JP2001179638A - 研磨布用ドレッサー及びその製造方法 - Google Patents
研磨布用ドレッサー及びその製造方法Info
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- 239000004744 fabric Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 76
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 76
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 7
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 18
- 239000002002 slurry Substances 0.000 abstract description 16
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ti] Chemical compound [Si].[Ti] UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical compound [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N iron(2+);dinitrate Chemical compound [Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D18/00—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
- B24D18/0009—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for using moulds or presses
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
- B24D3/02—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent
- B24D3/20—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents the constituent being used as bonding agent and being essentially organic
- B24D3/28—Resins or natural or synthetic macromolecular compounds
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
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Abstract
モンド砥粒を保持する結合材が侵されず、金属の溶出に
よる化学スラリーの汚染やダイヤモンド砥粒の脱落を生
じさせない化学的機械的平面化研磨布用ドレッサーを提
供する。 【解決手段】 珪素及び/または珪素合金からなる結合
材4とダイヤモンド砥粒3とを混合し、成形、焼結する
ことによって、ドレッシング面2aを構成する焼結体2
を得る。この焼結体のダイヤモンド砥粒3の表面には、
結合材4中の珪素とダイヤモンドとの反応焼結により生
成された炭化物膜5が形成され、それにより上記焼結体
におけるダイヤモンド砥粒と結合材とを強固に結合さ
れ、化学スラリーによっても結合材が侵されず、化学ス
ラリーの汚染やダイヤモンド砥粒の脱落を生じさせな
い。
Description
化研磨(Chemical and Mechanical Polishing :以下、
CMPと略記する。)の工程で研磨布の目詰まりや異物
除去を行う際に使用するCMP研磨布用ドレッサー及び
その製造方法に関するものである。
子回路を製造する過程において、基板やウエハ表面上に
形成された導電体層、誘電体層及び絶縁膜層の高い隆起
や結晶格子欠陥、引っ掻ききず及び粗さなどの表面欠陥
を除去するために、CMP加工が用いられる。CMP加
工においては、ウエハが円盤状の定盤に貼り付けた発泡
ポリウレタンなどからなる研磨布上に所定の荷重で押し
付けられ、化学スラリーと呼ばれる研磨液を供給しなが
ら、ウエハと研磨布の両方を回転させることにより研磨
される。化学スラリーは、酸化鉄、炭酸バリウム、酸化
セリウム、コロイダルシリカなどの研磨粒子を、水酸化
カリウム、希塩酸、過酸化水素水、硝酸鉄などの研磨液
