JP2001068511A - 電子デバイス素子の実装方法、および弾性表面波装置の製造方法 - Google Patents
電子デバイス素子の実装方法、および弾性表面波装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】小型でかつ電子デバイス素子とパッケージ容器
との接合信頼性が高く、電気的特性が良好な電子部品を
形成するための電子デバイス素子の実装方法を提供す
る。 【解決手段】表面に金属バンプ３４の形成された電子デ
バイス素子の裏面にボンディングツール３７の押圧面を
接触させながら、超音波を印加して電子デバイス素子を
パッケージ容器３５内に実装する電子デバイス素子の実
装方法において、ボンディングツールの押圧面の超音波
振動方向の最大長さが、電子デバイス素子の裏面の超音
波振動方向の最大長さの０．５倍よりも長いことを特徴
とする。またこの際、ボンディングツールの押圧面に
は、電子デバイス素子を吸着するための真空吸引用の穴
３８が設けられており、真空吸引用の穴は電子デバイス
素子を吸引する際に素子の金属バンプが形成されていな
い部分の裏面に位置する。
との接合信頼性が高く、電気的特性が良好な電子部品を
形成するための電子デバイス素子の実装方法を提供す
る。 【解決手段】表面に金属バンプ３４の形成された電子デ
バイス素子の裏面にボンディングツール３７の押圧面を
接触させながら、超音波を印加して電子デバイス素子を
パッケージ容器３５内に実装する電子デバイス素子の実
装方法において、ボンディングツールの押圧面の超音波
振動方向の最大長さが、電子デバイス素子の裏面の超音
波振動方向の最大長さの０．５倍よりも長いことを特徴
とする。またこの際、ボンディングツールの押圧面に
は、電子デバイス素子を吸着するための真空吸引用の穴
３８が設けられており、真空吸引用の穴は電子デバイス
素子を吸引する際に素子の金属バンプが形成されていな
い部分の裏面に位置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子デバイス素子
の実装方法に関し、特に弾性表面波素子に超音波を印加
しながら押圧し、実装基板上に実装する弾性表面波素子
の実装方法に関するものである。
の実装方法に関し、特に弾性表面波素子に超音波を印加
しながら押圧し、実装基板上に実装する弾性表面波素子
の実装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子部品の小型化、低背化に伴
い、電子デバイス素子の実装方法としてフリップチップ
工法が開発されている。フリップチップ工法とは、電子
デバイス素子の機能面を実装基板に対向させた状態で押
圧し、実装する工法であり、電子デバイス素子の電極上
に形成された金属バンプと基板上の電極パターン、また
は、基板上の電極パターンの上に形成された金属バンプ
と電子デバイス素子の電極を電気的機械的に接続する。
フリップチップ工法においては、金属バンプと実装基板
上の電極パターンとの接続強度を上げるため、接続時に
超音波を印加する工法や超音波と熱を同時に印加する工
法がしばしば用いられる。
い、電子デバイス素子の実装方法としてフリップチップ
工法が開発されている。フリップチップ工法とは、電子
デバイス素子の機能面を実装基板に対向させた状態で押
圧し、実装する工法であり、電子デバイス素子の電極上
に形成された金属バンプと基板上の電極パターン、また
は、基板上の電極パターンの上に形成された金属バンプ
と電子デバイス素子の電極を電気的機械的に接続する。
フリップチップ工法においては、金属バンプと実装基板
上の電極パターンとの接続強度を上げるため、接続時に
超音波を印加する工法や超音波と熱を同時に印加する工
法がしばしば用いられる。
【０００３】このような超音波を利用したフリップチッ
プ工法において、金属バンプと実装基板上の電極パター
ンとの接続強度をさらに向上させるためには、印加する
超音波のパワーを大きくすることが有効である。しか
し、超音波のパワーをあまり大きくすると、素子上の電
極や素子を構成する基板自体に大きな応力が加わり、該
電極や基板にクラックが発生するという問題があった。
プ工法において、金属バンプと実装基板上の電極パター
ンとの接続強度をさらに向上させるためには、印加する
超音波のパワーを大きくすることが有効である。しか
し、超音波のパワーをあまり大きくすると、素子上の電
極や素子を構成する基板自体に大きな応力が加わり、該
電極や基板にクラックが発生するという問題があった。
【０００４】特開平８−３３０８８０号公報では、上述
の問題が発生する原理として図１４に示すような原理が
推定されている。すなわち、図１４（ａ）に示すよう
に、ボンディングツール６７から加わる荷重の方向は電
子デバイス素子６１の電極形成面に対し垂直な方向であ
るのに対し、超音波振動の方向は水平な方向である。し
たがって、瞬時的には図１４（ｂ）に示すような荷重と
超音波の合力が電子デバイス素子６１に作用し、電子デ
バイス素子の外周部が中心部より大きく沈み込む。した
がって、電子デバイス素子の外周部に位置する金属バン
プ６４にエネルギーが集中し、中心部に位置する金属バ
ンプ６５よりも大きくつぶれ、外周部に位置する金属バ
ンプ６４や電極パッド６２においてクラックが多く発生
する。
の問題が発生する原理として図１４に示すような原理が
推定されている。すなわち、図１４（ａ）に示すよう
に、ボンディングツール６７から加わる荷重の方向は電
子デバイス素子６１の電極形成面に対し垂直な方向であ
るのに対し、超音波振動の方向は水平な方向である。し
たがって、瞬時的には図１４（ｂ）に示すような荷重と
超音波の合力が電子デバイス素子６１に作用し、電子デ
バイス素子の外周部が中心部より大きく沈み込む。した
がって、電子デバイス素子の外周部に位置する金属バン
プ６４にエネルギーが集中し、中心部に位置する金属バ
ンプ６５よりも大きくつぶれ、外周部に位置する金属バ
ンプ６４や電極パッド６２においてクラックが多く発生
する。
【０００５】そこで、特開平８−３３０８８０号公報で
は、上述の問題を解決する手段として、電子デバイス素
子上にダミーバンプを設ける方法を提案している。すな
わち、図１５に示すように、電子デバイス素子７１上に
形成された電極パッド７２および金属バンプ７５よりも
超音波振動方向について外側にダミーパッド７３および
ダミーバンプ７４を設けることによって、該ダミーパッ
ド７３およびダミーバンプ７４に応力を集中させる。そ
の結果、素子７１上に形成された実装基板との電気的導
通に必要な電極パッド７２および金属バンプ７５のクラ
ックの発生率が低減されるものである。
は、上述の問題を解決する手段として、電子デバイス素
子上にダミーバンプを設ける方法を提案している。すな
わち、図１５に示すように、電子デバイス素子７１上に
形成された電極パッド７２および金属バンプ７５よりも
超音波振動方向について外側にダミーパッド７３および
ダミーバンプ７４を設けることによって、該ダミーパッ
ド７３およびダミーバンプ７４に応力を集中させる。そ
の結果、素子７１上に形成された実装基板との電気的導
通に必要な電極パッド７２および金属バンプ７５のクラ
ックの発生率が低減されるものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
クラック発生防止のためにダミーバンプを設ける方法に
は次のような問題があった。すなわち、上述の方法で
は、素子基板上にダミーパッドおよびダミーバンプを新
たに設ける必要があるため、電子デバイス素子の基板面
