JP2008020245A - 受光増幅回路のテスト回路、及びこれを用いた光ピックアップ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】チップコストを低くすることが可能な受光増幅回路のテスト回路、及びこれを用いた光ピックアップ装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成され、受光素子２０１で生じた光電流を電圧変換して出力する受光増幅回路２００のテスト回路１００であって、受光増幅回路２００と接続され、受光増幅回路２００に供給されるテスト用電流を通過又は遮断するＰＮＰバイポーラトランジスタ１０２を備え、ＰＮＰバイポーラトランジスタ１０２のオンオフは、半導体基板上に形成された、受光増幅回路２００及びテスト回路１００とは別の別機能回路３００の別回路端子３２０に印加される電位Ｖｉｎにより制御される。
【選択図】図１

Description

本発明は、受光増幅回路のテスト回路に関し、特にテスト専用端子を必要としない受光増幅回路のテスト回路に関する。

近年、半導体集積回路装置の高集積化、高機能化及び高速化に伴って、回路の大規模化が進み、機能回路の検査が複雑化している。

光ピックアップ装置用の受光増幅回路は、ＣＤ（Compact Disc）やＤＶＤ（Digital Versatile Disc）の各々に使用されるレーザ光を光ディスク媒体へ照射し、反射光を複数の受光素子で受光して光電流を電圧に変換して出力する数チャンネルのアンプから構成されている。

また、ＣＤは赤外レーザ素子、ＤＶＤは赤色レーザ素子を光源として使用している。近年では２つの波長のレーザ素子をモノリシックに形成したモノリシック２波長レーザ素子が普及している。このようなモノリシック２波長レーザ素子では、各々の発光位置が決められた間隔で配置され、光軸が２系統になるため、受光側もそれぞれの波長に対応する専用の受光素子及び増幅回路を同一半導体基板上に形成する必要があり、アンプのチャンネル数は増加している。

各アンプの特性を検査する場合、各受光素子に光を照射して検査すると照射位置の精度により測定バラツキが発生し、また検査時間も長くなるという問題がある。このような問題を解決し、電気的に精度良く各アンプの特性を検査する技術として例えば特許文献１のようなテスト回路が提案されている。

以下、図８を参照しながら特許文献１に示される受光増幅回路のテスト回路について説明する。図８は、特許文献１記載の受光増幅回路及びそのテスト回路の構成を示す回路図である。

受光増幅回路２００は、受光素子２０１、変換抵抗２０２、及び差動増幅器２０３より構成され、出力電圧Ｖｏｕｔを出力する。差動増幅器２０３の正転入力部には基準電位Ｖｒｅｆが印加される。受光増幅回路２００では、光が照射されると受光素子２０１により照射光が光電流に変換され、変換により生じた光電流は差動増幅器２０３の反転入力部と出力部との間に接続された変換抵抗２０２により電圧に変換されて出力電圧Ｖｏｕｔが出力される。

テスト回路４００は、ＮＰＮバイポーラトランジスタ４０１、４０２及び抵抗４０３、４０４より構成されるカレントミラー回路と、抵抗４０５、４０６とから構成される。テスト端子４０８にテスト電位Ｖｉｎが印加された場合、テスト電位ＶｉｎがＮＰＮバイポーラトランジスタ４０２のＶｂｅと抵抗４０５とにより電流に変換された後、カレントミラー回路を介して同等電流が差動増幅器２０３の反転入力部から引き抜かれ、出力電圧Ｖｏｕｔとして出力される。
特開平８−１２９０４６号公報

ところで、拡散プロセスの微細化に伴って、トランジスタ、抵抗及びコンデンサ等の各素子の面積は小さくなって来ているが、受光素子や端子の面積は拡散プロセスの微細化とは無関係であり、その面積は小さくならない。すなわち、受光素子は光ピックアップ装置の光学系により大きさやレイアウトが決まるため、拡散プロセスの微細化によらず光学系で最適な大きさが必要となる。また、端子についてはボンディングワイヤーの太さや、プローブ検査のプローブ位置精度などにより、端子そのものの大きさや、端子周辺の素子との間隔がある程度必要となる。このとき、受光増幅回路搭載の半導体チップは全端子数が１２〜１８端子程度であるため、端子１つの面積が１チップに占める割合が大きく、テスト端子の数がチップ面積に大きく影響を及ぼす。

従って、上記した特許文献１に記載の従来のテスト回路では、カレントミラー回路の出力トランジスタの数を全チャンネルのアンプ数と同じだけ設け、１つのテスト端子に電位を印加すれば、全チャンネルの受光増幅回路の検査が可能となるが、少なくとも１つ以上のテスト端子が必要となるので、チップサイズが大きくなり、チップコストが高くなる。すなわち、受光増幅回路の検査を行うための回路の実使用上の動作には関与しないテスト端子のために、チップコストが高くなる。

そこで、本発明は、上記課題に鑑み、チップコストを低くすることが可能な受光増幅回路のテスト回路、及びこれを用いた光ピックアップ装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の受光増幅回路のテスト回路は、半導体基板上に形成され、受光素子で生じた光電流を電圧変換して出力する受光増幅回路のテスト回路であって、前記受光増幅回路と接続され、前記受光増幅回路に供給されるテスト用電流を通過又は遮断するスイッチを備え、前記スイッチのオンオフは、前記半導体基板上に形成された第１端子に印加される電位により制御され、前記第１端子は、前記受光増幅回路及び前記テスト回路とは別の回路の信号の入出力にも用いられることを特徴とする。ここで、前記スイッチは、前記受光増幅回路に接続されたコレクタと、電源電位または前記半導体基板上で最も高い電位が印加されるベースと、前記第１端子に接続されたエミッタとを有するＰＮＰトランジスタであってもよい。また、前記スイッチは、前記受光増幅回路に接続されたコレクタと、接地電位または前記半導体基板上で最も低い電位が印加されるベースと、前記第１端子に接続されたエミッタとを有するＮＰＮトランジスタであってもよい。

これによって、専用のテスト端子を設けること無く受光増幅回路を検査できるので、チップサイズを小型化でき、チップコストを低くすることができる。

また、前記受光増幅回路のテスト回路は、さらに、前記ＰＮＰトランジスタにダーリントン接続されたＰＮＰトランジスタを備えてもよいし、前記受光増幅回路のテスト回路は、さらに、前記ＮＰＮトランジスタにダーリントン接続されたＮＰＮトランジスタを備えてもよい。

これによって、コレクタ電流とエミッタ電流との差が小さくなり、検査の精度がより高くなる。また、エミッタとベースとの間の逆耐圧によりトランジスタが破壊するのを防止できる。

また、前記受光増幅回路のテスト回路は、さらに、前記スイッチと前記受光増幅回路との間に挿入されたカレントミラー回路を備えてもよい。

これによって、１つの第１端子で複数の受光増幅回路の検査を行うことができる。
また、本発明は、上記受光増幅回路のテスト回路を備えることを特徴とする光ピックアップ装置とすることもできる。すなわち、レーザ光を用いて光ディスク媒体からの情報の読み出し、または光ディスク媒体への情報の書き込みを行う光ピックアップ装置であって、上記受光増幅回路のテスト回路と受光増幅回路とを備え、前記受光増幅回路は、前記受光素子により光ディスク媒体からの反射光を受光して電気信号として出力することを特徴とする光ピックアップ装置とすることもできる。

これによって、安価な光ピックアップ装置に実現することができる。

本発明の受光増幅回路のテスト回路によれば、テスト専用端子を設けることなく受光増幅回路の検査を行う。従って、チップコストを低くすることが可能な受光増幅回路のテスト回路を実現することができる。

以下、本発明の実施の形態における受光増幅回路のテスト回路及びこれを用いた光ピックアップ装置について、図面を参照しながら説明する。

（第１の実施の形態）
図１は、本実施の形態の受光増幅回路２００及びそのテスト回路１００の構成を示す回路図である。

受光増幅回路２００は、受光素子２０１、変換抵抗２０２及び差動増幅器２０３より構成される。差動増幅器２０３の正転入力部には基準電位Ｖｒｅｆが印加される。受光増幅回路２００では、アノードコモンの受光素子２０１のカソードと変換抵抗２０２の一端と差動増幅器２０３の反転入力部とが接続され、変換抵抗２０２の他端は差動増幅器２０３の出力部と接続される。受光増幅回路２００では、光が受光素子２０１に入射すると受光素子２０１の光電変換効率で決まる光電流に変換され、差動増幅器２０３の反転入力部に変換により生じた光電流が引き抜かれる。引き抜かれた光電流は、差動増幅器２０３の反転入力部に接続された変換抵抗２０２により電圧に変換され、受光増幅回路２００の出力電圧Ｖｏｕｔとして出力される。

テスト回路１００は、受光増幅回路２００と同一の半導体基板上に形成され、ＮＰＮバイポーラトランジスタ１０５、１０６、１０７及び抵抗１０８、１０９、１１０で構成されたカレントミラー回路１５０と、抵抗１０１、１０３と、ＰＮＰバイポーラトランジスタ１０２と、コンデンサ１０４とから構成される。なお、ＰＮＰバイポーラトランジスタ１０２は、本発明のスイッチの一例であり、受光増幅回路２００にテスト用電流を供給するか否かを決定する。

このテスト回路１００では、カレントミラー回路１５０の出力側のＮＰＮバイポーラトランジスタ１０７のコレクタが受光増幅回路２００の差動増幅器２０３の反転入力部に接続され、カレントミラー回路１５０の入力側のＮＰＮバイポーラトランジスタ１０６のコレクタがＰＮＰバイポーラトランジスタ１０２のコレクタに接続される。ＰＮＰバイポーラトランジスタ１０２のベースは抵抗１０３を介して例えば５Ｖの電源電位Ｖｃｃを供給する正の電圧源（電源ライン）３１０に接続され、ＰＮＰバイポーラトランジスタ１０２のエミッタは抵抗１０１を介して電位Ｖｉｎを供給する別回路端子３２０に接続される。この別回路端子３２０は、受光増幅回路２００及びテスト回路１００が形成された半導体基板上に形成された機能回路への信号の入出力用の端子であり、受光増幅回路２００及びテスト回路１００とは別の機能回路の端子である。

ここで、別の機能回路とは、少なくとも２値の電位が印加される別回路端子３２０を有する回路であり、例えば受光増幅回路２００及びテスト回路１００が形成されたＩＣのモード切り替えを行う回路等である。モード切り替えを行う回路の場合には、例えばスリープモード（低消費電力モード）にするためにローレベルの電位が印加され、アクティブモード（通常電力モード）にするためにハイレベルの電位が印加され、受光増幅回路２００の検査を行うためにハイレベルの電位よりも更に高い電位が印加される。

このテスト回路１００で受光増幅回路２００の検査を行う場合、つまりテスト電流を電圧変換して受光増幅回路２００から出力させる場合、別回路端子３２０には電源電位Ｖｃｃよりも高く、ＰＮＰバイポーラトランジスタ１０２が動作する電位、例えば６〜７Ｖの電位が印加され、ＰＮＰバイポーラトランジスタ１０２がオン状態となる。このような電位が印加されると、ＰＮＰバイポーラトランジスタ１０２のＶｂｅ及び抵抗１０１によりテスト用電流に変換された後、同等電流がカレントミラー回路１５０の入力部に注入される。カレントミラー回路１５０でミラーされたテスト用電流は受光増幅回路２００の差動増幅器２０３の反転入力部から引き抜かれ、変換抵抗２０２により電圧に変換されて受光増幅回路２００の出力電圧Ｖｏｕｔとして出力される。

一方、受光増幅回路２００を実動作として使用する場合、つまり光電流を電圧変換して受光増幅回路２００から出力させる場合、別回路端子３２０には電源電位Ｖｃｃよりも低い電位が印加されるため、ＰＮＰバイポーラトランジスタ１０２はオフ状態となり、カレントミラー回路１５０へのテスト用電流の注入はない。従って、受光増幅回路２００の差動増幅器２０３の反転入力部に入力される電流は、受光素子２０１からの電流のみとなり、テスト回路１００からの影響はなく、受光増幅回路２００は実動作可能となる。

以上のように本実施の形態の受光増幅回路のテスト回路によれば、テスト端子を別の機能回路の端子と共用する。よって、専用のテスト端子を設けること無く受光増幅回路を検査できるので、チップサイズを小型化でき、チップコストを低くすることができる。

また、本実施の形態の受光増幅回路のテスト回路によれば、カレントミラー回路を備える。よって、光ディスク媒体の記録／再生やＤＶＤ／ＣＤ等の切替え動作を行うような機能の多い受光増幅回路であっても、複数の別回路端子を設ける必要がない。

なお、受光増幅回路２００を実動作として使用する場合にＰＮＰバイポーラトランジスタ１０２がオフしていれば、ＰＮＰバイポーラトランジスタ１０２のベースに接続された抵抗１０３の他端は電源電位Ｖｃｃよりも高い半導体基板上で最も高い電位が印加される端子に接続されてもよい。

また、ＰＮＰバイポーラトランジスタ１０２のベースと接地電位Ｖｅｅとの間にコンデンサを接続してもよい。これによって、抵抗１０３とコンデンサとで構成されたローパスフィルタにより正の電圧源３１０からのテスト回路への信号の回り込みを低減でき、安定した状態で受光増幅回路２００を検査できる。

また、テスト回路１００は、図２に示すように、ＰＮＰバイポーラトランジスタ１０２とダーリントン接続されたＰＮＰバイポーラトランジスタ１１１を備えてもよい。ＰＮＰバイポーラトランジスタ１０２のみでは、別回路端子３２０に印加される電位とＰＮＰバイポーラトランジスタ１０２のＶｂｅと抵抗１０１とで決まるエミッタ電流のうち、ＰＮＰバイポーラトランジスタ１０２のｈＦＥにより、１／ｈＦＥがベース電流として引き抜かれるため、カレントミラー回路１５０へ供給されるコレクタ電流とエミッタ電流との差が大きくなる。しかしながら、ＰＮＰバイポーラトランジスタをダーリントン型にした場合には、コレクタ電流とエミッタ電流との差が小さくなるので、検査の精度がより高くなる。また、ＰＮＰバイポーラトランジスタをダーリントン型にすることにより、実動作時に別回路端子３２０が接地電位に設定されたときにＰＮＰバイポーラトランジスタのエミッタとベースとの間の逆耐圧によりＰＮＰバイポーラトランジスタが破壊することを防止できる。

また、図３に示すように、受光増幅回路２００はカソードコモンの受光素子２２１を有し、テスト回路１００はカレントミラー回路を備えなくてもよい。

（第２の実施の形態）
図４は、本実施の形態の受光増幅回路２００及びそのテスト回路１４０の構成を示す回路図である。

受光増幅回路２００は、受光素子２０１、変換抵抗２０２及び差動増幅器２０３より構成される。

テスト回路１４０は、受光増幅回路２００と同一の半導体基板上に形成され、抵抗１３１、１３２と、ＮＰＮバイポーラトランジスタ１３０とから構成される。なお、ＮＰＮバイポーラトランジスタ１３０は、本発明のスイッチの一例であり、受光増幅回路２００にテスト用電流を供給するか否かを決定する。

このテスト回路１４０では、受光増幅回路２００の差動増幅器２０３の反転入力部にＮＰＮバイポーラトランジスタ１３０のコレクタが接続される。ＮＰＮバイポーラトランジスタ１３０のベースは抵抗１３２を介して接地電位Ｖｅｅを供給する負の電圧源３３０に接続され、ＮＰＮバイポーラトランジスタ１３０のエミッタは抵抗１３１を介してＶｉｎを供給する別回路端子３２０に接続される。

ここで、別の機能回路が例えば受光増幅回路２００及びテスト回路１４０が形成されたＩＣのモード切り替えを行う回路等である場合には、例えばスリープモードにするためにハイレベルの電位が印加され、アクティブモードにするためにローレベルの電位が印加され、受光増幅回路２００の検査を行うためにローレベルの電位よりも更に低い電位が印加される。

このテスト回路１４０で受光増幅回路２００の検査を行う場合、別回路端子３２０には接地電位よりも低く、ＮＰＮバイポーラトランジスタ１３０が動作する電位が印加され、ＮＰＮバイポーラトランジスタ１３０がオン状態となる。このような電位が印加されると、ＮＰＮバイポーラトランジスタ１３０のＶｂｅ及び抵抗１３１によりテスト用電流に変換された後、同等電流が差動増幅器２０３の反転入力部から引き抜かれ、変換抵抗２０２により電圧に変換されて受光増幅回路２００の出力電圧Ｖｏｕｔとして出力される。

一方、受光増幅回路２００を実動作として使用する場合、別回路端子３２０には接地電位よりも高い電位が印加されるため、ＮＰＮバイポーラトランジスタ１３０はオフ状態となり、受光増幅回路２００へのテスト用電流の注入はない。従って、受光増幅回路２００の差動増幅器２０３の反転入力部への電流は、受光素子２０１からの電流のみとなり、テスト回路１４０からの影響はなく、受光増幅回路２００は実動作可能となる。

以上のように本実施の形態の受光増幅回路のテスト回路によれば、第１の実施の形態の受光増幅回路のテスト回路と同様の理由により、チップコストを低くすることができる。

また、本実施の形態の受光増幅回路のテスト回路によれば、図５に示すように、カレントミラー回路を設けること無く、差動増幅器２０３の数に対応したＮＰＮバイポーラトランジスタ１３０及び抵抗１３１を設けるだけで、複数の差動増幅器２０３の検査を行うことができる。

なお、受光増幅回路２００を実動作として使用する場合にＮＰＮバイポーラトランジスタ１３０がオフしていれば、ＮＰＮバイポーラトランジスタ１３０のベースに接続された抵抗１３２の他端は接地電位よりも低い半導体基板上で最も低い電位が印加される端子に接続されてもよい。

また、テスト回路１４０は、図６に示すように、ＮＰＮバイポーラトランジスタ１３０とダーリントン接続されたＮＰＮバイポーラトランジスタ１３３を備えてもよい。ＮＰＮバイポーラトランジスタ１３０のみでは、別回路端子３２０に印加される電位とＮＰＮバイポーラトランジスタ１３０のＶｂｅと抵抗１３１とで決まるエミッタ電流のうち、ＮＰＮバイポーラトランジスタ１３０のｈＦＥにより、１／ｈＦＥがベース電流として注入されるため、受光増幅回路２００の差動増幅器２０３の反転入力部から引き抜かれるコレクタ電流とエミッタ電流との差が大きくなる。しかしながら、ＮＰＮバイポーラトランジスタをダーリントン型にした場合には、コレクタ電流とエミッタ電流との差が小さくなるので、検査の精度がより高くなる。また、ＮＰＮバイポーラトランジスタをダーリントン型にすることにより、実動作時に別回路端子３２０が電源電位に設定されたときにＮＰＮバイポーラトランジスタのエミッタとベースとの間の逆耐圧によりＮＰＮバイポーラトランジスタが破壊することを防止できる。

（第３の実施の形態）
図７は本実施の形態の光ピックアップ装置５０の構成を示す図である。

光ピックアップ装置５０は、レーザ光を用いてＤＶＤ及びＣＤの光ディスク媒体５８からの情報の読み出し、及び光ディスク媒体５８への情報の書き込みを行う装置である。光ピックアップ装置５０は、ＣＤに使用される光源としての赤外レーザ素子５１と、ＤＶＤに使用される光源としての赤色レーザ素子５２と、３ビームグレーティング５３と、ビームスプリッタ５４ａと、ビームスプリッタ５４ｂと、コリメータレンズ５５ａと、ミラー５６と、対物レンズ５７ａ、５７ｂと、受光用ＩＣ５９とから構成される。

光ピックアップ装置５０では、ＣＤ対応時において、赤外レーザ素子５１から出射されたレーザ光は、３ビームグレーティング５３により、３ビームに分割された後、ビームスプリッタ５４ａ、コリメータレンズ５５ａ及びビームスプリッタ５４ｂを順次通って、ミラー５６で反射されて対物レンズ５７ａに入射する。その後、対物レンズ５７ａで集光された光が光ディスク媒体（ＣＤ）５８に入射した後、反射され、反射光は対物レンズ５７ａ、ミラー５６及びビームスプリッタ５４ｂを順次通って戻ってくる。光ディスク媒体５８からの反射光は、ビームスプリッタ５４ｂによってその方向が曲げられ、対物レンズ５７ｂを通って受光用ＩＣ５９の受光面上に照射される。受光用ＩＣ５９は、光ディスク媒体５８の情報を電気信号として出力する。

ここで、受光用ＩＣ５９は、受光部を有する受光素子、及び受光素子で発生した光電流を増幅する差動増幅器から構成される受光増幅回路（図示せず）と、受光増幅回路からの信号を演算等する演算回路（図示せず）と、受光増幅回路をテストするテスト回路（図示せず）とが同じシリコン基板上に形成されたＩＣであり、受光素子、差動増幅器及びテスト回路の電気的な接続関係は、第１の実施の形態あるいは第２の実施の形態の受光増幅回路及びテスト回路におけるものと同様である。

光ディスク媒体５８からの反射光には、光ディスク媒体の面上のピット情報等が含まれており、受光素子で発生した光電流を演算処理することにより、光ディスク媒体５８の情報信号、フォーカスエラー信号及びトラッキングエラー信号等が得られる。これらの信号は光ディスク媒体５８の情報の読み取りや光ピックアップ装置５０の位置制御等に用いられる。

また、光ピックアップ装置５０では、ＤＶＤ対応時において、赤色レーザ素子５２から出射されたレーザ光は、ビームスプリッタ５４ａ、コリメータレンズ５５ａ及びビームスプリッタ５４ｂを順次通って、ミラー５６で反射されて対物レンズ５７ａに入射する。その後、対物レンズ５７ａで集光された光が光ディスク媒体（ＤＶＤ）５８に入射した後、反射され、反射光は対物レンズ５７ａ、ミラー５６及びビームスプリッタ５４ｂを順次通って戻ってくる。光ディスク媒体５８からの反射光は、ビームスプリッタ５４ｂによってその方向が曲げられ、対物レンズ５７ｂを通って受光用ＩＣ５９の受光面上に照射される。受光用ＩＣ５９は、光ディスク媒体５８の情報を電気信号として出力する。

光ディスク媒体５８からの反射光に起因する電気信号が、光ディスク媒体５８の情報の読み取りや光ピックアップ装置５０の位置制御等に用いられる点は上記ＣＤ対応時と同じであるが、ＣＤ対応時には、レーザ光が３ビームに分割されているのに対して、ＤＶＤ対応時には１ビームであるため、反射光はＣＤ対応時とＤＶＤ対応時とで受光部上の異なった位置に照射される。よって、受光用ＩＣ５９では、ＣＤからの情報を得るために使用される受光部と、ＤＶＤからの情報を得るために使用される受光部とが一部異なってくる。

上記光ピックアップ装置５０において、赤外レーザ素子５１から出射されたレーザ光及び赤色レーザ素子５２から出射されたレーザ光はそれぞれ、ビームスプリッタ５４ａから光ディスク媒体５８に至る光路、及び光ディスク媒体５８から受光用ＩＣ５９に至る光路において、光軸がほぼ同じになるように調整されている。よって、光ディスク媒体５８がＣＤ及びＤＶＤのいずれであっても同じ光学素子、及び同じ受光系を使用することができ、光ピックアップ装置５０の小型化及び組立て時の調整等が容易となる。

また、上記光ピックアップ装置５０では、受光増幅回路の光ピックアップ装置５０への実装後でも、別回路の端子とテスト端子とが共用された別回路端子が外部端子としてパッケージの外に出ている。従って、受光用ＩＣ５９に搭載されている受光増幅回路の検査において、別回路端子に電気信号を印加することで、受光増幅回路の検査を容易に行うことができる。

以上のように本実施の形態の光ピックアップ装置によれば、第１の実施の形態あるいは第２の実施の形態のテスト回路が用いられる。よって、安価な光ピックアップ装置を実現することができる。

なお、上記光ピックアップ装置５０では、レーザ光、受光用ＩＣ等の構造及び各部品の配置関係等は、適宜、設計に応じて変更されてもよい。例えば、受光素子と差動増幅器及び演算回路とがそれぞれ別のＩＣチップに形成されていてもよい。

以上、本発明の受光増幅回路のテスト回路及びこれを用いた光ピックアップ装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態の限定されるものではない。本発明の要旨を逸脱しない範囲内で当業者が思いつく各種変形を施したものも本発明の範囲内に含まれる。

本発明は、受光増幅回路のテスト回路及びこれを用いた光ピックアップ装置に利用でき、特に光ディスク媒体の情報読み取りを行う受光増幅回路のテスト回路及びこれを用いた光ピックアップ装置等に利用することができる。

本発明の第１の実施の形態に係る受光増幅回路及びそのテスト回路の構成を示す回路図である。 同実施の形態に係る受光増幅回路及びそのテスト回路の別の構成を示す回路図である。 同実施の形態に係る受光増幅回路及びそのテスト回路の別の構成を示す回路図である。 本発明の第２の実施の形態に係る受光増幅回路及びそのテスト回路の構成を示す回路図である。 同実施の形態に係る受光増幅回路及びそのテスト回路の別の構成を示す回路図である。 同実施の形態に係る受光増幅回路及びそのテスト回路の別の構成を示す回路図である。 本発明の第３の実施の形態に係る光ピックアップ装置の構成を示す図である。 特許文献１に記載の従来の受光増幅回路及びそのテスト回路の構成を示す回路図である。

符号の説明

５０ 光ピックアップ装置
５１ 赤外レーザ素子
５２ 赤色レーザ素子
５３ ３ビームグレーティング
５４ａ、５４ｂ ビームスプリッタ
５５ａ コリメータレンズ
５６ ミラー
５７ａ、５７ｂ 対物レンズ
５８ 光ディスク媒体（ＣＤ、ＤＶＤ）
５９ 受光用ＩＣ
１００、１４０ テスト回路
１０１、１０３、１０８、１０９、１１０、１３１、１３２、４０３、４０４、４０５、４０６ 抵抗
１０２、１１１ ＰＮＰバイポーラトランジスタ
１０４ コンデンサ
１０５、１０６、１０７、１３０、１３３、４０１、４０２ ＮＰＮバイポーラトランジスタ
１５０ カレントミラー回路
２００ 受光増幅回路
２０１、２２１ 受光素子
２０２ 変換抵抗
２０３ 差動増幅器
３００ 別機能回路
３１０ 正の電圧源（電源ライン）
３２０ 別回路端子
３３０ 負の電圧源
４０８ テスト端子

Claims (10)

1. 半導体基板上に形成され、受光素子で生じた光電流を電圧変換して出力する受光増幅回路のテスト回路であって、
   前記受光増幅回路と接続され、前記受光増幅回路に供給されるテスト用電流を通過又は遮断するスイッチを備え、
   前記スイッチのオンオフは、前記半導体基板上に形成された第１端子に印加される電位により制御され、
   前記第１端子は、前記受光増幅回路及び前記テスト回路とは別の回路の信号の入出力にも用いられる
   ことを特徴とする受光増幅回路のテスト回路。
2. 前記スイッチは、前記受光増幅回路に接続されたコレクタと、電源電位または前記半導体基板上で最も高い電位が印加されるベースと、前記第１端子に接続されたエミッタとを有するＰＮＰトランジスタである
   ことを特徴とする請求項１に記載の受光増幅回路のテスト回路。
3. 前記第１端子に印加される電位は、第１抵抗を介して前記エミッタに印加され、
   前記電源電位または半導体基板上で最も高い電位は、第２抵抗を介して前記ベースに印加される
   ことを特徴とする請求項２に記載の受光増幅回路のテスト回路。
4. 前記受光増幅回路のテスト回路は、さらに、前記ＰＮＰトランジスタにダーリントン接続されたＰＮＰトランジスタを備える
   ことを特徴とする請求項２又は３に記載の受光増幅回路のテスト回路。
5. 前記スイッチは、前記受光増幅回路に接続されたコレクタと、接地電位または前記半導体基板上で最も低い電位が印加されるベースと、前記第１端子に接続されたエミッタとを有するＮＰＮトランジスタである
   ことを特徴とする請求項１に記載の受光増幅回路のテスト回路。
6. 前記第１端子に印加される電位は、第３抵抗を介して前記エミッタに印加され、
   前記接地電位または半導体基板上で最も低い電位は、第４抵抗を介して前記ベースに印加される
   ことを特徴とする請求項５に記載の受光増幅回路のテスト回路。
7. 前記受光増幅回路のテスト回路は、さらに、前記ＮＰＮトランジスタにダーリントン接続されたＮＰＮトランジスタを備える
   ことを特徴とする請求項５又は６に記載の受光増幅回路のテスト回路。
8. 前記受光増幅回路のテスト回路は、さらに、前記スイッチと前記受光増幅回路との間に挿入されたカレントミラー回路を備える
   ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか1項に記載の受光増幅回路のテスト回路。
9. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の受光増幅回路のテスト回路を備える
   ことを特徴とする光ピックアップ装置。
10. 半導体基板上に形成され、受光素子で生じた光電流を電圧変換して出力する受光増幅回路をテストする方法であって、
    前記半導体基板上に形成された、前記受光増幅回路及び前記テスト回路とは別の回路の端子に印加される電位により前記受光増幅回路にテスト用電流を供給するか否かを決定する決定ステップと、
    前記判定ステップにおいて前記テスト用電流を供給すると判定された場合に、前記テスト用電流を前記受光増幅回路に供給する電流供給ステップとを含む
    ことを特徴とする受光増幅回路のテスト方法。

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