に懸濁させたものが用いられ、より大きな研磨速度及び
ウエハ上の前記各層間の高い選択性を与えている。
過程で幾度も繰り返されるために、CMP加工の回数の
増加に伴い、研磨粒子や研磨屑などが研磨布の微細な穴
に入り込んで目詰まりを起こし、研磨速度が低下する。
このため、研磨布の表面を再生して研磨速度を回復させ
る、いわゆるドレッシングと呼ばれる操作を、常時、あ
るいは定期的に行う必要があり、このような操作には、
CMP研磨布用ドレッサーと呼ばれる工具が使用され
る。
材料であるため、ダイヤモンド砥粒を利用したCMP研
磨布用ドレッサーが検討され、例えば、ダイヤモンド砥
粒をステンレス鋼上にニッケルメッキ電着する方法が提
案されている。また、特開平10−12579号公報に
は、金属ろう材を用いてダイヤモンド砥粒をステンレス
鋼上にろう付けする方法が提案されている。しかし、高
い酸性の化学スラリーによって、これらのニッケルメッ
キ材及び金属ろう材が溶出し、化学スラリーが汚染され
ると共にダイヤモンド砥粒が脱落し、CMP加工中にウ
エハ表面に引っ掻ききずを生じさせるおそれがある。こ
のため、高い酸性の化学スラリーを用いたCMP加工に
おいて、金属の溶出やダイヤモンド砥粒が脱落するおそ
れのないCMP研磨布用ドレッサーが望まれている。
問題を解消するためになされたもので、その技術的課題
は、集積回路などの集積度の高い電子回路用材のCMP
加工において、高い酸性の化学スラリーによっても、ダ
イヤモンド砥粒を保持する結合材が侵されるおそれがな
く、金属の溶出による化学スラリーの汚染やダイヤモン
ド砥粒の脱落を生じさせることがない、CMP研磨布用
ドレッサー及びその製造方法を提供することにある。ま
た、本発明の他の技術的課題は、簡単な手段によって得
られるようにした、上記化学スラリーにより結合材が侵
されるおそれのない研磨布用ドレッサー、及びその製造
方法を提供することにある。
の本発明に係る第1の研磨布用ドレッサーは、珪素及び
/または珪素合金からなる結合材とダイヤモンド砥粒と
を混合し、成形、焼結することによって得られた焼結体
によりドレッシング面が構成され、上記ダイヤモンド砥
粒の表面には結合材中の珪素とダイヤモンドとの反応焼
結により生成された炭化物膜を備え、それにより上記焼
結体におけるダイヤモンド砥粒と結合材とを強固に結合
したことを特徴とするものである。また、本発明に係る
第2の研磨布用ドレッサーは、珪素及び/または珪素合
金からなる結合材と、周期律表IV,VまたはVI族の金属
の炭化物膜コーティング処理が施されているダイヤモン
ド砥粒とを混合し、成形、焼結することによって得られ
た焼結体によりドレッシング面が構成され、上記炭化物
膜により上記焼結体におけるダイヤモンド砥粒と結合材
とを強固に結合したことを特徴とするものである。
体を台盤の表面に接着し、そのドレッシング面について
の平面化及び目立て加工によって、所定の寸法に仕上げ
ると共にダイヤモンド砥粒を突き出させることができ
る。
レッサーの製造方法は、珪素及び/または珪素合金から
なる結合材とダイヤモンド砥粒とを混合し、成形、焼結
することによって、上記ダイヤモンド砥粒の表面にその
ダイヤモンドと結合材中の珪素との反応焼結による炭化
物膜を生成させ、その炭化物膜により上記ダイヤモンド
砥粒と結合材とを強固に結合したドレッシング用の焼結
体を得ることを特徴とするものである。また、本発明に
係る第2の研磨布用ドレッサーの製造方法は、珪素及び
/または珪素合金からなる結合材と、周期律表IV,Vま
たはVI族の金属の炭化物膜コーティング処理が施されて
いるダイヤモンド砥粒とを混合し、成形、焼結すること
によって、上記炭化物膜により上記ダイヤモンド砥粒と
結合材とを強固に結合したドレッシング用の焼結体を得
ることを特徴とするものである。
その製造方法によれば、集積回路などの集積度の高い電
子回路用材のCMP加工において、珪素及び/または珪
素合金からなる結合材が、硝酸に代表される酸性液中に
おいて優れた耐酸性を示すために、結合材の溶出による
研磨液の汚染がなく、CMP加工後のウエハの洗浄工程
も簡略化することができる。また、本発明によれば、上
記化学スラリーにより結合材が侵されるおそれのない研
磨布用ドレッサー及びその製造方法を、簡単な手段によ
って得ることができる。
ッサーは、珪素及び/または珪素合金からなる結合材
と、ダイヤモンド砥粒あるいは周期律表IV,VまたはVI
に示されている金属によって生成される炭化物膜コーテ
ィング処理が施されているダイヤモンド砥粒とを混合
し、成形、焼結することによって得られた焼結体によ
り、ドレッシング面が構成され、具体的には、上記焼結
体を金属、セラミックスあるいはプラスチックス等から
