JP2001172076A - 誘電体磁器組成物の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 積層チップコンデンサ用誘電体磁器組成物と
して好適に用いることができ、かつ、主組成以外の異相
の析出を抑制し、容量温度特性がＸ８Ｒ特性を満足する
誘電体磁器組成物を製造する方法を提供する。 【解決手段】 主成分であるＢａＴｉＯ_３ と、ＳｉＯ
_２ を主成分とし、ＭＯ（ただし、Ｍは、Ｂａ、Ｃａ、
ＳｒおよびＭｇから選ばれる少なくとも１種の元素）、
Ｌｉ_２ＯおよびＢ_２Ｏ_３ から選ばれる少なくとも１種
を含む第２副成分と、その他の副成分とを少なくとも有
する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、前記第
２副成分を除いて、前記主成分と、その他の副成分のう
ちの少なくとも一部とを混合し、仮焼きして仮焼済粉体
を準備し、前記仮焼済粉体に、前記第２副成分を少なく
とも混合し、主成分であるＢａＴｉＯ_３ に対する各副
成分の比率が所定モル比である誘電体磁器組成物を得
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、比誘電率が１００
０以上を有し、容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性
（−５５〜１５０℃、ΔＣ＝±１５％以内）を満足し、
高い誘電率および絶縁抵抗を有する耐還元性の誘電体磁
器組成物を製造する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】積層セラミックコンデンサは、小型、大
容量、高信頼性の電子部品として広く利用されており、
１台の電子機器の中で使用される個数も多数にのぼる。
近年、機器の小型且つ高性能化に伴い、積層セラミック
コンデンサに対する更なる小型化、大容量化、低価格
化、高信頼性化への要求はますます厳しくなっている。

【０００３】誘電率が高く、平坦な容量温度特性を有す
る誘電体セラミックス組成物として、ＢａＴｉＯ_３ を
主成分として、Ｎｂ_２ Ｏ_５ −Ｃｏ_３ Ｏ_４ 、Ｍｇ
Ｏ−Ｙ、希土類元素（Ｄｙ，Ｈｏ等）、Ｂｉ_２ Ｏ_３
−ＴｉＯ_２ などを添加した組成が知られている。これ
らＢａＴｉＯ_３ を主成分とした誘電体セラミック組成
物の温度特性は、ＢａＴｉＯ_３ のキュリー温度が約１
２０付近にあるため、１３０℃以上の高温領域で容量温
度特性のＲ特性（ΔＣ＝±１５％以内）を満足する事が
非常に難しい。このため、ＢａＴｉＯ_３ 系の高誘電率
材料はＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性（−５５〜１２５℃、Δ
Ｃ＝±１５％以内）を満足することしかできなかった。

【０００４】近年、自動車のエンジンルーム内に搭載す
るエンジン電子制御ユニット（ＥＣＵ）、クランク角セ
ンサ、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）モジュ
ールなどの各種電子装置に積層セラミックコンデンサが
使用されるようになってきている。これらの電子装置
は、エンジン制御、駆動制御およびブレーキ制御を安定
して行うためのものなので、回路の温度安定性が良好で
あることが要求される。

【０００５】これらの電子装置が使用される環境は、寒
冷地の冬季には−２０℃程度以下まで温度が下がり、ま
た、エンジン始動後には、夏季では＋１３０℃程度以上
まで温度が上がることが予想される。最近では電子装置
とその制御対象機器とをつなぐワイヤハーネスを削減す
る傾向にあり、電子装置が車外に設置されることもある
ので、電子装置にとっての環境はますます厳しくなって
いる。したがって、従来のＸ７Ｒ特性の誘電体セラミッ
ク組成物では、これら用途には対応できない。

【０００６】また、温度特性に優れた温度補償用コンデ
ンサ材料としては、（Ｓｒ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ
_３ 系、Ｃａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ_３ 系、Ｎｄ_２ Ｏ_３
−２ＴｉＯ_２ 系、Ｌａ_２ Ｏ_３ −２ＴｉＯ_２ 系等
が一般に知られているが、これらの組成物は比誘電率が
非常に低い（一般には１００以下）ので、容量の大きい
コンデンサを作製することが実質的に不可能である。

【０００７】一方、ＢａＴｉＯ_３ を主成分とする誘電
体磁器組成物においてＸ８Ｒ特性を満足させるために、
ＢａＴｉＯ_３ 中のＢａをＢｉ，Ｐｂなどで置換するこ
とにより、キュリー温度を高温側にシフトさせることが
提案されている（特開平１０−２５１５７号公報、同９
−４０４６５号公報）。また、ＢａＴｉＯ_３ ＋ＣａＺ
ｒＯ_３ ＋ＺｎＯ＋Ｎｂ_２ Ｏ_５ 系の組成を選択する
ことによりＸ８Ｒ特性を満足させることも提案されてい
る（特開平４−２９５０４８号公報、同４−２９２４５
８号公報、同４−２９２４５９号公報、同５−１０９３
１９公報、同６−２４３７２１号公報）。しかし、これ
らのいずれの組成系においても、蒸発飛散しやすいＰ
ｂ，Ｂｉ，Ｚｎを使用するため、空気中等の酸化性雰囲
気での焼成が前提となる。このため、コンデンサの内部
電極に安価なＮｉ等の卑金属を使用することができず、
Ｐｄ，Ａｕ，Ａｇ等の高価な貴金属を使用しなければな
らないという問題がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】このような問題を解決
するために、本出願人は、コンデンサの内部電極として
ＮｉまたはＮｉ合金などを使用可能とする誘電体磁器組
成物を提案している（特願平１０−２２０６号公報、特
願平１１−２０６２９１号公報、特願平１１−２０６２
９２号公報）。

【０００９】これらの技術によれば、Ｓｃ，Ｅｒ，Ｔ
ｍ，Ｙｂ，Ｌｕなどの希土類元素を誘電体磁器組成物中
に含有させることによって、キュリー温度の高温側への
シフト、キュリー温度以上での容量温度変化率の平坦
化、および信頼性（高温負荷寿命、容量掲示変化など）
の向上を図ることができる。

【００１０】しかしながら、誘電体磁器組成物中への希
土類の添加量を増大させた場合に、希土類を主成分とす
る第２相が誘電体内に析出する傾向がある。この第２相
の析出により、誘電体の強度が向上するが、誘電体層の
厚みによっては、析出した第２相が、積層コンデンサの
誘電体層の厚みと同程度になってしまい、コンデンサの
信頼性を劣化させるおそれがあることが、本発明者等に
より確認された。また、誘電体層中に析出する第２相の
量が多くなるに従って、誘電率と絶縁抵抗との積（ＣＲ
積）が低下する傾向があることも本発明者等により確認
された。

【００１１】また、自動車に搭載される積層セラミック
コンデンサの大容量化および小型化が進んでおり、誘電
体層の厚みは、さらに薄くなる傾向にある。このため、
特に、誘電体磁器組成物中に希土類を添加する誘電体磁
器組成物では、析出する第２相の大きさや量を制御する
技術が必要になる。

【００１２】ところで、Ｘ７Ｒ特性を持つ誘電体磁器組
成物の信頼性向上のために、主原料としてのＢａＴｉＯ
_３ と添加物とを予め仮焼する方法が提案されている
（特公平７−１１８４３１号公報）。この公報に示す技
術では、最終的に合成される誘電体の組成が、（Ｂａ，
Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ）（Ｔｉ，Ｒ）Ｏ_３ ＋（Ｃ
ａ，Ｂａ）ＺｒＯ_３ ＋ガラスになるとしている。そし
て、Ｒ＝Ｓｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｔ
ｂ，Ｔｍ，Ｌｕとした時に、（Ｂａ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ
＋Ｚｎ）／（Ｔｉ＋Ｒ）で表されるモル比が１．００〜
１．０４の範囲になるように、ＢａＴｉＯ_３ および添
加物の仮焼を行っている。

【００１３】しかしながら、この手法によれば、アルカ
リ土類（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）は、Ｂａサイトに固
溶し、希土類（Ｒ＝Ｓｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｙｂ，Ｔｂ，Ｔｍ，Ｌｕ）は、Ｔｉサイトに固溶す
ることを前提としている。このため、希土類の添加量の
増大に伴い、アルカリ土類の添加量を必然的に増大させ
る必要がある。また、この組成系で、上記モル比に特定
すると、Ｘ８Ｒ特性である高温負荷寿命（ＩＲ寿命）を
劣化させてしまう。また、それに併せて、アルカリ土類
を増加させると、焼結性が悪くなるなどの課題を生じ
る。また、Ｚｎは、蒸発し易いという課題がある。

【００１４】本発明の目的は、内部電極にＮｉおよびＮ
ｉ合金等の卑金属が使用可能な積層チップコンデンサ用
誘電体磁器組成物として好適に用いることができ、か
つ、主組成以外の異相の析出を抑制し、誘電体の微細構
造を制御して、容量温度特性がＸ８Ｒ特性を満足しつ
つ、絶縁抵抗および比誘電率を改善し、信頼性に優れた
誘電体磁器組成物を製造することができる方法を提供す
ることである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る誘電体磁器組成物の製造方法は、組成
式Ｂａ_ｍ ＴｉＯ_２＋ｍ で表され、前記組成式中のｍ
が０．９９５≦ｍ≦１．０１０であり、ＢａとＴｉとの
比が０．９９５≦Ｂａ／Ｔｉ≦１．０１０である主成分
と、焼結助剤である第２副成分と、その他の副成分とを
少なくとも有する誘電体磁器組成物を製造する方法であ
って、前記第２副成分を除いて、前記主成分と、その他
の副成分のうちの少なくとも一部とを混合し、仮焼前粉
体を準備する工程と、前記仮焼前粉体を仮焼きして仮焼
済粉体を準備する工程と、前記仮焼済粉体に、前記第２
副成分を少なくとも混合し、前記主成分に対する各副成
分の比率が所定モル比である誘電体磁器組成物を得る工
程と、を有する。

【００１６】本発明の第１の観点では、前記第２副成分
が、ＳｉＯ_２ を主成分とし、ＭＯ（ただし、Ｍは、Ｂ
ａ、Ｃａ、ＳｒおよびＭｇから選ばれる少なくとも１種
の元素）、Ｌｉ_２ ＯおよびＢ _２ Ｏ_３ から選ばれる
少なくとも１種を含み、前記その他の副成分が、Ｍｇ
Ｏ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＳｒＯおよびＣｒ_２ Ｏ_３ から
選択される少なくとも１種を含む第１副成分と、Ｖ_２
Ｏ_５ ，ＭｏＯ_３ およびＷＯ_３ から選択される少な
くとも１種を含む第３副成分と、Ｒ１の酸化物（ただ
し、Ｒ１はＳｃ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕから選択
される少なくとも１種）を含む第４副成分と、を少なく
とも有し、前記仮焼済粉体に、前記第２副成分を少なく
とも混合し、前記主成分１００モルに対する各副成分の
比率が、第１副成分：０．１〜３モル、第２副成分：２
〜１０モル、第３副成分：０．０１〜０．５モル、第４
副成分：０．５〜７モル（ただし、第４副成分のモル数
は、Ｒ１単独での比率である）である誘電体磁器組成物
を得ることが好ましい。