積をそれだけ大きくしなければならない。したがって、
電子部品全体も大きくなってしまうという問題が生じて
いた。また、ダミーパッドにクラックが発生した場合、
ダミーパッドからその材料片が遊離する可能性がある。
このような材料片が電子デバイス素子の表面に付着した
場合、電子部品の電気的特性の劣化や信頼性の低下とい
った問題が発生する可能性がある。
クラック発生防止のためにダミーバンプを設ける方法に
は次のような問題があった。すなわち、上述の方法で
は、素子基板上にダミーパッドおよびダミーバンプを新
たに設ける必要があるため、電子デバイス素子の基板面
積をそれだけ大きくしなければならない。したがって、
電子部品全体も大きくなってしまうという問題が生じて
いた。また、ダミーパッドにクラックが発生した場合、
ダミーパッドからその材料片が遊離する可能性がある。
このような材料片が電子デバイス素子の表面に付着した
場合、電子部品の電気的特性の劣化や信頼性の低下とい
った問題が発生する可能性がある。
【０００７】本発明の電子デバイス素子の実装方法は、
上述の問題を鑑みてなされたものであり、これらの問題
を解決し、小型でかつ電子デバイス素子とパッケージ容
器との接合信頼性が高く、電気的特性が良好な電子部品
を形成するための電子デバイス素子の実装方法を提供す
ることを目的としている。
上述の問題を鑑みてなされたものであり、これらの問題
を解決し、小型でかつ電子デバイス素子とパッケージ容
器との接合信頼性が高く、電気的特性が良好な電子部品
を形成するための電子デバイス素子の実装方法を提供す
ることを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の請求項１は、表面に金属バンプの形成された電
子デバイス素子と、押圧面を有するボンディングツール
と、実装基板とを用意する工程と、電子デバイス素子の
裏面にボンディングツールの押圧面を接触させながら、
ボンディングツールに超音波を印加して電子デバイス素
子を実装基板上に実装する工程とを有する電子デバイス
素子の実装方法において、ボンディングツールの押圧面
の超音波振動方向の最大長さが、電子デバイス素子の裏
面の超音波振動方向の最大長さの０．５倍よりも長いこ
とを特徴とする。
本発明の請求項１は、表面に金属バンプの形成された電
子デバイス素子と、押圧面を有するボンディングツール
と、実装基板とを用意する工程と、電子デバイス素子の
裏面にボンディングツールの押圧面を接触させながら、
ボンディングツールに超音波を印加して電子デバイス素
子を実装基板上に実装する工程とを有する電子デバイス
素子の実装方法において、ボンディングツールの押圧面
の超音波振動方向の最大長さが、電子デバイス素子の裏
面の超音波振動方向の最大長さの０．５倍よりも長いこ
とを特徴とする。
【０００９】このように、ボンディングツールの押圧面
の超音波振動方向の長さを十分大きくすることで、振動
方向について電子デバイス素子がボンディングツールに
よって支持される長さが長くなる。したがって、実装時
に荷重と超音波の合力が瞬時的に斜め下方向に加わって
も、電子デバイス素子は実装基板の水平面方向に対して
傾きにくくなり、電子デバイス素子の特定位置の金属バ
ンプに応力が集中することもなく、クラックの発生が抑
制され、安定した接合を得ることができる。
の超音波振動方向の長さを十分大きくすることで、振動
方向について電子デバイス素子がボンディングツールに
よって支持される長さが長くなる。したがって、実装時
に荷重と超音波の合力が瞬時的に斜め下方向に加わって
も、電子デバイス素子は実装基板の水平面方向に対して
傾きにくくなり、電子デバイス素子の特定位置の金属バ
ンプに応力が集中することもなく、クラックの発生が抑
制され、安定した接合を得ることができる。
【００１０】本発明の請求項２は、請求項１に記載の電
子デバイス素子の実装方法において、ボンディングツー
ルの押圧面の外形が、電子デバイス素子の裏面の外形と
ほぼ相似形であることを特徴とする。このように、ボン
ディングツールの押圧面の外形を電子デバイス素子の裏
面の外形とほぼ相似形とすることにより、超音波振動方
向以外についても、電子デバイス素子がボンディングツ
ールによって支持される長さが長くなる。すなわち、素
子がボンディングツールによって支持される面積が広
く、安定して支持されることになり、素子の特定位置の
金属バンプに応力が集中することがない。その結果、ク
ラックの発生が抑制され、より安定した接合を得ること
ができる。
子デバイス素子の実装方法において、ボンディングツー
ルの押圧面の外形が、電子デバイス素子の裏面の外形と
ほぼ相似形であることを特徴とする。このように、ボン
ディングツールの押圧面の外形を電子デバイス素子の裏
面の外形とほぼ相似形とすることにより、超音波振動方
向以外についても、電子デバイス素子がボンディングツ
ールによって支持される長さが長くなる。すなわち、素
子がボンディングツールによって支持される面積が広
く、安定して支持されることになり、素子の特定位置の
金属バンプに応力が集中することがない。その結果、ク
ラックの発生が抑制され、より安定した接合を得ること
ができる。
【００１１】本発明の請求項３は、請求項１または２に
記載の電子デバイス素子の実装方法において、ボンディ
ングツールの押圧面の超音波振動方向の最大長さが、電
子デバイス素子の裏面の超音波振動方向の最大長さと同
一またはそれより短いことを特徴とする。
記載の電子デバイス素子の実装方法において、ボンディ
ングツールの押圧面の超音波振動方向の最大長さが、電
子デバイス素子の裏面の超音波振動方向の最大長さと同
一またはそれより短いことを特徴とする。
【００１２】このように、ボンディングツールの押圧面
の超音波振動方向の最大長さが、電子デバイス素子の裏
面の超音波振動方向の最大長さと同一またはそれより短
ければ、例えば電子デバイス素子をパッケージ容器内に
実装する場合、パッケージ容器の大きさを電子デバイス
素子の大きさに比べてあまり大きくしなくても、超音波
印加時のボンディングツールのパッケージ容器の側壁と
の干渉を避けることができる。したがって、電子部品の
小型化を図ることができる。
の超音波振動方向の最大長さが、電子デバイス素子の裏
面の超音波振動方向の最大長さと同一またはそれより短
ければ、例えば電子デバイス素子をパッケージ容器内に
実装する場合、パッケージ容器の大きさを電子デバイス
素子の大きさに比べてあまり大きくしなくても、超音波
印加時のボンディングツールのパッケージ容器の側壁と
の干渉を避けることができる。したがって、電子部品の
小型化を図ることができる。
【００１３】また、ボンディングツールの押圧面の超音
波振動方向の最大長さが、電子デバイス素子の裏面の超
音波振動方向の最大長さよりも少し短ければ、ボンディ
ングツールの押圧面が電子デバイス素子の裏面からずれ
た場合でも、ボンディングツールの外周から素子裏面の
外周までの間には少し距離があるため、超音波印加時の
ボンディングツールのパッケージ容器との干渉を避ける
ことができる。
波振動方向の最大長さが、電子デバイス素子の裏面の超
音波振動方向の最大長さよりも少し短ければ、ボンディ
ングツールの押圧面が電子デバイス素子の裏面からずれ
た場合でも、ボンディングツールの外周から素子裏面の
外周までの間には少し距離があるため、超音波印加時の
ボンディングツールのパッケージ容器との干渉を避ける
ことができる。
【００１４】本発明の請求項４は、請求項１ないし３に
記載の電子デバイス素子の実装方法において、ボンディ
ングツールの押圧面の超音波振動方向の最大長さが、電
