JP2005517784A - オルガノシロキサン - Google Patents
オルガノシロキサン Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005517784A JP2005517784A JP2003569713A JP2003569713A JP2005517784A JP 2005517784 A JP2005517784 A JP 2005517784A JP 2003569713 A JP2003569713 A JP 2003569713A JP 2003569713 A JP2003569713 A JP 2003569713A JP 2005517784 A JP2005517784 A JP 2005517784A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- percent
- spin
- film
- formula
- organosiloxane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 title claims abstract description 44
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 100
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 claims abstract description 14
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 13
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 29
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexyloxide Natural products O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 15
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 15
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 8
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 8
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 claims description 4
- 125000002243 cyclohexanonyl group Chemical group *C1(*)C(=O)C(*)(*)C(*)(*)C(*)(*)C1(*)* 0.000 claims description 4
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 3
- ZICQBHNGXDOVJF-UHFFFAOYSA-N diamantane Chemical compound C1C2C3CC(C4)CC2C2C4C3CC1C2 ZICQBHNGXDOVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 11
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 64
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 35
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 27
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 20
- 239000000047 product Substances 0.000 description 18
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 16
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 15
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 8
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- -1 organosilsesquioxane Chemical compound 0.000 description 6
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 4
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- NHGXDBSUJJNIRV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC NHGXDBSUJJNIRV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 3
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 239000003444 phase transfer catalyst Substances 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 239000003957 anion exchange resin Substances 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229930188620 butyrolactone Natural products 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 229920001429 chelating resin Polymers 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 2