【００１７】本発明の第２の観点では、前記第２副成分
が、ＳｉＯ_２ を主成分とし、ＭＯ（ただし、Ｍは、Ｂ
ａ、Ｃａ、ＳｒおよびＭｇから選ばれる少なくとも１種
の元素）、Ｌｉ_２ ＯおよびＢ _２ Ｏ_３ から選ばれる
少なくとも１種を含み、前記その他の副成分が、Ｍｇ
Ｏ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＳｒＯおよびＣｒ_２ Ｏ_３ から
選択される少なくとも１種を含む第１副成分と、Ｖ_２
Ｏ_５ ，ＭｏＯ_３ およびＷＯ_３ から選択される少な
くとも１種を含む第３副成分と、Ｒ１の酸化物（ただ
し、Ｒ１はＳｃ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕから選択
される少なくとも１種）を含む第４副成分と、Ｒ２の酸
化物（ただし、Ｒ２はＹ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｇｄおよ
びＥｕから選択される少なくとも一種）を含む第５副成
分と、を少なくとも有し、前記仮焼済粉体に、前記第２
副成分を少なくとも混合し、前記主成分１００モルに対
する各副成分の比率が、第１副成分：０．１〜３モル、
第２副成分：２〜１０モル、第３副成分：０．０１〜
０．５モル、第４副成分：０．５〜７モル（ただし、第
４副成分のモル数は、Ｒ１単独での比率である）、第５
副成分：２〜９モル（ただし、第５副成分のモル数は、
Ｒ２単独での比率である）である誘電体磁器組成物を得
ることが好ましい。

【００１８】なお、本発明の第１および第２の観点にお
いて、より好ましくは、前記第２副成分が、（Ｂａ，Ｃ
ａ）_ｘ ＳｉＯ_２＋ｘ （ただし、ｘ＝０．７〜１．
２）で表されるものである。第２副成分は、焼結助剤と
して機能すると考えられる。前記第２副成分が（Ｂａ，
Ｃａ）_ｘ ＳｉＯ_２＋ｘ （ただし、ｘ＝０．７〜１．
２）で表される組成を有するものである場合には、該第
２副成分中のＢａとＣａとの比率は任意であり、一方の
みを含有するものでも良い。

【００１９】本発明の第１の観点では、前記仮焼前粉体
中に含まれる成分のモル比：（Ｂａ＋第１副成分の金属
元素）／（Ｔｉ＋第４副成分の金属元素）が１未満、ま
たは（Ｂａ＋第４副成分の金属元素）／（Ｔｉ＋第１副
成分の金属元素）が１を超えるように、前記仮焼前粉体
を準備し、仮焼を行うことが好ましい。

【００２０】本発明の第２の観点では、前記仮焼前粉体
中に含まれる成分のモル比：（Ｂａ＋第１副成分の金属
元素）／（Ｔｉ＋第４副成分の金属元素＋第５副成分の
金属元素）が１未満、または（Ｂａ＋第４副成分の金属
元素＋第５副成分の金属元素）／（Ｔｉ＋第１副成分の
金属元素）が１を超えるように、前記仮焼前粉体を準備
し、仮焼を行うことが好ましい。

【００２１】本発明の第２の観点では、前記仮焼前粉体
を準備する際には、仮焼前粉体には、第５副成分を必ず
含ませることが好ましい。また、仮焼前粉体を準備する
際には、仮焼前粉体には、第４副成分を含ませないこと
が好ましい。さらに、仮焼前粉体を準備する際には、仮
焼前粉体には、第１副成分を必ず含ませることが好まし
い。さらにまた、前記仮焼前粉体中に含まれる第１副成
分のモル数は、第４副成分および第５副成分の合計モル
数（ただし、第４副成分および第５副成分のモル数は、
それぞれＲ１単独およびＲ２単独での比率である）より
も小さいことが好ましい。

【００２２】本発明において、前記仮焼前粉体を、好ま
しくは、７００〜１１００℃、さらに好ましくは８００
〜１０５０℃の温度で仮焼きする。なお、仮焼きは、複
数回行っても良い。

【００２３】前記仮焼済粉体には、前記第２副成分を少
なくとも混合させれば良く、必要に応じて、主成分、第
１副成分、第３副成分、第４副成分および第５副成分の
うちの一つ以上をさらに混合し、最終的に得られる誘電
体磁器組成物の組成が上記範囲となればよい。

【００２４】

【作用】従来の誘電体磁器組成物の製造方法では、Ｂａ
_ｍ ＴｉＯ_２＋ｍ と添加物とを一度に混合し、誘電体
磁器組成物の混合粉末、または誘電体ペーストを作製し
ている。しかしながら、この方法では、焼成後の誘電体
磁器組成物中に、添加物（第１〜第５副成分）などの偏
析が生じ、各結晶間の組成のバラツキが生じてしまう。
このような偏析により、誘電体の誘電率および絶縁抵抗
が悪化する。

【００２５】本発明によれば、第２副成分を除いて、主
成分と、第１副成分、第３副成分、第４副成分および第
５副成分のうちの少なくとも一つとを混合して仮焼する
ことで、各結晶粒子同士の組成バラツキを抑制し、その
結果、偏析相の析出を抑制すると共に、偏析相の大きさ
を制御し、Ｘ８Ｒ特性を満足しつつ絶縁抵抗および比誘
電率を改善し、信頼性に優れた誘電体磁器組成物を製造
することができる。このことは、本発明者等により初め
て見出された。

【００２６】また、本発明者によれば、誘電体磁器組成
物中に、２種類以上の希土類（第４副成分と第５副成
分）を添加する場合において、仮焼前粉体中に、第５副
成分を必ず含ませることで、偏析相の析出を抑制すると
共に、偏析相の大きさを制御し、Ｘ８Ｒ特性を満足しつ
つＣＲ積および信頼性を改善し、信頼性に優れた誘電体
磁器組成物を製造することができる。このことも、本発
明者等により初めて見出された。

【００２７】このように本発明に係る方法により製造さ
れたコンデンサは、ＥＩＡ規格のＸ８Ｒを満足できるた
め、自動車のエンジンルームのような高温下にさらされ
る様な環境下でも使用できる。また、本発明に係る製造
方法で得られた誘電体磁器組成物は、蒸発飛散するよう
なＰｂ，Ｂｉ，Ｚｎのような元素を含有しないため、還
元雰囲気でも焼成可能である。このため、内部電極とし
てＮｉおよびＮｉ合金などの卑金属を使用することが可
能となり、低コスト化が可能となる。

【００２８】また、本発明に係る製造方法で得られた誘
電体磁器組成物は、還元雰囲気下での焼成においても、
Ｘ８Ｒ特性を満足し、直流電界印加による容量エージン
グ特性、絶縁抵抗の劣化が小さく、信頼性にも優れてい
る。このため、積層コンデンサの薄層化に伴う高温領域
の温度変化率の悪化を抑制する手法としても効果が期待
できる。

【００２９】また、本発明に係る製造方法で得られた誘
電体磁器組成物は、Ｐｂ，Ｂｉなどの物質を含有しない
ため、使用後の廃棄、処分などによる環境への悪影響が
小さい製品を提供できる。

【００３０】また、本発明に係る製造方法では、添加物
が析出して形成された異相が少ない均一な組織の誘電体
磁器組成物を実現することができ、誘電体磁器組成物の
誘電率、絶縁抵抗を改善できる。また、本発明に係る製
造方法では、偶発的に生じてしまう構造的な欠陥を防止
できるために、高い信頼性を有する積層セラミックコン
デンサを提供できる。

【００３１】また、添加物組成を変更することなく異相
析出を抑制できるために、容量温度特性がＸ８Ｒ特性を
満足する誘電体磁器組成物を容易に製造することができ
る。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、本発明を、図面に示す実施
形態に基づき説明する。図１は積層セラミックコンデン
サの断面図、図２は図１に示すコンデンサを製造するた
めの本発明の一実施形態に係る方法のフローチャート
図、図３は本発明の実施例により得られた誘電体磁器組
成物の容量温度特性を示すグラフである。

【００３３】積層セラミックコンデンサ 本発明に係る誘電体磁器組成物の製造方法について説明
する前に、まず、積層セラミックコンデンサについて説
明する。図１に示すように、本発明の一実施形態に係る
積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層２と内部電極
層３とが交互に積層された構成のコンデンサ素子本体１
０を有する。このコンデンサ素子本体１０の両端部に
は、素子本体１０の内部で交互に配置された内部電極層
３と各々導通する一対の外部電極４が形成してある。コ
ンデンサ素子本体１０の形状に特に制限はないが、通
常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限は
なく、用途に応じて適当な寸法とすればよいが、通常、
（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×
（０．３〜１．９ｍｍ）程度である。

【００３４】内部電極層３は、各端面がコンデンサ素子
本体１０の対向する２端部の表面に交互に露出するよう
に積層してある。一対の外部電極４は、コンデンサ素子
本体１０の両端部に形成され、交互に配置された内部電
極層３の露出端面に接続されて、コンデンサ回路を構成
する。

【００３５】誘電体層２ 誘電体層２は、本発明の製造方法により得られる誘電体
磁器組成物を含有する。 本発明の製造方法により得ら
れる誘電体磁器組成物は、組成式Ｂａ_ｍ ＴｉＯ
_２＋ｍ で表され、前記組成式中のｍが０．９９５≦ｍ
≦１．０１０であり、ＢａとＴｉとの比が０．９９５≦
Ｂａ／Ｔｉ≦１．０１０である主成分と、ＭｇＯ，Ｃａ
Ｏ，ＢａＯ，ＳｒＯおよびＣｒ_２ Ｏ_３ から選択され
る少なくとも１種を含む第１副成分と、ＳｉＯ_２ を主
成分とし、ＭＯ（ただし、Ｍは、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒおよ
びＭｇから選ばれる少なくとも１種の元素）、Ｌｉ_２
ＯおよびＢ_２ Ｏ_３ から選ばれる少なくとも１種を含
む第２副成分と、Ｖ_２ Ｏ_５ ，ＭｏＯ_３ およびＷＯ
_３ から選択される少なくとも１種を含む第３副成分
と、Ｒ１の酸化物（ただし、Ｒ１はＳｃ，Ｅｒ，Ｔｍ，
ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）を含む
第４副成分とを少なくとも有する誘電体磁器組成物で構
成してある。

【００３６】前記主成分に対する上記各副成分の比率
は、前記主成分１００モルに対し、 第１副成分：０．１〜３モル、 第２副成分：２〜１０モル、 第３副成分：０．０１〜０．５モル、 第４副成分：０．５〜７モル であり、好ましくは、 第１副成分：０．５〜２．５モル、 第２副成分：２．０〜５．０モル、 第３副成分：０．１〜０．４モル、 第４副成分：０．５〜５．０モル である。なお、第４副成分の上記比率は、Ｒ１酸化物の
モル比ではなく、Ｒ１単独のモル比である。すなわち、
例えば第４副成分としてＹｂの酸化物を用いた場合、第
４副成分の比率が１モルであることは、Ｙｂ_２ Ｏ_３
の比率が１モルなのではなく、Ｙｂの比率が１モルであ
ることを意味する。

