JP2001089126A - 厚膜二酸化ケイ素の被覆方法 - Google Patents
厚膜二酸化ケイ素の被覆方法Info
- Publication number
- JP2001089126A JP2001089126A JP26640699A JP26640699A JP2001089126A JP 2001089126 A JP2001089126 A JP 2001089126A JP 26640699 A JP26640699 A JP 26640699A JP 26640699 A JP26640699 A JP 26640699A JP 2001089126 A JP2001089126 A JP 2001089126A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- solution
- substrate
- coating
- silicon dioxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】基体面へのポリシラザンによるＳｉＯ２膜の塗
膜に関し、より厚膜にしてもクラックが入らず、より硬
質で強靱なＳｉＯ２膜を被覆する手段を提供すること。 【解決手段】基体にポリシラザン溶液を塗布し、化学的
処理して二酸化ケイ素膜を被覆する方法において、次の
（Ａ）〜（Ｄ）の各工程が順次行なわれることを特徴と
する厚膜二酸化ケイ素の被覆方法。（Ａ）基体にポリシ
ラザン溶液を塗布し、蒸発乾燥する工程、（Ｂ）空気中
で加熱処理する工程、（Ｃ）加熱水蒸気で処理する工
程、（Ｄ）水蒸気を含むガス状のアミン系化合物で処理
する工程。該ポリシラザン溶液が、金属系触媒を含有し
ないペルヒドロポリシラザンの溶液にとって、より有効
である。例えば二酸化ケイ素の膜厚が１．２μｍでもク
ラックが入るようなことはない。
膜に関し、より厚膜にしてもクラックが入らず、より硬
質で強靱なＳｉＯ２膜を被覆する手段を提供すること。 【解決手段】基体にポリシラザン溶液を塗布し、化学的
処理して二酸化ケイ素膜を被覆する方法において、次の
（Ａ）〜（Ｄ）の各工程が順次行なわれることを特徴と
する厚膜二酸化ケイ素の被覆方法。（Ａ）基体にポリシ
ラザン溶液を塗布し、蒸発乾燥する工程、（Ｂ）空気中
で加熱処理する工程、（Ｃ）加熱水蒸気で処理する工
程、（Ｄ）水蒸気を含むガス状のアミン系化合物で処理
する工程。該ポリシラザン溶液が、金属系触媒を含有し
ないペルヒドロポリシラザンの溶液にとって、より有効
である。例えば二酸化ケイ素の膜厚が１．２μｍでもク
ラックが入るようなことはない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、、特に厚膜（例え
ば膜厚０．２μｍ以上）でも耐クラック性に優れ、且つ
強靱な二酸化ケイ素膜を基体面に被覆する方法に関す
る。これにより得られた該被覆基体は、広範囲に用途展
開（太陽電池用基板、液晶用基板、各種光導波路用基板
等）が計れる。
ば膜厚０．２μｍ以上）でも耐クラック性に優れ、且つ
強靱な二酸化ケイ素膜を基体面に被覆する方法に関す
る。これにより得られた該被覆基体は、広範囲に用途展
開（太陽電池用基板、液晶用基板、各種光導波路用基板
等）が計れる。
【０００２】
【従来の技術】フイルム等の基体面に酸化ケイ素膜を被
覆して耐摩耗性、耐食（薬品）性、各種気体に対するバ
リヤ−性、耐熱性、光学性等を付与することについては
良く知られたことである。その被覆方法については、例
えばＰＶＤ法、ＣＶＤ法、ゾル−ゲル法又はポリシラザ
ン法がある。これらの方法は、基体の種類、目的等によ
っていずれかの方法が採られるが、中でも高純度の二酸
化ケイ素膜（Ｓｉ０２）が、簡単なコ−テング技術によ
って被覆できる点から見るとポリシラザン法が有効であ
る。
覆して耐摩耗性、耐食（薬品）性、各種気体に対するバ
リヤ−性、耐熱性、光学性等を付与することについては
良く知られたことである。その被覆方法については、例
えばＰＶＤ法、ＣＶＤ法、ゾル−ゲル法又はポリシラザ
ン法がある。これらの方法は、基体の種類、目的等によ
っていずれかの方法が採られるが、中でも高純度の二酸
化ケイ素膜（Ｓｉ０２）が、簡単なコ−テング技術によ
って被覆できる点から見るとポリシラザン法が有効であ
る。
【０００３】ポリシラザン法は、一般に−（ＳｉＲ２Ｎ
Ｈ）−（Ｒ２はＨ２又はＨの１つ又は２つがメチル、エ
チル等のアルキル基等の有機基）で示されるように、Ｓ
ｉＮを基本ユニットとしてなる無機又は有機のシラザン
ポリマ（以下ＰＳと呼ぶ）の有機溶媒溶液を、基体に塗
布して後、化学的手段によりＳｉ０２膜を被覆する方法
である。この化学的手段の具体的方法については、例え
ば特開平７−２２３８６７号公報、特開平９−３１３３
３号公報、特開平９−１５７５４４号公報等で公開され
ている。
Ｈ）−（Ｒ２はＨ２又はＨの１つ又は２つがメチル、エ
チル等のアルキル基等の有機基）で示されるように、Ｓ
ｉＮを基本ユニットとしてなる無機又は有機のシラザン
ポリマ（以下ＰＳと呼ぶ）の有機溶媒溶液を、基体に塗
布して後、化学的手段によりＳｉ０２膜を被覆する方法
である。この化学的手段の具体的方法については、例え
ば特開平７−２２３８６７号公報、特開平９−３１３３
３号公報、特開平９−１５７５４４号公報等で公開され
ている。
【０００４】まず特開平７−２２３８６７号公報では、
ＰＳを室温乾燥又は熱処理した後、水蒸気雰囲気にさら
す又は／及び触媒含有蒸留水に浸漬することにより、１
５０℃以下という低温でプラスチックフイルムにＳｉＯ
２系セラミックスを被覆する方法が開示されている。特
開平９−３１３３３号公報では、アミン類又は／及び酸
類の添加されてなるＰＳを水蒸気と接触させる方法、及
びＰＳをアミン類又は／及び酸類を含む水溶液中に浸漬
するか、又は該水溶液から発する蒸気と接触させる方法
とが開示されている。特開平９−１５７５４４号公報で
は、アミン類又は／アミン類と有機酸類の添加された
ＰＳ溶液を塗布後、水蒸気雰囲気中で硬化焼成するか、
ＰＳ溶液を塗布後、アミン類の蒸気と水蒸気に接触さ
せるか、ＰＳ溶液を塗布後、無機酸水溶液の蒸気に接
触させて硬化焼成するか、ＰＳ溶液を塗布後、アミン
類水溶液に浸漬して硬化焼成するか、ＰＳ溶液を塗布
後、無機酸水溶液に浸漬して硬化焼成するかの５つの方
法が開示されている。又これら各号公報では、反応の促
進（より低温度で迅速変化の触媒）のために、ＰＳ原液
にＮｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等のいずれかを含むアセチルアセト
錯体とか、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｐｄ等の脂肪酸塩等の金
属系の触媒を添加することが好ましい旨も記載されてい
る。
ＰＳを室温乾燥又は熱処理した後、水蒸気雰囲気にさら
す又は／及び触媒含有蒸留水に浸漬することにより、１
５０℃以下という低温でプラスチックフイルムにＳｉＯ
２系セラミックスを被覆する方法が開示されている。特
開平９−３１３３３号公報では、アミン類又は／及び酸
類の添加されてなるＰＳを水蒸気と接触させる方法、及
びＰＳをアミン類又は／及び酸類を含む水溶液中に浸漬
するか、又は該水溶液から発する蒸気と接触させる方法
とが開示されている。特開平９−１５７５４４号公報で
は、アミン類又は／アミン類と有機酸類の添加された
ＰＳ溶液を塗布後、水蒸気雰囲気中で硬化焼成するか、
ＰＳ溶液を塗布後、アミン類の蒸気と水蒸気に接触さ
せるか、ＰＳ溶液を塗布後、無機酸水溶液の蒸気に接
