JP4475540B2 - 光半導体装置、及び光ピックアップ装置 - Google Patents
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Description
受光素子51とアンプ52の入力とを接続する配線(内部リード57)は電流信号が伝送されるため、若干の電圧降下による電圧振幅はあるが、配線の寄生容量による影響は小さい。一方、アンプ52のフィードバック抵抗により電流信号が電圧信号に変換されたアンプ52の出力段は電圧が大きく変動するため、配線の寄生容量による影響を受けやすくなる。出力段は電流能力が大きく伝達インピーダンスが低いため、配線の寄生容量の影響は小さいが、アンプ内部の配線、特に差動増幅器の接続配線は、流れる電流が少なく、見かけ上、伝達インピーダンスが大きいため、変換された電圧信号の振幅と同等の電圧振幅が伝達されると、配線の寄生容量による影響を受けやすく、周波数特性が低下するという問題がある。
本発明の第1の実施の形態に係る光半導体装置は、電流電圧変換アンプを構成する差動増幅器の接続配線を、電流電圧変換アンプの出力と接続されたシールド配線でシールドする。これにより、差動増幅器の接続配線に対する寄生容量を低減し、周波数特性の低下を防止することができる。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る光半導体装置の構成を示す回路図である。
受光素子11に照射された光信号は電流信号に変換され、差動増幅器2の反転入力端子であるNPNトランジスタ14のベースとフィードバック抵抗19とに入力される。電流信号は、フィードバック抵抗19で電圧信号に変換され、出力段3のNPNトランジスタ17のエミッタ、及び出力端子Voutへ出力される。
ΔIo=ΔIPD/(1+hFE)
で表される。すなわち、出力電流の変動量ΔIoは極めて微少な電流変動であるので、接続配線20のインピーダンスは大きくなる。一般的にインピーダンスの大きい配線は、寄生容量の影響を受けやすい。よって、差動増幅器2の接続配線20の寄生容量が大きいと、周波数特性の低下が発生する。
本発明の第2の実施の形態では、第1の実施の形態に対して、電圧電流変換アンプの増幅器の構成を変更した光半導体装置について説明する。
図8は、本発明の第2の実施の形態に係る光半導体装置の構成を示す回路図である。図8に示す光半導体装置200は、受光素子11と、電流電圧変換アンプ201とを備える。光半導体装置200は、図1に示す光半導体装置100に対して、電流電圧変換アンプ201の増幅器202の構成が異なる。
電流電圧変換アンプ201は、受光素子11からの電流信号を電圧信号に変換し、出力端子Voutに出力する。電流電圧変換アンプ201は、増幅器202と、出力段203と、フィードバック抵抗34と、接続配線35と、シールド配線36とを備える。
受光素子11に照射された光信号は電流信号に変換され、エミッタ接地したNPNトランジスタ30のベースとフィードバック抵抗34とに入力される。電流信号は、フィードバック抵抗34で電圧信号に変換され、出力段203のNPNトランジスタ32のエミッタ、及び出力Voutへ出力される。
ΔIo=ΔIPD/(1+hFE)
で表される。すなわち、出力電流の変動量ΔIoは極めて微少な電流変動であるので、接続配線35のインピーダンスは大きくなる。一般的にインピーダンスの大きい配線は、寄生容量の影響を受けやすい。よって、NPNトランジスタ30の接続配線35の寄生容量が大きいと、周波数特性の低下が発生する。
本発明の第3の実施の形態では、上述した光半導体装置を、光ピックアップ装置に適用した実施例について説明する。
図9に示す光ピックアップ装置40は、DVD及びCDの両方に対応した光ピックアップ装置である。光ピックアップ装置40は、光ディスク媒体48からの情報の読み出し、及び光ディスク媒体への情報の書込みを行う。光ピックアップ装置40は、赤外レーザ41と、赤色レーザ42と、3ビームグレーティング43と、ビームスプリッタ44a及び44bと、コリメータレンズ45と、ミラー46と、対物レンズ47a及び47bと、受光用IC49とを備える。受光用IC49は、光ディスク媒体48に反射したレーザ光を受光する。受光用IC49は、例えば、複数の図1に示す第1の実施の形態に係る光半導体装置100を含む受光用ICである。
2 差動増幅器
3、203 出力段
4 バッファ
11 受光素子
12、13 PNPトランジスタ
14、15、17、30、32、117 NPNトランジスタ
16、18、31、33、118 定電流源
19、34 フィードバック抵抗
20、35 接続配線
21、36 シールド配線
20a 接続配線の信号電圧
21a シールド配線の信号電圧
21b、21c、21d 金属層
21e 拡散層
21f エピタキシャル層
22 半導体基板
23、24、25、26 絶縁膜
27 半導体チップ
28 チップ端線
29 配線の補助線
40 光ピックアップ装置
41 赤外レーザ
42 赤色レーザ
43 3ビームグレーティング
44a、44b ビームスプリッタ
45 コリメータレンズ
46 ミラー
47a、47b 対物レンズ
48 光ディスク(CD、DVD)
49 受光用IC
51 受光素子
52 アンプ
53 電圧フォロア
54 金属ケース
55 受光素子の接続配線
56、57 内部リード
58、59 端子
60 アンプの入力配線
61、62 ノード
63 集積回路
64 プリント基板
100、110、200 光半導体装置
202 増幅器
Vcc 正の電圧源(電源電圧)
GND 負の電圧源
Vref 基準電圧
Vout 出力端子
Claims (10)
- 光を電気信号に変換する受光素子と、
前記受光素子が入力に接続され、前記電気信号を増幅する増幅回路と、
前記増幅回路により増幅された信号が出力される接続配線と、
前記接続配線が入力に接続され、前記増幅回路により増幅された信号を電流増幅して出力端子に出力する出力回路と、
前記増幅回路の入力と、前記出力端子との間に接続されるフィードバック抵抗と、
前記出力回路が出力する電位、又は、前記出力回路が出力する電位を電圧フォロアした電位と接続され、前記接続配線への雑音を遮断するためのシールド配線とを備える
ことを特徴とする光半導体装置。 - 前記増幅回路、接続配線、及び出力回路は、半導体基板上に形成され、
前記シールド配線は、前記接続配線の前記半導体基板側に形成される
ことを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。 - 前記光半導体装置は、さらに、
前記シールド配線は、前記接続配線の前記半導体基板側、かつ前記半導体基板側を下方とした場合の前記接続配線の側方及び上方の少なくとも一方に形成される
ことを特徴とする請求項2記載の光半導体装置。 - 前記シールド配線は、前記接続配線より下層の金属層、ポリシリコン層、又は拡散層で構成される
ことを特徴とする請求項2記載の光半導体装置。 - 前記出力回路は、
前記増幅回路により増幅された信号を電流増幅して出力端子に出力する第1の出力回路と、
前記増幅回路により増幅された信号を電流増幅して前記シールド配線に出力する第2の出力回路とを備え、
前記シールド配線は、前記第2の出力回路が出力する電位と接続され、前記接続配線への雑音を遮断する
ことを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。 - 前記増幅回路は、
制御端子が前記受光素子に接続され、第1出力端子が前記接続配線に接続される第1のトランジスタと、
制御端子が基準電圧に接続され、第2出力端子が前記第1のトランジスタの第2出力端子に接続される第2のトランジスタと、
制御端子が前記第2のトランジスタの第1出力端子に接続され、第1出力端子が前記接続配線に接続され、第2出力端子が電源電圧に接続される第3のトランジスタと、
制御端子及び第1出力端子が前記第2のトランジスタの第1出力端子に接続され、第2出力端子が電源電圧に接続される第4のトランジスタと、
前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタの第2出力端子と、GNDとの間に接続される第1の電流源とを備える
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の光半導体装置。 - 前記増幅回路は、
制御端子が前記受光素子に接続され、第1出力端子が前記接続配線に接続され、第2出力端子がGNDに接続される第5のトランジスタと、
前記接続配線と、電源電圧との間に接続される第2の電流源とを備える
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の光半導体装置。 - 前記出力回路は、
制御端子が前記接続配線に接続され、第1出力端子が電源電圧に接続され、第2出力端子が前記出力端子に接続される第6のトランジスタと、
前記第6のトランジスタの第2出力端子と、GNDとの間に接続される第3の電流源とを備える
ことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の光半導体装置。 - 前記増幅回路、接続配線、及び出力回路は、半導体基板上に形成され、
前記接続配線の少なくとも一部が前記半導体基板の端線を基準として、45°の整数倍以外の角度で配置される
ことを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。 - 光ディスク媒体からの情報の読み出し、及び光ディスク媒体への情報の書き込みのうち少なくとも一方を行う光ピックアップ装置であって、
レーザ光を前記光ディスク媒体に照射するレーザ光発生手段と、
前記レーザ光発生手段が照射し、前記光ディスク媒体に反射したレーザ光を受光する請求項1〜9のいずれか1項に記載の光半導体装置とを備える
ことを特徴とする光ピックアップ装置。
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