JP2009225219A - 圧電デバイスおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】外部応力に対する蓋部材の破損を防止した高信頼性の圧電デバイスと、その製造方法を提供する。
【解決手段】底部２ａの周縁部に立設する壁部２ｂによって内側にキャビティを形成するパッケージ２と、このパッケージ２内に収容される圧電振動片３と、圧電振動片３を前記パッケージ２内に気密に封止するために前記壁部２ｂ上面に接合される蓋部材４と、を有する圧電デバイスの前記壁部２ｂの上面内周縁部に、前記パッケージの底部２ａ側に向かって傾斜する傾斜面部２ｃを設け、蓋部材４が外部応力により撓みを生じても、ある一箇所に集中する応力を分散し、応力緩和して蓋部材の破損を防止する。
【選択図】図１

Description

本発明は、圧電デバイスおよびその製造方法に関するものである。

近年、圧電振動子や圧電発振器等の圧電デバイスは、携帯電話、モバイルコンピュータ、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ・Ｄｉｇｉｔａｌ・Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）等の小型情報端末に広く使用されている。この圧電デバイスの構造は、例えば、箱型のパッケージ内に圧電振動片を収容し、このパッケージに蓋部材を接合してパッケージ内を気密に封止した構成となっている。

図５は、従来技術による圧電デバイスを示す図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は、蓋部材を除いた平面図である。この図に示す圧電デバイス５０は、パッケージ５１と、このパッケージ５１の底部表面に接合された圧電振動片５２と、パッケージ５１を気密に封止する蓋部材５３とを有しており、圧電振動子を構成した例である。

圧電振動片５２は、例えば水晶からなり、矩形状に加工したＡＴカット振動片である。圧電振動片としては他に音叉型振動片等も用いられる。図５（ｂ）に示したように、圧電振動片５２には、その表裏面に励振電極５２ａが形成されており、該励振電極５２ａからは、引出しパターンが一端部に延長されており、引出し電極５２ｂを構成している。

パッケージ５１は平坦な底部５１ａと、該底部５１ａの周縁に立設された壁部５１ｂとを有しており、その内側に圧電振動片５２の収容空間となるキャビティＣが形成されている。パッケージ５１は、底部５１ａと、壁部５１ｂとを一体的に形成することもできるし、別体に構成することもできる。

パッケージ５１の内側の底部には電極パッド５５が形成されている。電極パッド５５は例えば、ニッケルの下地上に金や銀のメッキを施すことにより形成されている。
また、パッケージ５１の底面には両端部にそれぞれ外部接続端子５４が形成されている。

パッケージ５１の内側の底部表面に形成された電極パッド５５は、貫通電極５６により外部接続端子５４と接続されている。貫通電極５６は、電界メッキ等の手法によって、貫通孔内にＡｕ（金）などを充填して構成されている。

そして、電極パッド５５の上には導電部材５７を介して、圧電振動片５２が支持固定されている。ここで、導電部材５７は、導電性接着剤を用いることができる。また、金バンプを利用した金属バンプ接合も可能である。

パッケージ５１のキャビティＣ側の上方には、蓋部材５３が種々の手段によって接合される。パッケージ５１及び蓋部材５３は、ガラスや水晶、あるいはシリコンなどによって形成される。

パッケージ５１と蓋部材５３の接合方法は、例えば、接合面に金属膜を形成することにより、陽極接合の手法を用いて行うことができる。また、表面活性化接合の手法を用いることもできる。この表面活性化接合は、接合面どうしの表面を活性化して、部材どうしを何も介さずに直接接合するものである。

圧電デバイスは前記のように構成されており、圧電振動片５２がパッケージ５１の底部に接合されているとともに、パッケージ５１が有するキャビティＣ内に収容されて、蓋部材５３により気密に封止されている。

前記圧電デバイスの製造方法は、ガラスやシリコンからなる１枚のパッケージ基板に、複数個の収納部品に対応するキャビティを形成し、その複数個のキャビティの一つ一つに圧電振動片をマウント固定し、前記基板サイズに対応する蓋基板を接合する。そして、最後に個々の製品（部品）単位に分割して圧電デバイスが完成する。