触させて硬化焼成するか、ＰＳ溶液を塗布後、アミン
類水溶液に浸漬して硬化焼成するか、ＰＳ溶液を塗布
後、無機酸水溶液に浸漬して硬化焼成するかの５つの方
法が開示されている。又これら各号公報では、反応の促
進（より低温度で迅速変化の触媒）のために、ＰＳ原液
にＮｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等のいずれかを含むアセチルアセト
錯体とか、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｐｄ等の脂肪酸塩等の金
属系の触媒を添加することが好ましい旨も記載されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記各号公報記載の方
法は、より低温で、且つ迅速に硬化焼成してＳｉＯ２膜
を形成する方法として有効である。ところが本発明者ら
が行った検討の中で、次のような問題のあることも判っ
た。それは形成しようとするＳｉＯ２の膜厚についての
事であるが、いずれの方法を採ってみても、より厚くし
ようとすればする程、クラックが入り易い傾向があるこ
と。又この傾向は、前記各号報で好ましく開示されてい
る金属系触媒の添加系で、より強くなるということであ
る。より厚くしてもクラックが入らず、しかもこれが金
属系触媒を添加しないＰＳ溶液からでも可能になれば、
形成されるその厚膜ＳｉＯ２の純度は、より一層高く且
つより硬質で強靱なものとして得られるようになる。こ
れは従来にない、又は使用できなかった用途分野、例え
ば、太陽電池用（プラスチック）基板、液晶用（プラス
チック）基板、フレキシブル（プラスチック）光導波路
用基板（光コネクタ−、光集積回路、センサ−等）等へ
の使用が計れるようになり、より一層有効なものとして
利用できるようになる。
法は、より低温で、且つ迅速に硬化焼成してＳｉＯ２膜
を形成する方法として有効である。ところが本発明者ら
が行った検討の中で、次のような問題のあることも判っ
た。それは形成しようとするＳｉＯ２の膜厚についての
事であるが、いずれの方法を採ってみても、より厚くし
ようとすればする程、クラックが入り易い傾向があるこ
と。又この傾向は、前記各号報で好ましく開示されてい
る金属系触媒の添加系で、より強くなるということであ
る。より厚くしてもクラックが入らず、しかもこれが金
属系触媒を添加しないＰＳ溶液からでも可能になれば、
形成されるその厚膜ＳｉＯ２の純度は、より一層高く且
つより硬質で強靱なものとして得られるようになる。こ
れは従来にない、又は使用できなかった用途分野、例え
ば、太陽電池用（プラスチック）基板、液晶用（プラス
チック）基板、フレキシブル（プラスチック）光導波路
用基板（光コネクタ−、光集積回路、センサ−等）等へ
の使用が計れるようになり、より一層有効なものとして
利用できるようになる。
【０００６】本発明は、前記のより厚い膜厚でもクラッ
クの入らない、より純度、硬度の高い強靱なＳｉＯ２膜
が基体面に容易に形成されることを課題として、これを
解決するために見出されたものである。それは次のよう
な手段によって容易に達成することができる。
クの入らない、より純度、硬度の高い強靱なＳｉＯ２膜
が基体面に容易に形成されることを課題として、これを
解決するために見出されたものである。それは次のよう
な手段によって容易に達成することができる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】即ち本発明は、請求項１
に記載するものであり、それは基体にポリシラザン溶液
を塗布し、化学的処理して二酸化ケイ素膜を被覆する方
法において、次の（Ａ）〜（Ｄ）の各工程が順次行なわ
れることを特徴とした厚膜二酸化ケイ素の被覆方法であ
る。 （Ａ）基体にポリシラザン溶液を塗布し、蒸発乾燥する
工程、（Ｂ）空気中で加熱処理する工程、（Ｃ）加熱水
蒸気で処理する工程、（Ｄ）水蒸気を含むガス状のアミ
ン系化合物で処理する工程。
に記載するものであり、それは基体にポリシラザン溶液
を塗布し、化学的処理して二酸化ケイ素膜を被覆する方
法において、次の（Ａ）〜（Ｄ）の各工程が順次行なわ
れることを特徴とした厚膜二酸化ケイ素の被覆方法であ
る。 （Ａ）基体にポリシラザン溶液を塗布し、蒸発乾燥する
工程、（Ｂ）空気中で加熱処理する工程、（Ｃ）加熱水
蒸気で処理する工程、（Ｄ）水蒸気を含むガス状のアミ
ン系化合物で処理する工程。
【０００８】そして前記ポリシラザン溶液が、特に金属
系触媒を含まないペルヒドロポリシラザン溶液である場
合により効果的であり（請求項２）、又前記二酸化ケイ
素の厚膜を０．２μｍ以上の、より厚い膜厚の形成にと
って、より効果的な被覆方法（請求項３）でもある。本
発明を以下の実施形態でより詳細に説明する。
系触媒を含まないペルヒドロポリシラザン溶液である場
合により効果的であり（請求項２）、又前記二酸化ケイ
素の厚膜を０．２μｍ以上の、より厚い膜厚の形成にと
って、より効果的な被覆方法（請求項３）でもある。本
発明を以下の実施形態でより詳細に説明する。
【０００９】
【発明の実施の形態】まずポリシラザンは、基本的には
前記略称ＰＳで示す構造を有し、その分子量は前記各号
公報にも記載されているように、数平均分子量で１００
以上５００００程度の無機又は有機のポリマである。こ
こでまず有機よりも無機、つまり前記一般式で示す−
（ＳｉＲ２ＮＨ）−のＲ２がＨ２であるペルヒドロポリ
シラザン（以下Ｈ−ＰＳと呼ぶ）にとって好ましく、更
には前記金属系触媒無添加反応系でより好ましく達成さ
れる。これは有機、つまりＲ２がメチル、エチル基等の
有機基であるペルオルガノポリシラザンでは、前記従来
法でも比較的厚い膜厚（例えば０．５μｍ）でもクラッ
クが入り難い。これに対して、該Ｈ−ＰＳでは、前記従
来法では０．１５μｍ程度からでもクラックが入り始め
る。これが本法を採用すれば、例えばこれが１０倍の膜
厚になってもクラックが入らない、より高品質のＳｉＯ
２膜が強固な密着でもって被覆されるからである。尚、
ここで言うＰＳは、前記の通り基本的には直鎖状に連結
されているポリマであるが、これが部分的に環状をもっ
て連結された前駆的ポリマ状態であってもよい。
前記略称ＰＳで示す構造を有し、その分子量は前記各号
公報にも記載されているように、数平均分子量で１００
以上５００００程度の無機又は有機のポリマである。こ
こでまず有機よりも無機、つまり前記一般式で示す−
（ＳｉＲ２ＮＨ）−のＲ２がＨ２であるペルヒドロポリ
シラザン（以下Ｈ−ＰＳと呼ぶ）にとって好ましく、更
には前記金属系触媒無添加反応系でより好ましく達成さ
れる。これは有機、つまりＲ２がメチル、エチル基等の
有機基であるペルオルガノポリシラザンでは、前記従来
法でも比較的厚い膜厚（例えば０．５μｍ）でもクラッ
クが入り難い。これに対して、該Ｈ−ＰＳでは、前記従
来法では０．１５μｍ程度からでもクラックが入り始め
る。これが本法を採用すれば、例えばこれが１０倍の膜
厚になってもクラックが入らない、より高品質のＳｉＯ
２膜が強固な密着でもって被覆されるからである。尚、
ここで言うＰＳは、前記の通り基本的には直鎖状に連結
されているポリマであるが、これが部分的に環状をもっ
て連結された前駆的ポリマ状態であってもよい。
【００１０】前記ＰＳは、まずその溶液、つまり該ＰＳ
の溶媒であるベンゼン、キシレン、トルエン等の芳香族
炭化水素とか、ジクロルメタン等のハロゲン化炭化水
素、テトラヒドロフラン等のエ−テル化合物に、該ＰＳ
を５〜２５重量％程度溶解した溶液となす。そして該Ｐ
Ｓ溶液を使って前記（Ａ）〜（Ｄ）に記載する工程を順
