JPH08129046A - 電流−電圧変換アンプのテスト回路 - Google Patents

電流−電圧変換アンプのテスト回路

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JPH08129046A
JPH08129046A JP6268926A JP26892694A JPH08129046A JP H08129046 A JPH08129046 A JP H08129046A JP 6268926 A JP6268926 A JP 6268926A JP 26892694 A JP26892694 A JP 26892694A JP H08129046 A JPH08129046 A JP H08129046A
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npn transistor
transistor
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    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2884Testing of integrated circuits [IC] using dedicated test connectors, test elements or test circuits on the IC under test

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ICのチップ上にフォトダイオードと対にな
った電流−電圧変換アンプのテスト回路を設け、実際に
光照射を行うことなく、電流−電圧変換アンプのテスト
を行う。 【構成】 本発明は第1のNPNトランジスタと第2の
NPNトランジスタからなるカレントミラー回路と、テ
スト電圧を印加するテスト端子とそのテスト端子と第1
のNPNトランジスタのコレクタ間に接続された第3の
抵抗と、第2のNPNトランジスタのコレクタに接続さ
れる電流端子とを有し、テスト端子に印加されるテスト
電圧に応じて電流端子に接続された電流−電圧変換アン
プから電流を引き込む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトダイオード(以
下PD)用電流−電圧変換アンプをテストする回路に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】図10はIC上に組み込んだPDおよび
電流−電圧変換アンプを示す図である。図10におい
て、10は光センサ、12はPD、20は電流−電圧変
換アンプ、14は基準電源、21は増幅器、22はフィ
ードバック抵抗である。この光センサ回路10は、PD
に光を照射すると、PDが電流−電圧変換アンプ20か
ら電流Iを引き込み、その電流Iが電流−電圧変換アン
プで電圧Vに変換され、照射の強度に比例する電圧(V
out)を出力端子11に出力するように動作する。
【0003】電流−電圧変換アンプ20は、PD12に
光が照射されると増幅器21の反転端子から電流を引き
込むタイプのPDの場合には、光の照射量が増加すると
出力端子11の出力電圧が増加するように動作する。一
方、ICに光が照射されると増幅器21の反転端子に電
流を流し込むタイプのPDの場合には、電流−電圧変換
アンプ20は、光の照射量が増加すると出力端子11の
出力電圧(Vout)が減少するように動作する。
【0004】従来、IC上に組み込まれたPDの特性を
試験するには、ICが完成した後に光を実際にPDに照
射し電流−電圧変換アンプからの出力電圧を測定してい
た。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際に
光をPDに照射してテスト(電流特性、周波数特性等)
を行う場合、光を照射するためのテスト装置が複雑でま
た高価であり、テスト時間も長くなり、従って、人件費
が高くなり、半導体のコストが高くなるという問題点が
あった。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような問題
点を解消するための電流−電圧変換アンプのテスト回路
を提供するものである。本発明においては、光を実際に
半導体基板上のPDに照射することなく、半導体基板上
に設けられたテスト端子に電圧を印加するだけで、光を
照射した場合と同様のテストが可能となり、短時間に簡
単にテストが完了する。従って、その経済的な効果は大
きく、安価なICまたは半導体集積回路を供給すること
ができる。
【0007】本発明の一見地によれば、本発明は第1の
NPNトランジスタと第2のNPNトランジスタからな
るカレントミラー回路と、テスト電圧を印加する入力端
子とその入力端子と第1のNPNトランジスタのコレク
タ間に接続された第3の抵抗と、第2のNPNトランジ
スタのコレクタに接続される電流端子とを有し、入力端
子に印加されるテスト電圧に応じて電流端子に接続され
た被測定回路から電流を引き込むように構成される。
【0008】本発明の他の見地によれば、本発明は第1
のPNPトランジスタと第2のPNPトランジスタから
なるカレントミラー回路と、テスト電圧を印加する入力
端子とその入力端子と第1のPNPトランジスタのエミ
ッタ間に接続された第3の抵抗と、第2のPNPトラン
ジスタのエミッタに接続される電流端子とを有し、その
入力端子に印加されるテスト電圧に応じて電流端子に接
続された被測定回路に電流を流し込むように構成され
る。
【0009】さらに、本発明の他の見地によれば、本発
明はn個のNPNトランジスタからなるカレントミラー
回路と、テスト電圧を印加する入力端子とその入力端子
と第1のNPNトランジスタのコレクタ間に接続された
第3の抵抗と、n−1個のNPNトランジスタのコレク
タにそれぞれ接続される複数の電流端子とを有し、入力
端子に印加されるテスト電圧に応じて複数の電流端子に
接続された複数の被測定回路から電流を引き込むように
構成される。
【0010】本発明の他の見地によれば、n個のNPN
トランジスタからなるカレントミラー回路を有する本発
明は、さらに、1つのNPNトランジスタを有し、その
ベースは第1のNPNトランジスタのコレクタに接続さ
れ、そのエミッタは第1のNPNトランジスタのベース
に接続され、そのコレクタは電流源に接続されるように
構成される。
【0011】本発明の他の見地によれば、本発明は第1
および第2のNPNトランジスタからなる第1のカレン
トミラー回路と、第3および第4のNPNトランジスタ
からなる第2のカレントミラー回路と、テスト電圧を印
加する入力端子とその入力端子と第1のNPNトランジ
スタのコレクタおよび第4のNPNトランジスタのコレ
クタ間に接続された第5の抵抗と、第2のNPNトラン
ジスタのコレクタに接続される電流端子と、第3のNP
Nトランジスタのコレクタに接続される電流供給回路と
を有し、入力端子に印加されるテスト電圧に応じて電流
端子に接続された被測定回路から電流を引き込むように
構成される。
【0012】さらに、本発明の他の見地によれば、本発
明は第1および第2のNPNトランジスタからなる第1
のカレントミラー回路と、第3および第4のPNPトラ
ンジスタからなる第2のカレントミラー回路と、テスト
電圧を印加する入力端子とその入力端子と第1のNPN
トランジスタのコレクタ間に接続された第5の抵抗と、
第2のNPNトランジスタのコレクタおよび第4のPN
Pトランジスタのコレクタに接続される電流端子と、第
3のPNPトランジスタのコレクタとアースとの間に接
続された第6の抵抗と、入力端子に印加されるテスト電
圧に応じて電流端子に接続された被測定回路から電流を
引き込むように構成される。
【0013】さらに、本発明の他の見地によれば、本発
明は、さらに、入力端子とアース間に接続されたノイズ
対策用プルダウン抵抗を有するように構成される。
【0014】
【作用】本発明においては、PDの特性に合わせた電圧
を入力端子に加えることによって、カレントミラー回路
の一方に電流を流し、その電流と同一またはそれと一定
の関係のにある電流をカレントミラー回路の他方から得
て、この電流を電流−電圧変換アンプの入力に加え、こ
の電流−電圧変換アンプから電流を引きまたはこの電流
−電圧変換アンプに電流を流し込むことによって、電流
−電圧変換アンプの出力からPDに光を照射した場合と
同様の出力が得られる。
【0015】また、IC上に複数のPDがマウントされ
る場合には、IC上に設けられた複数のカレントミラー
回路の各電流端子に複数の被測定回路を接続し、各被測
定回路から電流を引き込むように構成することによっ
て、複数のPDに接続された電流−電圧変換アンプの特
性を同時にテストすることができる。
【0016】
【実施例】
実施例1 図1は本発明の第1の実施例による、電流−電圧変換ア
ンプのテスト回路を示す図である。図1において、10
はIC上に形成された光センサ、12はPD、20は電
流−電圧変換アンプ、21は増幅器、R22は抵抗、1
4は基準電源、11は出力端子である。光がIC上のP
D12に当たると、PD12は光照射によって発生した
電流を増幅器21の反転端子から引き込み、抵抗R22
によって決定される増幅度と基準電圧14とによって得
られる電圧を出力端子11に出力する。
【0017】30は本発明の電流−電圧変換アンプのテ
スト回路である。実施例1の電流−電圧変換アンプのテ
スト回路は、電流引き込みタイプのPDをテストするた
めに用いられる。TR1、TR2はそれぞれNPNトラ
ンジスタ、R1、R2、Ra、Rbはそれぞれ抵抗であ
る。31はテスト電圧を印加するためのテスト端子であ
る。NPNトランジスタTR1、TR2、抵抗R1、R
2はカレントミラーを構成する。抵抗Raはカレントミ
ラーの電流制限用抵抗である。抵抗Rbは、ICが市場
に出た後、テスト端子31に何らかの原因でノイズ電圧
が誘起されたときに電流−電圧変換アンプのテスト回路
30の電流端子から光センサ10に電流が供給されない
ようにノイズ電圧をアースに逃がすためのノイズ対策用
プルダウン抵抗である。
【0018】次に本発明の一実施例の電流−電圧変換ア
ンプのテスト回路30の動作について説明する。本発明
では、光照射をすることなく、PDに光照射をした場合
と同様のテストをするものである。従って、テストに際
しては、光照射が行われないので、PDには電流が流れ
ない。
【0019】図2はテスト端子31に印加されるテスト
電圧(Vin)、カレントミラー回路に流れる電流I、
I’および光センサ10の出力端子に現れる出力電圧
(Vout)との関係を示す図である。この図において
は、I=I’の場合を示す。
【0020】図1のテスト端子31に図2(a)に示す
ような電圧信号Vinを印加すると、NPNトランジス
タTR1のコレクタには抵抗Ra、NPNトランジスタ
TR1、抵抗TR1によって定まる図2(b)に示すよ
うな電流信号I’が流れる。この電流I’はNPNトラ
ンジスタTR1、TR2および抵抗R1、R2で構成さ
れたカレントミラーを介し、電流Iに変換され、電流−
電圧変換アンプ20から電流を端子32に引き込む。電
流IとI’との関係は、TR1、トランジスタ2のエミ
ッタサイズおよびR1、R2抵抗を変化させることによ
ってI=I’、I>I’、I<I’の種々の関係を持た
せることができる。図2においては、I=I’となるよ
うに設定された場合を示す。電流−電圧変換アンプ20
から電流を引き込むことによって、電流−電圧変換アン
プ20が動作し、光センサ10の出力端子11には図2
(c)に示すように、テスト電圧Vinに対応する電圧
Voutが発生する。図1の場合は電流引き込みタイプ
のPDであるので、引き込み電流がIが大きくなればV
outの電圧は大きくなる。従って、VinとVout
は図2に示すように同相となる。以上の説明したよう
に、テスト端子31に単にテスト信号Vinを印加する
ことによって、光照射を行うことなく、電流−電圧変換
アンプのテストを行うことができる。
【0021】実施例2 図3は本発明の第2の実施例の電流−電圧変換アンプの
テスト回路を示す図である。実施例2は、電流流し込み
タイプのPDをテストするために用いられる。図3にお
いて、TR1、TR2はPNPトランジスタ、R1、R
2、Ra、Rbは抵抗、38は電源である。PNPトラ
ンジスタTR1、TR2、抵抗R1、R2はカレントミ
ラーを構成する。抵抗Ra、Rbは、実施例1と同様の
動作をする。
【0022】次に動作について説明する。テスト端子に
電圧信号を印加すると、電圧Vinは抵抗RaとR1に
より電流に変換され、PNPトランジスタTR1のコレ
クタに電流I’が流れる。この電流I’はPNPトラン
ジスタTR1、TR2及び抵抗R1、R2で構成された
カレントミラーで電流Iに変換され、電流端子32から
電流−電圧変換アンプに電流を流し込む。
【0023】この回路は図1と電流Iの向きが異なるが
動作は同じである。以上の説明したように、実施例2に
おいても、実施例1と同様にテスト端子31に入力電圧
Vinを印加することによって、光照射を行うことな
く、電流流し込みタイプのフォトダイオードを使用する
電流−電圧変換アンプのテストを行うことができる。
【0024】実施例3 図4は本発明の第3の実施例の電流−電圧変換アンプの
テスト回路の回路図である。図4において、TR1〜T
RnはNPNトランジスタ、R1〜Rn、Ra、Rbは
抵抗である。32、33、34はそれぞれ複数の光セン
サ102、10n -1、10nから電流を引き込むための電
流端子である。通常、一つのIC基板上に複数のPD、
たとえば、信号用PD、位置検出用PD等が設置され、
これらの複数のPDを使用する電流−電圧変換アンプを
同時にテストする場合に図4のような回路が使用され
る。
【0025】次に動作について説明する。テスト端子3
1にテスト電圧Vinを印加すると抵抗Ra、NPNト
ランジスタTR1、抵抗R1によって定まる電流I
1が、NPNトランジスタTR1のコレクタに流れ込
む。この電流I1はNPNトランジスタTR1〜TRn
及び抵抗R1〜Rnで構成されたカレントミラーを介
し、各NPNトランジスタTR2〜TRnで電流I2
Inに変換され、n−1個の電流−電圧変換アンプから
それぞれ電流を引き込む。以上の説明したように、実施
例3においても、実施例1と同様にテスト端子31にテ
スト信号Vinを印加することによって、光照射を行う
ことなく、複数個の電流流し込みタイプのPDを使用し
する電流−電圧変換アンプのテストを同時に行うことが
できる。
【0026】実施例4 図5は本発明の第4の実施例の電流−電圧変換アンプの
テスト回路の回路図である。図5において、TR1〜T
Rn、TRaはNPNトランジスタ、R1〜Rn、R
a、Rbは抵抗である。TRaはTR1〜TRnのベー
ス寄生容量を充電するためのトランジスタであり、トラ
ンジスタの動作を高速化するために使用される。39は
TRaに電流I”を供給するための電流源である。32
〜34は電流を引き込むための電流端子であり、図4と
同様に複数の電流−電圧変換アンプに接続される。37
はトランジスタのベース寄生容量である。
【0027】次に動作について説明する。テスト端子に
電圧信号を印加すると抵抗Ra、NPNトランジスタT
R1、抵抗R1によって定まる電流I1が、NPNトラ
ンジスタTR1のコレクタに流れ込む。この電流I1
NPNトランジスタTR1〜TRn及び抵抗R1〜Rn
で構成されたカレントミラーを介し、各NPNトランジ
スタTR1〜TRnでそれぞれ電流I2〜Inに変換さ
れ、n−1個の電流−電圧変換アンプからそれぞれ電流
を引き込む。
【0028】TR1〜TRnのNPNトランジスタのベ
ース寄生容量は、NPNトランジスタTRaにより供給
される電流によってチャージされる。そのチャージが終
了するまでTR1〜TRnのNPNトランジスタは動作
せず、従ってトランジスタの動作が遅くなることは良く
知られている。従って、この実施例においては、TRa
を設け、電流源39からI1とは独立にTR1〜TRn
のベース寄生容量を充電することによって、実施例3と
比較して、トランジスタの動作を高速化することができ
る。以上の説明したように、実施例4においても、実施
例3と同様にテスト端子31にテスト電圧Vinを印加
することによって、光照射を行うことなく、複数の電流
流し込みタイプのPDを使用する電流−電圧変換アンプ
の高速なテストを行うことができる。
【0029】実施例5 図6は本発明の第5の実施例の電流−電圧変換アンプの
テスト回路の回路図である。図6において、TR1〜T
R4はNPNトランジスタ、R1、R2、R51、R5
2、Ra、Rbは抵抗である。NPNトランジスタTR
1、TR2及び抵抗R1、R2は第1のカレントミラー
を構成する。NPNトランジスタTR3、TR4及び抵
抗R51、R52は第2のカレントミラーを構成する。
38は直流電源、R53、R54、R55は抵抗であ
り、R54とR55は分圧器を構成する。図7はテスト
端子31から供給される入力電流I、第2のカレントミ
ラー回路に流れる電流IDC、第1のカレントミラー回路
に流れる電流IAC’およびIACの関係を示す図である。
【0030】次に動作について説明する。図6の回路に
おいては、第1のNPNトランジスタTR1には、抵抗
Ra、NPNトランジスタTR1、抵抗R1によって定
まる図7(b)に示すような交流電流IAC’が流れる。
一方、NPNトランジスタTR3には抵抗R53、NP
NトランジスタTR3、抵抗51によって定まる直流電
流IDC’が流れる。この電流IDC’はNPNトランジス
タTR3、TR4及び抵抗R51、R52で構成される
第2のカレントミラーによって、第4のNPNトランジ
スタTR4において図7(a)中に示すような直流電流
DCに変換される。交流電流IAC’と直流電流IDCとが
重畳された図7(a)に示すような波形の電流I(=I
AC’+IDC)を流すような電圧信号Vinをテスト端子
に印加する。電流IAC’はNPNトランジスタTR1、
TR2及び抵抗R1、R2で構成されたカレントミラー
によって、NPNトランジスタTR2で電流IACに変換
され、電流端子32を介して電流−電圧変換アンプから
電流を引き込む。Rbは、実施例1と同じようにノイズ
電圧をアースに逃がすためのノイズ対策用プルダウン抵
抗である。
【0031】PDの特性は、光が照射されないときは電
流が0であり、光の照射強度が強くなると電流が大きく
なる特性を有する。従って、光を照射したときにPDに
流れる電流と同じ特性の電流でテストをすることが電流
−電圧変換アンプ回路に求められる。しかしながら、図
7(b)に示すように電流0を振幅の最小値とする電流
波形IAC’をテスト端子31からトランジスタTR1に
供給することは困難な場合がある。そのような場合に
は、図7(a)に示すような直流電流IDCに交流電流I
AC’を重畳させたIを流すような電圧をテスト端子31
に印加し、その電流Iから直流成分IDCのみを第2のカ
レントミラーによって取り去ることによって、第1のト
ランジスタTR1には図7(b)に示すような電流振幅
の下部が0Vとなる電流波形IAC’を供給できる。
【0032】上述したように、NPNトランジスタTR
3、TR4及び抵抗R51、R52で構成される第2の
カレントミラーはこの直流成分IDCを生成するための回
路である。抵抗R55、R54によって分圧された電圧
を抵抗53を介してNPNトランジスタTR3のコレク
タに加え、直流電流IDC’がトランジスタTR3のコレ
クタに流れるように分圧電圧および構成要素の値を決定
する。この直流電流IDC’は、NPNトランジスタTR
3、TR4及び抵抗R51、R52で構成された第2の
カレントミラーを介しIDCに変換される。
【0033】この実施例5の回路によれば、図7(c)
に示すように電流IACは電流振幅の下部が正確に0Vと
なり、光を照射したときに流れるPDの電流特性に非常
に近い電流波形とすることができるために、実施例1よ
りも、より実際のPDの動作特性に近い電流を電流−電
圧変換アンプから引き込むことができる。
【0034】以上の説明したように、実施例5において
も、実施例4と同様にテスト端子31に入力信号を印加
することによって、光照射を行うことなく、電流引き込
みタイプのPDを使用する電流−電圧変換アンプのテス
トを行うことができる。
【0035】実施例6 図8は本発明の第6の実施例の電流−電圧変換アンプの
テスト回路の回路図である。図8において、TR1、T
R2はNPNトランジスタ、TR3、TR4はPNPト
ランジスタ、R1、R2、R61、R62、R63、R
a、Rbは抵抗である。NPNトランジスタTR1、T
R2及び抵抗R1、R2は第1のカレントミラーを構成
する。PNPトランジスタTR3、TR4及び抵抗R6
1、R62は第2のカレントミラーを構成する。
【0036】図9は、トランジスタTR1に流れる電流
I’、トランジスタTR2を流れる電流I、第2のカレ
ントミラー回路に流れる電流IDC、電流−電圧変換アン
プから引き込む電流IACの関係を示す図である。
【0037】次に動作について説明する。この回路も、
実施例5の回路と同様に、光を照射したときのPDの実
際の動作特性に近い電流を電流−電圧変換アンプから引
き込むように構成される。図9(b)は光を照射したと
きのPDの動作特性に近い電流特性を有する電流IAC
示す。図9(a)は交流電流IACに直流電流IDCを重畳
させた電流I(=IAC+IDC)を示す。図8において
は、電流端子32からPDの実際の動作特性に近い電流
をIACを引き込むために、テスト端子31は、図9
(a)に示す電流I’を流すような電圧Vinを第1の
NPNトランジスタTR1に供給する。第1のNPNト
ランジスタTR1を流れる電流I’はNPNトランジス
タTR1、TR2および抵抗R1、R2で構成された第
1のカレントミラーによって電流Iに変換される。この
電流Iは図9(a)に示すように、交流電流IACに直流
電流IDCを重畳させた電流であるから、外部から電流I
DCを生成し電流IACに加える必要がある。
【0038】この直流成分IDCを生成するための回路が
PNPトランジスタTR3、TR4及び抵抗R61、R
62で構成される第2のカレントミラー回路である。第
2のカレントミラー回路は必要な直流成分IDCを生成す
るようにPNPトランジスタの特性および抵抗R61、
R62、R63の値が決定される。このように、実施例
6においては、NPNトランジスタTR2のコレクタ電
流中の直流成分IDCはPNPトランジスタTR4のコレ
クタから供給されるため、電流−電圧変換アンプからは
交流成分IACのみを引き込むことができる。
【0039】この実施例6の回路によれば、図9(b)
に示すように電流IACは、電流振幅の下部が正確に0V
となり、光を照射したときのPDの動作特性に非常に近
い電流波形とすることができるために、実施例1より
も、光を照射したときのPDの動作により近い電流を電
流−電圧変換アンプから引き込むことができる。
【0040】以上の説明したように、実施例6において
も、実施例5と同様にテスト端子31からテスト電圧を
印加することによって、光照射を行うことなく、電流を
引き込むタイプのPDを使用する電流−電圧変換アンプ
のテストを行うことができる。
【0041】上述の説明においては、テスト電圧は正弦
波で示したが、矩形パルスを使用してもよい。また、上
述の説明においては、実施例2を除いては、電流を引き
込むタイプのPDを使用する電流−電圧変換アンプのテ
スト回路について述べたが、電流を流し込むタイプのP
Dを使用する電流−電圧変換アンプのテスト回路はPN
Pトランジスタを使用することによって同様に構成でき
ることは実施例2から容易に理解できる。
【0042】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ICの
チップ上にフォトダイオードと対になった電流−電圧変
換アンプのテスト回路を設けることによって、光照射を
行うことなく、電流−電圧変換アンプのテストを行うこ
とができる。さらに、予め光を照射したときのPDの電
流を測定しておき、その動作電流に近い電流を流すよう
な電圧をテスト端子から供給することによって、PDの
動作特性に非常に近い電流を電流−電圧変換アンプから
引き込むことができる。
【0043】本発明においては、このような電流−電圧
変換アンプのテスト回路を用いることによって、半導体
基板上のPDに実際に光を照射することなく、半導体基
板上に設けられたテスト端子に電圧を印加するだけで、
光を照射した場合と同様のテストが可能となり、短時間
に簡単にテストが完了する。また、非常に高価な測定回
路が不要になると共に、人手による測定を省略でき、迅
速で非常に経済的な電流−電圧変換アンプのテストがで
きる。従って、その経済的な効果は大きく、安価な半導
体を供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明の第1の実施例による電流−電圧
変換アンプのテスト回路を示す図である。
【図2】図2はテスト端子に印加されるテスト電圧Vi
n、カレントミラー回路に流れる電流Iおよび光センサ
の出力端子に現れる出力電圧Voutとの関係を示す図
である。
【図3】図3は本発明の第2の実施例による電流−電圧
変換アンプのテスト回路を示す図である。
【図4】図4は本発明の第3の実施例による電流−電圧
変換アンプのテスト回路を示す図である。
【図5】図5は本発明の第4の実施例による電流−電圧
変換アンプのテスト回路を示す図である。
【図6】図6は本発明の第5の実施例による電流−電圧
変換アンプのテスト回路を示す図である。
【図7】図7はテスト端子から供給される電流I、第1
のカレントミラー回路に流れる各電流IAC、IAC’およ
び第2のカレントミラー回路に流れる電流IDCの関係を
示す図である。
【図8】図8は本発明の第6の実施例による電流−電圧
変換アンプのテスト回路を示す図である。
【図9】図9はテスト端子から供給される電流I’、第
1および第2のカレントミラー回路を流れる各電流I、
ACの関係を示す図である。
【図10】従来の電流−電圧変換アンプのテスト回路を
示す図である。
【符号の説明】
10 光センサ 11 出力端子 12 フォトダイオード(PD) 14 基準電源 20 電流−電圧変換アンプ 21 増幅器 31 テスト端子 32〜34 電流端子 37 ベース寄生容量 38 直流電源 39 電流源 R1、R2、R22 抵抗 Ra 電流制限用抵抗 Rb ノイズ対策用プルダウン抵抗 TR1、TR2、TR3、TR4 トランジスタ R51、R52、R53、R54、R55 抵抗 R61、R62、R63 抵抗

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1のNPNトランジスタと第2のNP
    Nトランジスタからなるカレントミラー回路と、 テスト電圧を印加する入力端子と前記入力端子と第1の
    NPNトランジスタのコレクタ間に接続された第3の抵
    抗と、 第2のNPNトランジスタのコレクタに接続される電流
    端子とを有し、 前記入力端子に印加されるテスト電圧に応じて前記の電
    流端子に接続された被測定回路から電流を引き込むこと
    を特徴とする電流−電圧変換アンプのテスト回路。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の電流−電圧変換アンプの
    テスト回路において、 前記カレントミラー回路は、第1のNPNトランジスタ
    のベースと第2のNPNトランジスタのベースは互に接
    続され、第1のNPNトランジスタのエミッタは第1の
    抵抗の一端に接続され、第2のNPNトランジスタのエ
    ミッタは第2の抵抗の一端に接続され、前記第2のNP
    Nトランジスタのベースが前記第1のNPNトランジス
    タのコレクタに接続され、前記第1および第2の抵抗の
    他端は接地されることを特徴とする電流−電圧変換アン
    プのテスト回路。
  3. 【請求項3】 第1のPNPトランジスタと第2のPN
    Pトランジスタからなるカレントミラー回路と、 テスト電圧を印加する入力端子と前記入力端子と第1の
    PNPトランジスタのエミッタ間に接続された第3の抵
    抗と、 第2のPNPトランジスタのエミッタに接続される電流
    端子とを有し、 前記入力端子に印加されるテスト電圧に応じて前記の電
    流端子に接続された被測定回路に電流を流し込むことを
    特徴とする電流−電圧変換アンプのテスト回路。
  4. 【請求項4】 請求項3記載の電流−電圧変換アンプの
    テスト回路において、 前記カレントミラー回路は、第1のPNPトランジスタ
    のベースと第2のPNPトランジスタのベースは互に接
    続され、第1のPNPトランジスタのエミッタは第1の
    抵抗の一端に接続され、第2のPNPトランジスタのエ
    ミッタは第2の抵抗の一端に接続され、前記第2のPN
    Pトランジスタのベースが前記第1のPNPトランジス
    タのコレクタに接続され、前記第1および第2の抵抗の
    他端は直流電源に接続されることを特徴とする電流−電
    圧変換アンプのテスト回路。
  5. 【請求項5】 n個のNPNトランジスタからなるカレ
    ントミラー回路と、 テスト電圧を印加する入力端子と前記入力端子と第1の
    NPNトランジスタのコレクタ間に接続された第3の抵
    抗と、 前記n−1個のNPNトランジスタのコレクタにそれぞ
    れ接続される複数の電流端子とを有し、 前記入力端子に印加されるテスト電圧に応じて前記の複
    数の電流端子に接続された複数の被測定回路から電流を
    引き込むことを特徴とする電流−電圧変換アンプのテス
    ト回路。
  6. 【請求項6】 請求項5記載の電流−電圧変換アンプの
    テスト回路において、 前記カレントミラー回路のn個のNPNトランジスタの
    ベースは互に接続され、n番目のNPNトランジスタの
    エミッタはn番目の抵抗の一端に接続され、第2のNP
    Nトランジスタのベースは第1のNPNトランジスタの
    コレクタに接続され、n個の抵抗の他端は接地されるこ
    とを特徴とする電流−電圧変換アンプのテスト回路。
  7. 【請求項7】 請求項6記載の電流−電圧変換アンプの
    テスト回路において、 さらに、1つのNPNトランジスタを有し、そのベース
    は第1のNPNトランジスタのコレクタに接続され、そ
    のエミッタは第1のNPNトランジスタのベースに接続
    され、そのコレクタは直流電源に接続されていることを
    特徴とする電流−電圧変換アンプのテスト回路。
  8. 【請求項8】 請求項7記載の電流−電圧変換アンプの
    テスト回路において、 前記のNPNトランジスタのコレクタは電流源を介して
    直流電源に接続されていることを特徴とする電流−電圧
    変換アンプのテスト回路。
  9. 【請求項9】 第1および第2のNPNトランジスタか
    らなる第1のカレントミラー回路と、 第3および第4のNPNトランジスタからなる第2のカ
    レントミラー回路と、 テスト電圧を印加する入力端子と前記入力端子と第1の
    NPNトランジスタのコレクタおよび第4のNPNトラ
    ンジスタのコレクタ間に接続された第5の抵抗と、 第2のNPNトランジスタのコレクタに接続される電流
    端子と、 第3のNPNトランジスタのコレクタに接続される電流
    供給回路とを有し、 前記入力端子に印加されるテスト電圧に応じて前記の電
    流端子に接続された被測定回路から電流を引き込むこと
    を特徴とする電流−電圧変換アンプのテスト回路。
  10. 【請求項10】 請求項9記載の電流−電圧変換アンプ
    のテスト回路において、 前記電流供給回路は、直流電源とアース間に直列接続さ
    れた第7の抵抗と第8の抵抗と、その接続点と第3のN
    PNトランジスタのコレクタ間に接続された第6の抵抗
    とから構成されることを特徴とする電流−電圧変換アン
    プのテスト回路。
  11. 【請求項11】 請求項10記載の電流−電圧変換アン
    プのテスト回路において、 前記第1のカレントミラー回路は、第1のNPNトラン
    ジスタのベースと第2のNPNトランジスタのベースが
    互に接続され、第1のNPNトランジスタのエミッタが
    第1の抵抗の一端に接続され、第2のNPNトランジス
    タのエミッタが第2の抵抗の一端に接続され、前記第2
    のNPNトランジスタのベースが前記第1のNPNトラ
    ンジスタのコレクタに接続され、前記第1および第2の
    抵抗の他端は接地され、 前記第2のカレントミラー回路は、第3のNPNトラン
    ジスタのベースと第4のNPNトランジスタのベースが
    互に接続され、第3のNPNトランジスタのエミッタが
    第3の抵抗の一端に接続され、第4のNPNトランジス
    タのエミッタが第4の抵抗の一端に接続され、前記第4
    のNPNトランジスタのベースが前記第3のNPNトラ
    ンジスタのコレクタに接続され、前記第3および第4の
    抵抗の他端は接地されることを特徴とする電流−電圧変
    換アンプのテスト回路。
  12. 【請求項12】 第1および第2のNPNトランジスタ
    からなる第1のカレントミラー回路と、 第3および第4のPNPトランジスタからなる第2のカ
    レントミラー回路と、 テスト電圧を印加する入力端子と前記入力端子と第1の
    NPNトランジスタのコレクタ間に接続された第5の抵
    抗と、 第2のNPNトランジスタのコレクタおよび第4のPN
    Pトランジスタのコレクタに接続される電流端子と、 第3のPNPトランジスタのコレクタとアースとの間に
    接続された第6の抵抗と、 前記入力端子に印加されるテスト電圧に応じて前記の電
    流端子に接続された被測定回路から電流を引き込むこと
    を特徴とする電流−電圧変換アンプのテスト回路。
  13. 【請求項13】 請求項12記載の電流−電圧変換アン
    プのテスト回路において、 前記第1のカレントミラー回路は、第1のNPNトラン
    ジスタのベースと第2のNPNトランジスタのベースが
    互に接続され、第1のNPNトランジスタのエミッタが
    第1の抵抗の一端に接続され、第2のNPNトランジス
    タのエミッタが第2の抵抗の一端に接続され、前記第2
    のNPNトランジスタのベースが前記第1のNPNトラ
    ンジスタのコレクタに接続され、前記第1および第2の
    抵抗の他端は接地され、 前記第2のカレントミラー回路は、第3のPNPトラン
    ジスタのベースと第4のPNPトランジスタのベースが
    互に接続され、第3のPNPトランジスタのエミッタが
    第3の抵抗の一端に接続され、第4のPNPトランジス
    タのエミッタが第4の抵抗の一端に接続され、前記第4
    のPNPトランジスタのベースが前記第3のPNPトラ
    ンジスタのコレクタに接続され、前記第3および第4の
    抵抗の他端が直流電源に接続されることを特徴とする電
    流−電圧変換アンプのテスト回路。
  14. 【請求項14】 請求項1から13のいずれかに記載の
    電流−電圧変換アンプのテスト回路において、 さらに、前記入力端子とアース間に接続された抵抗を有
    することを特徴とする電流−電圧変換アンプのテスト回
    路。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998044563A1 (fr) * 1997-04-03 1998-10-08 Rohm Co., Ltd. Dispositif a circuit integre de conversion photoelectrique
US7075051B2 (en) 2003-09-04 2006-07-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Photosensor device and portable terminal unit having semiconductor photosensor device
JP2006275757A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Mitsumi Electric Co Ltd 検出装置及びそのテスト方法
JP2006329892A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Mitsumi Electric Co Ltd 受光装置
JP2007012905A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Mitsumi Electric Co Ltd 受光装置
JP2008020245A (ja) * 2006-07-11 2008-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 受光増幅回路のテスト回路、及びこれを用いた光ピックアップ装置
JP2008070277A (ja) * 2006-09-15 2008-03-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電流−電圧変換アンプの検査回路及びそれを用いた光ピックアップ装置
JP2009047688A (ja) * 2007-07-25 2009-03-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置及びその光電変換装置を具備する電子機器
US7545156B2 (en) 2006-04-26 2009-06-09 Panasonic Corporation Test circuit and test method that includes supplying a current to a plurality of light-receiving elements
US7868623B2 (en) 2007-06-04 2011-01-11 Seiko Epson Corporation Detection circuit, physical quantity measurement circuit, physical quantity measurement device, and electronic instrument
WO2022239345A1 (ja) * 2021-05-10 2022-11-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、撮像装置及び撮像素子の制御方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6624405B1 (en) 1999-04-19 2003-09-23 Capella Microsystems, Inc. BIST for testing a current-voltage conversion amplifier
US20030011425A1 (en) * 2001-07-12 2003-01-16 Em Microelectronics - Us Inc. Injection current test circuit
KR20050032369A (ko) * 2003-10-01 2005-04-07 삼성전기주식회사 이득 스위칭 회로를 채용한 pdic용 전류 전압 변환 회로
US7745775B2 (en) * 2003-12-15 2010-06-29 International Business Machines Corporation Testing of transimpedance amplifiers
US7288947B2 (en) * 2005-12-19 2007-10-30 Lsi Corporation Method for simulating resistor characteristics at high electric fields
DE602007002105D1 (de) * 2006-04-28 2009-10-08 Semiconductor Energy Lab Halbleiterbauelement
US20100283474A1 (en) * 2009-05-11 2010-11-11 Panasonic Corporation Test circuit and optical pickup device
US9100001B2 (en) * 2011-08-12 2015-08-04 Nxp B.V. Power-switch test apparatus and method
US9194884B1 (en) 2012-08-28 2015-11-24 Maxim Integrated Products, Inc. Integrated circuit with analog device fault detection
EP2961246B1 (en) * 2014-06-26 2016-12-21 Dialog Semiconductor (UK) Limited LED mains voltage measurement using a current mirror
EP3640669B1 (en) * 2018-10-15 2023-12-27 Integrated Device Technology, Inc. Solid-state optical receiver driver system and method for testing a solid-state optical receiver driver system

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5320732A (en) * 1990-07-20 1994-06-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Biosensor and measuring apparatus using the same
JP2728835B2 (ja) * 1992-10-26 1998-03-18 協栄産業株式会社 光センサ内蔵半導体集積回路

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998044563A1 (fr) * 1997-04-03 1998-10-08 Rohm Co., Ltd. Dispositif a circuit integre de conversion photoelectrique
US7075051B2 (en) 2003-09-04 2006-07-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Photosensor device and portable terminal unit having semiconductor photosensor device
JP4586608B2 (ja) * 2005-03-29 2010-11-24 ミツミ電機株式会社 光検出装置及びそのテスト方法
JP2006275757A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Mitsumi Electric Co Ltd 検出装置及びそのテスト方法
JP2006329892A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Mitsumi Electric Co Ltd 受光装置
JP2007012905A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Mitsumi Electric Co Ltd 受光装置
US7545156B2 (en) 2006-04-26 2009-06-09 Panasonic Corporation Test circuit and test method that includes supplying a current to a plurality of light-receiving elements
JP2008020245A (ja) * 2006-07-11 2008-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 受光増幅回路のテスト回路、及びこれを用いた光ピックアップ装置
JP2008070277A (ja) * 2006-09-15 2008-03-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電流−電圧変換アンプの検査回路及びそれを用いた光ピックアップ装置
US7868623B2 (en) 2007-06-04 2011-01-11 Seiko Epson Corporation Detection circuit, physical quantity measurement circuit, physical quantity measurement device, and electronic instrument
JP2009047688A (ja) * 2007-07-25 2009-03-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置及びその光電変換装置を具備する電子機器
US8913050B2 (en) 2007-07-25 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and electronic device having the same
WO2022239345A1 (ja) * 2021-05-10 2022-11-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、撮像装置及び撮像素子の制御方法

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