JPH10175156A - 半導体基板用研磨布のドレッサーおよびその製造方法 - Google Patents
半導体基板用研磨布のドレッサーおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH10175156A JPH10175156A JP15625897A JP15625897A JPH10175156A JP H10175156 A JPH10175156 A JP H10175156A JP 15625897 A JP15625897 A JP 15625897A JP 15625897 A JP15625897 A JP 15625897A JP H10175156 A JPH10175156 A JP H10175156A
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- JP
- Japan
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- polishing
- dresser
- diamond
- alloy
- semiconductor substrate
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- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 研磨布の目詰まりを除去し、研磨速度を安定
化し、品質および歩留まりの高い半導体製造を可能とす
るドレッサーを提供する。 【解決手段】 チタン、クロムまたはジルコニウムより
選ばれた１種以上を０．５〜２０ｗｔ％含む融点６５０
℃〜１２００℃の合金を用いて、ダイヤモンド粒子を金
属および／または合金からなる支持部材に、単層、ろう
付けし、ダイヤモンド粒子と前記合金との界面にチタ
ン、クロムまたはジルコニウムより選ばれた１種以上の
金属の炭化物層が形成されていることを特徴とする、半
導体基板の平面化研磨工程で使用される研磨布のドレッ
サーである。好ましくは、前記ダイヤモンド粒が、径５
０μｍ以上３００μｍ以下であり、支持部材がフェライ
ト系ステンレス鋼で、支持部材片面にのみダイヤモンド
粒がろう付けされたことを特徴とする。
化し、品質および歩留まりの高い半導体製造を可能とす
るドレッサーを提供する。 【解決手段】 チタン、クロムまたはジルコニウムより
選ばれた１種以上を０．５〜２０ｗｔ％含む融点６５０
℃〜１２００℃の合金を用いて、ダイヤモンド粒子を金
属および／または合金からなる支持部材に、単層、ろう
付けし、ダイヤモンド粒子と前記合金との界面にチタ
ン、クロムまたはジルコニウムより選ばれた１種以上の
金属の炭化物層が形成されていることを特徴とする、半
導体基板の平面化研磨工程で使用される研磨布のドレッ
サーである。好ましくは、前記ダイヤモンド粒が、径５
０μｍ以上３００μｍ以下であり、支持部材がフェライ
ト系ステンレス鋼で、支持部材片面にのみダイヤモンド
粒がろう付けされたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板の平面
化研磨工程で、研磨布の目詰まりや異物除去を行う際に
使用されるドレッサーに関する。
化研磨工程で、研磨布の目詰まりや異物除去を行う際に
使用されるドレッサーに関する。
【０００２】
【従来の技術】ウエーハのポリッシングにおいては、研
磨速度を確保しつつ、しかも機械的歪などの欠陥が入ら
ない研磨法が要求される。従来の機械的研磨法において
は、砥粒の粒径や研磨荷重を大きくすることにより、研
磨速度を確保することが可能である。しかし、研磨によ
り、種々の欠陥が入り、研磨速度の確保と被研磨材を無
欠陥に保つことの両立は不可能であった。そこで、化学
的かつ機械的平面化（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Pl
anarization ）と呼ばれる研磨法が考案された。この方
法は機械的研磨作用に化学的研磨作用を重畳して働かせ
ることにより、研磨速度の確保と被研磨材が無欠陥であ
ることの両立を可能としたものである。ＣＭＰは研磨速
度の確保と被研磨材が無欠陥であることの両立が必要で
ある、シリコンウエハーの仕上げポリッシング工程で広
く使用されている。また、近年では、デバイスの高集積
化に伴い集積回路を製造する所定の段階で、ウエーハや
ウエーハ表面に導電体・誘電体層が形成された半導体基
板の表面を研磨することが必要となってきた。半導体基
板は研磨されて、高い隆起や結晶格子損傷、引っかき
傷、粗さ等の表面欠陥、または埋もれた異物粒子を除去
される。通常、この工程は、ウエーハ上に種々の装置お
よび集積回路を形成する間に行われる。この研磨工程で
は、シリコンウエハーの仕上げポリッシング工程と同様
に、研磨速度の確保と無欠陥であることの両立が必要で
ある。化学スラリーを導入することにより、半導体表面
に、より大きな研磨除去速度および無欠陥性が与えられ
る化学的かつ機械的平面化（ＣＭＰ：Chemical Mechani
cal Planarization ）が行われる。一般に、ＣＭＰ工程
は、薄くかつ平坦な半導体材料を制御された圧力および
温度下で、湿った研磨表面に対して保持し、かつ回転さ
せる工程を含む。
磨速度を確保しつつ、しかも機械的歪などの欠陥が入ら
ない研磨法が要求される。従来の機械的研磨法において
は、砥粒の粒径や研磨荷重を大きくすることにより、研
磨速度を確保することが可能である。しかし、研磨によ
り、種々の欠陥が入り、研磨速度の確保と被研磨材を無
欠陥に保つことの両立は不可能であった。そこで、化学
的かつ機械的平面化（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Pl
anarization ）と呼ばれる研磨法が考案された。この方
法は機械的研磨作用に化学的研磨作用を重畳して働かせ
ることにより、研磨速度の確保と被研磨材が無欠陥であ
ることの両立を可能としたものである。ＣＭＰは研磨速
度の確保と被研磨材が無欠陥であることの両立が必要で
ある、シリコンウエハーの仕上げポリッシング工程で広
く使用されている。また、近年では、デバイスの高集積
化に伴い集積回路を製造する所定の段階で、ウエーハや
ウエーハ表面に導電体・誘電体層が形成された半導体基
板の表面を研磨することが必要となってきた。半導体基
板は研磨されて、高い隆起や結晶格子損傷、引っかき
傷、粗さ等の表面欠陥、または埋もれた異物粒子を除去
される。通常、この工程は、ウエーハ上に種々の装置お
よび集積回路を形成する間に行われる。この研磨工程で
は、シリコンウエハーの仕上げポリッシング工程と同様
に、研磨速度の確保と無欠陥であることの両立が必要で
ある。化学スラリーを導入することにより、半導体表面
に、より大きな研磨除去速度および無欠陥性が与えられ
る化学的かつ機械的平面化（ＣＭＰ：Chemical Mechani
cal Planarization ）が行われる。一般に、ＣＭＰ工程
は、薄くかつ平坦な半導体材料を制御された圧力および
温度下で、湿った研磨表面に対して保持し、かつ回転さ
せる工程を含む。
【０００３】ＣＭＰ工程の１例としては、例えば５〜３
００ｎｍ程度の粒径を有するシリカ粒子を苛性ソーダ、
アンモニアおよびアミン等のアルカリ溶液に懸濁させて
ｐＨ９〜１２程度にした化学スラリーとポリウレタン樹
脂等からなる研磨布が用いられる。研磨時には化学スラ
リーを流布しながら、半導体基板を研磨布に当接させて
相対回転させることにより、研磨が行われる。そして研
磨布のドレッシング法としては、研磨布に水または化学
スラリーを流しながら、ダイヤモンド電着砥石またはブ
ラッシ等を用いたブラッシングにより、研磨布の内部の
目詰まり、異物の除去を行っていた。
００ｎｍ程度の粒径を有するシリカ粒子を苛性ソーダ、
アンモニアおよびアミン等のアルカリ溶液に懸濁させて
ｐＨ９〜１２程度にした化学スラリーとポリウレタン樹
脂等からなる研磨布が用いられる。研磨時には化学スラ
リーを流布しながら、半導体基板を研磨布に当接させて
相対回転させることにより、研磨が行われる。そして研
磨布のドレッシング法としては、研磨布に水または化学
スラリーを流しながら、ダイヤモンド電着砥石またはブ
ラッシ等を用いたブラッシングにより、研磨布の内部の
目詰まり、異物の除去を行っていた。
【０００４】ＣＭＰ工程で使用されるドレッサーは、切
削や研削で使用される従来のダイヤモンド工具とは、次
の点で本質的に異なっている。切削工具ではダイヤモン
ドが少量脱落しても、ダイヤモンド脱落後の新生面に別
のダイヤモンドが残っていれば、切削能力の低下にはな
らないのに対して、ＣＭＰドレッサーでは脱落したダイ
ヤモンド砥粒が研磨布や半導体基板表面を傷つけるた
め、ダイヤモンドの脱落が少量でも許されない点であ
る。また、湿式で低い回転数で使用されるので、切削工
具で求められる耐熱性や極端な耐摩耗性は必要ない点で
ある。ダイヤモンド粒の脱落が問題になる従来のダイヤ
モンド工具としては、単粒の比較的大きなダイヤモンド
（一般的には直径１ｍｍ程度以上）を金属保持材に接合
したダイヤモンドバイトがある。しかし、ＣＭＰ工程で
使用されるドレッサーとは、次の点で本質的に異なって
いる。従来のダイヤモンドバイトでは、比較的大きなダ
イヤモンド（一般的には直径１ｍｍ程度以上）を単粒で
接合するのに対して、ＣＭＰ工程で使用されるドレッサ
ーは、比較的小さい（直径５０〜３００μｍ）ダイヤモ
ンドを単層で面状に接合している。また、ＣＭＰ工程で
使用されるドレッサーは、湿式で低い回転数で使用され
るので、ダイヤモンドバイトで求められる耐熱性や極端
な耐摩耗性は必要ない点である。
削や研削で使用される従来のダイヤモンド工具とは、次
の点で本質的に異なっている。切削工具ではダイヤモン
ドが少量脱落しても、ダイヤモンド脱落後の新生面に別
のダイヤモンドが残っていれば、切削能力の低下にはな
らないのに対して、ＣＭＰドレッサーでは脱落したダイ
ヤモンド砥粒が研磨布や半導体基板表面を傷つけるた
め、ダイヤモンドの脱落が少量でも許されない点であ
る。また、湿式で低い回転数で使用されるので、切削工
具で求められる耐熱性や極端な耐摩耗性は必要ない点で
ある。ダイヤモンド粒の脱落が問題になる従来のダイヤ
モンド工具としては、単粒の比較的大きなダイヤモンド
（一般的には直径１ｍｍ程度以上）を金属保持材に接合
したダイヤモンドバイトがある。しかし、ＣＭＰ工程で
使用されるドレッサーとは、次の点で本質的に異なって
いる。従来のダイヤモンドバイトでは、比較的大きなダ
イヤモンド（一般的には直径１ｍｍ程度以上）を単粒で
接合するのに対して、ＣＭＰ工程で使用されるドレッサ
ーは、比較的小さい（直径５０〜３００μｍ）ダイヤモ
ンドを単層で面状に接合している。また、ＣＭＰ工程で
使用されるドレッサーは、湿式で低い回転数で使用され
るので、ダイヤモンドバイトで求められる耐熱性や極端
な耐摩耗性は必要ない点である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の研磨布のドレッ
シング法においては、ダイヤモンド粒をニッケル電着し
た砥石を用いたドレッシングを行っていた。ニッケルの
電着は、比較的容易に金属支持部材に適用できるので広
く用いられてきた。しかし、ダイヤモンドとの接合強度
が充分ではなく、しばしばダイヤモンド粒の脱落や欠損
が起こり、研磨布や半導体基板にキズを付ける原因とな
っていた。このため、ダイヤモンド粒の脱落のないドレ
ッサーが求められていた。
シング法においては、ダイヤモンド粒をニッケル電着し
た砥石を用いたドレッシングを行っていた。ニッケルの
電着は、比較的容易に金属支持部材に適用できるので広
く用いられてきた。しかし、ダイヤモンドとの接合強度
が充分ではなく、しばしばダイヤモンド粒の脱落や欠損
が起こり、研磨布や半導体基板にキズを付ける原因とな
っていた。このため、ダイヤモンド粒の脱落のないドレ
ッサーが求められていた。
【０００６】そこで、本発明は、研磨布のドレッシング
において、スクラッチ傷を最小限に抑え、歩留まり高
く、安定した研磨速度が得られるドレッサーを提供する
ことを目的としている。
において、スクラッチ傷を最小限に抑え、歩留まり高
く、安定した研磨速度が得られるドレッサーを提供する
ことを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、チタン、クロ
ムまたはジルコニウムより選ばれた１種以上を０．５〜
２０ｗｔ％含む融点６５０℃〜１２００℃の合金を用い
て、ダイヤモンド粒子を金属および／または合金からな
る支持部材に、単層、ろう付けし、ダイヤモンド粒子と
前記合金との界面にチタン、クロムまたはジルコニウム
より選ばれた金属の炭化物層が形成されていることを特
徴とする、半導体基板の平面化研磨工程で使用される研
磨布のドレッサーである。
ムまたはジルコニウムより選ばれた１種以上を０．５〜
２０ｗｔ％含む融点６５０℃〜１２００℃の合金を用い
て、ダイヤモンド粒子を金属および／または合金からな
る支持部材に、単層、ろう付けし、ダイヤモンド粒子と
前記合金との界面にチタン、クロムまたはジルコニウム
より選ばれた金属の炭化物層が形成されていることを特
徴とする、半導体基板の平面化研磨工程で使用される研
磨布のドレッサーである。
【０００８】好ましくは、前記ダイヤモンド粒が、径５
０μｍ以上３００μｍ以下であることを特徴とする。あ
るいは、前記支持部材がフェライト系ステンレス鋼で、
支持部材片面にのみダイヤモンド粒がろう付けされたこ
とを特徴とする半導体基板用研磨布のドレッサーであ
る。また、チタン、クロムまたはジルコニウムより選ば
れた１種以上を０．５〜２０ｗｔ％含む融点６５０℃〜
１２００℃の合金を用いて、ダイヤモンド粒子を金属お
よび／または合金からなる支持部材に、単層、真空中で
ろう付けすることにより、半導体基板の平面化研磨工程
で使用される研磨布のドレッサーが製造できる。
０μｍ以上３００μｍ以下であることを特徴とする。あ
るいは、前記支持部材がフェライト系ステンレス鋼で、
支持部材片面にのみダイヤモンド粒がろう付けされたこ
とを特徴とする半導体基板用研磨布のドレッサーであ
る。また、チタン、クロムまたはジルコニウムより選ば
れた１種以上を０．５〜２０ｗｔ％含む融点６５０℃〜
１２００℃の合金を用いて、ダイヤモンド粒子を金属お
よび／または合金からなる支持部材に、単層、真空中で
ろう付けすることにより、半導体基板の平面化研磨工程
で使用される研磨布のドレッサーが製造できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明によって製作された半導体
基板用研磨布のドレッサーは、ダイヤモンド粒の脱落に
よるスクラッチ傷を最小限に抑えることができる。その
結果、加工精度が高く、歩留まりの高い半導体基板およ
び半導体の製造が可能となる。ダイヤモンドとろう付け
合金との接合は、ろう付け合金との界面にチタン、クロ
ムまたはジルコニウムより選ばれた１種以上の金属の炭
化物層が形成されることで著しく接合強度が上昇する。
本発明者らは、ろう材として、チタン、クロムまたはジ
ルコニウムより選ばれた１種以上を０．５〜２０ｗｔ％
含む融点６５０℃〜１２００℃の合金を使用することに
より、ダイヤモンドとろう付け合金との界面に当該金属
の炭化物層が形成されることを確認した。
基板用研磨布のドレッサーは、ダイヤモンド粒の脱落に
よるスクラッチ傷を最小限に抑えることができる。その
結果、加工精度が高く、歩留まりの高い半導体基板およ
び半導体の製造が可能となる。ダイヤモンドとろう付け
合金との接合は、ろう付け合金との界面にチタン、クロ
ムまたはジルコニウムより選ばれた１種以上の金属の炭
化物層が形成されることで著しく接合強度が上昇する。
本発明者らは、ろう材として、チタン、クロムまたはジ
ルコニウムより選ばれた１種以上を０．５〜２０ｗｔ％
含む融点６５０℃〜１２００℃の合金を使用することに
より、ダイヤモンドとろう付け合金との界面に当該金属
の炭化物層が形成されることを確認した。
【００１０】ろう材に含まれるチタン、クロムまたはジ
ルコニウムより選ばれた１種以上を０．５〜２０ｗｔ％
とするのは、０．５ｗｔ％より少ない含有量ではダイヤ
モンド−ろう付け合金の界面に、当該金属の炭化物層が
形成されないためであり、２０ｗｔ％添加すれば充分な
接合強度を示す金属炭化物層が形成されるためである。
ルコニウムより選ばれた１種以上を０．５〜２０ｗｔ％
とするのは、０．５ｗｔ％より少ない含有量ではダイヤ
モンド−ろう付け合金の界面に、当該金属の炭化物層が
形成されないためであり、２０ｗｔ％添加すれば充分な
接合強度を示す金属炭化物層が形成されるためである。
【００１１】ろう付け合金を融点６５０℃〜１２００℃
の合金とするのは、６５０℃未満のろう付け温度では、
接合強度が得られず、１２００℃超のろう付け温度で
は、ダイヤモンドの劣化が起こるので好ましくないから
である。ろう付け合金の厚さは、ダイヤモンド粒径の
０．２〜１．５倍の厚さが適当である。薄すぎるとダイ
ヤモンドとろう付け合金との接合強度が低くなり、厚す
ぎるとろう材と支持部材との剥離がおこりやすくなる。
の合金とするのは、６５０℃未満のろう付け温度では、
接合強度が得られず、１２００℃超のろう付け温度で
は、ダイヤモンドの劣化が起こるので好ましくないから
である。ろう付け合金の厚さは、ダイヤモンド粒径の
０．２〜１．５倍の厚さが適当である。薄すぎるとダイ
ヤモンドとろう付け合金との接合強度が低くなり、厚す
ぎるとろう材と支持部材との剥離がおこりやすくなる。
【００１２】ダイヤモンド粒の径は、５０μｍ以上３０
０μｍ以下とすることが好ましい。５０μｍ未満のダイ
ヤモンドでは充分な研磨速度が得られず、５０μｍから
３００μｍの範囲内であれば充分な研磨速度が得られ
る。また、５０μｍ未満の微粒のダイヤモンドでは凝集
し易い傾向があり、凝集してクラスターを形成すると脱
落し易くなり、スクラッチ傷の原因となる。３００μｍ
超の粗粒のダイヤモンドでは、研磨時の応力集中が大き
く脱落し易くなる。
０μｍ以下とすることが好ましい。５０μｍ未満のダイ
ヤモンドでは充分な研磨速度が得られず、５０μｍから
３００μｍの範囲内であれば充分な研磨速度が得られ
る。また、５０μｍ未満の微粒のダイヤモンドでは凝集
し易い傾向があり、凝集してクラスターを形成すると脱
落し易くなり、スクラッチ傷の原因となる。３００μｍ
超の粗粒のダイヤモンドでは、研磨時の応力集中が大き
く脱落し易くなる。
【００１３】支持部材はフェライト系ステンレス鋼で、
支持部材片面にのみダイヤモンド粒がろう付けされたも
のが好ましい。フェライト系ステンレス鋼は加工が容易
である。さらに片面をダイヤモンド粒をろう付けしない
面とすることで、例えば磁石による着脱が可能になり、
作業効率の向上に大きく寄与できる。
支持部材片面にのみダイヤモンド粒がろう付けされたも
のが好ましい。フェライト系ステンレス鋼は加工が容易
である。さらに片面をダイヤモンド粒をろう付けしない
面とすることで、例えば磁石による着脱が可能になり、
作業効率の向上に大きく寄与できる。
【００１４】
【実施例１】本発明のドレッサーは図１及び図２に示す
表１の実施例２から１０に示したような粒径のダイヤモ
ンドをフェライト系ステンレス製基板に表１に記載のろ
う付け金属を用いて、10−５Torrの真空中、表１に記載
の温度で３０分間保持し、単層、ろう付けした。４００
枚の半導体ウエーハの研磨実験を行った。ドレッシング
は１回の研磨毎に、２分間ドレッシングを行った。その
後、４００枚研磨後に、脱落したダイヤモンド粒による
スクラッチ傷が発生したウエーハ数を調査した。また、
使用した研磨布を用いて、２時間および２０時間研磨後
のウエーハ研磨速度を調査した。４００枚のウエーハの
研磨には約２０時間を要した。結果を表１に示す。ウエ
ーハ表面傷およびダイヤモンド粒径は電子顕微鏡により
観察した。
表１の実施例２から１０に示したような粒径のダイヤモ
ンドをフェライト系ステンレス製基板に表１に記載のろ
う付け金属を用いて、10−５Torrの真空中、表１に記載
の温度で３０分間保持し、単層、ろう付けした。４００
枚の半導体ウエーハの研磨実験を行った。ドレッシング
は１回の研磨毎に、２分間ドレッシングを行った。その
後、４００枚研磨後に、脱落したダイヤモンド粒による
スクラッチ傷が発生したウエーハ数を調査した。また、
使用した研磨布を用いて、２時間および２０時間研磨後
のウエーハ研磨速度を調査した。４００枚のウエーハの
研磨には約２０時間を要した。結果を表１に示す。ウエ
ーハ表面傷およびダイヤモンド粒径は電子顕微鏡により
観察した。
【００１５】本発明によるドレッサーは、従来のドレッ
サーに比べて大幅にウエーハ表面のスクラッチ傷発生が
低下し、研磨速度の低下も改善されていた。これによ
り、高いスループットと高い歩留まりの半導体基板製造
が実現できた。
サーに比べて大幅にウエーハ表面のスクラッチ傷発生が
低下し、研磨速度の低下も改善されていた。これによ
り、高いスループットと高い歩留まりの半導体基板製造
が実現できた。
【００１６】
【実施例２】本発明のドレッサーは図３に示す表２の実
施例２から５に示したような粒径のダイヤモンドをフェ
ライト系ステンレス製基板に表２に記載のろう付け金属
を用いて、10−５Torrの真空中、表２に記載の温度で３
０分間保持し、単層、ろう付けした。４００枚のシリコ
ンウエーハの研磨実験を行った。ドレッシングは１０回
の研磨毎に、２分間ドレッシングを行った。その後、４
００枚研磨後に、脱落したダイヤモンド粒によるスクラ
ッチ傷が発生したウエーハ数を調査した。また、使用し
た研磨布を用いて、３時間および３０時間研磨後のウエ
ーハ研磨速度を調査した。４００枚のウエーハの研磨に
は約３０時間を要した。結果を表２に示す。ウエーハ表
面傷およびダイヤモンド粒径は電子顕微鏡により観察し
た。
施例２から５に示したような粒径のダイヤモンドをフェ
ライト系ステンレス製基板に表２に記載のろう付け金属
を用いて、10−５Torrの真空中、表２に記載の温度で３
０分間保持し、単層、ろう付けした。４００枚のシリコ
ンウエーハの研磨実験を行った。ドレッシングは１０回
の研磨毎に、２分間ドレッシングを行った。その後、４
００枚研磨後に、脱落したダイヤモンド粒によるスクラ
ッチ傷が発生したウエーハ数を調査した。また、使用し
た研磨布を用いて、３時間および３０時間研磨後のウエ
ーハ研磨速度を調査した。４００枚のウエーハの研磨に
は約３０時間を要した。結果を表２に示す。ウエーハ表
面傷およびダイヤモンド粒径は電子顕微鏡により観察し
た。
【００１７】本発明によるドレッサーは、従来のドレッ
サーに比べて大幅にウエーハ表面のスクラッチ傷発生が
低下し、研磨速度の低下もなかった。これにより、高い
スループットと高い歩留まりのシリコンウエーハ製造が
実現できた。
サーに比べて大幅にウエーハ表面のスクラッチ傷発生が
低下し、研磨速度の低下もなかった。これにより、高い
スループットと高い歩留まりのシリコンウエーハ製造が
実現できた。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、ダイヤモンド粒の脱落
による半導体基板のスクラッチ傷を最小限に抑えること
が可能になる。また、研磨布の目詰まりを除去し、研磨
布表面を常時新しい時と同様に保持できるため、研磨布
の使用時間に伴う研磨速度の低下も改善でき、加工精度
の高い半導体基板を高い歩留まりで製造できる。
による半導体基板のスクラッチ傷を最小限に抑えること
が可能になる。また、研磨布の目詰まりを除去し、研磨
布表面を常時新しい時と同様に保持できるため、研磨布
の使用時間に伴う研磨速度の低下も改善でき、加工精度
の高い半導体基板を高い歩留まりで製造できる。
【図１】本発明の実験結果を示す表である。
【図２】本発明の実験結果を示す表である。
【図３】本発明の実験結果を示す表である。
Claims (4)
- 【請求項１】 チタン、クロムまたはジルコニウムより
選ばれた１種以上を０．５〜２０ｗｔ％含む融点６５０
℃〜１２００℃の合金を用いて、ダイヤモンド粒子を金
属および／または合金からなる支持部材に、単層、ろう
付けし、ダイヤモンド粒子と前記合金との界面にチタ
ン、クロムまたはジルコニウムより選ばれた金属の炭化
物層が形成されていることを特徴とする、半導体基板の
平面化研磨工程で使用される半導体基板用研磨布のドレ
ッサー。 - 【請求項２】 ダイヤモンド粒が、径５０μｍ以上３０
０μｍ以下であることを特徴とする請求項第１項に記載
の半導体基板用研磨布のドレッサー。 - 【請求項３】 支持部材がフェライト系ステンレス鋼
で、支持部材片面にのみダイヤモンド粒がろう付けされ
たことを特徴とする請求項第１項または第２項に記載の
半導体基板用研磨布のドレッサー。 - 【請求項４】 チタン、クロムまたはジルコニウムより
選ばれた１種以上を０．５〜２０ｗｔ％含む融点６５０
℃〜１２００℃の合金を用いて、ダイヤモンド粒子を金
属および／または合金からなる支持部材に、単層で、真
空中、６５０℃〜１２００℃でろう付けすることを特徴
とする、半導体基板の平面化研磨工程で使用される半導
体基板用研磨布のドレッサー製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15625897A JP3482321B2 (ja) | 1996-10-15 | 1997-06-13 | 半導体基板用研磨布のドレッサーおよびその製造方法 |
| US09/284,521 US6190240B1 (en) | 1996-10-15 | 1997-10-14 | Method for producing pad conditioner for semiconductor substrates |
| KR1019997003204A KR100328108B1 (ko) | 1996-10-15 | 1997-10-14 | 반도체 기판용 연마패드의 드레서, 그 제조방법 및 그것을 사용한 화학적 기계적 연마방법 |
| PCT/JP1997/003686 WO1998016347A1 (fr) | 1996-10-15 | 1997-10-14 | Appareil ebarbeur pour tampon de polissage de substrat semi-conducteur, son procede de fabrication et procede de polissage chimico-mecanique au moyen dudit appareil ebarbeur |
| AU44729/97A AU4472997A (en) | 1996-10-15 | 1997-10-14 | Semiconductor substrate polishing pad dresser, method of manufacturing the same, and chemicomechanical polishing method using the same dresser |
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