次忠実に実行する。その工程を順次説明する。
の溶媒であるベンゼン、キシレン、トルエン等の芳香族
炭化水素とか、ジクロルメタン等のハロゲン化炭化水
素、テトラヒドロフラン等のエ−テル化合物に、該ＰＳ
を５〜２５重量％程度溶解した溶液となす。そして該Ｐ
Ｓ溶液を使って前記（Ａ）〜（Ｄ）に記載する工程を順
次忠実に実行する。その工程を順次説明する。
【００１１】まず第一工程（Ａ）は、まず基体に塗布
し、該溶媒を蒸発乾燥する。ここで該基体は、厚さ０．
０５〜２ｍｍ程度の不透明ないし透明のプラスチック成
形体（シ−ト状から管状）、ガラス成形体、必要あれば
金属製とか木製の成形体等でもよく、その材質とか、形
状、大きさには拘らず対象になる。但し特に（Ｂ）の空
気中での加熱処理工程の際に、基体自身が熱変形するよ
うな材質であってはならないので、この点を注意して適
宜選択することになる。塗布の手段にも制限はなく、各
々の該基体に合う最適な方法（スピン、ロ−ル、スプレ
−、浸漬、印刷等による方法）が採られる。塗布は基本
的には、所定厚さになるように１回の塗布で終了するよ
うにするのが良いが、なお所定厚さにならない場合には
本工程を繰り返してもよい。又塗布後の蒸発乾燥は、含
まれる該溶媒の蒸発除去であり、従って使用する溶媒の
種類、使用量等によって単に空気中に放置する場合もあ
れば、加熱する場合もある。しかし特に加熱する場合に
は、ＰＳ自身、若干の変化は許容されるにしても、この
段階でＳｉＯ２に変化するような温度であってはならな
い。これはこの段階でＳｉＯ２に変化すると、クラック
の発生に繋がり易いからである。これはせいぜい１２０
°Cを上限として熱風で乾燥することで防ぐ事ができ
る。尚、塗布するに先だってより接着性を上げるため
に、塗布する基体面を予め電気的、物理化学的、化学的
手法等によって前処理をしておいてもよい。
し、該溶媒を蒸発乾燥する。ここで該基体は、厚さ０．
０５〜２ｍｍ程度の不透明ないし透明のプラスチック成
形体（シ−ト状から管状）、ガラス成形体、必要あれば
金属製とか木製の成形体等でもよく、その材質とか、形
状、大きさには拘らず対象になる。但し特に（Ｂ）の空
気中での加熱処理工程の際に、基体自身が熱変形するよ
うな材質であってはならないので、この点を注意して適
宜選択することになる。塗布の手段にも制限はなく、各
々の該基体に合う最適な方法（スピン、ロ−ル、スプレ
−、浸漬、印刷等による方法）が採られる。塗布は基本
的には、所定厚さになるように１回の塗布で終了するよ
うにするのが良いが、なお所定厚さにならない場合には
本工程を繰り返してもよい。又塗布後の蒸発乾燥は、含
まれる該溶媒の蒸発除去であり、従って使用する溶媒の
種類、使用量等によって単に空気中に放置する場合もあ
れば、加熱する場合もある。しかし特に加熱する場合に
は、ＰＳ自身、若干の変化は許容されるにしても、この
段階でＳｉＯ２に変化するような温度であってはならな
い。これはこの段階でＳｉＯ２に変化すると、クラック
の発生に繋がり易いからである。これはせいぜい１２０
°Cを上限として熱風で乾燥することで防ぐ事ができ
る。尚、塗布するに先だってより接着性を上げるため
に、塗布する基体面を予め電気的、物理化学的、化学的
手法等によって前処理をしておいてもよい。
【００１２】前記（Ａ）工程が終了すると、次に（Ｂ）
の空気中での加熱処理工程に移る。まずここでの加熱処
理は、前記塗布・乾燥してコ−テングされたＰＳを、Ｓ
ｉＯ２膜に変えるための操作であるが、しかしこの段階
で該ＰＳの全てがＳｉＯ２膜に変化してはならない。こ
れは更に行う（Ｃ）から（Ｄ）の工程を経ても、本発明
が課題とする、より厚膜でクラックの入らない強靱なＳ
ｉＯ２膜と言うレベルで被覆されないからである。この
理由は定かでないが、（Ｂ）の段階で全てがＳｉＯ２膜
になった場合のＳｉＯ２膜は、十分な高分子量をもって
多次元化されたものにはなっていなく、従って脆い状態
のＳｉＯ２膜が形成されてしまうためではないかと考え
られる。従ってここでの加熱温度は、完全にＳｉＯ２膜
に変化しない温度と言うことになるが、具体的には約１
４０〜２００°C程度が例示できる。これを変化率で例
示すると約８０〜９０％程度と言える。又加熱雰囲気
は、空気中つまり酸素存在下ということにもなるが、こ
れはＰＳのＳｉ−Ｎ結合がＳｉ−Ｏに変化するのにより
有効に作用するからである。尚、加熱時間は３〜１５分
間程度でよい。
の空気中での加熱処理工程に移る。まずここでの加熱処
理は、前記塗布・乾燥してコ−テングされたＰＳを、Ｓ
ｉＯ２膜に変えるための操作であるが、しかしこの段階
で該ＰＳの全てがＳｉＯ２膜に変化してはならない。こ
れは更に行う（Ｃ）から（Ｄ）の工程を経ても、本発明
が課題とする、より厚膜でクラックの入らない強靱なＳ
ｉＯ２膜と言うレベルで被覆されないからである。この
理由は定かでないが、（Ｂ）の段階で全てがＳｉＯ２膜
になった場合のＳｉＯ２膜は、十分な高分子量をもって
多次元化されたものにはなっていなく、従って脆い状態
のＳｉＯ２膜が形成されてしまうためではないかと考え
られる。従ってここでの加熱温度は、完全にＳｉＯ２膜
に変化しない温度と言うことになるが、具体的には約１
４０〜２００°C程度が例示できる。これを変化率で例
示すると約８０〜９０％程度と言える。又加熱雰囲気
は、空気中つまり酸素存在下ということにもなるが、こ
れはＰＳのＳｉ−Ｎ結合がＳｉ−Ｏに変化するのにより
有効に作用するからである。尚、加熱時間は３〜１５分
間程度でよい。
【００１３】次に前記（Ｂ）工程が終了すると、次の
（Ｃ）の加熱水蒸気で処理する工程に移る。ここでの処
理は、前記（Ｂ）工程で得られた未変化ＰＳ部分を約６
０〜１００°C程度に加熱された水から発せられる蒸気
（ＲＨで６０〜９５％程度）に曝して、更にＳｉＯ２膜
への変化を促進しつつ、より高分子量でもって多次元化
されたＳｉＯ２膜へと変化させるためのものである。従
って前記（Ｂ）工程で未変化のＰＳ部分の大部分はＳｉ
Ｏ２膜へ繋がって変化するが、なおも若干は（例えば１
〜３％程度）残存している。つまり逆に若干残してこの
工程を終わることが必要である。これもこの段階で全て
のＰＳを完全にＳｉＯ２膜に変化させてしまうと、最終
的に形成されるより一層厚膜のＳｉＯ２膜を、クラック
なしに得ることが困難になるからである。尚、ここでの
処理時間は３〜２０分間程度でよい。
（Ｃ）の加熱水蒸気で処理する工程に移る。ここでの処
理は、前記（Ｂ）工程で得られた未変化ＰＳ部分を約６
０〜１００°C程度に加熱された水から発せられる蒸気
（ＲＨで６０〜９５％程度）に曝して、更にＳｉＯ２膜
への変化を促進しつつ、より高分子量でもって多次元化
されたＳｉＯ２膜へと変化させるためのものである。従
って前記（Ｂ）工程で未変化のＰＳ部分の大部分はＳｉ
Ｏ２膜へ繋がって変化するが、なおも若干は（例えば１
〜３％程度）残存している。つまり逆に若干残してこの
工程を終わることが必要である。これもこの段階で全て
のＰＳを完全にＳｉＯ２膜に変化させてしまうと、最終
的に形成されるより一層厚膜のＳｉＯ２膜を、クラック
なしに得ることが困難になるからである。尚、ここでの
処理時間は３〜２０分間程度でよい。
【００１４】次に前記（Ｃ）工程が終了すると、最後の
（Ｄ）の水蒸気を含むガス状のアミン系化合物での処理
工程に移る。ここでの処理は、前記（Ｃ）工程のよう
に、単なる水蒸気に曝すのではなくて、水にアミン系化
合物が溶解して含まれ、且つその水溶液が気化状態にあ
って、それに前記（Ｃ）工程処理済み体を接触し処理す
るものである。従って、単にアミン系化合物が溶解した
水溶液と接触させるだけでは、本発明にいう効果は得ら
