JP4219108B2 - ディスク装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、ディスク装置に関し、特にたとえば、ＣＡＶ（Constant Angular Velocity）方式で回転するディスク記録媒体にレーザ光を照射して情報再生を行うディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種のディスク装置の例が、平成１１年３月９日付で出願公開された特開平１１−６６７２６号公報〔Ｇ１１Ｂ １９／２８ ７／００ １９／２４７ ２０／１０〕に開示されている。このようなディスク装置の実用化において、ＺＣＡＶ（Zone ＣＡＶ）方式で再生を行う場合、再生するゾーン（Zone）が変化すると線速度が異なり、線速度が異なると最適再生レーザパワー値も異なってくる。このため、ＺＣＡＶ方式で再生を行う従来のディスク装置では、線速度（ゾーン）毎にテストライトおよびテストリードを行うことによって、最適再生レーザパワー値を個別に決定する必要がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、再生するゾーンが変化する度にテストライトおよびテストリードを行って最適再生レーザパワー値を決定するのでは、再生に時間がかかってしまうという問題がある。また、テストライトとテストリードとでディスク記録媒体の回転方式を変更するので、テストライトおよびテストリードにも時間がかかるという問題がある。
【０００４】
それゆえに、この発明の主たる目的は、再生性能を向上できる、ディスク装置を提供することである。
【０００５】
この発明は、径方向に複数のゾーンに区画されＺＣＡＶ方式で回転するディスク記録媒体から情報を再生するために、ディスク記録媒体の所望の第１ゾーンに照射するレーザ光のディスク記録媒体の周辺温度Ｔにおける第１ゾーンの線速度に対する最適再生レーザパワー値を、周辺温度Ｔにおける所定の第１線速度に対する基準再生レーザパワー値に、第１ゾーンの線速度に対応する係数を乗算して算出するディスク装置であって、係数は、第１線速度および第１線速度に対応する第１係数で定まる第１点と、第２線速度および第２線速度に対応する第２係数で定まる第２点と、によって特定される第１直線上において第１ゾーンの線速度に対応する係数であり、第２係数は、基準温度および基準温度において第２線速度に対応する第３係数で定まる第３点と、第２線速度に依存する傾きと、によって特定される第２直線上において周辺温度Ｔに対応する係数である、ディスク装置である。
【０００６】
【作用】
この発明においては、径方向に複数のゾーンに区画されＺＣＡＶ方式で回転するディスク記録媒体から情報を再生するために、ディスク記録媒体の所望の第１ゾーンに照射するレーザ光のディスク記録媒体の周辺温度Ｔにおける第１ゾーンの線速度に対する最適再生レーザパワー値を、周辺温度Ｔにおける所定の第１線速度に対する基準再生レーザパワー値に、第１ゾーンの線速度に対応する係数を乗算して算出する。そして、この係数は、第１線速度および第１線速度に対応する第１係数で定まる第１点と、第２線速度および第２線速度に対応する第２係数で定まる第２点と、によって特定される第１直線上において第１ゾーンの線速度に対応する係数であり、第２係数は、基準温度および基準温度において第２線速度に対応する第３係数で定まる第３点と、第２線速度に依存する傾きと、によって特定される第２直線上において周辺温度Ｔに対応する係数である。
【０００９】
【発明の効果】
この発明によれば、最適再生レーザパワー値を計算によって算出することができ、したがって毎回テストライトおよびテストリードを行う必要がないので、再生にかかる時間が短縮できて再生性能を向上することができる。
【００１０】
この発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【００１１】
【実施例】
図１を参照して、この実施例のディスク装置１０は、光ピックアップ１２を含んでいる。光磁気ディスク１００の径方向における光ピックアップ１２の位置は、スレッドサーボ機構３４によって制御される。また、光ピックアップ１２に設けられた光学レンズ１２ａの光軸方向における位置は、フォーカスサーボ機構３０によって制御される。さらに、光磁気ディスク１００の径方向における光学レンズ１２ａの位置は、トラッキングサーボ機構３２によって制御される。
【００１２】
レーザドライブ３６には、ＤＳＰ２８から与えられる制御信号によってレーザパワー値が設定され、レーザドライブ３６は設定されたレーザパワー値のレーザ光をレーザダイオード１２ｂから出力させる。レーザダイオード１２ｂから出力されたレーザ光は、光学レンズ１２ａで収束されて光磁気ディスク１００の記録面に照射される。
【００１３】
光磁気ディスク１００は再生層および記録層を含んでおり、所望の信号は記録層に記録される。所望の信号を記録層に記録するとき、レーザ光は、記録層にフォーカスされた光学レンズ１２ａと再生層とを経て当該記録層に照射される。レーザ光によってキュリー温度に達した記録層に磁気ヘッド１４によって磁界が加えられると、記録層のキュリー温度に達した部分は磁界の方向に磁化される。この磁化された部分の一つ一つはマークと呼ばれる。磁気ヘッド１４の発生する磁界を制御することによって、所望の信号が光磁気ディスク１００の記録層に記録される。
【００１４】
一方、光磁気ディスク１００から信号を読み出すとき、レーザ光は、再生層にフォーカスされた光学レンズ１２ａを経て当該再生層に照射される。レーザ光の照射により所定の温度（キュリー温度よりも低い温度）に達した再生層は磁性を示し、記録層のマークが保持する磁界に応じて磁化される。再生層で反射したレーザ光は当該再生層の磁化の方向に応じて偏光し、光ピックアップ１２は反射レーザ光の偏光状態に基づいて信号を読み取る。
【００１５】
記録層をキュリー温度まで上昇させるので、記録レーザ光は再生レーザ光よりも大きな出力（パワー）が必要である。記録層に記録されたデータを再生層に転写して情報を読み出すシステムでは、最適記録レーザパワー値のみでなく、最適再生レーザパワー値も光磁気ディスク１００の温度に依存する。なお、光磁気ディスク１００の周辺温度は温度センサ４４によって計測され、その計測結果がＤＳＰ２８に与えられる。
【００１６】
所望の信号を光磁気ディスク１００に記録するとき、ＥＣＣエンコーダ１８は、入力信号に誤り訂正符号（ECC:Error Correcting Code）を付加し、誤り訂正符号が付加された信号をエンコード信号にする。磁気ヘッド１４は、ＥＣＣエンコーダ１８から与えられるエンコード信号に応じた磁界を発生する。
【００１７】
ここで誤り訂正符号は、所定量の信号毎に付加される符号であり、誤り訂正符号が付加された所定量の信号はＥＣＣブロックと呼ばれる。ＥＣＣブロックは複数のラインと呼ばれる信号の集合から構成される。後述するＥＣＣデコーダ２２は、ブロック内のディジタル信号に誤りが含まれているときに、誤った信号（以下、「誤り信号」と呼ぶ）を誤り訂正符号に基づいて自動的に訂正することができる。ただし、訂正できる誤り信号の量には一定の限界がある。
【００１８】
