JP3713199B2

JP3713199B2 - 半導体レーザ用高周波重畳回路

Info

Publication number: JP3713199B2
Application number: JP2000358654A
Authority: JP
Inventors: 宏志田中
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2000-11-27
Filing date: 2000-11-27
Publication date: 2005-11-02
Anticipated expiration: 2020-11-27
Also published as: JP2002164612A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザにおける戻り光によるノイズを低減するために、半導体レーザへの供給電流に高周波電流を重畳する半導体レーザ用高周波重畳回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光ビデオディスク、光ＰＣＭ（パルス符号変調）オーディオディスク、ＭＯ（光磁気）ディスク、ＭＤ（ミニディスク）、ＤＶＤ（デジタルヴァーサタイルディスク）等の光ディスクを情報の記録媒体として用い、この光ディスクに記録された情報を再生したり、あるいは光ディスクに情報を記録する光ディスク装置が広く普及している。この光ディスク装置では、一般に、半導体レーザを内蔵した光ピックアップを備えており、半導体レーザから出射された光を光ディスクにおける情報の再生や記録に使用している。
【０００３】
ところで、光ピックアップを用いた光ディスク装置では、光ディスクにレーザ光を照射して光ディスクから情報を再生するときに、光ディスクの面で反射されて半導体レーザに戻る、いわゆる戻り光があると、半導体レーザの出力が変動する、いわゆる戻り光ノイズが発生し、この戻り光ノイズによって再生情報が劣化するという問題点があった。
【０００４】
そこで、光ピックアップには、上記戻り光ノイズを低減するために、半導体レーザへの供給電流に高周波電流を重畳し、半導体レーザを高い周波数でオン、オフさせるための高周波重畳回路を備えたものもある。
【０００５】
ここで、図７を参照して、従来の高周波重畳回路の構成の一例について説明する。この高周波重畳回路１１０が用いられる半導体レーザＬＤのアノードは、インダクタＬ13を介して電源端子１０１に接続されている。半導体レーザＬＤのカソードは、グランド端子１０３と回路のグランドに接続されている。電源端子１０１には、半導体レーザ駆動用の制御電源より自動出力制御（ＡＰＣ）よって安定化された直流電流が供給されるようになっている。
【０００６】
高周波重畳回路１１０は、コルピッツ発振回路を構成するためのトランジスタＱ11を備えている。トランジスタＱ11のコレクタは電源端子１０２に接続されている。電源端子１０２には、直流電源より直流電源電圧Ｖ_CCが供給されるようになっている。高周波重畳回路１１０は、更に、一端が電源端子１０２に接続された抵抗Ｒ11と、一端が抵抗Ｒ11の他端に接続され、他端がグランド端子１０３に接続された抵抗Ｒ12とを備えている。トランジスタＱ11のベースは、抵抗Ｒ11，Ｒ12の接続点に接続されている。
【０００７】
高周波重畳回路１１０は、更に、一端がトランジスタＱ11のベースに接続されたコンデンサＣ11と、一端がコンデンサＣ11の他端に接続され、他端がグランド端子１０３に接続されたインダクタ（コイル）Ｌ11と、一端がトランジスタＱ11のベースに接続され、他端がトランジスタＱ11のエミッタに接続されたコンデンサＣ12と、一端がトランジスタＱ11のエミッタに接続され、他端がグランド端子１０３に接続されたコンデンサＣ13とを備えている。
【０００８】
高周波重畳回路１１０は、更に、一端がトランジスタＱ11のエミッタに接続された抵抗Ｒ13と、一端が抵抗Ｒ13の他端に接続され、他端がグランド端子１０３に接続されたインダクタＬ12と、一端がトランジスタＱ11のエミッタに接続されたコンデンサＣ14と、一端がコンデンサＣ14の他端に接続され、他端がグランド端子１０３に接続されたコンデンサＣ15と、一端がトランジスタＱ11のコレクタに接続され、他端が回路のグランドに接続されたコンデンサＣ16とを備えている。
【０００９】
半導体レーザＬＤのアノードはコンデンサＣ15の一端に接続され、半導体レーザＬＤのカソードはコンデンサＣ15の他端とグランド端子１０３と回路のグランドに接続されている。
【００１０】
図７に示した高周波重畳回路１１０は、トランジスタＱ11、インダクタＬ11，Ｌ12、コンデンサＣ11〜Ｃ16および抵抗Ｒ11〜Ｒ13の１２点の部品によって構成されている。
【００１１】
図７に示した半導体レ−ザＬＤおよび高周波重畳回路１１０を含む回路において、半導体レ−ザＬＤには、インダクタＬ13を介して、半導体レーザ駆動用の制御電源より安定化された直流電流が供給される。高周波重畳回路１１０は、半導体レ−ザＬＤに供給される直流電流に高周波電流を重畳する。ここで、インダクタＬ13は、高周波重畳回路１１０によって重畳された高周波電流成分が、半導体レーザ駆動用の制御電源の供給路に漏洩することを阻止するために挿入されているものである。
【００１２】
高周波重畳回路１１０において、抵抗Ｒ11，Ｒ12は、トランジスタＱ11のベースに適切なベースバイアス電流を流すための分圧回路である。トランジスタＱ11を含む発振回路の発振周波数は、主にインダクタＬ11、コンデンサＣ11，Ｃ12，Ｃ13にて決定され、通常、２５０〜６００ＭＨｚの周波数範囲とされる。コンデンサＣ16は、直流電源の正側に接続されたトランジスタＱ11のコレクタを交流的に接地するものである。トランジスタＱ11を含む発振回路の高周波発振出力は、トランジスタＱ11のエミッタ側の抵抗Ｒ13とインダクタＬ12の直列回路の両端に得られる。
【００１３】
コンデンサＣ14，Ｃ15は、半導体レーザＬＤとのインピーダンス整合を目的とした、静電容量による分圧回路である。すなわち、コンデンサＣ14，Ｃ15で分圧された高周波発振出力が半導体レーザＬＤに加えられるようになっている。また、抵抗Ｒ13とインダクタＬ12は、高周波発振出力のインピーダンスを保持するためのものである。
【００１４】
図７に示した回路と同様の高周波重畳回路は、特開平７−９３７５８号公報における図１０にも示されている。この公報に示された高周波重畳回路は、図７に示した高周波重畳回路１１０に、電源端子１０２とグランド端子１０３との間に設けられたコンデンサを加えた構成になっている。従って、この高周波重畳回路は１３点の部品によって構成されている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
近年、光ディスク装置の小型化、低価格化の要請が強くなっている。これにより、光ピックアップならびにその構成部品の小型化、低価格化の要求も高まっている。光ピックアップの構成部品の一つである高周波重畳回路の小型化、低価格化を進めるためには、高周波重畳回路の機能や特性を維持しながら、高周波重畳回路の構成部品の点数を削減する必要がある。
【００１６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、機能や特性を損なうことなく、小型化および低コスト化を可能にした半導体レーザ用高周波重畳回路を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体レーザ用高周波重畳回路は、半導体レーザへの供給電流に高周波電流を重畳する回路であって、
高周波電流を発生させるための発振回路部分と、半導体レーザとのインピーダンス整合のためのインピーダンス整合回路部分とを含み、
発振回路部分の一部の構成部品は、インピーダンス整合回路部分の少なくとも一部の構成部品を兼ねているものである。
【００１８】
本発明の半導体レーザ用高周波重畳回路では、発振回路部分の一部の構成部品が、インピーダンス整合回路部分の少なくとも一部の構成部品を兼ねているので、高周波重畳回路の構成部品の点数が削減される。
【００１９】
本発明の半導体レーザ用高周波重畳回路において、発振回路部分は、増幅素子、インダクタおよびコンデンサを含むコルピッツ発振回路を構成し、発振回路部分に含まれるコンデンサがインピーダンス整合回路部分の少なくとも一部の構成部品を兼ねていてもよい。
【００２０】
また、本発明の半導体レーザ用高周波重畳回路において、発振回路部分は、増幅素子と、直流電力入力端より直流電力が供給されて増幅素子に対して直流バイアスを与えるバイアス回路とを含み、バイアス回路は複数の抵抗を含み、そのうちの一部の抵抗は、発振回路部分の発振出力の出力端と直流電力入力端との間に配置されて、発振周波数成分が直流電力の供給路に漏洩することを阻止する機能を併せ持つようにしてもよい。この場合、バイアス回路は自己バイアス回路を構成するものであってもよい。
【００２１】
また、本発明の半導体レーザ用高周波重畳回路において、半導体レーザは光ピックアップに用いられるものであってもよい。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
まず、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ用高周波重畳回路（以下、単に高周波重畳回路と記す。）の構成について説明する。本実施の形態に係る高周波重畳回路１０は、光ピックアップに用いられる半導体レーザＬＤへの供給電流に高周波電流を重畳する回路である。半導体レーザＬＤのアノードは、インダクタＬ２を介して電源端子１に接続されている。半導体レーザＬＤのカソードは、グランド端子３と回路のグランドに接続されている。電源端子１には、半導体レーザ駆動用の制御電源より自動出力制御（ＡＰＣ）よって安定化された直流電流が供給されるようになっている。インダクタＬ２は、高周波重畳回路１０によって重畳された高周波電流成分が、半導体レーザ駆動用の制御電源の供給路に漏洩することを阻止するために挿入されている。
【００２３】
高周波重畳回路１０は、コルピッツ発振回路を構成するためのトランジスタＱ１を備えている。高周波重畳回路１０は、更に、一端が電源端子２に接続され、他端がトランジスタＱ１のコレクタに接続された抵抗Ｒ１と、一端が抵抗Ｒ１の他端に接続され、他端がトランジスタＱ１のベースに接続された抵抗Ｒ２とを備えている。電源端子２には、直流電源より直流電源電圧Ｖ_CCが供給されるようになっている。また、トランジスタＱ１のエミッタはグランド端子３に接続されている。
【００２４】
高周波重畳回路１０は、更に、一端が抵抗Ｒ１の他端に接続されたインダクタＬ１と、一端がインダクタＬ１の他端に接続され、他端がトランジスタＱ１のベースに接続されたコンデンサＣ１と、一端がトランジスタＱ１のベースに接続され、他端がグランド端子３に接続されたコンデンサＣ２とを備えている。
【００２５】
高周波重畳回路１０は、更に、一端がトランジスタＱ１のコレクタに接続され、他端が半導体レーザＬＤのアノードに接続されたコンデンサＣ３と、一端がコンデンサＣ３の他端に接続され、他端がグランド端子３に接続されたコンデンサＣ４とを備えている。
【００２６】
高周波重畳回路１０は、高周波電流を発生させるための発振回路部分１１と、半導体レーザＬＤとのインピーダンス整合のためのインピーダンス整合回路部分１２とを含んでいる。発振回路部分１１は、その構成部品として、上記の高周波重畳回路１０の全構成部品を含んでいる。インピーダンス整合回路部分１２は、その構成部品としてコンデンサＣ３，Ｃ４を含んでいる。このコンデンサＣ３，Ｃ４は、発振回路部分１１の構成部品でもある。このように本実施の形態では、発振回路部分１１の一部の構成部品は、インピーダンス整合回路部分１２の少なくとも一部の構成部品を兼ねている。
【００２７】
発振回路部分１１において、トランジスタのＱ１のエミッタは、インダクタ、コンデンサまたは抵抗等の受動回路素子を介さずに直接接地されている。発振回路部分１１は、インダクタＬ１、コンデンサＣ１，Ｃ２、およびインピーダンス整合機能も有するコンデンサＣ３，Ｃ４によるＬＣ共振現象を用い、通常２５０〜６００ＭＨｚの発振周波数の信号を生成する。このような回路構成は、コルピッツ型発振回路としてよく知られている。
【００２８】
ここで、図２を参照して、コルピッツ発振回路の動作について説明する。図２は、コルピッツ発振回路の基本構成を示す回路図である。図２に示したコルピッツ発振回路は、トランジスタＱ１と、一端がトランジスタＱ１のコレクタに接続され、他端がトランジスタＱ１のベースに接続されたインダクタ１５と、一端がトランジスタＱ１のベースに接続され、他端がトランジスタＱ１のエミッタに接続されたコンデンサ１６と、一端がトランジスタＱ１のコレクタに接続され、他端がトランジスタＱ１のエミッタに接続されたコンデンサ１７とを有している。
【００２９】
インダクタ１５のインダクタンスをＬ_a、コンデンサ１６のキャパシタンスをＣ_a、コンデンサ１７のキャパシタンスをＣ_bとすると、コルピッツ発振回路の発振周波数ｆは、以下の式（１）のように、インダクタンスＬ_aと、キャパシタンスＣ_a、Ｃ_bの合成容量Ｃとの直列共振の共振周波数となる。
【００３０】
ｆ＝１／２π√（Ｌ_aＣ） …（１）
【００３１】
トランジスタＱ１は発振回路における増幅素子の役割をする。トランジスタＱ１を動作させるために、直流バイアスを印加すると共に、トランジスタＱ１のいずれかの端子を発振周波数において高周波的に接地しなければならない。また、トランジスタＱ１のいずれかの端子から、高周波発振出力を取り出すことができる。
【００３２】
図１における発振回路部分１１の動作も、基本的には上記の説明の通りである。発振回路部分１１では、トランジスタＱ１のエミッタを接地し、トランジスタＱ１のコレクタより、高周波電流を発生させるための高周波発振出力を取り出している。
【００３３】
また、発振回路部分１１では、抵抗Ｒ１，Ｒ２がトランジスタＱ１のバイアス回路を構成している。このバイアス回路は、自己バイアス回路としてよく知られている。
【００３４】
ここで、図３を参照して、バイアス回路の動作について説明する。図３は、バイアス回路の動作を説明するための回路図である。このバイアス回路は、一端が直流電源２０の正極に接続され、他端がトランジスタＱ１のコレクタに接続された抵抗Ｒ１と、一端が抵抗Ｒ１の他端に接続され、他端がトランジスタＱ１のベースに接続された抵抗Ｒ２とを有している。トランジスタＱ１のエミッタは直流電源２０の負極に接続されると共に接地されている。
【００３５】
図３に示した回路において、抵抗Ｒ１の抵抗値をＲ₁、抵抗Ｒ２の抵抗値をＲ₂、直流電源２０の発生電圧をＶ_CC、抵抗Ｒ１の端子間電圧をＶ_r1、トランジスタＱ１のコレクタ・エミッタ間電圧をＶ_CE、トランジスタＱ１のベース・エミッタ間電圧をＶ_BE、トランジスタＱ１のコレクタ電流をＩ_C、トランジスタＱ１のベース電流をＩ_B、抵抗Ｒ２に流れる電流をＩ_r2、抵抗Ｒ１に流れる電流をＩ_C＋Ｉ_r2とする。
【００３６】
トランジスタＱ１は、温度上昇に伴い内部抵抗が減少する負性抵抗素子と見ることができる。従って、トランジスタＱ１には、温度が上昇するとコレクタ電流Ｉ_Cが増加する性質がある。以下、温度変動等によりトランジスタＱ１の特性が変動し、コレクタ電流Ｉ_Cが変動した場合について考える。
【００３７】
まず、トランジスタＱ１の温度上昇によりコレクタ電流Ｉ_Cが増加した場合について考える。抵抗Ｒ１の端子間電圧Ｖ_r1は次の式（２）で表される。
【００３８】
Ｖ_r1＝Ｒ₁×（Ｉ_C＋Ｉ_r2） …（２）
【００３９】
従って、コレクタ電流Ｉ_Cが増加すると、抵抗Ｒ１の端子間電圧Ｖ_r1が大きくなる。
【００４０】
一方、トランジスタＱ１のコレクタ・エミッタ間電圧Ｖ_CEは、次の式（３）で表される。
【００４１】
Ｖ_CE＝Ｖ_CC−Ｖ_r1 …（３）
【００４２】
従って、抵抗Ｒ１の端子間電圧Ｖ_r1が大きくなると、コレクタ・エミッタ間電圧Ｖ_CEは小さくなる。
【００４３】
ベース電流Ｉ_Bは、次の式（４）のように、電圧Ｖ_CEと抵抗値Ｒ₂により決定される。
【００４４】
Ｉ_B＝Ｉ_r2＝Ｖ_CE／Ｒ₂ …（４）
【００４５】
従って、ベース電流Ｉ_Bは、電圧Ｖ_CEの減少に伴って減少する。コレクタ電流Ｉ_Cは、直流電流増幅率ｈ_feとベース電流Ｉ_Bを用いて次の式（５）で表される。
【００４６】
Ｉ_C＝ｈ_fe×Ｉ_B …（５）
【００４７】
従って、ベース電流Ｉ_Bが減少すると、コレクタ電流Ｉ_Cも減少する。端子間電圧Ｖ_r1は前記の式（２）で表されるので、コレクタ電流Ｉ_Cが減少すると、端子間電圧Ｖ_r1も低下する。この結果、コレクタ・エミッタ間電圧Ｖ_CEは上昇し、前記の式（４）に従って、コレクタ・エミッタ間電圧Ｖ_CEは、元の値に戻る方向、すなわち増加する方向に制御される。このように、図３に示したバイアス回路では、温度上昇によるコレクタ電流Ｉ_Cの増加作用に対して負帰還が加わり、コレクタ電流Ｉ_Cは一定に制御されることになる。
【００４８】
次に、トランジスタＱ１の温度低下によりコレクタ電流Ｉ_Cが減少した場合について考える。抵抗Ｒ１の端子間電圧Ｖ_r1は前記の式（２）で表されるので、コレクタ電流Ｉ_Cが減少すると、抵抗Ｒ１の端子間電圧Ｖ_r1が小さくなる。
【００４９】
トランジスタＱ１のコレクタ・エミッタ間電圧Ｖ_CEは、前記の式（３）で表されるので、抵抗Ｒ１の端子間電圧Ｖ_r1が小さくなると、コレクタ・エミッタ間電圧Ｖ_CEは大きくなる。
【００５０】
ベース電流Ｉ_Bは、前記の式（４）で表されるので、電圧Ｖ_CEの増加に伴って増加する。コレクタ電流Ｉ_Cは、前記の式（５）で表されるので、ベース電流Ｉ_Bが増加に伴って増加する。端子間電圧Ｖ_r1は前記の式（２）で表されるので、コレクタ電流Ｉ_Cが増加すると、端子間電圧Ｖ_r1も増加する。この結果、コレクタ・エミッタ間電圧Ｖ_CEは低下し、前記の式（４）に従って、コレクタ・エミッタ間電圧Ｖ_CEは、元の値に戻る方向、すなわち減少する方向に制御される。このように、図３に示したバイアス回路では、温度低下によるコレクタ電流Ｉ_Cの減少作用に対して負帰還が加わり、コレクタ電流Ｉ_Cは一定に制御されることになる。
【００５１】
以上説明したように、本実施の形態に係る高周波重畳回路１０は、発振回路部分１１とインピーダンス整合回路部分１２とを含んでいる。発振回路部分１１は、コルピッツ発振回路を構成している。コルピッツ発振回路は、増幅素子の主電極の一方が直接接地される回路方式をとる発振回路の代表的なものである。この回路方式によれば、増幅素子の他には、ＬＣ共振用の回路部品を備えればよいので、本実施の形態に係る高周波重畳回路１０では、図７に示した従来の高周波重畳回路１１０においてトランジスタＱ11の一方の電極(エミッタ)とグランドとの間に設けられていたインダクタＬ12やコンデンサＣ13や抵抗Ｒ13が不要になる。
【００５２】
また、高周波重畳回路１０では、発振回路部分１１の一部の構成部品であるコンデンサＣ３，Ｃ４が、インピーダンス整合回路部分１２の構成部品を兼ねている。
【００５３】
また、高周波重畳回路１０では、図７に示した従来の高周波重畳回路１１０においてトランジスタＱ11のもう一方の電極（コレクタ）を高周波的に接地するために設けられていたコンデンサＣ16の機能をインピーダンス整合回路部分のコンデンサＣ３，Ｃ４に持たせることにより、このコンデンサＣ16が不要になる。
【００５４】
これらのことから、高周波重畳回路１０では、図７に示した従来の高周波重畳回路１１０に比べて、少なくとも４個の部品を削減することができる。
【００５５】
また、本実施の形態では、発振回路部分１１は、増幅素子であるトランジスタＱ１と、直流電力入力端である電源端子２より直流電力が供給されてトランジスタＱ１に対して直流バイアスを与えるバイアス回路とを含んでいる。バイアス回路は抵抗Ｒ１，Ｒ２を含んでいる。
【００５６】
ところで、発振回路部分１１では、トランジスタＱ１のコレクタより高周波発振出力が取り出される。すなわち、トランジスタＱ１のコレクタが発振出力の出力端となる。この出力端は、直流電力入力端である電源端子２に導かれている。そのため、発振回路部分１１の発振周波数成分が直流電力の供給路に漏洩することを防止する必要がある。
【００５７】
本実施の形態では、バイアス回路を構成する抵抗Ｒ１は、発振回路部分１１の出力端と電源端子２との間に配置されて、発振回路部分１１の発振周波数成分が高周波重畳回路１０への直流電力の供給路に漏洩することを阻止する機能を併せ持っている。従って、本実施の形態では、部品点数を増やすことなく、発振回路部分１１の発振周波数成分が直流電力の供給路に漏洩することを防止できる。
【００５８】
以上のことから、本実施の形態によれば、従来の高周波重畳回路に比べて部品点数が少なく、しかも、直流電力の供給路に発振周波数成分が漏洩することを阻止する機能を備えた高周波重畳回路１０を実現することができる。そのため、本実施の形態に係る高周波重畳回路１０によれば、機能や特性を損なうことなく、小型化および低コスト化が可能になる。
【００５９】
ところで、本実施の形態に係る高周波重畳回路１０は、一定の機能を有するように複数の素子や部品を組み合わせて構成されるモジュールとしてもよい。以下、高周波重畳回路１０のモジュールを高周波重畳モジュール１０Ｍと呼ぶ。
【００６０】
図４は、高周波重畳モジュール１０Ｍを組み込んだ光ピックアップの一例を示す斜視図である。図４に示した光ピックアップは、例えばノートブック型パーソナルコンピュータに適したものである。この光ピックアップは、光学ベース３１と、この光学ベース３１に取り付けられた可動部３２、アクチュエータ３３および高周波重畳モジュール１０Ｍを備えている。アクチュエータ３３は、図示しない光ディスクのトラック横断方向に可動部３２を移動するようになっている。可動部３２には、光ディスクの面に対向する対物レンズ３４と、この対物レンズ３４を光軸方向およびトラック横断方向に移動させる図示しないアクチュエータが設けられている。高周波重畳モジュール１０Ｍは、例えばフレキシブル基板３５により外部回路に接続されている。
【００６１】
図示しないが、光ピックアップは、半導体レーザＬＤと、この半導体レーザＬＤから出射された光を対物レンズ３４に導き、この対物レンズ３４より光ディスクに照射させると共に、光ディスクで反射されて対物レンズ３４に入射した光を図示しない光検出器に導く光学系とを備えている。半導体レーザＬＤと光学系は、全て可動部３２内に設けられていてもよいし、光学系の一部が可動部３２内に設けられ、半導体レーザＬＤと光学系の他の部分が可動部３２外に設けられていてもよい。
【００６２】
［第２の実施の形態］
次に、図５を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る高周波重畳回路について説明する。本実施の形態に係る高周波重畳回路４０は、第１の実施の形態に係る高周波重畳回路１０に対して、インピーダンス整合回路部分の構成が異なるものである。高周波重畳回路４０は、発振回路部分４１とインピーダンス整合回路部分４２とを含んでいる。インピーダンス整合回路部分４２は、第１の実施の形態におけるインピーダンス整合回路部分１２に対して、一端がトランジスタＱ１のコレクタに接続され、他端がグランド端子３に接続されたコンデンサＣ５を加えた構成になっている。発振回路部分４１も同様に、第１の実施の形態における発振回路部分１１に対して上記コンデンサＣ５を加えた構成になっている。このように、本実施の形態では、インピーダンス整合回路部分４２は、その構成部品としてコンデンサＣ３，Ｃ４，Ｃ５を含んでいる。このコンデンサＣ３，Ｃ４，Ｃ５は、発振回路部分４１の構成部品でもある。
【００６３】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００６４】
［第３の実施の形態］
次に、図６を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る高周波重畳回路について説明する。本実施の形態に係る高周波重畳回路５０は、発振回路部分５１と、インピーダンス整合回路部分５２と、発振回路部分５１と端子２，３との間に設けられたフィルタ回路部分５３と、半導体レーザＬＤと電源端子１との間に設けられたフィルタ回路部分５４とを含んでいる。発振回路部分５１とインピーダンス整合回路部分５２の構成は、それぞれ第１の実施の形態における発振回路部分１１とインピーダンス整合回路部分１２の構成と同様である。
【００６５】
フィルタ回路部分５３は、一端が抵抗Ｒ１の一端に接続され、他端が電源端子２に接続されたインダクタＬ４と、一端が抵抗Ｒ１の一端に接続され、他端がグランド端子３に接続されたコンデンサＣ６と、一端がインダクタＬ４の他端に接続され、他端がグランド端子３に接続されたコンデンサＣ７とを有している。
【００６６】
フィルタ回路部分５４は、一端が半導体レーザＬＤのアノードに接続されたインダクタＬ２と、一端がインダクタＬ２の他端に接続され、他端が回路のグランドに接続されたコンデンサＣ８と、一端がインダクタＬ２の他端に接続され、他端が電源端子１に接続されたインダクタＬ３とを有している。
【００６７】
フィルタ回路部分５３は、発振回路部分５１の発振周波数成分が高周波重畳回路５０への直流電力の供給路に漏洩することを阻止するためのものである。フィルタ回路部分５４は、発振回路部分５１の発振周波数成分が、半導体レーザＬＤの駆動用の直流電流の供給路に漏洩することを阻止するためのものである。なお、フィルタ回路部分５３，５４の構成は図６に示したものに限らない。
【００６８】
高周波重畳回路を光ピックアップに実装する場合、発振周波数成分の漏洩経路は、高周波重畳回路への直流電力の供給路と、半導体レーザＬＤの駆動用の直流電流の供給路である。第１の実施の形態では、これらの直流電力の供給路への発振周波数成分の漏洩を、それぞれ抵抗Ｒ１とインダクタＬ２によって阻止している。本実施の形態では、フィルタ回路部分５３によって、高周波重畳回路５０に対する直流電力の供給路へ発振周波数成分が漏洩することを阻止する機能を向上させている。また、フィルタ回路部分５４によって、半導体レーザＬＤの駆動用の直流電流の供給路へ発振周波数成分が漏洩することを阻止する機能を向上させている。
【００６９】
本実施の形態に係る高周波重畳回路５０は、第１の実施の形態で示した高周波重畳モジュール１０Ｍと同様にモジュール化してもよい。また、インピーダンス整合回路部分５２の代わりに、第２の実施の形態におけるインピーダンス整合回路部分４２を設けてもよい。
【００７０】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００７１】
なお、本発明は上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、実施の形態では、発振回路部分の一部の構成部品がインピーダンス整合回路部分の全ての構成部品を兼ねるようにしたが、発振回路部分の一部の構成部品がインピーダンス整合回路部分の一部の構成部品を兼ねるようにしてもよい。
【００７２】
また、本発明は、光ピックアップに限らず、レーザ光を使用する測定装置等、半導体レーザを含み、この半導体レーザにおける戻り光によるノイズを低減する必要のある装置全般に適用することができる。
【００７３】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体レーザ用高周波重畳回路によれば、発振回路部分は、増幅素子、インダクタおよびコンデンサを含むコルピッツ発振回路を構成し、発振回路部分に含まれるコンデンサがインピーダンス整合回路部分の少なくとも一部の構成部品を兼ねるようにしたので、機能や特性を損なうことなく、半導体レーザ用高周波重畳回路の小型化および低コスト化が可能になるという効果を奏する。
【００７４】
また、請求項２記載の半導体レーザ用高周波重畳回路によれば、発振回路部分は、更に、直流電力入力端より直流電力が供給されて増幅素子に対して直流バイアスを与えるバイアス回路を含み、バイアス回路は複数の抵抗を含み、そのうちの一部の抵抗は、発振回路部分の発振出力の出力端と直流電力入力端との間に配置されて、発振周波数成分が直流電力の供給路に漏洩することを阻止する機能を併せ持つようにしたので、部品点数を増やすことなく、発振周波数成分が直流電力の供給路に漏洩することを防止できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る高周波重畳回路の構成を示す回路図である。
【図２】コルピッツ発振回路の基本構成を示す回路図である。
【図３】バイアス回路の動作を説明するための回路図である。
【図４】高周波重畳モジュールを組み込んだ光ピックアップの一例を示す斜視図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る高周波重畳回路の構成を示す回路図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態に係る高周波重畳回路の構成を示す回路図である。
【図７】従来の高周波重畳回路の構成の一例を示す回路図である。
【符号の説明】
１…電源端子、２…電源端子、３…グランド端子、１０…高周波重畳回路、１１…発振回路部分、１２…インピーダンス整合回路部分、ＬＤ…半導体レーザ、Ｑ１…トランジスタ、Ｒ１，Ｒ２…抵抗、Ｌ１，Ｌ２…インダクタ、Ｃ１〜Ｃ４…コンデンサ。

Claims

半導体レーザへの供給電流に高周波電流を重畳する半導体レーザ用高周波重畳回路であって、
高周波電流を発生させるための発振回路部分と、半導体レーザとのインピーダンス整合のためのインピーダンス整合回路部分とを含み、
前記発振回路部分は、増幅素子、インダクタおよびコンデンサを含むコルピッツ発振回路を構成し、発振回路部分に含まれるコンデンサが前記インピーダンス整合回路部分の少なくとも一部の構成部品を兼ねていることを特徴とする半導体レーザ用高周波重畳回路。
前記発振回路部分は、更に、直流電力入力端より直流電力が供給されて前記増幅素子に対して直流バイアスを与えるバイアス回路を含み、
前記バイアス回路は複数の抵抗を含み、そのうちの一部の抵抗は、前記発振回路部分の発振出力の出力端と前記直流電力入力端との間に配置されて、発振周波数成分が直流電力の供給路に漏洩することを阻止する機能を併せ持つことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ用高周波重畳回路。
前記バイアス回路は自己バイアス回路を構成することを特徴とする請求項２記載の半導体レーザ用高周波重畳回路。
前記半導体レーザは光ピックアップに用いられるものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体レーザ用高周波重畳回路。