れない。この気体雰囲気下での処理によって、前記
（Ｃ）工程で、なおも残るＰＳをより強靱なＳｉＯ２膜
へと、より迅速に変化させることができる。この工程を
終え、目的とするクラックのない、より高純度、高硬質
の強靱な厚膜ＳｉＯ２が基体に被覆され、各々の用途に
合う製品として得ることができる。ここで気化水の中の
アミン系化合物は、微量に残るＰＳでもより低温度で、
迅速に、且つ完全にＳｉＯ２膜へと変化させる作用をす
るが、例えばこれを有機酸又は無機酸に変えてもＳｉＯ
２膜への変化は同様に促進する。しかし理由はよく判ら
ないが、基体との密着力の点で弱く、これがクラックの
発生のし易さに繋がって行くと言う点で望ましくなく、
使用できない。但しこれの微量を、該アミン系化合物に
混合することは場合によっては許されることである。
（Ｄ）の水蒸気を含むガス状のアミン系化合物での処理
工程に移る。ここでの処理は、前記（Ｃ）工程のよう
に、単なる水蒸気に曝すのではなくて、水にアミン系化
合物が溶解して含まれ、且つその水溶液が気化状態にあ
って、それに前記（Ｃ）工程処理済み体を接触し処理す
るものである。従って、単にアミン系化合物が溶解した
水溶液と接触させるだけでは、本発明にいう効果は得ら
れない。この気体雰囲気下での処理によって、前記
（Ｃ）工程で、なおも残るＰＳをより強靱なＳｉＯ２膜
へと、より迅速に変化させることができる。この工程を
終え、目的とするクラックのない、より高純度、高硬質
の強靱な厚膜ＳｉＯ２が基体に被覆され、各々の用途に
合う製品として得ることができる。ここで気化水の中の
アミン系化合物は、微量に残るＰＳでもより低温度で、
迅速に、且つ完全にＳｉＯ２膜へと変化させる作用をす
るが、例えばこれを有機酸又は無機酸に変えてもＳｉＯ
２膜への変化は同様に促進する。しかし理由はよく判ら
ないが、基体との密着力の点で弱く、これがクラックの
発生のし易さに繋がって行くと言う点で望ましくなく、
使用できない。但しこれの微量を、該アミン系化合物に
混合することは場合によっては許されることである。
【００１５】前記アミン系化合物は、水溶性でアルカリ
性を示す一般に知られる有機アミンを言う。具体的に
は、例えばＣ１〜５のアルキル基が１〜３個置換された
第１〜第３級の直鎖状脂肪族アミン、フエニル基が１〜
３個置換された第１〜第３級の芳香族アミン、ピリジン
又はこれにメチル、エチル基等のアルキル基が核置換さ
れた環状脂肪族アミン等を挙げることができる。これら
は塩基性度、沸点等がかなりの範囲で異なっているので
使い易さとか、前記効果の点で多少の差があるのは避け
られない。より使い易く、より効果的なものを選ぶこと
が望まれるが、それは沸点は常温以上、好ましくは５０
〜１２０°C程度で、塩基性度は高いよりも低い脂肪族
アミンの中により好ましいものがある。これは例えばジ
エチルアミン、トリエチルアミン、モノブチルアミン、
モノプロピルアミン、ジプロピルアミン等である。
性を示す一般に知られる有機アミンを言う。具体的に
は、例えばＣ１〜５のアルキル基が１〜３個置換された
第１〜第３級の直鎖状脂肪族アミン、フエニル基が１〜
３個置換された第１〜第３級の芳香族アミン、ピリジン
又はこれにメチル、エチル基等のアルキル基が核置換さ
れた環状脂肪族アミン等を挙げることができる。これら
は塩基性度、沸点等がかなりの範囲で異なっているので
使い易さとか、前記効果の点で多少の差があるのは避け
られない。より使い易く、より効果的なものを選ぶこと
が望まれるが、それは沸点は常温以上、好ましくは５０
〜１２０°C程度で、塩基性度は高いよりも低い脂肪族
アミンの中により好ましいものがある。これは例えばジ
エチルアミン、トリエチルアミン、モノブチルアミン、
モノプロピルアミン、ジプロピルアミン等である。
【００１６】前記アミン系化合物の添加量は、無変化の
ＰＳの場合に、該ＰＳの重量に対して好ましく添加され
る１００ｐｐｍ〜１００％を基準にして、前記（Ｃ）工
程の終了時点で残存するＰＳに比例して、少なくともそ
れに足りる量ということである。従って、必要以上に過
剰でもよいが、それが水蒸気に溶解しない状態になるよ
うな過剰量であっては好ましくない。尚、塩基性度の高
い該化合物を使用する場合には、低い該化合物よりも少
ない添加量でよい。
ＰＳの場合に、該ＰＳの重量に対して好ましく添加され
る１００ｐｐｍ〜１００％を基準にして、前記（Ｃ）工
程の終了時点で残存するＰＳに比例して、少なくともそ
れに足りる量ということである。従って、必要以上に過
剰でもよいが、それが水蒸気に溶解しない状態になるよ
うな過剰量であっては好ましくない。尚、塩基性度の高
い該化合物を使用する場合には、低い該化合物よりも少
ない添加量でよい。
【００１７】アミン系化合物を含む水溶液の気化手段
は、例えば予め水に所定量の該アミン化合物を添加した
水溶液を気化するに十分な温度に加熱してガス状（蒸気
状）雰囲気をつくる方法。又前記方法において、より低
い温度で気化を促進するために、該水溶液中に常温又は
加熱した空気、Ｎ２ガス等を吹き込みバブリングして同
様雰囲気をつくる方法。更には水（加熱又は常温）と該
アミン化合物（加熱又は常温）の各々に空気、Ｎ２ガス
等（加熱又は常温）を吹き込み気化させて、これを１つ
に合流して同様雰囲気をつくる方法等がある。前記手段
による接触時間は、ほぼ１０秒〜５分程度といったとこ
ろである。しかし、これよりも長くなったからといっ
て、前記効果に悪影響があると言うものではない。
は、例えば予め水に所定量の該アミン化合物を添加した
水溶液を気化するに十分な温度に加熱してガス状（蒸気
状）雰囲気をつくる方法。又前記方法において、より低
い温度で気化を促進するために、該水溶液中に常温又は
加熱した空気、Ｎ２ガス等を吹き込みバブリングして同
様雰囲気をつくる方法。更には水（加熱又は常温）と該
アミン化合物（加熱又は常温）の各々に空気、Ｎ２ガス
等（加熱又は常温）を吹き込み気化させて、これを１つ
に合流して同様雰囲気をつくる方法等がある。前記手段
による接触時間は、ほぼ１０秒〜５分程度といったとこ
ろである。しかし、これよりも長くなったからといっ
て、前記効果に悪影響があると言うものではない。
【００１８】尚本発明は、前記（Ａ）〜（Ｄ）の工程を
順次行って終了するが、（Ｄ）の終了後に更に完結を期
すために、又は熟成（アニ−リング）等の意味から常温
の空気中に放置するか、前記（Ｃ）で行ったような温度
条件で加熱処理してもよい。
順次行って終了するが、（Ｄ）の終了後に更に完結を期
すために、又は熟成（アニ−リング）等の意味から常温
の空気中に放置するか、前記（Ｃ）で行ったような温度
条件で加熱処理してもよい。
【００１９】本発明はＰＳ溶液、好ましくは前記金属系
触媒無添加反応系でのＨ−ＰＳ溶液から、より厚膜（例
えば０．２μｍ以上）でクラックが入らず、しかもより
高純度で高硬質、強靱なＳｉＯ２膜を形成させる特有の
方法である。従って前記従来のいずれ方法によっても、
又本法の（Ａ）〜（Ｄ）の処理順序を変えても、この効
果は発現しない。各工程で行う処理条件と処理順序と
が、不可避的に結合されて相乗的効果でもって達成され
たものと言える。このことは以下の比較例と共に詳述す
る実施例によって一層明白にされる。
触媒無添加反応系でのＨ−ＰＳ溶液から、より厚膜（例
えば０．２μｍ以上）でクラックが入らず、しかもより
高純度で高硬質、強靱なＳｉＯ２膜を形成させる特有の
方法である。従って前記従来のいずれ方法によっても、
又本法の（Ａ）〜（Ｄ）の処理順序を変えても、この効
果は発現しない。各工程で行う処理条件と処理順序と
が、不可避的に結合されて相乗的効果でもって達成され