【００３７】本明細書では、主成分および各副成分を構
成する各酸化物を化学量論組成で表しているが、各酸化
物の酸化状態は、化学量論組成から外れるものであって
もよい。ただし、各副成分の上記比率は、各副成分を構
成する酸化物に含有される金属量から上記化学量論組成
の酸化物に換算して求める。また、誘電体磁器組成物の
原料粉末としては、上記した酸化物やその混合物、複合
酸化物を用いることができるが、その他、焼成により上
記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物、例えば、
炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合
物等から適宜選択し、混合して用いることもできる。

【００３８】上記各副成分の含有量の限定理由は以下の
とおりである。第１副成分（ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，
ＳｒＯおよびＣｒ_２ Ｏ_３ ）の含有量が少なすぎる
と、容量温度変化率が大きくなってしまう。一方、含有
量が多すぎると、焼結性が悪化すると共に、ＩＲ寿命が
悪化する傾向にある。なお、第１副成分中における各酸
化物の構成比率は任意である。

【００３９】第２副成分の含有量が少なすぎると、容量
温度特性が悪くなり、また、ＩＲ（絶縁抵抗）が低下す
る。一方、含有量が多すぎると、ＩＲ寿命が不十分とな
るほか、誘電率の急激な低下が生じてしまう。

【００４０】第２副成分は主として焼結助剤として作用
するが、誘電体層を薄層化する際の初期絶縁抵抗の不良
率を改善する効果をも有する。

【００４１】好ましくは、前記第２副成分が、（Ｂａ，
Ｃａ）_ｘ ＳｉＯ_２＋ｘ （ただし、ｘ＝０．７〜１．
２）で表されるものである。第２副成分のより好ましい
態様としての［（Ｂａ，Ｃａ）_ｘ ＳｉＯ_２＋ｘ ］中
のＢａＯおよびＣａＯは第１副成分にも含まれるが、複
合酸化物である（Ｂａ，Ｃａ）_ｘ ＳｉＯ_２＋ｘ は融
点が低いため主成分に対する反応性が良好なので、本発
明ではＢａＯおよび／またはＣａＯを上記複合酸化物と
しても添加することが好ましい。第２副成分のより好ま
しい態様としての（Ｂａ，Ｃａ）_ｘ ＳｉＯ_２＋ｘ に
おけるｘは、好ましくは０．７〜１．２であり、より好
ましくは０．８〜１．１である。ｘが小さすぎると、す
なわちＳｉＯ_２ が多すぎると、主成分のＢａＴｉＯ
_３ と反応して誘電体特性を悪化させてしまう。一方、
ｘが大きすぎると、融点が高くなって焼結性を悪化させ
るため、好ましくない。なお、ＢａとＣａとの比率は任
意であり、一方だけを含有するものであってもよい。

【００４２】第３副成分（Ｖ_２ Ｏ_５ ，ＭｏＯ_３ お
よびＷＯ_３ ）は、キュリー温度以上での容量温度特性
を平坦化する効果と、ＩＲ寿命を向上させる効果とを示
す。第３副成分の含有量が少なすぎると、このような効
果が不十分となる。一方、含有量が多すぎると、ＩＲが
著しく低下する。なお、第３副成分中における各酸化物
の構成比率は任意である。

【００４３】第４副成分（Ｒ１酸化物）は、キュリー温
度を高温側へシフトさせる効果と、容量温度特性を平坦
化する効果とを示す。第４副成分の含有量が少なすぎる
と、このような効果が不十分となり、容量温度特性が悪
くなってしまう。一方、含有量が多すぎると、焼結性が
悪化する傾向にある。第４副成分のうちでは、特性改善
効果が高く、しかも安価であることから、Ｙｂ酸化物が
好ましい。

【００４４】本発明の誘電体磁器組成物には、必要に応
じ、第５副成分として、Ｒ２酸化物（ただし、Ｒ２は
Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、ＧｄおよびＥｕから選択される
少なくとも一種）が含有されていることが好ましい。こ
の第５副成分（Ｒ２酸化物）は、ＩＲおよびＩＲ寿命を
改善する効果を示し、容量温度特性への悪影響も少な
い。ただし、Ｒ２酸化物の含有量が多すぎると、焼結性
が悪化する傾向にある。第５副成分のうちでは、特性改
善効果が高く、しかも安価であることから、Ｙ酸化物が
好ましい。

【００４５】第４副成分および第５副成分の合計の含有
量は、前記主成分１００モルに対し、好ましくは１３モ
ル以下、さらに好ましくは１０モル以下（ただし、第４
副成分および第５副成分のモル数は、Ｒ１およびＲ２単
独での比率である）である。焼結性を良好に保つためで
ある。

【００４６】また、本発明の誘電体磁器組成物には、第
６副成分としてＭｎＯが含有されていてもよい。この第
６副成分は、焼結を促進する効果と、ＩＲを高くする効
果と、ＩＲ寿命を向上させる効果とを示す。このような
効果を十分に得るためには、前記主成分１００モルに対
する第６副成分の比率が０．０１モル以上であることが
好ましい。ただし、第６副成分の含有量が多すぎると容
量温度特性に悪影響を与えるので、好ましくは０．５モ
ル以下とする。

【００４７】また、本発明の誘電体磁器組成物中には、
上記各酸化物のほか、Ａｌ_２ Ｏ_３ が含まれていてもよ
い。Ａｌ_２ Ｏ_３ は容量温度特性にあまり影響を与え
ず、焼結性、ＩＲおよびＩＲ寿命を改善する効果を示
す。ただし、Ａｌ_２ Ｏ_３の含有量が多すぎると焼結性
が悪化してＩＲが低くなるため、Ａｌ_２ Ｏ_３ は、好
ましくは、主成分１００モルに対して１モル以下、さら
に好ましくは、誘電体磁器組成物全体の１モル以下であ
る。

【００４８】なお、Ｓｒ，ＺｒおよびＳｎの少なくとも
１種が、ペロブスカイト構造を構成する主成分中のＢａ
またはＴｉを置換している場合、キュリー温度が低温側
にシフトするため、１２５℃以上での容量温度特性が悪
くなる。このため、これらの元素を含むＢａ_ｍ ＴｉＯ
_２＋ｍ ［例えば（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３ ］を主成分
として用いないことが好ましい。ただし、不純物として
含有されるレベル（誘電体磁器組成物全体の０．１モル
％程度以下）であれば、特に問題はない。

【００４９】本発明の誘電体磁器組成物の平均結晶粒径
は、特に限定されず、誘電体層の厚さなどに応じて例え
ば０．１〜３．０μｍの範囲から適宜決定すればよい。
容量温度特性は、誘電体層が薄いほど悪化し、また、平
均結晶粒径を小さくするほど悪化する傾向にある。この
ため、本発明の誘電体磁器組成物は、平均結晶粒径を小
さくする必要がある場合に、具体的には、平均結晶粒径
が０．１〜０．５μｍである場合に特に有効である。ま
た、平均結晶粒径を小さくすれば、ＩＲ寿命が長くな
り、また、直流電界下での容量の経時変化が少なくなる
ため、この点からも平均結晶粒径は上記のように小さい
ことが好ましい。

【００５０】本発明の誘電体磁器組成物のキュリー温度
（強誘電体から常誘電体への相転移温度）は、組成を選
択することにより変更することができるが、Ｘ８Ｒ特性
を満足するためには、好ましくは１２０℃以上、より好
ましくは１２３℃以上とする。なお、キュリー温度は、
ＤＳＣ（示差走査熱量測定）などによって測定すること
ができる。

【００５１】本発明の誘電体磁器組成物から構成される
誘電体層の厚さは、一層あたり、通常、４０μｍ以下、
特に３０μｍ以下である。厚さの下限は、通常、２μｍ
程度である。本発明の誘電体磁器組成物は、このような
薄層化した誘電体層を有する積層セラミックコンデンサ
の容量温度特性の改善に有効である。なお、誘電体層の
積層数は、通常、２〜３００程度とする。

【００５２】本発明の誘電体磁器組成物を用いた積層セ
ラミックコンデンサは、８０℃以上、特に１２５〜１５
０℃の環境下で使用される機器用電子部品として用いて
好適である。そして、このような温度範囲において、容
量の温度特性がＥＩＡ規格のＲ特性を満足し、さらに、
Ｘ８Ｒ特性も満足する。また、ＥＩＡＪ規格のＢ特性
［−２５〜８５℃で容量変化率±１０％以内（基準温度
２０℃）］、ＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性（−５５〜１２５
℃、ΔＣ＝±１５％以内）も同時に満足することが可能
である。

【００５３】積層セラミックコンデンサでは、誘電体層
に、通常、０．０２Ｖ／μｍ以上、特に０．２Ｖ／μｍ
以上、さらには０．５Ｖ／μｍ以上、一般に５Ｖ／μｍ
程度以下の交流電界と、これに重畳して５Ｖ／μｍ以下
の直流電界とが加えられるが、このような電界が加わっ
ても、容量の温度特性は極めて安定である。

【００５４】内部電極層３ 内部電極層３に含有される導電材は特に限定されない
が、誘電体層２の構成材料が耐還元性を有するため、卑
金属を用いることができる。導電材として用いる卑金属
としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金と
しては、Ｍｎ，Ｃｒ，ＣｏおよびＡｌから選択される１
種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ
含有量は９５重量％以上であることが好ましい。なお、
ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の各種微量成分が０．
１重量％程度以下含まれていてもよい。内部電極層の厚
さは用途等に応じて適宜決定すればよいが、通常、０．
５〜５μｍ、特に０．５〜２．５μｍ程度であることが
好ましい。

【００５５】外部電極４ 外部電極４に含有される導電材は特に限定されないが、
本発明では安価なＮｉ，Ｃｕや、これらの合金を用いる
ことができる。外部電極の厚さは用途等に応じて適宜決
定されればよいが、通常、１０〜５０μｍ程度であるこ
とが好ましい。

【００５６】積層セラミックコンデンサの製造方法 本発明に係る誘電体磁器組成物の製造方法を用いて製造
される積層セラミックコンデンサは、ペーストを用いた
通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製
し、これを焼成した後、外部電極を印刷または転写して
焼成することにより製造される。以下、製造方法につい
て具体的に説明する。

【００５７】まず、誘電体層用ペーストに含まれる誘電
体磁器組成物粉末を準備する。本発明では、前述した組
成の誘電体磁器組成物粉末を得る前に、仮焼きを行う。
すなわち、図２に示すように、第２副成分を除いて、主
成分（Ｂａ_ｍ ＴｉＯ_２＋ｍ ）と、第１副成分（たとえ
ばＭｇＣＯ_３ ）、第３副成分（たとえばＶ
_２ Ｏ _５ ）、第４副成分（たとえばＹｂ_２ Ｏ_３ ）
および第５副成分（たとえばＹ _２ Ｏ_３ ）のうちの少
なくとも一つとを混合し、乾燥することにより、仮焼前
粉体を準備する。

【００５８】この仮焼前粉体は、次に仮焼される。仮焼
条件は、特に限定されないが、次に示す条件で行うこと
が好ましい。 昇温速度：５０〜４００℃／時間、特に１００〜３００
℃／時間、 保持温度：７００℃〜１１００℃、特に７００℃〜９０
０℃、 温度保持時間：０．５時間〜６時間、特に１〜３時間、 雰囲気：空気中および窒素中である。

