JP2001179638A - 研磨布用ドレッサー及びその製造方法 - Google Patents

研磨布用ドレッサー及びその製造方法

Info

Publication number
JP2001179638A
JP2001179638A JP36175399A JP36175399A JP2001179638A JP 2001179638 A JP2001179638 A JP 2001179638A JP 36175399 A JP36175399 A JP 36175399A JP 36175399 A JP36175399 A JP 36175399A JP 2001179638 A JP2001179638 A JP 2001179638A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
abrasive grains
diamond abrasive
binder
sintered body
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP36175399A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3527448B2 (ja
Inventor
Kenichi Kimura
村 健 一 木
Moriyasu Kanari
成 守 康 金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Read Co Ltd
Original Assignee
Read Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Read Co Ltd filed Critical Read Co Ltd
Priority to JP36175399A priority Critical patent/JP3527448B2/ja
Priority to US09/612,959 priority patent/US6293854B1/en
Priority to TW089114136A priority patent/TW474850B/zh
Priority to KR10-2000-0059065A priority patent/KR100426527B1/ko
Publication of JP2001179638A publication Critical patent/JP2001179638A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3527448B2 publication Critical patent/JP3527448B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D18/00Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
    • B24D18/0009Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for using moulds or presses
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B24D3/02Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
    • B24D3/20Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
    • B24D3/28Resins or natural or synthetic macromolecular compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い酸性の化学スラリーによっても、ダイヤ
モンド砥粒を保持する結合材が侵されず、金属の溶出に
よる化学スラリーの汚染やダイヤモンド砥粒の脱落を生
じさせない化学的機械的平面化研磨布用ドレッサーを提
供する。 【解決手段】 珪素及び/または珪素合金からなる結合
材4とダイヤモンド砥粒3とを混合し、成形、焼結する
ことによって、ドレッシング面2aを構成する焼結体2
を得る。この焼結体のダイヤモンド砥粒3の表面には、
結合材4中の珪素とダイヤモンドとの反応焼結により生
成された炭化物膜5が形成され、それにより上記焼結体
におけるダイヤモンド砥粒と結合材とを強固に結合さ
れ、化学スラリーによっても結合材が侵されず、化学ス
ラリーの汚染やダイヤモンド砥粒の脱落を生じさせな
い。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、化学的機械的平面
化研磨(Chemical and Mechanical Polishing :以下、
CMPと略記する。)の工程で研磨布の目詰まりや異物
除去を行う際に使用するCMP研磨布用ドレッサー及び
その製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、集積回路などの集積度の高い電