たものと言える。このことは以下の比較例と共に詳述す
る実施例によって一層明白にされる。
【００２０】
【００２１】（実施例１）ＰＳ溶液として、Ｈ−ＰＳ
（平均分子量７００）の２０重量％のキシレン溶液を
（以下ＨＰＳ原液と呼ぶ）を用いて、次の各工程条件で
順次処理した。 （Ａ）工程 厚さ７５μｍ、３００×３００ｍｍのポリエチレンナフ
タレ−トフイルム（ＰＥＮフイルム）を基体として、こ
の上に、該ＨＰＳ原液を更にキシレンを添加して１８重
量％に希釈した溶液を調製した。そしてこれの１０ｇを
採取して、スピンコ−テング法によってスピンコ−テン
グ（１８００ｒｐｍ／１０秒）した後、１００°Cの熱
風で該キシレンを蒸発乾燥してまずＨ−ＰＳ膜を設けた
（Ａ処理フイルム）。 （Ｂ）工程 次に前記Ａ処理フイルムを、１６０℃に制御された空気
を含む加熱室に１０分間放置した（Ｂ処理フイルム）。 （Ｃ）工程 次に前記Ｂ処理フイルムを、９５℃−ＲＨ７５％に制御
された水蒸気中に７分間放置した（Ｃ処理フイルム）。 （Ｄ）工程 最後に、予め１対１（重量比）で溶解して調製したトリ
エチルアミン水溶液を上部開口の容器中に入れて、これ
を５０°Cに加熱し上部に蒸発雰囲気をつくり、そして
この雰囲気下に前記Ｃ処理フイルムを、５分間曝して全
工程を終了した（Ｄ処理フイルム）。
（平均分子量７００）の２０重量％のキシレン溶液を
（以下ＨＰＳ原液と呼ぶ）を用いて、次の各工程条件で
順次処理した。 （Ａ）工程 厚さ７５μｍ、３００×３００ｍｍのポリエチレンナフ
タレ−トフイルム（ＰＥＮフイルム）を基体として、こ
の上に、該ＨＰＳ原液を更にキシレンを添加して１８重
量％に希釈した溶液を調製した。そしてこれの１０ｇを
採取して、スピンコ−テング法によってスピンコ−テン
グ（１８００ｒｐｍ／１０秒）した後、１００°Cの熱
風で該キシレンを蒸発乾燥してまずＨ−ＰＳ膜を設けた
（Ａ処理フイルム）。 （Ｂ）工程 次に前記Ａ処理フイルムを、１６０℃に制御された空気
を含む加熱室に１０分間放置した（Ｂ処理フイルム）。 （Ｃ）工程 次に前記Ｂ処理フイルムを、９５℃−ＲＨ７５％に制御
された水蒸気中に７分間放置した（Ｃ処理フイルム）。 （Ｄ）工程 最後に、予め１対１（重量比）で溶解して調製したトリ
エチルアミン水溶液を上部開口の容器中に入れて、これ
を５０°Cに加熱し上部に蒸発雰囲気をつくり、そして
この雰囲気下に前記Ｃ処理フイルムを、５分間曝して全
工程を終了した（Ｄ処理フイルム）。
【００２２】前記得られた乾燥Ｄ処理フイルムについ
て、まず被覆面を拡大顕微鏡で観察した。クラック等の
表面傷は全く見られなかった。そして膜厚は１．２μｍ
であり、そして湾曲状態で１８０°に１０回折曲げてテ
ストした。剥離等の現象は全く見られなかった。更にＩ
Ｒスペクトル分析によりＨ−ＰＳからＳｉＯ２への変化
を確認した（Ｓｉ−Ｎの吸収は実質的に見られず、全ん
どＳｉ−０に基づく吸収であった）。
て、まず被覆面を拡大顕微鏡で観察した。クラック等の
表面傷は全く見られなかった。そして膜厚は１．２μｍ
であり、そして湾曲状態で１８０°に１０回折曲げてテ
ストした。剥離等の現象は全く見られなかった。更にＩ
Ｒスペクトル分析によりＨ−ＰＳからＳｉＯ２への変化
を確認した（Ｓｉ−Ｎの吸収は実質的に見られず、全ん
どＳｉ−０に基づく吸収であった）。
【００２３】（実施例２）ＰＳ溶液として、Ｈ−ＰＳ
（平均分子量７００）の２０重量％ジブチルエ−テル溶
液を（以下ＨＰＳ−Ｄ原液と呼ぶ）を用いて、次の各工
程条件で順次処理した。 （Ａ）工程 ここでは、基体として厚さ０．３ｍｍ、３００×３００
ｍｍの非晶性環状ポリオレフィンシ−ト（ＪＳＲ株式会
社・商品名ア−トン）の片面を、予めシランカップリン
グ剤（γ−アミノプロピルトリエトキシシランのジブチ
ルエ−テル溶液を使用）にて化学的前処理を行ってプラ
イマ層を設けたものを使用した（ＰＣ基板）。そして該
ＰＣ基板の上に、該ＨＰＳ−Ｄ原液を、更にジブチルエ
−テルを添加して１０重量％に希釈した溶液の１０ｇを
採取して、スピンコ−テング法によってスピンコ−テン
グ（１８００ｒｐｍ／１０秒）した後、１２０°Cの熱
風で該ジブチルエ−テルを蒸発乾燥して、相当するＨ−
ＰＳ膜を設けた（Ａ処理板）。 （Ｂ）工程 次に前記Ａ処理板を、１６０℃に制御された空気を含む
加熱室に、１５分間放置した（Ｂ処理板）。 （Ｃ）工程 次に前記Ｂ処理板を、９５℃−ＲＨ７５％に制御された
水蒸気中に７分間放置した（Ｃ処理板）。 （Ｄ）工程 最後に、水とジプロピルアミンとを各々別個に加熱（水
６０°C、ジプロピルアミン８５°C）しておいた中に、
常温のＮ２ガスを吹き込み、両者から発生する各蒸気を
合流して混合気体となし、これを前記Ｃ処理板に１０分
間曝して全工程を終了した（Ｄ処理板）。尚Ｄ処理板に
は、若干の水滴が付着していたので、１２０°Cの熱風
をあてて乾燥除去して製品とした。
（平均分子量７００）の２０重量％ジブチルエ−テル溶
液を（以下ＨＰＳ−Ｄ原液と呼ぶ）を用いて、次の各工
程条件で順次処理した。 （Ａ）工程 ここでは、基体として厚さ０．３ｍｍ、３００×３００
ｍｍの非晶性環状ポリオレフィンシ−ト（ＪＳＲ株式会
社・商品名ア−トン）の片面を、予めシランカップリン
グ剤（γ−アミノプロピルトリエトキシシランのジブチ
ルエ−テル溶液を使用）にて化学的前処理を行ってプラ
イマ層を設けたものを使用した（ＰＣ基板）。そして該
ＰＣ基板の上に、該ＨＰＳ−Ｄ原液を、更にジブチルエ
−テルを添加して１０重量％に希釈した溶液の１０ｇを
採取して、スピンコ−テング法によってスピンコ−テン
グ（１８００ｒｐｍ／１０秒）した後、１２０°Cの熱
風で該ジブチルエ−テルを蒸発乾燥して、相当するＨ−
ＰＳ膜を設けた（Ａ処理板）。 （Ｂ）工程 次に前記Ａ処理板を、１６０℃に制御された空気を含む
加熱室に、１５分間放置した（Ｂ処理板）。 （Ｃ）工程 次に前記Ｂ処理板を、９５℃−ＲＨ７５％に制御された
水蒸気中に７分間放置した（Ｃ処理板）。 （Ｄ）工程 最後に、水とジプロピルアミンとを各々別個に加熱（水
６０°C、ジプロピルアミン８５°C）しておいた中に、
常温のＮ２ガスを吹き込み、両者から発生する各蒸気を
合流して混合気体となし、これを前記Ｃ処理板に１０分
間曝して全工程を終了した（Ｄ処理板）。尚Ｄ処理板に
は、若干の水滴が付着していたので、１２０°Cの熱風
をあてて乾燥除去して製品とした。
【００２４】前記得られた乾燥Ｄ処理フイルムについ
て、まず被覆面を拡大顕微鏡で観察した。クラック等の
表面傷は全く見られなかった。そして膜厚は０．９μｍ
であり、極めて強固に密着してもいた。更にＩＲスペク
トル分析によりＨ−ＰＳからＳｉＯ２への変化を確認し
た（実施例１と同様に、全んどがＳｉ−０に基づく吸収
であった）。
て、まず被覆面を拡大顕微鏡で観察した。クラック等の
表面傷は全く見られなかった。そして膜厚は０．９μｍ
であり、極めて強固に密着してもいた。更にＩＲスペク
トル分析によりＨ−ＰＳからＳｉＯ２への変化を確認し
た（実施例１と同様に、全んどがＳｉ−０に基づく吸収
であった）。
【００２５】（比較例１）（実施例１との対比例） まず実施例１のＨＰＳ原液を用いて、これに更にキシレ
ンを添加して、１０重量％に希釈した溶液を調製した。
これを６５ｇ採取して、厚さ７５μｍ、６００×９００
ｍｍのＰＥＮフイルムに、スピンコ−テング法によって
コ−テング（１８００ｒｐｍ／１５秒）した後、１００
°Cの熱風で該キシレンを蒸発乾燥してＨ−ＰＳ膜を設
けた。これを３００×３００ｍｍに６枚にカットした。
ンを添加して、１０重量％に希釈した溶液を調製した。
これを６５ｇ採取して、厚さ７５μｍ、６００×９００