【００５９】仮焼きされた仮焼済粉末は、アルミナロー
ルなどにより粗粉砕された後、図２に示すように、少な
くとも第２副成分を添加し、さらに必要に応じて、残り
の添加物を添加して、前述した最終組成にする。その
後、この混合粉末を、必要に応じて、ボールミルなどに
よって混合し、乾燥することによって、本発明の組成を
持つ誘電体磁器組成物粉末を得る。

【００６０】次に、この誘電体磁器組成物粉末を塗料化
して、誘電体層用ペーストを調整する。誘電体層用ペー
ストは、誘電体磁器組成物粉末と有機ビヒクルとを混練
した有機系の塗料であってもよく、水系の塗料であって
もよい。

【００６１】誘電体磁器組成物粉末としては、上記した
酸化物やその混合物、複合酸化物を用いることができる
が、その他、焼成により上記した酸化物や複合酸化物と
なる各種化合物、例えば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸
塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合
して用いることもできる。誘電体磁器組成物粉末中の各
化合物の含有量は、焼成後に上記した誘電体磁器組成物
の組成となるように決定すればよい。塗料化する前の状
態で、誘電体磁器組成物粉末の粒径は、通常、平均粒径
０．１〜３μｍ程度である。

【００６２】有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中
に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダ
は特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチ
ラール等の通常の各種バインダから適宜選択すればよ
い。また、用いる有機溶剤も特に限定されず、印刷法や
シート法など、利用する方法に応じて、テルピネオー
ル、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の各種
有機溶剤から適宜選択すればよい。

【００６３】また、誘電体層用ペーストを水系の塗料と
する場合には、水溶性のバインダや分散剤などを水に溶
解させた水系ビヒクルと、誘電体原料とを混練すればよ
い。水系ビヒクルに用いる水溶性バインダは特に限定さ
れず、例えば、ポリビニルアルコール、セルロース、水
溶性アクリル樹脂などを用いればよい。

【００６４】内部電極層用ペーストは、上記した各種誘
電性金属や合金からなる導電材、あるいは焼成後に上記
した導電材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネ
ート等と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製す
る。外部電極用ペーストは、上記した内部電極層用ペー
ストと同様にして調製すればよい。

【００６５】上記した各ペースト中の有機ビヒクルの含
有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、バイン
ダは１〜５重量％程度、溶剤は１０〜５０重量％程度と
すればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて各
種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される添
加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、１
０重量％以下とすることが好ましい。

【００６６】印刷法を用いる場合、誘電体層用ペースト
および内部電極層用ペーストを、ＰＥＴ等の基板上に積
層印刷し、所定形状に切断した後、基板から剥離してグ
リーンチップとする。

【００６７】また、シート法を用いる場合、誘電体層用
ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内
部電極層用ペーストを印刷した後、これらを積層してグ
リーンチップとする。

【００６８】焼成前に、グリーンチップに脱バインダ処
理を施す。脱バインダ処理は、通常の条件で行えばよい
が、内部電極層の導電材にＮｉやＮｉ合金等の卑金属を
用いる場合、特に下記の条件で行うことが好ましい。 昇温速度：５〜３００℃／時間、特に１０〜１００℃／
時間、 保持温度：１８０〜４００℃、特に２００〜３００℃、 温度保持時間：０．５〜２４時間、特に５〜２０時間、 雰囲気：空気中。

【００６９】グリーンチップ焼成時の雰囲気は、内部電
極層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定され
ればよいが、導電材としてＮｉやＮｉ合金等の卑金属を
用いる場合、焼成雰囲気中の酸素分圧は、１０^−８〜１
０^−１２ 気圧とすることが好ましい。酸素分圧が前記
範囲未満であると、内部電極層の導電材が異常焼結を起
こし、途切れてしまうことがある。また、酸素分圧が前
記範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にある。

【００７０】また、焼成時の保持温度は、好ましくは１
１００〜１４００℃、より好ましくは１２００〜１３６
０℃、さらに好ましくは１２００〜１３４０℃である。
保持温度が前記範囲未満であると緻密化が不十分とな
り、前記範囲を超えると、内部電極層の異常焼結による
電極の途切れや、内部電極層構成材料の拡散による容量
温度特性の悪化、誘電体磁器組成物の還元が生じやすく
なる。

【００７１】上記条件以外の各種条件は、下記範囲から
選択することが好ましい。 昇温速度：５０〜５００℃／時間、特に２００〜３００
℃／時間、 温度保持時間：０．５〜８時間、特に１〜３時間、 冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に２００〜３００
℃／時間。 なお、焼成雰囲気は還元性雰囲気とすることが好まし
く、雰囲気ガスとしては、例えば、Ｎ_２ とＨ_２ との
混合ガスを加湿して用いることが好ましい。

【００７２】還元性雰囲気中で焼成した場合、コンデン
サ素子本体にはアニールを施すことが好ましい。アニー
ルは、誘電体層を再酸化するための処理であり、これに
よりＩＲ寿命を著しく長くすることができるので、信頼
性が向上する。

【００７３】アニール雰囲気中の酸素分圧は、１０^−９
気圧以上、好ましくは１０^−６気圧以上、特に１０^−５
〜１０^−４気圧とすることが好ましい。酸素分圧が前記
範囲未満であると誘電体層の再酸化が困難であり、前記
範囲を超えると内部電極層が酸化する傾向にある。

【００７４】アニールの際の保持温度は、１１００℃以
下、特に５００〜１１００℃とすることが好ましい。保
持温度が前記範囲未満であると誘電体層の酸化が不十分
となるので、ＩＲが低く、また、ＩＲ寿命が短くなりや
すい。一方、保持温度が前記範囲を超えると、内部電極
層が酸化して容量が低下するだけでなく、内部電極層が
誘電体素地と反応してしまい、容量温度特性の悪化、Ｉ
Ｒの低下、ＩＲ寿命の低下が生じやすくなる。なお、ア
ニールは昇温過程および降温過程だけから構成してもよ
い。すなわち、温度保持時間を零としてもよい。この場
合、保持温度は最高温度と同義である。

【００７５】上記条件以外の各種条件は、下記範囲から
選択することが好ましい。 温度保持時間：０〜２０時間、特に６〜１０時間、 冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に１００〜３００
℃／時間 なお、雰囲気用ガスには、加湿したＮ_２ ガス等を用い
ることが好ましい。

【００７６】上記した脱バインダ処理、焼成およびアニ
ールにおいて、Ｎ_２ ガスや混合ガス等を加湿するに
は、例えばウェッター等を使用すればよい。この場合、
水温は５〜７５℃程度が好ましい。

【００７７】脱バインダ処理、焼成およびアニールは、
連続して行なっても、独立に行なってもよい。これらを
連続して行なう場合、脱バインダ処理後、冷却せずに雰
囲気を変更し、続いて焼成の際の保持温度まで昇温して
焼成を行ない、次いで冷却し、アニールの保持温度に達
したときに雰囲気を変更してアニールを行なうことが好
ましい。一方、これらを独立して行なう場合、焼成に際
しては、脱バインダ処理時の保持温度までＮ_２ ガスあ
るいは加湿したＮ_２ ガス雰囲気下で昇温した後、雰囲
気を変更してさらに昇温を続けることが好ましく、アニ
ール時の保持温度まで冷却した後は、再びＮ_２ ガスあ
るいは加湿したＮ_２ ガス雰囲気に変更して冷却を続け
ることが好ましい。また、アニールに際しては、Ｎ_２
ガス雰囲気下で保持温度まで昇温した後、雰囲気を変更
してもよく、アニールの全過程を加湿したＮ_２ ガス雰
囲気としてもよい。

【００７８】上記のようにして得られたコンデンサ素子
本体に、例えばバレル研磨やサンドブラストなどにより
端面研磨を施し、外部電極用ペーストを印刷または転写
して焼成し、外部電極４を形成する。外部電極用ペース
トの焼成条件は、例えば、加湿したＮ_２ とＨ_２ との
混合ガス中で６００〜８００℃にて１０分間〜１時間程
度とすることが好ましい。そして、必要に応じ、外部電
極４表面に、めっき等により被覆層を形成する。

【００７９】このようにして製造された本発明の積層セ
ラミックコンデンサは、８０℃以上、特に１２５℃以
上、１５０℃以下の温度で使用される。このような１２
５℃以上１５０℃以下の温度においても容量温度変化率
がＥＩＡ規格のＲ特性を満足する。また、使用時の電界
強度が０．０２Ｖ／μｍ以上、特に０．２Ｖ／μｍ以
上、０．５Ｖ／μｍの交流電界、および５Ｖ／μ以下の
直流電界を重畳しても、容量温度変化率が安定してい
る。

【００８０】また、このようにして製造された本発明の
積層セラミックコンデンサは、ハンダ付等によりプリン
ト基板上などに実装され、各種電子機器等に使用され
る。

【００８１】なお、本発明は、上述した実施形態に限定
されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変する
ことができる。たとえば、本発明に係る製造方法により
得られる誘電体磁器組成物は、積層セラミックコンデン
サのみに使用されるものではなく、誘電体層が形成され
るその他の電子部品に使用されても良い。

【００８２】

【実施例】以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づ
き説明するが、本発明は、これら実施例に限定されな
い。

【００８３】実施例１ 以下に示す手順で、積層セラミックコンデンサのサンプ
ルを作製した。まず、下記の各ペーストを調製した。

【００８４】誘電体層用ペースト それぞれ粒径０．１〜１μｍの主成分原料および副成分
原料を用意した。ＭｇＯおよびＭｎＯの原料には炭酸塩
を用い、他の原料には酸化物を用いた。また、第２副成
分の原料には、（Ｂａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ
_３ を用いた。なお、（Ｂａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）Ｓ
ｉＯ_３ は、ＢａＣＯ_３ ，ＣａＣＯ_３およびＳｉＯ
_２ をボールミルにより１６時間湿式混合し、乾燥後、
１１５０℃で空気中で焼成し、さらに、ボールミルによ
り１００時間湿式粉砕することにより製造した。

【００８５】まず、主成分であるＢａＴｉＯ_３ と、第
１副成分の原料であるＭｇＣＯ_３とを混合し、乾燥する
ことにより、仮焼前粉体を準備した。表１に示すよう
に、仮焼前粉体は、１００モルのＢａ_ｍ ＴｉＯ
_２＋ｍ に対して、０．９モルのＭｇＣＯ_３ が含有し
てあった。また、この仮焼前粉体中の特定成分のモル
比：（Ｂａ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｔｉ＋Ｙｂ＋Ｙ）
を調べたところ、表１に示すように、１．００９であっ
た。また、モル比：（Ｂａ＋Ｙｂ＋Ｙ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ
＋Ｃａ＋Ｓｒ）を調べたところ、表１に示すように、
０．９９１であった。

【００８６】次に、この仮焼前粉体を仮焼した。仮焼き
条件は、以下の通りであった。 昇温速度：３００℃／時間、 保持温度（表２ではＴ１）：１０００℃、 温度保持時間：２時間、 雰囲気：空気中。

【００８７】この仮焼きによって得られた材料をアルミ
ナロールで粉砕して仮焼済粉体とし、その後、この仮焼
済粉体に対して、表２に示すように、３．０モルの（Ｂ
ａ_{０ ．６} Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ （表では、ＢＣＧ
と記載してある）、０．３７４モルのＭｎＣＯ_３ 、
０．１モルのＶ_２ Ｏ_５ 、２．１モルのＹｂ
_２ Ｏ_３ 、および２．０モルのＹ_２ Ｏ_３ を添加し、
ボールミルにより１６時湿式混合した後に乾燥し、最終
組成の誘電体磁器組成物粉体を得た。