子デバイス素子の裏面の超音波振動方向の最大長さの約
０．８倍であることを特徴とする。
記載の電子デバイス素子の実装方法において、ボンディ
ングツールの押圧面の超音波振動方向の最大長さが、電
子デバイス素子の裏面の超音波振動方向の最大長さの約
０．８倍であることを特徴とする。
【００１５】ボンディングツールの押圧面の超音波振動
方向の長さは、電子デバイス素子が実装基板の水平面方
向に対して傾きにくくなるほど十分に長く、かつ、ボン
ディングツールの押圧面が電子デバイス素子の裏面から
ずれた場合でもボンディングツールのパッケージ容器側
壁との干渉を避けることができる程度に短い必要があ
る。このような条件を満たすためには、ボンディングツ
ールの押圧面の超音波振動方向の最大長さを、電子デバ
イス素子の裏面の超音波振動方向の最大長さの約０．８
倍程度とするのが好ましい。
方向の長さは、電子デバイス素子が実装基板の水平面方
向に対して傾きにくくなるほど十分に長く、かつ、ボン
ディングツールの押圧面が電子デバイス素子の裏面から
ずれた場合でもボンディングツールのパッケージ容器側
壁との干渉を避けることができる程度に短い必要があ
る。このような条件を満たすためには、ボンディングツ
ールの押圧面の超音波振動方向の最大長さを、電子デバ
イス素子の裏面の超音波振動方向の最大長さの約０．８
倍程度とするのが好ましい。
【００１６】本発明の請求項５は、請求項１ないし４に
記載の電子デバイス素子の実装方法において、ボンディ
ングツールの押圧面に、電子デバイス素子を吸着するた
めの真空吸引用の穴が設けられ、かつ、前記真空吸引用
の穴は電子デバイス素子を吸引する際に素子の金属バン
プが形成されていない部分の裏面に位置するように設け
られているボンディングツールを用いて、電子デバイス
素子を吸引しながら実装基板上に実装することを特徴と
する。
記載の電子デバイス素子の実装方法において、ボンディ
ングツールの押圧面に、電子デバイス素子を吸着するた
めの真空吸引用の穴が設けられ、かつ、前記真空吸引用
の穴は電子デバイス素子を吸引する際に素子の金属バン
プが形成されていない部分の裏面に位置するように設け
られているボンディングツールを用いて、電子デバイス
素子を吸引しながら実装基板上に実装することを特徴と
する。
【００１７】このように、真空吸引用の穴を設けること
によって、電子デバイス素子のピックアップや実装基板
への位置合わせ等の機能を付加したボンディングツール
を用いた場合では、電子デバイス素子のなかで、真空吸
引用の穴の直下に位置する部分に加わる荷重や超音波の
パワーは、押圧面が接している部分に加わるパワーに比
べて弱くなる。したがって、真空吸引用の穴を電子デバ
イス素子の金属バンプが形成されていない部分の裏面に
位置するように設けることによって、各金属バンプに加
わる荷重や超音波のパワーを一様にすると、特定位置の
金属バンプに応力が集中することもなく、クラックの発
生が抑制され、安定した接合を得ることができる。
によって、電子デバイス素子のピックアップや実装基板
への位置合わせ等の機能を付加したボンディングツール
を用いた場合では、電子デバイス素子のなかで、真空吸
引用の穴の直下に位置する部分に加わる荷重や超音波の
パワーは、押圧面が接している部分に加わるパワーに比
べて弱くなる。したがって、真空吸引用の穴を電子デバ
イス素子の金属バンプが形成されていない部分の裏面に
位置するように設けることによって、各金属バンプに加
わる荷重や超音波のパワーを一様にすると、特定位置の
金属バンプに応力が集中することもなく、クラックの発
生が抑制され、安定した接合を得ることができる。
【００１８】本発明の請求項6は、請求項１ないし５に
記載の電子デバイス素子の実装方法において、電子デバ
イス素子が弾性表面波素子であることを特徴とする。弾
性表面波素子は、表面波が励振するための空間を素子の
機能面側に設けなければないため、素子とパッケージ容
器との間に接着剤を充填し素子を固定することができな
い。したがって、金属バンプが素子とパッケージ容器の
電気的接合だけでなく機械的接合の役割をも担う必要が
あり、特に高い接合強度と信頼性が要求されるためであ
る。
記載の電子デバイス素子の実装方法において、電子デバ
イス素子が弾性表面波素子であることを特徴とする。弾
性表面波素子は、表面波が励振するための空間を素子の
機能面側に設けなければないため、素子とパッケージ容
器との間に接着剤を充填し素子を固定することができな
い。したがって、金属バンプが素子とパッケージ容器の
電気的接合だけでなく機械的接合の役割をも担う必要が
あり、特に高い接合強度と信頼性が要求されるためであ
る。
【００１９】本発明の請求項７は、請求項６に記載の実
装方法を用いて、弾性表面波素子をパッケージ容器内に
実装する工程と、パッケージ容器をキャップにより封止
する工程とを有する弾性表面波素子の製造方法を提供す
る。請求項３、４に示したように、本発明の電子デバイ
ス素子の実装方法は、弾性表面波素子をパッケージ容器
内に実装する場合、すなわち、弾性表面波装置の製造方
法に適用することができる。
装方法を用いて、弾性表面波素子をパッケージ容器内に
実装する工程と、パッケージ容器をキャップにより封止
する工程とを有する弾性表面波素子の製造方法を提供す
る。請求項３、４に示したように、本発明の電子デバイ
ス素子の実装方法は、弾性表面波素子をパッケージ容器
内に実装する場合、すなわち、弾性表面波装置の製造方
法に適用することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例である電子
デバイス素子の実装方法を、図１〜１２に基づいて説明
する。以下の実施例では、弾性表面波素子をパッケージ
容器内に実装する場合について説明する。図１、３、
５、７、１１は、本発明を用いて弾性表面波素子をパッ
ケージ容器内に実装する際の上面図を示し、図９は請求
項５に係る本発明と比較するための方法を用いて弾性表
面波素子をパッケージ容器内に実装する際の上面図を示
す。また、図２は図１のＡ−Ａ’線における断面図、図
４は図３のＢ−Ｂ’線における断面図、図６は図５のＣ
−Ｃ’線における断面図、図８は図７のＤ−Ｄ’線にお
ける断面図、図１０は図９のＥ−Ｅ’線における断面
図、図１２は図１１のＦ−Ｆ’線における断面図を示
す。
デバイス素子の実装方法を、図１〜１２に基づいて説明
する。以下の実施例では、弾性表面波素子をパッケージ
容器内に実装する場合について説明する。図１、３、
５、７、１１は、本発明を用いて弾性表面波素子をパッ
ケージ容器内に実装する際の上面図を示し、図９は請求
項５に係る本発明と比較するための方法を用いて弾性表
面波素子をパッケージ容器内に実装する際の上面図を示
す。また、図２は図１のＡ−Ａ’線における断面図、図
４は図３のＢ−Ｂ’線における断面図、図６は図５のＣ
−Ｃ’線における断面図、図８は図７のＤ−Ｄ’線にお
ける断面図、図１０は図９のＥ−Ｅ’線における断面
図、図１２は図１１のＦ−Ｆ’線における断面図を示
す。
【００２１】例えば、図１、２に示すように、弾性表面
波素子１は、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム、
水晶等の圧電基板２とその表面（図２において、基板２
の下面側）に形成されたＡｌからなる厚さ０．１〜０．
２μｍ程度の薄膜からなる櫛型電極（図示せず）、およ
び櫛型電極に電気的に接続された電極パッド３等から構
成されている。電極パッド３上にはＡｕまたはＡｕを含
む合金からなる金属バンプ４が設けられている。パッケ