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 230000003381 solubilizing effect Effects 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001157 Fourier transform infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZPJVKXUWVWEAD-UHFFFAOYSA-N [C].[N].[Si] Chemical compound [C].[N].[Si] DZPJVKXUWVWEAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N [N].[Si] Chemical compound [N].[Si] UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000000010 aprotic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- KXHPPCXNWTUNSB-UHFFFAOYSA-M benzyl(trimethyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 KXHPPCXNWTUNSB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000007806 chemical reaction intermediate Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 150000003950 cyclic amides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003997 cyclic ketones Chemical class 0.000 description 1
- CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N cycloheptanone Chemical compound O=C1CCCCCC1 CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N cyclooctanone Chemical compound O=C1CCCCCCC1 IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000011532 electronic conductor Substances 0.000 description 1
- 238000004520 electroporation Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OCC BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 238000004442 gravimetric analysis Methods 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hcl hcl Chemical compound Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N n-cyclohexyl-2-pyrrolidone Chemical compound O=C1CCCN1C1CCCCC1 PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- NIEHEMAZEULEKB-UHFFFAOYSA-N ortho-ethylanisole Natural products CCC1=CC=CC=C1OC NIEHEMAZEULEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002572 peristaltic effect Effects 0.000 description 1
- 239000005054 phenyltrichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000000391 spectroscopic ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 1
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 1
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 1
- 229910021654 trace metal Inorganic materials 0.000 description 1
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N trichloro(phenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005050 vinyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 150000003738 xylenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0751—Silicon-containing compounds used as adhesion-promoting additives or as means to improve adhesion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
- H01L21/3121—Layers comprising organo-silicon compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
- H01L21/3121—Layers comprising organo-silicon compounds
- H01L21/3122—Layers comprising organo-silicon compounds layers comprising polysiloxane compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76807—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics for dual damascene structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76829—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76835—Combinations of two or more different dielectric layers having a low dielectric constant
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/5329—Insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
- H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
Description
本出願は、以下の係属中の出願:a)米国特許出願シリアル番号09/609437、2000年6月30日出願、これは2001年1月23日発行の米国特許第6,177,199号の分割出願である;b)米国特許出願シリアル番号09/609499、2000年6月30日出願、これは2001年4月17日発行の米国特許第6,218,020号の分割出願である;c)米国特許出願シリアル番号09/610567、2000年7月3日出願、これは2001年4月17日発行の米国特許第6,218,497号の分割出願である;d)米国特許出願シリアル番号09/611528、2000年6月30日出願、これは、2000年11月7日発行の米国特許第6,143,855号の分割出願である;及びe)米国特許出願シリアル番号10/078919、2002年2月19日出願(係属中の仮特許出願の米国特許出願シリアル番号60/334169、2001年11月20日出願;米国特許出願シリアル番号60/334172、2001年11月29日出願;及び米国特許出願シリアル番号60/336662、2001年12月3日出願の恩典を請求する)の一部継続出願である。これらは全て、本明細書中、その全体が参照として含まれる。
本発明は、半導体デバイス、特に、低誘電率材料を含む半導体デバイスに関する。
半導体デバイスの性能と速度とを上げる目的で、半導体デバイス製造業者らは、動作減衰量を最小化し、且つ内部連絡の静電結合を低下させつつ、内部連絡の線幅と間隔とを減少させようとしてきた。電力消費とキャパシタンス(静電容量)とを減少させる一つの方法は、内部連絡を隔てる絶縁体、または誘電体の誘電率(「k」ともいう)を小さくすることである。低い誘電率をもつ絶縁材料は特に望ましい。というのも、これらの材料は通常、シグナル伝播をより早くし、キャパシタンスと導体ライン間のクロストークとを小さくし、集積回路を駆動するのに必要な電圧を下げるからである。従って、内部連絡の線幅が狭くなるにつれて、将来的な半導体デバイスに望ましい優れた性能と速度とを得るためには、絶縁材料の誘電率も随伴して減少させなければならない。たとえば、0.13または0.10ミクロン以下の内部連絡の線幅をもつデバイスは、誘電率(k)<3の絶縁材料を追求する。半導体デバイス製造業者らも、低誘電率を有することに加えて、半導体デバイスの製造の熱サイクル及び加工段階に耐えるのに必要な機械的及び熱安定性を持つ材料を追求している。
当業界におけるこの必要性に答えて、本発明は、式I:[Y0.01-1.0SiO1.5-2]a[Z0.01-1.0SiO1.5-2]b[H0.01-1.0SiO1.5-2]c{式中、Yはアリールであり、Zはアルケニルであり、aは式Iの15パーセント〜70パーセントであり、bは式Iの2パーセント〜50パーセントであり、及びcは式Iの20パーセント〜80パーセントである}を少なくとも80重量パーセント含む、オルガノシロキサンを提供する。公知の誘電材料を湿潤させない米国特許第4,626,556号に教示されたものと似たアルキル含有材料とは異なり、本発明の組成物は、以下の本発明の実施例で報告するように誘電材料を湿潤し、かくしてエッチストップとして都合よく使用することができる。そのオルガノシルセスキオキサンが耐熱性のためにアルキル基の存在を必要とし、且つアリール基の存在を必要としないと教示している米国特許第4,626, 556号の教示とは対照的に、本出願人は、アリール基の存在を必要とするが、アルキル基の存在は必要としない本発明の組成物は、以下に報告するTGAの結果によって明白に示されるように優れた熱安定性を示すことを知見した。本発明の組成物は、好ましくは3.2未満の誘電率ももつ。本発明の組成物のもう一つの好都合な点は、架橋温度が低いということである。本発明の組成物は、他の単位が本発明の組成物の望ましい特性を損なわない限り、20重量パーセント以下の他の単位を含むことができる。
発明の詳細な説明
本明細書中で使用する「実質的にシラノールを含まない:substantially no silanol」なる用語は、米国特許第4,626,556号により教示されたFTIRのシラノールピークによって明白に示されたようなシラノールの存在を排除するものとする。
予想されたポリマーは、交互に珪素原子と酸素原子とを包含するポリマー幹を含む。上記式Iにおいて、Yはフェニル、ベンジル、置換フェニル、ナフチル、アントリル、及びフェナントリルであるのが好ましい。上記式Iにおいて、Zはビニル、置換ビニル、ビニルエーテル、アクリレート、及びメタクリレートであるのが好ましい。上記式Iにおいて、aは式Iの30パーセント〜70パーセントであり、且つbは式Iの10パーセント〜40パーセントであるのが好ましい。
本発明の組成物は、本明細書中、その全体が参照として含まれる、トーマス(Michael E.Thomas)の"Spin-On Stacked Films for Low Keff Dielectrics",Solid State Technology(2001年7月)により教示される所望の全てスピンオン・スタックフィルムで使用することができる。
誘電率:誘電率は、硬化層上にアルミニウムの薄いフィルムをコーティングし、次いで1MHzでキャパシタンス−電圧測定を実施し、層の厚さをベースとしてk値を計算することにより決定した。
炭素原子4個未満をもつアルキル基60〜80%と水素20〜40%とをもつオルガノシルセスキオキサンは、2002年1月15日出願の同一出願人による係属中の特許出願、米国特許シリアル番号第60/350187号の有機誘電体でデウェッティング(dewetting)性であったか、または殆ど濡れなかった。そのようなオルガノシロキサン類は、米国特許第4,626,556号により教示された少なくとも50%のメチル基の必要最小値を有しており、上記有機誘電体との接触角は15〜39゜であった。そのようなオルガノシロキサン類には、約80%メチル基と20%水素基とを含むHoneywell HOSP(登録商標)も含んでいたが、上記有機誘電体とHOSP(登録商標)との接触角は35゜であった。
図1は、66%フェニルと34%メチルとを有するオルガノシロキサンを含むHoneywell Accuglass(登録商標)720製品のTGAの結果を示す。プログラムは、(a)200℃に傾斜させ、200℃に15分間保持し、(b)次いで、430℃に傾斜させ、430℃で90分間保持し、次いで(c)200℃〜450℃に傾斜し、450℃で30分間保持するサイクルを2サイクルであった。TGAをベースとして、重量損失は1.9パーセント/時間であった。
実施例1及び3に関しては、反応器は35℃以下に温めた。以下のもの:トルエン(900ミリリットル)、水中10%t-BACI(24.0グラム)、脱イオン水(23.4グラム)及びエタノール(8.0グラム)を撹拌しながら反応器に加えた。別に、フェニルトリクロロシラン(81.0グラム)、ビニルトリクロロシラン(61.8グラム)及びトリクロロシラン(69.1グラム)を添加することによりテフロンボトルにシラン混合物を製造した。トルエン(100ミリリットル)をこの混合物に添加した。蠕動ポンプを使用して、このシラン混合物を1時間で反応器に添加した。温度を5分毎にモニターした。ラインをトルエンで10分間濯いだ。1時間後、GPCサンプルを採取し、Mwをチェックした。Mwが30,000に到達したら、反応を停止した。ブフナー漏斗と濾紙#1または4を使用して、溶液を濾過した。この溶液を分離漏斗に移し、水(200ミリリットル)とエタノール(50ミリリットル)とを添加した。漏斗の混合物を数回よく振盪した。水性層を廃棄した。この溶液をブフナー漏斗中、0.45ミクロンのテフロンまたはナイロン濾紙を通して濾過した。この溶液を蒸留フラスコに移し、トルエン(300グラム)を添加した。トルエンをRotovapで約200グラムまで留去した。シクロヘキサノン(400グラム)を添加し、再び約200グラムまで留去した。先の段階を繰り返した。この溶液をテフロンボトルに移し、シクロヘキサノンを全部で700グラムまで添加した。最終のMwをGPCでチェックした。
実施例1のTGAを図4に示す。プログラムは、(a)200℃に傾斜させ、200℃で15分間保持し、(b)次いで430℃に傾斜させ、430℃で90分間保持し、次いで(c) 200℃〜450℃に傾斜し、450℃で30分間保持するサイクルを2サイクルであった。上記比較例Bと異なり、本発明の組成物は、好都合なことにTGAをベースとして、重量損失は0.34パーセント/時間であった。
実施例1〜3の組成物をこれらの実施例に関して使用した。組成物をスピンし、べーキングし、ベーキング済みフィルムの結果を表3に示す。
実施例18:
実施例1由来の溶液を、1000rpmのスピン速度で一つは高い抵抗率と、一つは低い抵抗率の8インチのシリコーンウェハ上にスピンした。このウェハを150℃、200℃及び350℃でそれぞれ1分ずつベーキングした。次いでベーキング後のフィルムを炉の中で、窒素を流しながら400℃で1時間硬化させた。硬化後のフィルムの厚さは3776Åであり、屈折率は1.459であった。ベーキング後から硬化後まででフィルムは2.1%膨張した。高い抵抗率のウェハ上で測定したフィルムのFTIRは、SiH(2248cm-1及び884cm-1)、Si-フェニル(1432cm-1)、Si-ビニル(1411cm-1)、及びSiC(1275cm-1)の存在を示した。1136cm-1(かごSiO構造を示す)及び1058cm-1(分岐SiO構造を示す)におけるピーク高度を測定した。1136cm-1と1058cm-1におけるピーク高度の間の比は、1.20であった。フィルムの誘電率数は、低い抵抗率のウェハで測定した。誘電率は2.90であった。ウェハを200℃で2分間、ホットプレートで加熱して、吸着した水分を追い出した後に、フィルムのキャパシタンスを再び測定した。加熱後に、キャパシタンスは1.4%だけ減少した。
実施例1由来の10.31重量%溶液をシクロヘキサノンで1.6重量%に希釈した。フィルムを4つの異なるスピン速度で8インチウェハ上にスピンし、次いで、150℃/200℃/350℃でそれぞれ1分間ベーキングした。ベーキング後の厚さは、4000rpmで219Å、3000rpmで250Å、2000rpmで302Å及び4000rpmで421Åであった。
実施例19由来の1.60重量%溶液をシクロヘキサノンで4種類の異なる濃度:1.00%、0.75%、0.50%及び0.25%にさらに希釈した。種々のスピン速度におけるベーキング後の厚さを以下の表に示す。
実施例21
実施例1の溶液からの乾燥樹脂粉末は、溶媒を120℃未満の温度で真空蒸発させることにより得た。27.7880mgの乾燥樹脂を、窒素を流しながらTGAに入れた。以下のサイクルを使用して加熱した:
(1)30℃〜200℃まで25℃/分で、次いで200℃で15分間保持;
(2)200℃〜430℃まで10℃/分で、次いで430℃で90分間保持;
(3)200℃に10分間で冷却し、200℃で10分間保持し、次いで450℃に15分間加熱し;
(4)450℃で30分間保持し;
(5)200℃に10分間で冷却し、200℃で10分間保持し、次いで450℃に15分で加熱し;
(6)450℃に30分間保持し;
(7)室温に放冷した。
実施例22
上記実施例1の組成物にシクロヘキサノンを添加した。この溶液を、有機の高芳香族高温誘電層のフィルム上にスピンした。本発明の層の目的は、エッチストップとして機能することであった。同一の有機誘電層の第二の層を、このエッチストップ層の上にスピンした。以下のエッチ処方を使用した:200ミリトール、1000ワット、120N2/30O2、及び40℃。O2は有機誘電層を迅速にエッチングした。有機誘電層のエッチング速度は、5540オングストローム/分であったのに、本発明の層のエッチング速度は、241オングストローム/分であったので、本発明の層はエッチストップとして機能した。
使用した溶媒がプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)で最終濃度10.77%であった以外には、実施例1を繰り返した。これを濃縮し、13.49%に再び希釈し、0.1ミクロンシリンジフィルターで濾過した。この組成物をウェハ上にスピンした。このウェハを150℃、200℃、及び350℃でそれぞれ1分間、ベーキングした。次いで、ベーキング後のフィルムを炉の中で、窒素を流しながら400℃で1時間硬化させた。フィルムの結果を以下の表に示すが、表中、RIは屈折率を表す。
銅デュアルダマシンプロセスにおいて、高密度積層誘電系(dense stacked dielectric system)を以下のようにして形成した。実施例1の組成物を使用する接着促進剤層をバリヤに適用した(接着促進剤層の通常の厚さは25〜80オングストロームであり、均一性は±5〜10オングストロームである)。次いで、Honeywell GX-3(商標)高密度アダマンタン誘電体材料の層をこの接着促進剤層に適用した。次いで接着促進剤層を適用した。次いでハードマスク/CMPストップ層を適用した。3psiケミカル・メカニカル・プラナリゼーション処理の後、実施例1とGX-3(商標)層の界面は、無傷のままであった、すなわち剥離はなかった。
実施例25
銅デュアルダマシンプロセスにおいて、多孔質積層誘電体系を以下のようにして形成した。実施例1の組成物を使用する接着促進剤層をバリヤに適用した。次いで、Honeywell GX-3P(商標)多孔質アダマンタンベースの誘電体材料をこの接着促進剤層に適用した。次いで実施例1の組成物を使用して埋め込まれたエッチストップを適用した(埋め込まれたエッチストップ層の通常の厚さは250オングストロームであり、均一性は、±10オングストロームであった)。次いでHoneywell GX-3P(商標)多孔質アダマンタンベースの誘電体材料の層を埋め込まれたエッチストップ層に適用した。次いで実施例1の組成物を使用するハードマスク/CMPストップを適用した(ハードマスク/CMPストップ層の通常の厚さは500オングストロームであり、均一性は±10オングストロームである)。
Honeywell GX-3(商標)の高密度アダマンタンベースの誘電体材料の層をSi基板に適用した。適用した層の厚さは、4000オングストロームであった。次いで実施例1の組成物を適用した。この適用した層の厚さは、2400オングストロームであった。この構造体はテープ試験に合格した。
Honeywell NANOGLASS(登録商標)多孔質シリカ誘電体材料の層をSi基板に適用した。この適用した層の厚さは3000オングストロームであった。次いで実施例1の組成物の層を適用した。この層の厚さは2400オングストロームであった。この構造体はテープ試験に合格した。
実施例1の組成物のガラス転移温度は500℃よりも高い。
Claims (54)
- 式I:[Y0.01-1.0SiO1.5-2]a[Z0.01-1.0SiO1.5-2]b[H0.01-1.0SiO1.5-2]c{式中、Yはアリールであり、Zはアルケニルであり、aは式Iの15パーセント〜70パーセントであり、bは式Iの2パーセント〜50パーセントであり、及びcは式Iの20パーセント〜80パーセントである}を少なくとも80重量パーセント含む、オルガノシロキサン。
- 前記Yがフェニル、ベンジル、置換フェニル、ナフチル、アントリル及びフェナントリルから選択される、請求項1に記載のオルガノシロキサン。
- 前記Zがビニル、置換ビニル、ビニルエーテル、アクリレート、及びメタクリレートから選択される、請求項1に記載のオルガノシロキサン。
- 請求項1に記載の前記オルガノシロキサンを含む接着促進剤。
- 請求項4に記載の前記接着促進剤を含むフィルム。
- 請求項1に記載の前記オルガノシロキサンを含むスピンオン組成物。
- 請求項1に記載の前記オルガノシロキサンを含む化学蒸着前駆体。
- 請求項6に記載の前記スピンオン組成物を含むフィルム。
- 請求項7に記載の前記化学蒸着前駆体を含むフィルム。
- 請求項6に記載の前記スピンオン組成物を含む誘電体。
- 請求項6に記載の前記スピンオン組成物を含むハードマスク。
- さらに溶媒を含む請求項11に記載のハードマスク。
- 前記溶媒がシクロヘキサノンまたはプロピレングリコールメチルエーテルアセテートである、請求項12に記載のハードマスク。
- 請求項6に記載の前記スピンオン組成物を含むケミカル・メカニカル・プラナリゼーション・ストップ。
- さらに溶媒を含む、請求項14に記載のケミカル・メカニカル・プラナリゼーション・ストップ。
- 前記溶媒がシクロヘキサノンまたはプロピレングリコールメチルエーテルアセテートである、請求項15に記載のケミカル・メカニカル・プラナリゼーション・ストップ。
- 請求項6に記載の前記スピンオン組成物を含むエッチストップ。
- さらに溶媒を含む、請求項17に記載のエッチストップ。
- 前記溶媒がシクロヘキサノンまたはプロピレングリコールメチルエーテルアセテートである、請求項18に記載のエッチストップ。
- 請求項8に記載の前記フィルムを含み、且つ前記第一のフィルムに隣接する第二のフィルムをさらに含む、半導体デバイス。
- 前記第二のフィルムが無機材料である、請求項20に記載の半導体デバイス。
- 前記第二のフィルムが有機材料である、請求項20に記載の半導体デバイス。
- 前記有機材料が芳香族または脂肪族炭化水素を含む、請求項22に記載の半導体デバイス。
- 前記有機材料がアダマンタンまたはジアマンタンベースの材料を含む、請求項22に記載の半導体デバイス。
- 3.2未満の誘電率をもつ、請求項20に記載の半導体デバイス。
- 式I:[Y0.01-1.0SiO1.5-2]a[Z0.01-1.0SiO1.5-2]b[H0.01-1.0SiO1.5-2]c{式中、Yはアリールであり、Zはアルケニルであり、aは式Iの15パーセント〜70パーセントであり、bは式Iの2パーセント〜50パーセントであり、及びcは式Iの20パーセント〜80パーセントである}のオルガノシロキサンを含むスピンオン・エッチストップであって、実質的にシラノールを含まず、且つ3.2未満の誘電率をもつ前記スピンオン・エッチストップ。
- 前記スピンオン・エッチストップが、前記オルガノシロキサンを少なくとも80重量パーセント含む、請求項26に記載のスピンオン・エッチストップ。
- 前記Yがフェニル、ベンジル、置換フェニル、ナフチル、アントリル、及びフェナントリルから選択される、請求項26に記載のスピンオン・エッチストップ。
- 前記Yがフェニル及びベンジルから選択される、請求項28に記載のスピンオン・エッチストップ。
- 前記Zがビニル、置換ビニル、ビニルエーテル、アクリレート、及びメタクリレートから選択される、請求項26に記載のスピンオン・エッチストップ。
- 前記誘電率が約3.2以下である、請求項26に記載のスピンオン・エッチストップ。
- アルケニル基と熱安定性とをもつオルガノシロキサン。
- 前記オルガノシロキサンが、式I:[Y0.5-1SiO1.5-2]a[Z0.5-1SiO1.5-2]b[H0.5-1SiO1.5-2]c{式中、Yはアリールであり、Zはアルケニルであり、aは式Iの15パーセント〜70パーセントであり、bは式Iの2パーセント〜50パーセントであり、及びcは式Iの20パーセント〜80パーセントである}を少なくとも80重量パーセント含む、請求項32に記載のオルガノシロキサン。
- 前記Yがフェニル、ベンジル、置換フェニル、ナフチル、アントリル、及びフェナントリルから選択される、請求項33に記載のオルガノシロキサン。
- 前記Zがビニル、置換ビニル、ビニルエーテル、アクリレート、及びメタクリレートから選択される、請求項33に記載のオルガノシロキサン。
- 請求項33に記載の前記オルガノシロキサンを含む接着促進剤。
- 請求項36に記載の前記接着促進剤を含むフィルム。
- 請求項33に記載の前記オルガノシロキサンを含むスピンオン組成物。
- 請求項33に記載の前記オルガノシロキサンを含む化学蒸着前駆体。
- 請求項38の前記スピンオン組成物を含むフィルム。
- 請求項39に記載の前記化学蒸着前駆体を含むフィルム。
- 請求項38に記載の前記スピンオン組成物を含む誘電体。
- 請求項38に記載の前記スピンオン組成物を含むハードマスク。
- 請求項38に記載の前記スピンオン組成物を含むケミカル・メカニカル・プラナリゼーション・ストップ。
- 請求項38に記載の前記スピンオン組成物を含むエッチストップ。
- 請求項40に記載の前記フィルムを含み、且つ前記第一のフィルムに隣接する第二のフィルムをさらに含む、半導体デバイス。
- 前記第二のフィルムが無機材料である、請求項46に記載の半導体デバイス。
- 前記第二のフィルムが有機材料である、請求項46に記載の半導体デバイス。
- 前記有機材料が芳香族または脂肪族炭化水素を含む、請求項48に記載の半導体デバイス。
- 前記有機材料がアダマンタンまたはジアマンタンベースの材料を含む、請求項48に記載の半導体デバイス。
- 3.2未満の誘電率をもつ、請求項46に記載の半導体デバイス。
- 式I:[Y0.01-1.0SiO1.5-2]a[Z0.01-1.0SiO1.5-2]b[H0.01-1.0SiO1.5-2]c{式中、Yはアリールであり、Zはアルケニルであり、aは式Iの15パーセント〜70パーセントであり、bは式Iの2パーセント〜50パーセントであり、及びcは式Iの20パーセント〜80パーセントである}を少なくとも80重量パーセント含む組成物を基板上に蒸着させる段階を含む、フィルム形成方法。
- 前記蒸着が化学蒸着を含む、請求項52に記載の方法。
- 前記蒸着させた組成物を熱エネルギー、マイクロ波、紫外線、または電子ビームに暴露することをさらに含む、請求項52に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/078,919 US7011889B2 (en) | 1998-03-20 | 2002-02-19 | Organosiloxanes |
US10/161,561 US6962727B2 (en) | 1998-03-20 | 2002-06-03 | Organosiloxanes |
PCT/US2003/005171 WO2003070809A2 (en) | 2002-02-19 | 2003-02-19 | Organosiloxanes and their use in dielectric films of semiconductors |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005517784A true JP2005517784A (ja) | 2005-06-16 |
JP2005517784A5 JP2005517784A5 (ja) | 2006-04-06 |
Family
ID=27759927
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003569713A Pending JP2005517784A (ja) | 2002-02-19 | 2003-02-19 | オルガノシロキサン |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6962727B2 (ja) |
JP (1) | JP2005517784A (ja) |
AU (1) | AU2003219826A1 (ja) |
WO (1) | WO2003070809A2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006526672A (ja) * | 2003-04-11 | 2006-11-24 | シレクス オサケユキチュア | 低k誘電体形成用有機シルセスキオキサン重合体 |
JP2010519375A (ja) * | 2007-02-22 | 2010-06-03 | シレクス オサケユキチュア | 集積回路用高シリコン含量シロキサンポリマー |
JP2011510133A (ja) * | 2008-01-15 | 2011-03-31 | ダウ・コーニング・コーポレイション | シルセスキオキサン樹脂 |
JP2013145883A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子パッケージ |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6713234B2 (en) * | 1999-02-18 | 2004-03-30 | Micron Technology, Inc. | Fabrication of semiconductor devices using anti-reflective coatings |
JP2002538604A (ja) * | 1999-02-26 | 2002-11-12 | トリコン ホールディングス リミティド | ポリマー層の処理方法 |
CA2374944A1 (en) | 1999-06-10 | 2000-12-21 | Nigel Hacker | Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography |
US6824879B2 (en) | 1999-06-10 | 2004-11-30 | Honeywell International Inc. | Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography |
EP1314193A2 (en) * | 2000-08-21 | 2003-05-28 | Dow Global Technologies Inc. | Organosilicate resins as hardmasks for organic polymer dielectrics in fabrication of microelectronic devices |
WO2004101651A1 (en) * | 2003-05-08 | 2004-11-25 | Honeywell International Inc. | Minimization of coating defects for compositions comprising silicon-based compounds and methods of producing and processing |
US7811637B2 (en) * | 2003-07-29 | 2010-10-12 | Toagosei Co., Ltd. | Silicon-containing polymer, process for producing the same, heat-resistant resin composition, and heat-resistant film |
US7488565B2 (en) * | 2003-10-01 | 2009-02-10 | Chevron U.S.A. Inc. | Photoresist compositions comprising diamondoid derivatives |
US8053159B2 (en) | 2003-11-18 | 2011-11-08 | Honeywell International Inc. | Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof |
JP4542927B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2010-09-15 | 富士フイルム株式会社 | 膜形成用組成物、該組成物から得られた絶縁膜およびそれを有する電子デバイス |
US7329716B2 (en) * | 2005-04-18 | 2008-02-12 | Yazaki Corporation | Siloxane oligomers by phase transfer catalysis |
KR20070095736A (ko) * | 2006-03-22 | 2007-10-01 | 제일모직주식회사 | 유기실란계 중합체를 포함하는 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 |
US8450148B2 (en) * | 2006-12-14 | 2013-05-28 | Infineon Technologies, Ag | Molding compound adhesion for map-molded flip-chip |
US8642246B2 (en) * | 2007-02-26 | 2014-02-04 | Honeywell International Inc. | Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof |
US8111797B2 (en) * | 2007-05-08 | 2012-02-07 | Tdc Acquisition Holdings, Inc. | Enhanced system and method for detecting the leading edge of a waveform |
US20110204382A1 (en) * | 2008-05-08 | 2011-08-25 | Base Se | Layered structures comprising silicon carbide layers, a process for their manufacture and their use |
US8864898B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-10-21 | Honeywell International Inc. | Coating formulations for optical elements |
JP6270514B2 (ja) * | 2014-02-03 | 2018-01-31 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | ボンド磁石用バインダー、ボンド磁石用組成物、ボンド磁石及びその製造方法 |
EP3194502A4 (en) | 2015-04-13 | 2018-05-16 | Honeywell International Inc. | Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications |
US10325863B2 (en) * | 2017-02-28 | 2019-06-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing same |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1561922A (ja) * | 1966-08-16 | 1969-04-04 | ||
DE3278567D1 (en) * | 1981-10-03 | 1988-07-07 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Solvent-soluble organopolysilsesquioxanes, processes for producing the same, and compositions and semiconductor devices using the same |
US4808687A (en) * | 1988-01-04 | 1989-02-28 | Dow Corning Corporation | Novel organopolysiloxanes derived from bis-silyl substituted heterocyclic compounds |
JP2718231B2 (ja) * | 1990-01-10 | 1998-02-25 | 三菱電機株式会社 | 高純度末端ヒドロキシフェニルラダーシロキサンプレポリマーの製造方法および高純度末端ヒドロキシフェニルラダーポリシロキサンの製造方法 |
JPH05190684A (ja) * | 1992-01-16 | 1993-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US5494750A (en) * | 1993-05-10 | 1996-02-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-curable silicone elastomer composition |
US5589162A (en) * | 1994-04-28 | 1996-12-31 | Kao Corporation | Hair setting agent composition |
DE19531568A1 (de) * | 1995-08-28 | 1997-03-06 | Bayer Ag | Flüssige Organopolysiloxan-Harze, ein Verfahren zu deren Herstellung, niedrigviskose Polydiorganosiloxan-Zusammensetzungen, enthaltend flüssige Organopolysiloxan-Harze und deren Verwendung |
US6143855A (en) * | 1997-04-21 | 2000-11-07 | Alliedsignal Inc. | Organohydridosiloxane resins with high organic content |
