JP4508356B2 - 三フッ化窒素の製造方法及びその用途 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はフッ素ガス(F2)とアンモニアガス(NH3)を気相で直接反応させて三フッ化窒素(以下「NF3」という。)を製造する方法及びその用途に関する。
【0002】
【従来の技術】
NF3は、例えば半導体デバイス製造プロセスにおけるドライエッチング用ガス等に使用され、その製造方法としては、一般に化学法と電解法に大別される。
化学法としては、例えば、
(1)溶融酸性フッ化アンモニウム中にF2ガスとNH3ガスを吹き込む方法(特公昭55−8926号公報)、
(2)固体状の金属フッ化物アンモニウム錯体とF2ガスを反応させる方法(特公昭60−71503号公報)、
(3)F2ガスとNH3ガスを直接反応させる方法(特開平2−255513号公報)、
等が知られている。
【0003】
一方、電解法としては、例えば、溶融酸性フッ化アンモニウムを電解液として、(4)黒鉛(グラファイト)を陽極として電解する方法、
(5)ニッケルを陽極として電解する方法
等が知られている。
また、Ruffらは、F2とNH3を気相状で反応させて、5%以下の収率ではあるが化学法によりNF3を合成し(Z.anorg.allg.Chem.197,395(1931))、Morrowらも同様に気相でNF3を合成したことを報告している(J,Amer.Chem.Soc.82.5301(1960))。
【0004】
しかしながら、従来のF2ガスを使用して反応基質であるNH3からNF3を合成する直接フッ素化法は、極めて反応性に富むF2ガスを用いるため、基質とF2ガスとの爆発や腐食の危険があり、さらにこれらの反応は反応熱が大きく、反応器内の温度が上昇し生成したNF3の分解や副反応によるN2、HF、NH4Fが生成して収率が低下する等の問題があった。また、特開平2−255513号公報に記載された方法は、反応器温度を80〜250℃の温度に維持された熱媒内で、NH3に対してF2ガスを3〜20倍用いてNF3を製造する方法であり、F2基準での収率が悪く経済的ではないという問題がある。
【0005】
F2ガスを使用する直接フッ素化法は、基質中の水素1個をフッ素1個に置換するには、約−110kcal/molの反応熱が発生する。従ってF2とNH3を反応させてNF3を製造する場合は、水素とフッ素の置換で約−330kcal/molの反応熱が発生し、この発熱によるN−F結合の切断や爆発等が起こりやすく、さらに収率の低下をもたらし、製造上の問題となる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような背景の下になされたものであって、本発明は基質(NH3)とF2ガスを反応させてNF3を製造する直接フッ素化法において、工業的に安全かつ効率よく経済的にNF3を製造することができる製造方法を提供することを課題とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記の課題を解決すべく鋭意検討した結果、F2ガスとNH3ガスとを反応させてNF3を製造する方法において、希釈ガスの存在下、80℃以下で反応を行えば収率よくNF3を製造できることを見出し本発明を完成するに至った。本発明は以下の(1)〜(13)に示されるNF3の製造方法及びその用途である。
【0008】
(1)フッ素ガスとアンモニアガスを気相で反応させて三フッ化窒素を製造する方法において、希釈ガスの存在下、80℃以下で反応を行うことを特徴とする三フッ化窒素の製造方法。
(2)反応温度が50℃以下である上記(1)に記載の三フッ化窒素の製造方法。
(3)フッ素ガスとアンモニアガスの供給濃度が、モル比で1:1〜1:2である上記(1)または(2)に記載の三フッ化窒素の製造方法。
(4)フッ素ガス及び/またはアンモニアガスを分割供給する上記(1)〜(3)のいずれかに記載の三フッ化窒素の製造方法。
(5)フッ素ガスの供給濃度が3モル%以下である上記(1)〜(4)のいずれかに記載の三フッ化窒素の製造方法。
(6)アンモニアガスの供給濃度が6モル%以下である上記(1)〜(5)のいずれかに記載の三フッ化窒素の製造方法。
【0009】
(7)希釈ガスが、窒素、ヘリウム、アルゴン、ヘキサフルオロエタン及びオクタフルオロプロパンからなる群から選ばれる少なくとも一種である上記(1)〜(6)のいずれかに記載の三フッ化窒素の製造方法。