ージ容器５はＡｌ2Ｏ3等のセラミック材料からなり、素
子実装面にパッケージ容器５と素子１を電気的に接続す
るための電極パターン６が形成されている。また、ボン
ディングツール７はその底部に、弾性表面波素子１の裏
面（図２において、基板２の上面側）に接触させ押圧す
るための押圧面（図２におけるボンディングツール７の
素子１との接触部分）を有する。
波素子１は、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム、
水晶等の圧電基板２とその表面（図２において、基板２
の下面側）に形成されたＡｌからなる厚さ０．１〜０．
２μｍ程度の薄膜からなる櫛型電極（図示せず）、およ
び櫛型電極に電気的に接続された電極パッド３等から構
成されている。電極パッド３上にはＡｕまたはＡｕを含
む合金からなる金属バンプ４が設けられている。パッケ
ージ容器５はＡｌ2Ｏ3等のセラミック材料からなり、素
子実装面にパッケージ容器５と素子１を電気的に接続す
るための電極パターン６が形成されている。また、ボン
ディングツール７はその底部に、弾性表面波素子１の裏
面（図２において、基板２の上面側）に接触させ押圧す
るための押圧面（図２におけるボンディングツール７の
素子１との接触部分）を有する。
【００２２】このような弾性表面波素子１を、パッケー
ジ容器５内の電極パターン６に金属バンプ４を介して対
向させた状態に配置する。次いで、弾性表面波素子１の
裏面にボンディングツール７の押圧面を接触させなが
ら、ボンディングツール７に超音波を印加、押圧し、金
属バンプ４と電極パターン６を電気的機械的に接続す
る。この際、超音波と同時に熱を印加してもよい。この
ように、弾性表面波素子１の実装されたパッケージ容器
５をキャップ（図示せず）で気密封止することにより、
弾性表面波装置が完成する。
ジ容器５内の電極パターン６に金属バンプ４を介して対
向させた状態に配置する。次いで、弾性表面波素子１の
裏面にボンディングツール７の押圧面を接触させなが
ら、ボンディングツール７に超音波を印加、押圧し、金
属バンプ４と電極パターン６を電気的機械的に接続す
る。この際、超音波と同時に熱を印加してもよい。この
ように、弾性表面波素子１の実装されたパッケージ容器
５をキャップ（図示せず）で気密封止することにより、
弾性表面波装置が完成する。
【００２３】（実施例１）本発明の第１の実施例を図
１、２を用いて説明する。弾性表面波素子１裏面の超音
波振動方向の最大長さをＬchip、ボンディングツール７
の押圧面の超音波振動方向の最大長さをＬtooｌとする
と、本実施例では、Ｌtool＞０．５×Ｌchipとする。こ
のように、ボンディングツール７の押圧面の超音波振動
方向の長さを十分大きくすることで、振動方向について
の弾性表面波素子１がボンディングツール７によって支
持される長さが長くなる。したがって、実装時に荷重と
超音波の合力が瞬時的に斜め下方向に加わっても、弾性
表面波素子１は実装基板の水平面方向に対して傾きにく
くなり、電子デバイス素子の特定位置の金属バンプに応
力が集中することもない。よって、金属バンプ４や電極
パッド３におけるクラックの発生が抑制され、パッケー
ジ容器５と弾性表面波素子１の安定した接合を得ること
ができる。
１、２を用いて説明する。弾性表面波素子１裏面の超音
波振動方向の最大長さをＬchip、ボンディングツール７
の押圧面の超音波振動方向の最大長さをＬtooｌとする
と、本実施例では、Ｌtool＞０．５×Ｌchipとする。こ
のように、ボンディングツール７の押圧面の超音波振動
方向の長さを十分大きくすることで、振動方向について
の弾性表面波素子１がボンディングツール７によって支
持される長さが長くなる。したがって、実装時に荷重と
超音波の合力が瞬時的に斜め下方向に加わっても、弾性
表面波素子１は実装基板の水平面方向に対して傾きにく
くなり、電子デバイス素子の特定位置の金属バンプに応
力が集中することもない。よって、金属バンプ４や電極
パッド３におけるクラックの発生が抑制され、パッケー
ジ容器５と弾性表面波素子１の安定した接合を得ること
ができる。
【００２４】図１３にボンディングツールの超音波振動
方向の最大長さと弾性表面波素子の超音波振動方向の最
大長さの比に対する弾性表面波素子のクラック発生率の
関係を示す。本実施例では、圧電基板材料としてタンタ
ル酸リチウムを用い、ボンディングツール裏面の形状は
円形とした。図１３より、Ｌtool＞０．５×Ｌchipを満
たすボンディングツールを用いた場合に弾性表面波素子
のクラック発生率を低減できることがわかる。なお、本
実施例の場合、ボンディングツールの大きさはパッケー
ジ容器の内壁に干渉しない大きさとした。
方向の最大長さと弾性表面波素子の超音波振動方向の最
大長さの比に対する弾性表面波素子のクラック発生率の
関係を示す。本実施例では、圧電基板材料としてタンタ
ル酸リチウムを用い、ボンディングツール裏面の形状は
円形とした。図１３より、Ｌtool＞０．５×Ｌchipを満
たすボンディングツールを用いた場合に弾性表面波素子
のクラック発生率を低減できることがわかる。なお、本
実施例の場合、ボンディングツールの大きさはパッケー
ジ容器の内壁に干渉しない大きさとした。
【００２５】また、上記図１、２ではボンディングツー
ル７の押圧面が円形の場合について示したが、ボンディ
ングツールの押圧面は四角形や二股に分かれているよう
な場合でもよい。例えば押圧面が超音波振動方向と直角
方向のスリットによって二股に分かれている場合には、
中央のスリット部分にも押圧面が存在すると仮定した場
合の押圧面の超音波振動方向の最大長を、ボンディング
ツールの押圧面の超音波振動方向の最大長さをＬtooｌ
と考えるものとする。
ル７の押圧面が円形の場合について示したが、ボンディ
ングツールの押圧面は四角形や二股に分かれているよう
な場合でもよい。例えば押圧面が超音波振動方向と直角
方向のスリットによって二股に分かれている場合には、
中央のスリット部分にも押圧面が存在すると仮定した場
合の押圧面の超音波振動方向の最大長を、ボンディング
ツールの押圧面の超音波振動方向の最大長さをＬtooｌ
と考えるものとする。
【００２６】（実施例２）本発明の第２の実施例を図
３、４を用いて説明する。本実施例では、ボンディング
ツール１７の押圧面の外形を弾性表面波素子１の裏面の
外形とほぼ同じ形状とする。このように、ボンディング
ツール１７の押圧面の外形を弾性表面波素子１の裏面の
外形とほぼ相似形とすることにより、超音波振動方向以
外についても、弾性表面波素子１がボンディングツール
１７によって支持される長さが長くなる。すなわち、素
子がボンディングツールによって支持される面積が広
く、安定して支持されることになり、素子の特定位置の
金属バンプに応力が集中することがない。その結果、金
属バンプ４や電極パッド３におけるクラックの発生が抑
制され、より安定した接合を得ることができる。
３、４を用いて説明する。本実施例では、ボンディング
ツール１７の押圧面の外形を弾性表面波素子１の裏面の
外形とほぼ同じ形状とする。このように、ボンディング
ツール１７の押圧面の外形を弾性表面波素子１の裏面の
外形とほぼ相似形とすることにより、超音波振動方向以
外についても、弾性表面波素子１がボンディングツール
１７によって支持される長さが長くなる。すなわち、素
子がボンディングツールによって支持される面積が広
く、安定して支持されることになり、素子の特定位置の
金属バンプに応力が集中することがない。その結果、金
属バンプ４や電極パッド３におけるクラックの発生が抑
制され、より安定した接合を得ることができる。
【００２７】また、このように、ボンディングツール１
７の押圧面の外形が、弾性表面波素子１の裏面の外形と
ほぼ一致していれば、弾性表面波素子１がボンディング
ツール１７によって支持される長さが、超音波振動方向
についても超音波振動方向以外の方向についても十分長
くなり、弾性表面波素子１とパッケージ容器５の安定し
た接合を得ることができる。さらに、図４のように、パ
ッケージ容器５の深さが弾性表面波素子１の高さよりも
深い場合、ボンディングツール１７の押圧面の外形が弾
性表面波素子１の裏面の外形よりも大きければ、超音波
印加時にボンディングツールと１７がパッケージ容器５
の内壁と干渉しやすくなるため、パッケージ容器５の大
きさを弾性表面波素子１の大きさに比べて十分大きくす
る必要がある。ところが、本実施例のように、ボンディ
ングツール１７の押圧面の外形が、弾性表面波素子１の
裏面の外形とほぼ同じであれば、パッケージ容器５の大
きさをあまり大きくしなくてもボンディングツール１７
の干渉を避けることができ、弾性表面波装置の小型化を
図ることができる。
７の押圧面の外形が、弾性表面波素子１の裏面の外形と
ほぼ一致していれば、弾性表面波素子１がボンディング
ツール１７によって支持される長さが、超音波振動方向
についても超音波振動方向以外の方向についても十分長
くなり、弾性表面波素子１とパッケージ容器５の安定し
た接合を得ることができる。さらに、図４のように、パ
ッケージ容器５の深さが弾性表面波素子１の高さよりも
深い場合、ボンディングツール１７の押圧面の外形が弾
性表面波素子１の裏面の外形よりも大きければ、超音波
印加時にボンディングツールと１７がパッケージ容器５
の内壁と干渉しやすくなるため、パッケージ容器５の大
きさを弾性表面波素子１の大きさに比べて十分大きくす
る必要がある。ところが、本実施例のように、ボンディ
ングツール１７の押圧面の外形が、弾性表面波素子１の
裏面の外形とほぼ同じであれば、パッケージ容器５の大
きさをあまり大きくしなくてもボンディングツール１７
の干渉を避けることができ、弾性表面波装置の小型化を
図ることができる。
【００２８】（実施例３）本発明の第３の実施例を図
５、６を用いて説明する。本実施例では、ボンディング
ツール２７の押圧面の超音波振動方向の最大長さを、弾
性表面波素子１の裏面の超音波振動方向の最大長さの約
０．８倍とする。このように、ボンディングツール２７
の押圧面の超音波振動方向の長さを弾性表面波素子１の
裏面の超音波振動方向の長さよりも少し短くすること
で、パッケージ容器の深さが弾性表面波素子１の高さよ
りも深い場合に、ボンディングツール２７の押圧面が弾
性表面波素子１の裏面からずれた場合でも、ボンディン
グツール２７押圧面の外周から素子１裏面の外周までの
間には少し距離があるため、ボンディングツール２７の
パッケージ容器５との干渉を避けることができる。した
がって、パッケージ容器５をあまり大きくする必要がな
く、弾性表面波装置の小型化を図ることができる。
５、６を用いて説明する。本実施例では、ボンディング
ツール２７の押圧面の超音波振動方向の最大長さを、弾
性表面波素子１の裏面の超音波振動方向の最大長さの約
０．８倍とする。このように、ボンディングツール２７
の押圧面の超音波振動方向の長さを弾性表面波素子１の
裏面の超音波振動方向の長さよりも少し短くすること
で、パッケージ容器の深さが弾性表面波素子１の高さよ
りも深い場合に、ボンディングツール２７の押圧面が弾
性表面波素子１の裏面からずれた場合でも、ボンディン
グツール２７押圧面の外周から素子１裏面の外周までの
間には少し距離があるため、ボンディングツール２７の
パッケージ容器５との干渉を避けることができる。した
がって、パッケージ容器５をあまり大きくする必要がな
く、弾性表面波装置の小型化を図ることができる。
【００２９】また、本実施例のようにボンディングツー
ル２７の押圧面の超音波振動方向の最大長さを、弾性表
面波素子１の裏面の超音波振動方向の最大長さの約０．
８倍程度とした場合、ボンディングツール２７の押圧面
の超音波振動方向の長さは、弾性表面波素子１が実装基
板の水平面方向に対して傾きにくくなるほど十分に長
く、かつ、ボンディングツール２７の押圧面が弾性表面
波素子１の裏面からずれた場合でもパッケージ容器５側
壁とボンディングツール２７との干渉を避けることがで
きる程度に短くなり、適当である。
ル２７の押圧面の超音波振動方向の最大長さを、弾性表
面波素子１の裏面の超音波振動方向の最大長さの約０．
８倍程度とした場合、ボンディングツール２７の押圧面
の超音波振動方向の長さは、弾性表面波素子１が実装基
板の水平面方向に対して傾きにくくなるほど十分に長
く、かつ、ボンディングツール２７の押圧面が弾性表面
波素子１の裏面からずれた場合でもパッケージ容器５側
壁とボンディングツール２７との干渉を避けることがで
きる程度に短くなり、適当である。
【００３０】（実施例４）本発明の第４の実施例を図
７、８を用いて説明する。本実施例では、ボンディング
ツール３７の押圧面に、弾性表面波素子３１を吸着する
ための真空吸引用の穴３８が設けられている。真空吸引
用の穴３８は弾性表面波素子３１を吸引する際に素子の
金属バンプ３４が形成されていない部分の裏面に位置す
るように設けられており、ボンディングツール３７を用
いて、弾性表面波素３１を吸引しながらパッケージ容器
３５内に実装する。
７、８を用いて説明する。本実施例では、ボンディング
ツール３７の押圧面に、弾性表面波素子３１を吸着する
ための真空吸引用の穴３８が設けられている。真空吸引
用の穴３８は弾性表面波素子３１を吸引する際に素子の
金属バンプ３４が形成されていない部分の裏面に位置す
るように設けられており、ボンディングツール３７を用
いて、弾性表面波素３１を吸引しながらパッケージ容器
３５内に実装する。
【００３１】このように、真空吸引用の穴３８を設ける
ことによって、ボンディングツール３７には弾性表面波
素子３１のピックアップや搬送、パッケージ容器３５内
の対応する電極パターン３６への位置合わせ等の機能が
付加されている。また、素子３１のなかで、真空吸引用
の穴３８の直下に位置する部分に加わる荷重や超音波の
パワーは、押圧面が接している部分に加わるパワーに比
べて弱くなる。そこで、本実施例のように、真空吸引用
の穴３８を弾性表面波素子３１の金属バンプ３４が形成
されていない部分の裏面に位置するように設けることに
よって、各金属バンプ３４に加わる荷重や超音波のパワ
ーを一様にすると、特定位置の金属バンプ３４に応力が
集中することもなく、金属バンプ３４や電極パッド３３
におけるクラックの発生が抑制され、安定した接合を得
ることができる。
ことによって、ボンディングツール３７には弾性表面波
素子３１のピックアップや搬送、パッケージ容器３５内
の対応する電極パターン３６への位置合わせ等の機能が
付加されている。また、素子３１のなかで、真空吸引用
の穴３８の直下に位置する部分に加わる荷重や超音波の
パワーは、押圧面が接している部分に加わるパワーに比
べて弱くなる。そこで、本実施例のように、真空吸引用
の穴３８を弾性表面波素子３１の金属バンプ３４が形成
されていない部分の裏面に位置するように設けることに
よって、各金属バンプ３４に加わる荷重や超音波のパワ
ーを一様にすると、特定位置の金属バンプ３４に応力が
集中することもなく、金属バンプ３４や電極パッド３３
におけるクラックの発生が抑制され、安定した接合を得
ることができる。
【００３２】表１に、本実施例のボンディングツールを
用いた場合（図７、８）と、図９、１０に示すような真
空吸引用の穴４８が弾性表面波素子４１の金属バンプ４