-
2002
- 2002-06-03 US US10/161,561 patent/US6962727B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-19 AU AU2003219826A patent/AU2003219826A1/en not_active Abandoned
- 2003-02-19 JP JP2003569713A patent/JP2005517784A/ja active Pending
- 2003-02-19 WO PCT/US2003/005171 patent/WO2003070809A2/en active Application Filing
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006526672A (ja) * | 2003-04-11 | 2006-11-24 | シレクス オサケユキチュア | 低k誘電体形成用有機シルセスキオキサン重合体 |
JP2010519375A (ja) * | 2007-02-22 | 2010-06-03 | シレクス オサケユキチュア | 集積回路用高シリコン含量シロキサンポリマー |
JP2011510133A (ja) * | 2008-01-15 | 2011-03-31 | ダウ・コーニング・コーポレイション | シルセスキオキサン樹脂 |
JP2013145883A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子パッケージ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6962727B2 (en) | 2005-11-08 |
AU2003219826A8 (en) | 2003-09-09 |
AU2003219826A1 (en) | 2003-09-09 |
WO2003070809B1 (en) | 2004-07-08 |
US20030031789A1 (en) | 2003-02-13 |
WO2003070809A2 (en) | 2003-08-28 |
WO2003070809A3 (en) | 2004-04-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2005517784A (ja) | オルガノシロキサン | |
US7011889B2 (en) | Organosiloxanes | |
US7381441B2 (en) | Low metal porous silica dielectric for integral circuit applications | |
US20050173803A1 (en) | Interlayer adhesion promoter for low k materials | |
US7504470B2 (en) | Polyorganosiloxane dielectric materials | |
US20020123240A1 (en) | Electronic device manufacture | |
US6162743A (en) | Low dielectric constant film and method thereof | |
WO2000041230A2 (en) | Electron beam treatment of siloxane resins | |
WO2003088343A1 (en) | New porogens for porous silica dielectric for integral circuit applications | |
KR100898158B1 (ko) | 에칭-정지 수지 | |
US7754003B2 (en) | Coating composition and low dielectric siliceous material produced by using same | |
JP2006503165A (ja) | オルガノシロキサン | |
US7148263B2 (en) | Hybrid inorganic/organic low k dielectric films with improved mechanical strength | |
US20050136687A1 (en) | Porous silica dielectric having improved etch selectivity towards inorganic anti-reflective coating materials for integrated circuit applications, and methods of manufacture | |
KR101058963B1 (ko) | 화학 기계 연마 스토퍼, 그의 제조 방법 및 화학 기계연마 방법 | |
JPH06326202A (ja) | 半導体及びその絶縁膜または平坦化膜の形成方法 | |
JP2000021872A (ja) | 低誘電率樹脂組成物、低誘電率絶縁膜形成方法および半導体装置の製造方法 | |
WO2004101651A1 (en) | Minimization of coating defects for compositions comprising silicon-based compounds and methods of producing and processing | |
JP4004983B2 (ja) | 絶縁膜形成材料及びそれを用いた絶縁膜 | |
JP2005200515A (ja) | 絶縁膜形成用材料及びそれを用いた絶縁膜 | |
JP2002025999A (ja) | 絶縁膜、絶縁膜形成用材料および絶縁膜の形成方法 | |
KR20050090978A (ko) | 저 k 재료용 중간층 접착 촉진제 | |
JP2002026002A (ja) | 絶縁膜、絶縁膜形成用材料および絶縁膜の形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060214 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060214 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080314 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090223 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090714 |