なる台盤の表面に接着した後、そのドレッシング面につ
いての平面化及び目立て加工によって所定の寸法に仕上
げると共にダイヤモンド砥粒を突き出させることにより
構成される。
とダイヤモンド砥粒とを混合し、成形、焼結することに
よって焼結体を得る場合には、その焼結においてダイヤ
モンド砥粒の表面に結合材中の珪素とダイヤモンドとの
反応焼結により生成された炭化物膜が形成され、それに
より上記焼結体におけるダイヤモンド砥粒と結合材とが
強固に結合される。
は、本発明に係るCMP研磨布用ドレッサーの実施例を
示し、図1はそのドレッサーの全体的な構成を、図2
は、図1のドレッサーを回転中心軸を通る平面で切断し
た断面を示している。この実施例のCMP研磨布用ドレ
ッサーは、金属、セラミックスあるいはプラスチックス
等からなるカップ型の台盤1の周囲の作用面1aに、前
述した焼結体2の多数が接着されている。図2に示すよ
うに、この焼結体2におけるダイヤモンド砥粒3は、そ
の表面に炭化物膜5が生成され、この炭化物膜5によっ
て、ダイヤモンド砥粒3と珪素及び/または珪素合金か
らなる結合材4が強固に結合されている。
合金からなる結合材4とダイヤモンド砥粒3とを混合
し、成形、焼結する場合には、結合材4中の珪素とダイ
ヤモンド砥粒3との反応焼結によって、そのダイヤモン
ド砥粒の表面に生成されるものである。また、上記炭化
物膜5は、ダイヤモンド砥粒3の表面に、予め周期律表
IV,VまたはVI族に示されている金属の炭化物膜5のコ
ーティング処理を施すことにより形成することもでき
る。
ド砥粒3の粒度には特に制限はないが、一般的には、J
IS B4130に規定する粒度#325/#400〜
#30/#40の砥粒であることが好ましい。ダイヤモ
ンド砥粒の粒径が#325/#400未満であると、ダ
イヤモンド砥粒のドレッシング面からの突き出し量が低
く、十分なCMP研磨布のドレッシングができないか、
ドレッシングスピードが遅くなるおそれがある。ダイヤ
モンド砥粒の粒径が、#30/#40を超えると、ドレ
ッシングの際にCMP研磨布が粗面化するか、研磨布の
除去スピードが極端に速く、使用に耐えなくなるおそれ
がある。
素合金を用いる場合には、珪素成分を15重量%以上含
有することが好ましく、合金金属としては、周期律表I
V,VまたはVIに示されている金属を用いることができ
るが、特に、チタン、クロム、タンタル、タングステ
ン、モリブデンなどを好適に使用することができる。上
記珪素成分が15重量%未満であると、得られた焼結体
2の耐酸性が不十分になるおそれがある。
は、黒鉛型による通常のホットプレス、通電加圧焼結、
放電加圧焼結、熱間静水圧焼結(HIP)、超高圧装置
による焼結などを始め、数多くの方法があるが、本発明
における焼結は、特定の焼結法等に限定されるものでは
なく、好適な焼結法を適宜選択して利用することができ
る。また、ダイヤモンド砥粒3への炭化物膜5のコーテ
ィング法としては、PVD法、CVD法、メッキ法、溶
融塩浴を用いる浸漬法などがあるが、好適な方法を適宜
選択して利用することができる。
に際しては、図1および2図に示すように、それを接着
剤6によって台盤1の周囲の作用面1aに固定した後、
そのドレッシング面2aについての平面化及び目立て加
工によって、所定の寸法に仕上げると共にダイヤモンド
砥粒をドレッシングに適するように突き出させる。この
ようにして構成した本発明のCMP研磨布用ドレッサー
は、結合材に耐酸性の珪素及び珪素合金を用いているた
め、強い酸性の化学スラリーを用いた場合でも、金属の
溶出及びダイヤモンド砥粒の脱落がない。そのため、C
MP加工後のウエハ洗浄工程を簡略化でき、ドレッシン
グ面2aからのダイヤモンド砥粒の脱落によるワーク面
のスクラッチきずを回避することができる。以下に実施
例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこ
れらの実施例により何ら限定されるものではない。
ヤモンド砥粒と、重量比で1:1のチタン−珪素合金粉
末とを、体積比で1:3になるように混合し、得られた
混合粉末を黒鉛型に充填して、焼結温度1200℃、圧
力50MPaで1時間、ホットプレス焼結した。得られ
た焼結体は、ステンレス鋼(SUS316)製の台盤
(図1参照)上にエポキシ樹脂で接着した後、焼結体の
ドレッシング面を、粒度#240のGC研削砥石を用い
て、焼結体厚さ及びマトリックスからのダイヤモンド砥
粒の突き出し高さが、それぞれ2mm、50μmとなる
ように、平面化及び目立て加工し、ドレッサーとした。
久試験及び砥粒脱落耐久試験を行った。酸性耐久試験
は、切り出した焼結体を、500mlの10重量%硝酸
水溶液中に100時間浸漬し、焼結体の重量変化を電子