ｍｍのＰＥＮフイルムに、スピンコ−テング法によって
コ−テング（１８００ｒｐｍ／１５秒）した後、１００
°Cの熱風で該キシレンを蒸発乾燥してＨ−ＰＳ膜を設
けた。これを３００×３００ｍｍに６枚にカットした。
【００２６】そして前記６枚の中の３枚を用いて、各々
に付き実施例１の各工程での処理条件とは同一である
が、処理順序を次の３つに変えてＳｉＯ２膜を形成し
た。 、（Ｄ）⇒（Ｃ）⇒（Ｂ） 、（Ｃ）⇒（Ｂ）⇒（Ｄ） 、（Ｂ）⇒（Ｄ）⇒（Ｃ）
に付き実施例１の各工程での処理条件とは同一である
が、処理順序を次の３つに変えてＳｉＯ２膜を形成し
た。 、（Ｄ）⇒（Ｃ）⇒（Ｂ） 、（Ｃ）⇒（Ｂ）⇒（Ｄ） 、（Ｂ）⇒（Ｄ）⇒（Ｃ）
【００２７】前記結果は次の通りであった。まずＩＲス
ペクトル分析にて、Ｈ−ＰＳからＳｉＯ２への変化を確
認したところ実施例１と実質的に差はなくＳｉＯ２に変
化していた。しかしながら拡大顕微鏡で各表面を観察す
ると、各工程で若干の差はあるものの微細ではあるが、
ほぼ全面に一様にクラックが見られた。又形成されたＳ
ｉＯ２膜の厚さは、各工程で０．６〜０．７μｍの中に
あった。ＳｉＯ２膜の厚さが実施例１の約半分と薄くて
も、本発明の各工程条件で、且つ（Ｂ）⇒（Ｃ）⇒
（Ｄ）の順序で処理しない限り、本発明の目的は達成さ
れないことが顕著に現れていることが判る。
ペクトル分析にて、Ｈ−ＰＳからＳｉＯ２への変化を確
認したところ実施例１と実質的に差はなくＳｉＯ２に変
化していた。しかしながら拡大顕微鏡で各表面を観察す
ると、各工程で若干の差はあるものの微細ではあるが、
ほぼ全面に一様にクラックが見られた。又形成されたＳ
ｉＯ２膜の厚さは、各工程で０．６〜０．７μｍの中に
あった。ＳｉＯ２膜の厚さが実施例１の約半分と薄くて
も、本発明の各工程条件で、且つ（Ｂ）⇒（Ｃ）⇒
（Ｄ）の順序で処理しない限り、本発明の目的は達成さ
れないことが顕著に現れていることが判る。
【００２８】（比較例２）（実施例１との対比例） 比較例２で得た残る２枚中１枚を用いて、実施例１にお
け工程中（Ｂ）⇒（Ｄ）の２工程を順次行った。但しＨ
−ＰＳからＳｉＯ２への変化をより完全に行うことを意
図として、（Ｂ）工程における加熱時間は６０分間、
（Ｄ）工程における放置時間は３０分間とした。
け工程中（Ｂ）⇒（Ｄ）の２工程を順次行った。但しＨ
−ＰＳからＳｉＯ２への変化をより完全に行うことを意
図として、（Ｂ）工程における加熱時間は６０分間、
（Ｄ）工程における放置時間は３０分間とした。
【００２９】まずＩＲスペクトル分析にて、Ｈ−ＰＳか
らＳｉＯ２への変化を確認したところ実施例１と実質的
に差はなくＳｉＯ２に変化していた。しかしながら拡大
顕微鏡で表面を観察すると、比較例２よりも大きなクラ
ックが見られた。尚形成されたＳｉＯ２膜の厚さは、
０．７μｍであった。
らＳｉＯ２への変化を確認したところ実施例１と実質的
に差はなくＳｉＯ２に変化していた。しかしながら拡大
顕微鏡で表面を観察すると、比較例２よりも大きなクラ
ックが見られた。尚形成されたＳｉＯ２膜の厚さは、
０．７μｍであった。
【００３０】（比較例３）まず実施例１と同じＨ−ＰＳ
原液を同様にキシレンで希釈した１５重量％の溶液１０
０ｇに、トリエチルアミン０．５ｇを添加して、該アミ
ンを含むＨ−ＰＳコ−テング液を調製した。そして、こ
れの１０ｇを採取して、実施例１と同じＰＥＮフイルム
に同様にスピンコ−テングした後、１００°Cの熱風に
て該キシレンを乾燥除去した。そしてこれを９５℃−Ｒ
Ｈ８５％に制御された水蒸気中に６０分間放置し、最後
に１６０℃に制御された空気を含む加熱室に６０分間放
置した。
原液を同様にキシレンで希釈した１５重量％の溶液１０
０ｇに、トリエチルアミン０．５ｇを添加して、該アミ
ンを含むＨ−ＰＳコ−テング液を調製した。そして、こ
れの１０ｇを採取して、実施例１と同じＰＥＮフイルム
に同様にスピンコ−テングした後、１００°Cの熱風に
て該キシレンを乾燥除去した。そしてこれを９５℃−Ｒ
Ｈ８５％に制御された水蒸気中に６０分間放置し、最後
に１６０℃に制御された空気を含む加熱室に６０分間放
置した。
【００３１】前記得られた被覆フイルムに付き、まずＩ
Ｒスペクトル分析にて、Ｈ−ＰＳからＳｉＯ２への変化
を確認したところ、実施例１と実質的に差はなくＳｉＯ
２に変化していた。しかしながら拡大顕微鏡で表面を観
察すると、比較例２よりも小さく少ないがクラックの発
生が観察された。又実施例１と同様に１８０°に湾曲屈
折すると、クラックの発生部分で部分的にＳｉＯ２膜の
剥離がみられた。尚形成されたＳｉＯ２膜の厚さは、
０．８μｍであった。
Ｒスペクトル分析にて、Ｈ−ＰＳからＳｉＯ２への変化
を確認したところ、実施例１と実質的に差はなくＳｉＯ
２に変化していた。しかしながら拡大顕微鏡で表面を観
察すると、比較例２よりも小さく少ないがクラックの発
生が観察された。又実施例１と同様に１８０°に湾曲屈
折すると、クラックの発生部分で部分的にＳｉＯ２膜の
剥離がみられた。尚形成されたＳｉＯ２膜の厚さは、
０．８μｍであった。
【００３２】
【発明の効果】本発明は前記の通り構成されているの
で、次のような効果を奏する。
で、次のような効果を奏する。
【００３３】基体面へのポリシラザンによるＳｉＯ２膜
の塗膜に関し、より厚膜にしてもクラックが入らず、よ
り硬質で強靱なＳｉＯ２膜が被覆できるようになった。
の塗膜に関し、より厚膜にしてもクラックが入らず、よ
り硬質で強靱なＳｉＯ２膜が被覆できるようになった。
【００３４】例えば１μｍ以上といった厚い高質のＳｉ
Ｏ２膜が、種々の基体に被覆できるようになったこと
で、例えば太陽電池用基板、各種光導波路用基板、液晶
用基板等への利用がより容易になり、より一層の用途拡
大が計れるようになった。
Ｏ２膜が、種々の基体に被覆できるようになったこと
で、例えば太陽電池用基板、各種光導波路用基板、液晶
用基板等への利用がより容易になり、より一層の用途拡
大が計れるようになった。
Claims (3)
- 【請求項１】基体にポリシラザン溶液を塗布し、化学的
処理して二酸化ケイ素膜を被覆する方法において、次の
（Ａ）〜（Ｄ）の各工程が順次行なわれることを特徴と
する厚膜二酸化ケイ素の被覆方法。 （Ａ）基体にポリシラザン溶液を塗布し、蒸発乾燥する
工程、（Ｂ）空気中で加熱処理する工程、（Ｃ）加熱水
蒸気で処理する工程、（Ｄ）水蒸気を含むガス状のアミ
ン系化合物で処理する工程。 - 【請求項２】前記ポリシラザン溶液が、金属系触媒を含
有しないペルヒドロポリシラザンの溶液である請求項１
に記載の厚膜二酸化ケイ素の被覆方法。 - 【請求項３】前記厚膜二酸化ケイ素の膜厚が０．２μｍ
以上である請求項１又は２に記載の厚膜二酸化ケイ素の
被覆方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26640699A JP4230623B2 (ja) | 1999-09-21 | 1999-09-21 | 厚膜二酸化ケイ素の被覆方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26640699A JP4230623B2 (ja) | 1999-09-21 | 1999-09-21 | 厚膜二酸化ケイ素の被覆方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001089126A true JP2001089126A (ja) | 2001-04-03 |
| JP4230623B2 JP4230623B2 (ja) | 2009-02-25 |
Family
ID=17430499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26640699A Expired - Fee Related JP4230623B2 (ja) | 1999-09-21 | 1999-09-21 | 厚膜二酸化ケイ素の被覆方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4230623B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007013333A1 (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-01 | Think Laboratory Co., Ltd. | グラビア製版ロール及びその製造方法 |
| WO2007018144A1 (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-15 | Think Laboratory Co., Ltd. | ドクターブレード |
| JP2007242596A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-09-20 | Univ Of Tokyo | プロセスプラズマ発生装置及び材料プロセシング方法 |
| WO2007135869A1 (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Think Laboratory Co., Ltd. | 硬質被膜形成方法及びグラビア製版ロールの製造方法 |
| JPWO2007132755A1 (ja) * | 2006-05-16 | 2009-09-24 | 株式会社シンク・ラボラトリー | グラビア製版ロール及びその製造方法 |
| KR100928730B1 (ko) * | 2007-08-20 | 2009-11-27 | 전자부품연구원 | 표면보호용 유리막 형성 방법 |
| US8058139B2 (en) | 2008-02-25 | 2011-11-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method for semiconductor devices |
| KR101361454B1 (ko) * | 2012-08-23 | 2014-02-21 | 이근수 | 반도체 소자의 실리콘 산화막 형성 방법 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07223867A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-08-22 | Tonen Corp | セラミックスの低温形成方法 |
| JPH08112879A (ja) * | 1994-10-14 | 1996-05-07 | Tonen Corp | ＳｉＯ２ 被覆プラスチックフィルム及びその製造方法 |
| JPH0931333A (ja) * | 1995-07-13 | 1997-02-04 | Tonen Corp | シリカ質セラミックス形成用組成物、同セラミックスの形成方法及び同セラミックス膜 |
| JPH09157544A (ja) * | 1995-12-05 | 1997-06-17 | Tonen Corp | シリカ系被膜付き基材の製造方法及び本方法で製造されたシリカ系被膜付き基材 |
| JPH10194719A (ja) * | 1996-12-28 | 1998-07-28 | Tonen Corp | 低誘電率シリカ質膜の形成方法及び同シリカ質膜 |
| JPH11105186A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-20 | Tonen Corp | 低誘電率シリカ質膜 |
| JPH11105187A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-20 | Tonen Corp | 高純度シリカ質膜の形成方法及び高純度シリカ質膜 |
| JPH11166157A (ja) * | 1997-12-04 | 1999-06-22 | Tonen Corp | コーティング組成物及びシリカ系セラミックス膜の製造方法 |
-
1999
- 1999-09-21 JP JP26640699A patent/JP4230623B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07223867A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-08-22 | Tonen Corp | セラミックスの低温形成方法 |
| JPH08112879A (ja) * | 1994-10-14 | 1996-05-07 | Tonen Corp | ＳｉＯ２ 被覆プラスチックフィルム及びその製造方法 |
| JPH0931333A (ja) * | 1995-07-13 | 1997-02-04 | Tonen Corp | シリカ質セラミックス形成用組成物、同セラミックスの形成方法及び同セラミックス膜 |
| JPH09157544A (ja) * | 1995-12-05 | 1997-06-17 | Tonen Corp | シリカ系被膜付き基材の製造方法及び本方法で製造されたシリカ系被膜付き基材 |
| JPH10194719A (ja) * | 1996-12-28 | 1998-07-28 | Tonen Corp | 低誘電率シリカ質膜の形成方法及び同シリカ質膜 |
| JPH11105186A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-20 | Tonen Corp | 低誘電率シリカ質膜 |
| JPH11105187A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-20 | Tonen Corp | 高純度シリカ質膜の形成方法及び高純度シリカ質膜 |
| JPH11166157A (ja) * | 1997-12-04 | 1999-06-22 | Tonen Corp | コーティング組成物及びシリカ系セラミックス膜の製造方法 |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007013333A1 (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-01 | Think Laboratory Co., Ltd. | グラビア製版ロール及びその製造方法 |
| JPWO2007013333A1 (ja) * | 2005-07-25 | 2009-02-05 | 株式会社シンク・ラボラトリー | グラビア製版ロール及びその製造方法 |
| JPWO2007018144A1 (ja) * | 2005-08-10 | 2009-02-19 | 株式会社シンク・ラボラトリー | ドクターブレード |
| WO2007018144A1 (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-15 | Think Laboratory Co., Ltd. | ドクターブレード |
| JP2007242596A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-09-20 | Univ Of Tokyo | プロセスプラズマ発生装置及び材料プロセシング方法 |
| JP4859921B2 (ja) * | 2006-05-16 | 2012-01-25 | 株式会社シンク・ラボラトリー | グラビア製版ロール及びその製造方法 |
| JPWO2007132755A1 (ja) * | 2006-05-16 | 2009-09-24 | 株式会社シンク・ラボラトリー | グラビア製版ロール及びその製造方法 |
| WO2007135869A1 (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Think Laboratory Co., Ltd. | 硬質被膜形成方法及びグラビア製版ロールの製造方法 |
| JP4968856B2 (ja) * | 2006-05-18 | 2012-07-04 | 株式会社シンク・ラボラトリー | 硬質被膜形成方法及びグラビア製版ロールの製造方法 |
| KR100928730B1 (ko) * | 2007-08-20 | 2009-11-27 | 전자부품연구원 | 표면보호용 유리막 형성 방법 |
| US8058139B2 (en) | 2008-02-25 | 2011-11-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method for semiconductor devices |
| KR101361454B1 (ko) * | 2012-08-23 | 2014-02-21 | 이근수 | 반도체 소자의 실리콘 산화막 형성 방법 |
| US20140057458A1 (en) * | 2012-08-23 | 2014-02-27 | SK Hynix Inc. | Method for forming silicon oxide film of semiconductor device |
| US9029273B2 (en) | 2012-08-23 | 2015-05-12 | SK Hynix Inc. | Method for forming silicon oxide film of semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4230623B2 (ja) | 2009-02-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5114757A (en) | Enhancement of polyimide adhesion on reactive metals | |
| KR102120350B1 (ko) | 약제 용기를 제조하는 방법 | |
| TWI664156B (zh) | 具脫層抗性及經改善之損壞容忍度的玻璃容器 | |
| JP3317998B2 (ja) | シリカ前駆物質での下地のコーティング方法 | |
| KR100333989B1 (ko) | Si-O함유 피막의 형성방법 | |
| KR100298100B1 (ko) | 층간절연도포막형성용의 폴리실라잔계 도포액 및 이를 이용한 이산화규소계 층간절연도포막의 형성방법 | |
| JP2007111645A5 (ja) | ||
| US3998991A (en) | Transparent abrasion-resistant coating for a styrene acrylonitrile copolymer and method | |
| WO2007046560A2 (en) | Inorganic substrate with a thin silica type glass layer, method of manufacturing the aforementioned substrate, coating agent, and a semiconductor device | |
| JPH06191970A (ja) | シリカ含有セラミックコーティングの形成方法 | |
| JP2001089126A (ja) | 厚膜二酸化ケイ素の被覆方法 | |
| US8389052B2 (en) | Method for treating inside surface of glass container and glass container | |
| KR20060090483A (ko) | 풀러렌을 포함하는 저유전 박막 형성용 조성물, 이를이용한 저유전 박막 및 저유전 박막의 제조방법 | |
| TW442546B (en) | Method for producing low dielectric coatings from hydrogen silsequioxane resin | |
| JP2801660B2 (ja) | シリカ系被膜形成用塗布液の製造方法 | |
| JP2018516998A (ja) | オプトエレクトロニクス用途のためのポリシロキサン製剤及びコーティング | |
| JPH11166157A (ja) | コーティング組成物及びシリカ系セラミックス膜の製造方法 | |
| JPH10242137A (ja) | 基材上に不溶性コーティングを形成する方法 | |
| JPH1116898A (ja) | 水素シルセスキオキサン樹脂から無割れ被膜の製造法 | |
| JP4996832B2 (ja) | シリカ系コーティング剤、それを用いたシリカ系薄膜および構造体 | |
| JPH11145130A (ja) | 低誘電率の電子被膜 | |
| JP3251761B2 (ja) | 電子基板にボロシリケート含有被覆を付着させる方法 | |
| JPH10140087A (ja) | 層間絶縁膜形成用塗布液及びそれを用いた絶縁膜の形成方法 | |
| JP2001139321A (ja) | シリカエアロゲル薄膜の製法 | |
| JP2010110723A (ja) | 傾斜膜材料の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051012 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081020 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081202 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081204 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111212 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111212 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121212 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121212 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131212 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131212 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |