JP2728835B2 - 光センサ内蔵半導体集積回路 - Google Patents

光センサ内蔵半導体集積回路

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JP2728835B2 JP28764092A JP28764092A JP2728835B2 JP 2728835 B2 JP2728835 B2 JP 2728835B2 JP 28764092 A JP28764092 A JP 28764092A JP 28764092 A JP28764092 A JP 28764092A JP 2728835 B2 JP2728835 B2 JP 2728835B2
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    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
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    • G—PHYSICS
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、コンパクトディスク
プレーヤやレーザディスクプレーヤの光ピックアップ装
置に採用されるプリアンプＩＣ等のような光センサ内蔵
半導体集積回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】近時のコンパクトディスクプレーヤ等の
光ピックアップ装置には、この光ピックアップ装置と光
ディスクの位置関係をコントロールするために、フォト
ダイオード等の光センサを内蔵した半導体集積回路が搭
載されている。この種の光センサ内蔵半導体集積回路
は、例えば光センサに対する光入力のバランス状態に基
づいて、トラッキングサーボを実行するのに必要なトラ
ッキング誤差信号やフォーカスサーボを駆動するのに必
要なフォーカス誤差信号を形成している。
【０００３】図８は従来の一般的な光センサ内蔵半導体
集積回路を示している。この光センサ内蔵半導体集積回
路は６分割された、それぞれが光センサ５１〜５６を構
成するフォトダイオード群を内蔵している。これらの光
センサ５１〜５６は、光センサ５１，５６が両端に配置
されるとともに、これらの光センサ５１，５６の間に全
体で正方形を形成している光センサ５２〜５５が配置さ
れている。光センサ５２〜５５はそれぞれが正方形で且
つ一つの頂点が同一の中心ＣＰに一致する光スイッチを
構成している。すなわち、光センサ５２〜５５が形成す
る正方形の一つの対角線上に光センサ５２，５５が配置
され、フォトダイオード５２〜５５が形成する正方形の
他方の対角線上に光センサ５３，５５が配置されてい
る。両端に配置された前記光センサ５１，５６は、光デ
ィスクにおける所定のトラック両側のミラー面を検出す
るために設けられている。また、中央の４つの光センサ
５２〜５５は光ディスクの信号面であるトラッキングピ
ットと対物レンズの距離を検出するために設けられてい
る。
【０００４】各光センサ５１〜５６から出力された電流
信号はそれぞれ電流−電圧変換アンプ６１〜６６で電圧
信号に変換される。
【０００５】また、この光センサ内蔵半導体集積回路
は、電流−電圧変換アンプ６１より出力される電圧信号
から電流−電圧変換アンプ６６より出力される電圧信号
を減算する第１の演算回路７１を備えている。この第１
の演算回路７１の出力がトラッキング誤差信号ＶTRとな
る。
【０００６】さらに、この光センサ内蔵半導体集積回路
は、電流−電圧変換アンプ６２〜６５から出力される電
圧信号に基づいてフォーカス誤差信号を形成する第２の
演算回路７２を備えている。この第２の演算回路７２は
二つの加算回路７２ａ、７２ｂと一つの減算回路７２ｃ
を備えている。加算回路７２ａは電流−電圧変換アンプ
６２，６６が出力する電圧信号を加算し、加算回路７２
ｂは電流−電圧変換アンプ６３，６５が出力する電圧信
号を加算する。また、減算回路７２ｃは、前記加算回路
７２ａの出力値から加算回路７２ｂの出力値を減算す
る。この減算回路７２ｃの出力すなわち第２の演算回路
７２の出力がフォーカス誤差信号ＶFEとなる。
【０００７】光ピックアップ装置においては、以上のよ
うな光センサ内蔵半導体集積回路のトラッキング誤差信
号ＶTRが「０」であればトラッキングエラーが発生して
おらず、フォーカス誤差信号ＶFEが「０」であればフォ
ーカスエラーが発生していないことになる。トラッキン
グ誤差信号ＶTRが「０」でないときは、このトラッキン
グ誤差信号ＶTRの±および絶対値の大きさに基づいてト
ラッキングサーボを駆動し、光ピックアップ装置が正確
にトラックを追いかけるようにする。また、フォーカス
誤差信号ＶFEが「０」でないときは、このフォーカス誤
差信号ＶFEの±および絶対値の大きさに基づいてフォー
カスサーボを駆動し、対物レンズとディスクの信号面の
距離を一定に保つようにする。
【０００８】以上のような光センサ内蔵半導体集積回路
においては、前記トラッキング誤差信号ＶTRやフォーカ
ス誤差信号ＶFEを検出する機能のテスト、すなわち光入
力信号のバランス状態に応じた誤差信号が出力されてい
るか否かのテストを行う必要がある。このようなテスト
を行うためには、各光センサから得る光入力信号間のバ
ランスを強制的に所定のバランス状態にする必要があ
る。
【０００９】図８に示す従来の光センサ内蔵半導体集積
回路においては、各光スイッチからの光入力信号間にお
いて所定のバランス状態を得るために、各電流−電圧変
換アンプ６１〜６６の一次側にテスト端子８１〜８６を
備えている。
【００１０】テスト端子８１，８６はトラッキング誤差
信号ＶTRを検出する機能（以下トラッキング機能）をテ
ストするためのテスト端子である。このトラッキング機
能テストは、前記テスト端子８１，８６に差のある電流
もしくは電圧を印加し、第１の演算回路７１から出力さ
れるトラッキング誤差信号ＶTRが前記テスト端子８１，
８６に印加した電流差もしくは電圧差に応じたトラッキ
ング誤差信号ＶTRであるか否かを判定するテストであ
る。
【００１１】テスト端子８２〜８５はフォーカス誤差信
号ＶFEを検出する機能（以下フォーカシング機能）をテ
ストするためのテスト端子である。このフォーカシング
機能テストは、前記テスト端子８２〜８５の少なくとも
一つに他との間に差のある電流もしくは電圧を印加し、
第２の演算回路７２から出力されるフォーカス誤差信号
ＶFEが前記テスト端子８２〜８５に印加した電流もしく
は電圧のアンバランス状態に応じたフォーカス誤差信号
ＶFEであるか否かを判定するテストである。
【００１２】図９に示す光学系９０は、上述とは別の方
法で光入力信号のアンバランス状態を作り出すために、
光センサ内蔵半導体集積回路とは別に設けられるもので
ある。すなわち、この光学系９０は、前記テスト端子８
１〜８６に代えて設けられるものである。前記光学系９
０は、半導体レーザ等の光源９１と、この光源９１から
出力された光を集光する集光レンズ９２と、この集光レ
ンズ９２により集光された光を反射して前記光センサ５
１〜５６上に照射させる反射ミラー９３とを備えてい
る。この光学系９０は、光源９１から出力された光を個
々の光センサ５１〜５６よりも小さい光スポットＳにし
てこれら光センサ５１〜５６上に照射する。前記光スポ
ットＳは、反射ミラー９３の光軸に対する角度θを変化
させることにより前記光センサ５１〜５６上をスキャニ
ングすることができる。このスキャニングの過程におい
て、例えば光センサ５１と光センサ５６の一方にのみ光
スポットを照射する照射状態を得ることができる。ま
た、前記光スポットＳが光センサ５２〜５５をアンバラ
ンスに照射する状態を得ることもできる。したがって、
光スポットの照射状態に応じたトラッキング誤差信号Ｖ
TRもしくはフォーカス誤差信号ＶFEが第１の演算回路７
１もしくは第２の演算回路７２から出力されているか否
かを検知することにより、これらトラッキング機能およ
