JP2001067746A - 情報記憶装置 - Google Patents

情報記憶装置

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JP2001067746A JP24050199A JP24050199A JP2001067746A JP 2001067746 A JP2001067746 A JP 2001067746A JP 24050199 A JP24050199 A JP 24050199A JP 24050199 A JP24050199 A JP 24050199A JP 2001067746 A JP2001067746 A JP 2001067746A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 記録媒体にレーザビームを照射するとともに
磁界を印加することにより情報を記憶する情報記憶装置
に関し、外部磁界強度並びにレーザパワーを制御するこ
とにより、記録媒体の傾きによらず、最適外部磁界強度
並びにレーザパワーが得られる情報記憶装置を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 記録媒体にレーザビームを照射するとと
もに、レーザビーム照射位置に外部磁界を印加すること
により情報を記憶する情報記憶装置において、円盤状記
録媒体の円周方向でのレーザビームの照射位置に応じて
外部磁界強度を制御するようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は情報記憶装置に係
り、特に、記録媒体にレーザビームを照射するとともに
磁界を印加することにより情報を記憶する情報記憶装置
に関する。光ディスクは、近年、急速に発展するマルチ
メディアの中核となる記憶媒体として注目されている。
また、光ディスクでは、大容量化が望まれており、例え
ば、３．５インチのＭＯでは、最大で１．３ＧＢと大容
量となり、これに伴い、ビームのスポットの小さくな
り、フォーカスサーボの精度、レーザパワーの精度が要
求されている。
【０００２】
【従来の技術】一般に、媒体交換可能な記憶装置の場
合、記録媒体ロード時のスピンドルモータに対するメカ
ニカルなずれや、媒体保持部のメカ的な公差がある。ま
た、記録媒体にも物理的な形状ムラや歪みがある。この
ため、記録媒体が光学ヘッドに対して傾いてセットさ
れ、いわゆる、ティルトやスキューが生じる。
【０００３】図１に記録媒体の再生状態の一例を示す
図、図２に記録媒体の再生状態の一例の光学ヘッドと記
録媒体との傾きと電磁石と記録媒体との距離の特性を示
す図を示す。図１は、スピンドルモータ１００のスピン
ドル軸１０１に対して記録媒体１０２の面が垂直ではな
く傾いてセットされた状態を示す。
【０００４】このような状態で、スピンドルモータ１０
０により記録媒体１０２が回転され、トラック１０４上
を光学ヘッド１０３からのビームスポット１０５が走査
すると、光学ヘッド１０３が射出するレーザビームの光
軸と記録媒体１０２の面との傾きの関係は図１に実線で
示すように正弦波的に変移する。また、電磁石１０６は
光学ヘッド１０３とは、記録媒体１０２を挟んで対向し
て設けられているため、記録媒体１０２回転に応じて近
接、離間し、余弦波的に変移する。
【０００５】また、図３に記録媒体の再生状態の他の一
例を示す図、図４に記録媒体の再生状態の他の一例のヘ
ッド位置に対する記録媒体の傾きの特性を示す図、図５
に記録媒体の再生状態の他の一例の記録媒体と電磁石と
の距離の関係を示す図を示す。図３は、記録媒体１１０
が皿状に変形した状態を示す。このような状態では、光
学ヘッド１０３が矢印Ａ２方向に移動すると、光学ヘッ
ド１０３が射出するレーザビームの光軸と記録媒体１１
０の記録面との傾き量が図４に示すように変移する。ま
た、電磁石４４と記録媒体１１０の記録面との距離は、
図５に示すように記録媒体１１０のインナー側で大きく
なり、アウター側で小さくなる。
【０００６】しかし、図１や図３に示すような状態にな
ると、光ヘッドからレーザビームが垂直に入射されない
ので、レーザスポットの形状歪みが生じ、期待した記録
・再生レーザパワーが得られなくなる。また、記録媒体
１０２と電磁石１０６との距離により記録媒体１０２に
印加すべき外部磁界が変動し、期待する外部磁界強度が
得られなくなる。
【０００７】期待したレーザパワーが得られなくなる
と、トラックピッチ（ＴＰＩ）やビット密度（ＢＰＩ）
の条件が緩い場合、すなわち、記録密度が低い場合に
は、影響は小さいが、トラックピッチやビット密度の条
件が厳しい場合、すなわち、記録密度が高い場合には、
無視できなくなり、エラーレートが増大する。また、期
待した外部磁界強度が得られなくなると、トラックピッ
チやビット密度の条件が緩い場合、すなわち、記録密度
が低い場合には、影響は小さいが、トラックピッチやビ
ット密度の条件が厳しい場合、すなわち、記録密度が高
い場合には、無視できなくなり、エラーレートが増大す
る。
【０００８】このため、ティルトやスキューなどをスピ
ンドルモータの傾きを補正する等メカに補正する方法が
既に提案されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、ティルトや
スキューなどをスピンドルモータの傾きを補正する等の
メカ的な方法により補正する方法では、傾きを制御する
ためのメカ的な構造が必要となるため、スペースが必要
となるとともに、メカ的に変移させるので、高速回転に
追従できない等の問題点があった。
【００１０】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、外部磁界強度並びにレーザパワーを制御することに
より、記録媒体の傾きによらず、最適外部磁界強度並び
にレーザパワーが得られる情報記憶装置を提供すること
を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１は、円
盤状記録媒体に光ビームを照射するとともに、該光ビー
ム照射位置に外部磁界を印加することにより該円盤状記
録媒体に情報を記憶する情報記憶装置において、前記円
盤状記録媒体上で前記光ビームが照射される位置の前記
円盤状記録媒体の円周方向の位置に応じて前記外部磁界
の出力を制御する。
【００１２】本発明の請求項１によれば、記録媒体を周
方向に分割した領域であるセクタ毎に外部磁界を制御す
ることにより、記録媒体の回転角度に応じて外部磁界が
変動することがなくなるため、記録媒体への情報の記憶
を最適に行える。また、本発明の請求項２は、前記記録
媒体の所定数のセクタ毎に前記外部磁界強度を制御する
ようにしてもよい。
【００１３】本発明の請求項２によれば、隣接する所定
数のセクタ毎に外部磁界を制御することにより、外部磁
界の設定値の数を低減でき、小さい回路規模で実現でき
る。本発明の請求項３は、前記記録媒体の半径方向に応
じて前記記録媒体に印加する前記外部磁界強度を制御す
る。本発明の請求項３によれば、記録媒体の回転角だけ
でなく、半径方向の位置に応じて外部磁界強度を制御す
ることにより、記録媒体との傾きだけでなく、記録媒体
の変形に対しても記録媒体に照射される光ビームのパワ
ーを制御できる。
【００１４】請求項４は、前記記録媒体の領域毎の前記
外部磁界強度の設定値が格納された設定メモリと、前記
レーザビームの照射位置のセクタに応じて前記設定メモ
リから前記設定値を読み出し、前記記録媒体に外部磁界
強度を切り換える外部磁界強度切換手段とを外部磁界制
御手段に設ける。請求項４によれば、レーザビームが照
射されるセクタに応じて設定メモリから設定値を読み出
し、外部磁界を切り換えることにより、セクタに応じて
外部磁界強度を制御でき、常に外部磁界を最適なパワー
に保持し、記録媒体への情報の記憶を最適な条件で行え
る。
【００１５】また、設定メモリに、前記設定値として、
前記外部磁界強度の初期値に加算されて用いられるオフ
セット値を格納するようにしてもよい。このようにする
ことにより、外部磁界強度を制御する設定値としてオフ
セット値を格納することにより、外部磁界強度そのもの
を設定値として格納する場合に比べて記憶容量を小さく
でき、小さい回路規模で実現できる。
【００１６】また、前記設定メモリに、前記記録媒体に
テストパターンを書き込み、書き込まれた該テストパタ
ーンを読み出した結果に応じて設定するようにしてもよ
い。このようにすることにより、記録媒体にテストパタ
ーンを書き込み、書き込まれた該テストパターンを読み
出した結果に応じて設定メモリの設定値を設定すること
により、装着された記録媒体に状態に応じて外部磁界を
制御できるので、装着された記録媒体毎に最適な条件で
情報の記憶が行える。
【００１７】また、前記設定メモリを、前記記録媒体が
装着されたときに、設定するようにしてもよい。このよ
うにすることにより、設定メモリの設定値を記録媒体が
装着されたときに、設定することにより、記録媒体毎に
設定値を設定できるので、各記録媒体の状態に応じて外
部磁界を最適状態に制御でき、最適な条件で情報の記憶
が行える。
【００１８】さらに、前記設定メモリを、前記記録媒体
が装着された状態で、所定の時間毎に設定するようにし
てもよい。このようにすることにより、記録媒体が装着
された状態で、所定の時間毎に設定メモリの設定値を設
定することにより、記録媒体が装着されて、設定メモリ
に設定値が設定された後に、回転軸に対する記録媒体の
装着状態が変化しても、所定時間毎に記録媒体の状態に
応じて設定値が設定されるため、常に記録媒体の状態に
応じて外部磁界の制御を行うことができ、装着された記
録媒体の状態に応じた最適な条件で情報の記憶が行え
る。
【００１９】また、前記記録媒体に記録された情報を読
み出すときに前記外部磁界を制御するようにしてもよ
い。このようにすることにより、記録媒体に記録された
情報を読み出すときに記録媒体に印加する外部磁界を制
御することにより、記録媒体に記録された情報を最適な
外部磁界強度で読み出すことができ、読み出した情報の
エラーを低減できる。
【００２０】また、前記記録媒体に情報を記録するとき
に、円盤状記録媒体に印加する外部磁界強度を制御する
ようにしてもよい。このようにすることにより、記録媒
体に情報を記録するときに、記録媒体に印加する外部磁
界を制御することにより、記録媒体に情報を記録する際
に、最適な外部磁界で記録を行うことができるので、記
録媒体に確実に情報を記録できる。
【００２１】請求項５は、前記円盤状記録媒体に照射す
る前記レーザビームの強度を前記円盤状記録媒体上で前
記光ビームが位置する前記円盤状記録媒体の円周方向の
位置に応じて制御するビームパワー制御手段を設ける。
請求項５によれば、外部磁界に加えて記録媒体の回転角
に応じて記録媒体に照射するレーザビームを制御するこ
とにより、記録媒体が回転軸に傾いて装着された場合な
どに、例えば、レーザビームと記録媒体の傾き量が垂直
でなくなった場合には、ビームパワーが大きくなるよう
に制御することにより、記録媒体に照射されるレーザビ
ームパワーを最適なパワーに保持できるため、記録媒体
への情報の記憶を最適に行える。
【００２２】請求項６は、前記ビームパワー制御手段に
より前記記録媒体のセクタ毎に前記レーザビーム照射手
段から前記記録媒体に照射される前記レーザビームのパ
ワーを制御する。請求項６によれば、記録媒体の周方向
を分割した領域であるセクタ毎にレーザビーム照射手段
から記録媒体に照射されるレーザビームのパワーを制御
することにより、記録媒体の回転角度に応じたレーザビ
ームのパワー制御と同等な制御が行えるため、レーザビ
ームと記録媒体の傾き量が垂直でなくなった場合には、
ビームパワーが大きくなるように制御することにより、
外部磁界強度を最適な強度に保持できるとともに、記録
媒体に照射されるレーザビームパワーを最適なパワーに
保持できるため、記録媒体への情報の記憶を最適に行え
る。
【００２３】請求項７は、前記記録媒体の半径方向の位
置に応じて前記記録媒体に照射される前記レーザビーム
のパワーを制御する。請求項７によれば、記録媒体の回
転角だけでなく、半径方向の位置に応じてレーザビーム
照射手段から記録媒体に照射されるレーザビームのパワ
ーを制御することにより、記録媒体の傾斜だけでなく、
記録媒体の変形に対しても記録媒体に照射されるレーザ
ビームのパワーを制御できる。
【００２４】請求項８は、ビームパワー制御手段を前記
記録媒体の領域毎のレーザーパワーの設定値が格納され
た設定メモリを設け、前記レーザビーム照射手段により
レーザビームが照射されるセクタに応じて前記設定メモ
リから前記設定値を読み出し、前記記録媒体に照射する
レーザビームパワーを制御する。請求項８によれば、レ
ーザビームが照射されるセクタに応じて設定メモリから
設定値を読み出し、レーザビーム照射手段から記録媒体
に照射するレーザビームパワーを切り換えることによ
り、セクタに応じてレーザビームパワーを制御でき、外
部磁界だけでなく記録媒体に照射されるレーザビームパ
ワーを最適なパワーに保持し、記録媒体への情報の記憶
を最適な条件で行える。
【００２５】また、本発明は、前記設定メモリに、前記
設定値として、前記レーザパワーの初期値に加算されて
用いられるオフセット値を格納するようにしてもよい。
このようにすることにより、レーザビームパワーを制御
する設定値としてオフセット値を格納することにより、
レーザパワーそのものを設定値として格納する場合に比
べて記憶容量を小さくでき、小さい回路規模で実現でき
る。
【００２６】また、本発明は、前記設定メモリを、前記
記録媒体にテストパターンを書き込み、書き込まれた該
テストパターンを読み出した結果に応じて設定するよう
にしてもよい。このようにすることにより、記録媒体に
テストパターンを書き込み、書き込まれた該テストパタ
ーンを読み出した結果に応じて設定メモリの設定値を設
定することにより、装着された記録媒体に状態に応じて
レーザパワーを制御できるので、装着された記録媒体毎
に最適な条件で情報の記憶が行える。
【００２７】さらに、本発明は、前記設定メモリを、前
記記録媒体が装着されたときに、設定するようにしても
よい。このようにすることにより、設定メモリの設定値
を記録媒体が装着されたときに、設定することにより、
記録媒体毎に設定値を設定できるので、各記録媒体の状
態に応じてレーザパワーを最適状態に制御でき、最適な
条件で情報の記憶が行える。
【００２８】また、本発明は、前記設定メモリを、前記
記録媒体が装着された状態で、所定の時間毎に設定す
る。このようにすることにより、記録媒体が装着された
状態で、所定の時間毎に設定メモリの設定値を設定する
ことにより、記録媒体が装着されて、設定メモリに設定
値が設定された後に、回転軸に対する記録媒体の装着状
態が変化しても、所定時間毎に記録媒体の状態に応じて
設定値が設定されるため、常に記録媒体の状態に応じて
レーザパワーの制御を行うことができ、装着された記録
媒体の状態に応じた最適な条件で情報の記憶が行える。
【００２９】さらに、本発明は、前記ビームパワー制御
手段により、前記記録媒体に記録された情報を読み出す
ときに前記レーザビーム照射手段から前記記録媒体に照
射するレーザビームを制御するようにしてもよい。本発
明によれば、記録媒体に記録された情報を読み出すとき
にレーザビーム照射手段から記録媒体に照射するレーザ
ビームを制御することにより、記録媒体に記録された情
報を最適な外部磁界及びレーザパワーで読み出すことが
でき、読み出した情報のエラーを低減できる。
【００３０】また、本発明は、前記記録媒体に情報を記
録するときに、前記レーザビーム照射手段から前記記録
媒体に照射するレーザビームを制御するようにしてもよ
い。このようにすることにより、記録媒体に情報を記録
するときに、レーザビーム照射手段から記録媒体に照射
するレーザビームを制御することにより、記録媒体に情
報を記録する際に、最適な外部磁界及びレーザパワーで
記録を行うことができるので、記録媒体に確実に情報を
記録できる。
【００３１】さらに、本発明は、円盤状記録媒体にレー
ザビームを照射するとともに、該レーザビーム照射位置
に外部磁界を印加することにより該円盤状記録媒体に情
報を記憶する情報記憶装置に、前記円盤状記録媒体上の
前記レーザビームの照射位置に印加する前記外部磁界の
出力を最適外部磁界強度から予め設定された所定の強度
だけずらせてエラーを検出し、検出エラーに応じて前記
円盤状記録媒体の欠陥を検出する欠陥検出手段を設けて
もよい。
【００３２】本発明によれば、予め決定された最適磁界
強度から円盤状記録媒体上に発生すると思われる欠陥を
予測できるため、情報を記録した後に欠陥が発見される
ことがなく、記憶情報の保護及び情報の信頼性を向上で
きる。なお、欠陥検出手段を設けた情報記憶装置は、製
造時などに媒体欠陥検査装置として用いることもでき
る。
【００３３】
【発明の実施の形態】図６に本発明の第１実施例のブロ
ック構成図を示す。本発明の光ディスクドライブ１は、
主に、コントローラ１０とエンクロージャ１２で構成さ
れる。コントローラ１０には、光ディスクドライブ１の
全体的な制御を行うＭＰＵ１４、上位装置との間でコマ
ンド及びデータのやり取りを行なうインタフェースコン
トローラ１６、光ディスク媒体に対するデータのリー
ド、ライトに必要な処理を行うフォーマッタ１８、ＭＰ
Ｕ１４、インタフェースコントローラ１６及びフォーマ
ッタ１８で共用されるバッファメモリ２０を有する。
【００３４】フォーマッタ１８には、データライト系統
としてエンコーダ２２を介してレーザダイオード制御回
路２４が接続される。レーザダイオード制御回路２４の
制御出力は、エンクロージャ１２側の光学ユニットに設
されたレーザダイオードユニット３０に供給される。レ
ーザダイオードユニット３０は、レーザダイオードとモ
ニタ用の受光素子とが一体化された構成とされている。
【００３５】ＭＰＵ１４には、リードパワーをセクタ毎
に制御するためのリードパワー設定テーブル１４ａ及び
ライトパワーをセクタ毎に制御するためのライトパワー
設定テーブル１４ｂ並びに、外部磁界強度をセクタ毎に
制御するための外部磁界強度設定テーブル１４ｃが内部
メモリ内に設定されている。ＭＰＵ１４は、レーザダイ
オード制御回路２４に接続され、リードパワー設定テー
ブル１４ａ及びライトパワー設定テーブル１４ｂに設定
された設定値に応じてリードパワー及びライトパワーが
制御されるようにレーザダイオード制御回路２４を制御
する。また、ＭＰＵ１４は、外部磁界強度設定テーブル
１４ｃに設定された設定値に応じて電磁石ドライバ回路
４２を制御して外部磁界強度を制御する。
【００３６】また、ＭＰＵ１４には、フォーマッタ１８
が接続されており、ＭＰＵ１４は、装着された媒体が１
２８ＭＢまたは２３０ＭＢか、５４０ＭＢまたは６４０
ＭＢ、１．３ＧＢかを種別を認識し、フォーマッタ１８
に通知する。フォーマッタ１８は、ＭＰＵ１４から通知
された媒体の種別の認識結果に応じて、１２８ＭＢ媒体
であれば、ＰＰＭ記録に対応したフォーマット処理を行
い、２３０ＭＢ、５４０ＭＢまたは６４０ＭＢ、１．３
ＧＢ媒体であれば、ＰＷＭ記録に従ったフォーマット処
理を行う。
【００３７】また、フォーマッタ１８には、データリー
ド系統としては、リードＬＳＩ回路２８がデコーダ２６
に接続される。リードＬＳＩ回路２８には、エンクロー
ジャ１２に設けられたディテクタ３２によりレーザダイ
オードユニット３０からのビームの戻り光の受光信号
が、ヘッドアンプ３４を介して供給される。受光信号に
は、ＩＤ信号及びＭＯ信号を含む。リードＬＳＩ回路２
８にはＡＧＣ回路、フィルタ、セクタマーク検出回路、
シンセサイザ及びＰＬＬ等の回路機能が設けられ、ヘッ
ドアンプ３４から入力されたＩＤ信号及びＭＯ信号から
リードクロック及びリードデータを抽出し、デコーダ２
６に供給する。
【００３８】また、スピンドルモータ４０による媒体の
記録方式としてゾーンＣＡＶを採用していることから、
リードＬＳＩ回路２８に対してはＭＰＵ１４より、内蔵
したシンセサイザに対しゾーン対応のクロック周波数の
切替制御が行われている。ここで、エンコーダ２２の変
調方式及びデコーダ２６の復調方式は、フォーマッタ１
８による媒体種別に応じ、１２８ＭＢについてはＰＰＭ
記録の変調及び復調方式に切り替えられる。一方、２３
０ＭＢ、５４０及び６４０ＭＢ、１．３ＧＢの媒体につ
いては、ＰＷＭ記録の変調及び復調方式に切り替えられ
る。
【００３９】ＭＰＵ１４には、ヘッド部１２側に設けた
温度センサ３６から温度検出信号が供給される。ＭＰＵ
１４は、温度センサ３６で検出した装置内部の環境温度
に基づき、レーザダイオード制御回路２４を制御し、リ
ード、ライト、イレーズの各発光パワーを最適値に制御
するとともに、電磁石ドライバ回路４２を制御し、外部
磁界強度を最適値に制御する。
【００４０】また、ＭＰＵ１４は、ドライバ３８により
ヘッド部１２側に設けたスピンドルモータ４０を制御す
る。ＭＯカートリッジの記録フォーマットはＺＣＡＶで
あり、スピンドルモータ４０が、例えば、３６００ｒｐ
ｍの一定速度に回転するように制御する。さらに、ＭＰ
Ｕ１４は、ドライバ４２を介してヘッド部１２側に設け
た電磁石４４を制御する。電磁石４４は、装置内にロー
ディングされたＭＯカートリッジのビーム照射側と反対
側の面に配置されており、記録時及び消去時、並びに、
再生時に媒体に外部磁界を供給する。
【００４１】ＤＳＰ１５は、媒体に対しレーザダイオー
ド３０からのビームの位置決めを行うためのサーボ機能
を実現する。ＤＳＰ１５には、ＦＥＳ検出回路（フォー
カスエラー信号検出回路）４８からフォーカスエラー信
号が供給されるとともに、ＴＥＳ検出回路（トラッキン
グエラー信号検出回路）５０からトラッキングエラー信
号が供給される。
【００４２】エンクロージャ１２側の光学ユニットに
は、媒体からの戻り光を受光するディテクタ４６が設け
られている。ディテクタ４６は、複数の領域に分割され
ており、媒体からの戻り光の形状に応じて異なる信号レ
ベルが得られるように構成されている。ＦＥＳ検出回路
（フォーカスエラー信号検出回路）４８が、２分割ディ
テクタ４６の受光出力からフォーカスエラー信号Ｅ１を
作成してＤＳＰ１５に入力している。
【００４３】また、ＴＥＳ検出回路（トラッキングエラ
ー信号検出回路）５０が２分割ディテクタ４６の受光出
力からトラッキングエラー信号Ｅ２を作成し、ＤＳＰ１
５に入力している。トラッキングエラー信号Ｅ２はＴＺ
Ｃ回路（トラックゼロクロス検出回路）４５に入力さ
れ、トラックゼロクロスパルスＥ３を作成してＤＳＰ１
５に入力している。
【００４４】更にエンクロージャ１２側には、媒体に対
しレーザビームを照射する対物レンズのレンズ位置を検
出するレンズ位置センサ５２が設けられ、そのレンズ位
置検出信号Ｅ４をＤＳＰ１５に入力している。ＤＳＰ１
５は、ビーム位置決めのため、ドライバ５４，５８，６
２を介してフォーカスアクチュエータ５６、レンズアク
チュエータ６０及びＶＣＭ６４を制御駆動している。
【００４５】ここで、光ディスクドライブ１のエンクロ
ージャの概略について説明する。図７に本発明の第１実
施例の概略構成図を示す。ハウジング６６内にはスピン
ドルモータ４０が設けられ、スピンドルモータ４０の回
転軸のハプに対しインレットドア６８側よりＭＯカート
リッジ７０を挿入することで、内部のＭＯ媒体７２がス
ピンドルモータ４０の回転軸のハブに装着され、ローデ
ィングが行われる。
【００４６】ローディングされたＭＯカートリッジ７０
のＭＯ媒体７２の下側には、キャリッジ７６が配置され
る。キャリッジ７６は、ＶＣＭ６４により媒体トラック
を横切る方向に移動自在とされている。また、キャリッ
ジ７６上には対物レンズ８０が搭載され、固定光学系７
８に設けている半導体レーザからのビームをプリズム８
２を介して入射し、ＭＯ媒体７２の媒体面にビームスポ
ットを結像する。
【００４７】対物レンズ８０は、図７のエンクロージャ
１２に示したフォーカスアクチュエータ５６により光軸
方向に移動制御され、フォーカスの制御を行う。また、
レンズアクチュエータ６０により媒体トラックを横切る
半径方向に、例えば、数十トラックの範囲内で移動さ
れ、トラッキング制御を行う。このキャリッジ７６に搭
載している対物レンズ８０の位置は、図６のレンズ位置
センサ５２により検出される。レンズ位置センサ５２
は、対物レンズ８０の光軸が直上に向かう中立位置でレ
ンズ位置検出信号が０となり、アウタ側への移動とイン
ナ側への移動に対しそれぞれ異なった極性の移動量に応
じたレンズ位置検出信号が出力される。
【００４８】図８に本発明の第１実施例の記録媒体のデ
ータフォーマットを示す図を示す。記録媒体７２は、円
盤状をなし、例えば、同心円状に複数のトラックｔｒが
形成されている。また、媒体７２の円周方向は、ｎ個の
セクタ＃０〜＃（ｎ−１）に分割されている。また、セ
クタ＃０〜＃（ｎ−１）の間には所望のトラックｔｒを
トレースするためのサーボ信号（図示せず）が等間隔に
配置される。なお、サーボ信号は必ずしもセクタ＃０〜
＃（ｎ−１）の間に配置されるとは限らない。
【００４９】次に、ＭＰＵ１４によるレーザビームのリ
ードパワーの設定処理について説明する。図９に本発明
の第１実施例のレーザビームのリードパワー設定処理の
処理フローチャートを示す。ＭＰＵ１４は、リードパワ
ー設定処理を実施される。なお、リードパワー設定処理
の実行タイミングとしては、例えば、記録媒体挿入時や
所定時間毎、あるいは、媒体挿入後に最初に記録・再生
コマンドが供給されたとき、または、エラーリトライ
時、温度変化時などがある。
【００５０】レーザビームのリードパワー設定処理で
は、ＭＰＵ１４は、まず、テストパターンを作成し、バ
ッファメモリ２０に格納する（ステップＳ１−１）。次
に、セクタを識別するために内部に設定される変数Ｎに
「０」を設定する（ステップＳ１−２）。次に、記録媒
体の所定の領域に設定されたテストトラックにポジショ
ニングして、テストトラックのテスト対象セクタＮをイ
レーズする（ステップＳ１−３）。
【００５１】ステップＳ１−３で、テスト対象セクタＮ
がイレーズされると、次にステップＳ１−１でバッファ
メモリ２０に格納されたテストパターンをテスト対象セ
クタＮにライトする（ステップＳ１−４）。このとき媒
体が１２８ＭＢ媒体または２３０ＭＢ媒体であればＰＰ
Ｍ記録を行い、５４０ＭＢ媒体または６４０ＭＢ、１．
３ＧＢ媒体であればＰＷＭ記録を行う。
【００５２】ステップＳ１−４で、ＭＰＵ１４はテスト
対象セクタＮにテストパターンを書き込むと、次に、レ
ーザスポットのパワーをデフォルト値（初期値に相当す
る）に設定し（ステップＳ１−５）、テスト対象セクタ
Ｎからテストパターンをリードする（ステップＳ１−
６）。次に、ステップＳ１−６で、リードしたテストパ
ターンをステップＳ１−１で生成し、バッファメモリ２
０に格納した元のテストパターンと比較して、ビットエ
ラーレートを算出し、ＭＰＵ２０の内部メモリに保存す
る（ステップＳ１−７）。ビットエラーレートｅは、テ
ストパターンの合計ビット数をbit0、リードしたテスト
パターンとバッファメモリ２０に格納した元のテストパ
ターンとの不一致ビット数をbit1とすると、 ｅ＝（bit1）／（bit0） ・・・（１） で求められる。
【００５３】なお、このとき、ＥＣＣ復調回路のエラー
バイト数情報を使う場合には、ビットエラーレートｅ
は、テストパターンの合計バイト数をBYTE0 、リードし
たテストパターンのバッファメモリ２０に格納した元の
テストパターンに対するエラーバイト数をBYTE1 とする
と、 ｅ＝（BYTE1 ）／（BYTE0 ） ・・・（２） で求められる。
【００５４】ステップＳ１−７で、エラーレートｅが算
出されると、次に、リードパワーオフセット値として＋
ｋを設定し、レーザスポットのリードパワーｐをデフォ
ルト値ｐ0 にｋを加算したレーザパワー（ｐ0 ＋ｋ）と
し、ステップＳ１−６に戻って、再び、所定のテスト対
象セクタＮからテストパターンをリードする（ステップ
Ｓ１−８、Ｓ１−９）。
【００５５】上記ステップＳ１−６〜Ｓ１−９を繰り返
し、レーザスポットのリードパワーｐを（ｐ0 ＋ｋ）、
（ｐ0 ＋２ｋ）・・・・（ｐ0 ＋(i-1) ｋ）、（ｐ0 ＋
ｉｋ）、及び、（ｐ0 −ｋ）、（ｐ0 −２ｋ）・・・・
（ｐ0 −(i-1) ｋ）、（ｐ0−ｉｋ）でのビットエラー
レートｅ0,N 、ｅ1,N ・・・ｅ(i-1),N 、ｅi,N 、及
び、ｅ-1,N・・・ｅ(-(i-1)),N、ｅ-i,Nを求めて保存す
る。
【００５６】上記ステップＳ１−６〜Ｓ１−９の処理を
繰り返すことにより、セクタＮにおけるリードパワーに
対するエラーレートの特性が得られる。なお、このと
き、電磁石４４で発生される外部磁界は一定、例えば、
リード時のデフォルト値となるように制御される。図１
０に本発明の第１実施例のレーザビームのリードパワー
に対するエラーレートの一例の特性図を示す。
【００５７】図１０に示すように、レーザビームのリー
ドパワー（ｐ0 −ｉｋ）〜（ｐ0 ＋ｉｋ）でエラーレー
トがｅmin 〜ｅi,N で変化し、略Ｕ字状の特性が得られ
る。図９の特性において、最小のエラーレートｅmin と
なるリードパワー（ｐ0 ＋Δｐmin ）が最適リードパワ
ーとなる。よって、ＭＰＵ１４は、ステップＳ１−６〜
Ｓ１−９の処理で求められ、保存されたエラーレートの
うち最小となるエラーレートを選択し、そのときのリー
ドパワーオフセットΔｐmin をセクタＮのリードパワー
を設定するリードパワー設定テーブル１４ａに格納する
（ステップＳ１−１０、Ｓ１−１１）。
【００５８】次に、ＭＰＵ１４は、セクタを識別する変
数Ｎを順次（Ｎ＋１）とし、変数Ｎが記録媒体に設定さ
れるセクタ数ｎとなるまで、ステップＳ１−３〜Ｓ１−
１１を繰り返し、記録媒体に設定される全てのセクタ＃
０〜＃（ｎ−１）に対して最適リードパワーオフセット
を求め、リードパワー設定テーブル１４ａに格納する
（ステップＳ１−１２、Ｓ１−１３）。
【００５９】図１１に本発明の第１実施例のレーザビー
ムのリードパワー設定テーブルのデータ構成図を示す。
リードパワー設定テーブル１４ａは、例えば、ＭＰＵ１
４の内部メモリに設定される。リードパワー設定テーブ
ル１４ａは、図１０に示されるように、ｎ個のセクタ＃
０〜＃（ｎ−１）に分割されているとすると、セクタ＃
０〜＃（ｎ−１）毎にリードパワーオフセット値Δｐ0
〜Δｐ(n-1) が設定される。
【００６０】図９に示すリードパワー設定処理によりリ
ードパワー設定テーブル１４ａにセクタ＃０〜＃（ｎ−
１）毎のリードパワーオフセット値Δｐ0 〜Δｐ(n-1)
が設定される。記録媒体からのデータのリード時には、
リードパワー設定テーブル１４ａに設定されたリードパ
ワーオフセット値Δｐ0 〜Δｐ(n-1) によりリードパワ
ーが制御され、データのリードが行われる。
【００６１】なお、本実施例のリードパワー設定処理で
はエラーレートの測定は各リードパワーに対して１回し
か行われていないが、複数回繰り返し、その平均を求め
ることにより、エラーレートの測定を精度良く行え、高
精度にリードパワーを制御できる。また、加えて、テス
トパターンを代えて行うことによりエラーレートの測定
をさらに精度良く行え、高精度にリードパワーを制御で
きる。
【００６２】次に、ＭＰＵ１４による外部磁界強度の設
定処理について説明する。図１２に本発明の第１実施例
の外部磁界強度設定処理の処理フローチャートを示す。
ＭＰＵ１４は、外部磁界強度設定処理を実行する。な
お、外部磁界強度設定処理の実行タイミングとしては、
例えば、記録媒体挿入時や所定時間毎、あるいは、媒体
挿入後に最初に記録・再生コマンドが供給されたとき、
または、エラーリトライ時、温度変化時などがある。
【００６３】外部磁界強度の設定処理では、ＭＰＵ１４
は、まず、テストパターンを作成し、バッファメモリ２
０に格納する（ステップＳ２−１）。次に、セクタを識
別するために内部に設定される変数Ｎに「０」を設定す
る（ステップＳ２−２）。次に、記録媒体の所定の領域
に設定されたテストトラックにポジショニングして、テ
ストトラックのテスト対象セクタＮをイレーズする（ス
テップＳ２−３）。
【００６４】ステップＳ２−３で、テスト対象セクタＮ
がイレーズされると、次にステップＳ１−１でバッファ
メモリ２０に格納されたテストパターンをテスト対象セ
クタＮにライトする（ステップＳ２−４）。このとき媒
体が１２８ＭＢ媒体または２３０ＭＢ媒体であればＰＰ
Ｍ記録を行い、５４０ＭＢ媒体または６４０ＭＢ、１．
３ＧＢ媒体であればＰＷＭ記録を行う。
【００６５】ステップＳ２−４で、ＭＰＵ１４はテスト
対象セクタＮにテストパターンを書き込むと、次に、レ
ーザスポットのパワー及び外部磁界強度をデフォルト値
（初期値に相当する）に設定し（ステップＳ２−５）、
テスト対象セクタＮからテストパターンをリードする
（ステップＳ２−６）。次に、ステップＳ２−６で、リ
ードしたテストパターンをステップＳ２−１で生成し、
バッファメモリ２０に格納した元のテストパターンと比
較して、ビットエラーレートを算出し、ＭＰＵ２０の内
部メモリに保存する（ステップＳ２−７）。ビットエラ
ーレートｅは、レーザパワー設定処理時と同様に算出さ
れる。
【００６６】ステップＳ２−７で、エラーレートｅが算
出されると、次に、外部磁界強度をオフセット値として
＋ｋを設定し、外部磁界強度ｍをデフォルト値ｍ0 にｋ
を加算した外部磁界強度（ｍ0 ＋ｋ）とし、ステップＳ
２−６に戻って、再び、所定のテスト対象セクタＮから
テストパターンをリードする（ステップＳ２−８、Ｓ２
−９）。
【００６７】上記ステップＳ２−６〜Ｓ２−９を繰り返
し、外部磁界強度ｍを（ｍ0 ＋ｋ）、（ｍ0 ＋２ｋ）・
・・・（ｍ0 ＋(i-1) ｋ）、（ｍ0 ＋ｉｋ）、及び、
（ｍ0−ｋ）、（ｍ0 −２ｋ）・・・・（ｍ0 −(i-1)
ｋ）、（ｍ0 −ｉｋ）としたときのビットエラーレート
ｅｍ0,N 、ｅｍ1,N ・・・ｅｍ(i-1),N 、ｅｍi,N 、及
び、ｅｍ-1,N・・・ｅｍ(-(i-1)),N、ｅｍ-i,Nを求めて
保存する。
【００６８】上記ステップＳ２−６〜Ｓ２−９の処理を
繰り返すことにより、セクタＮにおける外部磁界強度ｍ
に対するエラーレートｅｍの特性が得られる。なお、こ
のとき、レーザパワーは、一定、例えば、リード時のデ
フォルト値となるように制御される。上記外部磁界強度
設定処理により保存された外部磁界強度ｍとビットエラ
ーレートｅｍとから得られる特性から最適外部磁界強度
を得る。
【００６９】図１３に本発明の第１実施例の外部磁界強
度に対するエラーレートの一例の特性図を示す。図１３
に示すように、電磁石４４で発生される外部磁界強度
（ｍ0 −ｉｋ）〜（ｍ0 ＋ｉｋ）で略Ｕ字状のエラーレ
ートの特性が得られる。図１３の特性において、エラー
レートが略平坦になり、かつ、比較的小さい外部磁界強
度となる外部磁界強度が最適外部磁界強度とする。すな
わち、エラーレートが小さく、かつ、記録媒体への影響
が小さいとともに消費電流が小さくて済む外部磁界強度
を最適磁界強度として選択する。
【００７０】例えば、外部磁界強度ｍを増加されてもエ
ラーレートｅｍの状態が変化しない状態がｎ回連続した
ときの磁界強度を最適外部磁界強度とする。図１４に本
発明の第１実施例の外部磁界強度設定テーブルのデータ
構成図を示す。外部磁界強度設定テーブル１４ｃは、例
えば、ＭＰＵ１４の内部メモリに設定される。外部磁界
強度設定テーブル１４ｃは、図１４に示されるように、
ｎ個のセクタ＃０〜＃（ｎ−１）に分割されているとす
ると、セクタ＃０〜＃（ｎ−１）毎にリードパワーオフ
セット値Δｍ0 〜Δｍ(n-1) が設定される。
【００７１】図１２に示す外部磁界強度設定処理により
外部磁界強度設定テーブル１４ｃにセクタ＃０〜＃（ｎ
−１）毎の外部磁界強度オフセット値Δｍ0 〜Δｍ(n-
1) が設定される。記録媒体からのデータのリード時に
は、外部磁界強度設定テーブル１４ｂに設定された外部
磁界強度オフセット値Δｍ0 〜Δｍ(n-1) により外部磁
界強度が制御され、データのリードが行われる。
【００７２】なお、本実施例の外部磁界強度設定処理で
はエラーレートの測定は各外部磁界強度に対して１回し
か行われていないが、複数回繰り返し、その平均を求め
ることにより、エラーレートの測定を精度良く行え、高
精度に外部磁界強度を制御できる。また、加えて、テス
トパターンを代えて行うことによりエラーレートの測定
をさらに精度良く行え、高精度に外部磁界強度を制御で
きる。
【００７３】なお、本実施例では、各セクタ毎に最適リ
ードパワーオフセット値及び最適外部磁界強度オフセッ
ト値を求め、設定したが、全てのセクタのエラーレート
を求め、エラーレートテーブルに格納した後に、エラー
レートテーブルに格納されたエラーレートに応じて最適
リードパワーオフセット値及び最適外部磁界強度オフセ
ット値を求めるようにしてもよい。
【００７４】図１５に本発明の第１実施例のリードパワ
ー設定処理の変形例の処理フローチャートを示す。同図
中、図９と同一処理部分には同一符号を付し、その説明
は省略する。本変形例では、全てのセクタのエラーレー
トを求め、エラーレートテーブルに格納した後に、エラ
ーレートテーブルに格納されたエラーレートに応じて最
適リードパワーオフセット値を求めるものである。
【００７５】本変形例では、所定のテスト対象セクタ
で、ステップＳ１−６〜Ｓ１−９を繰り返すことにより
求められたビットエラーレートが保存される。所定のテ
スト対象セクタに対するエラーレートが保存されると、
テスト対象セクタを識別する変数Ｎが「＋１」されて、
次のテスト対象セクタに対してステップＳ１−６〜Ｓ１
−９が繰り返され、エラーレートが保存され、変数Ｎが
記録媒体７２の全セクタ数ｎになるまで繰り返される
（ステップＳ１−１４、Ｓ１−１５）。なお、エラーレ
ートテーブル１４ｄは、例えば、ＭＰＵ１４の内部メモ
リに設定される。
【００７６】なお、このとき、電磁石４４で発生される
外部磁界強度は、リード時のデフォルト値に制御され
る。図１６に本発明の第１実施例のリードパワー設定処
理の変形例で用いられるエラーレートテーブルのデータ
構成図を示す。エラーレートテーブル１４ｄは、ステッ
プＳ１−９で設定されるセクタ＃０〜＃（ｎ−１）毎に
エラービットレートが格納される構成とされている。ま
た、エラービットレート格納部は、ステップＳ１−５、
Ｓ１−９で設定されるレーザパワーオフセット値毎にエ
ラービットレートが設定される構成とされている。
【００７７】例えば、セクタ＃０をデフォルトパワーｐ
0 、オフセット「０」で読み取ったときの、エラーレー
トがｅ0,0 であるとすると、セクタ＃０、パワーオフセ
ット「０」の位置にエラーレートｅ0,0 が格納される。
また、例えば、セクタ＃（ｎ−１）をリードパワーｐ0
＋（（ｉ−１）＊ｋ）、オフセット「（ｉ−１）＊ｋ」
で読み取ったときの、エラーレートがｅ(i+1),(n-1) あ
るとすると、セクタ＃０、パワーオフセット「（ｉ−
１）＊ｋ」の位置にはエラーレートｅ(i+1),(n-1) が格
納される。
【００７８】ステップＳ１−３〜Ｓ１−１５を繰り返す
ことにより、図１３に示すようなエラーレートテーブル
１４ｃが作成される。本変形例では、エラーレートテー
ブル１４ｂが作成された後、各セクタ＃０〜＃（ｎ−
１）毎にエラーレートが最小となるパワーオフセット値
を求め、エラーレートが最小となるパワーオフセット値
をリードパワー設定テーブル１４ａに格納する（ステッ
プＳ１−１６、Ｓ１−１７）。以上により、図１１と同
様なリードパワー設定テーブル１４ａが生成される。
【００７９】図１７に本発明の第１実施例の外部磁界強
度設定処理の変形例の処理フローチャートを示す。同図
中、図１２と同一処理部分には同一符号を付し、その説
明は省略する。本変形例では、全てのセクタのエラーレ
ートを求め、エラーレートテーブルに格納した後に、エ
ラーレートテーブルに格納されたエラーレートに応じて
最適外部磁界強度オフセット値を求めるものである。
【００８０】本変形例では、所定のテスト対象セクタ
で、ステップＳ２−６〜Ｓ２−９を繰り返すことにより
求められたビットエラーレートが保存される。所定のテ
スト対象セクタに対するエラーレートが保存されると、
テスト対象セクタを識別する変数Ｎが「＋１」されて、
次のテスト対象セクタに対してステップＳ１−６〜Ｓ１
−９が繰り返され、エラーレートが保存され、変数Ｎが
記録媒体７２の全セクタ数ｎになるまで繰り返される
（ステップＳ２−１４、Ｓ２−１５）。なお、エラーレ
ートテーブル１４ｄは、例えば、ＭＰＵ１４の内部メモ
リに設定される。
【００８１】なお、このとき、レーザーパワーはリード
時のデフォルト値に制御される。図１８に本発明の第１
実施例の外部磁界強度設定処理の変形例で用いられるエ
ラーレートテーブルのデータ構成図を示す。外部磁界強
度エラーレートテーブル１４ｅは、ステップＳ２−９で
設定されるセクタ＃０〜＃（ｎ−１）毎にエラービット
レートが格納される構成とされている。また、エラービ
ットレート格納部は、ステップＳ２−５、Ｓ２−９で設
定される外部磁界強度オフセット値毎にエラービットレ
ートが設定される構成とされている。
【００８２】例えば、セクタ＃０をデフォルトパワーｍ
0 、オフセット「０」で読み取ったときの、エラーレー
トがｅｍ0,0 であるとすると、セクタ＃０、オフセット
「０」の位置にエラーレートｅｍ0,0 が格納される。ま
た、例えば、セクタ＃（ｎ−１）を外部磁界強度ｍ0 ＋
（（ｉ−１）＊ｋ）、オフセット「（ｉ−１）＊ｋ」で
読み取ったときの、エラーレートがｅｍ(i+1),(n-1) あ
るとすると、セクタ＃０、パワーオフセット「（ｉ−
１）＊ｋ」の位置にはエラーレートｅｍ(i+1),(n-1) が
格納される。
【００８３】ステップＳ２−３〜Ｓ２−１５を繰り返す
ことにより、図１８に示すような外部磁界強度エラーレ
ートテーブル１４ｅが作成される。本変形例では、エラ
ーレートテーブル１４ｄが作成された後、各セクタ＃０
〜＃（ｎ−１）毎にエラーレートが最小となるパワーオ
フセット値を求め、エラーレートが最小となる外部磁界
強度パワーオフセット値を外部磁界強度設定テーブル１
４ｂに格納する（ステップＳ２−１６、Ｓ２−１７）。
以上により、図１４と同様な外部磁界強度設定テーブル
１４ｂが生成される。
【００８４】ホストからリードコマンドが供給されたと
きには、リードパワー設定テーブル１４ａ、外部磁界強
度設定テーブル１４ｃに設定されたパワーオフセット値
及び外部磁界強度オフセット値に応じてリードパワーが
制御される。次にリード処理時の動作を説明する。図１
９に本発明の第１実施例のリード処理の処理フローチャ
ートを示す。
【００８５】リード処理時にはホストからリードコマン
ドが供給される（ステップＳ３−１）。ホストから供給
されるリードコマンドとしては、例えば、トラックＴの
セクタＳからｍセクタ分のデータを読み出すというよう
なコマンドが供給される。次に、セクタＭとしてステッ
プＳ３−１で指定されたセクタＳを代入する（ステップ
Ｓ３−２）。
【００８６】次に、トラックＴのセクタＭにビームスポ
ットが移動するように制御を行う（ステップＳ３−
３）。ステップＳ３−３での移動制御によりビームスポ
ットがトラックＴのセクタＭに移動すると、設定テーブ
ルのトラックＴ、セクタＭに対応する位置に格納された
レーザパワーオフセット値及び外部磁界強度オフセット
値を読み出し、ビームスポットの出力レーザパワーとし
てセットする（ステップＳ３−４）。レーザスポット
は、パワーオフセット値が設定テーブルに格納されたレ
ーザパワーオフセット値を設定され、最適な値に設定さ
れる。また、外部磁界強度は、外部磁界強度オフセット
値により最適な値に設定される。
【００８７】次に、レーザスポットが次にセクタ（Ｍ＋
１）に移動すると（ステップＳ３−５）、Ｍを（Ｍ＋
１）にセットする（ステップＳ３−６）。次に、Ｍが
（Ｓ＋ｍ）となったか否かを判定する（ステップＳ３−
７）。ステップＳ３−７で、Ｍが（Ｓ＋ｍ）に達したと
判断された場合には、レーザスポットがセクタＳからｍ
セクタ分のデータを走査し、読み出したことになるの
で、リードコマンドを終了する。
【００８８】また、ステップＳ３−７で、Ｍが（Ｓ＋
ｍ）に達していないと判断された場合には、ステップＳ
３−４に戻って、セクタＭ（＝Ｓ＋１）に応じたレーザ
パワーオフセット値及び外部磁界オフセット値をリード
パワー設定テーブル１４ａ及び外部磁界強度設定テーブ
ル１４ｂから読み出し、レーザスポットのレーザパワー
及び外部磁界強度を制御する。
【００８９】以上により、予めリードパワー設定テーブ
ル１４ａ及び外部磁界強度設定テーブル１４ｂに設定さ
れたレーザパワーオフセット値及び外部磁界強度オフセ
ット値で、レーザスポットのレーザパワー及び外部磁界
強度が制御されるので、最適なレーザパワー及び外部磁
界強度でデータの読み出しを行える。なお、上記はリー
ドパワー設定処理、リード処理について説明したが、ラ
イトパワーについても同様に設定処理が行われ、ライト
処理時には、ライトパワー設定処理により設定された設
定値に応じてライトパワーが制御される。
【００９０】図２０に本発明の第１実施例のレーザビー
ムのライトパワー設定処理の処理フローチャートを示
す。ＭＰＵ１４は、ライトパワー設定処理を実施する。
なお、ライトパワー設定処理の実行タイミングとして
は、例えば、記録媒体挿入時や所定時間毎、あるいは、
媒体挿入後に最初に記録・再生コマンドが供給されたと
き、または、エラーリトライ時、温度変化時などがあ
る。
【００９１】ライトパワー設定処理では、ＭＰＵ１４
は、まず、テストパターンを作成し、バッファメモリ２
０に格納する（ステップＳ１−２１）。次に、セクタを
識別するために内部に設定される変数Ｎに「０」を設定
する（ステップＳ１−２２）。また、ライトパワーをデ
フォルト値に設定する（ステップＳ１−２３）。
【００９２】次に、記録媒体の所定の領域に設定された
テストトラックにポジショニングして、テストトラック
のテスト対象セクタＮをイレーズする（ステップＳ１−
２４）。ステップＳ１−２４で、テスト対象セクタＮが
イレーズされると、次にステップＳ１−２１でバッファ
メモリ２０に格納されたテストパターンをテスト対象セ
クタＮにライトする（ステップＳ１−２５）。このとき
媒体が１２８ＭＢ媒体または２３０ＭＢ媒体であればＰ
ＰＭ記録を行い、５４０ＭＢ媒体または６４０ＭＢ媒体
であればＰＷＭ記録を行う。
【００９３】ステップＳ１−２５で、ＭＰＵ１４はテス
ト対象セクタＮにテストパターンを書き込むと、次に、
テスト対象セクタＮからテストパターンをリードする
（ステップＳ１−２６）。次に、リードパワー設定処理
と同様に、ステップＳ１−２６でリードしたテストパタ
ーンをステップＳ１−２１で生成し、バッファメモリ２
０に格納した元のテストパターンと比較して、ビットエ
ラーレートを算出し、ＭＰＵ２０の内部メモリに保存す
る（ステップＳ１−２７）。
【００９４】ステップＳ１−２７で、エラーレートｅが
算出されると、次に、ライトパワーオフセット値として
＋ｋを設定し、ビームスポットのライトパワーｐをデフ
ォルト値ｐ0 にｋを加算したレーザパワー（ｐ0 ＋ｋ）
とし、ステップＳ１−２４に戻って、再び、テストトラ
ックをイレーズし、テストパターンをライトした後、テ
ストパターンをリードする（ステップＳ１−２８、Ｓ１
−２９）。
【００９５】上記ステップＳ１−２４〜Ｓ１−２９を繰
り返し、レーザスポットのライトパワーｐを（ｐ0 ＋
ｋ）、（ｐ0 ＋２ｋ）・・・・（ｐ0 ＋(i-1) ｋ）、
（ｐ0 ＋ｉｋ）、及び、（ｐ0 −ｋ）、（ｐ0 −２ｋ）
・・・・（ｐ0 −(i-1) ｋ）、（ｐ0 −ｉｋ）でのビッ
トエラーレートｅ0,N 、ｅ1,N ・・・ｅ(i-1),N 、ｅi,
N、及び、ｅ-1,N・・・ｅ(-(i-1)),N、ｅ-i,Nを求めて
保存する。
【００９６】上記ステップＳ１−２４〜Ｓ１−２９の処
理を繰り返すことにより、セクタＮにおけるライトパワ
ーに対するエラーレートの特性が得られる。ＭＰＵ１４
は、ステップＳ１−２４〜Ｓ１−２９の処理で求めら
れ、保存されたエラーレートのうち最小となるエラーレ
ートを選択し、そのときのライトパワーオフセットΔｐ
min をセクタＮのライトパワーを設定するライトパワー
設定テーブル１４ｂに格納する（ステップＳ１−３０、
Ｓ１−３１）。
【００９７】次に、ＭＰＵ１４は、セクタを識別する変
数Ｎを順次（Ｎ＋１）とし、変数Ｎが記録媒体に設定さ
れるセクタ数ｎとなるまで、ステップＳ１−２３〜Ｓ１
−３１を繰り返し、記録媒体に設定される全てのセクタ
＃０〜＃（ｎ−１）に対して最適ライトパワーオフセッ
トを求め、ライトパワー設定テーブル１４ｂに格納する
（ステップＳ１−３２、Ｓ１−３３）。
【００９８】このとき、電磁石４４で発生される外部磁
界はライト時のデフォルト値となるように制御される。
図２１に本発明の第１実施例の外部磁界強度設定処理の
処理フローチャートを示す。ＭＰＵ１４では、ライトパ
ワー設定処理と同様に記録媒体挿入時や所定時間毎に、
外部磁界強度設定処理が実施される。
【００９９】ライトパワー設定処理では、ＭＰＵ１４
は、まず、テストパターンを作成し、バッファメモリ２
０に格納する（ステップＳ２−２１）。次に、セクタを
識別するために内部に設定される変数Ｎに「０」を設定
する（ステップＳ２−２２）。また、外部磁界強度をデ
フォルト値に設定する（ステップＳ２−２３）。
【０１００】次に、記録媒体の所定の領域に設定された
テストトラックにポジショニングして、テストトラック
のテスト対象セクタＮをイレーズする（ステップＳ２−
２４）。ステップＳ２−２４で、テスト対象セクタＮが
イレーズされると、次にステップＳ２−２１でバッファ
メモリ２０に格納されたテストパターンをテスト対象セ
クタＮにライトする（ステップＳ２−２５）。このとき
媒体が１２８ＭＢ媒体または２３０ＭＢ媒体であればＰ
ＰＭ記録を行い、５４０ＭＢ媒体または６４０ＭＢ媒
体、１．３ＧＢであればＰＷＭ記録を行う。
【０１０１】ステップＳ２−２５で、ＭＰＵ１４はテス
ト対象セクタＮにテストパターンを書き込むと、次に、
テスト対象セクタＮからテストパターンをリードする
（ステップＳ２−２６）。次に、リード時の外部磁界設
定処理と同様に、ステップＳ２−２６でリードしたテス
トパターンをステップＳ２−２１で生成し、バッファメ
モリ２０に格納した元のテストパターンと比較して、ビ
ットエラーレートを算出し、ＭＰＵ２０の内部メモリに
保存する（ステップＳ２−２７）。
【０１０２】ステップＳ２−２７で、エラーレートｅが
算出されると、次に、外部磁界強度オフセット値として
＋ｋを設定し、外部磁界強度をデフォルト値ｐ０にｋを
加算した外部磁界強度（ｐ0 ＋ｋ）とし、ステップＳ１
−２４に戻って、再び、テストトラックをイレーズし、
テストパターンをライトした後、テストパターンをリー
ドする（ステップＳ２−２８、Ｓ２−２９）。
【０１０３】上記ステップＳ２−２４〜Ｓ２−２９を繰
り返し、外部磁界強度ｍを（ｍ0 ＋ｋ）、（ｍ0 ＋２
ｋ）・・・・（ｍ0 ＋(i-1) ｋ）、（ｍ0 ＋ｉｋ）、及
び、（ｍ0 −ｋ）、（ｍ0 −２ｋ）・・・・（ｍ0 −(i
-1) ｋ）、（ｍ0 −ｉｋ）でのビットエラーレートｅｍ
0,N 、ｅｍ1,N ・・・ｅｍ(i-1),N 、ｅｍi,N 、及び、
ｅｍ-1,N・・・ｅｍ(-(i-1)),N、ｅ-i,Nを求めて保存す
る。
【０１０４】上記ステップＳ２−２４〜Ｓ２−２９の処
理を繰り返すことにより、セクタＮにおけるライト時の
外部磁界強度に対するエラーレートの特性が得られる。
ＭＰＵ１４は、ステップＳ２−２４〜Ｓ２−２９の処理
で求められ、保存されたエラーレートのうち最小となる
エラーレートを選択し、そのときのライト時の外部磁界
強度のオフセットΔｍmin をライト時の外部磁界強度設
定テーブル１４ｃに格納する（ステップＳ２−３０、Ｓ
２−３１）。
【０１０５】次に、ＭＰＵ１４は、セクタを識別する変
数Ｎを順次（Ｎ＋１）とし、変数Ｎが記録媒体に設定さ
れるセクタ数ｎとなるまで、ステップＳ１−２３〜Ｓ１
−３１を繰り返し、記録媒体に設定される全てのセクタ
＃０〜＃（ｎ−１）に対して最適ライト時の外部磁界強
度のオフセットを求め、ライト時の外部磁界強度設定テ
ーブル１４ｂに格納する（ステップＳ１−３２、Ｓ１−
３３）。
【０１０６】このとき、ライトレーザパワー及びリード
レーザパワーは、デフォルト値となるように制御され
る。なお、ライトパワー設定テーブル１４ｂ、外部磁界
強度設定テーブル１４ｃは、図１１、図１４に示すリー
ドパワー設定テーブル１４ａ及び外部磁界強度設定テー
ブル１４ｃと同様であるので、その説明は省略する。
【０１０７】また、リードパワー設定処理と同様に、全
てのセクタのエラーレートを求め、エラーレートテーブ
ルに格納した後に、エラーレートテーブルに格納された
エラーレートに応じて最適ライトパワーオフセット値を
求めるてもよい。ライト時には以上のようにして求めら
れたライトパワー設定テーブル１４ｂ、外部磁界強度設
定テーブル１４ｃに基づいてレーザビームのライトパワ
ー及び外部磁界強度が制御され、情報の書き込みが行わ
れる。
【０１０８】図２２に本発明の第１実施例のライト処理
の処理フローチャートを示す。ライト処理では、リード
処理と同様に、ホストからライトコマンドが供給される
（ステップＳ４−１１）。ホストから供給されるライト
コマンドとしては、例えば、トラックＴのセクタＳから
ｍセクタ分のデータをライトするコマンドが供給され
る。
【０１０９】次に、セクタＭとしてステップＳ４−１１
で指定されたセクタＳを代入する（ステップＳ４−１
２）。次に、トラックＴのセクタＭにビームスポットが
移動するように制御を行う（ステップＳ４−１３）。ス
テップＳ４−１３での移動制御によりビームスポットが
トラックＴのセクタＭに移動すると、ライトパワー設定
テーブル１４ｂ及びライト時の外部磁界強度設定テーブ
ル１４ｃのトラックＴ、セクタＭに対応する位置に格納
されたレーザパワーオフセット値及び外部磁界強度オフ
セット値を読み出し、ビームスポットの出力レーザパワ
ーとしてセットし、データがライトされる（ステップＳ
４−１４）。レーザスポットは、パワーオフセット値が
ライトパワー設定テーブル１４ｂに格納されたレーザパ
ワーオフセット値に設定され、最適なライトパワーに設
定される。外部磁界強度は、外部磁界強度オフセット値
が外部磁界強度設定テーブル１４ｃに格納された外部磁
界強度オフセット値により制御される。
【０１１０】次に、レーザスポットが次にセクタ（Ｍ＋
１）に移動すると（ステップＳ４−１５）、Ｍを（Ｍ＋
１）にセットする（ステップＳ４−１６）。次に、Ｍが
（Ｓ＋ｍ）となったか否かを判定する（ステップＳ４−
１７）。ステップＳ４−１７で、Ｍが（Ｓ＋ｍ）に達し
たと判断された場合には、レーザスポットがセクタＳか
らｍセクタ分を走査し、データをライトして、ライトコ
マンドを終了する。
【０１１１】また、ステップＳ４−１７で、Ｍが（Ｓ＋
ｍ）に達していないと判断された場合には、ステップＳ
４−１４に戻って、セクタＭ（＝Ｓ＋１）に応じたレー
ザパワーオフセット値をライトパワー設定テーブル１４
ｂから読み出し、レーザスポットのレーザパワーを制御
する。このように、本実施例によれば、セクタ及びブロ
ック毎に予め最適値となるように設定されたレーザパワ
ーオフセット値及び外部磁界強度オフセット値によりレ
ーザスポットのレーザパワー及び電磁石４４で発生され
る外部磁界強度を制御することにより、記録媒体に照射
されるレーザスポットのレーザパワー及び記録媒体に印
加される外部磁界強度をセクタ毎に最適値に制御できる
ので、記録媒体がスピンドルモータの回転軸に対して直
交しなくても、直交していない状態で予め最適なレーザ
パワーオフセット値及び外部磁界強度オフセット値を測
定して、設定された設定テーブルからセクタ及びブロッ
クに応じてレーザパワーオフセット値及び外部磁界強度
を読み出してレーザスポットのレーザパワー及び外部磁
界を制御するので、データの読み取り、書き込み等を確
実に行える。
【０１１２】このように、外部磁界を印加することによ
り再生を行うＭＳＲなどの媒体では、外部磁界強度が適
切でないと、記録媒体に書き込まれた情報を読み出せな
くなるため、本実施例のように外部磁界強度を制御する
ことにより、確実に記録媒体から情報を読み出すことが
できる。なお、本実施例では、ＭＳＲなどの記録媒体に
対応するために記録・再生時の両方で外部磁界強度を最
適値に制御する場合について説明したが、再生時に外部
磁界強度を印加する必要がない記録媒体に適用する場合
には、記録時のみ外部磁界強度を最適値に制御すればよ
い。
【０１１３】また、本実施例では、ライト／リード時の
レーザーパワー及び外部磁界強度を設定し、制御する場
合について説明したが、光磁気記録では、通常、イレー
ス、ライト、リードを行っており、ライト／リードと同
様にイレース時にもレーザーパワー及び外部磁界強度を
設定し、制御するようにしてもよい。なお、以上のよう
にして設定された最適ライト／リードパワー及び外部磁
界強度を用いて光磁気ディスクの欠陥を検出するように
してもよい。すなわち、最適ライト／リードパワー及び
最適外部磁界強度においては情報のリードライトに最適
なライト／リードパワー及び外部磁界強度が設定され
る。
【０１１４】このため、最適ライト／リードパワー及び
最適外部磁界強度において、情報が正しくライト／リー
ドできない場合には、記録媒体自体に欠陥があると判断
できる。このとき、外部磁界強度を最適外部磁界強度か
らずれた強度とすることにより、欠陥を確実に検出でき
る。図２３は本発明の第１実施例の欠陥検出を行うとき
のパラメータ取得処理の処理フローチャートを示す。
【０１１５】欠陥検出を行うときには、まず、最適ライ
ト／リードパワー及び最適外部磁界強度を取得する。ま
ず、上記図９、図１２、図１５、図１７、図２０、図２
１によりレーザビームの最適ライト／リードパワー及び
最適ライト／リード外部磁界強度を取得し、記憶する
（ステップＳ１０−１〜Ｓ１０−４）。
【０１１６】欠陥は、上記ステップＳ１０−１〜Ｓ１０
−４で取得された最適ライト／リードパワーで、外部磁
界強度を最適ライト／リード外部磁界強度からわずかに
ずらした値に設定してリードライトを行い、そのときの
エラーを検出することにより検出される。ここで、欠陥
検出処理について説明する。
【０１１７】図２４は本発明の第１実施例の媒体欠陥検
出処理の処理フローチャートを示す。媒体欠陥検出処理
は、ホストからの媒体検査指示に応じて実行される。ホ
ストから媒体検査指示が供給されると、媒体検査開始セ
クタが検査対象セクタとして設定される（ステップＳ１
１−１）。
【０１１８】ステップＳ１１−１で媒体開始セクタが検
査対象セクタに設定されると、まず、媒体開始セクタに
おける最適ライト／リードパワー及び最適ライト／リー
ド外部磁界強度を読み出し、ライト／リードパワーを最
適ライト／リードパワーに設定し、外部磁界強度を最適
外部磁界強度の９０％に設定する（ステップＳ１１−
２）。
【０１１９】次に、ステップＳ１１−２で設定された最
適ライト／リードパワー及び最適ライト／リードの９０
％の外部磁界強度で検査対象セクタにリードライトを行
う（ステップＳ１１−３）。次に、ステップＳ１１−３
でのライト／リードの結果、再生エラーが検出されたか
否かが判定される（ステップＳ１１−４）。
【０１２０】ステップＳ１１−４で、再生エラーが検出
されると、媒体欠陥処理が行われる（ステップＳ１１−
５）。ステップＳ１１−２〜Ｓ１１−５の処理をセクタ
番号を１つずつ増加させつつ、実行することにより全セ
クタについて実行する（ステップＳ１１−６）。ステッ
プＳ１１−５の媒体欠陥処理は、再生エラーが検出され
たセクタを欠陥セクタとしてディフェクトリストに登録
する処理である。ディフェクトリストは、媒体上のコン
トロール領域に記憶され、媒体に情報を記録再生すると
きに、読み出される。ディフェクトリストに記録された
ディフェクト情報により欠陥セクタに情報が記録されな
いように記録再生が行われる。
【０１２１】図２５は本発明の第１実施例の媒体欠陥検
出処理の動作説明図を示す。最適ライト／リードパワー
及び最適ライト／リード外部磁界強度を図２５に示すよ
うなブロック毎に設定されているとすると、ブロックＩ
Ａに存在するセクタが検査対象セクタの場合、ブロック
ＩＡに設定された最適ライト／リードパワー及び最適ラ
イト／リード外部磁界強度に基づいてリードライトが行
われる。
【０１２２】また、ブロックＩＢに存在するセクタが検
査対象セクタの場合、ブロックＩＢに設定された最適ラ
イト／リードパワー及び最適ライト／リード外部磁界強
度に基づいてリードライトが行われる。ステップＳ１１
−３でのライト／リードの結果、再生エラーの有無を判
定する（ステップＳ１１−４）。ステップＳ１１−４で
のライト／リードの結果、再生エラーが検出された場合
には、検査対象セクタに欠陥があると判定して、検査対
象セクタの位置を欠陥情報として記憶する媒体欠陥処理
を行う（ステップＳ１１−５）。
【０１２３】また、ステップＳ１１−４でのライト／リ
ードの結果、再生エラーが検出されなければ、検査対象
セクタに欠陥はないと判断する。上記ステップＳ１１−
２〜Ｓ１１−５の処理をセクタ番号を「＋１」しながら
全セクタ分検査する（ステップＳ１１−６、Ｓ１１−
７）。以上のように本実施例では、外部磁界強度を最適
外部磁界強度の９０％としてリードライトを行い、この
ときにエラーが検出された場合には、媒体に欠陥がある
と判定して、欠陥情報を作成する。
【０１２４】上記媒体欠陥検出処理は、製造時の媒体欠
陥リストであるＰＤＬ（Primary Defect List ）の作成
時にホストコンピュータからの命令により行うようにし
てもよい。すなわち、上記情報記憶装置を記録媒体の欠
陥検査装置として適用することもできる。本実施例によ
れば、最適外部磁界強度を用いて予め媒体の欠陥を検出
できる。
【０１２５】なお、本実施例では外部磁界強度を最適外
部磁界強度の９０％と減少させたが、外部磁界強度を最
適外部磁界強度の１１０％と増加させて、リードライト
を行うようにしてもよい。また、本実施例の情報記憶装
置は、異なる種類の媒体に対して使用できる装置であ
り、媒体の種類に応じて再生磁界の調整を行うことがで
きる。
【０１２６】さらに、本実施例では、磁界を与えずに再
生する媒体の場合、信号出力を大きくするようにレーザ
ーパワーを制御し、磁界を与えて再生する、ＭＳＲ方式
などの媒体の場合には、再生層、中間層の磁化状態によ
るマスク再生が確実に行われるようにレーザーパワーと
磁界との両方の制御が行える。なお、本実施例では、セ
クタ毎にリードパワー、ライトパワー設定テーブル１４
ａ、１４ｂ及び外部磁界強度設定テーブル１４ｃを設定
したが、これに限られるものではない。例えば、ゾーン
ＣＡＶの制御を行っている場合には、各セクタを半径方
向に所定数のゾーンに分割して、セクタだけでなく、ゾ
ーン毎にレーザパワーオフセットが設定されたリードパ
ワー、ライトパワー設定テーブル１４ａ、１４ｂ、及
び、外部磁界強度が設定された外部磁界強度設定テーブ
ル１４ｃを設定し、このリードパワー、ライトパワー設
定テーブル１４ａ、１４ｂに基づいてセクタ及びゾーン
毎にレーザスポットのレーザパワーを制御し、外部磁界
強度設定テーブル１４ｃに基づいてセクタ及びゾーン毎
に外部磁界強度を制御するようにしてもよい。このよう
な設定を行う場合の実施例は第２実施例で説明する。
【０１２７】図２６に本発明の第２実施例のリードパワ
ー設定処理の処理フローチャートを示す。本実施例の構
成は、第１実施例と同一であるので、その説明は省略す
る。本実施例では、セクタに加えて、ゾーン毎にレーザ
パワーを制御する。このため、リードパワー処理が第１
実施例とは相違する。本実施例では、セクタを識別する
ための変数Ｎに加えて、媒体７２の周方向をｍ個の領域
に分割するゾーンを設定し、ゾーンを識別する変数Ｍを
設定する。
【０１２８】ＭＰＵ１４では、まず、テストパターン作
成後、変数Ｎ、Ｍを初期化する（ステップＳ５−１、Ｓ
５−２）。図２７に本発明の第２実施例の記録媒体のフ
ォーマットを示す。本実施例では、記録媒体７２を円周
方向にｎ個のセクタ＃０〜＃（ｎ−１）に分割するとと
もに、記録媒体７２の半径方向をｍ個のゾーンＺ０〜Ｚ
（ｍ−１）に分割される。
【０１２９】次に、セクタＮ、ゾーンＭの所定のトラッ
クをイレーズし、ステップＳ５−１で作成されたテスト
パターンをライトする（ステップＳ５−３）。ステップ
Ｓ３−３でライトされたテストパターンをデフォルトパ
ワーｐ0 でリードし、ビットエラーを算出し、保存する
（ステップＳ５−５、Ｓ５−６、Ｓ５−７）。上記、ス
テップＳ５−６、Ｓ５−７のテストパターンのリード及
びビットエラーレートの算出保存をリードパワーを変更
させつつ、保存する（ステップＳ５−８、Ｓ５−９）。
【０１３０】ステップＳ５−６〜Ｓ５−９を繰り返すこ
とにより求められたビットエラーレートが最小となるオ
フセット値をセクタＮ、ゾーンＭで最適なリードパワー
として設定テーブル１４に格納する（ステップＳ５−１
０、Ｓ５−１１）。上記ステップＳ５−３〜Ｓ５−１１
をセクタＮを「＋１」しつつ、ｎ回繰り返すことによ
り、ゾーンＭのセクタ＃０〜＃（ｎ−１）におけるリー
ドパワーオフセット値が設定テーブル１４に設定され
る。
【０１３１】ゾーンＭのセクタ＃０〜＃（ｎ−１）にお
ける最適リードパワーが設定テーブル１４に設定される
と、次に、セクタを識別する変数Ｎをリセットし、ゾー
ンを識別する変数Ｍを「＋１」して、変数Ｍを「＋１」
しつつ、ゾーンの全数ｍとなるまで、ステップＳ５−３
〜Ｓ５−１４を繰り返す（ステップＳ５−１５、Ｓ５−
１６）。
【０１３２】以上によりリードパワー設定テーブル１４
ａにセクタ及びゾーン毎にリードパワーオフセット値が
設定できる。なお、このとき、電磁石４４で発生される
外部磁界はリード時のデフォルト値となるように制御さ
れる。図２８に本発明の第２実施例のリードパワー設定
テーブルのデータ構成図を示す。
【０１３３】本実施例のリードパワー設定テーブル１４
ａは、セクタ＃０〜＃（ｎ−１）毎にリードパワーオフ
セット値設定領域Ａ０〜Ａ（ｎ−１）が設定されてお
り、各リードパワーオフセット値設定領域Ａ０〜Ａ（ｎ
−１）は、ゾーンＺ0 〜Ｚ（m-1 ）毎にリードパワーオ
フセット値Δｐ00〜Δｐ(n-1),(m-1) が設定される。次
に、外部磁界強度の設定処理について説明する。
【０１３４】図２９に本発明の第２実施例のリード時の
外部磁界強度設定処理の処理フローチャートを示す。本
実施例では、セクタを識別するための変数Ｎに加えて、
媒体７２の周方向をｍ個の領域に分割するゾーンを設定
し、ゾーンを識別する変数Ｍを設定する。ＭＰＵ１４で
は、まず、テストパターンを作成し、テストパターン作
成後、変数Ｎ、Ｍを初期化する（ステップＳ６−１、Ｓ
６−２）。
【０１３５】次に、セクタＮ、ゾーンＭの所定のトラッ
クをイレーズし、ステップＳ６−１で作成されたテスト
パターンをライトする（ステップＳ６−３）。ステップ
Ｓ６−３でライトされたテストパターンをデフォルトパ
ワーｐ0 でリードし、ビットエラーを算出し、保存する
（ステップＳ６−５、Ｓ６−６、Ｓ６−７）。上記、ス
テップＳ６−６、Ｓ６−７のテストパターンのビットエ
ラーレートを再生外部磁界強度のオフセットを変更させ
つつ、算出し、保存する（ステップＳ６−８、Ｓ６−
９）。
【０１３６】ステップＳ６−６〜Ｓ６−９を繰り返すこ
とにより求められたビットエラーレートが最小となるオ
フセット値をセクタＮ、ゾーンＭで最適なリードパワー
オフセット値として設定テーブルに格納する（ステップ
Ｓ６−１０、Ｓ６−１１）。上記ステップＳ６−３〜Ｓ
６−１１をセクタＮを「＋１」しつつ、ｎ回繰り返すこ
とにより、ゾーンＭのセクタ＃０〜＃（ｎ−１）におけ
る最適外部磁界強度オフセット値が設定テーブル１４に
設定される。
【０１３７】ゾーンＭのセクタ＃０〜＃（ｎ−１）にお
ける最適外部磁界強度が外部磁界強度設定テーブル１４
ｃに設定されると、次に、セクタを識別する変数Ｎをリ
セットし、ゾーンを識別する変数Ｍを「＋１」して、変
数Ｍを「＋１」しつつ、ゾーンの全数ｍとなるまで、ス
テップＳ６−３〜Ｓ６−１４を繰り返す（ステップＳ６
−１５、Ｓ６−１６）。
【０１３８】以上により外部磁界強度設定テーブル１４
ｃにセクタ及びゾーン毎にリードパワーオフセット値が
設定できる。なお、このとき、リードパワーは、デフォ
ルト値となるように制御される。図３０に本発明の第２
実施例の外部磁界強度設定テーブルのデータ構成図を示
す。
【０１３９】本実施例の外部磁界強度設定テーブル１４
ｃは、セクタ＃０〜＃（ｎ−１）毎にリードパワーオフ
セット値設定領域Ａ０〜Ａ（ｎ−１）が設定されてお
り、各リードパワーオフセット値設定領域Ａ０〜Ａ（ｎ
−１）は、ゾーンＺ0 〜Ｚ（m-1 ）毎に外部磁界強度オ
フセット値Δｍ00〜Δｍ(n-1),(m-1) が設定される。次
に、本実施例のリード処理について説明する。
【０１４０】図３１に本発明の第２実施例のリード処理
の処理フローチャートを示す。同図中、図１９と同一処
理部分には同一符号を付し、その説明は省略する。本実
施例では、ホストからのリードコマンドによりステップ
Ｓ３−３で、トラックＴ、セクタＭへの移動制御が行わ
れると、指示されたトラック位置からゾーンが判定され
（ステップＳ７−１）、ゾーン及び、セクタによりリー
ドパワー設定テーブル１４ａ及び外部磁界強度設定テー
ブル１４ｃからリードパワーオフセット値及び外部磁界
強度オフセット値が決定され、決定されたリードパワー
オフセット値及び外部磁界強度オフセット値をデフォル
ト値に加算することによりリードパワー及び外部磁界が
設定される（ステップＳ７−２）。
【０１４１】同様にライトパワーも設定される。図３２
に本発明の第２実施例のライトパワー設定処理の処理フ
ローチャートを示す。本実施例の構成は、第１実施例と
同一であるので、その説明は省略する。本実施例では、
セクタに加えて、ゾーン毎にレーザパワーを制御する。
このため、ライトパワー処理が第１実施例とは相違す
る。
【０１４２】本実施例では、セクタを識別するための変
数Ｎに加えて、媒体７２の周方向をｍ個の領域に分割す
るゾーンを設定し、ゾーンを識別する変数Ｍを設定す
る。ＭＰＵ１４では、まず、テストパターンを作成し、
テストパターン作成後、変数Ｎ、Ｍを初期化する（ステ
ップＳ５−２１、Ｓ５−２２）。次に、ライトパワー及
び外部磁界強度をデフォルト値に設定する（ステップＳ
５−２３）。次に、セクタＮ、ゾーンＭの所定のトラッ
クをイレーズし、ステップＳ５−１１で作成されたテス
トパターンをライトする（ステップＳ５−２４、Ｓ５−
２５）。ステップＳ５−２５でライトされたテストパタ
ーンを所定のリードパワーでリードし、ビットエラーを
算出し、保存する（ステップＳ５−２６、Ｓ５−２
７）。
【０１４３】上記、ステップＳ５−２４、Ｓ５−２７の
テストパターンのイレーズ、ライト、リード及びビット
エラーレートの算出保存をライトパワーオフセットを変
更させつつ、実行する（ステップＳ５−２８、Ｓ５−２
９）。ステップＳ５−２４〜Ｓ５−２９を繰り返すこと
により求められたビットエラーレートが最小となるオフ
セット値をセクタＮ、ゾーンＭで最適なライトパワーオ
フセット値としてライトパワー設定テーブル１４ｂに格
納する（ステップＳ５−３０、Ｓ５−３１）。上記ステ
ップＳ５−２３〜Ｓ５−３１をセクタＮを「＋１」しつ
つ、ｎ回繰り返すことにより、ゾーンＭのセクタ＃０〜
＃（ｎ−１）における最適外部磁界強度オフセット値が
設定テーブル１４に設定される。
【０１４４】ゾーンＭのセクタ＃０〜＃（ｎ−１）にお
ける最適ライトパワーオフセット値がライトパワー設定
テーブル１４ｂに設定されると、次に、セクタを識別す
る変数Ｎをリセットし、ゾーンを識別する変数Ｍを「＋
１」して、変数Ｍを「＋１」しつつ、ゾーンの全数ｍと
なるまで、ステップＳ５−２３〜Ｓ５−３４を繰り返す
（ステップＳ５−３５、Ｓ５−３６）。
【０１４５】以上によりライトパワー設定テーブル１４
ｂにセクタ及びゾーン毎にライトパワーを設定できる。
なお、このとき、電磁石４４で発生される外部磁界強度
はライト時のデフォルト値に制御される。次にライト時
の外部磁界強度の設定処理について説明する。
【０１４６】図３３に本発明の第２実施例の外部磁界強
度設定処理の処理フローチャートを示す。本実施例で
は、セクタを識別するための変数Ｎに加えて、媒体７２
の周方向をｍ個の領域に分割するゾーンを設定し、ゾー
ンを識別する変数Ｍを設定する。ＭＰＵ１４では、ま
ず、テストパターンを作成し、テストパターン作成後、
変数Ｎ、Ｍを初期化する（ステップＳ６−２１、Ｓ６−
２２）。
【０１４７】次に、ライトパワー及び外部磁界強度をデ
フォルト値に設定する（ステップＳ６−２３）。次に、
セクタＮ、ゾーンＭの所定のトラックをイレーズし、ス
テップＳ６−１１で作成されたテストパターンをライト
する（ステップＳ６−２４、Ｓ６−２５）。ステップＳ
６−２５でライトされたテストパターンを所定の外部磁
界強度でリードし、ビットエラーを算出し、保存する
（ステップＳ６−２６、Ｓ６−２７）。
【０１４８】上記、ステップＳ６−２４、Ｓ６−２７の
テストパターンのイレーズ、ライト、リード及びビット
エラーレートの算出保存をライトパワーオフセットを変
更させつつ、実行する（ステップＳ６−２８、Ｓ６−２
９）。ステップＳ６−２４〜Ｓ６−２９を繰り返すこと
により求められたビットエラーレートが最小となるオフ
セット値をセクタＮ、ゾーンＭで最適な外部磁界強度オ
フセット値として外部磁界強度設定テーブル１４ｃに格
納する（ステップＳ６−３０、Ｓ６−３１）。上記ステ
ップＳ６−２３〜Ｓ６−３１をセクタＮを「＋１」しつ
つ、ｎ回繰り返すことにより、ゾーンＭのセクタ＃０〜
＃（ｎ−１）における最適外部磁界強度オフセット値が
外部磁界強度設定テーブル１４ｃに設定される。
【０１４９】ゾーンＭのセクタ＃０〜＃（ｎ−１）にお
ける最適外部磁界強度オフセット値が外部磁界強度設定
テーブル１４ｃに設定されると、次に、セクタを識別す
る変数Ｎをリセットし、ゾーンを識別する変数Ｍを「＋
１」して、変数Ｍを「＋１」しつつ、ゾーンの全数ｍと
なるまで、ステップＳ６−２３〜Ｓ６−３４を繰り返す
（ステップＳ６−３５、Ｓ６−３６）。
【０１５０】以上により外部磁界強度設定テーブル１４
ｃにセクタ及びゾーン毎に外部磁界強度を設定できる。
なお、このとき、ライトパワーはライト時のデフォルト
値に制御される。上記処理によりライトパワー設定テー
ブル１４ｂ及び外部磁界強度設定テーブル１４ｃに設定
されたライトパワーオフセット値及び外部磁界強度オフ
セット値によるライト処理について説明する。
【０１５１】図３４に本発明の第２実施例のライト処理
の処理フローチャートを示す。同図中、図２２と同一処
理部分には同一符号を付し、その説明は省略する。本実
施例では、ホストからのライトコマンドによりステップ
Ｓ４−３で、トラックＴ、セクタＭへの移動制御が行わ
れると、指示されたトラック位置からゾーンが判定され
（ステップＳ８−１）、ゾーン及び、セクタによりライ
トパワー設定テーブル１４ｂ及び外部磁界強度設定テー
ブル１４ｃからライトパワーオフセット値及び外部磁界
強度オフセット値が決定され、決定されたライトパワー
オフセット値及び外部磁界強度オフセット値をライトパ
ワー及び外部磁界強度のデフォルト値に加算することに
よりライトパワー及び外部磁界強度が設定される（ステ
ップＳ８−２）。
【０１５２】本実施例によれば、セクタのみならず、ゾ
ーンによってもレーザパワー及び外部磁界強度が制御さ
れるので、記録媒体の半径方向への変形による半径方向
へのレーザパワーのずれ及び外部磁界強度の変動にも対
応できる。また、第１、第２実施例では、セクタ毎にパ
ワーオフセット値及び外部磁界強度を設定したが、連続
する所定数のセクタを１ブロックとして、ブロック毎に
リードパワーオフセット値及び外部磁界強度オフセット
値を設定するようにしてもよい。
【０１５３】さらに、上記第２実施例で設定されたレー
ザビームの最適ライト／リードパワー及び最適外部磁界
強度に基づいて媒体の欠陥を検出するようにしてもよ
い。ここで、連続する所定数のセクタを１ブロックとし
て、ブロック毎にリードパワーオフセット値を設定する
実施例について説明する。なお、本実施例の構成は、第
１実施例と同一であるので、その説明は省略する。
【０１５４】図３５に本発明の第３実施例の記録媒体の
フォーマットを示す。本実施例の記録媒体７２は、セク
タ＃０、＃１、＃２をブロックＢ１、セクタ＃３、＃
４、＃５をブロックＢ２・・・セクタ＃（ｎ−３）、＃
（ｎ−２）、＃（ｎ−１）をブロックＢｎとして、ブロ
ック毎にリードパワーオフセット値及び外部磁界強度を
設定する。なお、リード、ライトパワー設定処理及び外
部磁界強度設定処理は、例えば、図９、図１２、図１
５、図１７、図２０、図２１、図２６、図２９、図３
２、図３３でセクタ毎に行っている処理をブロックＢ１
〜Ｂｎ毎に行えばよいので、その説明は省略する。
【０１５５】本実施例では、リード、ライトパワー設定
処理をブロックＢ１〜Ｂｎ毎に行うので、リードパワー
設定テーブル１４ａ、外部磁界強度設定テーブル１４
ｃ、ライトパワー設定テーブル１４ｂの構成がセクタ毎
のものとは相違する。図３６に本発明の第３実施例のリ
ードパワー設定テーブルのデータ構成図を示す。
【０１５６】本実施例のリードパワー設定テーブル１４
ａは、ブロックＢ１〜Ｂｎ毎にパワーオフセット値Δｐ
0 〜Δｐ( n-1 ）が設定される。リードコマンド発生時
には、図３６に示す構成のリードパワー設定テーブル１
４ａが参照され、リードパワーが設定される。図３７に
本発明の第３実施例のリード、ライト処理の処理フロー
チャートを示す。同図中、図１９と同一処理部分には同
一符号を付し、その説明は省略する。
【０１５７】本実施例では、ホストからのリード、ライ
トコマンドによりステップＳ３−３で、トラックＴ、セ
クタＭへの移動制御が行われると、指示されたセクタか
らブロックが判定され（ステップＳ９−１）、リードパ
ワー設定テーブル１４ａのブステップＳ９−１で判定さ
れたブロックに応じたリード、又は、ライトパワーオフ
セット値及び外部磁界強度オフセット値が決定され、決
定されたリード、ライトパワーオフセット値、外部磁界
強度オフセット値をデフォルト値に加算することにより
リード、又は、ライトパワー、外部磁界強度が設定され
る（ステップＳ９−２）。
【０１５８】本実施例によれば、ブロック毎にリード、
ライト、外部磁界強度オフセット値が格納されるので、
設定テーブル１４のデータ容量を削減できる。なお、上
記第１〜第３実施例では、リードパワー設定テーブル１
４ａ、外部磁界強度設定テーブル１４ｃ、ライトパワー
設定テーブル１４ｂ、外部磁界強度設定テーブル１４ｃ
にリード、又は、ライトパワーオフセット値を格納した
が、リード、又は、ライトパワーをそのまま格納しても
よく、リードパワー、外部磁界強度、ライトパワー設定
テーブル１４ａ〜１４ｃに格納するデータは、格納され
たデータによりリードパワー、外部磁界強度、ライトパ
ワーが求めることができるデータであればよい。
【０１５９】なお、本実施例で用いられた設定テーブル
は、使用にはメモリに展開されて用いられる。また、上
記実施例によれば、外部磁界強度を制御する設定値とし
てオフセット値を格納することにより、外部磁界強度そ
のものを設定値として格納する場合に比べて記憶容量を
小さくでき、小さい回路規模で実現できる。
【０１６０】さらに、上記実施例によれば、記録媒体に
テストパターンを書き込み、書き込まれた該テストパタ
ーンを読み出した結果に応じて設定メモリの設定値を設
定することにより、装着された記録媒体に状態に応じて
外部磁界を制御できるので、装着された記録媒体毎に最
適な条件で情報の記憶が行える。また、上記実施例によ
れば、設定メモリの設定値を記録媒体が装着されたとき
に、設定することにより、記録媒体毎に設定値を設定で
きるので、各記録媒体の状態に応じて外部磁界を最適状
態に制御でき、最適な条件で情報の記憶が行える。
【０１６１】さらに、上記実施例によれば、記録媒体が
装着された状態で、所定の時間毎に設定メモリの設定値
を設定することにより、記録媒体が装着されて、設定メ
モリに設定値が設定された後に、回転軸に対する記録媒
体の装着状態が変化しても、所定時間毎に記録媒体の状
態に応じて設定値が設定されるため、常に記録媒体の状
態に応じて外部磁界の制御を行うことができ、装着され
た記録媒体の状態に応じた最適な条件で情報の記憶が行
える。
【０１６２】また、上記実施例によれば、記録媒体に記
録された情報を読み出すときに記録媒体に印加する外部
磁界を制御することにより、記録媒体に記録された情報
を最適な外部磁界強度で読み出すことができ、読み出し
た情報のエラーを低減できる。さらに、上記実施例によ
れば、記録媒体に情報を記録するときに、記録媒体に印
加する外部磁界を制御することにより、記録媒体に情報
を記録する際に、最適な外部磁界で記録を行うことがで
きるので、記録媒体に確実に情報を記録できる。
【０１６３】また、上記実施例によれば、レーザビーム
パワーを制御する設定値としてオフセット値を格納する
ことにより、レーザパワーそのものを設定値として格納
する場合に比べて記憶容量を小さくでき、小さい回路規
模で実現できる。さらに、上記実施例によれば、記録媒
体にテストパターンを書き込み、書き込まれた該テスト
パターンを読み出した結果に応じて設定メモリの設定値
を設定することにより、装着された記録媒体に状態に応
じてレーザパワーを制御できるので、装着された記録媒
体毎に最適な条件で情報の記憶が行える。
【０１６４】また、上記実施例によれば、設定メモリの
設定値を記録媒体が装着されたときに、設定することに
より、記録媒体毎に設定値を設定できるので、各記録媒
体の状態に応じてレーザパワーを最適状態に制御でき、
最適な条件で情報の記憶が行える。さらに、上記実施例
によれば、記録媒体が装着された状態で、所定の時間毎
に設定メモリの設定値を設定することにより、記録媒体
が装着されて、設定メモリに設定値が設定された後に、
回転軸に対する記録媒体の装着状態が変化しても、所定
時間毎に記録媒体の状態に応じて設定値が設定されるた
め、常に記録媒体の状態に応じてレーザパワーの制御を
行うことができ、装着された記録媒体の状態に応じた最
適な条件で情報の記憶が行える。
【０１６５】また、記録媒体に記録された情報を読み出
すときにレーザビーム照射手段から記録媒体に照射する
レーザビームを制御することにより、記録媒体に記録さ
れた情報を最適な外部磁界及びレーザパワーで読み出す
ことができ、読み出した情報のエラーを低減できる。さ
らに、記録媒体に情報を記録するときに、レーザビーム
照射手段から記録媒体に照射するレーザビームを制御す
ることにより、記録媒体に情報を記録する際に、最適な
外部磁界及びレーザパワーで記録を行うことができるの
で、記録媒体に確実に情報を記録できる。
【０１６６】また、予め決定された最適磁界強度から円
盤状記録媒体上に発生すると思われる欠陥を予測できる
ため、情報を記録した後に欠陥が発見されることがな
く、記憶情報の保護及び情報の信頼性を向上できる。
【０１６７】
【発明の効果】上述の如く、本発明の請求項１によれ
ば、記録媒体の周方向を分割した領域であるセクタ毎に
外部磁界を制御することにより、記録媒体の回転角度に
応じて外部磁界が変動することがなくなるため、記録媒
体への情報の記憶を最適に行える等の特長を有する。
【０１６８】請求項２によれば、隣接する所定数のセク
タ毎に外部磁界を制御することにより、外部磁界の設定
値の数を低減でき、小さい回路規模で実現できる等の特
長を有する。請求項３によれば、記録媒体の回転角だけ
でなく、半径方向に応じて外部磁界強度を制御すること
により、記録媒体との傾きだけでなく、記録媒体の変形
に対しても記録媒体に印加される外部磁界強度を制御で
きる等の特長を有する。
【０１６９】請求項４によれば、レーザビームが照射さ
れるセクタに応じて設定メモリから設定値を読み出し、
外部磁界を切り換えることにより、セクタに応じて外部
磁界強度を制御でき、常に外部磁界を最適な外部磁界強
度に制御し、記録媒体への情報の記憶を最適な条件で行
える等の特長を有する。請求項５によれば、外部磁界に
加えて記録媒体の回転角に応じて記録媒体に照射するレ
ーザビームを制御することにより、記録媒体が回転軸に
傾いて装着された場合などに、例えば、レーザビームと
記録媒体の傾き量が垂直でなくなった場合には、ビーム
パワーが大きくなるように制御することにより、外部磁
界強度及び記録媒体に照射されるレーザビームパワーを
最適なパワーに保持できるため、記録媒体への情報の記
憶を最適に行える等の特長を有する。
【０１７０】請求項６によれば、記録媒体の周方向を分
割した領域であるセクタ毎にレーザビーム照射手段から
記録媒体に照射されるレーザビームのパワーを制御する
ことにより、記録媒体の回転角度に応じたレーザビーム
のパワー制御と同等な制御が行えるため、レーザビーム
と記録媒体の傾き量が垂直でなくなった場合には、ビー
ムパワーが大きくなるように制御することにより、外部
磁界強度及び記録媒体に照射されるレーザビームパワー
を最適なパワーに保持できるため、記録媒体への情報の
記憶を最適に行える等の特長を有する。
【０１７１】請求項７によれば、記録媒体の回転角だけ
でなく、半径方向に応じてレーザビーム照射手段から記
録媒体に照射されるレーザビームのパワーを制御するこ
とにより、記録媒体の傾斜だけでなく、記録媒体の変形
に対しても記録媒体に照射されるレーザビームのパワー
を制御できる等の特長を有する。請求項８によれば、レ
ーザビームが照射されるセクタに応じて設定メモリから
設定値を読み出し、レーザビーム照射手段から記録媒体
に照射するレーザビームパワーを切り換えることによ
り、セクタに応じてレーザビームパワーを制御でき、外
部磁界だけでなく記録媒体に照射されるレーザビームパ
ワーを最適なパワーに保持し、記録媒体への情報の記憶
を最適な条件で行える等の特長を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】記録媒体の再生状態の一例を示す図である。
【図２】記録媒体の再生状態の他の一例を示す図であ
る。
【図３】記録媒体の再生状態の一例のヘッド位置に対す
る記録媒体の傾きの特性を示す図である。
【図４】記録媒体の再生状態の他の一例のヘッド位置に
対する記録媒体の傾きの特性を示す図である。
【図５】記録媒体の再生状態の他の一例の媒体の位置に
対する電磁石の位置の特性を示す図である。
【図６】本発明の第１実施例のブロック構成図である。
【図７】本発明の第１実施例の概略構成図である。
【図８】本発明の第１実施例の記録媒体のフォーマット
を示す図である。
【図９】本発明の第１実施例のリードパワー設定処理の
処理フローチャートである。
【図１０】本発明の第１実施例の最適リードパワーの決
定方法を説明するための図である。
【図１１】本発明の第１実施例の設定テーブルのデータ
構成図である。
【図１２】本発明の第１実施例の外部磁界強度設定処理
の処理フローチャートである。
【図１３】本発明の第１実施例の外部磁界強度の決定方
法を説明するための図である。
【図１４】本発明の第１実施例の外部磁界強度設定テー
ブルのデータ構成図である。
【図１５】本発明の第１実施例のリードパワー設定処理
の変形例の処理フローチャートである。
【図１６】本発明の第１実施例のリードパワー設定処理
の変形例で用いられるエラーレートテーブルのデータ構
成図である。
【図１７】本発明の第１実施例の外部磁界強度設定処理
の変形例の処理フローチャートである。
【図１８】本発明の第１実施例の外部磁界強度設定処理
の変形例で用いられるエラーレートテーブルのデータ構
成図である。
【図１９】本発明の第１実施例のリード処理の処理フロ
ーチャートである。
【図２０】本発明の第１実施例のライトパワー設定処理
の処理フローチャートである。
【図２１】本発明の第１実施例のライト時の外部磁界強
度設定処理フローチャートである。
【図２２】本発明の第１実施例のライト処理の処理フロ
ーチャートである。
【図２３】本発明の第１実施例の欠陥検出を行うときの
パラメータ取得処理の処理フローチャートである。
【図２４】本発明の第１実施例の欠陥検出処理の処理フ
ローチャートである。
【図２５】本発明の第１実施例の欠陥検出処理の動作説
明図である。
【図２６】本発明の第２実施例のリードパワー設定処理
の処理フローチャートである。
【図２７】本発明の第２実施例の記録媒体のフォーマッ
トである。
【図２８】本発明の第２実施例の設定テーブルのデータ
構成図である。
【図２９】本発明の第２実施例のリード時の外部磁界強
度設定処理の処理フローチャートである。
【図３０】本発明の第２実施例の外部磁界強度設定テー
ブルのデータ構成図である。
【図３１】本発明の第２実施例のリード処理の処理フロ
ーチャートである。
【図３２】本発明の第２実施例のライトパワー設定処理
の処理フローチャートである。
【図３３】本発明の第２実施例の外部磁界強度設定処理
の処理フローチャートである。
【図３４】本発明の第２実施例のライト処理の処理フロ
ーチャートである。
【図３５】本発明の第３実施例の記録媒体のフォーマッ
トを示す図である。
【図３６】本発明の第３実施例のリードパワー設定テー
ブルのデータ構成図である。
【図３７】本発明の第３実施例のリード・ライト処理の
処理フローチャートである。
【符号の説明】
１ 光ディスクドライブ １０ コントローラ １２ エンクロージャ １４ ＭＰＵ １４ａ リードパワー設定テーブル １４ｂ，１４ｅ ライトパワー設定テーブル １４ｃ，１４ｆ 外部磁界強度設定テーブル １４ｄ エラーレートテーブル １５ ＤＳＰ １６ インタフェースコントローラ １８ フォーマッタ ２０ バッファメモリ ２２ エンコーダ ２４ レーザダイオード制御回路 ２６ デコーダ ２８ リードＬＳＩ回路 ３０ レーザダイオードユニット ３２、４６ ディテクタ ３４ ヘッドアンプ ３６ 温度センサ ３８、４２、５４、５８、６２ ドライバ ４０ スピンドルモータ ４４ 電磁石 ５２ レンズ位置センサ ５６ フォーカスアクチュエータ ６０ レンズアクチュエータ ６４ ＶＣＭ ６６ ハウジング ６８ インレットドア ７０ ＭＯカートリッジ ７２ ＭＯ媒体 ７６ キャリッジ ８０ 対物レンズ

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 円盤状記録媒体に光ビームを照射すると
    ともに、該光ビーム照射位置に外部磁界を印加すること
    により該円盤状記録媒体に情報を記憶する情報記憶装置
    において、 前記円盤状記録媒体上で前記光ビームが照射される位置
    の前記円盤状記録媒体の円周方向の位置に応じて前記外
    部磁界の強度を制御する外部磁界制御手段を有すること
    を特徴とする情報記憶装置。
  2. 【請求項２】 前記外部磁界制御手段は、前記記録媒体
    の所定数のセクタ毎に前記外部磁界強度を制御すること
    を特徴とする請求項１記載の情報記憶装置。
  3. 【請求項３】 前記外部磁界制御装置は、前記記録媒体
    の半径方向の位置に応じて前記記録媒体に印加する前記
    外部磁界強度を制御することを特徴とする請求項１又は
    ２記載の情報記憶装置。
  4. 【請求項４】 前記外部磁界制御手段は、前記記録媒体
    の領域毎の前記外部磁界強度の設定値が格納された設定
    メモリを有し、 前記光ビームの照射位置のセクタに応じて前記設定メモ
    リから前記設定値を読み出し、前記記録媒体に与える外
    部磁界強度を制御することを特徴とする請求項１乃至３
    のいずれか一項記載の情報記憶装置。
  5. 【請求項５】 前記円盤状記録媒体に照射する前記レー
    ザビームの強度を前記円盤状記録媒体上で前記光ビーム
    が照射される位置の前記円盤状記録媒体の円周方向の位
    置に応じて制御するビームパワー制御手段を有すること
    を特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載の情報
    記憶装置。
  6. 【請求項６】 前記ビームパワー制御手段は、前記記録
    媒体の所定数のセクタ毎に前記レーザビームパワーを制
    御することを特徴とする請求項５記載の情報記憶装置。
  7. 【請求項７】 前記ビームパワー制御手段は、前記記録
    媒体の半径方向の位置に応じて前記レーザビーム照射手
    段から前記記録媒体に照射される前記レーザビームのパ
    ワーを制御することを特徴とする請求項５又は６記載の
    情報記憶装置。
  8. 【請求項８】 前記ビームパワー制御手段は、前記記録
    媒体の領域毎のレーザーパワーの設定値が格納された設
    定メモリを有し、 前記レーザビームが照射されるセクタに応じて前記設定
    メモリから前記設定値を読み出し、前記記録媒体に照射
    するレーザビームパワーを制御することを特徴とする請
    求項５乃至７のいずれか一項記載の情報記憶装置。
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