JP2000044212A - 三フッ化窒素の製造方法 - Google Patents
三フッ化窒素の製造方法Info
- Publication number
- JP2000044212A JP2000044212A JP11030333A JP3033399A JP2000044212A JP 2000044212 A JP2000044212 A JP 2000044212A JP 11030333 A JP11030333 A JP 11030333A JP 3033399 A JP3033399 A JP 3033399A JP 2000044212 A JP2000044212 A JP 2000044212A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- reactor
- particles
- packed bed
- nitrogen trifluoride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/082—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals
- C01B21/083—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals containing one or more halogen atoms
- C01B21/0832—Binary compounds of nitrogen with halogens
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ドライエッチングガスやクリーニングガスと
して有用な三フッ化窒素（ＮＦ3）の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 金属フッ化物のアンモニウム錯体からな
る粒子を充填した縦型反応器にフッ素を含有するガスを
下部から導入し、該粒子と反応させる。さらには、該反
応器から排出するガスの一部を循環して再び反応器の下
部から導入する。
して有用な三フッ化窒素（ＮＦ3）の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 金属フッ化物のアンモニウム錯体からな
る粒子を充填した縦型反応器にフッ素を含有するガスを
下部から導入し、該粒子と反応させる。さらには、該反
応器から排出するガスの一部を循環して再び反応器の下
部から導入する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ドライエッチング
ガスやクリーニングガスとして有用な三フッ化窒素の製
造方法に関する。
ガスやクリーニングガスとして有用な三フッ化窒素の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】三フッ化窒素（ＮＦ3）は、通常無色のガ
スであり、その沸点は約−１２９℃である。ＮＦ3は、
従来、例えば高エネルギー燃料の酸化剤、あるいはフル
オロオレフィンの調製におけるフッ素源として用いられ
てきたが、近年は半導体製造工程において残査を残さな
いドライエッチングガスとして、また、ＣＶＤ（化学気
相成長法）装置のクリーニングガスとしての有用性が注
目されている。
スであり、その沸点は約−１２９℃である。ＮＦ3は、
従来、例えば高エネルギー燃料の酸化剤、あるいはフル
オロオレフィンの調製におけるフッ素源として用いられ
てきたが、近年は半導体製造工程において残査を残さな
いドライエッチングガスとして、また、ＣＶＤ（化学気
相成長法）装置のクリーニングガスとしての有用性が注
目されている。
【０００３】また、ＮＦ3の製造方法としては、従来よ
り種々提案されている。例えば、米国特許第３３０４２
４８号明細書には、気体窒素を１０００℃を超える温度
でプラズマアーク中を通過させ、また、フッ素（Ｆ2）
ガスを陽極にできる限り近いポストアーク域に導入する
ことによりＮＦ3を得る方法が開示されている。このほ
かの気相反応法としては、アゾ化水素酸ガスと二フッ化
酸素との反応、アンモニアの直接フッ素化反応等が知ら
れている。
り種々提案されている。例えば、米国特許第３３０４２
４８号明細書には、気体窒素を１０００℃を超える温度
でプラズマアーク中を通過させ、また、フッ素（Ｆ2）
ガスを陽極にできる限り近いポストアーク域に導入する
ことによりＮＦ3を得る方法が開示されている。このほ
かの気相反応法としては、アゾ化水素酸ガスと二フッ化
酸素との反応、アンモニアの直接フッ素化反応等が知ら
れている。
【０００４】さらに、特公昭５５−８９２６号公報に
は、アンモニア酸フッ化物を溶融状態にて、Ｆ2ガスと
反応させる方法が開示されている。また、アンモニウム
酸フッ化物の溶融塩電解も知られている。
は、アンモニア酸フッ化物を溶融状態にて、Ｆ2ガスと
反応させる方法が開示されている。また、アンモニウム
酸フッ化物の溶融塩電解も知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、気相
反応法の場合は、反応が激しすぎるために反応制御が非
常に困難で、ＮＦ3の収率が低いという欠点を持ってい
る。
反応法の場合は、反応が激しすぎるために反応制御が非
常に困難で、ＮＦ3の収率が低いという欠点を持ってい
る。
【０００６】また、アンモニア酸フッ化物を溶融状態に
てＦ2ガスと反応させる方法も溶融塩中での気液反応で
あるため反応制御が困難であり、さらには装置の腐食が
激しく、装置の詰まりが不可避的に生じる等、実用的に
は問題が多い。
てＦ2ガスと反応させる方法も溶融塩中での気液反応で
あるため反応制御が困難であり、さらには装置の腐食が
激しく、装置の詰まりが不可避的に生じる等、実用的に
は問題が多い。
【０００７】さらに、アンモニウム酸フッ化物の溶融塩
電解法においては、酸性フッ化アンモニウムまたはフッ
化アンモニウムとフッ化水素を原料とするＮＨ4Ｆ・Ｈ
Ｆ系やこれに更に酸性フッ化カリウムまたはフッ化カリ
ウムを加えたＫＦ・ＮＨ4Ｆ・ＨＦ系で溶融塩電解を行
い、ＮＦ3を製造するものであるが、いずれの場合も電
解槽の陽極からはＮＦ3ガスが発生し、陰極からはＨ2ガ
スが発生する。このＮＦ3ガスとＨ2ガスは混合すると爆
発を引き起こす。従って、その操業方法には種々の工夫
が必要である。
電解法においては、酸性フッ化アンモニウムまたはフッ
化アンモニウムとフッ化水素を原料とするＮＨ4Ｆ・Ｈ
Ｆ系やこれに更に酸性フッ化カリウムまたはフッ化カリ
ウムを加えたＫＦ・ＮＨ4Ｆ・ＨＦ系で溶融塩電解を行
い、ＮＦ3を製造するものであるが、いずれの場合も電
解槽の陽極からはＮＦ3ガスが発生し、陰極からはＨ2ガ
スが発生する。このＮＦ3ガスとＨ2ガスは混合すると爆
発を引き起こす。従って、その操業方法には種々の工夫
が必要である。
【０００８】本出願人は、固体状の金属フッ化物のアン
モニウム錯体とＦ2ガスとを反応させて従来の方法より
高い収率でＮＦ3を製造できるうえに、反応の制御も極
めて容易である方法の発明において既に特許出願してい
る（米国特許第４５４３２４２号明細書、特開昭６０−
７１５０３号公報等）。
モニウム錯体とＦ2ガスとを反応させて従来の方法より
高い収率でＮＦ3を製造できるうえに、反応の制御も極
めて容易である方法の発明において既に特許出願してい
る（米国特許第４５４３２４２号明細書、特開昭６０−
７１５０３号公報等）。
【０００９】通常、ＮＦ3の製造においては、Ｆ2、Ｈ
Ｆ、Ｎ2Ｏ等の不純物ガスを中和処理や吸着処理などの
操作によって除去した後、液体窒素を使用してＮＦ3を
凝縮、液化させ、脱気処理によって窒素などの不活性ガ
スを除去している。
Ｆ、Ｎ2Ｏ等の不純物ガスを中和処理や吸着処理などの
操作によって除去した後、液体窒素を使用してＮＦ3を
凝縮、液化させ、脱気処理によって窒素などの不活性ガ
スを除去している。
【００１０】しかしながら、Ｆ2、ＨＦ、Ｎ2Ｏ等の不純
物ガスを除去した後のガス中のＮＦ 3濃度が低いと、凝
縮、液化後の脱気処理の時に、窒素などの不活性ガスと
一緒にＮＦ3も系外に出てしまい、ＮＦ3の回収率が悪く
なるという問題がある。
物ガスを除去した後のガス中のＮＦ 3濃度が低いと、凝
縮、液化後の脱気処理の時に、窒素などの不活性ガスと
一緒にＮＦ3も系外に出てしまい、ＮＦ3の回収率が悪く
なるという問題がある。
【００１１】
【問題点を解決するための具体的手段】本発明者らは、
その後も上記問題に対し鋭意検討を進めたところ、従来
の方法より更に高い収率でＮＦ3を製造できる方法を見
出し、本発明に到達した。
その後も上記問題に対し鋭意検討を進めたところ、従来
の方法より更に高い収率でＮＦ3を製造できる方法を見
出し、本発明に到達した。
【００１２】すなわち本発明は、金属フッ化物のアンモ
ニウム錯体からなる粒子を充填した縦型反応器にフッ素
を含有するガスを下部から導入し、該粒子と反応させ、
生成ガスから三フッ化窒素を分離することを特徴とする
三フッ化窒素の製造方法で、該反応器から排出するガス
の一部を循環して再び反応器の下部から導入することを
特徴とする三フッ化窒素の製造方法を提供するものであ
る。
ニウム錯体からなる粒子を充填した縦型反応器にフッ素
を含有するガスを下部から導入し、該粒子と反応させ、
生成ガスから三フッ化窒素を分離することを特徴とする
三フッ化窒素の製造方法で、該反応器から排出するガス
の一部を循環して再び反応器の下部から導入することを
特徴とする三フッ化窒素の製造方法を提供するものであ
る。
【００１３】本発明において、充填層内の粒子を撹拌さ
せながら反応させることが、より好ましい。また、金属
フッ化物のアンモニウム錯体からなる粒子を充填層内に
連続的に供給すると同時に、充填層の高さが一定になる
よう充填層から粒子を連続的に排出させながら、Ｆ2を
含有するガスを導入し、反応させることにより、生産性
に優れるＮＦ3の連続式製造方法を提供することもでき
る。
せながら反応させることが、より好ましい。また、金属
フッ化物のアンモニウム錯体からなる粒子を充填層内に
連続的に供給すると同時に、充填層の高さが一定になる
よう充填層から粒子を連続的に排出させながら、Ｆ2を
含有するガスを導入し、反応させることにより、生産性
に優れるＮＦ3の連続式製造方法を提供することもでき
る。
【００１４】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１５】本発明は、金属フッ化物のアンモニウム錯
体からなる粒子を充填した縦型反応器にＦ2を含有する
ガスを下部から導入し、反応させることにより、本出願
人が既に特許出願した方法より、更に高い収率でＮＦ3
を製造できるものである。反応器の形式が充填層タイプ
であるため、粒子とＦ2ガスとの接触が増大し、このこ
とが、ＮＦ3の収率を向上させるものと推察される。
体からなる粒子を充填した縦型反応器にＦ2を含有する
ガスを下部から導入し、反応させることにより、本出願
人が既に特許出願した方法より、更に高い収率でＮＦ3
を製造できるものである。反応器の形式が充填層タイプ
であるため、粒子とＦ2ガスとの接触が増大し、このこ
とが、ＮＦ3の収率を向上させるものと推察される。
【００１６】また、反応器から排出するガスの一部を循
環して再び反応器の下部から導入することにより、
Ｆ2、ＨＦ、Ｎ2Ｏ等の不純物ガスを除去した後のガス中
のＮＦ3濃度を大幅に高くでき、そのため、凝縮、液化
後の脱気処理の時に、窒素などの不活性ガスと一緒に系
外に出ていくＮＦ3が少なくなり、その結果、ＮＦ3の回
収率を大幅に向上させることができる。
環して再び反応器の下部から導入することにより、
Ｆ2、ＨＦ、Ｎ2Ｏ等の不純物ガスを除去した後のガス中
のＮＦ3濃度を大幅に高くでき、そのため、凝縮、液化
後の脱気処理の時に、窒素などの不活性ガスと一緒に系
外に出ていくＮＦ3が少なくなり、その結果、ＮＦ3の回
収率を大幅に向上させることができる。
【００１７】反応器から排出するガスの一部を循環させ
る方法としては、種々あるが、圧縮ポンプやブロワーを
使用する方法が簡便かつ一般的であり望ましい。また、
フッ素ガスの導入位置は、反応器から排出するガスの一
部を循環させるので、反応器の下部、上部あるいは循環
ガス配管等どこでも良く特に限定されない。フッ素ガス
は窒素などの不活性ガスで希釈して導入しても良いが、
希釈せずに導入した方が、ＮＦ3濃度をより高くできる
ので望ましい。
る方法としては、種々あるが、圧縮ポンプやブロワーを
使用する方法が簡便かつ一般的であり望ましい。また、
フッ素ガスの導入位置は、反応器から排出するガスの一
部を循環させるので、反応器の下部、上部あるいは循環
ガス配管等どこでも良く特に限定されない。フッ素ガス
は窒素などの不活性ガスで希釈して導入しても良いが、
希釈せずに導入した方が、ＮＦ3濃度をより高くできる
ので望ましい。
【００１８】反応器の形式が充填層タイプであるため、
粒子とフッ素ガスとの接触が大きくその結果、ＮＦ3が
高い収率で得られることも大きな特徴である。
粒子とフッ素ガスとの接触が大きくその結果、ＮＦ3が
高い収率で得られることも大きな特徴である。
【００１９】従って、充填層内の粒子を撹拌させながら
反応させると、上記した粒子とＦ2ガスとの接触がより
増大し、その結果、ＮＦ3の収率がさらに向上するもの
である。
反応させると、上記した粒子とＦ2ガスとの接触がより
増大し、その結果、ＮＦ3の収率がさらに向上するもの
である。
【００２０】粒子を撹拌させる方法としては、種々ある
が、撹拌羽根を使用する方法が簡便かつ一般的であり望
ましい。撹拌羽根の形状としては、バドル(平)型、ター
ビン型、スクリュー型、リボン型等を挙げることができ
るが特に限定されるものではない。
が、撹拌羽根を使用する方法が簡便かつ一般的であり望
ましい。撹拌羽根の形状としては、バドル(平)型、ター
ビン型、スクリュー型、リボン型等を挙げることができ
るが特に限定されるものではない。
【００２１】本発明において、金属フッ化物のアンモニ
ウム錯体からなる粒子を充填層内に連続的に供給すると
同時に、充填層の高さが一定になるよう充填層から粒子
を連続的に排出させながら、Ｆ2を含有するガスを導入
し、反応させることにより、ＮＦ3の連続式製造方法を
提供できることは大きな特徴である。反応器の形式が充
填層タイプであるため、粒子の連続供給ならびに連続排
出が容易に実現できることも大きなメリットである。
ウム錯体からなる粒子を充填層内に連続的に供給すると
同時に、充填層の高さが一定になるよう充填層から粒子
を連続的に排出させながら、Ｆ2を含有するガスを導入
し、反応させることにより、ＮＦ3の連続式製造方法を
提供できることは大きな特徴である。反応器の形式が充
填層タイプであるため、粒子の連続供給ならびに連続排
出が容易に実現できることも大きなメリットである。
【００２２】粒子を供給する方法としては、スクリュー
コンベアーを用いる方法など、種々挙げることができる
が特に限定されるものではない。反応器の形式が充填層
タイプであるため、粒子を撹拌させる場合や導入ガス量
が多い場合などは、粒子を充填したパイプを層内に挿入
するだけでも、容易に粒子を供給することができる。
コンベアーを用いる方法など、種々挙げることができる
が特に限定されるものではない。反応器の形式が充填層
タイプであるため、粒子を撹拌させる場合や導入ガス量
が多い場合などは、粒子を充填したパイプを層内に挿入
するだけでも、容易に粒子を供給することができる。
【００２３】粒子を排出する方法としては、スクリュー
コンベアーを用いる方法など、種々挙げることができる
が特に限定されるものではない。反応器の形式が充填層
タイプであるため、オーバーフロー方式によっても粒子
を排出させることができる。オーバーフロー方式で粒子
を排出させる方法は、複雑な設備を必要としないにも関
わらず、極めて容易に充填層の高さを一定に維持できる
ので、特に好ましい。
コンベアーを用いる方法など、種々挙げることができる
が特に限定されるものではない。反応器の形式が充填層
タイプであるため、オーバーフロー方式によっても粒子
を排出させることができる。オーバーフロー方式で粒子
を排出させる方法は、複雑な設備を必要としないにも関
わらず、極めて容易に充填層の高さを一定に維持できる
ので、特に好ましい。
【００２４】本発明に使用される金属フッ化物のアンモ
ニウム錯体としては、(ＮＨ4)3ＡｌＦ6、(ＮＨ4)3Ｆｅ
Ｆ6、(ＮＨ4)2ＴｉＦ6、(ＮＨ4)3ＶＦ6、(ＮＨ4)3Ｃｒ
Ｆ6、(ＮＨ4)3ＭｎＦ6、(ＮＨ4)3ＮｉＦ6、(ＮＨ4)3Ｃ
ｏＦ6、(ＮＨ4)3ＣｕＦ6、(ＮＨ 4)2ＺｒＦ6、ＮＨ4Ｎｂ
Ｆ6、ＮＨ4ＷＦ7、(ＮＨ4)2ＳｉＦ6、(ＮＨ4)2Ｓｎ
Ｆ6、(ＮＨ4)2ＰｂＦ6、(ＮＨ4)2ＳｂＦ6、(ＮＨ4)2Ｇ
ｅＦ6、(ＮＨ4)2ＮａＡｌＦ6、(ＮＨ4)2ＮａＦｅＦ6、
(ＮＨ4)2ＫＡｌＦ6、(ＮＨ4)2ＫＦｅＦ6、ＮＨ4ＮａＳ
ｉＦ6、ＮＨ4ＫＳｉＦ6を挙げることができるが、この
中でも、(ＮＨ4)3ＡｌＦ6、(ＮＨ4)2ＮａＡｌＦ6、(Ｎ
Ｈ4)3ＦｅＦ6は、入手が容易で、より高い収率でＮＦ 3
が製造でき、反応の制御が容易等の理由から特に望まし
い。
ニウム錯体としては、(ＮＨ4)3ＡｌＦ6、(ＮＨ4)3Ｆｅ
Ｆ6、(ＮＨ4)2ＴｉＦ6、(ＮＨ4)3ＶＦ6、(ＮＨ4)3Ｃｒ
Ｆ6、(ＮＨ4)3ＭｎＦ6、(ＮＨ4)3ＮｉＦ6、(ＮＨ4)3Ｃ
ｏＦ6、(ＮＨ4)3ＣｕＦ6、(ＮＨ 4)2ＺｒＦ6、ＮＨ4Ｎｂ
Ｆ6、ＮＨ4ＷＦ7、(ＮＨ4)2ＳｉＦ6、(ＮＨ4)2Ｓｎ
Ｆ6、(ＮＨ4)2ＰｂＦ6、(ＮＨ4)2ＳｂＦ6、(ＮＨ4)2Ｇ
ｅＦ6、(ＮＨ4)2ＮａＡｌＦ6、(ＮＨ4)2ＮａＦｅＦ6、
(ＮＨ4)2ＫＡｌＦ6、(ＮＨ4)2ＫＦｅＦ6、ＮＨ4ＮａＳ
ｉＦ6、ＮＨ4ＫＳｉＦ6を挙げることができるが、この
中でも、(ＮＨ4)3ＡｌＦ6、(ＮＨ4)2ＮａＡｌＦ6、(Ｎ
Ｈ4)3ＦｅＦ6は、入手が容易で、より高い収率でＮＦ 3
が製造でき、反応の制御が容易等の理由から特に望まし
い。
【００２５】本発明において、反応中の充填層の温度
は、１０〜２５０℃の範囲が好ましく、最適には、５０
〜２００℃が望ましい。充填層の温度が２５０℃を超え
ると、ＮＦ3の収率が低下するようになり、また、反応
が暴走しやすくなる等不都合が生じる。一方、充填層の
温度が１０℃未満になると、反応が進行しにくくなり、
その結果、ＮＦ3の収率が低下するようになり好ましく
ない。
は、１０〜２５０℃の範囲が好ましく、最適には、５０
〜２００℃が望ましい。充填層の温度が２５０℃を超え
ると、ＮＦ3の収率が低下するようになり、また、反応
が暴走しやすくなる等不都合が生じる。一方、充填層の
温度が１０℃未満になると、反応が進行しにくくなり、
その結果、ＮＦ3の収率が低下するようになり好ましく
ない。
【００２６】また、反応器下部から導入するガス中のＦ
2ガスの濃度は、５ｖｏｌ％以下であることが好まし
い。５ｖｏｌ％より多くなると、発生する反応熱が大き
くなり、その結果、反応中の充填層温度を上述した１０
〜２５０℃の範囲に保持するのが難しくなる。下限につ
いては特に制限はないが、生産性を考慮すると０．５ｖ
ｏｌ％以上が望ましい。導入ガス中のＦ2ガスの濃度を
５ｖｏｌ％以下にするために使用する希釈ガスは、反応
に影響を与えないものであれば特に限定されないが、Ｎ
2、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを使用するのが一般的で
ある。また、反応器から排出するガスの一部を循環する
場合には、Ｎ2、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを特に使用
しなくても、循環ガスによって導入ガス中のＦ2ガスの
濃度を５ｖｏｌ％以下にすることもできる。
2ガスの濃度は、５ｖｏｌ％以下であることが好まし
い。５ｖｏｌ％より多くなると、発生する反応熱が大き
くなり、その結果、反応中の充填層温度を上述した１０
〜２５０℃の範囲に保持するのが難しくなる。下限につ
いては特に制限はないが、生産性を考慮すると０．５ｖ
ｏｌ％以上が望ましい。導入ガス中のＦ2ガスの濃度を
５ｖｏｌ％以下にするために使用する希釈ガスは、反応
に影響を与えないものであれば特に限定されないが、Ｎ
2、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを使用するのが一般的で
ある。また、反応器から排出するガスの一部を循環する
場合には、Ｎ2、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを特に使用
しなくても、循環ガスによって導入ガス中のＦ2ガスの
濃度を５ｖｏｌ％以下にすることもできる。
【００２７】次に、反応器下部から導入するガスが粒子
充填層を通過する時の空塔速度（空塔速度＝Ｑ／Ａ，た
だし、Ｑは２５℃、１ａｔｍで計算した導入ガス流量
値、Ａはガス流れに垂直な粒子充填層の断面積を表す）
は、１ｃｍ／ｓｅｃ以上であることがより好ましい。空
塔速度が１ｃｍ／ｓｅｃ以下であっても特別問題はない
が、空塔速度が１ｃｍ／ｓｅｃ以上であると充填層内の
粒子の流動がより活発化し、その結果、粒子とＦ2ガス
との接触が増大し、ＮＦ3の収率がより向上するので望
ましい。また、空塔速度が１ｃｍ／ｓｅｃ以上であると
充填層内の温度を均一に保持しやすく、反応の制御が更
に容易となるメリットも有する。
充填層を通過する時の空塔速度（空塔速度＝Ｑ／Ａ，た
だし、Ｑは２５℃、１ａｔｍで計算した導入ガス流量
値、Ａはガス流れに垂直な粒子充填層の断面積を表す）
は、１ｃｍ／ｓｅｃ以上であることがより好ましい。空
塔速度が１ｃｍ／ｓｅｃ以下であっても特別問題はない
が、空塔速度が１ｃｍ／ｓｅｃ以上であると充填層内の
粒子の流動がより活発化し、その結果、粒子とＦ2ガス
との接触が増大し、ＮＦ3の収率がより向上するので望
ましい。また、空塔速度が１ｃｍ／ｓｅｃ以上であると
充填層内の温度を均一に保持しやすく、反応の制御が更
に容易となるメリットも有する。
【００２８】本発明で使用する金属フッ化物のアンモニ
ア錯体からなる粒子の平均粒子径は１００μｍ以上が好
ましい。１００μｍ以下であると導入するガスによって
反応器から飛び出す粒子が多くなるからである。飛び出
す粒子が多くなると安定した反応ができないばかりか、
排ガス配管が粒子によって閉塞する等不都合が多く発生
する。
ア錯体からなる粒子の平均粒子径は１００μｍ以上が好
ましい。１００μｍ以下であると導入するガスによって
反応器から飛び出す粒子が多くなるからである。飛び出
す粒子が多くなると安定した反応ができないばかりか、
排ガス配管が粒子によって閉塞する等不都合が多く発生
する。
【００２９】本発明の方法によって得られるＮＦ3に
は、Ｆ2、ＨＦ、Ｎ2Ｏ等のガスを含んでいるが、これら
のガスは既知の方法で除去可能であり、所定の精製処理
を行うことで純度の高いＮＦ3が容易に得られる。
は、Ｆ2、ＨＦ、Ｎ2Ｏ等のガスを含んでいるが、これら
のガスは既知の方法で除去可能であり、所定の精製処理
を行うことで純度の高いＮＦ3が容易に得られる。
【００３０】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳述するが、か
かる実施例に限定されるものではない。
かる実施例に限定されるものではない。
【００３１】実施例１ 図１は、撹拌設備（撹拌羽根：バドル２枚羽根、幅；１
００ｍｍ、高さ；２５ｍｍ）、粉体供給設備、粉体排出
設備、及び循環ブロワーを具備した縦型反応器の概略図
である。ただし、実施例１〜６は、循環ラインを使用し
ない場合の実施例である。
００ｍｍ、高さ；２５ｍｍ）、粉体供給設備、粉体排出
設備、及び循環ブロワーを具備した縦型反応器の概略図
である。ただし、実施例１〜６は、循環ラインを使用し
ない場合の実施例である。
【００３２】図１記載の縦型反応器（内径；１３０ｍ
ｍ、高さ；５００ｍｍ）に(ＮＨ4)3ＡｌＦ6（平均粒子
径；３００μｍ）を３，０００ｇ仕込み、撹拌羽根６を
速度；１００ｒｐｍで回転させながら、Ｎ2雰囲気下で
試料を外部ヒーター１によって１１０℃に昇温した後、
Ｆ2とＮ2の混合ガス（Ｆ2濃度＝２．０ｖｏｌ％）を５
０ＳＬＭ（空塔速度；６．３ｃｍ／ｓｅｃ）の流量で反
応器下部から導入した。Ｆ2とＮ2の混合ガスの導入と同
時に、粉体供給設備（供給粒子受槽２、スクリューコン
ベアー３、モーター４）を使用して(ＮＨ4)3ＡｌＦ6の
粒子を２．０ｇ／ｍｉｎの速度で連続供給した。しばら
くするとオーバーフローした粒子が粉体排出設備（粒子
排出管８、排出粒子受槽９）を介して反応器の外に出て
くるようになった。Ｆ2とＮ2の混合ガスの導入により、
充填層温度が１１０℃から上昇したが１４５℃で一定に
なった。
ｍ、高さ；５００ｍｍ）に(ＮＨ4)3ＡｌＦ6（平均粒子
径；３００μｍ）を３，０００ｇ仕込み、撹拌羽根６を
速度；１００ｒｐｍで回転させながら、Ｎ2雰囲気下で
試料を外部ヒーター１によって１１０℃に昇温した後、
Ｆ2とＮ2の混合ガス（Ｆ2濃度＝２．０ｖｏｌ％）を５
０ＳＬＭ（空塔速度；６．３ｃｍ／ｓｅｃ）の流量で反
応器下部から導入した。Ｆ2とＮ2の混合ガスの導入と同
時に、粉体供給設備（供給粒子受槽２、スクリューコン
ベアー３、モーター４）を使用して(ＮＨ4)3ＡｌＦ6の
粒子を２．０ｇ／ｍｉｎの速度で連続供給した。しばら
くするとオーバーフローした粒子が粉体排出設備（粒子
排出管８、排出粒子受槽９）を介して反応器の外に出て
くるようになった。Ｆ2とＮ2の混合ガスの導入により、
充填層温度が１１０℃から上昇したが１４５℃で一定に
なった。
【００３３】充填層温度が一定になってからしばらく経
過した後、反応器から出てくる生成ガスをガスクロマト
グラフで分析した。ただし、生成ガス中のＨＦは、コー
ルドトラップとＮａＦとの組み合わせにより完全に除去
した。分析の結果、生成ガス中には、ＮＦ3が０．５９
ｖｏｌ％含まれていた。下記の式（１）からＦ2基準の
ＮＦ3収率を求めたところ８７％であった。
過した後、反応器から出てくる生成ガスをガスクロマト
グラフで分析した。ただし、生成ガス中のＨＦは、コー
ルドトラップとＮａＦとの組み合わせにより完全に除去
した。分析の結果、生成ガス中には、ＮＦ3が０．５９
ｖｏｌ％含まれていた。下記の式（１）からＦ2基準の
ＮＦ3収率を求めたところ８７％であった。
【００３４】
【数１】
【００３５】実施例２ 実施例１と同様の縦型反応器に(ＮＨ4)3ＡｌＦ6（平均
粒子径；３００μｍ）を３，０００ｇ仕込み、撹拌羽根
を速度；１００ｒｐｍで回転させながら、Ｎ2雰囲気下
で試料を外部ヒーターによって１１０℃に昇温した後、
Ｆ2とＮ2の混合ガス（Ｆ2濃度＝２．０ｖｏｌ％）を７
０ＳＬＭ（空塔速度；８．８ｃｍ／ｓｅｃ）の流量で反
応器下部から導入した。Ｆ2とＮ2の混合ガスの導入と同
時に、粉体供給設備を使用して(ＮＨ4)3ＡｌＦ6の粒子
を２．５ｇ／ｍｉｎの速度で連続供給した。しばらくす
るとオーバーフローした粒子が粉体排出設備を介して反
応器の外に出てくるようになった。Ｆ2とＮ2の混合ガス
の導入により、充填層温度が１１０℃から上昇したが１
４５℃で一定になった。
粒子径；３００μｍ）を３，０００ｇ仕込み、撹拌羽根
を速度；１００ｒｐｍで回転させながら、Ｎ2雰囲気下
で試料を外部ヒーターによって１１０℃に昇温した後、
Ｆ2とＮ2の混合ガス（Ｆ2濃度＝２．０ｖｏｌ％）を７
０ＳＬＭ（空塔速度；８．８ｃｍ／ｓｅｃ）の流量で反
応器下部から導入した。Ｆ2とＮ2の混合ガスの導入と同
時に、粉体供給設備を使用して(ＮＨ4)3ＡｌＦ6の粒子
を２．５ｇ／ｍｉｎの速度で連続供給した。しばらくす
るとオーバーフローした粒子が粉体排出設備を介して反
応器の外に出てくるようになった。Ｆ2とＮ2の混合ガス
の導入により、充填層温度が１１０℃から上昇したが１
４５℃で一定になった。
【００３６】充填層温度が一定になってからしばらく経
過した後、反応器から出てくる生成ガスをガスクロマト
グラフで分析した。ただし、生成ガス中のＨＦは、コー
ルドトラップとＮａＦとの組み合わせにより完全に除去
した。分析の結果、生成ガス中には、ＮＦ3が０．５７
ｖｏｌ％含まれていた。実施例１に示した式（１）から
Ｆ2基準のＮＦ3収率を求めたところ８４％であった。
過した後、反応器から出てくる生成ガスをガスクロマト
グラフで分析した。ただし、生成ガス中のＨＦは、コー
ルドトラップとＮａＦとの組み合わせにより完全に除去
した。分析の結果、生成ガス中には、ＮＦ3が０．５７
ｖｏｌ％含まれていた。実施例１に示した式（１）から
Ｆ2基準のＮＦ3収率を求めたところ８４％であった。
【００３７】実施例３ 実施例１と同様の縦型反応器に(ＮＨ4)3ＡｌＦ6（平均
粒子径；３００μｍ）を３，０００ｇ仕込み、撹拌羽根
を速度；１５０ｒｐｍで回転させながら、Ｎ2雰囲気下
で試料を外部ヒーターによって１１０℃に昇温した後、
Ｆ2とＮ2の混合ガス（Ｆ2濃度＝４．０ｖｏｌ％）を４
０ＳＬＭ（空塔速度；５．０ｃｍ／ｓｅｃ）の流量で反
応器下部から導入した。Ｆ2とＮ2の混合ガスの導入と同
時に、粉体供給設備を使用して(ＮＨ4)3ＡｌＦ6の粒子
を２．５ｇ／ｍｉｎの速度で連続供給した。しばらくす
るとオーバーフローした粒子が粉体排出設備を介して反
応器の外に出てくるようになった。Ｆ2とＮ2の混合ガス
の導入により、充填層温度が１１０℃から上昇したが１
５５℃で一定になった。
粒子径；３００μｍ）を３，０００ｇ仕込み、撹拌羽根
を速度；１５０ｒｐｍで回転させながら、Ｎ2雰囲気下
で試料を外部ヒーターによって１１０℃に昇温した後、
Ｆ2とＮ2の混合ガス（Ｆ2濃度＝４．０ｖｏｌ％）を４
０ＳＬＭ（空塔速度；５．０ｃｍ／ｓｅｃ）の流量で反
応器下部から導入した。Ｆ2とＮ2の混合ガスの導入と同
時に、粉体供給設備を使用して(ＮＨ4)3ＡｌＦ6の粒子
を２．５ｇ／ｍｉｎの速度で連続供給した。しばらくす
るとオーバーフローした粒子が粉体排出設備を介して反
応器の外に出てくるようになった。Ｆ2とＮ2の混合ガス
の導入により、充填層温度が１１０℃から上昇したが１
５５℃で一定になった。
【００３８】充填層温度が一定になってからしばらく経
過した後、反応器から出てくる生成ガスをガスクロマト
グラフで分析した。ただし、生成ガス中のＨＦは、コー
ルドトラップとＮａＦとの組み合わせにより完全に除去
した。分析の結果、生成ガス中には、ＮＦ3が１．１ｖ
ｏｌ％含まれていた。実施例１に示した式（１）からＦ
2基準のＮＦ3収率を求めたところ８０％であった。
過した後、反応器から出てくる生成ガスをガスクロマト
グラフで分析した。ただし、生成ガス中のＨＦは、コー
ルドトラップとＮａＦとの組み合わせにより完全に除去
した。分析の結果、生成ガス中には、ＮＦ3が１．１ｖ
ｏｌ％含まれていた。実施例１に示した式（１）からＦ
2基準のＮＦ3収率を求めたところ８０％であった。
【００３９】実施例４ 実施例１と同様の縦型反応器に(ＮＨ4)3ＡｌＦ6（平均
粒子径；２００μｍ）を３，０００ｇ仕込み、撹拌羽根
を速度；１００ｒｐｍで回転させながら、Ｎ2雰囲気下
で試料を外部ヒーターによって１１０℃に昇温した後、
Ｆ2とＮ2の混合ガス（Ｆ2濃度＝２．０ｖｏｌ％）を５
０ＳＬＭ（空塔速度；６．３ｃｍ／ｓｅｃ）の流量で反
応器下部から導入した。Ｆ2とＮ2の混合ガスの導入と同
時に、粉体供給設備を使用して(ＮＨ4)3ＡｌＦ6の粒子
を２．０ｇ／ｍｉｎの速度で連続供給した。しばらくす
るとオーバーフローした粒子が粉体排出設備を介して反
応器の外に出てくるようになった。Ｆ2とＮ2の混合ガス
の導入により、充填層温度が１１０℃から上昇したが１
５０℃で一定になった。
粒子径；２００μｍ）を３，０００ｇ仕込み、撹拌羽根
を速度；１００ｒｐｍで回転させながら、Ｎ2雰囲気下
で試料を外部ヒーターによって１１０℃に昇温した後、
Ｆ2とＮ2の混合ガス（Ｆ2濃度＝２．０ｖｏｌ％）を５
０ＳＬＭ（空塔速度；６．３ｃｍ／ｓｅｃ）の流量で反
応器下部から導入した。Ｆ2とＮ2の混合ガスの導入と同
時に、粉体供給設備を使用して(ＮＨ4)3ＡｌＦ6の粒子
を２．０ｇ／ｍｉｎの速度で連続供給した。しばらくす
るとオーバーフローした粒子が粉体排出設備を介して反
応器の外に出てくるようになった。Ｆ2とＮ2の混合ガス
の導入により、充填層温度が１１０℃から上昇したが１
５０℃で一定になった。
【００４０】充填層温度が一定になってからしばらく経
過した後、反応器から出てくる生成ガスをガスクロマト
グラフで分析した。ただし、生成ガス中のＨＦは、コー
ルドトラップとＮａＦとの組み合わせにより完全に除去
した。分析の結果、生成ガス中には、ＮＦ3が０．５７
ｖｏｌ％含まれていた。実施例１に示した式（１）から
Ｆ2基準のＮＦ3収率を求めたところ８４％であった。
過した後、反応器から出てくる生成ガスをガスクロマト
グラフで分析した。ただし、生成ガス中のＨＦは、コー
ルドトラップとＮａＦとの組み合わせにより完全に除去
した。分析の結果、生成ガス中には、ＮＦ3が０．５７
ｖｏｌ％含まれていた。実施例１に示した式（１）から
Ｆ2基準のＮＦ3収率を求めたところ８４％であった。
【００４１】実施例５ 実施例１と同様の縦型反応器に(ＮＨ4)2ＮａＡｌＦ
6（平均粒子径；３００μｍ）を３，０００ｇ仕込み、
撹拌羽根を速度；１００ｒｐｍで回転させながら、Ｎ2
雰囲気下で試料を外部ヒーターによって１１０℃に昇温
した後、Ｆ2とＮ2の混合ガス（Ｆ2濃度＝２．０ｖｏｌ
％）を５０ＳＬＭ（空塔速度；６．３ｃｍ／ｓｅｃ）の
流量で反応器下部から導入した。Ｆ2とＮ2の混合ガスの
導入と同時に、粉体供給設備を使用して(ＮＨ4)2ＮａＡ
ｌＦ6の粒子を２．０ｇ／ｍｉｎの速度で連続供給し
た。しばらくするとオーバーフローした粒子が粉体排出
設備を介して反応器の外に出てくるようになった。Ｆ2
とＮ2の混合ガスの導入により、充填層温度が１１０℃
から上昇したが１５０℃で一定になった。
6（平均粒子径；３００μｍ）を３，０００ｇ仕込み、
撹拌羽根を速度；１００ｒｐｍで回転させながら、Ｎ2
雰囲気下で試料を外部ヒーターによって１１０℃に昇温
した後、Ｆ2とＮ2の混合ガス（Ｆ2濃度＝２．０ｖｏｌ
％）を５０ＳＬＭ（空塔速度；６．３ｃｍ／ｓｅｃ）の
流量で反応器下部から導入した。Ｆ2とＮ2の混合ガスの
導入と同時に、粉体供給設備を使用して(ＮＨ4)2ＮａＡ
ｌＦ6の粒子を２．０ｇ／ｍｉｎの速度で連続供給し
た。しばらくするとオーバーフローした粒子が粉体排出
設備を介して反応器の外に出てくるようになった。Ｆ2
とＮ2の混合ガスの導入により、充填層温度が１１０℃
から上昇したが１５０℃で一定になった。
【００４２】充填層温度が一定になってからしばらく経
過した後、反応器から出てくる生成ガスをガスクロマト
グラフで分析した。ただし、生成ガス中のＨＦは、コー
ルドトラップとＮａＦとの組み合わせにより完全に除去
した。分析の結果、生成ガス中には、ＮＦ3が０．５５
ｖｏｌ％含まれていた。実施例１に示した式（１）から
Ｆ2基準のＮＦ3収率を求めたところ８１％であった。
過した後、反応器から出てくる生成ガスをガスクロマト
グラフで分析した。ただし、生成ガス中のＨＦは、コー
ルドトラップとＮａＦとの組み合わせにより完全に除去
した。分析の結果、生成ガス中には、ＮＦ3が０．５５
ｖｏｌ％含まれていた。実施例１に示した式（１）から
Ｆ2基準のＮＦ3収率を求めたところ８１％であった。
【００４３】実施例６ 実施例１と同様の縦型反応器に(ＮＨ4)3ＦｅＦ6（平均
粒子径；３００μｍ）を３，０００ｇ仕込み、撹拌羽根
を速度；１００ｒｐｍで回転させながら、Ｎ2雰囲気下
で試料を外部ヒーターによって１１０℃に昇温した後、
Ｆ2とＮ2の混合ガス（Ｆ2濃度＝２．０ｖｏｌ％）を５
０ＳＬＭ（空塔速度；６．３ｃｍ／ｓｅｃ）の流量で反
応器下部から導入した。Ｆ2とＮ2の混合ガスの導入と同
時に、粉体供給設備を使用して(ＮＨ4)3ＦｅＦ6の粒子
を２．０ｇ／ｍｉｎの速度で連続供給した。しばらくす
るとオーバーフローした粒子が粉体排出設備を介して反
応器の外に出てくるようになった。Ｆ2とＮ2の混合ガス
の導入により、充填層温度が１１０℃から上昇したが２
００℃で一定になった。
粒子径；３００μｍ）を３，０００ｇ仕込み、撹拌羽根
を速度；１００ｒｐｍで回転させながら、Ｎ2雰囲気下
で試料を外部ヒーターによって１１０℃に昇温した後、
Ｆ2とＮ2の混合ガス（Ｆ2濃度＝２．０ｖｏｌ％）を５
０ＳＬＭ（空塔速度；６．３ｃｍ／ｓｅｃ）の流量で反
応器下部から導入した。Ｆ2とＮ2の混合ガスの導入と同
時に、粉体供給設備を使用して(ＮＨ4)3ＦｅＦ6の粒子
を２．０ｇ／ｍｉｎの速度で連続供給した。しばらくす
るとオーバーフローした粒子が粉体排出設備を介して反
応器の外に出てくるようになった。Ｆ2とＮ2の混合ガス
の導入により、充填層温度が１１０℃から上昇したが２
００℃で一定になった。
【００４４】充填層温度が一定になってからしばらく経
過した後、反応器から出てくる生成ガスをガスクロマト
グラフで分析した。ただし、生成ガス中のＨＦは、コー
ルドトラップとＮａＦとの組み合わせにより完全に除去
した。分析の結果、生成ガス中には、ＮＦ3が０．５４
ｖｏｌ％含まれていた。実施例１に示した式（１）から
Ｆ2基準のＮＦ3収率を求めたところ８０％であった。
過した後、反応器から出てくる生成ガスをガスクロマト
グラフで分析した。ただし、生成ガス中のＨＦは、コー
ルドトラップとＮａＦとの組み合わせにより完全に除去
した。分析の結果、生成ガス中には、ＮＦ3が０．５４
ｖｏｌ％含まれていた。実施例１に示した式（１）から
Ｆ2基準のＮＦ3収率を求めたところ８０％であった。
【００４５】実施例７ 図１記載の縦型反応器（内径；１３０ｍｍ、高さ；５０
０ｍｍ）に(ＮＨ4)3ＡｌＦ6（平均粒子径；３００μ
ｍ）を３，０００ｇ仕込み、反応器内のガスを真空ポン
プにて系外に排出後、Ｎ2を大気圧まで導入した。ただ
し、実施例７〜１２までは、循環ラインを使用した場合
の実施例である。
０ｍｍ）に(ＮＨ4)3ＡｌＦ6（平均粒子径；３００μ
ｍ）を３，０００ｇ仕込み、反応器内のガスを真空ポン
プにて系外に排出後、Ｎ2を大気圧まで導入した。ただ
し、実施例７〜１２までは、循環ラインを使用した場合
の実施例である。
【００４６】循環ブロワー１０を起動し、５０ＳＬＭ
（空塔速度；６．３ｃｍ／ｓｅｃ）の流量で反応器下部
から循環ガスを導入し、撹拌羽根６を速度；１００ｒｐ
ｍで回転させながら、試料を外部ヒーター１によって１
１０℃に昇温した。
（空塔速度；６．３ｃｍ／ｓｅｃ）の流量で反応器下部
から循環ガスを導入し、撹拌羽根６を速度；１００ｒｐ
ｍで回転させながら、試料を外部ヒーター１によって１
１０℃に昇温した。
【００４７】試料温度が１１０℃に到達した後、循環ブ
ロワーの吸入側よりＦ2を１．０ＳＬＭの流量で導入
し、同時に、粉体供給設備（供給粒子受槽２、スクリュ
ーコンベアー３、モーター４）を使用して(ＮＨ4)3Ａｌ
Ｆ6の粒子を２．０ｇ／ｍｉｎの速度で連続供給した。
しばらくするとオーバーフローした粒子が粉体排出設備
（粒子排出管８、排出粒子受槽９）を介して反応器の外
に出てくるようになった。Ｆ2の導入により、試料温度
が１１０℃から上昇したが１４５℃で一定になった。
ロワーの吸入側よりＦ2を１．０ＳＬＭの流量で導入
し、同時に、粉体供給設備（供給粒子受槽２、スクリュ
ーコンベアー３、モーター４）を使用して(ＮＨ4)3Ａｌ
Ｆ6の粒子を２．０ｇ／ｍｉｎの速度で連続供給した。
しばらくするとオーバーフローした粒子が粉体排出設備
（粒子排出管８、排出粒子受槽９）を介して反応器の外
に出てくるようになった。Ｆ2の導入により、試料温度
が１１０℃から上昇したが１４５℃で一定になった。
【００４８】反応器から出てくる生成ガスについては、
ＫＯＨ、コールドトラップ及びＮａＦの組み合わせによ
りＦ2及びＨＦを完全に除去した後、モレキュラーシー
ブ−４Ａ充填塔を通過させてＮ2Ｏも取り除いた。
ＫＯＨ、コールドトラップ及びＮａＦの組み合わせによ
りＦ2及びＨＦを完全に除去した後、モレキュラーシー
ブ−４Ａ充填塔を通過させてＮ2Ｏも取り除いた。
【００４９】充填層温度が一定になってからしばらく経
過した後、モレキュラーシーブ−４Ａ充填塔から出てく
るガスを、液体窒素を使用したトラップで２時間凝縮、
液化させた。その後、液化されなかったトラップ内のガ
スを真空ポンプにて排出した。
過した後、モレキュラーシーブ−４Ａ充填塔から出てく
るガスを、液体窒素を使用したトラップで２時間凝縮、
液化させた。その後、液化されなかったトラップ内のガ
スを真空ポンプにて排出した。
【００５０】トラップ内に残ったＮＦ3の重量を測定し
たところ１１０ｇであった。下記の式（２）からＦ2基
準のＮＦ3収率を求めたところ８７％であった。
たところ１１０ｇであった。下記の式（２）からＦ2基
準のＮＦ3収率を求めたところ８７％であった。
【００５１】
【数２】
【００５２】実施例８ 実施例７と同様の縦型反応器に(ＮＨ4)3ＡｌＦ6（平均
粒子径；３００μｍ）を３，０００ｇ仕込み、反応器内
のガスを真空ポンプにて系外に排出後、Ｎ2を大気圧ま
で導入した。
粒子径；３００μｍ）を３，０００ｇ仕込み、反応器内
のガスを真空ポンプにて系外に排出後、Ｎ2を大気圧ま
で導入した。
【００５３】循環ブロワーを起動し、７０ＳＬＭ（空塔
速度；８．８ｃｍ／ｓｅｃ）の流量で反応器下部から循
環ガスを導入し、撹拌羽根を速度；１００ｒｐｍで回転
させながら、試料を外部ヒーターによって１１０℃に昇
温した。
速度；８．８ｃｍ／ｓｅｃ）の流量で反応器下部から循
環ガスを導入し、撹拌羽根を速度；１００ｒｐｍで回転
させながら、試料を外部ヒーターによって１１０℃に昇
温した。
【００５４】試料温度が１１０℃に到達した後、循環ブ
ロワーの吸入側よりＦ2を１．４ＳＬＭの流量で導入
し、同時に、粉体供給設備を使用して(ＮＨ4)3ＡｌＦ6
の粒子を２．５ｇ／ｍｉｎの速度で連続供給した。しば
らくするとオーバーフローした粒子が粉体排出設備を介
して反応器の外に出てくるようになった。Ｆ2の導入に
より、試料温度が１１０℃から上昇したが１４５℃で一
定になった。
ロワーの吸入側よりＦ2を１．４ＳＬＭの流量で導入
し、同時に、粉体供給設備を使用して(ＮＨ4)3ＡｌＦ6
の粒子を２．５ｇ／ｍｉｎの速度で連続供給した。しば
らくするとオーバーフローした粒子が粉体排出設備を介
して反応器の外に出てくるようになった。Ｆ2の導入に
より、試料温度が１１０℃から上昇したが１４５℃で一
定になった。
【００５５】反応器から出てくる生成ガスについては、
ＫＯＨ、コールドトラップ及びＮａＦの組み合わせによ
りＦ2及びＨＦを完全に除去した後、モレキュラーシー
ブ−４Ａ充填塔を通過させてＮ2Ｏも取り除いた。
ＫＯＨ、コールドトラップ及びＮａＦの組み合わせによ
りＦ2及びＨＦを完全に除去した後、モレキュラーシー
ブ−４Ａ充填塔を通過させてＮ2Ｏも取り除いた。
【００５６】充填層温度が一定になってからしばらく経
過した後、モレキュラーシーブ−４Ａ充填塔から出てく
るガスを、液体窒素を使用したトラップで２時間凝縮、
液化させた。その後、液化されなかったトラップ内のガ
スを真空ポンプにて排出した。
過した後、モレキュラーシーブ−４Ａ充填塔から出てく
るガスを、液体窒素を使用したトラップで２時間凝縮、
液化させた。その後、液化されなかったトラップ内のガ
スを真空ポンプにて排出した。
【００５７】トラップ内に残ったＮＦ3の重量を測定し
たところ１５０ｇであった。実施例１に示した式（２）
からＦ2基準のＮＦ3収率を求めたところ８５％であっ
た。
たところ１５０ｇであった。実施例１に示した式（２）
からＦ2基準のＮＦ3収率を求めたところ８５％であっ
た。
【００５８】実施例９ 実施例７と同様の縦型反応器に(ＮＨ4)3ＡｌＦ6（平均
粒子径；３００μｍ）を３，０００ｇ仕込み、反応器内
のガスを真空ポンプにて系外に排出後、Ｎ2を大気圧ま
で導入した。
粒子径；３００μｍ）を３，０００ｇ仕込み、反応器内
のガスを真空ポンプにて系外に排出後、Ｎ2を大気圧ま
で導入した。
【００５９】循環ブロワーを起動し、４０ＳＬＭ（空塔
速度；５．０ｃｍ／ｓｅｃ）の流量で反応器下部から循
環ガスを導入し、撹拌羽根を速度；１５０ｒｐｍで回転
させながら、試料を外部ヒーターによって１１０℃に昇
温した。
速度；５．０ｃｍ／ｓｅｃ）の流量で反応器下部から循
環ガスを導入し、撹拌羽根を速度；１５０ｒｐｍで回転
させながら、試料を外部ヒーターによって１１０℃に昇
温した。
【００６０】試料温度が１１０℃に到達した後、循環ブ
ロワーの吸入側よりＦ2を１．６ＳＬＭの流量で導入
し、同時に、粉体供給設備を使用して(ＮＨ4)3ＡｌＦ6
の粒子を２．５ｇ／ｍｉｎの速度で連続供給した。しば
らくするとオーバーフローした粒子が粉体排出設備を介
して反応器の外に出てくるようになった。Ｆ2の導入に
より、試料温度が１１０℃から上昇したが１５５℃で一
定になった。
ロワーの吸入側よりＦ2を１．６ＳＬＭの流量で導入
し、同時に、粉体供給設備を使用して(ＮＨ4)3ＡｌＦ6
の粒子を２．５ｇ／ｍｉｎの速度で連続供給した。しば
らくするとオーバーフローした粒子が粉体排出設備を介
して反応器の外に出てくるようになった。Ｆ2の導入に
より、試料温度が１１０℃から上昇したが１５５℃で一
定になった。
【００６１】反応器から出てくる生成ガスについては、
ＫＯＨ、コールドトラップ及びＮａＦの組み合わせによ
りＦ2及びＨＦを完全に除去した後、モレキュラーシー
ブ−４Ａ充填塔を通過させてＮ2Ｏも取り除いた。
ＫＯＨ、コールドトラップ及びＮａＦの組み合わせによ
りＦ2及びＨＦを完全に除去した後、モレキュラーシー
ブ−４Ａ充填塔を通過させてＮ2Ｏも取り除いた。
【００６２】充填層温度が一定になってからしばらく経
過した後、モレキュラーシーブ−４Ａ充填塔から出てく
るガスを、液体窒素を使用したトラップで２時間凝縮、
液化させた。その後、液化されなかったトラップ内のガ
スを真空ポンプにて排出した。
過した後、モレキュラーシーブ−４Ａ充填塔から出てく
るガスを、液体窒素を使用したトラップで２時間凝縮、
液化させた。その後、液化されなかったトラップ内のガ
スを真空ポンプにて排出した。
【００６３】トラップ内に残ったＮＦ3の重量を測定し
たところ１６０ｇであった。実施例１に示した式（２）
からＦ2基準のＮＦ3収率を求めたところ７９％であっ
た。
たところ１６０ｇであった。実施例１に示した式（２）
からＦ2基準のＮＦ3収率を求めたところ７９％であっ
た。
【００６４】実施例１０ 実施例７と同様の縦型反応器に(ＮＨ4)3ＡｌＦ6（平均
粒子径；２００μｍ）を３，０００ｇ仕込み、反応器内
のガスを真空ポンプにて系外に排出後、Ｎ2を大気圧ま
で導入した。
粒子径；２００μｍ）を３，０００ｇ仕込み、反応器内
のガスを真空ポンプにて系外に排出後、Ｎ2を大気圧ま
で導入した。
【００６５】循環ブロワーを起動し、５０ＳＬＭ（空塔
速度；６．３ｃｍ／ｓｅｃ）の流量で反応器下部から循
環ガスを導入し、撹拌羽根を速度；１００ｒｐｍで回転
させながら、試料を外部ヒーターによって１１０℃に昇
温した。
速度；６．３ｃｍ／ｓｅｃ）の流量で反応器下部から循
環ガスを導入し、撹拌羽根を速度；１００ｒｐｍで回転
させながら、試料を外部ヒーターによって１１０℃に昇
温した。
【００６６】試料温度が１１０℃に到達した後、循環ブ
ロワーの吸入側よりＦ2を１．０ＳＬＭの流量で導入
し、同時に、粉体供給設備を使用して(ＮＨ4)3ＡｌＦ6
の粒子を２．０ｇ／ｍｉｎの速度で連続供給した。しば
らくするとオーバーフローした粒子が粉体排出設備を介
して反応器の外に出てくるようになった。Ｆ2の導入に
より、試料温度が１１０℃から上昇したが１５０℃で一
定になった。
ロワーの吸入側よりＦ2を１．０ＳＬＭの流量で導入
し、同時に、粉体供給設備を使用して(ＮＨ4)3ＡｌＦ6
の粒子を２．０ｇ／ｍｉｎの速度で連続供給した。しば
らくするとオーバーフローした粒子が粉体排出設備を介
して反応器の外に出てくるようになった。Ｆ2の導入に
より、試料温度が１１０℃から上昇したが１５０℃で一
定になった。
【００６７】反応器から出てくる生成ガスについては、
ＫＯＨ、コールドトラップ及びＮａＦの組み合わせによ
りＦ2及びＨＦを完全に除去した後、モレキュラーシー
ブ−４Ａ充填塔を通過させてＮ2Ｏも取り除いた。
ＫＯＨ、コールドトラップ及びＮａＦの組み合わせによ
りＦ2及びＨＦを完全に除去した後、モレキュラーシー
ブ−４Ａ充填塔を通過させてＮ2Ｏも取り除いた。
【００６８】充填層温度が一定になってからしばらく経
過した後、モレキュラーシーブ−４Ａ充填塔から出てく
るガスを、液体窒素を使用したトラップで２時間凝縮、
液化させた。その後、液化されなかったトラップ内のガ
スを真空ポンプにて排出した。
過した後、モレキュラーシーブ−４Ａ充填塔から出てく
るガスを、液体窒素を使用したトラップで２時間凝縮、
液化させた。その後、液化されなかったトラップ内のガ
スを真空ポンプにて排出した。
【００６９】トラップ内に残ったＮＦ3の重量を測定し
たところ１０５ｇであった。実施例１に示した式（２）
からＦ2基準のＮＦ3収率を求めたところ８３％であっ
た。
たところ１０５ｇであった。実施例１に示した式（２）
からＦ2基準のＮＦ3収率を求めたところ８３％であっ
た。
【００７０】実施例１１ 実施例７と同様の縦型反応器に(ＮＨ4)2ＮａＡｌＦ
6（平均粒子径；３００μｍ）を３，０００ｇ仕込み、
反応器内のガスを真空ポンプにて系外に排出後、Ｎ 2を
大気圧まで導入した。
6（平均粒子径；３００μｍ）を３，０００ｇ仕込み、
反応器内のガスを真空ポンプにて系外に排出後、Ｎ 2を
大気圧まで導入した。
【００７１】循環ブロワーを起動し、５０ＳＬＭ（空塔
速度；６．３ｃｍ／ｓｅｃ）の流量で反応器下部から循
環ガスを導入し、撹拌羽根を速度；１００ｒｐｍで回転
させながら、試料を外部ヒーターによって１１０℃に昇
温した。
速度；６．３ｃｍ／ｓｅｃ）の流量で反応器下部から循
環ガスを導入し、撹拌羽根を速度；１００ｒｐｍで回転
させながら、試料を外部ヒーターによって１１０℃に昇
温した。
【００７２】試料温度が１１０℃に到達した後、循環ブ
ロワーの吸入側よりＦ2を１．０ＳＬＭの流量で導入
し、同時に、粉体供給設備を使用して(ＮＨ4)2ＮａＡｌ
Ｆ6の粒子を２．０ｇ／ｍｉｎの速度で連続供給した。
しばらくするとオーバーフローした粒子が粉体排出設備
を介して反応器の外に出てくるようになった。Ｆ2の導
入により、試料温度が１１０℃から上昇したが１５０℃
で一定になった。
ロワーの吸入側よりＦ2を１．０ＳＬＭの流量で導入
し、同時に、粉体供給設備を使用して(ＮＨ4)2ＮａＡｌ
Ｆ6の粒子を２．０ｇ／ｍｉｎの速度で連続供給した。
しばらくするとオーバーフローした粒子が粉体排出設備
を介して反応器の外に出てくるようになった。Ｆ2の導
入により、試料温度が１１０℃から上昇したが１５０℃
で一定になった。
【００７３】反応器から出てくる生成ガスについては、
ＫＯＨ、コールドトラップ及びＮａＦの組み合わせによ
りＦ2及びＨＦを完全に除去した後、モレキュラーシー
ブ−４Ａ充填塔を通過させてＮ2Ｏも取り除いた。
ＫＯＨ、コールドトラップ及びＮａＦの組み合わせによ
りＦ2及びＨＦを完全に除去した後、モレキュラーシー
ブ−４Ａ充填塔を通過させてＮ2Ｏも取り除いた。
【００７４】充填層温度が一定になってからしばらく経
過した後、モレキュラーシーブ−４Ａ充填塔から出てく
るガスを、液体窒素を使用したトラップで２時間凝縮、
液化させた。その後、液化されなかったトラップ内のガ
スを真空ポンプにて排出した。
過した後、モレキュラーシーブ−４Ａ充填塔から出てく
るガスを、液体窒素を使用したトラップで２時間凝縮、
液化させた。その後、液化されなかったトラップ内のガ
スを真空ポンプにて排出した。
【００７５】トラップ内に残ったＮＦ3の重量を測定し
たところ１００ｇであった。実施例１に示した式（２）
からＦ2基準のＮＦ3収率を求めたところ７９％であっ
た。
たところ１００ｇであった。実施例１に示した式（２）
からＦ2基準のＮＦ3収率を求めたところ７９％であっ
た。
【００７６】実施例１２ 実施例７と同様の縦型反応器に(ＮＨ4)3ＦｅＦ6（平均
粒子径；３００μｍ）を３，０００ｇ仕込み、反応器内
のガスを真空ポンプにて系外に排出後、Ｎ2を大気圧ま
で導入した。
粒子径；３００μｍ）を３，０００ｇ仕込み、反応器内
のガスを真空ポンプにて系外に排出後、Ｎ2を大気圧ま
で導入した。
【００７７】循環ブロワーを起動し、５０ＳＬＭ（空塔
速度；６．３ｃｍ／ｓｅｃ）の流量で反応器下部から循
環ガスを導入し、撹拌羽根を速度；１００ｒｐｍで回転
させながら、試料を外部ヒーター１によって１１０℃に
昇温した。
速度；６．３ｃｍ／ｓｅｃ）の流量で反応器下部から循
環ガスを導入し、撹拌羽根を速度；１００ｒｐｍで回転
させながら、試料を外部ヒーター１によって１１０℃に
昇温した。
【００７８】試料温度が１１０℃に到達した後、循環ブ
ロワーの吸入側よりＦ2を１．０ＳＬＭの流量で導入
し、同時に、粉体供給設備を使用して(ＮＨ4)3ＦｅＦ6
の粒子を２．０ｇ／ｍｉｎの速度で連続供給した。しば
らくするとオーバーフローした粒子が粉体排出設備を介
して反応器の外に出てくるようになった。Ｆ2の導入に
より、試料温度が１１０℃から上昇したが２００℃で一
定になった。
ロワーの吸入側よりＦ2を１．０ＳＬＭの流量で導入
し、同時に、粉体供給設備を使用して(ＮＨ4)3ＦｅＦ6
の粒子を２．０ｇ／ｍｉｎの速度で連続供給した。しば
らくするとオーバーフローした粒子が粉体排出設備を介
して反応器の外に出てくるようになった。Ｆ2の導入に
より、試料温度が１１０℃から上昇したが２００℃で一
定になった。
【００７９】反応器から出てくる生成ガスについては、
ＫＯＨ、コールドトラップ及びＮａＦの組み合わせによ
りＦ2及びＨＦを完全に除去した後、モレキュラーシー
ブ−４Ａ充填塔を通過させてＮ2Ｏも取り除いた。
ＫＯＨ、コールドトラップ及びＮａＦの組み合わせによ
りＦ2及びＨＦを完全に除去した後、モレキュラーシー
ブ−４Ａ充填塔を通過させてＮ2Ｏも取り除いた。
【００８０】充填層温度が一定になってからしばらく経
過した後、モレキュラーシーブ−４Ａ充填塔から出てく
るガスを、液体窒素を使用したトラップで２時間凝縮、
液化させた。その後、液化されなかったトラップ内のガ
スを真空ポンプにて排出した。
過した後、モレキュラーシーブ−４Ａ充填塔から出てく
るガスを、液体窒素を使用したトラップで２時間凝縮、
液化させた。その後、液化されなかったトラップ内のガ
スを真空ポンプにて排出した。
【００８１】トラップ内に残ったＮＦ3の重量を測定し
たところ１００ｇであった。実施例１に示した式（２）
からＦ2基準のＮＦ3収率を求めたところ７９％であっ
た。
たところ１００ｇであった。実施例１に示した式（２）
からＦ2基準のＮＦ3収率を求めたところ７９％であっ
た。
【００８２】
【発明の効果】本発明の方法により、金属フッ化物のア
ンモニウム錯体とフッ素との反応を容易に制御でき、か
つ、従来方法より高い収率でＮＦ3を製造することがで
きる。
ンモニウム錯体とフッ素との反応を容易に制御でき、か
つ、従来方法より高い収率でＮＦ3を製造することがで
きる。
【図１】図１は、本発明の方法に用いた三フッ化窒素製
造装置の１例の概略図である。
造装置の１例の概略図である。
【符号の説明】 １ 外部ヒーター ２ 供給粒子受槽 ３ スクリューコンベアー ４ モーター ５ 目皿 ６ 攪拌羽根 ７ モーター ８ 粒子排出管 ９ 排出粒子受槽 10 循環ブロワー
Claims (9)
- 【請求項１】 金属フッ化物のアンモニウム錯体からな
る粒子を充填した縦型反応器にフッ素を含有するガスを
下部から導入し、該粒子と反応させ、生成ガスから三フ
ッ化窒素を分離することを特徴とする三フッ化窒素の製
造方法。 - 【請求項２】 縦型反応器から排出するガスの一部を循
環して再び反応器の下部から導入することを特徴とする
請求項１記載の三フッ化窒素の製造方法。 - 【請求項３】 充填層内の粒子を撹拌させながら反応さ
せることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の
三フッ化窒素の製造方法。 - 【請求項４】 金属フッ化物のアンモニウム錯体からな
る粒子を充填層内に連続的に供給すると同時に、充填層
の高さが一定になるよう充填層から粒子を連続的に排出
させながら、フッ素を含有するガスを導入し、連続的に
反応させることを特徴とする請求項１〜請求項３に記載
の三フッ化窒素の製造方法。 - 【請求項５】 金属フッ化物のアンモニウム錯体が、
(ＮＨ4)3ＡｌＦ6、(ＮＨ4) 2ＮａＡｌＦ6、(ＮＨ4)3Ｆｅ
Ｆ6から選択される１種または２種以上であることを特
徴とする請求項１〜請求項４の何れかに記載の三フッ化
窒素の製造方法。 - 【請求項６】 反応中の充填層内温度が１０〜２５０℃
であることを特徴とする請求項１〜請求項５の何れかに
記載の三フッ化窒素の製造方法。 - 【請求項７】 導入するガス中のフッ素濃度が５ｖｏｌ
％以下であることを特徴とする請求項１〜請求項６の何
れかに記載の三フッ化窒素の製造方法。 - 【請求項８】 導入するガスが粒子充填層を通過する時
の空塔速度（空塔速度＝Ｑ／Ａ，ただし、Ｑは２５℃、
１ａｔｍで計算した導入ガス流量値、Ａはガスの流れに
垂直な粒子充填層の断面積を表す）が１ｃｍ／ｓｅｃ以
上であることを特徴とする請求項１〜請求項７の何れか
に記載の三フッ化窒素の製造方法。 - 【請求項９】 金属フッ化物のアンモニウム錯体からな
る粒子の平均粒子径が１００μｍ以上であることを特徴
とする請求項１〜請求項８の何れかに記載の三フッ化窒
素の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03033399A JP3727797B2 (ja) | 1998-05-22 | 1999-02-08 | 三フッ化窒素の製造方法 |
| DE69910113T DE69910113T2 (de) | 1998-05-22 | 1999-05-20 | Verfahren zur Herstellung von Stickstofftrifluorid durch Gas-Feststoffreaktion |
| EP99109947A EP0959040B1 (en) | 1998-05-22 | 1999-05-20 | Method for producing nitrogen trifluoride by gas-solid reaction |
| US09/315,406 US6183713B1 (en) | 1998-05-22 | 1999-05-20 | Method for producing nitrogen trifluoride by gas-solid reaction |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-140653 | 1998-05-22 | ||
| JP14065398 | 1998-05-22 | ||
| JP03033399A JP3727797B2 (ja) | 1998-05-22 | 1999-02-08 | 三フッ化窒素の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000044212A true JP2000044212A (ja) | 2000-02-15 |
| JP3727797B2 JP3727797B2 (ja) | 2005-12-14 |
Family
ID=26368664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03033399A Expired - Fee Related JP3727797B2 (ja) | 1998-05-22 | 1999-02-08 | 三フッ化窒素の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6183713B1 (ja) |
| EP (1) | EP0959040B1 (ja) |
| JP (1) | JP3727797B2 (ja) |
| DE (1) | DE69910113T2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001322806A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-20 | Showa Denko Kk | 三フッ化窒素の製造方法及びその用途 |
| JP2006089371A (ja) * | 2004-09-20 | 2006-04-06 | Air Products & Chemicals Inc | 三フッ化窒素の生成法 |
| WO2007004409A1 (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-11 | Central Glass Company, Limited | ハロゲン化窒素の合成方法 |
| JP2009006219A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Central Glass Co Ltd | 機能性気体の製造装置 |
| WO2009084475A1 (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-09 | Central Glass Co., Ltd. | フッ素化気体化合物の製造方法及び装置 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7018598B2 (en) * | 2000-05-12 | 2006-03-28 | Showa Denko K.K. | Process for producing nitrogen trifluoride |
| US6986874B2 (en) * | 2000-12-14 | 2006-01-17 | The Boc Group, Inc. | Method and apparatus for the production of nitrogen trifluoride |
| RU2184698C1 (ru) * | 2001-05-08 | 2002-07-10 | Закрытое акционерное общество Научно-производственное объединение "ПиМ-Инвест" | Способ получения трифторида азота |
| RU2182556C1 (ru) * | 2001-09-28 | 2002-05-20 | Зао "Астор-Электроникс" | Способ получения трифторида азота |
| US6790428B2 (en) * | 2002-03-20 | 2004-09-14 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for the reduction or elimination of NH3/HF byproduct in the manufacture of nitrogen trifluoride |
| US20040096386A1 (en) * | 2002-11-19 | 2004-05-20 | Syvret Robert George | Method for nitrogen trifluoride production |
| US7128885B2 (en) * | 2002-12-23 | 2006-10-31 | The Boc Group, Inc. | NF3 production reactor |
| US7396336B2 (en) * | 2003-10-30 | 2008-07-08 | Sherwood Services Ag | Switched resonant ultrasonic power amplifier system |
| US7413722B2 (en) * | 2005-08-04 | 2008-08-19 | Foosung Co., Ltd. | Method and apparatus for manufacturing nitrogen trifluoride |
| US8163262B1 (en) | 2011-01-04 | 2012-04-24 | Omotowa Bamidele A | Method for production of nitrogen trifluoride from trimethylsilylamines |
| CN108613378B (zh) * | 2016-12-12 | 2020-07-28 | 中核新能核工业工程有限责任公司 | 一种uf6容器加热用风罩 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2596610A (en) * | 1948-03-17 | 1952-05-13 | Houdry Process Corp | Apparatus for contacting solid materials with fluids |
| US3961024A (en) | 1963-06-18 | 1976-06-01 | Allied Chemical Corporation | Fluoro compound production |
| US3304248A (en) | 1963-07-24 | 1967-02-14 | Stauffer Chemical Co | Process for the production of nitrogen fluorides |