図６は、圧電デバイスの製造方法を示す断面図で、（ａ）はキャビティが形成されたパッケージ基板に圧電振動片が搭載された状態を示しており、（ｂ）はパッケージ基板に蓋基板を接合した状態を示している。図６（ａ）に示すように、６１はパッケージ基板であり複数のキャビティＣがマトリクス状に配列形成されている。パッケージ基板６１は、例えば、ガラスやシリコン等からなり、前記キャビティＣは、フォトリソグラフィー手法、エッチング手法によって一括形成される。このようにして形成されたキャビティＣは、圧電振動片５２の収容空間となる。圧電振動片５２は、このキャビティＣ内底部の電極パッドに導電性部材５７を介して接続固定される。

その後、前記パッケージ基板６１に対応するサイズの１枚の蓋基板６２を、図６（ｂ）に示すように、パッケージ基板６１の上方に複数のキャビティＣを覆うようにして配置し、パッケージ基板６１と蓋基板６２の接合面で接合固定する。接合手法は前述したように、金属膜を介した陽極接合や、接合面どうしの表面を活性化して各接合面を直接接触させて接合する表面活性化接合の手法によって行われる。

パッケージ基板６１と蓋基板６２とを接合した後、個々の製品の大きさに分割するため、ダイシングブレードやレーザーダイサー等を用い、図６（ｂ）中に示す破線で示す切断ラインで切断して分離する。こうすることによって複数個の圧電デバイス５０（図５）が同時に製造できる。

特開２００７−２６７１０１号公報

ところで、前記した圧電デバイスのパッケージは、圧電振動片を収容するためのキャビティが形成されるものであるが、このキャビティはウェットエッチングやドライエッチング等のエッチング手法の他、パッケージ材料によっては機械加工あるいは型転写等により形成することもある。

パッケージのキャビティ形成手法は前述の通り種々あるが、ウェットエッチングやドライエッチング等により形成されたキャビティの壁部上面の内周縁部は角張った角部となっている。また、機械加工により形成したキャビティの場合も、壁部上面の内周縁部も意図して加工を加えない限り角部となっている。また、型転写によりキャビティを形成する場合においても型側凸部を一体加工した場合は刃先Ｒによりキャビティの壁部上面の内周縁部にＲが付く場合はあるが、型側凸部を別体加工した場合はキャビティの壁部上面の内周縁部は尖っている。

このようにして形成されたキャビティのあるパッケージに蓋部材を接合し完成体とした圧電デバイスにおいては、例えば、外部応力が蓋部材に加わった場合、キャビティ壁部上面の内周縁部の角部に押しつけ応力がかかり、この部分に応力が集中し、それによって蓋部材を破損してしまう虞があった。

図７は、圧電デバイスの蓋部材に応力が加わった場合の破損状態を示す図である。蓋部材５３の上方から外部応力（図７中の矢印）が加わると、蓋部材５３は、キャビティ内方向にその応力によって撓むこととなる。前述のごとく蓋部材５３には、ガラスやシリコン材が用いられることがあり、このような脆性材料で構成した場合、外部応力が加わった時、蓋部材５３は、パッケージ５１の壁部５１ｂの上面部の内周縁の角部（エッジ部Ｅ）において応力が集中し、過度の応力が加わった場合には蓋部材５３に亀裂や割れが生じ圧電デバイスを破損してしまう虞があった。

本発明は、前記問題点に鑑み、外部応力による蓋部材等の破損を防止した高信頼性の圧電デバイスとその製造方法を提供することを目的とする。

前記目的を達成するため、本発明の圧電デバイスは、少なくとも、底部とこの底部の周縁部に立設する壁部によって内側にキャビティを形成するパッケージと、当該パッケージ内に収容される圧電振動片と、当該圧電振動片を前記パッケージ内に気密に封止するために前記壁部上面に接合される蓋部材と、を有する圧電デバイスであって、前記壁部は、その上面の内周縁部が前記パッケージの底部側に向かって傾斜する傾斜面部を有してなることを特徴とする。前記傾斜面部は、平面に形成することができる。また、前記傾斜面部は、凸型の曲面に形成することができる。