天秤(測定感度1mg)を用いて測定した。図3に、浸
漬時間(横軸)に対する測定した焼結体の重量変化率
(縦軸)を示す。図より、焼結体の重量減少はなく、良
好な耐酸性を示すことがわかる。なお、比較のため、粒
度#100/#120のダイヤモンド砥粒をNi電鋳し
た試料について、同様の酸性耐久試験を実施したとこ
ろ、30時間後の重量変化率は4.0%であった。
ーを発泡ウレタン製のCMP研磨布の表面に面圧20k
Paで押し付け、粒度#4000のアルミナ砥粒を2重
量%含んだ純水スラリーを毎分約12ml流布しなが
ら、100時間の連続ドレッシングを行った。ダイヤモ
ンド砥粒の脱落及び突き出し高さの変化は、ドレッシン
グ前後に、ドレッサー上の4箇所でその表面を光学顕微
鏡で観察して調べた。図4及び図5は、それぞれドレッ
シング前及びドレッシング後の観察結果例を示すもので
ある。これらの図(写真)によれば、ドレッシング前後
でダイヤモンド砥粒の脱落は観察されず、さらに、測定
したダイヤモンド砥粒の突き出し高さの変化はなく、良
好な砥粒保持耐久性を示すことが確認できた。
約2μmコーティングした粒度#100/#120のダ
イヤモンド砥粒と、重量比で1:1のチタン−珪素合金
粉末とを、体積比で1:3になるように混合し、得られ
た混合粉末を黒鉛型に充填し、焼成温度1200℃、圧
力50MPaで1時間、ホットプレス焼結した。得られ
た焼結体は、ステンレス鋼(SUS316)製の台盤1
上にエポキシ樹脂で接着した後、焼結体のドレッシング
面を、粒度#240のGC研削砥石を用いて、焼結体厚
さ及びマトリックスからのダイヤモンド砥粒の突き出し
高さが、それぞれ2mm、50μmとなるように平面化
及び目立て加工し、ドレッサーとした。
と同条件で酸性耐久試験及び砥粒脱落耐久試験を行っ
た。耐酸耐久試験の結果を図6に示す。同図は、浸漬時
間(横軸)に対する測定した焼結体の重量変化率(縦
軸)を示すもので、同図により、焼結体の重量減少はな
く、良好な耐酸性を示すことがわかる。また、実施例1
と同様に、脱落耐久試験において、ダイヤモンド砥粒の
脱落及び突き出し高さの変化を、ドレッシング前後にド
レッサー上の4箇所で光学顕微鏡により観察したが、同
様にドレッシング前後でダイヤモンド砥粒の脱落は観察
されず、測定したダイヤモンド砥粒の突き出し高さの変
化もなく、良好な砥粒保持耐久性を示すことが確認でき
た。
ドレッサーによれば、研磨液(化学スラリー)による強
い酸性条件下でのCMP加工に使用しても、結合材から
金属が溶出したり、ダイヤモンド砥粒が脱落するおそれ
がなく、安定してドレッシングを行うことができ、ま
た、本発明の製造方法によれば、簡単な手段によって上
記CMP研磨布用ドレッサーを得ることができる。
す斜視図である。
した要部断面図である。
較例の酸性耐久試験結果を示すグラフである。
ッシング前の表面を観察した図面代用光学顕微鏡写真で
ある。
同一位置のドレッシング後の表面を観察した図面代用光
学顕微鏡写真である。
耐久試験結果を示すグラフである。
Claims (5)
- 【請求項1】珪素及び/または珪素合金からなる結合材
とダイヤモンド砥粒とを混合し、成形、焼結することに
よって得られた焼結体によりドレッシング面が構成さ
れ、上記ダイヤモンド砥粒の表面には結合材中の珪素と
ダイヤモンドとの反応焼成により生成された炭化物膜を
備え、それにより上記焼結体におけるダイヤモンド砥粒
と結合材とが強固に結合されて成る研磨布用ドレッサ
ー。 - 【請求項2】珪素及び/または珪素合金からなる結合材
と、周期律表IV,VまたはVI族の金属の炭化物膜コーテ
ィング処理が施されているダイヤモンド砥粒とを混合
し、成形、焼結することによって得られた焼結体により
ドレッシング面が構成され、上記炭化物膜により上記焼
結体におけるダイヤモンド砥粒と結合材とが強固に結合
されて成る研磨布用ドレッサー。 - 【請求項3】請求項1または2に記載の焼結体を台盤の
表面に接着し、そのドレッシング面についての平面化及
び目立て加工によって所定の寸法に仕上げると共にダイ
ヤモンド砥粒を突き出させたことを特徴とする研磨布用
ドレッサー。 - 【請求項4】珪素及び/または珪素合金からなる結合材
とダイヤモンド砥粒とを混合し、成形、焼結することに
よって、上記ダイヤモンド砥粒の表面にそのダイヤモン
ドと結合材中の珪素との反応焼結による炭化物膜を生成
させ、その炭化物膜により上記ダイヤモンド砥粒と結合
材とを強固に結合したドレッシング用の焼結体を得るこ
とを特徴とする研磨布用ドレッサーの製造方法。 - 【請求項5】珪素及び/または珪素合金からなる結合材
と、周期律表IV,VまたはVI族の金属の炭化物膜コーテ
ィング処理が施されているダイヤモンド砥粒とを混合