４が形成されている部分の裏面に位置するように設けら
れたボンディングツール４７を用いた場合（比較例）の
クラック発生率を示す。表１より本実施例のボンディン
グツール３７の構造（図８）がクラックの発生率の抑制
に効果的であることがわかる。
用いた場合（図７、８）と、図９、１０に示すような真
空吸引用の穴４８が弾性表面波素子４１の金属バンプ４
４が形成されている部分の裏面に位置するように設けら
れたボンディングツール４７を用いた場合（比較例）の
クラック発生率を示す。表１より本実施例のボンディン
グツール３７の構造（図８）がクラックの発生率の抑制
に効果的であることがわかる。
【００３３】
【表１】
【００３４】（実施例５）本発明の第５の実施例を図１
１、１２を用いて説明する。本実施例では、実施例４の
場合と同様に、ボンディングツール５７の押圧面に真空
吸引用の穴５８が設けられており、該真空吸引用の穴５
８は弾性表面波素子５１を吸引する際に素子の金属バン
プ５４が形成されていない部分の裏面に位置する。この
ように、金属バンプ５４間の距離が短く、金属バンプ５
４が形成されていない部分の面積が狭い弾性表面波素子
５１では、本実施例のように、ボンディングツール５７
にやや小さな真空吸引用の穴５８を複数個設けることに
よって真空吸着力を確保することができる。
１、１２を用いて説明する。本実施例では、実施例４の
場合と同様に、ボンディングツール５７の押圧面に真空
吸引用の穴５８が設けられており、該真空吸引用の穴５
８は弾性表面波素子５１を吸引する際に素子の金属バン
プ５４が形成されていない部分の裏面に位置する。この
ように、金属バンプ５４間の距離が短く、金属バンプ５
４が形成されていない部分の面積が狭い弾性表面波素子
５１では、本実施例のように、ボンディングツール５７
にやや小さな真空吸引用の穴５８を複数個設けることに
よって真空吸着力を確保することができる。
【００３５】以上の実施例では、電子デバイス素子とし
て弾性表面波素子を用いる場合について説明したが、こ
れは弾性表面波素子の実装について本発明が特に有利に
適用できるためである。すなわち、弾性表面波素子は、
表面波が励振するための空間を素子の機能面側に設けな
ければないため、素子とパッケージ容器との間に接着剤
を充填し素子を固定することができず、金属バンプが素
子とパッケージ容器の電気的接合だけでなく機械的接合
の役割をも担う必要があり、特に高い接合強度と信頼性
が要求されるためである。
て弾性表面波素子を用いる場合について説明したが、こ
れは弾性表面波素子の実装について本発明が特に有利に
適用できるためである。すなわち、弾性表面波素子は、
表面波が励振するための空間を素子の機能面側に設けな
ければないため、素子とパッケージ容器との間に接着剤
を充填し素子を固定することができず、金属バンプが素
子とパッケージ容器の電気的接合だけでなく機械的接合
の役割をも担う必要があり、特に高い接合強度と信頼性
が要求されるためである。
【００３６】また、以上の実施例では、弾性表面波素子
の電極上に形成された金属バンプとパッケージ容器上の
電極パターンを接続する場合について示したが、パッケ
ージ容器上の電極パターンの上に形成された金属バンプ
と弾性表面波素子の電極を接続する場合についても、本
発明は同様に適用できる。
の電極上に形成された金属バンプとパッケージ容器上の
電極パターンを接続する場合について示したが、パッケ
ージ容器上の電極パターンの上に形成された金属バンプ
と弾性表面波素子の電極を接続する場合についても、本
発明は同様に適用できる。
【００３７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ボンディ
ングツールの押圧面の超音波振動方向の長さを十分大き
くすることで、振動方向について、電子デバイス素子が
ボンディングツールによって支持される長さが広くな
る。したがって、実装時に荷重と超音波の合力が瞬時的
に斜め下方向に加わっても、電子デバイス素子は実装基
板の水平面方向に対して傾きにくくなり、電子デバイス
素子の特定位置の金属バンプに応力が集中することもな
い。よって、金属バンプや電極パッドにおけるクラック
の発生が抑制され、電子デバイス素子と実装基板の間の
電気的特性の良好な安定した接合を得ることができる。
ングツールの押圧面の超音波振動方向の長さを十分大き
くすることで、振動方向について、電子デバイス素子が
ボンディングツールによって支持される長さが広くな
る。したがって、実装時に荷重と超音波の合力が瞬時的
に斜め下方向に加わっても、電子デバイス素子は実装基
板の水平面方向に対して傾きにくくなり、電子デバイス
素子の特定位置の金属バンプに応力が集中することもな
い。よって、金属バンプや電極パッドにおけるクラック
の発生が抑制され、電子デバイス素子と実装基板の間の
電気的特性の良好な安定した接合を得ることができる。
【００３８】また、ボンディングツールの押圧面を電子
デバイス素子の裏面と同じ大きさ、またはそれより小さ
くすることで、超音波印加時にパッケージ容器内壁とボ
ンディングツールとの干渉を避けることができる。よっ
て、パッケージ容器をあまり大きくする必要がなく、弾
性表面波装置の小型化を図ることができる。
デバイス素子の裏面と同じ大きさ、またはそれより小さ
くすることで、超音波印加時にパッケージ容器内壁とボ
ンディングツールとの干渉を避けることができる。よっ
て、パッケージ容器をあまり大きくする必要がなく、弾
性表面波装置の小型化を図ることができる。
【００３９】さらに、真空吸引用の穴を設けることによ
って、電子デバイス素子のピックアップや実装基板への
位置合わせ等の機能を付加したボンディングツールで
は、真空吸引用の穴を電子デバイス素子の金属バンプが
形成されていない部分の裏面に位置するように設けるこ
とによって、各金属バンプに加わる荷重や超音波のパワ
ーを一様にする。その結果、特定位置の金属バンプに応
力が集中することもなく、金属バンプや電極パッドにお
けるクラックの発生が抑制され、安定した接合を得るこ
とができる。
って、電子デバイス素子のピックアップや実装基板への
位置合わせ等の機能を付加したボンディングツールで
は、真空吸引用の穴を電子デバイス素子の金属バンプが
形成されていない部分の裏面に位置するように設けるこ
とによって、各金属バンプに加わる荷重や超音波のパワ
ーを一様にする。その結果、特定位置の金属バンプに応
力が集中することもなく、金属バンプや電極パッドにお
けるクラックの発生が抑制され、安定した接合を得るこ
とができる。
【図１】本発明の実施例１を用いて弾性表面波素子をパ
ッケージ容器内に実装する際の上面図である。
ッケージ容器内に実装する際の上面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図３】本発明の実施例２を用いて弾性表面波素子をパ
ッケージ容器内に実装する際の上面図である。
ッケージ容器内に実装する際の上面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ’線における断面図である。
【図５】本発明の実施例３を用いて弾性表面波素子をパ
ッケージ容器内に実装する際の上面図である。
ッケージ容器内に実装する際の上面図である。
【図６】図５のＣ−Ｃ’線における断面図である。
【図７】本発明の実施例４を用いて弾性表面波素子をパ
ッケージ容器内に実装する際の上面図である。
ッケージ容器内に実装する際の上面図である。
【図８】図７のＤ−Ｄ’線における断面図である。
【図９】請求項５にかかる本発明と異なる方法（比較