子回路を製造する過程において、基板やウエハ表面上に
形成された導電体層、誘電体層及び絶縁膜層の高い隆起
や結晶格子欠陥、引っ掻ききず及び粗さなどの表面欠陥
を除去するために、CMP加工が用いられる。CMP加
工においては、ウエハが円盤状の定盤に貼り付けた発泡
ポリウレタンなどからなる研磨布上に所定の荷重で押し
付けられ、化学スラリーと呼ばれる研磨液を供給しなが
ら、ウエハと研磨布の両方を回転させることにより研磨
される。化学スラリーは、酸化鉄、炭酸バリウム、酸化
セリウム、コロイダルシリカなどの研磨粒子を、水酸化
カリウム、希塩酸、過酸化水素水、硝酸鉄などの研磨液
に懸濁させたものが用いられ、より大きな研磨速度及び
ウエハ上の前記各層間の高い選択性を与えている。
【0003】CMP加工は、種々の電子回路を積層する
過程で幾度も繰り返されるために、CMP加工の回数の
増加に伴い、研磨粒子や研磨屑などが研磨布の微細な穴
に入り込んで目詰まりを起こし、研磨速度が低下する。
このため、研磨布の表面を再生して研磨速度を回復させ
る、いわゆるドレッシングと呼ばれる操作を、常時、あ
るいは定期的に行う必要があり、このような操作には、
CMP研磨布用ドレッサーと呼ばれる工具が使用され
る。
【0004】ダイヤモンド砥粒は、優れたドレッシング
材料であるため、ダイヤモンド砥粒を利用したCMP研
磨布用ドレッサーが検討され、例えば、ダイヤモンド砥
粒をステンレス鋼上にニッケルメッキ電着する方法が提
案されている。また、特開平10−12579号公報に
は、金属ろう材を用いてダイヤモンド砥粒をステンレス
鋼上にろう付けする方法が提案されている。しかし、高
い酸性の化学スラリーによって、これらのニッケルメッ
キ材及び金属ろう材が溶出し、化学スラリーが汚染され
ると共にダイヤモンド砥粒が脱落し、CMP加工中にウ
エハ表面に引っ掻ききずを生じさせるおそれがある。こ
のため、高い酸性の化学スラリーを用いたCMP加工に
おいて、金属の溶出やダイヤモンド砥粒が脱落するおそ
れのないCMP研磨布用ドレッサーが望まれている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
問題を解消するためになされたもので、その技術的課題
は、集積回路などの集積度の高い電子回路用材のCMP
加工において、高い酸性の化学スラリーによっても、ダ
イヤモンド砥粒を保持する結合材が侵されるおそれがな
く、金属の溶出による化学スラリーの汚染やダイヤモン
ド砥粒の脱落を生じさせることがない、CMP研磨布用
ドレッサー及びその製造方法を提供することにある。ま
た、本発明の他の技術的課題は、簡単な手段によって得
られるようにした、上記化学スラリーにより結合材が侵
されるおそれのない研磨布用ドレッサー、及びその製造
方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明に係る第1の研磨布用ドレッサーは、珪素及び
/または珪素合金からなる結合材とダイヤモンド砥粒と
を混合し、成形、焼結することによって得られた焼結体
によりドレッシング面が構成され、上記ダイヤモンド砥
粒の表面には結合材中の珪素とダイヤモンドとの反応焼
結により生成された炭化物膜を備え、それにより上記焼
結体におけるダイヤモンド砥粒と結合材とを強固に結合
したことを特徴とするものである。また、本発明に係る
第2の研磨布用ドレッサーは、珪素及び/または珪素合
金からなる結合材と、周期律表IV,VまたはVI族の金属
の炭化物膜コーティング処理が施されているダイヤモン
ド砥粒とを混合し、成形、焼結することによって得られ
た焼結体によりドレッシング面が構成され、上記炭化物
膜により上記焼結体におけるダイヤモンド砥粒と結合材
とを強固に結合したことを特徴とするものである。
【0007】上記研磨布用ドレッサーにおいては、焼結
体を台盤の表面に接着し、そのドレッシング面について
の平面化及び目立て加工によって、所定の寸法に仕上げ
ると共にダイヤモンド砥粒を突き出させることができ
る。
【0008】一方、上記本発明に係る第1の研磨布用ド
レッサーの製造方法は、珪素及び/または珪素合金から
なる結合材とダイヤモンド砥粒とを混合し、成形、焼結
することによって、上記ダイヤモンド砥粒の表面にその
ダイヤモンドと結合材中の珪素との反応焼結による炭化
物膜を生成させ、その炭化物膜により上記ダイヤモンド
砥粒と結合材とを強固に結合したドレッシング用の焼結
体を得ることを特徴とするものである。また、本発明に
係る第2の研磨布用ドレッサーの製造方法は、珪素及び
/または珪素合金からなる結合材と、周期律表IV,Vま
たはVI族の金属の炭化物膜コーティング処理が施されて
いるダイヤモンド砥粒とを混合し、成形、焼結すること
によって、上記炭化物膜により上記ダイヤモンド砥粒と
結合材とを強固に結合したドレッシング用の焼結体を得
ることを特徴とするものである。
【0009】上記構成を有する研磨布用ドレッサー及び
その製造方法によれば、集積回路などの集積度の高い電
子回路用材のCMP加工において、珪素及び/または珪
素合金からなる結合材が、硝酸に代表される酸性液中に
おいて優れた耐酸性を示すために、結合材の溶出による
研磨液の汚染がなく、CMP加工後のウエハの洗浄工程
も簡略化することができる。また、本発明によれば、上
記化学スラリーにより結合材が侵されるおそれのない研
磨布用ドレッサー及びその製造方法を、簡単な手段によ
って得ることができる。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明に係るCMP研磨布用ドレ
ッサーは、珪素及び/または珪素合金からなる結合材
と、ダイヤモンド砥粒あるいは周期律表IV,VまたはVI
に示されている金属によって生成される炭化物膜コーテ
ィング処理が施されているダイヤモンド砥粒とを混合
し、成形、焼結することによって得られた焼結体によ
り、ドレッシング面が構成され、具体的には、上記焼結
体を金属、セラミックスあるいはプラスチックス等から
なる台盤の表面に接着した後、そのドレッシング面につ
いての平面化及び目立て加工によって所定の寸法に仕上
げると共にダイヤモンド砥粒を突き出させることにより
構成される。
【0011】珪素及び/または珪素合金からなる結合材
とダイヤモンド砥粒とを混合し、成形、焼結することに
よって焼結体を得る場合には、その焼結においてダイヤ
モンド砥粒の表面に結合材中の珪素とダイヤモンドとの
反応焼結により生成された炭化物膜が形成され、それに
より上記焼結体におけるダイヤモンド砥粒と結合材とが
強固に結合される。
【0012】図面を参照して説明すると、図1及び図2
は、本発明に係るCMP研磨布用ドレッサーの実施例を
示し、図1はそのドレッサーの全体的な構成を、図2
は、図1のドレッサーを回転中心軸を通る平面で切断し
た断面を示している。この実施例のCMP研磨布用ドレ
ッサーは、金属、セラミックスあるいはプラスチックス
等からなるカップ型の台盤1の周囲の作用面1aに、前
述した焼結体2の多数が接着されている。図2に示すよ
うに、この焼結体2におけるダイヤモンド砥粒3は、そ
の表面に炭化物膜5が生成され、この炭化物膜5によっ
て、ダイヤモンド砥粒3と珪素及び/または珪素合金か
らなる結合材4が強固に結合されている。
【0013】上記炭化物膜5は、珪素及び/または珪素
合金からなる結合材4とダイヤモンド砥粒3とを混合
し、成形、焼結する場合には、結合材4中の珪素とダイ
ヤモンド砥粒3との反応焼結によって、そのダイヤモン
ド砥粒の表面に生成されるものである。また、上記炭化
物膜5は、ダイヤモンド砥粒3の表面に、予め周期律表
IV,VまたはVI族に示されている金属の炭化物膜5のコ
ーティング処理を施すことにより形成することもでき
る。
【0014】上記焼結体2において使用するダイヤモン
ド砥粒3の粒度には特に制限はないが、一般的には、J
IS B4130に規定する粒度#325/#400〜
#30/#40の砥粒であることが好ましい。ダイヤモ
ンド砥粒の粒径が#325/#400未満であると、ダ
イヤモンド砥粒のドレッシング面からの突き出し量が低
く、十分なCMP研磨布のドレッシングができないか、
ドレッシングスピードが遅くなるおそれがある。ダイヤ
モンド砥粒の粒径が、#30/#40を超えると、ドレ
ッシングの際にCMP研磨布が粗面化するか、研磨布の
除去スピードが極端に速く、使用に耐えなくなるおそれ
がある。
【0015】結合材4として、少なくともその一部に珪
素合金を用いる場合には、珪素成分を15重量%以上含
有することが好ましく、合金金属としては、周期律表I
V,VまたはVIに示されている金属を用いることができ
るが、特に、チタン、クロム、タンタル、タングステ
ン、モリブデンなどを好適に使用することができる。上
記珪素成分が15重量%未満であると、得られた焼結体
2の耐酸性が不十分になるおそれがある。
【0016】本発明において利用できる燒結法として
は、黒鉛型による通常のホットプレス、通電加圧焼結、
放電加圧焼結、熱間静水圧焼結(HIP)、超高圧装置
による焼結などを始め、数多くの方法があるが、本発明
における焼結は、特定の焼結法等に限定されるものでは
なく、好適な焼結法を適宜選択して利用することができ
る。また、ダイヤモンド砥粒3への炭化物膜5のコーテ
ィング法としては、PVD法、CVD法、メッキ法、溶
融塩浴を用いる浸漬法などがあるが、好適な方法を適宜
選択して利用することができる。
【0017】上記焼結体2をドレッサーとして使用する
に際しては、図1および2図に示すように、それを接着
剤6によって台盤1の周囲の作用面1aに固定した後、
そのドレッシング面2aについての平面化及び目立て加
工によって、所定の寸法に仕上げると共にダイヤモンド
砥粒をドレッシングに適するように突き出させる。この
ようにして構成した本発明のCMP研磨布用ドレッサー
は、結合材に耐酸性の珪素及び珪素合金を用いているた
め、強い酸性の化学スラリーを用いた場合でも、金属の
溶出及びダイヤモンド砥粒の脱落がない。そのため、C
MP加工後のウエハ洗浄工程を簡略化でき、ドレッシン
グ面2aからのダイヤモンド砥粒の脱落によるワーク面
のスクラッチきずを回避することができる。以下に実施
例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこ
れらの実施例により何ら限定されるものではない。
【0018】
【実施例】[実施例1]粒度#100/#120のダイ
ヤモンド砥粒と、重量比で1:1のチタン−珪素合金粉
末とを、体積比で1:3になるように混合し、得られた
混合粉末を黒鉛型に充填して、焼結温度1200℃、圧
力50MPaで1時間、ホットプレス焼結した。得られ
た焼結体は、ステンレス鋼(SUS316)製の台盤
(図1参照)上にエポキシ樹脂で接着した後、焼結体の
ドレッシング面を、粒度#240のGC研削砥石を用い
て、焼結体厚さ及びマトリックスからのダイヤモンド砥
粒の突き出し高さが、それぞれ2mm、50μmとなる
ように、平面化及び目立て加工し、ドレッサーとした。
【0019】作製したドレッサーについて、次の酸性耐
久試験及び砥粒脱落耐久試験を行った。酸性耐久試験
は、切り出した焼結体を、500mlの10重量%硝酸
水溶液中に100時間浸漬し、焼結体の重量変化を電子
天秤(測定感度1mg)を用いて測定した。図3に、浸
漬時間(横軸)に対する測定した焼結体の重量変化率
(縦軸)を示す。図より、焼結体の重量減少はなく、良
好な耐酸性を示すことがわかる。なお、比較のため、粒
度#100/#120のダイヤモンド砥粒をNi電鋳し
た試料について、同様の酸性耐久試験を実施したとこ
ろ、30時間後の重量変化率は4.0%であった。
【0020】また、脱落耐久試験は、作製したドレッサ
ーを発泡ウレタン製のCMP研磨布の表面に面圧20k
Paで押し付け、粒度#4000のアルミナ砥粒を2重
量%含んだ純水スラリーを毎分約12ml流布しなが
ら、100時間の連続ドレッシングを行った。ダイヤモ
ンド砥粒の脱落及び突き出し高さの変化は、ドレッシン
グ前後に、ドレッサー上の4箇所でその表面を光学顕微
鏡で観察して調べた。図4及び図5は、それぞれドレッ
シング前及びドレッシング後の観察結果例を示すもので
ある。これらの図(写真)によれば、ドレッシング前後
でダイヤモンド砥粒の脱落は観察されず、さらに、測定
したダイヤモンド砥粒の突き出し高さの変化はなく、良
好な砥粒保持耐久性を示すことが確認できた。
【0021】[実施例2]CVD法により炭化チタンを
約2μmコーティングした粒度#100/#120のダ
イヤモンド砥粒と、重量比で1:1のチタン−珪素合金
粉末とを、体積比で1:3になるように混合し、得られ
た混合粉末を黒鉛型に充填し、焼成温度1200℃、圧
力50MPaで1時間、ホットプレス焼結した。得られ
た焼結体は、ステンレス鋼(SUS316)製の台盤1
上にエポキシ樹脂で接着した後、焼結体のドレッシング
面を、粒度#240のGC研削砥石を用いて、焼結体厚
さ及びマトリックスからのダイヤモンド砥粒の突き出し
高さが、それぞれ2mm、50μmとなるように平面化
及び目立て加工し、ドレッサーとした。
【0022】作製したドレッサーについては、実施例1
と同条件で酸性耐久試験及び砥粒脱落耐久試験を行っ
た。耐酸耐久試験の結果を図6に示す。同図は、浸漬時
間(横軸)に対する測定した焼結体の重量変化率(縦
軸)を示すもので、同図により、焼結体の重量減少はな
く、良好な耐酸性を示すことがわかる。また、実施例1
と同様に、脱落耐久試験において、ダイヤモンド砥粒の
脱落及び突き出し高さの変化を、ドレッシング前後にド
レッサー上の4箇所で光学顕微鏡により観察したが、同
様にドレッシング前後でダイヤモンド砥粒の脱落は観察
されず、測定したダイヤモンド砥粒の突き出し高さの変
化もなく、良好な砥粒保持耐久性を示すことが確認でき
た。
【0023】
【発明の効果】以上に詳述した本発明のCMP研磨布用
ドレッサーによれば、研磨液(化学スラリー)による強
い酸性条件下でのCMP加工に使用しても、結合材から
金属が溶出したり、ダイヤモンド砥粒が脱落するおそれ
がなく、安定してドレッシングを行うことができ、ま
た、本発明の製造方法によれば、簡単な手段によって上
記CMP研磨布用ドレッサーを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る研磨布用ドレッサーの実施例を示
す斜視図である。
【図2】上記ドレッサーの回転中心に平行な平面で切断
した要部断面図である。
【図3】本発明の実施例1の研磨布用ドレッサー及び比
較例の酸性耐久試験結果を示すグラフである。
【図4】本発明の実施例1の研磨布用ドレッサーのドレ
ッシング前の表面を観察した図面代用光学顕微鏡写真で
ある。
【図5】実施例1の研磨布用ドレッサーにおける図4と
同一位置のドレッシング後の表面を観察した図面代用光
学顕微鏡写真である。
【図6】本発明の実施例2の研磨布用ドレッサーの酸性
耐久試験結果を示すグラフである。
【符号の説明】
1 台盤 1a 台盤作用面 2 焼結体 2a ドレッシング面 3 ダイヤモンド砥粒 4 結合材 5 炭化物膜 6 接着剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B24D 3/06 B24D 3/06 A Fターム(参考) 3C047 EE19 3C063 AA10 BB02 BB15 BC02 CC02 EE26

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】珪素及び/または珪素合金からなる結合材
    とダイヤモンド砥粒とを混合し、成形、焼結することに
    よって得られた焼結体によりドレッシング面が構成さ
    れ、上記ダイヤモンド砥粒の表面には結合材中の珪素と
    ダイヤモンドとの反応焼成により生成された炭化物膜を
    備え、それにより上記焼結体におけるダイヤモンド砥粒
    と結合材とが強固に結合されて成る研磨布用ドレッサ
    ー。
  2. 【請求項2】珪素及び/または珪素合金からなる結合材
    と、周期律表IV,VまたはVI族の金属の炭化物膜コーテ
    ィング処理が施されているダイヤモンド砥粒とを混合
    し、成形、焼結することによって得られた焼結体により
    ドレッシング面が構成され、上記炭化物膜により上記焼
    結体におけるダイヤモンド砥粒と結合材とが強固に結合
    されて成る研磨布用ドレッサー。
  3. 【請求項3】請求項1または2に記載の焼結体を台盤の
    表面に接着し、そのドレッシング面についての平面化及
    び目立て加工によって所定の寸法に仕上げると共にダイ
    ヤモンド砥粒を突き出させたことを特徴とする研磨布用
    ドレッサー。
  4. 【請求項4】珪素及び/または珪素合金からなる結合材
    とダイヤモンド砥粒とを混合し、成形、焼結することに
    よって、上記ダイヤモンド砥粒の表面にそのダイヤモン
    ドと結合材中の珪素との反応焼結による炭化物膜を生成
    させ、その炭化物膜により上記ダイヤモンド砥粒と結合
    材とを強固に結合したドレッシング用の焼結体を得るこ
    とを特徴とする研磨布用ドレッサーの製造方法。
  5. 【請求項5】珪素及び/または珪素合金からなる結合材
    と、周期律表IV,VまたはVI族の金属の炭化物膜コーテ
    ィング処理が施されているダイヤモンド砥粒とを混合
    し、成形、焼結することによって、上記炭化物膜により
    上記ダイヤモンド砥粒と結合材とを強固に結合したドレ
    ッシング用の焼結体を得ることを特徴とする研磨布用ド
    レッサーの製造方法。
JP36175399A 1999-12-20 1999-12-20 Cmp研磨布用ドレッサー及びその製造方法 Expired - Lifetime JP3527448B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP36175399A JP3527448B2 (ja) 1999-12-20 1999-12-20 Cmp研磨布用ドレッサー及びその製造方法
US09/612,959 US6293854B1 (en) 1999-12-20 2000-07-10 Dresser for polishing cloth and manufacturing method therefor
TW089114136A TW474850B (en) 1999-12-20 2000-07-14 Dresser for polishing cloths and its manufacturing method
KR10-2000-0059065A KR100426527B1 (ko) 1999-12-20 2000-10-07 연마포용 드레서 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP36175399A JP3527448B2 (ja) 1999-12-20 1999-12-20 Cmp研磨布用ドレッサー及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001179638A true JP2001179638A (ja) 2001-07-03
JP3527448B2 JP3527448B2 (ja) 2004-05-17

Family

ID=18474755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP36175399A Expired - Lifetime JP3527448B2 (ja) 1999-12-20 1999-12-20 Cmp研磨布用ドレッサー及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6293854B1 (ja)
JP (1) JP3527448B2 (ja)
KR (1) KR100426527B1 (ja)
TW (1) TW474850B (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005288685A (ja) * 2004-03-10 2005-10-20 Read Co Ltd 研磨布用ドレッサー及びその製造方法
JP2006528081A (ja) * 2003-07-18 2006-12-14 ウニベルシダッド ナシオナル アウトノマ デ メキシコ 光学製品表面及び半導体表面を切削及び研磨するための流体力学による径方向フラックスを用いた研磨ツール
JP2009190170A (ja) * 2004-03-10 2009-08-27 Read Co Ltd 研磨布用ドレッサー及びその製造方法
CN103100977A (zh) * 2013-01-29 2013-05-15 中国地质大学(北京) 一种高强度的金刚石砂轮修整笔的制备方法
CN103659627A (zh) * 2012-09-20 2014-03-26 周道林 一种竹麻抛光轮及其制造方法
CN105690285A (zh) * 2014-11-24 2016-06-22 周道林 抛光轮及其制作方法

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9199357B2 (en) 1997-04-04 2015-12-01 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US9463552B2 (en) 1997-04-04 2016-10-11 Chien-Min Sung Superbrasvie tools containing uniformly leveled superabrasive particles and associated methods
US9868100B2 (en) 1997-04-04 2018-01-16 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US9238207B2 (en) 1997-04-04 2016-01-19 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US9409280B2 (en) 1997-04-04 2016-08-09 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US9221154B2 (en) 1997-04-04 2015-12-29 Chien-Min Sung Diamond tools and methods for making the same
JP3387858B2 (ja) * 1999-08-25 2003-03-17 理化学研究所 ポリッシングパッドコンディショナー
JP2001162532A (ja) * 1999-09-29 2001-06-19 Toshiba Corp ドレッサ、研磨装置ならびに物品の製造方法
KR100486429B1 (ko) * 2000-09-13 2005-04-29 가부시키가이샤 아라이도 마테리아루 경면 가공용 초지립 휠
JP4599696B2 (ja) * 2000-09-21 2010-12-15 アイシン精機株式会社 自動車のドライビングポジション調整装置
JP4216025B2 (ja) * 2002-09-09 2009-01-28 株式会社リード 研磨布用ドレッサー及びそれを用いた研磨布のドレッシング方法
JP4234991B2 (ja) * 2002-12-26 2009-03-04 Hoya株式会社 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及びその製造方法によって製造される情報記録媒体用ガラス基板
US20050221729A1 (en) * 2003-03-19 2005-10-06 Lee Chin F Method of repairing a pedestal surface
KR20040084153A (ko) * 2003-03-26 2004-10-06 (주)디디다이아 유리질 화합물을 사용하여 화학기계적 연마 패드콘디셔너를 제조하는 방법 및 그에 의해 제조된화학기계적 연마 패드 콘디셔너
US7658666B2 (en) * 2004-08-24 2010-02-09 Chien-Min Sung Superhard cutters and associated methods
US20060258276A1 (en) * 2005-05-16 2006-11-16 Chien-Min Sung Superhard cutters and associated methods
US7762872B2 (en) * 2004-08-24 2010-07-27 Chien-Min Sung Superhard cutters and associated methods
US20070060026A1 (en) * 2005-09-09 2007-03-15 Chien-Min Sung Methods of bonding superabrasive particles in an organic matrix
US8622787B2 (en) 2006-11-16 2014-01-07 Chien-Min Sung CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods
US9138862B2 (en) 2011-05-23 2015-09-22 Chien-Min Sung CMP pad dresser having leveled tips and associated methods
US8393934B2 (en) 2006-11-16 2013-03-12 Chien-Min Sung CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods
US9724802B2 (en) 2005-05-16 2017-08-08 Chien-Min Sung CMP pad dressers having leveled tips and associated methods
US8678878B2 (en) 2009-09-29 2014-03-25 Chien-Min Sung System for evaluating and/or improving performance of a CMP pad dresser
US8398466B2 (en) 2006-11-16 2013-03-19 Chien-Min Sung CMP pad conditioners with mosaic abrasive segments and associated methods
TW200708375A (en) * 2005-08-24 2007-03-01 Kinik Co Ceramic polishing pad conditioner/dresser having plastic base and manufacturing method thereof
US20080153398A1 (en) * 2006-11-16 2008-06-26 Chien-Min Sung Cmp pad conditioners and associated methods
JP2008132573A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Mitsubishi Materials Corp Cmpコンディショナ
KR20100106328A (ko) 2007-11-13 2010-10-01 치엔 민 성 Cmp 패드 드레서
US9011563B2 (en) 2007-12-06 2015-04-21 Chien-Min Sung Methods for orienting superabrasive particles on a surface and associated tools
KR100881162B1 (ko) * 2008-03-28 2009-02-03 주식회사 세라코리 연마패드용 컨디셔닝 디스크의 제조방법
CA2762861C (en) * 2009-08-14 2016-10-11 Longyear Tm, Inc. Diamond impregnated bit with aggressive face profile
TWI464839B (zh) 2010-09-21 2014-12-11 Ritedia Corp 單層鑽石顆粒散熱器及其相關方法
WO2012162430A2 (en) 2011-05-23 2012-11-29 Chien-Min Sung Cmp pad dresser having leveled tips and associated methods
TWI511841B (zh) * 2013-03-15 2015-12-11 Kinik Co 貼合式化學機械硏磨修整器及其製法
JP5954293B2 (ja) * 2013-10-17 2016-07-20 信越半導体株式会社 研磨用の発泡ウレタンパッドのドレッシング装置
JP2018032745A (ja) * 2016-08-24 2018-03-01 東芝メモリ株式会社 ドレッサー、ドレッサーの製造方法、及び半導体装置の製造方法
CN115284186B (zh) * 2022-08-09 2023-08-04 广东工业大学 一种低温陶瓷结合剂金刚石砂轮及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62271604A (ja) * 1986-05-20 1987-11-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 硬質研磨材体およびその製造方法
JPS6471661A (en) * 1987-09-09 1989-03-16 Showa Denko Kk Mirror polishing method for semiconductor wafer
JPH09103965A (ja) * 1995-10-09 1997-04-22 Alps Electric Co Ltd 多孔質超砥粒砥石とその製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4717964Y1 (ja) * 1969-09-17 1972-06-21
JP3368312B2 (ja) 1996-06-26 2003-01-20 新日本製鐵株式会社 半導体基板用研磨布のドレッサーおよびその製造方法
JP2896657B2 (ja) * 1996-06-28 1999-05-31 旭ダイヤモンド工業株式会社 ドレッサ及びその製造方法
US5921856A (en) * 1997-07-10 1999-07-13 Sp3, Inc. CVD diamond coated substrate for polishing pad conditioning head and method for making same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62271604A (ja) * 1986-05-20 1987-11-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 硬質研磨材体およびその製造方法
JPS6471661A (en) * 1987-09-09 1989-03-16 Showa Denko Kk Mirror polishing method for semiconductor wafer
JPH09103965A (ja) * 1995-10-09 1997-04-22 Alps Electric Co Ltd 多孔質超砥粒砥石とその製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006528081A (ja) * 2003-07-18 2006-12-14 ウニベルシダッド ナシオナル アウトノマ デ メキシコ 光学製品表面及び半導体表面を切削及び研磨するための流体力学による径方向フラックスを用いた研磨ツール
JP4719675B2 (ja) * 2003-07-18 2011-07-06 ウニベルシダッド ナシオナル アウトノマ デ メキシコ 光学製品表面及び半導体表面を切削及び研磨するための流体力学による径方向フラックスを用いた研磨ツール
JP2005288685A (ja) * 2004-03-10 2005-10-20 Read Co Ltd 研磨布用ドレッサー及びその製造方法
JP2009190170A (ja) * 2004-03-10 2009-08-27 Read Co Ltd 研磨布用ドレッサー及びその製造方法
CN103659627A (zh) * 2012-09-20 2014-03-26 周道林 一种竹麻抛光轮及其制造方法
CN103100977A (zh) * 2013-01-29 2013-05-15 中国地质大学(北京) 一种高强度的金刚石砂轮修整笔的制备方法
CN105690285A (zh) * 2014-11-24 2016-06-22 周道林 抛光轮及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6293854B1 (en) 2001-09-25
KR20010067303A (ko) 2001-07-12
JP3527448B2 (ja) 2004-05-17
TW474850B (en) 2002-02-01
KR100426527B1 (ko) 2004-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3527448B2 (ja) Cmp研磨布用ドレッサー及びその製造方法
KR100360669B1 (ko) 연마드레싱용 공구 및 그의 제조방법
JP4216025B2 (ja) 研磨布用ドレッサー及びそれを用いた研磨布のドレッシング方法
JP2896657B2 (ja) ドレッサ及びその製造方法
TWI286963B (en) Dresser for polishing cloth and method for manufacturing thereof
WO2009091140A2 (en) Conditioner for chemical mechanical planarization pad
JP2009136926A (ja) コンディショナおよびコンディショニング方法
EP1201367B1 (en) Dresser for polishing cloth and manufacturing method therefor
JP5734730B2 (ja) 研磨布用ドレッサー
JP4084944B2 (ja) Cmp用コンディショナ
JPH04105874A (ja) 研磨用砥石およびそれを用いた研磨方法
JP2006218577A (ja) 研磨布用ドレッサー
JP3609059B2 (ja) Cmp加工用ドレッサ
JP2001239449A (ja) Cmp用パッドコンディショナー
JP3482313B2 (ja) 半導体基板用研磨布のドレッサーおよびその製造方法
JPH10113876A (ja) ダイヤモンド砥石とその製造方法および工具
JP2000246650A (ja) 耐食性砥石
JP2002127011A (ja) Cmpコンディショナ
JP3293579B2 (ja) 電着砥石
JPH10175156A (ja) 半導体基板用研磨布のドレッサーおよびその製造方法
JP2005288685A (ja) 研磨布用ドレッサー及びその製造方法
JP3482328B2 (ja) 半導体基板用研磨布のドレッサーおよびその製造方法
JP2004338028A (ja) 研削用砥石及びこの研削用砥石を備える研削装置
JP3537300B2 (ja) 半導体基板用研磨布のドレッサーおよびその製造方法
KR200201101Y1 (ko) 연마드레싱용 공구

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040120

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040219

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3527448

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110227

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110227

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120227

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140227

Year of fee payment: 10

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term