリーニングガスとしても用いることができる。
LSIやTFTなどの半導体デバイスの製造プロセスでは、CV
D法、スパッタリング法あるいは蒸着法などを用いて薄
膜や厚膜を形成し、回路パターンを形成するためにエッ
チングを行う。また、薄膜や厚膜を形成する装置におい
ては、装置内壁、冶具等に堆積した不要な堆積物を除去
するためのクリーニングが行われる。これは不要な堆積
物が生成するとパーティクル発生の原因となるためであ
り、良質な膜を製造するために随時除去する必要があ
る。
【００２２】ここで、ＮＦ3を用いるエッチング方法
は、プラズマエッチング、マイクロ波エッチング等の各
種ドライエッチング条件で行うことができ、ＮＦ3とＨ
ｅ、Ｎ2、Ａｒなどの不活性ガスあるいはＨＣｌ、Ｏ2、
Ｈ2などのガスと適切な割合で混合して使用してもよ
い。
は、プラズマエッチング、マイクロ波エッチング等の各
種ドライエッチング条件で行うことができ、ＮＦ3とＨ
ｅ、Ｎ2、Ａｒなどの不活性ガスあるいはＨＣｌ、Ｏ2、
Ｈ2などのガスと適切な割合で混合して使用してもよ
い。
【００２３】
【実施例】以下、実施例及び比較例により本発明をより
詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。 （実施例１）内径約４０ｍｍΦ、長さ５００ｍｍのイン
コネル６００型反応器（ジャケット式で冷媒循環冷却方
式、反応器はＦ2ガスで温度４００℃で不動態化処理を
実施済）を使用し、アルゴンガスを２９．５８ＮＬ／ｈ
ｒ（ＮＨ3供給ライン及びＦ2供給ラインより等量ずつ）
供給しながら温度を５℃に設定し、次いでＮＨ3ガス
０．７０１ＮＬ／ｈｒ及びＦ2ガス０．５２６ＮＬ／ｈ
ｒを供給し反応を行った。反応器入り口のＮＨ3濃度
は、２．２８モル％、Ｆ2濃度は１．７１モル％であっ
た。反応開始２時間後、ヨウ化カリウム水溶液で反応生
成ガス中のフッ化水素及び未反応フッ素ガス濃度を測定
し、ガスクロマトグラフィーにより組成分析を行ったと
ころ、分析値は表１に示すとおりであり、Ｆ2基準での
ＮＦ3の収率は、約６９％であった。表中のＮＤは未検
出であったことを示す。
詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。 （実施例１）内径約４０ｍｍΦ、長さ５００ｍｍのイン
コネル６００型反応器（ジャケット式で冷媒循環冷却方
式、反応器はＦ2ガスで温度４００℃で不動態化処理を
実施済）を使用し、アルゴンガスを２９．５８ＮＬ／ｈ
ｒ（ＮＨ3供給ライン及びＦ2供給ラインより等量ずつ）
供給しながら温度を５℃に設定し、次いでＮＨ3ガス
０．７０１ＮＬ／ｈｒ及びＦ2ガス０．５２６ＮＬ／ｈ
ｒを供給し反応を行った。反応器入り口のＮＨ3濃度
は、２．２８モル％、Ｆ2濃度は１．７１モル％であっ
た。反応開始２時間後、ヨウ化カリウム水溶液で反応生
成ガス中のフッ化水素及び未反応フッ素ガス濃度を測定
し、ガスクロマトグラフィーにより組成分析を行ったと
ころ、分析値は表１に示すとおりであり、Ｆ2基準での
ＮＦ3の収率は、約６９％であった。表中のＮＤは未検
出であったことを示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】（実施例２）内径４０ｍｍΦ、長さ５００
ｍｍのインコネル６００型反応器（電気ヒーター加熱方
式、反応器はＦ2ガスで温度４００℃で不動態化処理）
を用いて、反応温度を７０℃とした以外は実施例１と同
様な条件、操作で反応、分析を行った。分析結果は表２
に示すとおりであり、Ｆ2基準でのＮＦ3の収率は、約４
２％であった。
ｍｍのインコネル６００型反応器（電気ヒーター加熱方
式、反応器はＦ2ガスで温度４００℃で不動態化処理）
を用いて、反応温度を７０℃とした以外は実施例１と同
様な条件、操作で反応、分析を行った。分析結果は表２
に示すとおりであり、Ｆ2基準でのＮＦ3の収率は、約４
２％であった。
【００２６】
【表２】
【００２７】（比較例１）実施例２と同様な反応器を用
いて、反応温度を１５０℃とした以外は実施例１と同様
な条件、操作で反応、分析を行った。分析結果は表３に
示すとおりであり、反応温度が８０℃以上の高温ではＮ
Ｆ3は全く生成せず、前記（式２）の反応のみが進行す
ることが分かった。
いて、反応温度を１５０℃とした以外は実施例１と同様
な条件、操作で反応、分析を行った。分析結果は表３に
示すとおりであり、反応温度が８０℃以上の高温ではＮ
Ｆ3は全く生成せず、前記（式２）の反応のみが進行す
ることが分かった。
【００２８】
【表３】
【００２９】（実施例３）内径４０ｍｍΦ、長さ５００
ｍｍのインコネル６００型反応器（ジャケット式で冷媒
循環冷却方式）を反応器として用い、ＮＨ3の供給を２
分割方式とし、反応器の入り口部及び中央部の２カ所よ
り供給した以外は、実施例１と同様な条件、操作で反
応、分析を行った。分析結果は表４に示すとおりであ
り、Ｆ2基準でのＮＦ3の収率は、約７６％であった。
ｍｍのインコネル６００型反応器（ジャケット式で冷媒
循環冷却方式）を反応器として用い、ＮＨ3の供給を２
分割方式とし、反応器の入り口部及び中央部の２カ所よ
り供給した以外は、実施例１と同様な条件、操作で反
応、分析を行った。分析結果は表４に示すとおりであ
り、Ｆ2基準でのＮＦ3の収率は、約７６％であった。
【００３０】
【表４】
【００３１】（比較例２）ＮＨ3ガス０．３０ＮＬ／ｈ
ｒ、Ｆ2ガス１．０５ＮＬ／ｈｒ、希釈ガスとしてヘリ
ウムガスを３６．７ＮＬ／ｈｒとした以外は実施例１と
同様な条件、操作で反応、分析を行った。分析結果は表
５に示すとおりであり、Ｆ2ガス１モルに対してＮＨ3ガ