【００８８】このようにして得られた誘電体磁器組成物
粉体１００重量部と、アクリル樹脂４．８重量部と、塩
化メチレン４０重量部と、酢酸エチル２０重量部と、ミ
ネラルスピリット６重量部と、アセトン４重量部とをボ
ールミルで混合し、ペースト化した。

【００８９】内部電極層用ペースト 平均粒径０．２〜０．８μｍのＮｉ粒子１００重量部
と、有機ビヒクル（エチルセルロース８重量部をブチル
カルビトール９２重量部に溶解したもの）４０重量部
と、ブチルカルビトール１０重量部とを３本ロールによ
り混練し、ペースト化した。

【００９０】外部電極用ペースト 平均粒径０．５μｍのＣｕ粒子１００重量部と、有機ビ
ヒクル（エチルセルロース樹脂８重量部をブチルカルビ
トール９２重量部に溶解したもの）３５重量部およびブ
チルカルビトール７重量部とを混練し、ペースト化し
た。

【００９１】グリーンチップの作製 上記誘電体層用ペーストを用いてＰＥＴフィルム上に、
厚さ１５μｍのグリーンシートを形成した。厚さ１５μ
ｍのグリーンシートの表面に内部電極用ペーストを印刷
した後、ＰＥＴフィルムからシートを剥離した。次い
で、内部電極層用ペーストを印刷後のグリーンシート４
層を、厚さ１５μｍの保護用グリーンシート（内部電極
層用ペーストを印刷しないもの）で挟んで積層し、その
後、圧着してグリーンチップを得た。

【００９２】焼成 まず、グリーンチップを所定サイズに切断し、脱バイン
ダ処理、焼成およびアニールを下記条件にて行った後、
外部電極を形成して、図１に示す構成の積層セラミック
コンデンサのサンプルを得た。

【００９３】脱バインダ処理条件 昇温速度：１５℃／時間、 保持温度：２８０℃、 温度保持時間：８時間、 雰囲気：空気中。

【００９４】焼成条件 昇温速度：２００℃／時間、 保持温度（表２ではＴ２）：表２に示す温度、 温度保持時間：２時間、 冷却速度：３００℃／時間、 雰囲気ガス：加湿したＮ_２ ＋Ｈ_２ 混合ガス、 酸素分圧：１０^−９ 気圧。

【００９５】アニール条件 保持温度：９００℃、 温度保持時間：９時間、 冷却速度：３００℃／時間、 雰囲気ガス：加湿したＮ_２ ガス、 酸素分圧：１０^−５気圧 なお、焼成およびアニールの際の雰囲気ガスの加湿に
は、水温を３５℃としたウエッターを用いた。

【００９６】外部電極 外部電極は、焼成体の端面をサンドブラストにて研磨し
た後、上記外部電極用ペーストを前記端面に転写し、加
湿したＮ_２ ＋Ｈ_２ 雰囲気で８００℃にて１０分間焼
成することにより形成した。

【００９７】このようにして得られた各サンプルのサイ
ズは、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．６ｍｍであり、内
部電極層に挟まれた誘電体層の数は４、その厚さは１０
μｍであり、内部電極層の厚さは１．５μｍであった。

【００９８】また、コンデンサのサンプルのほかに、円
板状サンプルも作製した。この円板状サンプルは、上記
コンデンサのサンプルの誘電体層と同組成で、かつ焼成
条件が同じであり、直径５ｍｍのＩｎ−Ｇａ電極をサン
プルの両面に塗布したものである。

【００９９】各サンプルについて下記特性の評価を行っ
た。比誘電率（εｒ）、誘電損失（ｔａｎＤ） 円板状サンプルに対し、２５℃において、ＬＣＲメータ
により１ｋＨｚ，１Ｖｒｍｓの条件下で容量およびｔａ
ｎＤを測定した。そして、容量、電極寸法およびサンプ
ルの厚さから、比誘電率を算出した。結果を表３に示
す。比誘電率は高いほど良い。誘電損失は低い程良い。

【０１００】絶縁抵抗（ρ） 積層チップコンデンサのサンプルに対し、２５℃におけ
る比抵抗を測定した。比抵抗の測定は、絶縁抵抗計
（（株）アドバンテスト社製Ｒ８３４０Ａ（５０Ｖ−１
分値））により行った。結果を表３に示す。なお、表３
中のＣＲ積は、誘電率と絶縁抵抗との積である。絶縁抵
抗は高い程良い。

【０１０１】破壊電圧（ＶＢ） 破壊電圧は、４層品の積層チップコンデンサのサンプル
に対し、１００Ｖ／秒の昇圧スピードで直流電圧を印加
し、１００ｍＡの漏洩電流が観察されたときの電圧を測
定することにより求めた。結果を表３に示す。破壊電圧
は、高い程良い。

【０１０２】直流電界下でのＩＲ寿命（高温加速寿命） 積層チップコンデンサのサンプルに対し、２００℃にて
１５Ｖ／μｍの電界下で加速試験を行い、絶縁抵抗が１
ＭΩ以下になるまでの時間を寿命時間とした。結果を表
３に示す。この寿命が長いほど、コンデンサの耐久性が
向上する。

【０１０３】容量の温度特性 積層チップコンデンサのサンプルに対し、−５５〜１６
０℃の温度範囲で容量を測定し、Ｘ８Ｒ特性を満足する
かどうかを調べた。図３に示すように、Ｘ８Ｒ特性を満
足することが確認できた。なお、図３には、Ｘ８Ｒ特性
を満足する矩形範囲を併記した。なお、測定には、ＬＣ
Ｒメータを用い、測定電圧は１Ｖとした。

【０１０４】

【表１】

【０１０５】

【表２】

【０１０６】

【表３】

【０１０７】実施例２ 主成分であるＢａＴｉＯ_３ と、第１副成分の原料であ
るＭｇＣＯ_３ と、第５副成分であるＹ_２ Ｏ_３ とを
混合し、乾燥することにより、仮焼前粉体を準備した。
表１に示すように、仮焼前粉体は、１００モルのＢａＴ
ｉＯ_３ に対して、０．９モルのＭｇＣＯ_３ と、０．
５モルのＹ_２ Ｏ_３ とが含有してあった。また、この
仮焼前粉体中の特定成分のモル比：（Ｂａ＋Ｍｇ＋Ｃａ
＋Ｓｒ）／（Ｔｉ＋Ｙｂ＋Ｙ）を調べたところ、表１に
示すように、０．９９９であった。また、モル比：（Ｂ
ａ＋Ｙｂ＋Ｙ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ）を調べた
ところ、表１に示すように、１．００１であった。

【０１０８】次に、この仮焼前粉体を仮焼し、この仮焼
済粉体に対して、表２に示すように、３．０モルの（Ｂ
ａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ 、０．３７４モル
のＭｎＣＯ_３ 、０．１モルのＶ_２ Ｏ_５ 、２．１モ
ルのＹｂ_２ Ｏ_３ 、および１．５モルのＹ_２ Ｏ_３
を添加した以外は、前記実施例１と同様にして、円柱状
サンプルと、コンデンサのサンプルとを準備し、実施例
１と同様な試験を行った。結果を表３および図３に示
す。

【０１０９】実施例３ 主成分であるＢａＴｉＯ_３ と、第１副成分の原料であ
るＭｇＣＯ_３ と、第４副成分であるＹｂ_２ Ｏ_３ と
を混合し、乾燥することにより、仮焼前粉体を準備し
た。表１に示すように、仮焼前粉体は、１００モルのＢ
ａＴｉＯ_３ に対して、０．９モルのＭｇＣＯ_３ と、
０．５モルのＹｂ_２ Ｏ_３ とが含有してあった。ま
た、この仮焼前粉体中の特定成分のモル比：（Ｂａ＋Ｍ
ｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｔｉ＋Ｙｂ＋Ｙ）を調べたとこ
ろ、表１に示すように、０．９９９であった。また、モ
ル比：（Ｂａ＋Ｙｂ＋Ｙ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓ
ｒ）を調べたところ、表１に示すように、１．００１で
あった。

【０１１０】次に、この仮焼前粉体を仮焼し、この仮焼
済粉体に対して、表２に示すように、３．０モルの（Ｂ
ａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ 、０．３７４モル
のＭｎＣＯ_３ 、０．１モルのＶ_２ Ｏ_５ 、１．６モ
ルのＹｂ_２ Ｏ_３ 、および２．０モルのＹ_２ Ｏ_３
を添加した以外は、前記実施例１と同様にして、円柱状
サンプルと、コンデンサのサンプルとを準備し、実施例
１と同様な試験を行った。結果を表３および図３に示
す。

【０１１１】実施例４ 主成分であるＢａＴｉＯ_３ と、第１副成分の原料であ
るＭｇＣＯ_３ と、第４副成分であるＹｂ_２ Ｏ
_３ と、第５副成分であるＹ_２ Ｏ_３ とを混合し、乾
燥することにより、仮焼前粉体を準備した。表１に示す
ように、仮焼前粉体は、１００モルのＢａＴｉＯ_３ に
対して、０．９モルのＭｇＣＯ_３ と、０．５モルのＹ
ｂ_２ Ｏ_３ と、０．５モルのＹ_２ Ｏ_３ とが含有し
てあった。また、この仮焼前粉体中の特定成分のモル
比：（Ｂａ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｔｉ＋Ｙｂ＋Ｙ）
を調べたところ、表１に示すように、０．９８９であっ
た。また、モル比：（Ｂａ＋Ｙｂ＋Ｙ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ
＋Ｃａ＋Ｓｒ）を調べたところ、表１に示すように、
１．０１１であった。

【０１１２】次に、この仮焼前粉体を仮焼し、この仮焼
済粉体に対して、表２に示すように、３．０モルの（Ｂ
ａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ 、０．３７４モル
のＭｎＣＯ_３ 、０．１モルのＶ_２ Ｏ_５ 、１．６モ
ルのＹｂ_２ Ｏ_３ 、および１．５モルのＹ_２ Ｏ_３
を添加した以外は、前記実施例１と同様にして、円柱状
サンプルと、コンデンサのサンプルとを準備し、実施例
１と同様な試験を行った。結果を表３および図３に示
す。

【０１１３】実施例５ 主成分であるＢａＴｉＯ_３ と、第１副成分の原料であ
るＭｇＣＯ_３ と、第３副成分であるＶ_２ Ｏ_５ と、
第４副成分であるＹｂ_２ Ｏ_３ と、第５副成分である
Ｙ_２ Ｏ_３ と、その他の副成分の原料であるＭｎＣＯ
_３ とを混合し、乾燥することにより、仮焼前粉体を準
備した。表１に示すように、仮焼前粉体は、１００モル
のＢａＴｉＯ_３ に対して、０．９モルのＭｇＣＯ_３
と、０．３７モルのＭｎＣＯ_３ と、０．１モルのＶ
_２ Ｏ_５ と、０．５モルのＹｂ_２ Ｏ_３ と、０．５モ
ルのＹ_２ Ｏ_３ とが含有してあった。また、この仮焼
前粉体中の特定成分のモル比：（Ｂａ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓ
ｒ）／（Ｔｉ＋Ｙｂ＋Ｙ）を調べたところ、表１に示す
ように、０．９８９であった。また、モル比：（Ｂａ＋
Ｙｂ＋Ｙ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ）を調べたとこ
ろ、表１に示すように、１．０１１であった。

