JPH0573948A - 半導体レーザの高周波重畳方式 - Google Patents
半導体レーザの高周波重畳方式Info
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- JPH0573948A JPH0573948A JP3258519A JP25851991A JPH0573948A JP H0573948 A JPH0573948 A JP H0573948A JP 3258519 A JP3258519 A JP 3258519A JP 25851991 A JP25851991 A JP 25851991A JP H0573948 A JPH0573948 A JP H0573948A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】書き込み時、消去時であっても高周波重畳をか
けることが可能な半導体レ−ザの高周波重畳方式を提供
することを目的とする。 【構成】制御部９０は、少なくとも読み取り時と、書き
込み時又は消去時の各々について、高周波重畳回路２０
から流れる高周波電流の電流値の振幅又はデュ−ティを
制御するための制御情報を高周波重畳回路２０に出力
し、高周波重畳回路２０は、制御部９０から出力される
制御情報に基づいて高周波電流の電流値の振幅又はデュ
−ティを制限し、直流電源Ｖ1及びＶ2から流れる直流電
流に該高周波電流を重畳して半導体レ−ザ１０を駆動す
る。
けることが可能な半導体レ−ザの高周波重畳方式を提供
することを目的とする。 【構成】制御部９０は、少なくとも読み取り時と、書き
込み時又は消去時の各々について、高周波重畳回路２０
から流れる高周波電流の電流値の振幅又はデュ−ティを
制御するための制御情報を高周波重畳回路２０に出力
し、高周波重畳回路２０は、制御部９０から出力される
制御情報に基づいて高周波電流の電流値の振幅又はデュ
−ティを制限し、直流電源Ｖ1及びＶ2から流れる直流電
流に該高周波電流を重畳して半導体レ−ザ１０を駆動す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学的情報記録再生装
置に用いられる半導体レ−ザの高周波重畳方式に関する
ものであり、特に記録媒体に情報を書き込む際等にも高
周波重畳をかけることのできる半導体レ−ザの高周波重
畳方式に関するものである。
置に用いられる半導体レ−ザの高周波重畳方式に関する
ものであり、特に記録媒体に情報を書き込む際等にも高
周波重畳をかけることのできる半導体レ−ザの高周波重
畳方式に関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来から、光磁気ディスク装置等の光学的
情報記録再生装置には、光源として半導体レ−ザを用い
た光学ピックアップを用いたものが知られている。かか
る光学ピックアップは、半導体レ−ザからレ−ザ光を射
出し、記録媒体からの反射光を半導体レ−ザに帰還させ
ずに、光検知器を用いて受光することによって、記録媒
体に記録された情報に対応した電気信号を得ているもの
が多い。
情報記録再生装置には、光源として半導体レ−ザを用い
た光学ピックアップを用いたものが知られている。かか
る光学ピックアップは、半導体レ−ザからレ−ザ光を射
出し、記録媒体からの反射光を半導体レ−ザに帰還させ
ずに、光検知器を用いて受光することによって、記録媒
体に記録された情報に対応した電気信号を得ているもの
が多い。
【０００３】ここで、記録媒体の材質が複屈折性を有す
る場合があり、かかる記録媒体に対してレ−ザ光が射出
された場合には、該記録媒体からの反射光の一部が半導
体レ−ザに帰還される。半導体レ−ザは記録媒体からの
戻り光がほんの微小(0.04％程度)であっても光出力に揺
らぎが生じ、雑音が発生する。
る場合があり、かかる記録媒体に対してレ−ザ光が射出
された場合には、該記録媒体からの反射光の一部が半導
体レ−ザに帰還される。半導体レ−ザは記録媒体からの
戻り光がほんの微小(0.04％程度)であっても光出力に揺
らぎが生じ、雑音が発生する。
【０００４】かかる雑音の発生を抑止するために特公昭
５９−９０８６号公報に記載されているような装置が提
案されている。この装置は、図２に示すように直流電流
源１００と高周波電流源１１０とを具備し、半導体レ−
ザの発振を多モ−ド化することによって雑音を抑えてい
る。従って、半導体レ−ザ１０を駆動する電流は直流電
流源１００から流れる直流電流に、高周波電流源１１０
から流れる高周波電流を重畳した形式となる。直流電流
と高周波の交流電流とを重ねあわせた電流によって半導
体レ−ザ１０を駆動し、また、直流電流と高周波電流と
を重ねあわせた電流値の和の最小値が、発振しきい値電
流よりも小さくなるようにすると、該半導体レ−ザ１０
の発振スペクトルは多重縦モ−ド発振となる。
５９−９０８６号公報に記載されているような装置が提
案されている。この装置は、図２に示すように直流電流
源１００と高周波電流源１１０とを具備し、半導体レ−
ザの発振を多モ−ド化することによって雑音を抑えてい
る。従って、半導体レ−ザ１０を駆動する電流は直流電
流源１００から流れる直流電流に、高周波電流源１１０
から流れる高周波電流を重畳した形式となる。直流電流
と高周波の交流電流とを重ねあわせた電流によって半導
体レ−ザ１０を駆動し、また、直流電流と高周波電流と
を重ねあわせた電流値の和の最小値が、発振しきい値電
流よりも小さくなるようにすると、該半導体レ−ザ１０
の発振スペクトルは多重縦モ−ド発振となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体レ−ザの高周波重畳方式にあっては、以下の
ような問題点があった。即ち、半導体レ−ザ駆動のため
の電流値は、記録媒体の情報を読み取る際（以下、「読
み取り時」と称する）、記録媒体に情報を書き込む際
（以下、「書き込み時」と称する）或いは記録媒体の情
報を消去する際（以下、「消去時」と称する）で異な
る。特に、書き込み時や消去時にあっては半導体レ−ザ
の許容定格付近にまで該電流値を大きくする必要があ
る。従って、高周波重畳レベルが従来の方式のように一
定であった場合、書き込み時や消去時に高周波重畳をか
けると半導体レ−ザの許容定格をオ−バ−し、半導体レ
−ザを破壊する恐れがある。このため、一般的には高周
波重畳は読み取り時にのみ行なわれ、書き込み時や消去
時には半導体レ−ザを直流電流によってのみ駆動してい
るのが現状である。
来の半導体レ−ザの高周波重畳方式にあっては、以下の
ような問題点があった。即ち、半導体レ−ザ駆動のため
の電流値は、記録媒体の情報を読み取る際（以下、「読
み取り時」と称する）、記録媒体に情報を書き込む際
（以下、「書き込み時」と称する）或いは記録媒体の情
報を消去する際（以下、「消去時」と称する）で異な
る。特に、書き込み時や消去時にあっては半導体レ−ザ
の許容定格付近にまで該電流値を大きくする必要があ
る。従って、高周波重畳レベルが従来の方式のように一
定であった場合、書き込み時や消去時に高周波重畳をか
けると半導体レ−ザの許容定格をオ−バ−し、半導体レ
−ザを破壊する恐れがある。このため、一般的には高周
波重畳は読み取り時にのみ行なわれ、書き込み時や消去
時には半導体レ−ザを直流電流によってのみ駆動してい
るのが現状である。
【０００６】本発明は上述した問題に鑑みてなされたも
ので、書き込み時、消去時であっても高周波重畳をかけ
ることが可能な半導体レ−ザの高周波重畳方式を提供す
ることを目的とする。
ので、書き込み時、消去時であっても高周波重畳をかけ
ることが可能な半導体レ−ザの高周波重畳方式を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、記録媒体上の情報を読み取り、記録媒体上
に情報を書き込み、又は記録媒体上の情報を消去するた
めに、直流電流駆動により単一縦モ−ドで発振する半導
体レ−ザ素子と、半導体レ−ザ素子を直流電流により駆
動する駆動回路と、高周波発振器を有し半導体レ−ザ素
子の駆動直流電流に高周波発振器からの高周波電流を重
畳させる高周波重畳回路とを具備し、半導体レ−ザ素子
を多重縦モ−ドで発振させる半導体レ−ザの高周波重畳
方式において、少なくとも読み取り時と、書き込み時又
は消去時について、高周波重畳回路から流れる高周波電
流の電流値の振幅又はデュ−ティを制御するための制御
信号を算出する制御手段を具備し、高周波重畳回路は、
該制御手段から出力される制御情報に基づいて、高周波
電流の電流値の振幅又はデュ−ティを可変とすることを
特徴とする。
に本発明は、記録媒体上の情報を読み取り、記録媒体上
に情報を書き込み、又は記録媒体上の情報を消去するた
めに、直流電流駆動により単一縦モ−ドで発振する半導
体レ−ザ素子と、半導体レ−ザ素子を直流電流により駆
動する駆動回路と、高周波発振器を有し半導体レ−ザ素
子の駆動直流電流に高周波発振器からの高周波電流を重
畳させる高周波重畳回路とを具備し、半導体レ−ザ素子
を多重縦モ−ドで発振させる半導体レ−ザの高周波重畳
方式において、少なくとも読み取り時と、書き込み時又
は消去時について、高周波重畳回路から流れる高周波電
流の電流値の振幅又はデュ−ティを制御するための制御
信号を算出する制御手段を具備し、高周波重畳回路は、
該制御手段から出力される制御情報に基づいて、高周波
電流の電流値の振幅又はデュ−ティを可変とすることを
特徴とする。
【０００８】また、高周波重畳回路は、可変容量ダイオ
−ドからなる容量可変回路を具備し、容量可変回路を通
して高周波電流を半導体レ−ザ素子に重畳し、制御手段
は、可変容量ダイオ−ドの逆バイアス電圧を制御情報と
して、高周波重畳回路に出力することを特徴とする。
−ドからなる容量可変回路を具備し、容量可変回路を通
して高周波電流を半導体レ−ザ素子に重畳し、制御手段
は、可変容量ダイオ−ドの逆バイアス電圧を制御情報と
して、高周波重畳回路に出力することを特徴とする。
【０００９】また、高周波発振器は正弦波発振器であっ
て、制御手段は波形整形回路から出力される整形波のデ
ュ−ティ−比を変更するための制御情報を波形整形回路
に出力し、該高周波重畳回路は、該制御情報に基づいた
デュ−ティ−比の整形波からなる高周波電流を半導体レ
−ザ素子の駆動直流電流に重畳することを特徴とする。
て、制御手段は波形整形回路から出力される整形波のデ
ュ−ティ−比を変更するための制御情報を波形整形回路
に出力し、該高周波重畳回路は、該制御情報に基づいた
デュ−ティ−比の整形波からなる高周波電流を半導体レ
−ザ素子の駆動直流電流に重畳することを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明は半導体レ−ザの高周波重畳方式を上述
のごとく構成し、制御手段からの制御情報によって、少
なくとも読み取り時と、書き込み時又は消去時の各々に
ついて高周波電流の振幅値またはデュ−ティ比を可変と
する。従って、読み出し時のみならず、書き込み時や消
去時にあっても半導体レ−ザの定格を越えない範囲のレ
ベルで高周波重畳をかけることができ、且つ半導体レ−
ザが破壊されない。
のごとく構成し、制御手段からの制御情報によって、少
なくとも読み取り時と、書き込み時又は消去時の各々に
ついて高周波電流の振幅値またはデュ−ティ比を可変と
する。従って、読み出し時のみならず、書き込み時や消
去時にあっても半導体レ−ザの定格を越えない範囲のレ
ベルで高周波重畳をかけることができ、且つ半導体レ−
ザが破壊されない。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。図１は本発明を適用した第１の半導体レ−ザ駆動回
路の構成を示す図である。同図中、１０は半導体レ−
ザ、２０は高周波重畳回路、３０は光検知器、４０はＩ
／Ｖアンプ、５０は基準電圧発生器、６０は比較回路、
７０はロ−パスフィルタ（ＬＰＦ）、８０は書込／消去
用電流源、９０は制御部、ＴＲはトランジスタである。
る。図１は本発明を適用した第１の半導体レ−ザ駆動回
路の構成を示す図である。同図中、１０は半導体レ−
ザ、２０は高周波重畳回路、３０は光検知器、４０はＩ
／Ｖアンプ、５０は基準電圧発生器、６０は比較回路、
７０はロ−パスフィルタ（ＬＰＦ）、８０は書込／消去
用電流源、９０は制御部、ＴＲはトランジスタである。
【００１２】高周波重畳回路２０は、高周波発振器OS
C、可変容量ダイオ−ド（バリキャップ）ＣＤ1，Ｃ
Ｄ2、コンデンサＣ1，Ｃ2、抵抗器Ｒ1，Ｒ2からなる。
バリキャップＣＤ1，ＣＤ2はカップリングされており、
制御部９０から逆バイアス電圧Ｖbが印加されることに
よりその容量が制御されるようになっている。即ち、Ｖ
bを大きくするとバリキャップＣＤ1，ＣＤ2の容量Ｃは
小さくなり、逆にＶbを小さくすると容量Ｃは大きくな
る。
C、可変容量ダイオ−ド（バリキャップ）ＣＤ1，Ｃ
Ｄ2、コンデンサＣ1，Ｃ2、抵抗器Ｒ1，Ｒ2からなる。
バリキャップＣＤ1，ＣＤ2はカップリングされており、
制御部９０から逆バイアス電圧Ｖbが印加されることに
よりその容量が制御されるようになっている。即ち、Ｖ
bを大きくするとバリキャップＣＤ1，ＣＤ2の容量Ｃは
小さくなり、逆にＶbを小さくすると容量Ｃは大きくな
る。
【００１３】次に、この実施例の動作について説明す
る。図示しない記録媒体の情報を読み取る場合、制御部
９０は高周波重畳回路２０に対して、読み取り時の逆バ
イアス電圧ＶbRを出力する。トランジスタＴＲ1のベ−
スに電流が流れているとき、直流電源Ｖ1から流れる直
流電流に、高周波発振器OSCからコンデンサＣ1、バリキ
ャップＣＤ1，ＣＤ2、コンデンサＣ2を通して高周波電
流が重畳され、半導体レ−ザ１０が駆動される。半導体
レ−ザ１０からの射出光は、光検知器３０によって検知
され電流に変換され、更にＩ／Ｖアンプ４０によって電
圧信号に変換される。そして該電圧信号は、基準電圧発
生器５０から出力された基準電圧Ｖrefと比較回路６０
において比較され差分信号が出力される。該差分信号は
ＬＰＦ７０を介してトランジスタＴＲ1のベ−スに印加
される。従って、差分信号に応じてトランジスタＴＲ1
のベ−ス端子に電流が流れ、半導体レ−ザ１０のパワ−
が一定となる。
る。図示しない記録媒体の情報を読み取る場合、制御部
９０は高周波重畳回路２０に対して、読み取り時の逆バ
イアス電圧ＶbRを出力する。トランジスタＴＲ1のベ−
スに電流が流れているとき、直流電源Ｖ1から流れる直
流電流に、高周波発振器OSCからコンデンサＣ1、バリキ
ャップＣＤ1，ＣＤ2、コンデンサＣ2を通して高周波電
流が重畳され、半導体レ−ザ１０が駆動される。半導体
レ−ザ１０からの射出光は、光検知器３０によって検知
され電流に変換され、更にＩ／Ｖアンプ４０によって電
圧信号に変換される。そして該電圧信号は、基準電圧発
生器５０から出力された基準電圧Ｖrefと比較回路６０
において比較され差分信号が出力される。該差分信号は
ＬＰＦ７０を介してトランジスタＴＲ1のベ−スに印加
される。従って、差分信号に応じてトランジスタＴＲ1
のベ−ス端子に電流が流れ、半導体レ−ザ１０のパワ−
が一定となる。
【００１４】図示しない記録媒体の情報を消去する場
合、制御部９０は高周波重畳回路２０に対して、書込／
消去時の逆バイアス電圧ＶbWを出力する。ここで、高周
波重畳回路２０からの高周波電流によって半導体レ−ザ
１０が破壊されないようにＶbWを設定する。また、消去
時には書込／消去用電流源８０を介して書込／消去電流
ＷＲが加算される。しかしながら、前述したように高周
波重畳回路２０から流れる高周波電流の振幅値は逆バイ
アス電圧ＶbWによって、読み取り時より小さくなるよう
制御されるため、半導体レ−ザ１０の駆動電流は該半導
体レ−ザ１０の許容定格を越えることはない。
合、制御部９０は高周波重畳回路２０に対して、書込／
消去時の逆バイアス電圧ＶbWを出力する。ここで、高周
波重畳回路２０からの高周波電流によって半導体レ−ザ
１０が破壊されないようにＶbWを設定する。また、消去
時には書込／消去用電流源８０を介して書込／消去電流
ＷＲが加算される。しかしながら、前述したように高周
波重畳回路２０から流れる高周波電流の振幅値は逆バイ
アス電圧ＶbWによって、読み取り時より小さくなるよう
制御されるため、半導体レ−ザ１０の駆動電流は該半導
体レ−ザ１０の許容定格を越えることはない。
【００１５】図３は本実施例において、バリキャップＣ
Ｄ1，ＣＤ2の容量Ｃと半導体レ−ザ１０の発振出力を説
明するための図である。同図に示すとおり容量Ｃが所定
値（本例では４ｐＦ）になるまでは、発振出力は増加す
る。従って、読み取り時には容量Ｃが４ｐＦに到達する
範囲内で、逆バイアス電圧ＶbRを小さくすればよい。こ
れに対して、消去時には発振出力が半導体レ−ザ１０の
許容定格を越えないように逆バイアス電圧ＶbWを大きく
すればよい。
Ｄ1，ＣＤ2の容量Ｃと半導体レ−ザ１０の発振出力を説
明するための図である。同図に示すとおり容量Ｃが所定
値（本例では４ｐＦ）になるまでは、発振出力は増加す
る。従って、読み取り時には容量Ｃが４ｐＦに到達する
範囲内で、逆バイアス電圧ＶbRを小さくすればよい。こ
れに対して、消去時には発振出力が半導体レ−ザ１０の
許容定格を越えないように逆バイアス電圧ＶbWを大きく
すればよい。
【００１６】続いて本発明にかかる第２実施例について
説明する。図４は本発明を適用した第２の半導体レ−ザ
駆動回路の構成を示す図である。同図に示すように高周
波重畳回路２１は、正弦波発振器OSC、波形整形回路２
５、制御部９１及びコンデンサＣ1から構成される。な
お、第１実施例と同一の部分については同一符号を付し
その説明を省略する。
説明する。図４は本発明を適用した第２の半導体レ−ザ
駆動回路の構成を示す図である。同図に示すように高周
波重畳回路２１は、正弦波発振器OSC、波形整形回路２
５、制御部９１及びコンデンサＣ1から構成される。な
お、第１実施例と同一の部分については同一符号を付し
その説明を省略する。
【００１７】波形整形回路２５は、正弦波発振器OSCか
ら出力されるサイン波を入力し、制御部９１の制御信号
Ｓに基づいてデュ−ティの変更された整形波を出力でき
るように、抵抗ＲA，ＲB，ＲC，ＲE，Ｒ3、コンデンサ
ＣE，Ｃ2、ダイオ−ドＤ、トランジスタＴＲ3、スイッ
チＳＷ1、及び直流電源Ｖ3から構成されている。以下、
第２実施例の動作を説明する。
ら出力されるサイン波を入力し、制御部９１の制御信号
Ｓに基づいてデュ−ティの変更された整形波を出力でき
るように、抵抗ＲA，ＲB，ＲC，ＲE，Ｒ3、コンデンサ
ＣE，Ｃ2、ダイオ−ドＤ、トランジスタＴＲ3、スイッ
チＳＷ1、及び直流電源Ｖ3から構成されている。以下、
第２実施例の動作を説明する。
【００１８】読み取り時、図５（ａ）に示すようなデュ
−ティ−比１：１の高周波電流が整形波として波形整形
回路２５から出力されるように、制御部９１はスイッチ
ＳＷ1を開くよう制御信号Ｓを出力する。該スイッチＳ
Ｗ1が開かれると波形整形回路２５は増幅回路として作
用するため、波形整形回路２５から流れる電流はサイン
波となる。従って、半導体レ−ザ１０に流れる電流と光
出力の関係は図６に示すようになる。ここで、電流Ｉ1
は直流電源Ｖ1からトランジスタＴＲ1を介して流れる直
流電流Ｉ3と、高周波電流ＩHFが重畳されたときの平均
電流である。
−ティ−比１：１の高周波電流が整形波として波形整形
回路２５から出力されるように、制御部９１はスイッチ
ＳＷ1を開くよう制御信号Ｓを出力する。該スイッチＳ
Ｗ1が開かれると波形整形回路２５は増幅回路として作
用するため、波形整形回路２５から流れる電流はサイン
波となる。従って、半導体レ−ザ１０に流れる電流と光
出力の関係は図６に示すようになる。ここで、電流Ｉ1
は直流電源Ｖ1からトランジスタＴＲ1を介して流れる直
流電流Ｉ3と、高周波電流ＩHFが重畳されたときの平均
電流である。
【００１９】これに対して、消去時には、制御部９１は
スイッチＳＷ1を閉じるように制御信号Ｓを出力する。
スイッチＳＷ1を閉じると波形整形回路２５を構成する
トランジスタＴＲ3の動作バイアス点を出力のプラス側
振幅が飽和する方向へ故意にシフトするため、図５
（ｂ）に示すようなデュ−ティ比の整形波が得られる。
従って、半導体レ−ザ１０に流れる電流と光出力の関係
は図７に示すようになる。図５（ｂ）に示すような高周
波電流が半導体レ−ザ１０に対して重畳されるため、図
７に示すように電流値は許容定格を越えることは無く、
従って半導体レ−ザ１０が破壊されることもない。な
お、消去時には書込／消去用電流源８０を介して書込／
消去電流ＷＲが加算されているため、直流電源Ｖ1、Ｖ2
からそれぞれトランジスタＴＲ1、ＴＲ2を介して流れる
直流電流はＩ2＋Ｉ3となる。
スイッチＳＷ1を閉じるように制御信号Ｓを出力する。
スイッチＳＷ1を閉じると波形整形回路２５を構成する
トランジスタＴＲ3の動作バイアス点を出力のプラス側
振幅が飽和する方向へ故意にシフトするため、図５
（ｂ）に示すようなデュ−ティ比の整形波が得られる。
従って、半導体レ−ザ１０に流れる電流と光出力の関係
は図７に示すようになる。図５（ｂ）に示すような高周
波電流が半導体レ−ザ１０に対して重畳されるため、図
７に示すように電流値は許容定格を越えることは無く、
従って半導体レ−ザ１０が破壊されることもない。な
お、消去時には書込／消去用電流源８０を介して書込／
消去電流ＷＲが加算されているため、直流電源Ｖ1、Ｖ2
からそれぞれトランジスタＴＲ1、ＴＲ2を介して流れる
直流電流はＩ2＋Ｉ3となる。
【００２０】なお、第２実施例において波形整形回路２
５は、読み取り時と消去時について２種類のデュ−ティ
−の整形波を出力しているが、これらに限定されるもの
ではなく、制御部９１からの制御信号Ｓによって任意の
デュ−ティ−の整形波を出力できるようにしてもよい。
また、読み取り時に、消去時に用いられる整形波、即ち
図５（ｂ）に示すような整形波によっても高周波重畳を
かけられることはもちろんである。
５は、読み取り時と消去時について２種類のデュ−ティ
−の整形波を出力しているが、これらに限定されるもの
ではなく、制御部９１からの制御信号Ｓによって任意の
デュ−ティ−の整形波を出力できるようにしてもよい。
また、読み取り時に、消去時に用いられる整形波、即ち
図５（ｂ）に示すような整形波によっても高周波重畳を
かけられることはもちろんである。
【００２１】また、本実施例にあっては、読み取り時及
び消去時について説明したが、記録媒体に情報を書き込
む際、即ち書き込み時にも本発明の高周波重畳方式を適
用することができることは明らかである。
び消去時について説明したが、記録媒体に情報を書き込
む際、即ち書き込み時にも本発明の高周波重畳方式を適
用することができることは明らかである。
【００２２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、下記の通りの優れた効果を得ることができる。 制御部からの情報によって、読み出し時や書き込み時
等の各々について高周波電流の振幅値又はデュ−ティ比
を可変とするため、書き込み時や消去時にあっても半導
体レ−ザを破壊することなく高周波重畳をかけることが
できる。
ば、下記の通りの優れた効果を得ることができる。 制御部からの情報によって、読み出し時や書き込み時
等の各々について高周波電流の振幅値又はデュ−ティ比
を可変とするため、書き込み時や消去時にあっても半導
体レ−ザを破壊することなく高周波重畳をかけることが
できる。
【００２３】制御部による制御信号によって、高周波
重畳のレベルが可変となるため、読み取り時、書き込み
時、消去時のそれぞれに最適の高周波重畳レベルがを設
定することができる。
重畳のレベルが可変となるため、読み取り時、書き込み
時、消去時のそれぞれに最適の高周波重畳レベルがを設
定することができる。
【００２４】書き込み時や消去時に高周波重畳をかけ
ることができるため、Ｃ／Ｎ比が向上し、フォ−カス、
トラッキング動作が安定となり書き込みや消去ピットが
均一となる。
ることができるため、Ｃ／Ｎ比が向上し、フォ−カス、
トラッキング動作が安定となり書き込みや消去ピットが
均一となる。
【図１】本発明を適用した第１の半導体レ−ザ駆動回路
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図２】従来の半導体レ−ザ駆動回路の構成を示す図で
ある。
ある。
【図３】バリキャップＣＤ1，ＣＤ2の容量Ｃと半導体レ
−ザ１０の発振出力を説明するための図である。
−ザ１０の発振出力を説明するための図である。
【図４】本発明を適用した第２の半導体レ−ザ駆動回路
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図５】高周波重畳される整形波を示した図である。
【図６】読み取り時の半導体レ−ザ１０に流れる電流と
光出力との関係を表した図である。
光出力との関係を表した図である。
【図７】消去時の半導体レ−ザ１０に流れる電流と光出
力との関係を表した図である。
力との関係を表した図である。
１０ 半導体レ−ザ ２０，２１ 高周波重畳回路 ２５ 波形整形回路 ３０ 光検知器 ４０ Ｉ／Ｖアンプ ５０ 基準電圧発生器 ６０ 比較回路 ７０ ロ−パスフィルタ（ＬＰＦ） ８０ 書込／消去用電流源 ９０，９１ 制御部
Claims (3)
- 【請求項１】記録媒体上の情報を読み取り、該記録媒体
上に情報を書き込み、又は該記録媒体上の情報を消去す
るために、直流電流駆動により単一縦モ−ドで発振する
半導体レ−ザ素子と、前記半導体レ−ザ素子を直流電流
により駆動する駆動回路と、高周波発振器を有し、前記
半導体レ−ザ素子の駆動直流電流に該高周波発振器から
の高周波電流を重畳させる高周波重畳回路とを具備し、
前記半導体レ−ザ素子を多重縦モ−ドで発振させる半導
体レ−ザの高周波重畳方式において、 少なくとも前記記録媒体上の情報を読み取る際と，前記
記録媒体上に情報を書き込む際又は記録媒体上の情報を
消去する際について、前記高周波重畳回路から流れる高
周波電流の電流値の振幅又はデュ−ティを制御するため
の制御情報を算出する制御手段を具備し、 前記高周波重畳回路は、前記制御手段から出力される制
御情報に基づいて、前記高周波電流の電流値の振幅又は
デュ−ティを可変とすることを特徴とする半導体レ−ザ
の高周波重畳方式。 - 【請求項２】前記高周波重畳回路は、可変容量ダイオ−
ドからなる容量可変回路を具備し、前記容量可変回路を
通して前記高周波電流を前記半導体レ−ザ素子に重畳
し、 前記制御手段は、前記可変容量ダイオ−ドの逆バイアス
電圧を制御情報として、前記高周波発振回路に出力する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レ−ザの高周波
重畳方式。 - 【請求項３】前記高周波発振器は正弦波発振器であっ
て、前記高周波重畳回路は波形振幅並びにデュ−ティ比
を制御する波形整形回路を具備し、 前記制御手段は、前記高周波発振器から出力される正弦
波からデュ−ティ−比が変更された整形波を生成するた
めの制御情報を前記波形整形回路に出力し、 前記高周波重畳回路は前記制御情報に基づいたデュ−テ
ィ−比の整形波からなる高周波電流を前記直流駆動電流
に重畳することを特徴とする請求項１記載の半導体レ−
ザの高周波重畳方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3258519A JPH0573948A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 半導体レーザの高周波重畳方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3258519A JPH0573948A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 半導体レーザの高周波重畳方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0573948A true JPH0573948A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17321342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3258519A Pending JPH0573948A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 半導体レーザの高周波重畳方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0573948A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0689201A1 (en) | 1994-06-21 | 1995-12-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical information recording and/or reproducing apparatus |
| US6469960B1 (en) | 1999-08-26 | 2002-10-22 | Fujitsu Limited | Magneto-optical storage apparatus capable of adjusting the magnetic field strength |
| US7038989B2 (en) * | 2001-12-20 | 2006-05-02 | Hitachi, Ltd. | High-frequency superimposing method and optical disk apparatus using it |
| JP2006221765A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Pioneer Electronic Corp | 情報記録再生装置、及び情報再生方法 |
-
1991
- 1991-09-10 JP JP3258519A patent/JPH0573948A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0689201A1 (en) | 1994-06-21 | 1995-12-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical information recording and/or reproducing apparatus |
| US5781222A (en) * | 1994-06-21 | 1998-07-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical information recording/reproducing apparatus supplying a smaller high-frequency current to a first semiconductor laser for generating a light beam to record information than to a second semiconductor laser for reproducing recorded information |
| US6469960B1 (en) | 1999-08-26 | 2002-10-22 | Fujitsu Limited | Magneto-optical storage apparatus capable of adjusting the magnetic field strength |
| US7038989B2 (en) * | 2001-12-20 | 2006-05-02 | Hitachi, Ltd. | High-frequency superimposing method and optical disk apparatus using it |
| JP2006221765A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Pioneer Electronic Corp | 情報記録再生装置、及び情報再生方法 |
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