スが１倍モル以下では、未反応Ｆ2ガスが多量にでて、
好ましくないことが分かった。
ｒ、Ｆ2ガス１．０５ＮＬ／ｈｒ、希釈ガスとしてヘリ
ウムガスを３６．７ＮＬ／ｈｒとした以外は実施例１と
同様な条件、操作で反応、分析を行った。分析結果は表
５に示すとおりであり、Ｆ2ガス１モルに対してＮＨ3ガ
スが１倍モル以下では、未反応Ｆ2ガスが多量にでて、
好ましくないことが分かった。
【００３２】
【表５】
【００３３】（比較例３）ＮＨ3ガス１．５８ＮＬ／ｈ
ｒ、Ｆ2ガス０．５２６ＮＬ／ｈｒ、希釈ガスしてヘリ
ウムガスを３６．７ＮＬ／ｈｒとした以外は実施例１と
同様な条件、操作で反応、分析を行った。分析結果は表
６に示すとおりであり、Ｆ2ガス１モルに対してＮＨ3ガ
スが２倍モル以上では、未反応ＮＨ3が多量にでて、好
ましくないことが分かった。
ｒ、Ｆ2ガス０．５２６ＮＬ／ｈｒ、希釈ガスしてヘリ
ウムガスを３６．７ＮＬ／ｈｒとした以外は実施例１と
同様な条件、操作で反応、分析を行った。分析結果は表
６に示すとおりであり、Ｆ2ガス１モルに対してＮＨ3ガ
スが２倍モル以上では、未反応ＮＨ3が多量にでて、好
ましくないことが分かった。
【００３４】
【表６】
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば従
来収率よく製造することが困難であったＮＦ3を、希釈
ガスの存在下、Ｆ2ガスとＮＨ3ガスを気相で８０℃以下
で反応させて製造することができる。また、本発明の方
法で製造されたＮＦ3はエッチングガスあるいはクリー
ニングガスとして用いることができる。
来収率よく製造することが困難であったＮＦ3を、希釈
ガスの存在下、Ｆ2ガスとＮＨ3ガスを気相で８０℃以下
で反応させて製造することができる。また、本発明の方
法で製造されたＮＦ3はエッチングガスあるいはクリー
ニングガスとして用いることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3B116 AA47 AB51 BB21 4D002 AA22 AC07 BA02 BA03 CA01 CA06 CA07 DA03 DA12 DA46 EA05 GA03 GB03 HA02
Claims (13)
- 【請求項１】 フッ素ガスとアンモニアガスを気相で反
応させて三フッ化窒素を製造する方法において、希釈ガ
スの存在下、８０℃以下で反応を行うことを特徴とする
三フッ化窒素の製造方法。 - 【請求項２】 反応温度が５０℃以下である請求項１に
記載の三フッ化窒素の製造方法。 - 【請求項３】 フッ素ガスとアンモニアガスの供給濃度
が、モル比で１：１〜１：２である請求項１または２に
記載の三フッ化窒素の製造方法。 - 【請求項４】 フッ素ガス及び／またはアンモニアガス
を分割供給する請求項１〜３のいずれかに記載の三フッ
化窒素の製造方法。 - 【請求項５】 フッ素ガスの供給濃度が３モル％以下で
ある請求項１〜４のいずれかに記載の三フッ化窒素の製
造方法。 - 【請求項６】 アンモニアガスの供給濃度が６モル％以
下である請求項１〜５のいずれかに記載の三フッ化窒素
の製造方法。 - 【請求項７】 希釈ガスが、窒素、ヘリウム、アルゴ
ン、ヘキサフルオロエタン及びオクタフルオロプロパン
からなる群から選ばれる少なくとも一種である請求項１
〜６のいずれかに記載の三フッ化窒素の製造方法。 - 【請求項８】 希釈ガスを循環使用する請求項１〜７の
いずれかに記載の三フッ化窒素の製造方法。 - 【請求項９】 未反応フッ素ガスを処理する工程を含
み、該工程が未反応フッ素ガスをアルカリ水溶液及び／
またはアルミナで処理するものである請求項１〜８のい
ずれかに記載の三フッ化窒素の製造方法。 - 【請求項１０】 前記処理工程を８０℃以下で行う請求
項９に記載の三フッ化窒素の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１〜１０のいずれかに記載の製
造方法により得られる三フッ化窒素を含むことを特徴と
する三フッ化窒素製品。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載の三フッ化窒素製品
を含有するエッチングガス。 - 【請求項１３】 請求項１１に記載の三フッ化窒素製品
を含有するクリーニングガス。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000139846A JP4508356B2 (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | 三フッ化窒素の製造方法及びその用途 |
| US10/030,682 US7018598B2 (en) | 2000-05-12 | 2001-05-11 | Process for producing nitrogen trifluoride |
| KR10-2002-7000451A KR100457977B1 (ko) | 2000-05-12 | 2001-05-11 | 삼불화질소의 제조 방법 및 그 용도 |
| AU56710/01A AU5671001A (en) | 2000-05-12 | 2001-05-11 | Process for producing nitrogen trifluoride and use thereof |
| TW090111505A TW583137B (en) | 2000-05-12 | 2001-05-11 | Process for producing nitrogen trifluoride and use thereof |
| PCT/JP2001/003963 WO2001085603A2 (en) | 2000-05-12 | 2001-05-11 | Process for producing nitrogen trifluoride and use thereof |
| CNB018012310A CN1213943C (zh) | 2000-05-12 | 2001-05-11 | 生产三氟化氮的方法及其应用 |
| RU2002103372/12A RU2221743C2 (ru) | 2000-05-12 | 2001-05-11 | Способ получения трифторида азота и продукты на основе трифторида азота |
| HK03104841.0A HK1052493B (zh) | 2000-05-12 | 2003-07-08 | 生產三氟化氮的方法及其應用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000139846A JP4508356B2 (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | 三フッ化窒素の製造方法及びその用途 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001322806A true JP2001322806A (ja) | 2001-11-20 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4508356B2 (ja) |
| KR (1) | KR100457977B1 (ja) |
| RU (1) | RU2221743C2 (ja) |
| TW (1) | TW583137B (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007023968A1 (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-01 | Showa Denko K. K. | 三フッ化窒素の製造方法および製造装置 |
| JP2007055869A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Showa Denko Kk | 三フッ化窒素の製造方法 |
| JP2007084370A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Showa Denko Kk | 三フッ化窒素の製造方法 |
| JP2007099599A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Showa Denko Kk | 三フッ化窒素の製造方法および製造装置 |
| JP2007099600A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Showa Denko Kk | 三フッ化窒素の製造方法 |
| JP2007119294A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Showa Denko Kk | 三フッ化窒素の製造方法 |
| JP2007119292A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Showa Denko Kk | 三フッ化窒素の製造方法および製造装置 |
| JP2007176769A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Showa Denko Kk | 三フッ化窒素の製造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02255512A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-16 | Asahi Glass Co Ltd | 三フッ化窒素の製造装置 |
| JPH02255513A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-16 | Asahi Glass Co Ltd | 三フッ化窒素の製造方法 |
| JPH05105411A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-04-27 | Onoda Cement Co Ltd | 三フツ化窒素の製造方法 |
| JPH0891812A (ja) * | 1994-09-20 | 1996-04-09 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 三弗化窒素ガスの精製方法 |
| JPH09221307A (ja) * | 1996-01-30 | 1997-08-26 | Air Prod And Chem Inc | 三フッ化窒素の合成方法 |
| JP2000044212A (ja) * | 1998-05-22 | 2000-02-15 | Central Glass Co Ltd | 三フッ化窒素の製造方法 |
-
2000