光磁気ディスク１００に記録された信号を再生するときには、レーザドライブ３６によってレーザダイオード１２ｂのパワーが制御され、レーザダイオード１２ｂは制御に応じたレーザ光を出力する。出力されたレーザ光は光学レンズ１２ａを介して光磁気ディスク１００の表面に照射される。光磁気ディスク１００の表面からの反射光は、同じ光学レンズ１２ａを通過して光検出器１２ｃに入射される。光検出器１２ｃは、入射光に応じた信号（ＲＦ信号）をイコライザ１６に与える。イコライザ１６はＲＦ信号の周波数特性を補償し、ＰＲＭＬ（Partial Response Maximum Likelihood）回路２０に与える。ＰＲＭＬ回路２０は、ＲＦ信号に基づいてディジタル信号を生成し、生成したディジタル信号をＥＣＣデコーダ２２に与える。ＥＣＣデコーダ２２はＰＲＭＬ回路２０から受け取ったディジタル信号に含まれる誤り信号を１ＥＣＣブロック毎に誤り訂正する。また、ＥＣＣデコーダ２２はＥＣＣブロックの１ライン中のどれだけの誤り信号を訂正したか、つまり１ライン中にどれだけの誤り信号が含まれていたかを示す情報（以下、「訂正量情報」と呼ぶ）を符号誤り率算出回路２４に与える。符号誤り率算出回路２４は、ＥＣＣデコーダ２２から与えられた訂正量情報に基づいて符号誤り率を算出し、ＤＳＰ２８に与える。
【００１９】
光磁気ディスク１００はスピンドル（図示せず）の上に搭載され、スピンドルはシャフト４２を介してスピンドルモータ４０に連結されている。ＤＳＰ２８は制御信号をスピンドルサーボ機構３８に与え、スピンドルサーボ機構３８は受け取った制御信号に基づいてスピンドルモータ４０を回転させる。これに伴いシャフト４２が回転し、スピンドル、つまり光磁気ディスク１００が回転する。また、スピンドルモータ４０はスピンドルの回転速度に関連するＦＧ信号を発生し、このＦＧ信号をＤＳＰ２８に与える。このＦＧ信号をＤＳＰ２８がモニタすることにより、シャフト４２に連結されたスピンドル、つまり光磁気ディスク１００の回転速度が適切に制御される。この制御によって、光磁気ディスク１００は、信号の記録時にはＺＣＬＶ（Zone Constant Linear Velocity）方式で回転され、再生時にはＺＣＡＶ（Zone Constant Angular Velocity）方式で回転される。ＺＣＬＶ方式の線速度はほぼ一定の２０Ｍｂｐｓであり、ＺＣＡＶ方式の線速度は最小で２０Ｍｂｐｓであり最大で３０Ｍｂｐｓである。なお、ＺＣＬＶ方式はＣＬＶ方式の下位概念であり、ＺＣＡＶ方式はＣＡＶ方式の下位概念である。
【００２０】
図２に示すように、光磁気ディスク１００は、記録面に形成されたトラックを径方向に区切った１２個のゾーンと呼ばれる領域からなっている。各ゾーンにはテストライトおよびテストリードを行うためのテストエリアが設けられている。ＺＣＡＶ方式で光磁気ディスク１００を回転させる場合、レーザ光を照射するゾーンが異なると光ピックアップ１２のトラックに対する線速度も異なってくる。最も外周側に位置するゾーン１の線速度が最も大きく、最も内側に位置するゾーン１２の線速度が最も小さい。したがって、ＺＣＡＶ方式で光磁気ディスク１００を回転させる再生の場合、適切な最適再生レーザパワー値がゾーン（線速度）毎に異なっている。つまり、情報を再生するトラックが含まれるゾーンが変わる度に、再生レーザパワー値（最適再生レーザパワー値）を変更しなければならない。
【００２１】
従来のディスク装置のように、最適再生レーザパワー値を変更する必要が発生する毎にテストライトおよびテストリードを行うのでは、最適再生レーザパワー値の決定に、引いては再生の処理に時間がかかってしまう。また、従来のディスク装置のようにテストライトをＺＣＬＶ方式で実行し、テストリードをＺＣＡＶ方式で実行していたのでは、テストライトとテストリードとで光磁気ディスク１００の回転方式を変更しなければならないので、さらに時間がかかってしまう。
【００２２】
そこで、この実施例のディスク装置１０では、テストライトとテストリードとをともにＺＣＬＶ方式（ＺＣＬＶ方式での線速度（２０Ｍｂｐｓ）とＺＣＡＶ方式における最内周の線速度とは同じである）で光磁気ディスク１００を回転させて行ってＺＣＬＶ方式での最適再生レーザパワー値である基準再生レーザパワー値を求める。そして、基準再生レーザパワー値に基づく計算によってＺＣＡＶ方式における最適再生レーザパワー値を決定する。以降において最適再生レーザパワー値の変更が必要になったとき、つまり再生するトラックの属するゾーンが変わり、線速度が変更になったとき等には、再びテストライトおよびテストリードを行うのではなく、先に求めた基準再生レーザパワー値に基づく計算によって最適再生レーザパワー値を求める。
【００２３】
なお、テストライトは記録レートが高いと磁界変調方式の光磁気方式において磁気ヘッドを駆動する消費電力が増えるため、ＺＣＡＶ方式における最内周の線速度である２０Ｍｂｐｓで行うのがよい。この実施例では、ディスク膜のばらつきを考慮して中周あたりのゾーン７でＺＣＬＶ方式でのテストライトおよびテストリードを２０Ｍｂｐｓで行っている。
【００２４】
上述のように、ＺＣＡＶ方式（またはＣＡＶ方式）では、レーザ光の照射先の線速度によって最適再生レーザパワー値が異なる。つまり、線速度が速くなれば最適再生レーザパワー値は増加し、線速度が遅くなれば最適再生レーザパワー値は減少する。このため、基準再生レーザパワー値に基づいて最適再生レーザパワー値を求めるにあたって、図３に示すような正比例特性を持つ線速度係数を考える。
【００２５】
図３によれば、最小線速度である２０Ｍｂｐｓ（ゾーン１２）に対応する線速度係数は「１」であり、最大線速度である３０Ｍｂｐｓ（ゾーン１）に対応する線速度係数は「α」である。すると、線速度「Ｖx」に対応する線速度係数「αx」は、数１によって求められる。線速度「Ｖx」における最適再生レーザパワー値「Ｐvx」は、数２によって求められる。
【００２６】
【数１】
αx＝｛（Ｖx−20）／（30−20）｝×（α−1）＋1
【００２７】
【数２】
Ｐvx＝αx×Ｐt
以下、図４から図６を用いて、この実施例におけるディスク装置１０の動きをＤＳＰ２８の動作として説明する。ディスク装置１０のＤＳＰ２８は、ホストのシステムコントローラ５０（図１参照）からコマンドを受け取るとステップＳ１においてコマンドを受信したと判断する。ここで、ホストとは、ディスク装置１０がパーソナルコンピュータ（ＰＣ）（図示せず）のディスクドライブであればＰＣのＣＰＵであり、ディスク装置１０がディジタルカメラ（図示せず）のディスクドライブであればディジタルカメラのＣＰＵである。ステップＳ１でコマンドを受信したと判断すると、ステップＳ３の「コマンド処理」ルーチンで、受信したコマンドに応じた、再生などの処理を行う。「コマンド処理」を終えると、ステップＳ１に戻る。
【００２８】
ステップＳ１でコマンド受信でないと判断した場合には、ステップＳ５において、所定の時間が経過したかどうかを判断する。所定の時間とは、後述するステップＳ１１での基準再生レーザパワー値「Ｐt」の更新を終えてからの時間のことである。ステップＳ５で、先に行った基準再生レーザパワー値「Ｐt」の更新から所定の時間が経過していると判断すると、ステップＳ７において光磁気ディスク１００をＺＣＬＶ方式で回転させ、ステップＳ９において、現在トレースしているトラックの属するゾーンに含まれているテストエリアでテストライトを行い、そしてステップＳ１１でテストリードを行ってＺＣＬＶ方式での最適再生レーザパワー値を決定する。テストライトおよびテストリードが同じＺＣＬＶ方式で実行されるので、光磁気ディスク１００の回転方式を変更する必要がなく、テストライトおよびテストリードにかかる時間を短縮できる。ステップＳ１３においてこの最適再生レーザパワー値をもって基準再生レーザパワー値「Ｐt」を更新する。そしてステップＳ１に戻る。
【００２９】
ステップＳ３の「コマンド処理」は、図５のフロー図に示す手順で実行される。なお、図５にはホストのシステムコントローラ５０から再生コマンドが与えられた場合の処理のみを説明している。ホストのシステムコントローラ５０から再生のコマンドが与えられると、ＤＳＰ２８は図５のステップＳ３１において、再生の処理であると判断し、ステップＳ３３で目的のアドレスにアクセスする。ステップＳ３５では、ＲＦローパスフィルタのカットオフ周波数やＭＯ信号ヘッダ位相合わせタイミングなどの各パラメータの設定を行う。そして、ステップＳ３７では、図４のステップＳ１３において更新した基準再生レーザパワー値「Ｐt」に基づいてＺＣＡＶ方式での最適再生レーザパワー値の設定を行い、設定された最適再生レーザパワー値でステップＳ３９において再生コマンドに応じた再生を行う。再生が完了すると上階層のルーチンに復帰する。ステップＳ３１において再生でないと判断すると、ステップＳ４１においてコマンドに応じたその他の処理を実行し、ステップＳ３１に戻る。
【００３０】
ステップＳ３７の「再生レーザパワーの設定」処理は、図６のフロー図に示す手順で実行される。まず、ステップＳ５１において、現在再生しようとしているトラックが属しているゾーンを特定し、当該トラックに最適な線速度「Ｖx」を特定する。そして、ステップＳ５３において、数１に線速度「Ｖx」を代入して線速度係数「αx」を算出する。そして、ステップＳ５５では、数２に線速度係数「αx」および基準再生レーザパワー値「Ｐt」を代入して当該線速度における最適再生レーザパワー値「Ｐvx」を算出し、ステップＳ５７において最適再生レーザパワー値「Ｐvx」をレーザドライブ３６（図１参照）に設定する。設定が完了すると、上階層のルーチンに復帰する。
【００３１】
以上説明したように、この実施例のディスク装置１０では、一度テストライトおよびテストリードに基づいて最適再生レーザパワー値「Ｐvx」（基準再生レーザパワー値「Ｐt」）を求めると、以後は基準再生レーザパワー値「Ｐt」と線速度係数「αx」との演算によって線速度「Ｖx」に応じた最適再生レーザパワー値「Ｐvx」を求める。したがって、最適再生レーザパワー値の変更が必要になる度にテストライトおよびテストリードを行うのではなく、演算によって最適再生レーザパワー値を算出するので最適再生レーザパワー値の決定にかかる時間が短縮されて再生性能を向上することができる。
【００３２】
上述の実施例では、線速度によって最適再生レーザパワー値を変更する方式をとった。次に説明する実施例のディスク装置１０では、線速度に光磁気ディスク１００の周辺温度をも加味して最適再生レーザパワー値を決定する。
【００３３】
この実施例のディスク装置１０の構成は図１の構成と同じであるため説明を省略する。この実施例のディスク装置１０では、まず、線速度２０Ｍｂｐｓ（ゾーン１２（最小線速度））における、温度（光磁気ディスク１００の周辺温度）と再生レーザパワー値の関係式（直線の式）をテーブルとして用意している。このテーブルを「温度対再生パワーテーブル」と呼ぶ。温度に基づいてこの「温度対再生パワーテーブル」を参照することによって求まる再生レーザパワー値を「基準再生レーザパワー値」と呼ぶ。なお、温度と基準再生パワー値とは比例関係（傾き一定の直線的な関係）にある。
【００３４】
はじめに、温度センサ４４から光磁気ディスク１００の周辺温度（たとえば２５度）を取得するとともに、ゾーン７のテストエリアに対してテストライトおよびテストリードをＺＣＬＶ方式で行って、２５度におけるゾーン７の線速度での最適再生レーザパワー値を求める。ＺＣＬＶ方式でテストライトおよびテストリードを行っているので、この最適再生レーザパワー値は、２５度におけるＺＣＡＶ方式で再生した場合のゾーン１２の線速度（２０Ｍｂｐｓ）での基準再生レーザパワー値「Ｐr(Z12,T25)」でもある。そして、求まった温度と最適再生レーザパワー値を基に、傾きをそのままに直線を平行移動させて「温度対再生パワーテーブル」を修正する。この「温度対再生パワーテーブル」は、大きな温度変化があったときに、テストライトおよびテストリードを行って上述したように修正される。逆に言えば、大きな温度変化がない間は、テストライトおよびテストリードによらず、周辺温度に基づいて「温度対再生パワーテーブル」を参照することによって基準再生レーザパワー値を決定する。
【００３５】
ゾーン３の線速度における温度２５度での最適再生レーザパワー値「Ｐr(Z3,T25)」を求めたいとする。まず、「温度対再生パワーテーブル」を温度２５度で参照して、温度２５度におけるゾーン１２の線速度（２０Ｍｂｐｓ）での基準再生レーザパワー値「Ｐr(Z12,T25)」を求める。
【００３６】
次に、ゾーン１（３０Ｍｂｐｓ）における温度２５度での線速度係数を求める。上述の通り、最適再生レーザパワー値は線速度に対して正比例特性を有するが、温度に対しては逆比例特性を有する。つまり、温度が高いと最適再生レーザパワー値は減少し、温度が低いと最適再生レーザパワー値は増加する。このため、この実施例では、最適再生レーザパワー値を求めるにあたって、まず温度を考慮して線速度係数を修正し、修正された線速度係数を基準再生レーザパワー値に乗算する。
【００３７】
線速度係数（３０Ｍｂｐｓにおける再生レーザパワー係数）は、温度に対して図７（Ａ）に示すような逆比例特性を有する。直線の傾きを「ａ」として、基準温度「Ｔref」（たとえば室温である２０度）における線速度係数を「βref」とすると、ゾーン１における温度「Ｔc」（たとえば２５度）における線速度係数「βc」は数３によって求められる。なお、傾き「ａ」は線速度に依存し、図７（Ａ）の例では線速度＝３０Ｍｂｐｓを想定している。
【００３８】
【数３】
βc＝βref−ａ×（Ｔc−Ｔref）＝βref−ａ×（25−Ｔref）
こうしてゾーン１における温度２５での線速度係数「βc」が求められるが、最終的に求めるのはゾーン３における温度２５での最適再生レーザパワー値である。このため、図７（Ｂ）に示すグラフを参照して、図１実施例と同じ要領で最適再生レーザパワー値を求める。具体的には、ゾーン３の線速度「Ｖx」に対応する線速度係数「βvxc」を数４に従って求め、最適再生レーザパワー値を数５に従って求める。
【００３９】
【数４】
βvxc＝｛（Ｖx−20）／（30−20）｝×（βc−1）＋1
【００４０】
【数５】
Ｐr(Z3,T25)＝βvxc×Ｐr(Z12,T25)
このようにして最適再生レーザパワー値を求めると、次に最適再生レーザパワー値を求めるときには、テストライトおよびテストリードを行って基準再生レーザパワー値を求めるのではなく、温度を元に「温度対再生パワーテーブル」を参照することによって基準再生レーザパワー値を求める。
【００４１】
以下、図８から図１０を用いて、この実施例におけるディスク装置１０の動きをＤＳＰ２８の動作として説明する。ディスク装置１０のＤＳＰ２８は、ホストのシステムコントローラ５０（図１参照）からコマンドを受け取るとステップＳ７１においてコマンドを受信したと判断する。そして、ステップＳ７３の「コマンド処理」ルーチンで、受信したコマンドに応じた再生などの処理を行う。
【００４２】
ステップＳ７１でコマンド受信でないと判断した場合には、ステップＳ７５において所定の時間が経過したかどうかを判断する。所定の時間とは、後述するステップＳ８７での「温度対再生パワーテーブル」の更新を終えてからの時間のことである。ステップＳ７５で、先に行った「温度対再生パワーテーブル」の更新から所定の時間が経過していると判断すると、ステップＳ７７において温度センサ４４から光磁気ディスク１００の周辺温度を取得する。そして、ステップＳ７９において、前回取得した温度からたとえば３度以上の温度変化があるかどうかを判断する。初めて周辺温度を取得した場合にもステップＳ７９ではＹＥＳと判断する。
【００４３】
３度以上の温度変化があったときには、ステップＳ８１においてＺＣＬＶ方式で光磁気ディスク１００を回転させる。そして、ステップＳ８３において、ゾーン７のテストエリアにテストライトを行い、ステップＳ８５において、テストリードを行ってＺＣＬＶ方式での最適再生レーザパワー値を決定する。テストライトおよびテストリードは同じＺＣＬＶ方式で行われるので、光磁気ディスク１００の回転方式を変更する必要がないので、テストライトおよびテストリードにかかる時間が短縮できる。ステップＳ８７では、決定された最適再生レーザパワー値とステップＳ７９において取得した温度値とに基づいて、上述したように直線式の傾きをそのままに直線を平行移動させて「温度対再生パワーテーブル」を更新する。そして、ステップＳ７１に戻る。
【００４４】
ステップＳ７３の「コマンド処理」は、図９のフロー図に示す手順で実行される。なお、図９にはホストのシステムコントローラ５０から再生コマンドが与えられた場合の処理のみを説明している。ホストのシステムコントローラ５０から再生のコマンドが与えられると、ＤＳＰ２８は図９のステップＳ１０１において、再生の処理であると判断し、ステップＳ１０３で目的のアドレスにアクセスする。ステップＳ１０５では、ＲＦローパスフィルタのカットオフ周波数やＭＯ信号ヘッダ位相合わせタイミングなどの各パラメータの設定を行う。
【００４５】
そして、ステップＳ１０７では、図８のステップＳ８７において更新した「温度対再生パワーテーブル」に基づいてＺＣＡＶ方式での最適再生レーザパワー値の設定を行い、設定された最適再生レーザパワー値でステップＳ１０９において再生コマンドに応じた再生を行う。
【００４６】
ステップＳ１０７の「再生レーザパワーの設定」処理は、図１０のフロー図に示す手順で実行される。まず、ステップＳ１３１において、温度センサ４４から光磁気ディスク１００の周辺温度を取得する。このとき得られた周辺温度をたとえば２５度とする。ステップＳ１３３では、ステップＳ１３１において取得した光磁気ディスク１００の周辺温度、２５度に基づいて「温度対再生パワーテーブル」を参照して、２５度におけるゾーン１２の線速度での基準再生レーザパワー値「Ｐr(Z12,T25)」を特定する。
【００４７】
次に、ステップＳ１３５において、数３に「Ｔc」＝２５（度）を代入して線速度係数（３０Ｍｂｐｓにおける再生レーザパワー係数）「βc」を算出する。
【００４８】
さらに、ステップＳ１３７では、現在再生しようとしているトラックが属しているゾーンたとえばゾーン３に最適な線速度「Ｖx」を特定する。そして、ステップＳ１３９において、数４に線速度「Ｖx」を代入して線速度係数「βvxc」を算出する。
【００４９】
そして、ステップＳ１４１では、数５に基準再生レーザパワー値Ｐr(Z12,T25)および線速度係数「βvxc」を代入して当該温度および当該線速度における最適再生レーザパワー値Ｐr（Z3,T25）を算出し、ステップＳ１４３において最適再生レーザパワー値Ｐr（Z3,T25）をレーザドライブ３６（図１参照）に設定する。
【００５０】
以上に説明したように、この実施例のディスク装置１０では、一度テストライトおよびテストリードを行って「温度対再生パワーテーブル」を更新すると、それ以降はテストライトおよびテストリードを行うことなく、光磁気ディスク１００の周辺温度および線速度に応じた最適再生レーザパワー値を計算によって算出する。したがって、最適再生レーザパワー値の決定にかかる時間が短縮され、再生性能を向上することができる。
【００５１】
なお、上述した実施例は形態を種々に変更することができる。たとえば、上述の例では基準再生レーザパワー値を、テストライトおよびテストリードの結果得られる最適再生レーザパワー値としたが、基準再生レーザパワー値を、テストリードで再生が可能な、つまり再生信号に含まれる誤り信号を誤り訂正符号で訂正が可能である下限のレーザパワー値に所定の値（たとえば、下限のレーザパワー値の２％）を加算したレーザパワー値、もしくは誤り訂正符号で訂正が可能である上限のレーザパワー値から所定の値（たとえば、上限のレーザパワー値の２％）を減算したレーザパワー値としてもよい。これらの場合には、テストリードでテストする再生レーザパワー値を下限方向から上限方向もしくは上限方向から下限方向の一方向から変更して再生が可能となる地点を求めるだけでよい。したがって、テストライトおよびテストリードによって基準再生レーザパワー値を求める時間が短縮される。また、再生が可能となるレーザパワー値の下限は、光磁気ディスク毎の個体差が少ないので、下限のレーザパワー値に加算する所定の値を一つの光磁気ディスクについて適正に定めれば、不特定の光磁気ディスクに対してもより適切な最適再生レーザパワー値となり得る。
【００５２】
また、線速度係数を基準再生レーザパワー値に乗算することによって最適再生レーザパワー値を求めたが、これと同じ手段によって最適記録レーザパワー値を求めるようにしてもよい。つまり、線速度係数を基準記録レーザパワー値に乗算することによって最適記録レーザパワー値を算出するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例の全体構成を示す図解図である。
【図２】光磁気ディスクの構成を示す図解図である。
【図３】線速度係数と線速度との関係を示す図解図である。
【図４】第１実施例の動作を示すフロー図である。
【図５】第１実施例の動作を示すフロー図である。
【図６】第１実施例の動作を示すフロー図である。
【図７】（Ａ）は３０Ｍｂｐｓにおける再生レーザパワー係数と温度との関係を示す図解図であり、（Ｂ）は線速度係数と線速度との関係を示す図解図である。
【図８】第２実施例の動作を示すフロー図である。
【図９】第２実施例の動作を示すフロー図である。
【図１０】第２実施例の動作を示すフロー図である。
【符号の説明】
１０ …ディスク装置
１２ …光ピックアップ
１４ …磁気ヘッド
２８ …ＤＳＰ
３８ …スピンドルサーボ機構
４０ …スピンドルモータ
４４ …温度センサ
【産業上の利用分野】
この発明は、ディスク装置に関し、特にたとえば、ＣＡＶ（Constant Angular Velocity）方式で回転するディスク記録媒体にレーザ光を照射して情報再生を行うディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種のディスク装置の例が、平成１１年３月９日付で出願公開された特開平１１−６６７２６号公報〔Ｇ１１Ｂ １９／２８ ７／００ １９／２４７ ２０／１０〕に開示されている。このようなディスク装置の実用化において、ＺＣＡＶ（Zone ＣＡＶ）方式で再生を行う場合、再生するゾーン（Zone）が変化すると線速度が異なり、線速度が異なると最適再生レーザパワー値も異なってくる。このため、ＺＣＡＶ方式で再生を行う従来のディスク装置では、線速度（ゾーン）毎にテストライトおよびテストリードを行うことによって、最適再生レーザパワー値を個別に決定する必要がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、再生するゾーンが変化する度にテストライトおよびテストリードを行って最適再生レーザパワー値を決定するのでは、再生に時間がかかってしまうという問題がある。また、テストライトとテストリードとでディスク記録媒体の回転方式を変更するので、テストライトおよびテストリードにも時間がかかるという問題がある。
【０００４】
それゆえに、この発明の主たる目的は、再生性能を向上できる、ディスク装置を提供することである。
【０００５】
この発明は、径方向に複数のゾーンに区画されＺＣＡＶ方式で回転するディスク記録媒体から情報を再生するために、ディスク記録媒体の所望の第１ゾーンに照射するレーザ光のディスク記録媒体の周辺温度Ｔにおける第１ゾーンの線速度に対する最適再生レーザパワー値を、周辺温度Ｔにおける所定の第１線速度に対する基準再生レーザパワー値に、第１ゾーンの線速度に対応する係数を乗算して算出するディスク装置であって、係数は、第１線速度および第１線速度に対応する第１係数で定まる第１点と、第２線速度および第２線速度に対応する第２係数で定まる第２点と、によって特定される第１直線上において第１ゾーンの線速度に対応する係数であり、第２係数は、基準温度および基準温度において第２線速度に対応する第３係数で定まる第３点と、第２線速度に依存する傾きと、によって特定される第２直線上において周辺温度Ｔに対応する係数である、ディスク装置である。
【０００６】
【作用】
この発明においては、径方向に複数のゾーンに区画されＺＣＡＶ方式で回転するディスク記録媒体から情報を再生するために、ディスク記録媒体の所望の第１ゾーンに照射するレーザ光のディスク記録媒体の周辺温度Ｔにおける第１ゾーンの線速度に対する最適再生レーザパワー値を、周辺温度Ｔにおける所定の第１線速度に対する基準再生レーザパワー値に、第１ゾーンの線速度に対応する係数を乗算して算出する。そして、この係数は、第１線速度および第１線速度に対応する第１係数で定まる第１点と、第２線速度および第２線速度に対応する第２係数で定まる第２点と、によって特定される第１直線上において第１ゾーンの線速度に対応する係数であり、第２係数は、基準温度および基準温度において第２線速度に対応する第３係数で定まる第３点と、第２線速度に依存する傾きと、によって特定される第２直線上において周辺温度Ｔに対応する係数である。
【０００９】
【発明の効果】
この発明によれば、最適再生レーザパワー値を計算によって算出することができ、したがって毎回テストライトおよびテストリードを行う必要がないので、再生にかかる時間が短縮できて再生性能を向上することができる。
【００１０】
この発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【００１１】
【実施例】
図１を参照して、この実施例のディスク装置１０は、光ピックアップ１２を含んでいる。光磁気ディスク１００の径方向における光ピックアップ１２の位置は、スレッドサーボ機構３４によって制御される。また、光ピックアップ１２に設けられた光学レンズ１２ａの光軸方向における位置は、フォーカスサーボ機構３０によって制御される。さらに、光磁気ディスク１００の径方向における光学レンズ１２ａの位置は、トラッキングサーボ機構３２によって制御される。
【００１２】
レーザドライブ３６には、ＤＳＰ２８から与えられる制御信号によってレーザパワー値が設定され、レーザドライブ３６は設定されたレーザパワー値のレーザ光をレーザダイオード１２ｂから出力させる。レーザダイオード１２ｂから出力されたレーザ光は、光学レンズ１２ａで収束されて光磁気ディスク１００の記録面に照射される。
【００１３】
光磁気ディスク１００は再生層および記録層を含んでおり、所望の信号は記録層に記録される。所望の信号を記録層に記録するとき、レーザ光は、記録層にフォーカスされた光学レンズ１２ａと再生層とを経て当該記録層に照射される。レーザ光によってキュリー温度に達した記録層に磁気ヘッド１４によって磁界が加えられると、記録層のキュリー温度に達した部分は磁界の方向に磁化される。この磁化された部分の一つ一つはマークと呼ばれる。磁気ヘッド１４の発生する磁界を制御することによって、所望の信号が光磁気ディスク１００の記録層に記録される。
【００１４】
一方、光磁気ディスク１００から信号を読み出すとき、レーザ光は、再生層にフォーカスされた光学レンズ１２ａを経て当該再生層に照射される。レーザ光の照射により所定の温度（キュリー温度よりも低い温度）に達した再生層は磁性を示し、記録層のマークが保持する磁界に応じて磁化される。再生層で反射したレーザ光は当該再生層の磁化の方向に応じて偏光し、光ピックアップ１２は反射レーザ光の偏光状態に基づいて信号を読み取る。
【００１５】
記録層をキュリー温度まで上昇させるので、記録レーザ光は再生レーザ光よりも大きな出力（パワー）が必要である。記録層に記録されたデータを再生層に転写して情報を読み出すシステムでは、最適記録レーザパワー値のみでなく、最適再生レーザパワー値も光磁気ディスク１００の温度に依存する。なお、光磁気ディスク１００の周辺温度は温度センサ４４によって計測され、その計測結果がＤＳＰ２８に与えられる。
【００１６】
所望の信号を光磁気ディスク１００に記録するとき、ＥＣＣエンコーダ１８は、入力信号に誤り訂正符号（ECC:Error Correcting Code）を付加し、誤り訂正符号が付加された信号をエンコード信号にする。磁気ヘッド１４は、ＥＣＣエンコーダ１８から与えられるエンコード信号に応じた磁界を発生する。
【００１７】
ここで誤り訂正符号は、所定量の信号毎に付加される符号であり、誤り訂正符号が付加された所定量の信号はＥＣＣブロックと呼ばれる。ＥＣＣブロックは複数のラインと呼ばれる信号の集合から構成される。後述するＥＣＣデコーダ２２は、ブロック内のディジタル信号に誤りが含まれているときに、誤った信号（以下、「誤り信号」と呼ぶ）を誤り訂正符号に基づいて自動的に訂正することができる。ただし、訂正できる誤り信号の量には一定の限界がある。
【００１８】
光磁気ディスク１００に記録された信号を再生するときには、レーザドライブ３６によってレーザダイオード１２ｂのパワーが制御され、レーザダイオード１２ｂは制御に応じたレーザ光を出力する。出力されたレーザ光は光学レンズ１２ａを介して光磁気ディスク１００の表面に照射される。光磁気ディスク１００の表面からの反射光は、同じ光学レンズ１２ａを通過して光検出器１２ｃに入射される。光検出器１２ｃは、入射光に応じた信号（ＲＦ信号）をイコライザ１６に与える。イコライザ１６はＲＦ信号の周波数特性を補償し、ＰＲＭＬ（Partial Response Maximum Likelihood）回路２０に与える。ＰＲＭＬ回路２０は、ＲＦ信号に基づいてディジタル信号を生成し、生成したディジタル信号をＥＣＣデコーダ２２に与える。ＥＣＣデコーダ２２はＰＲＭＬ回路２０から受け取ったディジタル信号に含まれる誤り信号を１ＥＣＣブロック毎に誤り訂正する。また、ＥＣＣデコーダ２２はＥＣＣブロックの１ライン中のどれだけの誤り信号を訂正したか、つまり１ライン中にどれだけの誤り信号が含まれていたかを示す情報（以下、「訂正量情報」と呼ぶ）を符号誤り率算出回路２４に与える。符号誤り率算出回路２４は、ＥＣＣデコーダ２２から与えられた訂正量情報に基づいて符号誤り率を算出し、ＤＳＰ２８に与える。
【００１９】
光磁気ディスク１００はスピンドル（図示せず）の上に搭載され、スピンドルはシャフト４２を介してスピンドルモータ４０に連結されている。ＤＳＰ２８は制御信号をスピンドルサーボ機構３８に与え、スピンドルサーボ機構３８は受け取った制御信号に基づいてスピンドルモータ４０を回転させる。これに伴いシャフト４２が回転し、スピンドル、つまり光磁気ディスク１００が回転する。また、スピンドルモータ４０はスピンドルの回転速度に関連するＦＧ信号を発生し、このＦＧ信号をＤＳＰ２８に与える。このＦＧ信号をＤＳＰ２８がモニタすることにより、シャフト４２に連結されたスピンドル、つまり光磁気ディスク１００の回転速度が適切に制御される。この制御によって、光磁気ディスク１００は、信号の記録時にはＺＣＬＶ（Zone Constant Linear Velocity）方式で回転され、再生時にはＺＣＡＶ（Zone Constant Angular Velocity）方式で回転される。ＺＣＬＶ方式の線速度はほぼ一定の２０Ｍｂｐｓであり、ＺＣＡＶ方式の線速度は最小で２０Ｍｂｐｓであり最大で３０Ｍｂｐｓである。なお、ＺＣＬＶ方式はＣＬＶ方式の下位概念であり、ＺＣＡＶ方式はＣＡＶ方式の下位概念である。
【００２０】
図２に示すように、光磁気ディスク１００は、記録面に形成されたトラックを径方向に区切った１２個のゾーンと呼ばれる領域からなっている。各ゾーンにはテストライトおよびテストリードを行うためのテストエリアが設けられている。ＺＣＡＶ方式で光磁気ディスク１００を回転させる場合、レーザ光を照射するゾーンが異なると光ピックアップ１２のトラックに対する線速度も異なってくる。最も外周側に位置するゾーン１の線速度が最も大きく、最も内側に位置するゾーン１２の線速度が最も小さい。したがって、ＺＣＡＶ方式で光磁気ディスク１００を回転させる再生の場合、適切な最適再生レーザパワー値がゾーン（線速度）毎に異なっている。つまり、情報を再生するトラックが含まれるゾーンが変わる度に、再生レーザパワー値（最適再生レーザパワー値）を変更しなければならない。
【００２１】
従来のディスク装置のように、最適再生レーザパワー値を変更する必要が発生する毎にテストライトおよびテストリードを行うのでは、最適再生レーザパワー値の決定に、引いては再生の処理に時間がかかってしまう。また、従来のディスク装置のようにテストライトをＺＣＬＶ方式で実行し、テストリードをＺＣＡＶ方式で実行していたのでは、テストライトとテストリードとで光磁気ディスク１００の回転方式を変更しなければならないので、さらに時間がかかってしまう。
【００２２】
そこで、この実施例のディスク装置１０では、テストライトとテストリードとをともにＺＣＬＶ方式（ＺＣＬＶ方式での線速度（２０Ｍｂｐｓ）とＺＣＡＶ方式における最内周の線速度とは同じである）で光磁気ディスク１００を回転させて行ってＺＣＬＶ方式での最適再生レーザパワー値である基準再生レーザパワー値を求める。そして、基準再生レーザパワー値に基づく計算によってＺＣＡＶ方式における最適再生レーザパワー値を決定する。以降において最適再生レーザパワー値の変更が必要になったとき、つまり再生するトラックの属するゾーンが変わり、線速度が変更になったとき等には、再びテストライトおよびテストリードを行うのではなく、先に求めた基準再生レーザパワー値に基づく計算によって最適再生レーザパワー値を求める。
【００２３】
なお、テストライトは記録レートが高いと磁界変調方式の光磁気方式において磁気ヘッドを駆動する消費電力が増えるため、ＺＣＡＶ方式における最内周の線速度である２０Ｍｂｐｓで行うのがよい。この実施例では、ディスク膜のばらつきを考慮して中周あたりのゾーン７でＺＣＬＶ方式でのテストライトおよびテストリードを２０Ｍｂｐｓで行っている。
【００２４】
上述のように、ＺＣＡＶ方式（またはＣＡＶ方式）では、レーザ光の照射先の線速度によって最適再生レーザパワー値が異なる。つまり、線速度が速くなれば最適再生レーザパワー値は増加し、線速度が遅くなれば最適再生レーザパワー値は減少する。このため、基準再生レーザパワー値に基づいて最適再生レーザパワー値を求めるにあたって、図３に示すような正比例特性を持つ線速度係数を考える。
【００２５】
図３によれば、最小線速度である２０Ｍｂｐｓ（ゾーン１２）に対応する線速度係数は「１」であり、最大線速度である３０Ｍｂｐｓ（ゾーン１）に対応する線速度係数は「α」である。すると、線速度「Ｖx」に対応する線速度係数「αx」は、数１によって求められる。線速度「Ｖx」における最適再生レーザパワー値「Ｐvx」は、数２によって求められる。
【００２６】
【数１】
αx＝｛（Ｖx−20）／（30−20）｝×（α−1）＋1
【００２７】
【数２】
Ｐvx＝αx×Ｐt
以下、図４から図６を用いて、この実施例におけるディスク装置１０の動きをＤＳＰ２８の動作として説明する。ディスク装置１０のＤＳＰ２８は、ホストのシステムコントローラ５０（図１参照）からコマンドを受け取るとステップＳ１においてコマンドを受信したと判断する。ここで、ホストとは、ディスク装置１０がパーソナルコンピュータ（ＰＣ）（図示せず）のディスクドライブであればＰＣのＣＰＵであり、ディスク装置１０がディジタルカメラ（図示せず）のディスクドライブであればディジタルカメラのＣＰＵである。ステップＳ１でコマンドを受信したと判断すると、ステップＳ３の「コマンド処理」ルーチンで、受信したコマンドに応じた、再生などの処理を行う。「コマンド処理」を終えると、ステップＳ１に戻る。
【００２８】
ステップＳ１でコマンド受信でないと判断した場合には、ステップＳ５において、所定の時間が経過したかどうかを判断する。所定の時間とは、後述するステップＳ１１での基準再生レーザパワー値「Ｐt」の更新を終えてからの時間のことである。ステップＳ５で、先に行った基準再生レーザパワー値「Ｐt」の更新から所定の時間が経過していると判断すると、ステップＳ７において光磁気ディスク１００をＺＣＬＶ方式で回転させ、ステップＳ９において、現在トレースしているトラックの属するゾーンに含まれているテストエリアでテストライトを行い、そしてステップＳ１１でテストリードを行ってＺＣＬＶ方式での最適再生レーザパワー値を決定する。テストライトおよびテストリードが同じＺＣＬＶ方式で実行されるので、光磁気ディスク１００の回転方式を変更する必要がなく、テストライトおよびテストリードにかかる時間を短縮できる。ステップＳ１３においてこの最適再生レーザパワー値をもって基準再生レーザパワー値「Ｐt」を更新する。そしてステップＳ１に戻る。
【００２９】
ステップＳ３の「コマンド処理」は、図５のフロー図に示す手順で実行される。なお、図５にはホストのシステムコントローラ５０から再生コマンドが与えられた場合の処理のみを説明している。ホストのシステムコントローラ５０から再生のコマンドが与えられると、ＤＳＰ２８は図５のステップＳ３１において、再生の処理であると判断し、ステップＳ３３で目的のアドレスにアクセスする。ステップＳ３５では、ＲＦローパスフィルタのカットオフ周波数やＭＯ信号ヘッダ位相合わせタイミングなどの各パラメータの設定を行う。そして、ステップＳ３７では、図４のステップＳ１３において更新した基準再生レーザパワー値「Ｐt」に基づいてＺＣＡＶ方式での最適再生レーザパワー値の設定を行い、設定された最適再生レーザパワー値でステップＳ３９において再生コマンドに応じた再生を行う。再生が完了すると上階層のルーチンに復帰する。ステップＳ３１において再生でないと判断すると、ステップＳ４１においてコマンドに応じたその他の処理を実行し、ステップＳ３１に戻る。
【００３０】
ステップＳ３７の「再生レーザパワーの設定」処理は、図６のフロー図に示す手順で実行される。まず、ステップＳ５１において、現在再生しようとしているトラックが属しているゾーンを特定し、当該トラックに最適な線速度「Ｖx」を特定する。そして、ステップＳ５３において、数１に線速度「Ｖx」を代入して線速度係数「αx」を算出する。そして、ステップＳ５５では、数２に線速度係数「αx」および基準再生レーザパワー値「Ｐt」を代入して当該線速度における最適再生レーザパワー値「Ｐvx」を算出し、ステップＳ５７において最適再生レーザパワー値「Ｐvx」をレーザドライブ３６（図１参照）に設定する。設定が完了すると、上階層のルーチンに復帰する。
【００３１】
以上説明したように、この実施例のディスク装置１０では、一度テストライトおよびテストリードに基づいて最適再生レーザパワー値「Ｐvx」（基準再生レーザパワー値「Ｐt」）を求めると、以後は基準再生レーザパワー値「Ｐt」と線速度係数「αx」との演算によって線速度「Ｖx」に応じた最適再生レーザパワー値「Ｐvx」を求める。したがって、最適再生レーザパワー値の変更が必要になる度にテストライトおよびテストリードを行うのではなく、演算によって最適再生レーザパワー値を算出するので最適再生レーザパワー値の決定にかかる時間が短縮されて再生性能を向上することができる。
【００３２】
上述の実施例では、線速度によって最適再生レーザパワー値を変更する方式をとった。次に説明する実施例のディスク装置１０では、線速度に光磁気ディスク１００の周辺温度をも加味して最適再生レーザパワー値を決定する。
【００３３】
この実施例のディスク装置１０の構成は図１の構成と同じであるため説明を省略する。この実施例のディスク装置１０では、まず、線速度２０Ｍｂｐｓ（ゾーン１２（最小線速度））における、温度（光磁気ディスク１００の周辺温度）と再生レーザパワー値の関係式（直線の式）をテーブルとして用意している。このテーブルを「温度対再生パワーテーブル」と呼ぶ。温度に基づいてこの「温度対再生パワーテーブル」を参照することによって求まる再生レーザパワー値を「基準再生レーザパワー値」と呼ぶ。なお、温度と基準再生パワー値とは比例関係（傾き一定の直線的な関係）にある。
【００３４】
はじめに、温度センサ４４から光磁気ディスク１００の周辺温度（たとえば２５度）を取得するとともに、ゾーン７のテストエリアに対してテストライトおよびテストリードをＺＣＬＶ方式で行って、２５度におけるゾーン７の線速度での最適再生レーザパワー値を求める。ＺＣＬＶ方式でテストライトおよびテストリードを行っているので、この最適再生レーザパワー値は、２５度におけるＺＣＡＶ方式で再生した場合のゾーン１２の線速度（２０Ｍｂｐｓ）での基準再生レーザパワー値「Ｐr(Z12,T25)」でもある。そして、求まった温度と最適再生レーザパワー値を基に、傾きをそのままに直線を平行移動させて「温度対再生パワーテーブル」を修正する。この「温度対再生パワーテーブル」は、大きな温度変化があったときに、テストライトおよびテストリードを行って上述したように修正される。逆に言えば、大きな温度変化がない間は、テストライトおよびテストリードによらず、周辺温度に基づいて「温度対再生パワーテーブル」を参照することによって基準再生レーザパワー値を決定する。
【００３５】
ゾーン３の線速度における温度２５度での最適再生レーザパワー値「Ｐr(Z3,T25)」を求めたいとする。まず、「温度対再生パワーテーブル」を温度２５度で参照して、温度２５度におけるゾーン１２の線速度（２０Ｍｂｐｓ）での基準再生レーザパワー値「Ｐr(Z12,T25)」を求める。
【００３６】
次に、ゾーン１（３０Ｍｂｐｓ）における温度２５度での線速度係数を求める。上述の通り、最適再生レーザパワー値は線速度に対して正比例特性を有するが、温度に対しては逆比例特性を有する。つまり、温度が高いと最適再生レーザパワー値は減少し、温度が低いと最適再生レーザパワー値は増加する。このため、この実施例では、最適再生レーザパワー値を求めるにあたって、まず温度を考慮して線速度係数を修正し、修正された線速度係数を基準再生レーザパワー値に乗算する。
【００３７】
線速度係数（３０Ｍｂｐｓにおける再生レーザパワー係数）は、温度に対して図７（Ａ）に示すような逆比例特性を有する。直線の傾きを「ａ」として、基準温度「Ｔref」（たとえば室温である２０度）における線速度係数を「βref」とすると、ゾーン１における温度「Ｔc」（たとえば２５度）における線速度係数「βc」は数３によって求められる。なお、傾き「ａ」は線速度に依存し、図７（Ａ）の例では線速度＝３０Ｍｂｐｓを想定している。
【００３８】
【数３】
βc＝βref−ａ×（Ｔc−Ｔref）＝βref−ａ×（25−Ｔref）
こうしてゾーン１における温度２５での線速度係数「βc」が求められるが、最終的に求めるのはゾーン３における温度２５での最適再生レーザパワー値である。このため、図７（Ｂ）に示すグラフを参照して、図１実施例と同じ要領で最適再生レーザパワー値を求める。具体的には、ゾーン３の線速度「Ｖx」に対応する線速度係数「βvxc」を数４に従って求め、最適再生レーザパワー値を数５に従って求める。
【００３９】
【数４】
βvxc＝｛（Ｖx−20）／（30−20）｝×（βc−1）＋1
【００４０】
【数５】
Ｐr(Z3,T25)＝βvxc×Ｐr(Z12,T25)
このようにして最適再生レーザパワー値を求めると、次に最適再生レーザパワー値を求めるときには、テストライトおよびテストリードを行って基準再生レーザパワー値を求めるのではなく、温度を元に「温度対再生パワーテーブル」を参照することによって基準再生レーザパワー値を求める。
【００４１】
以下、図８から図１０を用いて、この実施例におけるディスク装置１０の動きをＤＳＰ２８の動作として説明する。ディスク装置１０のＤＳＰ２８は、ホストのシステムコントローラ５０（図１参照）からコマンドを受け取るとステップＳ７１においてコマンドを受信したと判断する。そして、ステップＳ７３の「コマンド処理」ルーチンで、受信したコマンドに応じた再生などの処理を行う。
【００４２】
ステップＳ７１でコマンド受信でないと判断した場合には、ステップＳ７５において所定の時間が経過したかどうかを判断する。所定の時間とは、後述するステップＳ８７での「温度対再生パワーテーブル」の更新を終えてからの時間のことである。ステップＳ７５で、先に行った「温度対再生パワーテーブル」の更新から所定の時間が経過していると判断すると、ステップＳ７７において温度センサ４４から光磁気ディスク１００の周辺温度を取得する。そして、ステップＳ７９において、前回取得した温度からたとえば３度以上の温度変化があるかどうかを判断する。初めて周辺温度を取得した場合にもステップＳ７９ではＹＥＳと判断する。
【００４３】
３度以上の温度変化があったときには、ステップＳ８１においてＺＣＬＶ方式で光磁気ディスク１００を回転させる。そして、ステップＳ８３において、ゾーン７のテストエリアにテストライトを行い、ステップＳ８５において、テストリードを行ってＺＣＬＶ方式での最適再生レーザパワー値を決定する。テストライトおよびテストリードは同じＺＣＬＶ方式で行われるので、光磁気ディスク１００の回転方式を変更する必要がないので、テストライトおよびテストリードにかかる時間が短縮できる。ステップＳ８７では、決定された最適再生レーザパワー値とステップＳ７９において取得した温度値とに基づいて、上述したように直線式の傾きをそのままに直線を平行移動させて「温度対再生パワーテーブル」を更新する。そして、ステップＳ７１に戻る。
【００４４】
ステップＳ７３の「コマンド処理」は、図９のフロー図に示す手順で実行される。なお、図９にはホストのシステムコントローラ５０から再生コマンドが与えられた場合の処理のみを説明している。ホストのシステムコントローラ５０から再生のコマンドが与えられると、ＤＳＰ２８は図９のステップＳ１０１において、再生の処理であると判断し、ステップＳ１０３で目的のアドレスにアクセスする。ステップＳ１０５では、ＲＦローパスフィルタのカットオフ周波数やＭＯ信号ヘッダ位相合わせタイミングなどの各パラメータの設定を行う。
【００４５】
そして、ステップＳ１０７では、図８のステップＳ８７において更新した「温度対再生パワーテーブル」に基づいてＺＣＡＶ方式での最適再生レーザパワー値の設定を行い、設定された最適再生レーザパワー値でステップＳ１０９において再生コマンドに応じた再生を行う。
【００４６】
ステップＳ１０７の「再生レーザパワーの設定」処理は、図１０のフロー図に示す手順で実行される。まず、ステップＳ１３１において、温度センサ４４から光磁気ディスク１００の周辺温度を取得する。このとき得られた周辺温度をたとえば２５度とする。ステップＳ１３３では、ステップＳ１３１において取得した光磁気ディスク１００の周辺温度、２５度に基づいて「温度対再生パワーテーブル」を参照して、２５度におけるゾーン１２の線速度での基準再生レーザパワー値「Ｐr(Z12,T25)」を特定する。
【００４７】
次に、ステップＳ１３５において、数３に「Ｔc」＝２５（度）を代入して線速度係数（３０Ｍｂｐｓにおける再生レーザパワー係数）「βc」を算出する。
【００４８】
さらに、ステップＳ１３７では、現在再生しようとしているトラックが属しているゾーンたとえばゾーン３に最適な線速度「Ｖx」を特定する。そして、ステップＳ１３９において、数４に線速度「Ｖx」を代入して線速度係数「βvxc」を算出する。
【００４９】
そして、ステップＳ１４１では、数５に基準再生レーザパワー値Ｐr(Z12,T25)および線速度係数「βvxc」を代入して当該温度および当該線速度における最適再生レーザパワー値Ｐr（Z3,T25）を算出し、ステップＳ１４３において最適再生レーザパワー値Ｐr（Z3,T25）をレーザドライブ３６（図１参照）に設定する。
【００５０】
以上に説明したように、この実施例のディスク装置１０では、一度テストライトおよびテストリードを行って「温度対再生パワーテーブル」を更新すると、それ以降はテストライトおよびテストリードを行うことなく、光磁気ディスク１００の周辺温度および線速度に応じた最適再生レーザパワー値を計算によって算出する。したがって、最適再生レーザパワー値の決定にかかる時間が短縮され、再生性能を向上することができる。
【００５１】
なお、上述した実施例は形態を種々に変更することができる。たとえば、上述の例では基準再生レーザパワー値を、テストライトおよびテストリードの結果得られる最適再生レーザパワー値としたが、基準再生レーザパワー値を、テストリードで再生が可能な、つまり再生信号に含まれる誤り信号を誤り訂正符号で訂正が可能である下限のレーザパワー値に所定の値（たとえば、下限のレーザパワー値の２％）を加算したレーザパワー値、もしくは誤り訂正符号で訂正が可能である上限のレーザパワー値から所定の値（たとえば、上限のレーザパワー値の２％）を減算したレーザパワー値としてもよい。これらの場合には、テストリードでテストする再生レーザパワー値を下限方向から上限方向もしくは上限方向から下限方向の一方向から変更して再生が可能となる地点を求めるだけでよい。したがって、テストライトおよびテストリードによって基準再生レーザパワー値を求める時間が短縮される。また、再生が可能となるレーザパワー値の下限は、光磁気ディスク毎の個体差が少ないので、下限のレーザパワー値に加算する所定の値を一つの光磁気ディスクについて適正に定めれば、不特定の光磁気ディスクに対してもより適切な最適再生レーザパワー値となり得る。
【００５２】
また、線速度係数を基準再生レーザパワー値に乗算することによって最適再生レーザパワー値を求めたが、これと同じ手段によって最適記録レーザパワー値を求めるようにしてもよい。つまり、線速度係数を基準記録レーザパワー値に乗算することによって最適記録レーザパワー値を算出するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例の全体構成を示す図解図である。
【図２】光磁気ディスクの構成を示す図解図である。
【図３】線速度係数と線速度との関係を示す図解図である。
【図４】第１実施例の動作を示すフロー図である。
【図５】第１実施例の動作を示すフロー図である。
【図６】第１実施例の動作を示すフロー図である。
【図７】（Ａ）は３０Ｍｂｐｓにおける再生レーザパワー係数と温度との関係を示す図解図であり、（Ｂ）は線速度係数と線速度との関係を示す図解図である。
【図８】第２実施例の動作を示すフロー図である。
【図９】第２実施例の動作を示すフロー図である。
【図１０】第２実施例の動作を示すフロー図である。
【符号の説明】
１０ …ディスク装置
１２ …光ピックアップ
１４ …磁気ヘッド
２８ …ＤＳＰ
３８ …スピンドルサーボ機構
４０ …スピンドルモータ
４４ …温度センサ
Claims (4)
- 径方向に複数のゾーンに区画されＺＣＡＶ方式で回転するディスク記録媒体から情報を再生するために、前記ディスク記録媒体の所望の第１ゾーンに照射するレーザ光の前記ディスク記録媒体の周辺温度Ｔにおける前記第１ゾーンの線速度に対する最適再生レーザパワー値を、前記周辺温度Ｔにおける所定の第１線速度に対する基準再生レーザパワー値に、前記第１ゾーンの線速度に対応する係数を乗算して算出するディスク装置であって、
前記係数は、前記第１線速度および前記第１線速度に対応する第１係数で定まる第１点と、第２線速度および前記第２線速度に対応する第２係数で定まる第２点と、によって特定される第１直線上において前記第１ゾーンの線速度に対応する係数であり、
前記第２係数は、基準温度および前記基準温度において前記第２線速度に対応する第３係数で定まる第３点と、前記第２線速度に依存する傾きと、によって特定される第２直線上において前記周辺温度Ｔに対応する係数である、ディスク装置。 - 前記基準再生レーザパワー値は、前記ディスク記録媒体の周辺温度と前記第１線速度における再生レーザパワー値との関係を記憶したテーブルに基づいて特定される、請求項１記載のディスク装置。
- 前記テーブルは、前記ディスク記録媒体の周辺温度と、前記第１線速度において前記ディスク記録媒体にテストライトおよびテストリードを行って決定した最適基準再生レーザパワー値と、に基づいて更新される、請求項２記載のディスク装置。
- 前記テーブルの更新は、所定の時間が経過し、かつ、前記ディスク記録媒体の周辺温度が所定の閾値以上変化したとき実行する、請求項３記載のディスク装置。
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