【０１１４】次に、この仮焼前粉体を仮焼し、この仮焼
済粉体に対して、表２に示すように、３．０モルの（Ｂ
ａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ 、１．６モルのＹ
ｂ_２ Ｏ_３ 、および１．５モルのＹ_２ Ｏ_３ を添加し
た以外は、前記実施例１と同様にして、円柱状サンプル
と、コンデンサのサンプルとを準備し、実施例１と同様
な試験を行った。結果を表１および図３に示す。

【０１１５】比較例１ 表１および表２に示すように、仮焼きせず、主成分であ
るＢａＴｉＯ_３ ：１００モルに対し、０．９モルのＭ
ｇＣＯ_３ 、０．３７４モルのＭｎＣＯ_３ 、３．０モ
ルの（Ｂａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ 、０．１
モルのＶ_２ Ｏ _５ 、２．１モルのＹｂ_２ Ｏ_３ 、お
よび２．０モルのＹ_２ Ｏ_３ を添加した混合粉体を用
いて焼成を行った以外は、前記実施例１と同様にして、
円柱状サンプルと、コンデンサのサンプルとを準備し、
実施例１と同様な試験を行った。結果を表３および図３
に示す。なお、この組成物中の特定成分のモル比：（Ｂ
ａ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｔｉ＋Ｙｂ＋Ｙ）を調べた
ところ、表１に示すように、１．０００であった。ま
た、モル比：（Ｂａ＋Ｙｂ＋Ｙ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ＋Ｃａ
＋Ｓｒ）を調べたところ、表１に示すように、１．００
０であった。

【０１１６】実施例６〜１０ 焼成温度（Ｔ２）を１３４０℃とした以外は、前記実施
例１〜５と同様にして、円柱状サンプルと、コンデンサ
のサンプルとを準備し、実施例１〜５と同様な試験を行
った。結果を表３に示す。

【０１１７】比較例２ 焼成温度（Ｔ２）を１３４０℃とした以外は、前記比較
例１と同様にして、円柱状サンプルと、コンデンサのサ
ンプルとを準備し、比較例１と同様な試験を行った。結
果を表３に示す。

【０１１８】実施例１１ 主成分であるＢａＴｉＯ_３ と、第１副成分の原料であ
るＭｇＣＯ_３ と、第５副成分であるＹ_２ Ｏ_３ とを
混合し、乾燥することにより、仮焼前粉体を準備した。
表１に示すように、仮焼前粉体は、１００モルのＢａＴ
ｉＯ_３ に対して、０．９モルのＭｇＣＯ_３ と、１．
０モルのＹ_２ Ｏ_３ とが含有してあった。また、この
仮焼前粉体中の特定成分のモル比：（Ｂａ＋Ｍｇ＋Ｃａ
＋Ｓｒ）／（Ｔｉ＋Ｙｂ＋Ｙ）を調べたところ、表１に
示すように、０．９８９であった。また、モル比：（Ｂ
ａ＋Ｙｂ＋Ｙ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ）を調べた
ところ、表１に示すように、１．０１１であった。

【０１１９】次に、この仮焼前粉体を仮焼し、この仮焼
済粉体に対して、表２に示すように、３．０モルの（Ｂ
ａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ 、０．３７４モル
のＭｎＣＯ_３ 、０．１モルのＶ_２ Ｏ_５ 、２．１モ
ルのＹｂ_２ Ｏ_３ 、および１．０モルのＹ_２ Ｏ_３
を添加した以外は、前記実施例１と同様にして、円柱状
サンプルと、コンデンサのサンプルとを準備し、実施例
１と同様な試験を行った。結果を表３に示す。

【０１２０】実施例１２ 主成分であるＢａＴｉＯ_３ と、第１副成分の原料であ
るＭｇＣＯ_３ と、第４副成分であるＹｂ_２ Ｏ_３ と
を混合し、乾燥することにより、仮焼前粉体を準備し
た。表１に示すように、仮焼前粉体は、１００モルのＢ
ａＴｉＯ_３ に対して、０．９モルのＭｇＣＯ_３ と、
１．０モルのＹｂ_２ Ｏ_３ とが含有してあった。ま
た、この仮焼前粉体中の特定成分のモル比：（Ｂａ＋Ｍ
ｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｔｉ＋Ｙｂ＋Ｙ）を調べたとこ
ろ、表１に示すように、０．９８９であった。また、モ
ル比：（Ｂａ＋Ｙｂ＋Ｙ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓ
ｒ）を調べたところ、表１に示すように、１．０１１で
あった。

【０１２１】次に、この仮焼前粉体を仮焼し、この仮焼
済粉体に対して、表２に示すように、３．０モルの（Ｂ
ａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ 、０．３７４モル
のＭｎＣＯ_３ 、０．１モルのＶ_２ Ｏ_５ 、１．１モ
ルのＹｂ_２ Ｏ_３ 、および２．０モルのＹ_２ Ｏ_３
を添加した以外は、前記実施例１と同様にして、円柱状
サンプルと、コンデンサのサンプルとを準備し、実施例
１と同様な試験を行った。結果を表３に示す。

【０１２２】実施例１３ 主成分であるＢａＴｉＯ_３ と、第１副成分の原料であ
るＭｇＣＯ_３ と、第４副成分であるＹｂ_２ Ｏ
_３ と、第５副成分であるＹ_２ Ｏ_３ とを混合し、乾
燥することにより、仮焼前粉体を準備した。表１に示す
ように、仮焼前粉体は、１００モルのＢａＴｉＯ_３ に
対して、０．９モルのＭｇＣＯ_３ と、１．０モルのＹ
ｂ_２ Ｏ_３ と、１．０モルのＹ_２ Ｏ_３ とが含有し
てあった。また、この仮焼前粉体中の特定成分のモル
比：（Ｂａ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｔｉ＋Ｙｂ＋Ｙ）
を調べたところ、表１に示すように、０．９７０であっ
た。また、モル比：（Ｂａ＋Ｙｂ＋Ｙ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ
＋Ｃａ＋Ｓｒ）を調べたところ、表１に示すように、
１．０３１であった。

【０１２３】次に、この仮焼前粉体を仮焼し、この仮焼
済粉体に対して、表２に示すように、３．０モルの（Ｂ
ａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ 、０．３７４モル
のＭｎＣＯ_３ 、０．１モルのＶ_２ Ｏ_５ 、１．１モ
ルのＹｂ_２ Ｏ_３ 、および１．０モルのＹ_２ Ｏ_３
を添加した以外は、前記実施例１と同様にして、円柱状
サンプルと、コンデンサのサンプルとを準備し、実施例
１と同様な試験を行った。結果を表３に示す。

【０１２４】実施例１４ 主成分であるＢａＴｉＯ_３ と、第１副成分の原料であ
るＭｇＣＯ_３ と、第３副成分であるＶ_２ Ｏ_５ と、
第４副成分であるＹｂ_２ Ｏ_３ と、第５副成分である
Ｙ_２ Ｏ_３ と、その他の副成分の原料であるＭｎＣＯ
_３ とを混合し、乾燥することにより、仮焼前粉体を準
備した。表１に示すように、仮焼前粉体は、１００モル
のＢａＴｉＯ_３ に対して、０．９モルのＭｇＣＯ_３
と、０．３７モルのＭｎＣＯ_３ と、０．１モルのＶ
_２ Ｏ_５ と、１．０モルのＹｂ_２ Ｏ_３ と、１．０モ
ルのＹ_２ Ｏ_３ とが含有してあった。また、この仮焼
前粉体中の特定成分のモル比：（Ｂａ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓ
ｒ）／（Ｔｉ＋Ｙｂ＋Ｙ）を調べたところ、表１に示す
ように、０．９７０であった。また、モル比：（Ｂａ＋
Ｙｂ＋Ｙ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ）を調べたとこ
ろ、表１に示すように、１．０３１であった。

【０１２５】次に、この仮焼前粉体を仮焼し、この仮焼
済粉体に対して、表２に示すように、３．０モルの（Ｂ
ａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ 、１．１モルのＹ
ｂ_２ Ｏ_３ 、および１．０モルのＹ_２ Ｏ_３ を添加し
た以外は、前記実施例１と同様にして、円柱状サンプル
と、コンデンサのサンプルとを準備し、実施例１と同様
な試験を行った。結果を表３に示す。

【０１２６】実施例１５ 主成分であるＢａＴｉＯ_３ と、第１副成分の原料であ
るＭｇＣＯ_３ と、第５副成分であるＹ_２ Ｏ_３ とを
混合し、乾燥することにより、仮焼前粉体を準備した。
表１に示すように、仮焼前粉体は、１００モルのＢａＴ
ｉＯ_３ に対して、０．９モルのＭｇＣＯ_３ と、２．
０モルのＹ_２ Ｏ_３ とが含有してあった。また、この
仮焼前粉体中の特定成分のモル比：（Ｂａ＋Ｍｇ＋Ｃａ
＋Ｓｒ）／（Ｔｉ＋Ｙｂ＋Ｙ）を調べたところ、表１に
示すように、０．９７０であった。また、モル比：（Ｂ
ａ＋Ｙｂ＋Ｙ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ）を調べた
ところ、表１に示すように、１．０３１であった。

【０１２７】次に、この仮焼前粉体を仮焼し、この仮焼
済粉体に対して、表２に示すように、３．０モルの（Ｂ
ａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ 、０．３７４モル
のＭｎＣＯ_３ 、０．１モルのＶ_２ Ｏ_５ 、および
２．１モルのＹｂ_２ Ｏ_３ を添加した以外は、前記実
施例１と同様にして、円柱状サンプルと、コンデンサの
サンプルとを準備し、実施例１と同様な試験を行った。
結果を表３に示す。

【０１２８】実施例１６ 主成分であるＢａＴｉＯ_３ と、第１副成分の原料であ
るＭｇＣＯ_３ と、第４副成分であるＹｂ_２ Ｏ_３ と
を混合し、乾燥することにより、仮焼前粉体を準備し
た。表１に示すように、仮焼前粉体は、１００モルのＢ
ａＴｉＯ_３ に対して、０．９モルのＭｇＣＯ_３ と、
２．１モルのＹｂ_２ Ｏ_３ とが含有してあった。ま
た、この仮焼前粉体中の特定成分のモル比：（Ｂａ＋Ｍ
ｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｔｉ＋Ｙｂ＋Ｙ）を調べたとこ
ろ、表１に示すように、０．９６８であった。また、モ
ル比：（Ｂａ＋Ｙｂ＋Ｙ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓ
ｒ）を調べたところ、表１に示すように、１．０３３で
あった。

【０１２９】次に、この仮焼前粉体を仮焼し、この仮焼
済粉体に対して、表２に示すように、３．０モルの（Ｂ
ａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ 、０．３７４モル
のＭｎＣＯ_３ 、０．１モルのＶ_２ Ｏ_５ 、および
２．０モルのＹ_２ Ｏ_３ を添加した以外は、前記実施
例１と同様にして、円柱状サンプルと、コンデンサのサ
ンプルとを準備し、実施例１と同様な試験を行った。結
果を表３に示す。

【０１３０】実施例１７ 主成分であるＢａＴｉＯ_３ と、第１副成分の原料であ
るＭｇＣＯ_３ と、第４副成分であるＹｂ_２ Ｏ
_３ と、第５副成分であるＹ_２ Ｏ_３ とを混合し、乾
燥することにより、仮焼前粉体を準備した。表１に示す
ように、仮焼前粉体は、１００モルのＢａＴｉＯ_３ に
対して、０．９モルのＭｇＣＯ_３ と、２．１モルのＹ
ｂ_２ Ｏ_３ と、２．０モルのＹ_２ Ｏ_３ とが含有し
てあった。また、この仮焼前粉体中の特定成分のモル
比：（Ｂａ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｔｉ＋Ｙｂ＋Ｙ）
を調べたところ、表１に示すように、０．９３２であっ
た。また、モル比：（Ｂａ＋Ｙｂ＋Ｙ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ
＋Ｃａ＋Ｓｒ）を調べたところ、表１に示すように、
１．０７３であった。

【０１３１】次に、この仮焼前粉体を仮焼し、この仮焼
済粉体に対して、表２に示すように、３．０モルの（Ｂ
ａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ 、０．３７４モル
のＭｎＣＯ_３ 、および０．１モルのＶ_２ Ｏ_５ を添
加した以外は、前記実施例１と同様にして、円柱状サン
プルと、コンデンサのサンプルとを準備し、実施例１と
同様な試験を行った。結果を表３に示す。

【０１３２】実施例１８ 主成分であるＢａＴｉＯ_３ と、第１副成分の原料であ
るＭｇＣＯ_３ と、第３副成分であるＶ_２ Ｏ_５ と、
第４副成分であるＹｂ_２ Ｏ_３ と、第５副成分である
Ｙ_２ Ｏ_３ と、その他の副成分の原料であるＭｎＣＯ
_３ とを混合し、乾燥することにより、仮焼前粉体を準
備した。表１に示すように、仮焼前粉体は、１００モル
のＢａＴｉＯ_３ に対して、０．９モルのＭｇＣＯ_３
と、０．３７モルのＭｎＣＯ_３ と、０．１モルのＶ
_２ Ｏ_５ と、２．１モルのＹｂ_２ Ｏ_３ と、２．０モ
ルのＹ_２ Ｏ_３ とが含有してあった。また、この仮焼
前粉体中の特定成分のモル比：（Ｂａ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓ
ｒ）／（Ｔｉ＋Ｙｂ＋Ｙ）を調べたところ、表１に示す
ように、０．９３２であった。また、モル比：（Ｂａ＋
Ｙｂ＋Ｙ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ）を調べたとこ
ろ、表１に示すように、１．０７３であった。

【０１３３】次に、この仮焼前粉体を仮焼し、この仮焼
済粉体に対して、表２に示すように、３．０モルの（Ｂ
ａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ を添加した以外
は、前記実施例１と同様にして、円柱状サンプルと、コ
ンデンサのサンプルとを準備し、実施例１と同様な試験
を行った。結果を表３に示す。

【０１３４】参考例１ 仮焼き温度（Ｔ１）を６００℃とした以外は、前記実施
例１８と同様にして、円柱状サンプルと、コンデンサの
サンプルとを準備し、実施例１と同様な試験を行った。
結果を表３に示す。

【０１３５】実施例１９ 仮焼き温度（Ｔ１）を７００℃とした以外は、前記実施
例１８と同様にして、円柱状サンプルと、コンデンサの
サンプルとを準備し、実施例１と同様な試験を行った。
結果を表３に示す。

【０１３６】実施例２０ 仮焼き温度（Ｔ１）を８００℃とした以外は、前記実施
例１８と同様にして、円柱状サンプルと、コンデンサの
サンプルとを準備し、実施例１と同様な試験を行った。
結果を表３に示す。

【０１３７】実施例２１ 仮焼き温度（Ｔ１）を９００℃とした以外は、前記実施
例１８と同様にして、円柱状サンプルと、コンデンサの
サンプルとを準備し、実施例１と同様な試験を行った。
結果を表３に示す。

【０１３８】実施例２２ 仮焼き温度（Ｔ１）を１１００℃とした以外は、前記実
施例１８と同様にして、円柱状サンプルと、コンデンサ
のサンプルとを準備し、実施例１と同様な試験を行っ
た。結果を表３に示す。

【０１３９】参考例２ 仮焼き温度（Ｔ１）を１２００℃とした以外は、前記実
施例１８と同様にして、円柱状サンプルと、コンデンサ
のサンプルとを準備し、実施例１と同様な試験を行っ
た。結果を表３に示す。

【０１４０】参考例３ 主成分であるＢａＴｉＯ_３ と、第１副成分の原料であ
るＭｇＣＯ_３ と、第３副成分であるＶ_２ Ｏ_５ と、
第４副成分であるＹｂ_２ Ｏ_３ と、その他の副成分の
原料であるＭｎＣＯ_３ とを混合し、乾燥することによ
り、仮焼前粉体を準備した。表１に示すように、仮焼前
粉体は、１００モルのＢａＴｉＯ_３ に対して、３．５
モルのＭｇＣＯ_３ と、０．３７モルのＭｎＣＯ
_３ と、０．１モルのＶ_２ Ｏ_５ と、１．０モルのＹ
ｂ_２ Ｏ_３ とが含有してあった。また、この仮焼前粉
体中の特定成分のモル比：（Ｂａ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ）
／（Ｔｉ＋Ｙｂ＋Ｙ）を調べたところ、表１に示すよう
に、１．０１５であった。また、モル比：（Ｂａ＋Ｙｂ
＋Ｙ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ）を調べたところ、
表１に示すように、０．９８６であった。

【０１４１】次に、この仮焼前粉体を仮焼し、この仮焼
済粉体に対して、表２に示すように、３．０モルの（Ｂ
ａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ を添加し、１２８
０℃で焼成した以外は、前記実施例１と同様にして、円
柱状サンプルと、コンデンサのサンプルとを準備し、実
施例１と同様な試験を行った。結果を表３に示す。

【０１４２】参考例４ 主成分であるＢａＴｉＯ_３ と、第１副成分の原料であ
るＭｇＣＯ_３ と、第３副成分であるＶ_２ Ｏ_５ と、
第４副成分であるＹｂ_２ Ｏ_３ と、その他の副成分の
原料であるＭｎＣＯ_３ とを混合し、乾燥することによ
り、仮焼前粉体を準備した。表１に示すように、仮焼前
粉体は、１００モルのＢａＴｉＯ_３ に対して、３．０
モルのＭｇＣＯ_３ と、０．３７モルのＭｎＣＯ
_３ と、０．１モルのＶ_２ Ｏ_５ と、０．５モルのＹ
ｂ_２ Ｏ_３ とが含有してあった。また、この仮焼前粉
体中の特定成分のモル比：（Ｂａ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ）
／（Ｔｉ＋Ｙｂ＋Ｙ）を調べたところ、表１に示すよう
に、１．０２０であった。また、モル比：（Ｂａ＋Ｙｂ
＋Ｙ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ）を調べたところ、
表１に示すように、０．９８１であった。

【０１４３】次に、この仮焼前粉体を仮焼し、この仮焼
済粉体に対して、表２に示すように、３．０モルの（Ｂ
ａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ を添加した以外
は、前記実施例１と同様にして、円柱状サンプルと、コ
ンデンサのサンプルとを準備し、実施例１と同様な試験
を行った。結果を表３に示す。

【０１４４】参考例５ 主成分であるＢａＴｉＯ_３ と、第１副成分の原料であ
るＭｇＣＯ_３ と、第３副成分であるＶ_２ Ｏ_５ と、
第４副成分であるＹｂ_２ Ｏ_３ と、第５副成分である
Ｙ_２ Ｏ_３ と、その他の副成分の原料であるＭｎＣＯ
_３ とを混合し、乾燥することにより、仮焼前粉体を準
備した。表１に示すように、仮焼前粉体は、１００モル
のＢａＴｉＯ_３ に対して、３．０モルのＭｇＣＯ_３
と、０．３７モルのＭｎＣＯ_３ と、０．１モルのＶ
_２ Ｏ_５ と、０．５モルのＹｂ_２ Ｏ_３ と、０．５モ
ルのＹ_２ Ｏ_３ とが含有してあった。また、この仮焼
前粉体中の特定成分のモル比：（Ｂａ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓ
ｒ）／（Ｔｉ＋Ｙｂ＋Ｙ）を調べたところ、表１に示す
ように、１．０１０であった。また、モル比：（Ｂａ＋
Ｙｂ＋Ｙ）／（Ｔｉ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ）を調べたとこ
ろ、表１に示すように、０．９９０であった。

【０１４５】次に、この仮焼前粉体を仮焼し、この仮焼
済粉体に対して、表２に示すように、３．０モルの（Ｂ
ａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ を添加した以外
は、前記実施例１と同様にして、円柱状サンプルと、コ
ンデンサのサンプルとを準備し、実施例１と同様な試験
を行った。結果を表３に示す。

【０１４６】実施例２３ 第２副成分として、３．０モルのＢＣＧの代わりに、
３．０モルのＬｉ_２ Ｏ−ＢａＯ−ＳｉＯ_２ 混合粉末
（モル比２：４：４）を用いた以外は、前記実施例２１
と同様にして、円柱状サンプルと、コンデンサのサンプ
ルとを準備し、実施例２１と同様な試験を行った。結果
を表４に示す。

【０１４７】比較例３ 第２副成分として、３．０モルのＢＣＧの代わりに、
３．０モルのＬｉ_２ Ｏ−ＢａＯ−ＳｉＯ_２ 混合粉末
（モル比２：４：４）を用いた以外は、前記比較例１と
同様にして、円柱状サンプルと、コンデンサのサンプル
とを準備し、比較例１と同様な試験を行った。結果を表
４に示す。

【０１４８】実施例２４ 第２副成分として、３．０モルのＢＣＧの代わりに、
３．０モルのＢ_２ Ｏ_３ −ＢａＯ−ＳｉＯ_２ 混合粉末
（モル比１：４．５：４．５）を用いた以外は、前記実
施例２１と同様にして、円柱状サンプルと、コンデンサ
のサンプルとを準備し、実施例２１と同様な試験を行っ
た。結果を表４に示す。

【０１４９】比較例４ 第２副成分として、３．０モルのＢＣＧの代わりに、
３．０モルのＢ_２ Ｏ_３ −ＢａＯ−ＳｉＯ_２ 混合粉末
（モル比１：４．５：４．５）を用いた以外は、前記比
較例１と同様にして、円柱状サンプルと、コンデンサの
サンプルとを準備し、比較例１と同様な試験を行った。
結果を表４に示す。

【０１５０】実施例２５ 第２副成分として、３．０モルのＢＣＧの代わりに、
３．０モルのＬｉ_２ Ｏ−ＢａＯ−ＳｉＯ_２ 混合粉末
（モル比４：２：４）を用いた以外は、前記実施例２１
と同様にして、円柱状サンプルと、コンデンサのサンプ
ルとを準備し、実施例２１と同様な試験を行った。結果
を表４に示す。

【０１５１】比較例５ 第２副成分として、３．０モルのＢＣＧの代わりに、
３．０モルのＬｉ_２ Ｏ−ＢａＯ−ＳｉＯ_２ 混合粉末
（モル比４：２：４）を用いた以外は、前記比較例１と
同様にして、円柱状サンプルと、コンデンサのサンプル
とを準備し、比較例１と同様な試験を行った。結果を表
４に示す。

【０１５２】

【表４】

【０１５３】評価 図３に示すように、本発明の実施例１〜５では、全てＸ
８Ｒ特性を満足できることが確認できた。また、表１に
示すように、本発明の実施例１〜５および比較例１とを
比較することで、本発明の方法によれば、破壊電圧特性
およびＩＲ寿命が向上することが確認できた。

【０１５４】また、実施例１〜５と実施例１１〜１８と
を比較して分かるように、仮焼き時に希土類元素（Ｙま
たはＹｂなど）の添加量を増大させることで、絶縁抵
抗、破壊電圧特性、ＩＲ寿命特性が向上することが確認
できた。

【０１５５】さらに、実施例１２と、実施例１１，１
３，１４とを比較して分かるように、仮焼き時に第５副
成分であるＹ_２ Ｏ_３ を必須とすることで、ＣＲ積、
破壊電圧特性およびＩＲ寿命特性が向上することが確認
できた。

【０１５６】さらにまた、実施例１９〜２２と、参考例
１および２とを比較して分かるように、仮焼成温度が７
００〜１１００℃の場合に、破壊電圧特性およびＩＲ寿
命特性が向上することが確認できた。

【０１５７】また、実施例５と参考例３〜５とを比較し
て分かるように、仮焼前粉体中に含まれる成分のモル
比：（Ｂａ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｔｉ＋Ｙｂ＋Ｙ）
が、１未満、またはモル比：（Ｔｉ＋Ｙｂ＋Ｙ）／（Ｂ
ａ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ）が１を超える場合に、ＩＲ寿命
が特に向上することが確認できた。

【０１５８】さらに、実施例５と参考例３〜５とを比較
して分かるように、仮焼前粉体中に含まれる第１副成分
のモル数が、第４副成分および第５副成分の合計モル数
（ただし、第４副成分および第５副成分のモル数は、そ
れぞれＲ１単独およびＲ２単独での比率である）よりも
小さい場合に、ＩＲ寿命が特に向上することが確認でき
た。

【０１５９】図３および表１〜表４に示される結果か
ら、本実施例のサンプルは、Ｘ８Ｒ特性を満足し、しか
も、比誘電率および絶縁抵抗が十分に高く、かつ、誘電
損失も問題ないことが判明した。なお、本実施例のサン
プルは、Ｘ８Ｒ特性のほか、前記したＥＩＡＪ規格のＢ
特性およびＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性も満足していた。ま
た、表４に示す結果から、第２副成分として、ＢＣＧ以
外の酸化シリコンを主成分とする焼結助剤を用いた場合
にも、本発明の効果が得られることが確認できた。

【０１６０】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、内部電極にＮｉおよびＮｉ合金等の卑金属が使用可
能な積層チップコンデンサ用誘電体磁器組成物として好
適に用いることができ、かつ、主組成以外の異相の析出
を抑制し、誘電体の微細構造を制御して、容量温度特性
がＸ８Ｒ特性を満足しつつ、絶縁抵抗、比誘電率および
ＩＲ寿命を改善し、信頼性に優れた誘電体磁器組成物を
製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は積層セラミックコンデンサの断面図で
ある。

【図２】 図２は図１に示すコンデンサを製造するため
の本発明の一実施形態に係る方法のフローチャート図で
ある。

【図３】 図３は本発明の実施例により得られた誘電体
磁器組成物の容量温度特性を示すグラフである。

【符号の説明】

１…積層セラミックコンデンサ ２…誘電体層 ３…内部電極層 ４…外部電極 １０…コンデンサ素子本体

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１２年１０月２０日（２０００．１０．
２０）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１０６

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１０６】

【表３】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１５２

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１５２】

【表４】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 寺田 佳弘 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 4G031 AA01 AA02 AA03 AA04 AA05 AA06 AA07 AA11 AA13 AA16 AA17 AA18 AA28 AA30 BA09 GA15 5E001 AB03 AC03 AC04 AC09 AD03 AE00 AE02 AE03 AE04 AF00 AF06 AH05 AH08 AH09 AJ02 5E082 AB03 EE04 EE23 EE35 EE42 FG04 FG06 FG22 FG26 FG27 FG46 FG52 FG54 GG10 GG11 GG26 GG28 JJ03 JJ05 JJ12 JJ21 LL01 MM24 PP03 PP06 PP08

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 組成式Ｂａ_ｍ ＴｉＯ_２＋ｍ で表さ
   れ、前記組成式中のｍが０．９９５≦ｍ≦１．０１０で
   あり、ＢａとＴｉとの比が０．９９５≦Ｂａ／Ｔｉ≦
   １．０１０である主成分と、 焼結助剤である第２副成分と、 その他の副成分とを少なくとも有する誘電体磁器組成物
   を製造する方法であって、 前記第２副成分を除いて、前記主成分と、その他の副成
   分のうちの少なくとも一部とを混合し、仮焼前粉体を準
   備する工程と、 前記仮焼前粉体を仮焼きして仮焼済粉体を準備する工程
   と、 前記仮焼済粉体に、前記第２副成分を少なくとも混合
   し、前記主成分に対する各副成分の比率が所定モル比で
   ある誘電体磁器組成物を得る工程と、 を有する誘電体磁器組成物の製造方法。
2. 【請求項２】 前記第２副成分が、ＳｉＯ_２ を主成分
   とし、ＭＯ（ただし、Ｍは、Ｂａ、Ｃａ、ＳｒおよびＭ
   ｇから選ばれる少なくとも１種の元素）、Ｌｉ_２ Ｏお
   よびＢ_２ Ｏ_３ から選ばれる少なくとも１種を含み、 前記その他の副成分が、 ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＳｒＯおよびＣｒ_２ Ｏ_３
   から選択される少なくとも１種を含む第１副成分と、 Ｖ_２ Ｏ_５ ，ＭｏＯ_３ およびＷＯ_３ から選択され
   る少なくとも１種を含む第３副成分と、 Ｒ１の酸化物（ただし、Ｒ１はＳｃ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ
   およびＬｕから選択される少なくとも１種）を含む第４
   副成分と、を少なくとも有し、 前記仮焼済粉体に、前記第２副成分を少なくとも混合
   し、前記主成分１００モルに対する各副成分の比率が、 第１副成分：０．１〜３モル、 第２副成分：２〜１０モル、 第３副成分：０．０１〜０．５モル、 第４副成分：０．５〜７モル（ただし、第４副成分のモ
   ル数は、Ｒ１単独での比率である）である誘電体磁器組
   成物を得ることを特徴とする請求項１に記載の誘電体磁
   器組成物の製造方法。
3. 【請求項３】 前記仮焼前粉体中に含まれる成分のモル
   比：（Ｂａ＋第１副成分の金属元素）／（Ｔｉ＋第４副
   成分の金属元素）が１未満、または（Ｂａ＋第４副成分
   の金属元素）／（Ｔｉ＋第１副成分の金属元素）が１を
   超えるように、前記仮焼前粉体を準備し、仮焼を行うこ
   とを特徴とする請求項２に記載の誘電体磁器組成物の製
   造方法。
4. 【請求項４】 前記第２副成分が、ＳｉＯ_２ を主成分
   とし、ＭＯ（ただし、Ｍは、Ｂａ、Ｃａ、ＳｒおよびＭ
   ｇから選ばれる少なくとも１種の元素）、Ｌｉ_２ Ｏお
   よびＢ_２ Ｏ_３ から選ばれる少なくとも１種を含み、 前記その他の副成分が、 ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＳｒＯおよびＣｒ_２ Ｏ_３
   から選択される少なくとも１種を含む第１副成分と、 Ｖ_２ Ｏ_５ ，ＭｏＯ_３ およびＷＯ_３ から選択され
   る少なくとも１種を含む第３副成分と、 Ｒ１の酸化物（ただし、Ｒ１はＳｃ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ
   およびＬｕから選択される少なくとも１種）を含む第４
   副成分と、 Ｒ２の酸化物（ただし、Ｒ２はＹ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、
   ＧｄおよびＥｕから選択される少なくとも一種）を含む
   第５副成分と、を少なくとも有し、 前記仮焼済粉体に、前記第２副成分を少なくとも混合
   し、前記主成分１００モルに対する各副成分の比率が、 第１副成分：０．１〜３モル、 第２副成分：２〜１０モル、 第３副成分：０．０１〜０．５モル、 第４副成分：０．５〜７モル（ただし、第４副成分のモ
   ル数は、Ｒ１単独での比率である）、 第５副成分：２〜９モル（ただし、第５副成分のモル数
   は、Ｒ２単独での比率である）である誘電体磁器組成物
   を得ることを特徴とする請求項１に記載の誘電体磁器組
   成物の製造方法。
5. 【請求項５】 前記仮焼前粉体中に含まれる成分のモル
   比：（Ｂａ＋第１副成分の金属元素）／（Ｔｉ＋第４副
   成分の金属元素＋第５副成分の金属元素）が１未満、ま
   たは（Ｂａ＋第４副成分の金属元素＋第５副成分の金属
   元素）／（Ｔｉ＋第１副成分の金属元素）が１を超える
   ように、前記仮焼前粉体を準備し、仮焼を行うことを特
   徴とする請求項４に記載の誘電体磁器組成物の製造方
   法。
6. 【請求項６】 前記第２副成分を除いて、前記主成分
   と、前記第１副成分、第３副成分、第４副成分および第
   ５副成分のうちの少なくとも一つとを混合し、仮焼前粉
   体を準備する際には、仮焼前粉体には、第５副成分を必
   ず含ませることを特徴とする請求項４または５に記載の
   誘電体磁器組成物の製造方法。
7. 【請求項７】 前記第２副成分を除いて、前記主成分
   と、前記第１副成分、第３副成分、第４副成分および第
   ５副成分のうちの少なくとも一つとを混合し、仮焼前粉
   体を準備する際には、仮焼前粉体には、第４副成分を含
   ませないことを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記
   載の誘電体磁器組成物の製造方法。
8. 【請求項８】 前記第２副成分を除いて、前記主成分
   と、前記第１副成分、第３副成分、第４副成分および第
   ５副成分のうちの少なくとも一つとを混合し、仮焼前粉
   体を準備する際には、仮焼前粉体には、第１副成分を必
   ず含ませることを特徴とする請求項４〜７のいずれかに
   記載の誘電体磁器組成物の製造方法。
9. 【請求項９】 前記仮焼前粉体中に含まれる第１副成分
   のモル数は、第４副成分および第５副成分の合計モル数
   （ただし、第４副成分および第５副成分のモル数は、そ
   れぞれＲ１単独およびＲ２単独での比率である）よりも
   小さいことを特徴とする請求項８に記載の誘電体磁器組
   成物の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記仮焼前粉体を、７００〜１１００
    ℃の温度で仮焼きすることを特徴とする請求項１〜９の
    いずれかに記載の誘電体磁器組成物の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記仮焼きを複数回行うことを特徴と
    する請求項１〜１０のいずれかに記載の誘電体磁器組成
    物の製造方法。