し、成形、焼結することによって、上記炭化物膜により
上記ダイヤモンド砥粒と結合材とを強固に結合したドレ
ッシング用の焼結体を得ることを特徴とする研磨布用ド
レッサーの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36175399A JP3527448B2 (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | Cmp研磨布用ドレッサー及びその製造方法 |
US09/612,959 US6293854B1 (en) | 1999-12-20 | 2000-07-10 | Dresser for polishing cloth and manufacturing method therefor |
TW089114136A TW474850B (en) | 1999-12-20 | 2000-07-14 | Dresser for polishing cloths and its manufacturing method |
KR10-2000-0059065A KR100426527B1 (ko) | 1999-12-20 | 2000-10-07 | 연마포용 드레서 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36175399A JP3527448B2 (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | Cmp研磨布用ドレッサー及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001179638A true JP2001179638A (ja) | 2001-07-03 |
JP3527448B2 JP3527448B2 (ja) | 2004-05-17 |
Family
ID=18474755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP36175399A Expired - Lifetime JP3527448B2 (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | Cmp研磨布用ドレッサー及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6293854B1 (ja) |
JP (1) | JP3527448B2 (ja) |
KR (1) | KR100426527B1 (ja) |
TW (1) | TW474850B (ja) |
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US9463552B2 (en) | 1997-04-04 | 2016-10-11 | Chien-Min Sung | Superbrasvie tools containing uniformly leveled superabrasive particles and associated methods |
US9868100B2 (en) | 1997-04-04 | 2018-01-16 | Chien-Min Sung | Brazed diamond tools and methods for making the same |
US9238207B2 (en) | 1997-04-04 | 2016-01-19 | Chien-Min Sung | Brazed diamond tools and methods for making the same |
US9409280B2 (en) | 1997-04-04 | 2016-08-09 | Chien-Min Sung | Brazed diamond tools and methods for making the same |
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---|---|
US6293854B1 (en) | 2001-09-25 |
KR20010067303A (ko) | 2001-07-12 |
JP3527448B2 (ja) | 2004-05-17 |
TW474850B (en) | 2002-02-01 |
KR100426527B1 (ko) | 2004-04-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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