(8)希釈ガスを循環使用する上記(1)〜(7)のいずれかに記載の三フッ化窒素の製造方法。
(9)未反応フッ素ガスを処理する工程を含み、該工程が未反応フッ素ガスをアルカリ水溶液及び/またはアルミナで処理するものである上記(1)〜(8)のいずれかに記載の三フッ化窒素の製造方法。
(10)前記処理工程を80℃以下で行う上記(9)に記載の三フッ化窒素の製造方法。
(11)上記(1)〜(10)のいずれかに記載の製造方法により得られる三フッ化窒素を含むことを特徴とする三フッ化窒素製品。
(12)上記(11)に記載の三フッ化窒素製品を含有するエッチングガス。
(13)上記(11)に記載の三フッ化窒素製品を含有するクリーニングガス。
【0010】
すなわち、本発明は「フッ素ガスとアンモニアガスを気相で反応させて三フッ化窒素を製造する方法において、希釈ガスの存在下、80℃以下で反応を行うことを特徴とする三フッ化窒素の製造方法」、「前記製造方法により得られる三フッ化窒素を含むことを特徴とする三フッ化窒素製品」及び「前記三フッ化窒素製品を含有するエッチングガス及びクリーニングガス」である。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳しく説明する。
本発明は、F2ガスとNH3ガスとを、希釈ガスの存在下、気相で80℃以下で直接(無触媒)反応させてNF3を製造する方法であり、従来の直接フッ素化反応の問題や課題を克服し、工業的に安全かつ効率よく、また経済的にNF3を製造することができる。
【0012】
前述のように、F2ガスを使用する直接フッ素化法は、基質中の水素1個をフッ素1個に置換する場合、約−110kcal/molの大きな反応熱が発生する。
F2ガスとNH3ガスを反応させてNF3を製造する場合は、水素とフッ素の置換だけで約−330kcal/molの反応熱が発生し、局部温度が高くなることが多い。温度が高い場合は目的の反応(下記式1)以外に副反応(下記式2)が支配的に起こる。
4NH3+3F2 → NF3+3NH4F (式1)
2NH3+3F2 → N2+6HF (式2)
【0013】
このため、副反応(式2)を制御して、目的の反応(式1)を選択的に進める必要がある。この課題に対して、本発明者等は鋭意検討を重ねた結果、反応温度が副反応と蜜接に関連していることを見出した。反応温度が80℃以上、例えば110℃では副反応(式2)が支配的に進行し、生成物は窒素とフッ化水素のみであり、目的物のNF3は殆ど生成しないが、反応温度を80℃以下にすると目的の反応(式1)が選択的に進行する。すなわち、本発明の反応温度は80℃以下であり、好ましくは50℃以下がよい。また、さらに冷却するとより選択的に目的の反応(式1)が進行するが、反応温度が低すぎると反応速度が下がりすぎ、場合によっては希釈ガスが凝縮する可能性もある。従って下限温度は−30℃以上が適当である。
【0014】
冷却方法としては、例えばジャケット式やコイル式等を用いて循環させる方法が好ましい。また、場合によっては反応器内の温度を均一にするため、例えば攪拌等を行ってもよく、大きな反応熱を除去し、局部温度の上昇を防止することが好ましい。
また、反応熱による局部温度の上昇を制御するため、原料のF2、NH3濃度が薄い場合はそれぞれ一括で供給してもよいが、濃度が高い場合は分割供給することが局部温度の上昇を制御するうえで好ましい。原料のF2ガスとNH3ガスを分割供給する方法は、例えば第1の原料ガス供給口からF2ガスとNH3ガスを流しておき、第2のガス供給口からNH3ガスを流す方法を用いることができる。このように分割供給することで、反応温度の局部上昇をさらに効果的に制御することが可能となる。
【0015】
F2ガスを用いる直接フッ素化反応は前記の如く反応に伴う発熱が大きく、この発熱を抑える方法として、F2ガスを不活性ガスで希釈する方法あるいは基質のNH3ガスを不活性ガスで希釈する方法等が用いられる。希釈ガスとしては、窒素、ヘリウム、アルゴン、ヘキサフルオロエタン及びオクタフルオロプロパンからなる群から選ばれる少なくとも一種の不活性ガスがよい。好ましくは目的物のNF3(沸点:−120℃)とこれらの不活性ガスとの蒸留工程での分離・精製操作等を考慮し、NF3と比較して高沸点であるヘキサフルオロエタン(沸点:−78.1℃)とオクタフルオロプロパン(沸点:−36.7℃)が分離コスト面から有利であり、さらに好ましくはオクタフルオロプロパンがよい。
【0016】
F2ガス及びNH3ガスは反応器に導入する前にいずれか一方またはどちらも希釈ガスで希釈された後、反応器へ導入することが好ましく、安全性を考慮すればF2ガスもNH3ガスも共に希釈ガスで低濃度とすることが好ましい。また、希釈ガスは生成したNF3と分離された後に回収して循環使用されることが好ましい。希釈ガスの回収方法は蒸留分離による方法が一般的に用いられるが、例えば希釈ガスとしてオクタフルオロプロパンを用いた場合には、目的物のNF3を低沸分として蒸留塔のトップから抜き出し、希釈ガスのオクタフルオロプロパンは蒸留塔のボトムから抜き出されて、反応系で循環使用される。
【0017】
本反応を実施するに際し、原料であるF2ガスとNH3ガスを供給する際の両者の濃度はモル比で1:1〜1:2の範囲が好ましい。また、前述のように原料を分割供給する場合であっても、反応全体で使用するF2ガスとNH3ガスの比はこの範囲を超えないことが好ましい。NH3ガスのF2ガスに対するモル比が2倍モル以上では未反応アンモニアガスの回収のための設備等が必要で経済的でない。また、1倍モル以下では未反応フッ素ガスが大量にでるため、安全上あるいは経済的に好ましくない。
【0018】
また、F2ガスの供給濃度は3モル%以下が好ましく、NH3ガスの供給濃度は6モル%以下が好ましい。従って、供給された反応器入り口のガス組成は反応の基質(F2+NH3)が9モル%以下で、希釈ガスが91モル%以上であることが好ましい。前述のようにF2ガスを使用する直接フッ素化法は、極めて反応性に富むF2ガスを用いるため、水素を含有するNH3は、フッ素にさらされると燃焼あるいは爆発する危険がある。このため、NH3ガスとF2ガスの爆発防止が本発明の重要なポイントである。本発明者等がNH3ガスとF2ガスとの爆発範囲を検討したところ、NH3の爆発範囲の下限値が6モル%以下であることが判明し本反応の安全な範囲が設定できる。また、F2ガス及び/またはNH3ガスを2箇所以上のガス導入口から反応器に分割供給することにより、反応器内のガス濃度をより安全な範囲に調整することが可能となる。
【0019】
未反応F2ガスは、蒸留工程での濃縮等の際に安全上の問題があり、極力除去しなければならない。従って、本発明のNF3の製造方法は未反応F2ガスを処理する工程を含むものである。F2ガスの除去方法としては、アルカリ水溶液と接触する方法、例えばKOH水溶液等と接触する方法、またはアルミナと接触させて除去する方法が好ましい。処理温度は80℃以下が好ましく、80℃以上では目的物のNF3が一部分解するため好ましくない。
【0020】
また、F2ガスとNH3ガスの直接フッ素化反応によるNF3の製造工程では、前記(式1)で示したように副生物としてNH4Fが生成する。このため、反応の形式としては、例えば反応器2基を用いて切り替え方式で副生成物のNH4Fを回収し、再利用することが望ましい。
【0021】
また、本発明の製造方法により得られるNF3は、半導体デバイス製造工程の中のエッチング工程におけるエッチングガスとして用いることができる。また、半導体デバイス製造工程の中のクリーニング工程におけるクリーニングガスとしても用いることができる。LSIやTFTなどの半導体デバイスの製造プロセスでは、CVD法、スパッタリング法あるいは蒸着法などを用いて薄膜や厚膜を形成し、回路パターンを形成するためにエッチングを行う。また、薄膜や厚膜を形成する装置においては、装置内壁、冶具等に堆積した不要な堆積物を除去するためのクリーニングが行われる。これは不要な堆積物が生成するとパーティクル発生の原因となるためであり、良質な膜を製造するために随時除去する必要がある。
【0022】
ここで、NF3を用いるエッチング方法は、プラズマエッチング、マイクロ波エッチング等の各種ドライエッチング条件で行うことができ、NF3とHe、N2、Arなどの不活性ガスあるいはHCl、O2、H2などのガスと適切な割合で混合して使用してもよい。
【0023】
【実施例】
以下、実施例及び比較例により本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
内径約40mmΦ、長さ500mmのインコネル600型反応器(ジャケット式で冷媒循環冷却方式、反応器はF2ガスで温度400℃で不動態化処理を実施済)を使用し、アルゴンガスを29.58NL/hr(NH3供給ライン及びF2供給ラインより等量ずつ)供給しながら温度を5℃に設定し、次いでNH3ガス0.701NL/hr及びF2ガス0.526NL/hrを供給し反応を行った。反応器入り口のNH3濃度は、2.28モル%、F2濃度は1.71モル%であった。反応開始2時間後、ヨウ化カリウム水溶液で反応生成ガス中のフッ化水素及び未反応フッ素ガス濃度を測定し、ガスクロマトグラフィーにより組成分析を行ったところ、分析値は表1に示すとおりであり、F2基準でのNF3の収率は、約69%であった。表中のNDは未検出であったことを示す。
【0024】
【表1】
【0025】
(実施例2)
内径40mmΦ、長さ500mmのインコネル600型反応器(電気ヒーター加熱方式、反応器はF2ガスで温度400℃で不動態化処理)を用いて、反応温度を70℃とした以外は実施例1と同様な条件、操作で反応、分析を行った。分析結果は表2に示すとおりであり、F2基準でのNF3の収率は、約42%であった。
【0026】
【表2】
【0027】
(比較例1)
実施例2と同様な反応器を用いて、反応温度を150℃とした以外は実施例1と同様な条件、操作で反応、分析を行った。分析結果は表3に示すとおりであり、反応温度が80℃以上の高温ではNF3は全く生成せず、前記(式2)の反応のみが進行することが分かった。
【0028】
【表3】
【0029】
(実施例3)
内径40mmΦ、長さ500mmのインコネル600型反応器(ジャケット式で冷媒循環冷却方式)を反応器として用い、NH3の供給を2分割方式とし、反応器の入り口部及び中央部の2カ所より供給した以外は、実施例1と同様な条件、操作で反応、分析を行った。分析結果は表4に示すとおりであり、F2基準でのNF3の収率は、約76%であった。
【0030】
【表4】
【0031】
(比較例2)
NH3ガス0.30NL/hr、F2ガス1.05NL/hr、希釈ガスとしてヘリウムガスを36.7NL/hrとした以外は実施例1と同様な条件、操作で反応、分析を行った。分析結果は表5に示すとおりであり、F2ガス1モルに対してNH3ガスが1倍モル以下では、未反応F2ガスが多量にでて、好ましくないことが分かった。
【0032】
【表5】
【0033】
(比較例3)
NH3ガス1.58NL/hr、F2ガス0.526NL/hr、希釈ガスしてヘリウムガスを36.7NL/hrとした以外は実施例1と同様な条件、操作で反応、分析を行った。分析結果は表6に示すとおりであり、F2ガス1モルに対してNH3ガスが2倍モル以上では、未反応NH3が多量にでて、好ましくないことが分かった。
【0034】
【表6】
【0035】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば従来収率よく製造することが困難であったNF3を、希釈ガスの存在下、F2ガスとNH3ガスを気相で80℃以下で反応させて製造することができる。また、本発明の方法で製造されたNF3はエッチングガスあるいはクリーニングガスとして用いることができる。
Claims (8)
- フッ素ガスとアンモニアガスを気相で反応させて三フッ化窒素を製造する方法において、希釈ガスの存在下、50℃以下で、第1の原料ガス供給口からフッ素ガスとアンモニアガスを供給し、第2のガス供給口からアンモニアガスを分割供給して反応を行うことを特徴とする三フッ化窒素の製造方法。
- フッ素ガスとアンモニアガスの供給濃度が、モル比で1:1〜1:2である請求項1に記載の三フッ化窒素の製造方法。
- フッ素ガスの供給濃度が3モル%以下である請求項1または2に記載の三フッ化窒素の製造方法。
- アンモニアガスの供給濃度が6モル%以下である請求項1〜3のいずれかに記載の三フッ化窒素の製造方法。
- 希釈ガスが、窒素、ヘリウム、アルゴン、ヘキサフルオロエタン及びオクタフルオロプロパンからなる群から選ばれる少なくとも一種である請求項1〜4のいずれかに記載の三フッ化窒素の製造方法。
- 希釈ガスを循環使用する請求項1〜5のいずれかに記載の三フッ化窒素の製造方法。
- 未反応フッ素ガスを処理する工程を含み、該工程が未反応フッ素ガスをアルカリ水溶液及び/またはアルミナで処理するものである請求項1〜6のいずれかに記載の三フッ化窒素の製造方法。
- 前記処理工程を80℃以下で行う請求項7に記載の三フッ化窒素の製造方法。
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