| US3838524A (en) * | 1973-03-19 | 1974-10-01 | Texaco Inc | Packing of particulate beds |
| CA1081466A (en) * | 1976-03-26 | 1980-07-15 | David S. Mitchell | Countercurrent plug-like flow of two solids |
| JPS558926A (en) | 1978-07-03 | 1980-01-22 | Bridgestone Corp | Pneumatic tire for vehicle |
| JPS6071503A (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-23 | Central Glass Co Ltd | Νｆ↓３の製造法 |
| US4933158A (en) | 1988-10-25 | 1990-06-12 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Method for purifying nitrogen trifluoride gas |
| IT1247110B (it) | 1991-02-28 | 1994-12-12 | Getters Spa | Processo per la purificazione di gas fluorurati |
| US5637285A (en) | 1996-01-30 | 1997-06-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for nitrogen trifluoride synthesis |
-
1999
- 1999-02-08 JP JP03033399A patent/JP3727797B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-05-20 EP EP99109947A patent/EP0959040B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-20 DE DE69910113T patent/DE69910113T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-05-20 US US09/315,406 patent/US6183713B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001322806A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-20 | Showa Denko Kk | 三フッ化窒素の製造方法及びその用途 |
| JP2006089371A (ja) * | 2004-09-20 | 2006-04-06 | Air Products & Chemicals Inc | 三フッ化窒素の生成法 |
| JP4515989B2 (ja) * | 2004-09-20 | 2010-08-04 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド | 三フッ化窒素の生成法 |
| WO2007004409A1 (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-11 | Central Glass Company, Limited | ハロゲン化窒素の合成方法 |
| JP2007308357A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-11-29 | Central Glass Co Ltd | ハロゲン化窒素の合成方法 |
| KR100961587B1 (ko) | 2005-07-06 | 2010-06-04 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | 할로겐화 질소의 합성방법 |
| JP2009006219A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Central Glass Co Ltd | 機能性気体の製造装置 |
| WO2009084475A1 (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-09 | Central Glass Co., Ltd. | フッ素化気体化合物の製造方法及び装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3727797B2 (ja) | 2005-12-14 |
| DE69910113D1 (de) | 2003-09-11 |
| EP0959040B1 (en) | 2003-08-06 |
| DE69910113T2 (de) | 2004-02-19 |
| US6183713B1 (en) | 2001-02-06 |
| EP0959040A1 (en) | 1999-11-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000044212A (ja) | 三フッ化窒素の製造方法 | |
| US4543242A (en) | Process of preparing nitrogen trifluoride by gas-solid reaction | |
| KR100641603B1 (ko) | 고순도 불소의 제조방법 | |
| US4091081A (en) | Preparation of nitrogen trifluoride | |
| EP0345354B1 (en) | Process for purifying nitrogen-fluoride | |
| US20090274606A1 (en) | Process for production of silicon tetrafluoride, and apparatus for the process | |
| JP5341425B2 (ja) | フッ化物ガスの製造方法 | |
| US20040013595A1 (en) | Method for producing nitrogen trifluoride using jet-loop reactors | |
| US3235474A (en) | Electrolytic method of producing nitrogen trifluoride | |
| US7018598B2 (en) | Process for producing nitrogen trifluoride | |
| JP3494343B2 (ja) | 五フッ化リンの製造方法 | |
| JP3494344B2 (ja) | ヘキサフルオロリン酸リチウムの製造方法 | |
| CN1260120C (zh) | 三氟化氮的制备方法 | |
| RU2221743C2 (ru) | Способ получения трифторида азота и продукты на основе трифторида азота | |
| CN116254547B (zh) | 一种三氟化氮的制备方法 | |
| JP4166025B2 (ja) | 二フッ化カルボニルの製造方法 | |
| JP5034322B2 (ja) | ハロゲン化窒素の合成方法 | |
| JP3258413B2 (ja) | 四フッ化ゲルマニウムの製造方法 | |
| JP2863574B2 (ja) | 三フッ化窒素の製造方法 | |
| US7413722B2 (en) | Method and apparatus for manufacturing nitrogen trifluoride | |
| JP3880301B2 (ja) | ヘキサフルオロアルミニウムアンモニウムの製造方法 | |
| JPH0718032B2 (ja) | 三弗化窒素ガスの製造方法 | |
| CN107709229B (zh) | 五氟化碘的制造方法 | |
| RU2435731C1 (ru) | Способ получения кремния высокой чистоты | |
| US8163262B1 (en) | Method for production of nitrogen trifluoride from trimethylsilylamines |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050104 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050726 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050824 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050927 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050929 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |