JPH10140087A - 層間絶縁膜形成用塗布液及びそれを用いた絶縁膜の形成方法 - Google Patents
層間絶縁膜形成用塗布液及びそれを用いた絶縁膜の形成方法Info
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- JPH10140087A JPH10140087A JP20422997A JP20422997A JPH10140087A JP H10140087 A JPH10140087 A JP H10140087A JP 20422997 A JP20422997 A JP 20422997A JP 20422997 A JP20422997 A JP 20422997A JP H10140087 A JPH10140087 A JP H10140087A
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Abstract
縁性に優れ、ち密で表面形状の良好な被膜を再現性よく
形成することができ、しかも人体に対する影響の少ない
層間絶縁膜形成用塗布液、及びそれを用いた絶縁膜の形
成方法を提供する。 【解決手段】 1H―NMRスペクトルのピーク面積比
における、SiH1とSiH2の和に対するSiH3の割
合を0.15〜0.40に調整したポリシラザンを、不
活性有機溶剤の溶液とした層間絶縁膜形成用塗布液、及
びこの塗布液を基板上に塗布し、乾燥したのち、焼成帯
域中において、相対湿度45%以上の加湿ガス又はキャ
リヤーガス1リットルに対して、水分0.001〜0.
1gを混合した加湿ガスを流入させながら、300〜8
00℃で焼成することにより、層間絶縁膜を形成する方
法である。
Description
布液及びそれを用いた絶縁膜の形成方法に関するもので
ある。さらに詳しくいえば、本発明は、保存安定性、塗
布特性に優れるとともに、ち密で表面形状の良好な被膜
を再現性よく形成することができ、しかも人体に対する
影響が少ない溶媒を含有し、半導体素子や液晶表示素子
などの製造において好適に用いられる層間絶縁膜形成用
塗布液、及びこの塗布液を用いて層間絶縁膜を効率よく
形成させる方法に関するものである。
子部品材料の製造においては、固体表面に層間絶縁膜を
形成させることがしばしば必要になる。このような層間
絶縁膜を形成させる塗布液としては、無機性の高いポリ
シラザン系樹脂を用いた塗布液が種々報告されている
[「電子材料」,12月号,第50〜55ページ(19
94年)、特開平4―341705号公報、特開平6―
73340号公報、特開平6―128529号公報、特
開平6―142600号公報)]。
のアルコキシシランを用いた塗布液に比べて、被膜形成
材料中の有機成分の含有量が少ないため、基板上に該塗
布液を塗布し、乾燥、焼成処理により絶縁膜を形成させ
るに際し、焼成時の有機成分の焼失量が少なく、その結
果ち密な被膜が形成するので、近年注目されている。
用いた塗布液は、いずれも保存安定性に劣り、かつ品質
にバラツキがあるために、ち密で表面形状のよい被膜を
再現性よく形成させることが困難である上、乾燥時(1
00〜300℃)にポリシラザンが昇華し、これが焼成
処理装置の内壁に付着して装置内部を汚染したり、ある
いは、ポリシラザンの昇華により被膜が収縮し、クラッ
クの発生原因となるなどの欠点があった。これらポリシ
ラザンの昇華は、塗布液中に含まれる比較的低分子量の
ポリシラザンによるものと考えられている。
して、保存安定性がよいことから主にキシレンが用いら
れているが、キシレンは人体に対する安全性に問題があ
るため、実用化には非キシレン系であって、しかも保存
安定性及び塗布特性が良好な低毒性溶媒の検討が必要で
あった。
事情のもとで、保存安定性及び塗布特性に優れ、層間絶
縁膜に要求される比抵抗値1010〜1017Ω・cm程度
の絶縁性を有し、段差のある下地に対して塗布してもク
ラックの発生がなく、ステップカバレージ性が良好で、
かつち密で表面形状の良好な被膜を再現性よく形成する
ことができ、しかも人体に対する影響が少ない溶媒を用
いた層間絶縁膜形成用塗布液、及びこの塗布液を用いて
効率よく絶縁膜を形成させる方法を提供することを目的
としてなされたものである。
を達成するために鋭意研究を重ねた結果、ポリシラザン
中のSiH3を所定の割合になるように調整したのち、
特定の炭素数のアルキル基を有するジアルキルエーテル
のような不活性有機溶剤に溶解し溶液としたものが、層
間絶縁膜形成用塗布液として、その目的に適合しうるこ
と、そして、この塗布液を基板上に塗布し、加湿雰囲気
下に焼成することにより、層間絶縁膜が効率よく形成す
ることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成する
に至った。
ルのピーク面積比における、SiH1とSiH2の和に対
するSiH3の割合を0.15〜0.45に調整したポ
リシラザンの不活性有機溶剤溶液から成る層間絶縁膜形
成用塗布液、及びこの塗布液を基板上に塗布し、乾燥し
たのち、焼成帯域中において、相対湿度45%以上の加
湿ガス、又はキャリヤーガス1リットルに対して、水分
0.001〜0.1gを混合した加湿ガスを流入させな
がら、300〜800℃の範囲の温度で焼成することを
特徴とする層間絶縁膜の形成方法を提供するものであ
る。
性有機溶剤としては、特に炭素数4以上のアルキル基の
ジアルキルエーテルが好適である。
ポリシラザンとしては特に制限はなく、公知のもの、例
えば前記先行文献に記載のポリシラザン系樹脂を用いる
ことができるが、以下に示す理由から、このポリシラザ
ンの分子量は狭い範囲にあるのが望ましい。
に用いられる層間絶縁膜は、何万枚もの基板に対して、
常に数十nm誤差の範囲で一定の膜厚の被膜を形成でき
ることが望まれる。しかしながら、膜厚のコントロール
は極めて難しく、塗布条件の僅かな違いが膜厚に大きく
影響を与えるし、また、塗布液の経時的な変化により、
調製直後の塗布液を用いて形成した被膜と、数か月間経
た塗布液を用いて形成した被膜とで、膜厚に差を生じる
こともある。したがって、できるだけ長期間にわたって
経時的変化の少ない、つまり保存安定性の良好な塗布液
の調製が必要不可欠であり、それには、ポリシラザンの
分子量を狭い範囲に規定することが重要である。
(窒素原子、ケイ素原子に結合した水素)を有してお
り、これが架橋して増粘やゲル化を引き起こしやすく、
これを防ぐために、また一回の塗布で所望の膜厚が得ら
れるように、あるいは塗布液の濃度調整がしやすいよう
に、あまり高分子量体は好ましくない。また逆に低分子
量体を多く含むと架橋性が悪く、被膜表面がゆず肌状に
なったり、被膜の乾燥時に昇華物が増え、被膜が収縮し
て膜厚が減少したり、クラックが発生するなどの問題が
生じる。したがって、分子量範囲を厳しく設定しておく
ことが重要である。
シラザンは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー
(GPC)法により測定したポリスチレン換算の重量平
均分子量(Mw)が、1500〜5000の範囲にある
ものが好ましく、特に1700〜3000の範囲にある
ものが好適である。また、分散度(Mw/Mn)は1〜
4の範囲にあるものが好ましい。
び塗布特性を良好なものとし、かつち密で表面形状の良
好な被膜を再現性よく形成させるためには、ポリシラザ
ンについて1H−NMRスペクトル面積比における、S
iH1とSiH2の和に対するSiH3の割合を、0.1
5〜0.45の範囲に調整することが必要である。この
調整は、例えばポリシラザンを製造する際に、原料の使
用量、反応条件を選択して行うこともできるが、製造し
たポリシラザンをヘキサメチルジシラザンで処理し、ポ
リシラザンの活性水素の一部をトリメチルシリル基で置
換することにより行うのが有利である。
ラザンの処理は、その1H―NMRスペクトル(プロト
ン核磁気共鳴スペクトル)のピーク面積比において、S
iH1とSiH2の和に対するSiH3の割合を測定しな
がら、それが0.15〜0.45の範囲になるまで続け
る。この割合が0.15未満では塗布特性が低下し、ピ
ンホールが発生したり、被膜表面がゆず肌状になるな
ど、ち密で表面形状の良好な被膜の形成が困難になる
し、0.45を超えると塗布液の保存安定性が悪くな
り、再現性のよい被膜の形成が困難となる。塗布特性及
び保存安定性などの面から、処理後のポリシラザンの該
ピーク面積比におけるSiH1とSiH2の和に対するS
iH3の特に好ましい割合は0.22〜0.32の範囲
である。
ザンで処理する際の1H―NMRスペクトルのピーク面
積比におけるSiH1とSiH2の和に対するSiCH3
の割合については、0.55以下が好ましい。この割合
が0.55を超えると保存安定性がそれほど向上せず、
むしろ経済的に不利となる。また、この割合があまり小
さすぎると塗布液の保存安定性は向上しないので、保存
安定性及び経済性などの面から、SiH1とSiH2の和
に対するSiCH3の特に好ましい割合は、0.30〜
0.50の範囲になるように選ばれる。なお、ポリシラ
ザンの活性水素をトリメチルシリル基で置換するには、
ヘキサメチルジシラザン以外のトリメチルシリル化剤を
用いることもできる。
トルチャートにおいて、SiH1及びSiH2は4.5〜
5.3ppm、SiCH3は0.0〜0.2ppm、S
iH3は4.3〜4.5ppmに現われるピークにそれ
ぞれ帰属されるので、前記ピーク面積比は、それぞれの
積分曲線によるプロトン(水素)の比から求めることが
できる。
ンモニアを供給して重合を行う方法、熱や圧力を作用さ
せて重合を行う方法などによって製造することができる
が、後者の方法で得られたポリシラザンは、経時安定性
に優れるので好ましい。
としては、消防上及び乾燥性の点から、沸点が50〜2
00℃程度で、かつ塗布液の保存安定性の点から吸湿性
が低い上、人体に対する影響の少ないものが好ましい。
このようなものとしては、例えば炭素数4以上のアルキ
ル基のジアルキルエーテルや、シクロヘキセン、ジメチ
ルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、p‐メンタ
ン、デカリン、2,2,5‐トリメチルヘキサン、ジペ
ンテン、デカン、イソノナン、オクタンなどが挙げられ
るが、これらの中で炭素数4以上のアルキル基のジアル
キルエーテルが好ましく、特にジブチルエーテルが好適
である。この不活性有機溶剤は単独で用いてもよいし、
2種以上を組み合わせて用いてもよい。
ザンの昇華抑制剤を添加することができる。被膜の乾燥
工程において、比較的低分子量のポリシラザンが昇華し
やすいが、該昇華抑制剤は、低分子量のポリシラザンと
反応して、高分子量化し、その昇華を抑制する作用を有
するものである。このような昇華抑制剤としては、例え
ば、トリアルキルアミンを好ましく挙げることができ
る。このトリアルキルアミンは未反応で残った場合、乾
燥工程で溶剤と共に除かれることが望ましく、したがっ
て、その沸点が200〜300℃程度のものが好まし
い。このようなトリアルキルアミンとしては、炭素数4
〜8の直鎖又は分枝のアルキル基を有するものが好まし
く、例えばトリブチルアミン、トリペンチルアミン、ト
リヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチル
アミン、モノブチルジペンチルアミン、モノヘキシルジ
ペンチルアミンなどが挙げられるが、これらの中で、保
存安定性、反応性などの点でトリペンチルアミンが好ま
しく、特にトリ‐n‐ペンチルアミンが好適である。ま
た、これらは単独で用いてもよいし、2種以上を組み合
わせて用いてもよい。
華抑制効果が十分に発揮されないし、また、多すぎると
塗布液の保存安定性が低下したり、塗布時に高分子量化
が進み、被膜不要部分の剥離工程において、剥離液に対
する溶解性が悪くなって、剥離処理が行えないなどの問
題が生じる。したがって、この昇華抑制剤の添加量は、
固形分に対して、通常1〜10重量%、好ましくは3〜
5重量%の範囲で選ばれる。
ンとは逆に、ポリシラザンの高分子量化を進める働きを
するため、その添加量についてはヘキサメチルジシラザ
ンの添加量を考慮する必要がある。一般的には、反応に
関与するヘキサメチルジシラザンの量に対して、0.7
〜1.5重量%程度が適当である。
制限はないが、高すぎると保存安定性が低下するととも
に、膜厚の制御が困難となり、逆に低すぎると一回の塗
布で得られる膜厚が薄く、所望の膜厚が得られるまで、
何度も重ね塗りが必要となるなどの不都合が生じる。し
たがって、固形分濃度は10〜40重量%の範囲が好ま
しく、特に15〜25重量%の範囲が好適である。
て絶縁膜を形成させる方法について説明する。
ナー法、スプレー法、浸せき法など、従来慣用されてい
る手段により、通常室温(20〜25℃程度)にて塗布
したのち、100〜300℃程度の温度で乾燥処理し
て、塗布液中の溶媒を除き、ポリシラザン系被膜を形成
させる。ポリシラザンの昇華の抑制を効率よく行うため
には、乾燥処理前に、25〜100℃、好ましくは40
〜70℃の温度で1分間以上待機させるのが有利であ
る。これは、昇華抑制剤とポリシラザンとを十分に反応
させ、低分子量体の昇華を抑えるためであり、さらには
70℃以下の温度で3分間以上待機させるのが好まし
い。100℃を超える温度で行うと昇華の抑制が十分で
ない場合があり、乾燥時にポリシラザンの昇華による発
煙が生じることがある。この理由については、必ずしも
明らかではないが、おそらく加熱によりポリシラザンと
昇華抑制剤との反応が加速され、反応部分にムラができ
ることにより、未反応の低分子量ポリシラザンが残存す
るためと思われる。
体の反応性に基づいて行う方が、反応部分にムラを残さ
ず、好ましいものと思われる。なお、この操作は、温度
を段階的に変えて行ってもよく、例えば、塗布後、50
℃で1分間、さらに60℃で1分間、さらに90℃で1
分間というように設定してもよい。
未満の場合には、次の乾燥工程でポリシラザンの昇華が
発生しやすい。昇華したポリシラザンは乾燥室内壁にS
iO2の結晶を析出させ、これが塗布膜上に落下して被
膜の品質低下の原因となったり、またポリシラザンの昇
華に起因する被膜の収縮が起こり、膜厚が減少する傾向
にある。1分間以上待機させることにより、そのような
現象はなくなり、常に安定した品質の被膜を形成するこ
とができるようになる。
湿雰囲気下でも行うことができるが、過度の加湿状態に
おくと被膜が大気中の水分を吸収するため、相対湿度4
5〜55%程度の雰囲気中で行うのが適当である。な
お、加湿状態では昇華抑制剤の効果が高まる傾向がある
ため、その効果を期待して55%を超える雰囲気中で行
うこともできる。
てもよいが、待機している間中は次の基板への塗布操作
が行えずスループットが落ちたり、また設定温度を変え
る必要があるので、効率的には設定温度に保たれた待機
室やホットプレートを設けて、流れ作業的に行うことが
好ましい。
ザン系被膜を、焼成帯域中において、相対湿度45%以
上の加湿ガス又はキャリヤーガス1リットルに対して、
水分0.001〜0.1gを混合した加湿ガスを流入さ
せながら、300〜800℃の範囲の温度において、1
5〜60分間程度焼成し、該ポリシラザン系被膜を酸化
ケイ素(SiO2)膜に転化することにより、層間絶縁
膜が形成される。この際、必要に応じてポリシラザンの
すべてを酸化ケイ素に転化しなくてもよく、焼成時間、
焼成温度、焼成雰囲気は、その目的に応じて適宜選択す
ることができる。なお、キャリヤーガスとしては、酸素
ガスが好ましい。
凹凸のある基板に対して膜厚が0.1〜1.2μm程度
のクラックのない膜質の良好な、実質上酸化ケイ素から
成る膜である。
存安定性及び塗布特性が優れ、電気特性的にも層間絶縁
膜として十分な抵抗性を有する、ち密で表面形状の良好
な被膜を再現性よく形成することができ、しかも人体に
対する影響の少ない溶媒を含有するものであって、半導
体素子や液晶表示素子などの各種電子部品材料の製造に
おいて好適に用いられる。
するが、本発明は、これらの例によってなんら限定され
るものではない。
合成されたポリシラザンにヘキサメチルジシラザンを添
加し反応を行い、1H―NMRスペクトルのピーク面積
比計算による(SiH1+SiH2)/SiCH3/Si
H3の比が1/0.45/0.40のポリシラザン(重
量平均分子量=2200、数平均分子量=950)の2
0重量%ジブチルエーテル溶液(塗布液A)100gを
調製した。
m,ラインアンドスペース(L/S);1.2μm/
0.7〜10.0μm]が形式されたシリコンウエーハ
上に、上記(1)で得られた塗布液Aを室温23℃、湿
度45%の条件下、2000rpmで20秒間スピン塗
布したところ塗布性は良好であった。次いで1500r
pmで同装置のウエーハエッジ部洗浄ノズルからジブチ
ルエーテルを50ml/min、5秒間噴射したとこ
ろ、周縁部のポリシラザン塗布液は完全に除去され、剥
離性は良好であった。その後250℃で3分間乾燥を行
い、次いで、酸素をキャリヤーガスとした水分を含む相
対湿度約90%の加湿ガスを流した焼成室内で温度45
0℃において、30分間焼成することにより酸化ケイ素
膜から成る絶縁膜を形成した。この酸化ケイ素膜は表面
にクラックの発生は確認されず、平坦性が良好で極めて
均質な、絶縁性の良い被膜であった。また、ベアーウエ
ーハ上に、塗布時間を10秒に変え、同様にして被膜を
形成したところ膜厚は0.36μmになった。なお、こ
の際の膜厚の測定はエリプソメーターを用いて行った。
加量を1H―NMRスペクトルのピーク面積比計算によ
る(SiH1+SiH2)/SiCH3/SiH3の比が1
/0.30/0.40及び1/0.50/0.40にな
るように変えた以外は、実施例1(1)と同様にして塗
布液B、Cを調製した。
施例1(2)と同様にして実施し、塗布性、剥離性、表
面形状、絶縁性を調べたところ、塗布液B、C共、いず
れも良好な結果が得られた。
加量を1H―NMRスペクトルのピーク面積比計算によ
る(SiH1+SiH2)/SiCH3/SiH3の比が1
/0.45/0.30及び1/0.45/0.45にな
るように変えた以外は、実施例1(1)と同様にして塗
布液D、Eを調整した。
施例1(2)と同様にして実施し、塗布性、剥離性、表
面形状、絶縁性を調べたところ、塗布液Eはいずれも良
好な結果が得られた。塗布液Dは若干塗布性に劣り、か
すかにストリエーションの発生がみられたが、表面形状
に変化はみられず、良好な膜であった。
オクタン、イソノナン又はn‐デカンに変えた以外は、
実施例1(1)と同様にして塗布液F、G及びHを調製
した。 (2)絶縁膜の形成 上記(1)で得られた塗布液F、G及びHを用いた以外
は、実施例1(2)と同様にして実施し、塗布性、剥離
性、表面形状、絶縁性を調べたところ、塗布液F、G及
びHは若干塗布性に劣り、かすかにストリエーションの
発生がみられたが、表面形状に変化はみられず、良好な
膜であった。
加量を1H―NMRスペクトルのピーク面積比計算によ
る(SiH1+SiH2)/SiCH3/SiH3の比が1
/0.45/0.27になるように変え、かつトリ‐n
‐ペンチルアミン1.0gを添加した以外は、実施例1
(1)と同様にして塗布液Iを調製した。
m,L/S;1.2μm/0.7〜10.0μm]が形
成されたシリコンウエーハ上に、上記(1)で得られた
塗布液Iを室温23℃、湿度45%の条件下、2000
rpmで10秒間スピン塗布したところ塗布性は良好で
あった。次いで1500rpmで同装置のウエーハエッ
ジ部洗浄ノズルからジブチルエーテルを50ml/mi
n、5秒間噴射したところ、周縁部のポリシラザン塗布
液は完全に除去され、剥離性は良好であった。その後5
0℃で3分間待機し、次いで250℃で3分間乾燥を行
ったが、ポリシラザンの昇華による発煙現象はみられな
かった。
を含む相対湿度約90%の加湿ガスを流した焼成室内
で、温度450℃において、30分間焼成することによ
り酸化ケイ素膜から成る絶縁膜を形成した。この酸化ケ
イ素膜は表面にクラックの発生は確認されず、平坦性に
優れ、極めて均質な、絶縁性のよい被膜であった。また
ベアーウエーハ上に同じ条件で被膜を形成したところ、
膜厚は0.36μmであった。なお、この際の膜厚の測
定はエリプソメーターを用いて行った。
代わりにトリ‐n‐ブチルアミン、トリ‐n‐ヘキシル
アミンを用いた以外は、実施例9(1)と同様にして塗
布液J、Kを調製した。 (2)絶縁膜の形成 上記の(1)で得られた塗布液J、Kを用いた以外は、
実施例9(2)と同様にして実施し、塗布性、剥離性、
発煙状況、表面形状、絶縁性を調べたところ、両方共い
ずれも良好な結果が得られた。
添加量を2.5gに変えた以外は、実施例9(1)と同
様にして塗布液Lを調製した。 (2)絶縁膜の形成 上記(1)で得られた塗布液Lを用いた以外は、実施例
9(2)と同様にして実施し、塗布性、剥離性、発煙状
況、表面形状、絶縁性を調べたところ、剥離性に劣り、
十分に周縁部の塗布液を除去できなかった。それ以外の
評価については、いずれも良好な結果が得られた。
外は、実施例9(2)と同様にして実施し、発煙状況、
表面形状、絶縁性を調べたところ、90℃では、かすか
に発煙がみられたが、表面形状に変化はみられなかっ
た。その他の温度に関しては、実施例9(2)と同様、
いずれも良好な結果が得られた。
同様にして実施し、発煙状況、表面形状、絶縁性を調べ
たところ、少量の発煙がみられ、乾燥室の内壁にSiO
2のかすかな付着物が検出された。また表面形状に異状
はみられなかった。
9(2)と同様にして実施し、発煙状況、表面形状、絶
縁性を調べたところ、2分では、かすかに発煙がみられ
たが、表面形状に変化はみられなかった。その他の時間
に関しては、実施例9(2)と同様、いずれも良好な結
果が得られた。
にして実施し、発煙状況、表面形状、絶縁性を調べたと
ころ、少量の発煙がみられ、乾燥室の内壁にSiO2の
かすかな付着物が検出された。また表面形状に異状はみ
られなかった。
の代りに、酸素ガス1リットルに対して水分0.02g
を混合した加湿ガスを用いる以外は、実施例9(2)と
同様の操作を繰り返し、表面形状、絶縁性を調べたとこ
ろ、いずれも良好な結果が得られた。
加量を1H―NMRスペクトルのピーク面積比計算によ
る(SiH1+SiH2)/SiCH3/SiH3の比が1
/0/0.10になるように変えた以外は実施例1
(1)と同様にして塗布液Xを調製した。 (2)絶縁膜の形成 上記(1)で得られた塗布液Xを用いた以外は、実施例
1(2)と同様にして実施し、塗布性、表面形状を調べ
たところ、ストリエーションが発生し、表面形状はゆず
肌状であった。また、乾燥工程後にFT−IRで膜組成
を調べたところSiO2化が進行し、経時安定性の低い
ものとなっていた。
加量を1H―NMRスペクトルのピーク面積比計算によ
る(SiH1+SiH2)/SiCH3/SiH3の比が1
/0.45/0.10になるように代えた以外は実施例
1(1)と同様にして塗布液Yを調製した。 (2)絶縁膜の形成 上記(1)で得られた塗布液Yを用いた以外は、実施例
1(2)と同様にして実施し、塗布性、表面形状を調べ
たところ、ストリエーションが発生し、表面形状はゆず
肌状であった。
(1)で得られた塗布液A〜L、X、Yを大気中で密閉
したガラス容器内で40℃において6か月間保存した結
果、塗布液B、Lは若干粘度、分子量の増加傾向がみら
れ、重量平均分子量(Mw)で100〜200程度増加
した。また、塗布液Xは粘度の増加が著しく重量平均分
子量で1500の増加であった。
シシランを原料とするプラズマCVD法による被膜を5
000Åの厚さで形成した。その結果、実施例1〜8の
被膜付基板を用いた場合は、上記のテトラエトキシシラ
ン被膜上にわずかに表面荒れを生じたが、ほぼ平坦で良
質の膜であった。実施例9〜22の被膜付基板を用いた
場合は、非常に平滑で良質の被膜であった。
例22と同様にして、被膜を形成した。その結果、いず
れもテトラエトキシシラン被膜上には、下地のポリシラ
ザン被膜上のパーティクルに起因すると思われる凹凸が
多数発生し、著しい表面荒れが認められた。以上によ
り、塗布液A〜Lを用いて層間絶縁膜を形成した場合、
その上に表面荒れの少ない良質な膜の形成が可能である
ため配線の断線を起こすことがない。
Claims (7)
- 【請求項1】 1H―NMRスペクトルのピーク面積比
における、SiH1とSiH2の和に対するSiH3の割
合を0.15〜0.45に調整したポリシラザンの不活
性有機溶剤溶液から成る層間絶縁膜形成用塗布液。 - 【請求項2】 調整後のポリシラザンの1H―NMRス
ペクトルのピーク面積比におけるSiH1とSiH2の和
に対するSiCH3の割合が0.30〜0.55である
請求項1記載の層間絶縁膜形成用塗布液。 - 【請求項3】 調整がヘキサメチルジシラザン処理で行
われる請求項1又は2記載の層間絶縁膜形成用塗布液。 - 【請求項4】 不活性有機溶剤が炭素数4以上のアルキ
ル基をもつジアルキルエーテルである請求項1、2又は
3記載の層間絶縁膜形成用塗布液。 - 【請求項5】 昇華抑制剤を含む請求項1ないし4のい
ずれかに記載の層間絶縁膜形成用塗布液。 - 【請求項6】 請求項1ないし5のいずれかに記載の層
間絶縁膜形成用塗布液を基板上に塗布し、乾燥したの
ち、焼成帯域中において、相対湿度45%以上の加湿ガ
スを流入させながら、300〜800℃の範囲の温度で
焼成することを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。 - 【請求項7】 請求項1ないし5のいずれかに記載の層
間絶縁膜形成用塗布液を基板上に塗布し、乾燥したの
ち、焼成帯域中において、キャリヤーガス1リットルに
対して、水分0.001〜0.1gを混合した加湿ガス
を流入させながら、300〜800℃の範囲の温度で焼
成することを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4767317B2 (ja) * | 2006-06-08 | 2011-09-07 | アートブリード株式会社 | コーティング液およびコーティング方法 |
WO2011043264A1 (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-14 | 株式会社Adeka | 絶縁膜形成用塗布液、それを用いた絶縁膜およびそれに用いる化合物の製造方法 |
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