さらに、前記パッケージと蓋部材はシリコン材料で構成することができる。

本発明の圧電デバイスの製造方法は、少なくとも、複数の圧電振動片を個別に収容するためのキャビティを形成するためのパッケージ基板を準備する工程と、
前記パッケージ基板の一面に蓋基板との接合面部を除く基板面の一部を結晶異方性ウェットエッチングまたはドライエッチングして内壁が傾斜面をなす第一の凹部を形成する工程と、
前記第一の凹部底部のパッケージ基板をさらにエッチングして第二の凹部を形成し、圧電振動子を収容するためのキャビティを形成する工程と、
前記キャビティ底部に圧電振動片をマウント固定する工程と、
前記パッケージ基板に対応する大きさの蓋基板を接合する工程と、
個々の大きさに切断して個々の部品に分離する工程と、
を有することを特徴とする。

また、本発明の圧電デバイスの製造方法は、少なくとも、複数の圧電振動片を個別に収容するキャビティを形成するためのパッケージ基板を準備する工程と、
前記パッケージ基板の一面に蓋基板との接合面部を除く基板面の一部をエッチングしてキャビティを形成する工程と、
前記接合面部を研磨部材により研磨して異物除去並びに平滑化処理すると共に、前記研磨部材を押圧することによって、前記接合面部のキャビティ側縁部からキャビティ底部に向かって傾斜する傾斜面部を形成する工程と、
前記キャビティ底部に圧電振動片をマウント固定する工程と、
前記パッケージ基板に対応する大きさの蓋基板を接合する工程と、
個々の大きさに切断して個々の部品に分離する工程と、
を有することを特徴とする。尚、前記蓋基板の接合は、表面活性化接合によって行うことができる。

さらに、前記パッケージ基板と前記蓋基板は、シリコン材料で構成することができる。

本発明によれば、圧電デバイスのパッケージの壁部上面の内周縁部にキャビティ底部に向かって傾斜する傾斜面部を設けたので、蓋部材が外部応力により撓みを生じてもパッケージ壁部の周縁のエッジ部に応力を集中させることがなく、前記傾斜面部で応力を受けられるようになり、応力緩和させることができるので、蓋部材の亀裂や割れを防止した構造が得られる。よって高信頼性の圧電デバイスが提供できる。

底部とこの底部の周縁部に立設する壁部によって内側にキャビティを形成するパッケージと、このパッケージ内に収容される圧電振動片と、当該圧電振動片を前記パッケージ内に気密に封止するために前記壁部上面に接合される蓋部材と、を有する圧電デバイスの前記壁部の上面内周縁部に、前記パッケージの底部側に向かって傾斜する傾斜面部を設けることにより、蓋部材が外部応力により撓みを生じても壁部の周縁のエッジ部に応力を集中させず、応力緩和となる構造を実現する。
以下本発明の一実施形態について図面を用いて説明する。

図１は本実施例による圧電デバイスの断面図である。この図に示す圧電デバイス１は、パッケージ２と、このパッケージ２の底部表面に接合された圧電振動片３と、パッケージ２を気密に封止する蓋部材４とを有するものであり、これらの部材により圧電振動子を構成するものである。尚、パッケージ及び蓋部材としては、ガラスやシリコンを用いることができる。図１は圧電振動子を構成した圧電デバイスとして例示しているが、例えばパッケージ材にシリコン基板を用い、このシリコン基板面に発振回路等を形成すれば、より小型の発振器を構成することもできる。

圧電振動片３は、例えば水晶からなるもので、矩形状に加工したＡＴカット振動片や音叉型振動片等を用いることができる。図示してないが圧電振動片３には、その表裏面に励振電極が形成されており、該励振電極から引出されたパターンが一端部に延長されており、この引出しパターンが底面に搭載されている。

パッケージ２は平坦な底部２ａと、該底部２ａの周縁に立設された壁部２ｂとを有しており、その内側に圧電振動片３の収容空間となるキャビティＣが形成されている。パッケージ２の内側の底部２ａには電極パッド５が形成されている。電極パッド５は例えば、ニッケルの下地上に金や銀のメッキを施すことにより形成されている。
また、パッケージ２の底面には両端部にそれぞれ外部接続端子６が形成されている。

パッケージ２の内側の底部表面に形成された電極パッド５は、貫通電極７により外部接続端子６と接続されている。貫通電極７としては貫通孔内にＡｕ（金）などを充填して構成されたものである。充填方法としては電解メッキ手法を用いることができる。
そして、電極パッド５の上には導電部材８を介して、圧電振動片３が支持固定されている。ここで、導電部材８としては、導電性接着剤を用いることができる。また、金バンプを利用した金属バンプ接合も可能である。

パッケージ２のキャビティＣ側の上方には、蓋部材４が種々の方法によって接合される。パッケージ２及び蓋部材４は、ガラスや水晶、あるいはシリコンなどによって形成することができ、それぞれを同一部材とすることも可能であるし、異なる部材を組み合わせて構成することもできる。

接合手法としては、例えば、接合面に金属膜を形成することにより、陽極接合の手法を用いてパッケージ２を封止することができる。
また、表面活性化接合の手法を用いることもできる。表面活性化接合は、接合面どうしの表面を活性化して、部材どうしを何も介さずに直接接合するものである。

圧電デバイスは前記のように構成されており、圧電振動片３がパッケージ２の底部２ａに接合されているとともに、パッケージ２が有するキャビティＣ内に収容されて、蓋部材４により気密に封止されている。

蓋部材４の接合は、パッケージ２の壁部２ｂの上面部位が接合面となるが、このパッケージ２の壁部２ｂ上面の内周縁部は、傾斜面部２ｃを有した構成である。この傾斜面部２ｃは、パッケージ２の底部２ｂへ向かって傾斜する傾斜面とされており、この傾斜面は平坦な面となっている。このような構成とすれば、蓋部材４が外部応力により撓みを生じても、パッケージ２の壁部２ｂの周縁のエッジ部に応力を集中させることがなくなり、蓋部材４の撓みは、前記傾斜面部２ｃの傾斜面全体で受けることができ、その応力を分散できるので、応力を緩和させることができる。したがって、蓋部材４の亀裂や割れを防止した構造が得られ、高信頼性の圧電デバイスが提供できる。

続いて、前記した図１に示す圧電デバイス１の製造方法について説明する。
図３は一実施例による圧電デバイスの製造方法を示す図である。図３は、特にパッケージのキャビティ形成工程を示すものである。尚、実際のパッケージ形成は複数個が一括形成されるものであるが、図３においては１つのパッケージを示すこととする。

まず、図３（ａ）に示すように、パッケージ基板３０を準備する。このパッケージ基板は、例えば、シリコン材料からなる基板である。

続いて、図３（ｂ）に示すように、パッケージ基板３０表面にレジストを塗布し、露光・現像してパターニングする。こうして蓋部材との接合面に該当する部位にのみレジストマスク３１を形成する。

続いて、図３（ｃ）に示すように、前記工程（ｂ）のレジスト開口部に露出したシリコンをエッチングする。このエッチングは、結晶異方性エッチングまたはドライエッチングを用いることによって、内壁部をテーパー形状とした第一の凹部３２を形成する。

続いて、図３（ｄ）に示すように、レジストマスク３１を全て除去する。

続いて、図３（ｅ）に示すように、第一の凹部を含む表面部にレジストを塗布し、露光・現像してパターニングすることによって、接合面と工程（ｃ）で形成したテーパー面にレジストマスク３３を形成する。

そして、図３（ｆ）に示すように、前記工程（ｅ）のレジスト開口部のシリコンを垂直エッチングして第二の凹部３４を形成し、これによって圧電振動片を収容するためのキャビティが形成される。

最後に、図３（ｇ）に示すように、残ったレジストマスク３３を全て除去してパッケージが完成する。

このようにして形成されたパッケージの壁部上面の内周縁部は、底部方向に向かって傾斜する傾斜面部を有した状態に形成できる。この傾斜面部は任意の傾斜角に形成し、その面を平坦面に形成することができる。これはエッチングの諸条件の設定によって行うことができる。

パッケージ基板３０にキャビティを形成した後、必要に応じてキャビティ内に、配線パターンの形成、貫通電極形成を行う。また、裏面あるいは側面に必要な形状・配線等を形成する。

さらに、前記パッケージ基板３０を、洗浄等必要な処置をした上、パッケージ基板３０に形成された複数個のキャビティ内に圧電振動片を一つ一つマウントして固定する。そして、圧電振動片のマウント固定に導電性接着剤を用いた場合には、必要に応じて、加熱・ＵＶ照射・乾燥・高温雰囲気下投入等の接着剤硬化処置を行う。また、圧電振動片の周波数調整等を実施する。

その後、前記パッケージ基板に対応するサイズの１枚の蓋基板をパッケージ基板の上方に複数のキャビティを覆うようにして配置し、パッケージ基板と蓋基板の接合面で接合固定する。接合手法は、金属膜を介した陽極接合や、接合面どうしの表面を活性化して各接合面を直接接触させて接合する表面活性化接合の手法によって行うことができる。

パッケージ基板と蓋基板とを接合した後、個々の製品の大きさに分割するため、ダイシングブレードやレーザーダイサー等を用いて切断し分離する。こうして複数個の圧電デバイスが同時に完成する。

図２は他の実施例による圧電デバイスの断面図である。図１に示した実施例と共通する部材については共通の符号を用いることとする。図２に示す圧電デバイス１０も、パッケージ２と、このパッケージ２の底部表面に接合された圧電振動片３と、パッケージ２を気密に封止する蓋部材４とを有した圧電振動子を構成すものである。尚、パッケージ及び蓋部材としては、ガラスやシリコンを用いることができる点についても前記実施例と同様である。

パッケージ２は平坦な底部２ａと、該底部２ａの周縁に立設された壁部２ｂとを有しており、その内側に圧電振動片３の収容空間となるキャビティＣが形成されている。パッケージ２の内側の底部２ａには必要とされる電極パッド５が形成されている。電極パッド５は例えば、ニッケルの下地上に金や銀のメッキを施すことにより形成されている。
また、パッケージ２の底面には両端部にそれぞれ外部接続端子６が形成されている。

パッケージ２の内側の底部表面に形成された電極パッド５は、貫通電極７により外部接続端子６と接続されている。貫通電極７としては貫通孔内にＡｕ（金）などを充填して構成されたものである。そして、電極パッド５の上には導電部材８を介して、圧電振動片３が支持固定されている。ここで、導電部材８は、導電性接着剤を用いることができる。また、金バンプを利用した金属バンプ接合も可能である。

パッケージ２のキャビティＣ側の上方には、蓋部材４が種々の方法によって接合される。パッケージ２及び蓋部材４は、ガラスや水晶、あるいはシリコンなどによって形成することができ、それぞれを同一部材とすることも可能であるし、異なる部材を組み合わせて構成することもできる。

接合手法としては、例えば、接合面に金属膜を形成することにより、陽極接合の手法を用いてパッケージ５１を封止することができる。また、表面活性化接合の手法を用いることもできる。表面活性化接合は、接合面どうしの表面を活性化して、部材どうしを何も介さずに直接接合するものである。

圧電デバイスは前記のように構成されており、圧電振動片３がパッケージ２の底部２ａに接合されているとともに、パッケージ２が有するキャビティＣ内に収容されて、蓋部材４により気密に封止されている。

蓋部材４の接合は、パッケージ２の壁部２ｂの上面部位が接合面となるが、このパッケージ２の壁部２ｂ上面の内周縁部は、傾斜面部２ｄを有した構成である。この傾斜面部２ｄは、パッケージ２の底部２ｂへ向かって傾斜する傾斜面となっており、この傾斜面は凸型の曲面（Ｒ面）となっている。このような構成とすれば、蓋部材４が外部応力により撓みを生じても、パッケージ２の壁部２ｂの周縁のエッジ部に応力を集中させることがなくなり、蓋部材４の撓みは、前記傾斜面部２ｃの傾斜面全体で受けることができ、その応力を分散できるので、応力を緩和させることができる。したがって、蓋部材の亀裂・割れ防止構造が得られ、高信頼性の圧電デバイスが提供できる。

続いて、前記した図２に示す圧電デバイス１０の製造方法について説明する。
図４は一実施例による圧電デバイスの製造方法を示す図である。図４においては、パッケージの壁部上面の研磨と、内周縁部に傾斜面部を形成する工程を示している。

４０は、パッケージ基板で、例えば、シリコン材料からなる基板である。このパッケージ基板４０には、複数のキャビティＣがエッチング手法等によって形成される。

パッケージ基板４０表面にレジストを塗布し、露光・現像してパターニングする。蓋部材との接合面に該当する部位にレジストマスクを形成する。その後、レジスト開口部に露出したシリコン基板面をエッチングして凹部を形成する。これによって圧電振動片を収容するためのキャビティＣが形成される。

パッケージ基板４０にキャビティを形成した後、必要に応じてキャビティＣ内に、配線パターンや、貫通電極等を設ける。また、裏面あるいは側面に必要な形状・配線等を形成する。

続いて、図４に示す研磨パッド４１を用いてパッケージ基板４０の蓋基板との接合面の異物を除去し、平滑化するために接合面を研磨する。この研磨工程は、例えば、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ・Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ・Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）で行えば、高速かつ平滑な研磨面を得ることができる。

この研磨工程では、研磨パッド４１をパッケージ基板４０の蓋基板との接合面（壁部上面）に押し付け、回転させることで研磨が行われる。この時、図４に示す如くキャビティＣ内に研磨パッド４０の一部が入り込むことで、キャビティの壁部上面の内周縁部はＲ形状に面取りされる。この研磨工程は、パッケージ基板４０と蓋基板を表面活性化接合する場合において、その接合精度を向上するために重要な工程でもある。

このようにして形成されたパッケージの壁部上面の内周縁部は、底部方向に向かって傾斜する傾斜面部を有して形成できる。この傾斜面部は尖ったエッジ部がなく丸みを帯びた曲面（Ｒ面）となる。

その後、前記パッケージ基板４１に対し洗浄等必要な処置をした上、パッケージ基板４１に形成された複数個のキャビティＣ内に圧電振動片を一つ一つマウントして固定する。さらに、必要に応じて、加熱・ＵＶ照射・乾燥・高温雰囲気下投入等の処置を行う。また、圧電振動片の周波数調整等を行うこともできる。

続いて、前記パッケージ基板に対応するサイズの１枚の蓋基板パッケージ基板の上方に複数のキャビティＣを覆うようにして配置し、パッケージ基板と蓋基板の接合面で接合固定する。接合手法は、前述の研磨工程を経た後、接合面どうしの表面を活性化して各接合面を直接接触させて接合する表面活性化接合の手法によって行うと良い。

表面活性化接合は、接合面にプラズマを照射して表面が活性化された各接合面を合わせて、アライメントし、各接合面を直接接触させて接合させるもので、必要に応じて加熱したり、加圧しながら接合することができる。これにより、パッケージと蓋部材側が同じ材料であっても接合することができる。また、別々の部材どうしの接合ももちろん可能である。

表面活性化接合においては、不要なガス等の発生がない点で、陽極接合よりも有利である。また、この接合手法においては、接合表面の汚染を除去する物理処理が重要になるが、前記した通りプラズマを生成して、接合面に照射することで処理しているが、この工程の前に研磨工程を入れることでより確実な接合を行える。さらに、この研磨工程において、パッケージ壁部の上面内周縁部に傾斜面部を形成できるので、傾斜面部を得るための特別な工程を設ける必要はない。

パッケージ基板と蓋基板とを接合した後、個々の製品の大きさに分割するため、ダイシングブレードやレーザーダイサー等を用いて切断し分離する。こうして複数個の圧電デバイスが同時に完成する。

本実施例において説明したパッケージ壁部上面ない周縁部の傾斜面部形状の形成においては、パッケージ材料としてプラスチックや金属を用いることができるのであれば、射出成形・鋳造加工・鍛造加工・ロストワックス等の型加工を用いて形成することも可能である。

また、パッケージ壁部上面の内周縁部の傾斜面部形状を得るために、機械的加工によって面取りし、同形状を得ることも可能である。

前述の通り本発明の一実施形態を説明したが、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施形態の各構成を適宜組み合わせたり、図示しない他の構成と組み合わせることも可能である。

また、圧電デバイス以外の電子部品であっても、箱型のパッケージと、このパッケージ上に接合する蓋部材を有する構成の電子部品であれば、本発明を有効に利用することができる。

本実施例による圧電デバイスの断面図。 他の実施例による圧電デバイスの断面図。 一実施例による圧電デバイスの製造方法を示す図。 他の実施例による圧電デバイスの製造方法を示す図。 従来技術による圧電デバイスを示す図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は、蓋部材を除いた平面図。 圧電デバイスの製造方法を示す図。 圧電デバイスの蓋部材に応力が加わった場合の破損状態を示す図。

符号の説明

１ 圧電デバイス
２ パッケージ
２ａ 底部
２ｂ 壁部
２ｃ 傾斜面部
２ｄ 傾斜面部
３ 圧電振動片
４ 蓋部材
５ 電極パッド
６ 外部端子
７ 貫通電極
８ 導電部材
１０ 圧電デバイス
３０ パッケージ基板
３１ レジストマスク
３２ 第一の凹部
３３ レジストマスク
３４ 第二の凹部
４０ パッケージ基板
４１ 研磨パッド
５０ 圧電デバイス
５１ パッケージ
５１ａ 底部
５１ｂ 壁部
５２ 圧電振動片
５２ａ 励振電極
５２ｂ 引出し電極
５３ 蓋部材
５４ 外部端子
５５ 電極パッド
５６ 貫通電極
６１ パッケージ基板
６２ 蓋基板

Claims (8)

1. 少なくとも、底部とこの底部の周縁部に立設する壁部によって内側にキャビティを形成するパッケージと、当該パッケージ内に収容される圧電振動片と、当該圧電振動片を前記パッケージ内に気密に封止するために前記壁部上面に接合される蓋部材と、を有する圧電デバイスであって、
   前記壁部は、その上面の内周縁部が前記パッケージの底部側に向かって傾斜する傾斜面部を有してなることを特徴とする圧電デバイス。
2. 前記傾斜面部は、平面に形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイス。
3. 前記傾斜面部は、凸型の曲面に形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイス。
4. 前記パッケージと蓋部材はシリコン材料からなることを特徴とする請求項１〜３の何れか１つに記載の圧電デバイス。
5. 少なくとも、複数の圧電振動片を個別に収容するキャビティを形成するためのパッケージ基板を準備する工程と、
   前記パッケージ基板の一面に蓋基板との接合面部を除く基板面の一部を結晶異方性ウェットエッチングまたはドライエッチングして内壁が傾斜面となる第一の凹部を形成する工程と、
   前記第一の凹部底部のパッケージ基板をさらにエッチングして第二の凹部を形成し、圧電振動子を収容するためのキャビティを形成する工程と、
   前記キャビティ底部に圧電振動片をマウント固定する工程と、
   前記パッケージ基板に対応する大きさの蓋基板を接合する工程と、
   個々の大きさに切断して個々の部品に分離する工程と、
   を有することを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
6. 少なくとも、複数の圧電振動片を個別に収容するキャビティを形成するためのパッケージ基板を準備する工程と、
   前記パッケージ基板の一面に蓋基板との接合面部を除く基板面の一部をエッチングしてキャビティを形成する工程と、
   前記接合面部を研磨部材により研磨して異物除去並びに平滑化処理すると共に、前記研磨部材を押圧することによって、前記接合面部のキャビティ側縁部からキャビティ底部に向かって傾斜する傾斜面部を形成する工程と、
   前記キャビティ底部に圧電振動片をマウント固定する工程と、
   前記パッケージ基板に対応する大きさの蓋基板を接合する工程と、
   個々の大きさに切断して個々の部品に分離する工程と、
   を有することを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
7. 前記蓋基板の接合は、表面活性化接合によって行われることを特徴とする請求項６に記載の圧電デバイスの製造方法。
8. 前記パッケージ基板と蓋基板は、シリコン材料からなることを特徴とする請求項５〜７の何れか１つに記載の圧電デバイスの製造方法。
   

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