例）を用いて弾性表面波素子をパッケージ容器内に実装
する際の上面図である。
例）を用いて弾性表面波素子をパッケージ容器内に実装
する際の上面図である。
【図１０】図９のＥ−Ｅ’線における断面図である。
【図１１】本発明の実施例５を用いて弾性表面波素子を
パッケージ容器内に実装する際の上面図である。
パッケージ容器内に実装する際の上面図である。
【図１２】図１１のＦ−Ｆ’線における断面図である。
【図１３】ボンディングツールの超音波振動方向の最大
長さと弾性表面波素子の超音波振動方向の最大長さの比
に対する弾性表面波素子のクラック発生率の関係を示す
図である。
長さと弾性表面波素子の超音波振動方向の最大長さの比
に対する弾性表面波素子のクラック発生率の関係を示す
図である。
【図１４】（ａ）、（ｂ）は、従来の方法を用いて電子
デバイス素子を基板上に実装する際の断面図である。
デバイス素子を基板上に実装する際の断面図である。
【図１５】従来の実装方法の、ダミーバンプを設けた電
子デバイス素子の上面図を示す。
子デバイス素子の上面図を示す。
１、３１、４１、５１ 弾性表面波素子 ２、３２、４２、５２ 圧電基板 ３、３３、４３、５３ 電極パッド ４、３４、４４、５４ 金属バンプ ５、３５、４５、５５ パッケージ容器 ６、３６、４６、５６ 電極パターン ７、１７、２７、３７、４７、５７、６７ ボンディン
グツール ３８、４８、５８ 真空吸引用の穴 ６１、７１ 電子デバイス素子 ６４、６５ 金属バンプ ７２ 電極パッド ７３ ダミーパッド ７４ ダミーバンプ ７５ 金属バンプ
グツール ３８、４８、５８ 真空吸引用の穴 ６１、７１ 電子デバイス素子 ６４、６５ 金属バンプ ７２ 電極パッド ７３ ダミーパッド ７４ ダミーバンプ ７５ 金属バンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F044 PP16 5J097 AA24 AA29 HA04 HA09 HA10 JJ09 KK10
Claims (7)
- 【請求項１】表面に金属バンプの形成された電子デバイ
ス素子と、押圧面を有するボンディングツールと、実装
基板とを用意する工程と、 電子デバイス素子の裏面にボンディングツールの押圧面
を接触させながら、ボンディングツールに超音波を印加
して電子デバイス素子を実装基板上に実装する工程とを
有する電子デバイス素子の実装方法において、 ボンディングツールの押圧面の超音波振動方向の最大長
さが、電子デバイス素子の裏面の超音波振動方向の最大
長さの０．５倍よりも長いことを特徴とする電子デバイ
ス素子の実装方法。 - 【請求項２】ボンディングツールの押圧面の外形が、電
子デバイス素子の裏面の外形とほぼ相似形であることを
特徴とする、請求項１に記載の電子デバイス素子の実装
方法。 - 【請求項３】ボンディングツールの押圧面の超音波振動
方向の最大長さが、電子デバイス素子の裏面の超音波振
動方向の最大長さと同一またはそれより短いことを特徴
とする、請求項１または２に記載の電子デバイス素子の
実装方法。 - 【請求項４】ボンディングツールの押圧面の超音波振動
方向の最大長さが、電子デバイス素子の裏面の超音波振
動方向の最大長さの約０．８倍であることを特徴とす
る、請求項１ないし３に記載の電子デバイス素子の実装
方法。 - 【請求項５】前記ボンディングツールの押圧面には、電
子デバイス素子を吸着するための真空吸引用の穴が設け
られ、かつ、前記真空吸引用の穴は電子デバイス素子を
吸引する際に電子デバイス素子の金属バンプが形成され
ていない部分の裏面に位置するように設けられているボ
ンディングツールを用いて、電子デバイス素子を吸引し
ながら実装基板上に実装することを特徴とする、請求項
１ないし４に記載の電子デバイス素子の実装方法。 - 【請求項６】前記電子デバイス素子は弾性表面波素子で
あることを特徴とする、請求項１ないし５に記載の電子
デバイス素子の実装方法。 - 【請求項７】請求項６に記載の実装方法を用いて、弾性
表面波素子をパッケージ容器に実装する工程と、パッケ
ージ容器内をキャップにより封止する工程とを有する弾
性表面波装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31250599A JP3539315B2 (ja) | 1999-06-22 | 1999-11-02 | 電子デバイス素子の実装方法、および弾性表面波装置の製造方法 |
| US09/596,355 US6718604B1 (en) | 1999-06-22 | 2000-06-17 | Mounting method for electronic device elements |
| DE10030546A DE10030546B4 (de) | 1999-06-22 | 2000-06-21 | Befestigungsverfahren für elektronische Bauelemente |
| KR1020000034469A KR100542504B1 (ko) | 1999-06-22 | 2000-06-22 | 전자 장치 소자의 탑재 방법 및 탄성 표면파 장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17571899 | 1999-06-22 | ||
| JP11-175718 | 1999-06-22 | ||
| JP31250599A JP3539315B2 (ja) | 1999-06-22 | 1999-11-02 | 電子デバイス素子の実装方法、および弾性表面波装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001068511A true JP2001068511A (ja) | 2001-03-16 |
| JP3539315B2 JP3539315B2 (ja) | 2004-07-07 |
Family
ID=26496898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31250599A Expired - Lifetime JP3539315B2 (ja) | 1999-06-22 | 1999-11-02 | 電子デバイス素子の実装方法、および弾性表面波装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6718604B1 (ja) |
| JP (1) | JP3539315B2 (ja) |
| KR (1) | KR100542504B1 (ja) |
| DE (1) | DE10030546B4 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100377293C (zh) * | 2002-03-27 | 2008-03-26 | 松下电器产业株式会社 | 部件安装方法,部件安装装置及超声波焊接头 |
| JP2009147068A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
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|---|---|---|---|---|
| US8960745B2 (en) | 2011-11-18 | 2015-02-24 | Nike, Inc | Zoned activation manufacturing vacuum tool |