- 2000-05-12 JP JP2000139846A patent/JP4508356B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-05-11 KR KR10-2002-7000451A patent/KR100457977B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-05-11 RU RU2002103372/12A patent/RU2221743C2/ru active
- 2001-05-11 TW TW090111505A patent/TW583137B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02255512A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-16 | Asahi Glass Co Ltd | 三フッ化窒素の製造装置 |
| JPH02255513A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-16 | Asahi Glass Co Ltd | 三フッ化窒素の製造方法 |
| JPH05105411A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-04-27 | Onoda Cement Co Ltd | 三フツ化窒素の製造方法 |
| JPH0891812A (ja) * | 1994-09-20 | 1996-04-09 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 三弗化窒素ガスの精製方法 |
| JPH09221307A (ja) * | 1996-01-30 | 1997-08-26 | Air Prod And Chem Inc | 三フッ化窒素の合成方法 |
| JP2000044212A (ja) * | 1998-05-22 | 2000-02-15 | Central Glass Co Ltd | 三フッ化窒素の製造方法 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007023968A1 (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-01 | Showa Denko K. K. | 三フッ化窒素の製造方法および製造装置 |
| JP2007055869A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Showa Denko Kk | 三フッ化窒素の製造方法 |
| KR100975490B1 (ko) * | 2005-08-26 | 2010-08-11 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 삼불화질소의 제조 방법 및 제조 장치 |
| US7820127B2 (en) | 2005-08-26 | 2010-10-26 | Showa Denko K.K. | Method and apparatus for producing nitrogen trifluoride |
| JP2007084370A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Showa Denko Kk | 三フッ化窒素の製造方法 |
| JP2007099599A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Showa Denko Kk | 三フッ化窒素の製造方法および製造装置 |
| JP2007099600A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Showa Denko Kk | 三フッ化窒素の製造方法 |
| JP2007119294A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Showa Denko Kk | 三フッ化窒素の製造方法 |
| JP2007119292A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Showa Denko Kk | 三フッ化窒素の製造方法および製造装置 |
| JP4624905B2 (ja) * | 2005-10-27 | 2011-02-02 | 昭和電工株式会社 | 三フッ化窒素の製造方法 |
| JP2007176769A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Showa Denko Kk | 三フッ化窒素の製造方法 |
| JP4624920B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2011-02-02 | 昭和電工株式会社 | 三フッ化窒素の製造方法 |
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| KR20020025192A (ko) | 2002-04-03 |
| RU2221743C2 (ru) | 2004-01-20 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100427 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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