| US9010827B2 (en) | 2011-11-18 | 2015-04-21 | Nike, Inc. | Switchable plate manufacturing vacuum tool |
| US8849620B2 (en) | 2011-11-18 | 2014-09-30 | Nike, Inc. | Automated 3-D modeling of shoe parts |
| US9451810B2 (en) | 2011-11-18 | 2016-09-27 | Nike, Inc. | Automated identification of shoe parts |
| US8696043B2 (en) | 2011-11-18 | 2014-04-15 | Nike, Inc. | Hybrid pickup tool |
| US8958901B2 (en) | 2011-11-18 | 2015-02-17 | Nike, Inc. | Automated manufacturing of shoe parts |
| US8755925B2 (en) | 2011-11-18 | 2014-06-17 | Nike, Inc. | Automated identification and assembly of shoe parts |
| US10552551B2 (en) | 2011-11-18 | 2020-02-04 | Nike, Inc. | Generation of tool paths for shore assembly |
| US8858744B2 (en) * | 2011-11-18 | 2014-10-14 | Nike, Inc. | Multi-functional manufacturing tool |
| US9196549B2 (en) * | 2013-12-04 | 2015-11-24 | United Microelectronics Corp. | Method for generating die identification by measuring whether circuit is established in a package structure |
| US9629587B2 (en) | 2014-07-10 | 2017-04-25 | General Electric Company | Systems and methods for coronary imaging |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3486223A (en) * | 1967-04-27 | 1969-12-30 | Philco Ford Corp | Solder bonding |
| JPS6325939A (ja) | 1986-07-18 | 1988-02-03 | Ricoh Co Ltd | 電子部品実装方法 |
| JPH0286135A (ja) | 1988-09-22 | 1990-03-27 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2833111B2 (ja) * | 1989-03-09 | 1998-12-09 | 日立化成工業株式会社 | 回路の接続方法及びそれに用いる接着剤フィルム |
| US5074947A (en) * | 1989-12-18 | 1991-12-24 | Epoxy Technology, Inc. | Flip chip technology using electrically conductive polymers and dielectrics |
| JP2673993B2 (ja) * | 1990-07-02 | 1997-11-05 | 日本無線株式会社 | 表面弾性波装置 |
| JP2940269B2 (ja) * | 1990-12-26 | 1999-08-25 | 日本電気株式会社 | 集積回路素子の接続方法 |
| JPH06296080A (ja) * | 1993-04-08 | 1994-10-21 | Sony Corp | 電子部品実装基板及び電子部品実装方法 |
| DE69414686T2 (de) * | 1993-07-27 | 1999-05-06 | Citizen Watch Co Ltd | Elektrische verbindungsstruktur und verfahren zum elektrischen verbinden von anschluessen untereinander |
| JPH08139138A (ja) | 1994-11-09 | 1996-05-31 | Ricoh Co Ltd | 電子部品の接続方法 |
| JP3301262B2 (ja) * | 1995-03-28 | 2002-07-15 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波装置 |
| JP3194849B2 (ja) | 1995-05-30 | 2001-08-06 | 日本無線株式会社 | 弾性表面波デバイス製造方法 |
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| JP3610999B2 (ja) * | 1996-06-07 | 2005-01-19 | 松下電器産業株式会社 | 半導体素子の実装方法 |
| JPH10107078A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Toshiba Electron Eng Corp | 電子部品の製造方法及び電子部品 |
| JPH11122072A (ja) | 1997-10-14 | 1999-04-30 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波装置 |
| US6189208B1 (en) * | 1998-09-11 | 2001-02-20 | Polymer Flip Chip Corp. | Flip chip mounting technique |
-
1999
- 1999-11-02 JP JP31250599A patent/JP3539315B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-06-17 US US09/596,355 patent/US6718604B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-21 DE DE10030546A patent/DE10030546B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-22 KR KR1020000034469A patent/KR100542504B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
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| DE10030546A1 (de) | 2001-01-18 |
| JP3539315B2 (ja) | 2004-07-07 |
| KR20010021017A (ko) | 2001-03-15 |
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