びフォーカシング機能のテストを行うことができる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような従来方法による機能テストには以下のような問題
があった。
【００１４】まず、図８に示すように、トラッキング誤
差信号やフォーカス誤差信号の検出機能をテストするた
めに光センサ内蔵半導体集積回路に複数のテスト端子８
１〜８６を設けるものでは、これらのテスト端子８１〜
８６のスペースのために光センサ内蔵半導体集積回路の
チップ面積やパッケージサイズが大きくなるという問題
があった。すなわち、光ピックアップ装置を小形化する
のが困難になり、コンパクトディスクプレーヤ等の小形
化の要望に応えることができないという問題が生じてい
た。
【００１５】一方、図９に示すような光学系９０を用い
てトラッキング誤差信号等の検出機能テストを行うよう
にした場合には、既述のようにテスト端子を設ける必要
がなく、光ピップアップ装置の小形化を達成することが
できるようになる。しかしながら、図９の光学系９０は
この機能テストを行うために設けられる専用の装置であ
り、且つ所望の光スポットを得たりスキャニングを行う
ために種々の調整を必要とするものである。したがっ
て、テストのための設備コストおよび実行コストが高く
つくという問題があった。
【００１６】この発明は、機能テストを行うためのコス
トが少なくて済みかつ小形化が図れる光センサ内蔵半導
体集積回路を提供することを目的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】請求項１の光センサ内蔵
半導体集積回路は、それぞれが受光面積に応じた検出電
流を出力する４以上の光センサと、各光センサごとに対
応して設けられ、各光センサの検出電流を受ける検出電
流供給端子と、前記４以上の光センサの中から選択され
た２以上の光センサに対応してそれぞれ設けられ、か
つ、それぞれが対応する光センサと同数の入力信号に基
づいて所定機能のための演算を行う複数の演算回路と、
テスト信号を与えるためのテスト端子と、前記各演算回
路に対応して少なくとも１以上設けられ、それぞれが各
演算回路に対応する前記２以上の光センサから選択され
た所定光センサの検出電流を受ける検出電流供給端子と
対をなす基準電圧供給端子と、この基準電圧供給端子に
基準電圧を供給する基準電圧供給手段と、前記各基準電
圧供給端子に対応して設けられ、それぞれ前記テスト端
子が接続され、このテスト端子にテスト信号が与えられ
ていないときは、前記基準電圧供給端子と対をなす検出
電流供給端子が受けた検出電流を電流／電圧変換してな
る検出電圧を、対応する演算回路に入力信号として供給
し、前記テスト端子にテスト信号が与えられているとき
は、前記基準電圧供給端子が受けた基準電圧を対応する
演算回路に入力信号として供給する第１の入力信号供給
手段と、前記所定光センサ以外の光センサに対応する検
出電流供給端子に供給された検出電流を検出電圧に変換
する電流／電圧変換手段を含み、この検出電圧を、前記
所定光センサ以外の光センサが対応する演算回路の入力
端に入力信号として与える第２の入力信号供給手段とを
備えることを特徴としている。
【００１８】請求項２の光センサ内蔵半導体集積回路
は、請求項１において、前記各第１の入力信号供給手段
が、前記所定光センサに対応する検出電流供給端子に供
給された検出電流を検出電圧に変換する電流／電圧変換
手段と、この電流／電圧変換手段が出力する検出電圧を
受ける検出電圧供給端子と、前記テスト端子にテスト信
号が与えられていないときは、前記検出電圧供給端子を
対応する機能の演算回路の入力端に接続するとともに、
前記テスト端子にテスト信号が与えられているときは、
前記検出電圧供給端子を演算回路から遮断し且つ基準電
圧供給端子を演算回路の入力端に接続するスイッチ回路
とを備える信号供給手段である。
【００１９】請求項３の光センサ内蔵半導体集積回路
は、請求項１において、前記テスト端子にテスト信号が
与えられていないときは前記第１の所定信号を形成し、
前記テスト端子にテスト信号が与えられているときは前
記第２の所定信号を形成する切替手段と、前記各基準電
圧供給端子と対をなす検出電圧供給端子と、この検出電
圧供給端子とこれと対をなす前記基準電圧供給端子とを
対応する演算回路の同一入力端に接続する入力信号供給
回路とを備え、かつ、前記各第１の入力信号供給手段
は、前記第１の所定信号が与えられたときにのみ、前記
所定光センサに対応する検出電流供給端子に供給された
検出電流を検出電圧に変換し、この検出電圧を前記検出
電圧供給端子に供給するスイッチ回路付き電流／電圧変
換回路を備え、前記基準電圧供給手段は、前記第２の所
定信号が与えられたときにのみ、前記基準電圧供給端子
に基準電圧を供給するスイッチ回路を有する。請求項４
の光センサ内蔵半導体集積回路は、４つのフォーカシン
グ用光センサの受光部と、これら４つのフォーカシング
用受光部に対応して設けられ、それぞれが対応したフォ
ーカシング用受光部による電流信号を電圧信号に変換し
て出力し、一方と他方の２つの群に分けられる４つのフ
ォーカシング用電流電圧変換回路と、前記他方の群にお
けるフォーカシング用電流電圧変換回路に対応して設け
られ、テスト信号に応じて、対応のフォーカシング用電
流電圧変換回路からの出力又は基準電圧の一方を選択的
に出力するフォーカシング用スイッチ回路と、前記一方
の群におけるフォーカシング用電流電圧変換回路からの
出力及び前記他方の群におけるフォーカシング用電流電
圧変換回路に対応したフォーカシング用スイッチ回路か
らの出力を受け、これら受けた出力に基づいてフォーカ
シング誤差信号を出力するフォーカシング誤差演算回路
と、を備える。請求項５の光センサ内蔵半導体集積回路
は、請求項４において、前記一方の群におけるフォーカ
シング用電流電圧変換回路の数は１つであり、前記他方
の群におけるフォーカシング用電流電圧変換回路の数は
３つであることを特徴とする。請求項６の光センサ内蔵
半導体集積回路は、請求項４又は請求項５において、２
つのトラッキング用光センサの受光部と、これら２つの
トラッキング用受光部に対応して設けられ、それぞれが
対応したトラッキング用受光部による電流信号 を電圧信
号に変換し、出力する一方と他方の２つのトラッキング
用電流電圧変換回路と、前記他方のトラッキング用電流
電圧変換回路に対応して設けられ、前記テスト信号に応
じて、前記他方のトラッキング用電流電圧変換回路から
の出力又は基準電圧の一方を選択的に出力するトラッキ
ング用スイッチ回路と、前記一方のトラッキング用電流
電圧変換回路からの出力及び前記トラッキング用スイッ
チ回路からの出力を受け、これら受けた出力に基づいて
トラッキング誤差信号を出力するトラッキング誤差演算
回路とを、さらに備えたことを特徴とする。請求項７の
光センサ内蔵半導体集積回路は、２つの群に分けられる
４つのフォーカシング用光センサの受光部と、前記２つ
の群のうちの一方の群におけるフォーカシング用受光部
に対応して設けられ、対応したフォーカシング用受光部
による電流信号を電圧信号に変換し、出力する第１群の
フォーカシング用電流電圧変換回路と、前記２つの群の
うちの他方の群におけるフォーカシング用受光部に対応
して設けられ、テスト信号に応じて活性状態か非活性状
態かを制御され、活性状態の時、対応したフォーカシン
グ用受光部による電流信号を電圧信号に変換し、出力す
る第２群のフォーカシング用電流電圧変換回路と、この
第２群のフォーカシング用電流電圧変換回路に対応して
設けられ、前記テスト信号に応じて、前記第２群のフォ
ーカシング用電流電圧変換回路とは相補的に、活性状態
か非活性状態かを制御され、活性状態の時、所定の電圧
を出力するフォーカシング用所定電圧発生回路と、前記
第２群のフォーカシング用電流電圧変換回路に対応して
設けられ、対応したフォーカシング用電流電圧変換回路
からの出力又は対応したフォーカシング用所定電圧発生
回路からの出力に応じて出力するフォーカシング用出力
回路と、前記第１群のフォーカシング用電流電圧変換回
路からの出力及び前記出力回路からの出力を受け、これ
ら受けた出力に基づいてフォーカシング誤差信号を出力
するフォーカシング誤差演算回路と、を備える。請求項
８の光センサ内蔵半導体集積回路は、請求項７におい
て、前記一方の群におけるフォーカシング用受光部の数
は１つであり、前記他方の群におけるフォーカシング用
受光部の数は３つであることを特徴とする。請求項９の
光センサ内蔵半導体集積回路は、請求項７又は請求項８
において、２つのトラッキング用光センサの受光部と、
一方のトラッキング用受光部に対応 して設けられ、一方
のトラッキング用受光部による電流信号を電圧信号に変
換し、出力する第１のトラッキング用電流電圧変換回路
と、他方のトラッキング用受光部に対応して設けられ、
前記テスト信号に応じて活性状態か非活性状態かを制御
され、活性状態の時、他方のトラッキング用受光部によ
る電流信号を電圧信号に変換し、出力する第２のトラッ
キング用電流電圧変換回路と、この第２のトラッキング
用電流電圧変換回路に対応して設けられ、前記テスト信
号に応じて、前記第２のトラッキング用電流電圧変換回
路とは相補的に、活性状態か非活性状態かを制御され、
活性状態の時、所定の電圧を出力するトラッキング用所
定電圧発生回路と、前記第２のトラッキング用電流電圧
変換回路からの出力又は前記トラッキング用所定電圧発
生回路からの出力に応じて出力するトラッキング用出力
回路と、前記第１トラッキング用電流電圧変換回路から
の出力及び前記トラッキング用出力回路からの出力を受
け、これら受けた出力に基づいてトラッキング誤差信号
を出力するトラッキング誤差演算回路とを、さらに備え
たことを特徴とする。請求項１０の光センサ内蔵半導体
集積回路は、請求項７ないし請求項９のいずれかにおい
て、第１電源線と、第２電源線と、基準電位線と、をさ
らに備えている。そして、前記第２群のフォーカシング
用電流電圧変換回路の各１が、前記第１電源線に一端が
接続された第１抵抗と、当該第１抵抗の他端に一方主電
極が接続された第１導電型の第１トランジスタと、当該
第１トランジスタの他方主電極に、一方主電極が共通に
接続された第１導電型の第２および第３トランジスタ
と、前記第２トランジスタの他方主電極に一方主電極が
接続され、前記第２電源線に他方主電極が接続された第
２導電型の第４トランジスタと、前記第３トランジスタ
の他方主電極に一方主電極と制御電極とが接続され、前
記第２電源線に他方主電極が接続され、前記制御電極が
前記第４トランジスタの制御電極にも接続されている第
２導電型の第５トランジスタと、前記第４トランジスタ
の前記制御電極と前記一方主電極とに、一端と他端とが
それぞれ接続されるコンデンサと、前記第２トランジス
タの制御電極に一端が接続された第２抵抗と、前記第３
トランジスタの制御電極と前記基準電位線とに一端と他
端とがそれぞれ接続された第３抵 抗と、を備えている。
さらに、前記フォーカシング用所定電圧発生回路の各々
は、前記第１電源線に一端が接続された第４抵抗と、当
該第４抵抗の他端に一方主電極が接続された第１導電型
の第６トランジスタと、当該第６トランジスタの他方主
電極に一方主電極が接続され、前記第２トランジスタの
前記他方主電極に他方主電極が接続された第１導電型の
第７トランジスタと、前記第６トランジスタの前記他方
主電極に一方主電極が接続され、前記第３トランジスタ
の前記他方主電極に他方主電極が接続された第１導電型
の第８ランジスタと、前記第７トランジスタの制御電極
と前記第２抵抗の他端とに、一端と他端とがそれぞれ接
続された第４抵抗と、前記第８トランジスタの制御電極
と前記基準電位線とに、一端と他端とがそれぞれ接続さ
れた第５抵抗と、を備えている。また、前記フォーカシ
ング用出力回路の各々は、前記第１電源線に一端が接続
された定電流源と、当該定電流源の他端と前記第２抵抗
の前記他端とに一方主電極が接続され、前記第２電源線
に他方主電極が接続され、前記第２トランジスタの前記
他方主電極に制御電極が接続された第１導電型の第９ト
ランジスタと、を備えている。そして、前記テスト信号
とその反転信号の中の、一方と他方とが、前記第１トラ
ンジスタの制御電極と、前記第６トランジスタの制御電
極とに、それぞれ入力され、前記フォーカシング用受光
部による前記電流信号は、前記第２トランジスタの前記
制御電極へ入力され、前記フォーカシング用所定電圧発
生回路の各々は、前記第９トランジスタの前記一方主電
極から出力する。請求項１１の光センサ内蔵半導体集積
回路は、請求項９において、第１電源線と、第２電源線
と、基準電位線と、をさらに備えている。そして、前記
第２のトラッキング用電流電圧変換回路が、前記第１電
源線に一端が接続された第１抵抗と、当該第１抵抗の他
端に一方主電極が接続された第１導電型の第１トランジ
スタと、当該第１トランジスタの他方主電極に、一方主
電極が共通に接続された第１導電型の第２および第３ト
ランジスタと、前記第２トランジスタの他方主電極に一
方主電極が接続され、前記第２電源線に他方主電極が接
続された第２導電型の第４トランジスタと、前記第３ト
ランジスタの他方主 電極に一方主電極と制御電極とが接
続され、前記第２電源線に他方主電極が接続され、前記
制御電極が前記第４トランジスタの制御電極にも接続さ
れている第２導電型の第５トランジスタと、前記第４ト
ランジスタの前記制御電極と前記一方主電極とに、一端
と他端とがそれぞれ接続されるコンデンサと、前記第２
トランジスタの制御電極に一端が接続された第２抵抗
と、前記第３トランジスタの制御電極と前記基準電位線
とに、一端と他端とがそれぞれ接続された第３抵抗と、
を備えている。さらに、前記トラッキング用所定電圧発
生回路は、前記第１電源線に一端が接続された第４抵抗
と、当該第４抵抗の他端に一方主電極が接続された第１
導電型の第６トランジスタと、当該第６トランジスタの
他方主電極に一方主電極が接続され、前記第２トランジ
スタの前記他方主電極に他方主電極が接続された第１導
電型の第７トランジスタと、前記第６トランジスタの前
記他方主電極に一方主電極が接続され、前記第３トラン
ジスタの前記他方主電極に他方主電極が接続された第１
導電型の第８ランジスタと、前記第７トランジスタの制
御電極と前記第２抵抗の他端とに、一端と他端とがそれ
ぞれ接続された第４抵抗と、前記第８トランジスタの制
御電極と前記基準電位線とに、一端と他端とがそれぞれ
接続された第５抵抗と、を備えている。また、前記トラ
ッキング用出力回路は、前記第１電源線に一端が接続さ
れた定電流源と、当該定電流源の他端と前記第２抵抗の
前記他端とに一方主電極が接続され、前記第２電源線に
他方主電極が接続され、前記第２トランジスタの前記他
方主電極に制御電極が接続された第１導電型の第９トラ
ンジスタと、を備えている。そして、前記テスト信号と
その反転信号の中の、一方と他方とが、前記第１トラン
ジスタの制御電極と、前記第６トランジスタの制御電極
とに、それぞれ入力され、前記他方トラッキング用受光
部による前記電流信号は、前記第２トランジスタの前記
制御電極へ入力され、前記トラッキング用所定電圧発生
回路は、前記第９トランジスタの前記一方主電極から出
力する。
【００２０】
【作用】請求項１の光センサ内蔵半導体集積回路におい
ては、テスト端子にテスト信号が与えられていないとき
は、第１の入力信号供給手段が、検出電流供給端子を介
してこの第１の入力信号供給手段に与えられた光センサ
の検出電流を検出電圧に変換し、この検出電圧を入力信
号として対応する演算回路に供給する。したがって、演
算回路は、第１の入力信号供給手段および第２の入力信
号供給手段より与えられた入力信号に基づいて所定機能
のための演算を行う。テスト端子にテスト信号が与えら
れると、第１の入力信号供給手段は、基準電圧供給端子
に与えられた基準電圧を入力信号として前記演算回路に
供給する。すなわち、演算回路には、２以上の入力端の
うちの少なくとも１つの入力端に、他の入力端に入力さ
れる検出電圧とアンバランスな基準電圧が入力される。
このとき、演算回路の所定機能が正常であれば、演算回
路の演算結果は、前記アンバランスに応じたものとな
る。
【００２１】請求項２の光センサ内蔵半導体集積回路に
おいては、第１の入力信号供給手段の電流／電圧変換手
段および第２の入力信号供給手段の電流／電圧変換手段
により、全ての光センサの検出電流が検出電圧に変換さ
れる。テスト端子にテスト信号が与えられていないと
き、第１の入力信号供給手段は、切替スイッチにより、
検出電圧供給端子を演算回路の入力端に接続するととも
に基準電圧供給端子を演算回路の入力端から遮断する。
したがって、このとき、全ての光センサに対応する検出
電圧が対応する所定機能の演算回路に供給される。テス
ト端子にテスト信号が与えられているとき、第１の入力
信号供給手段は、切替スイッチにより、検出電圧供給端
子を演算回路の入力端から遮断するとともに基準電圧供
給端子を演算回路の入力端に接続する。したがって、演
算回路の少なくとも１つの入力端に基準電圧が供給さ
れ、他の入力端に検出電圧が供給される。
【００２２】請求項３の光センサ内蔵半導体集積回路に
おいては、第１の入力信号供給手段は、テスト端子にテ
スト信号が与えられていないときにのみ、入力した光セ
ンサの検出電流を検出電圧に変換し、対応する所定機能
の演算回路の入力端に供給する。したがって、このと
き、全ての光センサに対応する検出電圧が対応する所定
機能の演算回路に供給される。第１の入力信号供給手段
は、テスト端子にテスト信号が与えられているときは、
基準電圧を対応する所定機能の演算回路の入力端に供給
する。すなわち、演算回路の少なくとも１つの入力端に
基準電圧が供給され、他の入力端に検出電圧が供給され
る。請求項４ないし請求項６のいずれかの光センサ内蔵
半導体集積回路においては、フォーカシング用スイッチ
回路が、テスト信号に応じて、他方の群のフォーカシン
グ用電流電圧変換回路からの出力又は基準電圧の一方を
選択的に出力し、フォーカシング誤差演算回路が、フォ
ーカシング用スイッチからの出力と、一方の群のフォー
カシング用電流電圧変換回路からの出力とにもとづい
て、フォーカシング誤差信号を出力する。このため、テ
スト信号に応じて、通常のフォーカシング誤差の検出動
作と、フォーカシング機能のテストとが、選択的に実行
される。フォーカシング誤差演算回路の機能が正常であ
れば、テストにおいて、一方の群のフォーカシング用電
流電圧変換回路からの出力と、基準電圧とのアンバラン
スに応じたフォーカシング誤差信号が得られる。請求項
６の光センサ内蔵半導体集積回路においては、トラッキ
ング用スイッチ回路が、テスト信号に応じて、他方のト
ラッキング用電流電圧変換回路からの出力又は基準電圧
の一方を選択的に出力し、トラッキング誤差演算回路
が、トラッキング用スイッチからの出力と、一方のトラ
ッキング用電流電圧変換回路からの出力とにもとづい
て、トラッキング誤差信号を出力する。このため、テス
ト信号に応じて、通常時のトラッキング誤差の検出動作
と、トラッキング機能のテストとが、選択的に実行され
る。すなわち、フォーカシングに関する選択的な動作と
同様の動作が、トラッキングに関しても行われる。トラ
ッキング誤差演算回路の機能が正常であれば、テストに
おいて、一方のトラッキング用電流電圧変換回路からの
出力と、基準電圧とのアンバランスに応じたトラッキン
グ誤差信号が得ら れる。 請求項７ないし請求項１１のい
ずれかの光センサ内蔵半導体集積回路においては、テス
ト信号に応じて、フォーカシング用出力回路から、第２
群のフォーカシング用電流電圧変換回路の出力又はフォ
ーカシング用所定電圧発生回路の出力の一方が選択的に
出力され、フォーカシング誤差演算回路からは、フォー
カシング用出力回路の出力と、第１群のフォーカシング
用電流電圧変換回路の出力とにもとづいて、フォーカシ
ング誤差信号が出力される。このため、テスト信号に応
じて、通常のフォーカシング誤差の検出動作と、フォー
カシング機能のテストとが、選択的に実行される。フォ
ーカシング誤差演算回路の機能が正常であれば、テスト
において、第１群のフォーカシング用電流電圧変換回路
の出力と、フォーカシング用所定電圧発生回路の出力と
のアンバランスに応じたフォーカシング誤差信号が得ら
れる。請求項９の光センサ内蔵半導体集積回路において
は、テスト信号に応じて、トラッキング用出力回路か
ら、第２のトラッキング用電流電圧変換回路の出力又は
トラッキング用所定電圧発生回路の出力の一方が選択的
に出力され、トラッキング誤差演算回路からは、トラッ
キング用出力回路の出力と、第１のトラッキング用電流
電圧変換回路の出力とにもとづいて、トラッキング誤差
信号が出力される。このため、テスト信号に応じて、通
常のトラッキング誤差の検出動作と、トラッキング機能
のテストとが、選択的に実行される。すなわち、フォー
カシングに関する選択的な動作と同様の動作が、トラッ
キングに関しても行われる。トラッキング誤差演算回路
の機能が正常であれば、テストにおいて、第１のトラッ
キング用電流電圧変換回路の出力と、トラッキング用所
定電圧発生回路の出力とのアンバランスに応じたトラッ
キング誤差信号が得られる。
【００２３】
【実施例】図１は発明による光センサ内蔵半導体集積回
路を示している。この光センサ内蔵半導体集積回路はコ
ンパクトディスク等の光ディスク用プレーヤに装備され
る光ピックアップに搭載されるものである。
【００２４】この光センサ内蔵半導体集積回路は光セン
サ１Ａ〜１Ｆの受光部を構成するフォトダイオード群を
内蔵している。すなわち、このフォトダイオード群は６
つの領域に分割されており、各領域が光センサ１Ａ〜１
Ｆの受光部を構成している。また、この光センサ内蔵半
導体集積回路は、電流／電圧変換回路２Ａ〜２Ｆ、基準
電圧供給端子３Ｂ，３Ｄ〜３Ｆ、テスト端子４、スイッ
チ回路５Ｂ，５Ｄ〜５Ｆ、トラッキング誤差演算回路
６、フォーカシング誤差演算回路７を備えている。
【００２５】光センサ１Ａ〜１Ｆは、それぞれが受光面
積に応じた検出電流を出力する。
【００２６】光センサ１Ａ，１Ｂは、検出しようとする
光ディスクの信号面におけるピット形成部以外のミラー
面で反射した光を検出するために設けられている。すな
わち、光センサ１Ａ，１Ｂは、図２に示すようにして光
ディスクの信号面に照射したビームＡ，Ｂの反射光を受
光して検出する。なお、図２では便宜上トラックＴを近
似的に直線的に描いている。
【００２７】図２（ａ）に示すように、トラックＴ上の
ピットＰを検出する主ビームＣの中心がトラックＴの中
心に一致している時、ビームＡ，ＢはトラックＴの外の
ミラー面Ｍを同面積だけ照射する（斜線部参照）。主ビ
ームＣの中心が前記トラックＴの中心からずれると、こ
のずれ量に応じて、ビームＡ，Ｂのうちの一方のビーム
のトラックＴの外におけるミラー面Ｍに対する照射面積
が大きくなり、他方のビームの照射面積が小さくなる。
図２（ｂ）は主ビームＣの中心が図において上側にずれ
た状態を示しており、ビームＡのミラー面Ｍに対する照
射面積が大きくなる一方、ビームＢのミラー面Ｍに対す
る照射面積が小さくなっている。一方、図２（ｃ）は主
ビームＣの中心が図において下側にずれた状態を示して
おり、ビームＡのミラー面Ｍに対する照射面積が小さく
なる一方、ビームＢのミラー面Ｍに対する照射面積が大
きくなっている。
【００２８】前記光センサ１Ａは、ビームＡのミラー面
Ｍに対する照射による反射光を受光することにより、ビ
ームＡのミラー面Ｍに対する照射面積の大きさに応じた
検出電流を出力する。また、光センサ１Ｂは、ビームＢ
のミラー面Ｍに対する照射による反射光を受光すること
により、ビームＢのミラー面Ｍに対する照射面積の大き
さに応じた検出電流を出力する。
【００２９】光センサ１Ｃ〜１Ｆは、前記主ビームＣの
ための対物レンズと前記光ディスクの信号面の距離を検
出するために設けられている。この実施例は前記対物レ
ンズと信号面の距離を非点収差を用いて検出する場合に
対応している。このため、図３にも示すように、前記光
センサ１Ｃ〜１Ｆの受光部は、正方形のフォトダイオー
ド群を格子状且つ等分に４分割することによって構成さ
れている。非点収差を用いて対物レンズと光ディスクの
信号面の距離を検出する方法は公知であるのでここでは
詳細な説明を省略する。
【００３０】前記対物レンズと光ディスクの信号面の距
離が適正な距離であるときは、図３（ｂ）に示すよう
に、信号面で反射したビームにより、光センサ１Ｃ〜１
Ｆの上にこれらの光センサ１Ｃ〜１Ｆの区分線の交差点
を中心とする真円状のスポットＳＰが形成される。対物
レンズが光ディスクの信号面に前記適正な距離よりも接
近すると、図３（ａ）に示すように、光ディスクの信号
面で反射したビームにより光センサ１Ｃ〜１Ｆの上に形
成されるスポットＳＰは縦長の長円状になる。この縦長
の長円状スポットは、対物レンズが光ディスクに近付く
ほど縦長の度合いを増す。一方、対物レンズが光ディス
クの信号面から遠ざかると、図３（ｃ）に示すように、
前記光センサ１Ｃ〜１Ｆの上に形成されるスポットＳＰ
は横長の長円状になる。この横長の長円状スポットは、
対物レンズが光ディスクから遠ざかるほど横長の度合い
を増す。
【００３１】すなわち、これらの光センサ１Ｃ〜１Ｆ
は、対物レンズと光ディスクの信号面の距離が適正な距
離である場合には、図３（ｂ）から明らかなように、そ
れぞれが均等にビームを受光し、均等な検出電流を出力
する。また、対物レンズが前記適正な距離よりも信号面
に接近すると、図３（ａ）から明らかなように、光セン
サ１Ｃ，１Ｄが光センサ１Ｅ，１Ｆよりも多くのビーム
を受光するようになり、光センサ１Ｃ，１Ｄの検出電流
が光センサ１Ｅ，１Ｆの検出電流よりも大きくなる。さ
らに、対物レンズが前記適正な距離よりも信号面から遠
ざかると、図３（ｃ）から明らかなように、光センサ１
Ｅ，１Ｆが光センサ１Ｃ，１Ｄよりも多くのビームを受
光するようになり、光センサ１Ｅ，１Ｆの検出電流が光
センサ１Ｃ，１Ｄの検出電流よりも大きくなる。
【００３２】電流／電圧変換回路２Ａ〜２Ｆは、それぞ
れ各光センサ１Ａ〜１Ｆが出力する検出電流を電圧に変
換し、この変換電圧を前記各光センサ１Ａ〜１Ｆの検出
電圧として検出電圧供給端子２Ａａ〜２Ｆａに出力す
る。
【００３３】基準電圧供給端子３Ｂ，３Ｄ〜３Ｆは、そ
れぞれ前記検出電圧供給端子２Ｂａ，２Ｄａ〜２Ｆａと
対をなすべく設けられている。これらの基準電圧供給端
子３Ｂ，３Ｄ〜３Ｆは接地電位に接続されている。
【００３４】テスト端子４は、常時は論理レベルＬに保
持され、トラッキング機能およびフォーカシング機能の
機能テストを行う場合に論理レベルＨのテスト信号の供
給を受ける端子である。
【００３５】スイッチ回路５Ｂは、光センサ１Ｂに対応
する前記検出電圧供給端子２Ｂａと基準電圧供給端子３
Ｂとをトラッキング誤差演算回路６の入力端に選択的に
接続することができる。このスイッチ回路５Ｂは、常時
は前記検出電圧供給端子２Ｂａをトラッキング誤差演算
回路６の入力端に接続している。また、テスト端子４に
テスト信号が供給されると、前記検出電圧供給端子２Ｂ
ａをトラッキング誤差演算回路６から遮断し、基準電圧
供給端子３Ｂをトラッキング誤差演算回路６の入力端に
接続する。
【００３６】上記スイッチ回路５Ｂは、たとえば図４に
示すように、２つのトランスミッションゲートＴＧ１，
ＴＧ２を組み合わせることにより構成することができ
る。
【００３７】図４のスイッチ回路５Ｂでは、第１トラン
スミッションゲートＴＧ１の入力端は検出電圧供給端子
２Ｂａに接続されている。また、第２トランスミッショ
ンゲートＴＧ２の入力端は基準電圧供給端子３Ｂに接続
されている。第１トランスミッションゲートＴＧ１と第
２トランスミッションゲートＴＧ２の出力端はトラッキ
ング誤差演算回路７との接続端子ＳＯに接続されてい
る。さらに、第１トランスミッションゲートＴＧ１のコ
トロール信号の入力線ｇ１は第２トランスミッションゲ
ートＴＧ２のコトロール信号の入力線ｇ２に、インバー
タＩＶを介して接続されている。そして、トランスミッ
ションゲートＴＧ２のコトロール信号の入力線ｇ２が前
記テスト端子４に接続されている。
【００３８】以上のようなスイッチ回路５Ｂでは、テス
ト端子４に論理レベルＬの信号が入力されているとき
は、第２トランスミッションゲートＴＧ２がオフ、第１
トランスミッションゲートＴＧ１がオンとなり、出力端
子ＳＯに検出電圧供給端子２Ｂａに与えられている検出
電圧が出力される。また、テスト端子４に論理レベルＨ
の信号が入力されているときは、第２トランスミッショ
ンゲートＴＧ２がオン、第１トランスミッションゲート
ＴＧ１がオフとなり、出力端子ＳＯに基準電圧供給端子
３Ｂに与えられている接地電位が出力される。
【００３９】スイッチ５Ｄ〜５Ｆは、それぞれ、前記光
センサ１Ｄ〜１Ｆに対応する前記検出電圧供給端子２Ｄ
ａ〜２Ｆａと基準電圧供給端子３Ｄ〜３Ｆをフォーカシ
ング誤差演算回路７の入力端に選択的に接続することが
できる。これらのスイッチ５Ｄ〜５Ｆは、常時は検出電
圧供給端子２Ｄａ〜２Ｆａをフォーカシング誤差演算回
路７の入力端に接続している。これらのスイッチ５Ｄ〜
５Ｆは、テスト端子４に論理レベルＨのテスト信号が供
給されると、検出電圧供給端子２Ｄａ〜２Ｆａをフォー
カシング誤差演算回路７の入力端から遮断し、基準電圧
供給端子３Ｄ〜３Ｆをフォーカシング誤差演算回路７の
入力端に接続する。
【００４０】上記スイッチ５Ｄ〜５Ｆも、図４のスイッ
チ５Ｂと全く同様に構成することができる。その場合の
動作は図４と同様であるのでここでは説明を省略する。
【００４１】トラッキング誤差演算回路６は、２つの入
力端を備えており、一方の入力端に入力された入力信号
ＳA と他方の入力端に入力された入力信号ＳB の差に比
例する値をトラッキング誤差信号ＳTRとして演算し、出
力端ＯTRに出力する。
【００４２】ＳTR＝G1（ＳA −ＳB ） … (1) である。なお、G1は任意の定数である。
【００４３】この実施例では、入力信号ＳA は光センサ
１Ａの検出電流を電流／電圧変換回路２Ａで変換するこ
とによって得られる検出電圧ＶA である。また、入力信
号ＳB は、光センサ１Ｂの検出電流を電流／電圧変換回
路２Ｂで変換することによって得られる検出電圧ＶB も
しくは前記基準電圧供給端子３Ｂに供給される接地電位
である基準電圧Ｖ0 である。既述から明らかなように、
検出電圧ＶB と基準電圧Ｖ0 とは前記スイッチ５Ｂを切
り替えることによって選択される。
【００４４】フォーカシング誤差演算回路７は４つの入
力端を備えている。このフォーカシング誤差演算回路７
は、加算回路７１，７２および減算回路７３を備えてい
る。加算回路７１は、第１の入力端に供給された入力信
号ＳC と第２の入力端に供給された入力信号ＳD を加算
する。加算回路７２は、第３の入力端に供給された入力
信号ＳE と第４の入力端に供給された入力信号ＳF を加
算する。また、減算回路７３は、加算回路７１の出力値
から加算回路７２の出力値を減算し、その差に比例する
値を演算する。この減算回路７３の出力が、フォーカシ
ング誤差演算回路７の出力すなわちフォーカシング誤差
信号ＳFEとして、出力端ＯFEに出力される。
【００４５】 ＳFE＝G2｛（ＳC ＋ＳD ）−（ＳE ＋ＳF ）｝ … (2) なお、G2は任意の定数である。
【００４６】この実施例では、入力信号ＳC は光センサ
１Ｃの検出電流を電流／電圧変換回路２Ｃで変換するこ
とによって得られる検出電圧ＶC である。また、入力信
号ＳD ，ＳE ，ＳF は、光センサ１Ｄ，１Ｅ，１Ｆの検
出電流を電流／電圧変換回路２Ｄ，２Ｅ，２Ｆで変換す
ることによって得られる検出電圧ＶD ，ＶE ，ＶF もし
くは前記基準電圧供給端子３Ｄ，３Ｅ，３Ｆに供給され
る接地電位の基準電圧Ｖ0 である。既述から明らかなよ
うに、検出電圧ＶD ，ＶE ，ＶF はいずれも、前記スイ
ッチ３Ｄ，３Ｅ，３Ｆによって基準電圧Ｖ0 に切り替え
られる。
【００４７】以上のようにしてなる光センサ内蔵半導体
集積回路では、常時の状態すなわちテスト端子４のレベ
ルが論理レベルＬに保持されている状態においては、切
替スイッチ５Ｂによりトラッキング誤差演算回路６の入
力端に検出電圧供給端子２Ｂａが接続されるとともに、
切替スイッチ５Ｄ〜５Ｆによりフォーカシング誤差演算
回路７の入力端に検出電圧供給端子２Ｄａ〜２Ｆａが接
続されている。したがって、このとき、この光センサ内
蔵半導体集積回路は、上記(1) 式に従い、前記光スイッ
チ１Ａ，１Ｂの検出電流に基づいてトラッキング誤差信
号ＳTRを出力するとともに、上記(2) 式に従い、前記光
スイッチ１Ｃ〜１Ｆの検出電流に基づいてフォーカシン
グ誤差信号ＳFEを出力する。
【００４８】上記(1) 式から明らかなように、光スイッ
チ１Ａの検出電流の電流／電圧変換値である入力信号Ｓ
A と光スイッチ１Ｂの電流電圧変換値である入力信号Ｓ
B が等しい時、すなわち、図２（ａ）に示すように、ビ
ームＡ，ＢがトラックＴの内径側と外径側においてミラ
ー面Ｍを同面積だけ照射している状態では、光センサ１
Ａ，１Ｂが受光する反射光の強弱に関係なく、トラッキ
ング誤差信号ＳTRは「０」となる。また、図２（ｂ）あ
るいは図２（ｃ）に示す場合のように、ビームＡ，Ｂに
よるミラー面Ｍの照射面積が不均等である場合、すなわ
ち前記主ビームＣの中心がトラックの中心からずれてい
る場合には、前記主ビームの中心のトラックの中心から
のずれ方向および主ビームＣの中心とトラックＴの中心
のずれ量に応じたトラッキング誤差信号ＳTRが演算され
る。
【００４９】また、上記(2) 式から明らかなように、光
スイッチ１Ｃの検出電流の電流／電圧変換値である入力
信号ＳC と光スイッチ１Ｄの検出電流の電流／電圧変換
値である入力信号ＳD の加算値が、光スイッチ１Ｅの検
出電流の電流／電圧変換値である入力信号ＳE と光スイ
ッチ１Ｆの検出電流の電流／電圧変換値である入力信号
ＳF の加算値と等しい場合には、フォーカシング誤差信
号ＳFEが「０」となる。このように、フォーカシング誤
差信号ＳFEが「０」となるのは、図３（ｂ）に示すよう
に、光ディスクの信号面で反射したビームにより、光セ
ンサ１Ｃ〜１Ｆの上にこれらの光センサ１Ｃ〜１Ｆの区
分線の交差点を中心とする真円状のスポットＳＰが形成
されている場合である。図３（ａ）に示すように、スポ
ットＳＰが縦長の長円状である場合は、フォーカシング
誤差信号ＳFEは、ＳFE＞０となりかつその絶対値は前記
対物レンズの正規の位置から光ディスク側への位置ずれ
量を表らわす値となる。また、図３（ｃ）に示すよう
に、スポットＳＰが横長の長円状である場合は、フォー
カシング誤差信号ＳFEは、ＳFE＜０となりかつその絶対
値は前記対物レンズの正規の位置から反光ディスク側へ
の位置ずれ量を表わす値となる。
【００５０】以上のように、この図１の光センサ内蔵半
導体集積回路は、テスト端子４のレベルが論理レベルＬ
に保持されている状態では、トラッキングの誤差に応じ
た信号ＳTRおよびフォーカシングの誤差に応じた信号Ｓ
FEを出力する。
【００５１】テスト端子４に論理レベルＨのテスト信号
を供給すると、切替スイッチ５Ｂは、検出電圧供給端子
２Ｂａをトラッキング誤差演算回路６の入力端から切り
離し、この入力端に基準電圧供給端子３Ｂを接続する。
【００５２】このとき、前記(1) 式においてＳB ＝０と
なり、トラッキング誤差演算回路６の出力端ＯTRには、
トラッキング機能信号ＳTRT ＝G1・ＳA が出力される。
この機能信号ＳTRT は、トラッキング誤差演算回路６が
正常に機能していれば、光センサ１Ａの検出電圧である
入力信号ＳA の大きさのみに依存して変化する。したが
って、照射されたレーザ光のパワーに応じて機能信号Ｓ
TRT が変化するか否かを検査することにより、トラッキ
ング機能が正常であるか否かのテストを行うことができ
る。
【００５３】テスト端子４に論理レベルＨのテスト信号
を供給すると、切替スイッチ５Ｄ〜５Ｆは、検出電圧供
給端子２Ｄａ〜２Ｆａをフォーカシング誤差演算回路７
の入力端から切り離し、このフォーカシング誤差演算回
路７の入力端に基準電圧供給端子３Ｄ〜３Ｆａを接続す
る。
【００５４】このとき、前記(2) 式において、ＳD ＝Ｓ
E ＝ＳF ＝０となり、フォーカシング誤差演算回路７の
出力端ＯFEには、フォーカシング機能信号ＳFET ＝G2・
ＳCが出力される。この機能信号ＳFET は、フォーカシ
ング誤差演算回路７が正常に機能してれば、光センサ１
Ｃの検出電圧である入力信号ＳC の大きさにのみ依存し
て変化する。したがって、照射されたレーザ光のパワー
に応じて機能信号ＳFET が変化するか否かを検査するこ
とにより、フォーカシング機能が正常であるか否かのテ
ストを行うことができる。
【００５５】以上のように、この光センサ内蔵半導体集
積回路は、テスト端子４に論理レベルＨのテスト信号を
供給するだけで、容易にトラッキング機能およびフォー
カシング機能の機能テストを行うことができるようにな
る。
【００５６】図５は、発明による他の光センサ内蔵半導
体集積回路を示している。この図５の光センサ内蔵半導
体集積回路は、光センサ１Ａ〜１Ｆ、電流／電圧変換回
路２Ａ，２Ｃ、検出信号用の電流／電圧変換回路１２Ｂ
Ａ，１２ＤＡ〜１２ＦＡ、基準信号用の電流／電圧変換
回路１２ＢＢ，１２ＤＢ〜１２ＦＢ、変換信号出力回路
１２ＢＣ，１２ＤＣ〜１２ＦＣ、基準電圧供給端子３
Ｂ，３Ｄ〜３Ｆ、テスト端子４、バイアスコントロール
回路１５Ｂ，１５Ｄ〜１５Ｆ、トラッキング誤差演算回
路６、フォーカシング誤差演算回路７を備えている。こ
こで、光センサ１Ａ〜１Ｆ、電流／電圧変換回路２Ａ，
２Ｃ、基準電圧供給端子３Ｂ，３Ｄ〜３Ｆ、テスト端子
４、トラッキング誤差演算回路６、フォーカシング誤差
演算回路７は、図１の場合と同様であるので、ここでは
詳細な説明は省略する。
【００５７】検出信号用の電流／電圧変換回路１２Ｂ
Ａ，１２ＤＡ〜１２ＦＡ、基準信号用の電流／電圧変換
回路１２ＢＢ，１２ＤＢ〜１２ＦＢ、変換信号出力回路
１２ＢＣ，１２ＤＣ〜１２ＦＣは、例えば、図６におい
て光センサ１Ｂに対応する回路１２ＢＡ，１２ＢＢ，１
２ＢＣが代表して示すごとく構成されている。これらの
回路１２ＢＡ，１２ＢＢ，１２ＢＣは、トラッキング誤
差演算回路６に対する入力信号供給回路を構成してい
る。
【００５８】検出用の電流／電圧変換回路１２ＢＡの入
力端は、前記光センサ１Ｂの検出電流を受ける検出電流
入力端子１２Ｂｂに接続されている。この電流／電圧変
換回路１２ＢＡは、バイアス供給端子１２Ｂｃにバイア
ス電圧が供給されているときにのみ、前記検出電流入力
端子１２Ｂｂに供給された検出電流を検出電圧に変換
し、検出電圧供給端子１２Ｂａに出力する。
【００５９】また、基準信号用の電流／電圧変換回路１
２ＢＢの入力端は、接地抵抗Ｒ10に接続された基準電流
供給端子１２Ｂｅに接続されている。電流／電圧変換回
路１２ＢＢは、バイアス供給端子１２Ｂｆにバイアス電
圧が供給されているときにのみ、前記基準電流供給端子
１２Ｂｅに供給された基準電流を基準電圧に変換し、基
準電圧供給端子３Ｂに出力する。
【００６０】電流／電圧変換回路１２ＢＡ，１２ＢＢ
は、それぞれ差動入力段を構成するＮＰＮトランジスタ
Ｑ1 ，Ｑ2 もしくはＮＰＮトランジスタＱ3 ，Ｑ4 を備
えている。前記電流／電圧変換回路１２ＢＡのＮＰＮト
ランジスタＱ1 のコレクタと前記電流／電圧変換回路１
２ＢＢのＮＰＮトランジスタＱ3 のコレクタが接続さ
れ、前記電流／電圧変換回路１２ＢＡのＮＰＮトランジ
スタＱ2 のコレクタと前記電流／電圧変換回路１２ＢＢ
のＮＰＮトランジスタＱ4 のコレクタが接続されてい
る。ＮＰＮトランジスタＱ1 のベースは検出電流入力端
子１２Ｂｂおよび他端が電流／電圧変換回路１２ＢＡの
検出電圧供給端子１２Ｂａに接続された抵抗Ｒ1 に接続
されている。ＮＰＮトランジスタＱ2 のベースは、一端
が接地された抵抗Ｒ2 に接続されている。ＮＰＮトラン
ジスタＱ3 のベースは、一端が基準電圧供給端子３Ｂに
接続された抵抗Ｒ3 に接続されている。ＮＰＮトランジ
スタＱ4のベースは前記基準電流供給端子１２Ｂｅに接
続されている。
【００６１】前記ＮＰＮトランジスタＱ1 ，Ｑ2 のエミ
ッタにはＮＰＮトランジスタＱ5 のコレクタが接続さ
れ、前記ＮＰＮトランジスタＱ3 ，Ｑ4 のエミッタには
ＮＰＮトランジスタＱ6 のコレクタが接続されている。
これらのＮＰＮトランジスタＱ5 ，Ｑ6 のベースは、前
記バイアス供給端子１２Ｂｃ，１２Ｂｆに接続されてい
る。また、ＮＰＮトランジスタＱ3,Ｑ6 のエミッタは、
抵抗Ｒ5,Ｒ6 を介してマイナス電源Ｖeeに接続されてい
る。
【００６２】前記ＮＰＮトランジスタＱ1 ，Ｑ3 のコレ
クタには、エミッタがプラス電源Ｖccに接続されたＰＮ
ＰトランジスタＱ7 のコレクタが接続されている。ま
た、前記ＮＰＮトランジスタＱ2 ，Ｑ4 のコレクタに
は、エミッタがプラス電源Ｖccに接続されたＰＮＰトラ
ンジスタＱ8 のコレクタが接続されている。前記ＰＮＰ
トランジスタＱ5,Ｑ8 のベースは互いに接続されてい
る。また、ＰＮＰトランジスタＱ7 のベース−コレクタ
間は短絡され、ＰＮＰトランジスタＱ8 のベース−コレ
クタ間はコンデンサＣ1 を介して接続されている。
【００６３】以上のようにしてなる電流／電圧変換回路
１２ＢＡ，１２ＢＢは、スイッチ回路１５Ｂにより、バ
イアス供給端子１２Ｂｃ，１２Ｂｆのいずれか一方にバ
イアス電圧が与えられることにより、このバイアス電圧
が与えられた側のみが作動する。すなわち、バイアス供
給端子１２Ｂｃにバイアス電圧が供給されたときは、検
出電圧供給端子１２Ｂａに検出電圧が出力され、バイア
ス供給端子１２Ｂｆにバイアス電圧が供給されたとき
は、基準電圧供給端子３Ｂに基準電圧、この場合接地電
位が出力される。
【００６４】変換信号出力回路１２ＢＣは、ＮＰＮトラ
ンジスタＱ9 および定電流源ＣＩを備えている。ＮＰＮ
トランジスタＱ9 のエミッタはプラス電源Ｖccに接続さ
れ且つベースは前記ＮＰＮトランジスタＱ1 ，Ｑ3 に接
続されている。また、ＮＰＮトランジスタＱ9 のエミッ
タとマイナス電源Ｖeeの間に定電流源ＣＩが接続されて
いる。そして、ＮＰＮトランジスタＱ9 のエミッタに、
前記検出電圧供給端子１２Ｂａ、基準電圧供給端子３Ｂ
および出力端子１２Ｂｇが接続されている。この出力端
子１２Ｂｇには、前記検出電圧供給端子１２Ｂａに検出
電圧が出力されているときにはこの検出電圧が出力さ
れ、基準電圧供給端子３Ｂに基準電圧が出力されている
ときにはこの基準電圧が出力される。
【００６５】他の検出用の電流／電圧変換回路１２ＤＡ
〜１２ＦＡ、基準信号用の電流／電圧変換回路１２ＤＢ
〜１２ＦＢおよび変換信号出力回路１２ＤＣ〜１２ＦＣ
も、上記回路１２ＢＡ，１２ＢＢ，１２ＢＣと全く同様
に構成することができる。なお、図５においては、検出
電圧供給端子１２Ｂａに対応する検出電圧供給端子１２
Ｄａ，１２Ｅａ，１２Ｆａ、検出電流供給端子１２Ｂｂ
に対応する検出電圧供給端子１２Ｄｂ，１２Ｅｂ，１２
Ｆｂ、基準電流供給端子１２Ｂｅに対応する基準電流供
給端子１２Ｄｅ，１２Ｅｅ，１２Ｆｅ、基準電圧供給端
子３Ｂに対応する基準電圧供給端子３Ｄ，３Ｅｅ，３Ｆ
を示している。
【００６６】バイアスコントロール回路１５Ｂ，１５Ｄ
〜１５Ｆは、図１に示す光センサ内蔵半導体集積回路に
おけるスイッチ回路５Ｂ，５Ｄ〜５Ｆに代わり、テスト
端子４に入力された信号に基づいて、トラッキング誤差
演算回路６およびフォーカシング誤差演算回路７に与え
る信号を切り替える回路である。これらのバイアスコン
トロール回路１５Ｂ，１５Ｄ〜１５Ｆは、例えば、図７
において回路１５Ｂが代表して示すごとく構成されてい
る。
【００６７】このバイアスコントロール回路１５Ｂは、
テスト端子４に与えられる信号に基づいて、前記電流／
電圧変換回路１２ＢＡに対応するバイアス供給端子１２
Ｂｃもしくは電流／電圧変換回路１２ＢＢに対応するバ
イアス供給端子１２Ｂｆのいずれかにバイアス電圧を供
給する。
【００６８】このバイアスコントロール回路１５Ｂは、
テスト端子４に接続されたインバータ１５Ｂａ、および
このインバータ１５Ｂａに接続されたインバータ１５Ｂ
ｂを備えている。インバータ１５Ｂａの出力端はＮＰＮ
トランジスタＱ11のベースに接続され、インバータ１５
Ｂｂの出力端はＮＰＮトランジスタＱ12のベースに接続
されている。前記ＮＰＮトランジスタＱ11のコレクタ
は、ＮＰＮトランジスタＱ13のベースおよびＮＰＮトラ
ンジスタＱ14のコレクタに接続されている。また、ＮＰ
ＮトランジスタＱ12のコレクタは、ＮＰＮトランジスタ
Ｑ15のベースおよびＮＰＮトランジスタＱ16のコレクタ
に接続されている。前記ＮＰＮトランジスタＱ13，Ｑ15
のコレクタはプラス電源Ｖccに接続されている。また、
ＮＰＮトランジスタＱ13，Ｑ15のベースは抵抗Ｒ11，Ｒ
12を介して前記プラス電源Ｖccに接続されている。ま
た、ＮＰＮトランジスタＱ13，Ｑ15の各エミッタは、そ
れぞれＮＰＮトランジスタＱ14，Ｑ16のベースに接続さ
れている。さらに、ＮＰＮトランジスタＱ13，Ｑ15のベ
ース−エミッタ間すなわちＮＰＮトランジスタＱ14，Ｑ
16のベース−コレクタ間にはコンデンサＣ11，Ｃ12が接
続されている。そして、ＮＰＮトランジスタＱ13のエミ
ッタおよびＮＰＮトランジスタＱ14のベースが前記バイ
アス端子１２Ｂｆに接続され、ＮＰＮトランジスタＱ15
のエミッタおよびＮＰＮトランジスタＱ16のベースが前
記バイアス端子１２Ｂｃに接続されている。ＮＰＮトラ
ンジスタＱ14，Ｑ16のエミッタは、抵抗Ｒ13，Ｒ14を介
してマイナス電源Ｖeeに接続されている。
【００６９】以上のようにしてなるバイアスコントロー
ル回路１５Ｂでは、テスト端子４に論理レベルＬの信号
が与えられている状態では、ＮＰＮトランジスタＱ11が
オフ、ＮＰＮトランジスタＱ12がオンとなる。ＮＰＮト
ランジスタＱ11がオフのとき、ＮＰＮトランジスタＱ13
がオンとなり、さらにＮＰＮトランジスタＱ14がオンと
なる。したがって、この時、バイアス端子１２Ｂｆに抵
抗Ｒ13に流れる電流Ｉ13に対応するバイアス電圧が発生
する。トランジスタＱ14と前記電流／電圧変換回路１２
ＢＢのトランジスタＱ6 とはカレントミラー回路を構成
していることにより、バイアス端子１２Ｂｆにバイアス
電圧が発生する時、前記電流／電圧変換回路１２ＢＢの
抵抗Ｒ6 には、Ｉ6 ＝（Ｒ14／Ｒ6 ）・Ｉ14なる電流Ｉ
6 が流れる。一方、ＮＰＮトランジスタＱ12がオンのと
き、ＮＰＮトランジスタＱ15はオフとなり、ＮＰＮトラ
ンジスタＱ16もオフすなわち不動作となる。したがっ
て、この時、バイアス端子１２Ｂｃはほぼマイナス電源
Ｖeeと同電位となり、バイアス電圧は発生しない。
【００７０】上記バイアスコントロール回路１５Ｂにお
いて、テスト端子４に論理レベルＨの信号が与えられて
いる時すなわち機能テスト時には、ＮＰＮトランジスタ
Ｑ11がオン、ＮＰＮトランジスタＱ12がオフとなる。Ｎ
ＰＮトランジスタＱ11がオンである時には、ＮＰＮトラ
ンジスタＱ13，Ｑ14がオフとなり、バイアス端子１２Ｂ
ｆにはバイアス電圧は発生しない。一方、ＮＰＮトラン
ジスタＱ12がオフのときには、ＮＰＮトランジスタＱ1
5，Ｑ16がオンとなる。したがって、バイアス端子１２
Ｂｃに、抵抗Ｒ14に流れる電流に対応するバイアス電圧
が発生する。バイアス端子１２Ｂｃにバイアス電圧が発
生する時、前記電流／電圧変換回路１２ＢＡの抵抗Ｒ5
には、Ｉ5 ＝（Ｒ13／Ｒ5 ）・Ｉ13なる電流Ｉ5 が流れ
る。
【００７１】他のバイアスコントロール回路１５Ｄ〜１
５Ｆも、上記バイアスコントロール回路１５Ｂと全く同
様に構成することができる。図５では、バイアスコント
ロール回路１５Ｄ〜１５Ｆについては、図７におけるバ
イアス端子１２Ｂｃ，１２Ｂｆに対応するバイアス端子
１２Ｄｃ，１２Ｄｆ、バイアス端子１２Ｅｃ，１２Ｅ
ｆ、バイアス端子１２Ｆｃ，１２Ｆｆのみを示してい
る。
【００７２】以上のようにしてなる図５の光センサ内蔵
半導体集積回路では、常時すなわちテスト端子４に論理
レベルＬの信号が与えられている時には、既述のよう
に、バイアス端子１２Ｂｃ，１２Ｄｃ，１２Ｅｃ，１２
Ｆｃにバイアス電圧が発生し、バイアス端子１２Ｂｆ，
１２Ｄｆ，１２Ｅｆ，１２Ｆｆにはバイアス電圧が発生
しない。このため、電流／電圧変換回路１２ＢＡ，１２
ＤＡ〜１２ＦＡが動作状態となる一方、電流／電圧変換
回路１２ＢＢ，１２ＤＢ〜１２ＦＢが非動作状態とな
り、全ての検出電圧供給端子１２Ａａ〜１２Ｆａに光セ
ンサ１Ａ〜１Ｆの検出電流を変換した検出電圧が与えら
れる。したがって、トラッキング誤差演算回路６は光セ
ンサ１Ａ，１Ｂの検出電流に基づいて演算されるトラッ
キングの誤差に応じた信号ＳTRを出力端ＯTRに出力し、
フォーカシング誤差演算回路７は光センサ１Ｃ〜１Ｆの
検出電流に基づいて演算されるフォーカシングの誤差に
応じた信号ＳFEを出力端ＯFEに出力する。
【００７３】図５の光センサ内蔵半導体集積回路におい
て、機能テストを行う時には、テスト端子４に論理レベ
ルＨのテスト信号を与える。このとき、バイアス端子１
２Ｂｆ，１２Ｄｆ，１２Ｅｆ，１２Ｆｆにバイアス電圧
が発生し、バイアス端子１２Ｂｃ，１２Ｄｃ，１２Ｅ
ｃ，１２Ｆｃにはバイアス電圧は発生しない。このた
め、電流／電圧変換回路１２ＢＡ，１２ＤＡ〜１２ＦＡ
が非動作状態となる一方、電流／電圧変換回路１２Ｂ
Ｂ，１２ＤＢ〜１２ＦＢが動作状態となる。このため、
検出電圧供給端子１２Ａａ，１２Ｃａには光センサ１
Ａ，１ｃの検出電流を変換した検出電圧が与えられる
が、他の検出電圧供給端子１２Ｂａ，１２Ｄａ〜１２Ｆ
ａには検出電圧が与えられない。一方、基準電圧供給端
子３Ｂ，３Ｄ〜３Ｆには基準電圧である接地電位が供給
されている。したがって、トラッキング誤差演算回路６
は、光センサ１Ａの検出電流に基づく検出電圧をトラッ
キング機能信号ＳTRT として出力端ＯTRに出力する。ま
た、フォーカシング誤差演算回路７は、光センサ１Ｃの
検出電流に基づく検出電圧をフォーカシング機能信号Ｓ
FET として出力端ＯFEに出力する。これらのトラッキン
グ機能信号ＳTRT およびフォーカシング機能信号ＳFET
により、トラッキング機能およびフォーカシング機能が
正常であるか否かのテストを行うことできるのは、先の
実施例の場合と同様である。
【００７４】なお、図１および図５の実施例では、テス
ト端子にテスト信号が与えられているとき、演算回路の
一つの入力端にのみ検出電圧を供給するようにしている
が、一つの演算回路において検出電圧を与える入力端の
数と基準電圧を与える入力端の数は、機能テストの内容
に応じて変更することができる。要するに、演算回路の
入力端のうち少なくとも一つの入力端にのみ基準電圧を
供給し、他の入力端には検出電圧を供給するようにして
いればよい。
【００７５】また、上記実施例は演算回路がトラッキン
グ機能とフォーカシング機能ための演算を行うものであ
るが、この機能はこれらに限定されるものではない。し
たがて、一つの演算回路に対応する光センサの数も２以
上であればその数を限定されるものではない。
【００７６】
【発明の効果】請求項１〜３によれば、一つのテスト端
子にテスト信号を与え、演算回路の出力がこの演算回路
に与えられた検出電圧と基準電圧のアンバランスに応じ
た出力であるか否かを判定することで、機能テストを行
うことができる。したがって、テスト端子が一つでよ
く、このテスト端子を設けることによるスペースの増大
を最小限に抑制することができ、この光センサ内蔵半導
体回路を採用する装置の小形化を図ることができるとい
う効果を奏する。
【００７７】また、上記のように、テスト端子を設ける
ことによるスペースの増大を最小限に抑制することがで
きるにも拘らず、機能テストを行うためにコストの高い
テスト用装置を必要とせずかつテストそのものも比較的
簡単に行うことができるため、テストのためのコストが
少なくと済むという効果も奏する。請求項４〜１１によ
れば、装置全体を通じてテスト信号は単一であるので、
テスト信号を入力するためのテスト端子は一つで足り
る。このため、テスト端子を設けることによるスペース
の増大を最小限に抑制することができ、この光センサ内
蔵半導体回路を採用する装置の小形化を図ることができ
るという効果を奏する。また、機能テストを行うために
コストの高いテスト用装置を必要とせずかつテストその
ものも比較的簡単に行うことができるため、テストのた
めのコストが少なくと済むという効果も奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明による光センサ内蔵半導体集積回路の
ブロック図である。
【図２】トラッキング機能を説明する図である。
【図３】フォーカシング機能を説明する図である。
【図４】スイッチ回路の実施例を示す回路図である。
【図５】発明による他の光センサ内蔵半導体集積回路の
ブロック図である。
【図６】演算回路に対する入力信号供給手段を示す図で
ある。
【図７】バイアスコントロール回路を示す図である。
【図８】従来の光センサ内蔵半導体集積回路のブロック
図である。
【図９】従来の機能テストのための装置を説明する図で
ある。
【符号の説明】
１Ａ〜１Ｆ 光センサ ２Ａ〜２Ｆ 電流／電圧変換回路 ３Ｂ，３Ｄ〜３Ｆ 基準電圧供給端子 ４ テスト端子 ５ スイッチ回路 ６ トラッキング誤差演算回路 ７ フォーカシング誤差演算回路 １２ＢＡ，１２ＤＡ〜１２ＦＡ 検出電圧用の電流
／電圧変換回路 １２ＢＢ，１２ＤＢ〜１２ＦＢ 基準電圧用の電流
／電圧変換回路 １５Ｂ，１５Ｄ〜１５Ｆ バイアスコントロール回
路

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 それぞれが受光面積に応じた検出電流を
    出力する４以上の光センサと、 各光センサごとに対応して設けられ、各光センサの検出
    電流を受ける検出電流供給端子と、 前記４以上の光センサの中から選択された２以上の光セ
    ンサに対応してそれぞれ設けられ、かつ、それぞれが対
    応する光センサと同数の入力信号に基づいて所定機能の
    ための演算を行う複数の演算回路と、 テスト信号を与えるためのテスト端子と、 前記各演算回路に対応して少なくとも１以上設けられ、
    それぞれが各演算回路に対応する前記２以上の光センサ
    から選択された所定光センサの検出電流を受ける検出電
    流供給端子と対をなす基準電圧供給端子と、 この基準電圧供給端子に基準電圧を供給する基準電圧供
    給手段と、 前記各基準電圧供給端子に対応して設けられ、それぞれ
    前記テスト端子が接続され、このテスト端子にテスト信
    号が与えられていないときは、前記基準電圧供給端子と
    対をなす検出電流供給端子が受けた検出電流を電流／電
    圧変換してなる検出電圧を、対応する演算回路に入力信
    号として供給し、前記テスト端子にテスト信号が与えら
    れているときは、前記基準電圧供給端子が受けた基準電
    圧を対応する演算回路に入力信号として供給する第１の
    入力信号供給手段と、 前記所定光センサ以外の光センサに対応する検出電流供
    給端子に供給された検出電流を検出電圧に変換する電流
    ／電圧変換手段を含み、この検出電圧を、前記所定光セ
    ンサ以外の光センサが対応する演算回路の入力端に入力
    信号として与える第２の入力信号供給手段と、 を備える光センサ内蔵半導体集積回路。
  2. 【請求項２】 前記各第１の入力信号供給手段は、 前記所定光センサに対応する検出電流供給端子に供給さ
    れた検出電流を検出電圧に変換する電流／電圧変換手段
    と、 この電流／電圧変換手段が出力する検出電圧を受ける検
    出電圧供給端子と、 前記テスト端子にテスト信号が与えられていないとき
    は、前記検出電圧供給端子を対応する機能の演算回路の
    入力端に接続するとともに、前記テスト端子にテスト信
    号が与えられているときは、前記検出電圧供給端子を演
    算回路から遮断し且つ基準電圧供給端子を演算回路の入
    力端に接続するスイッチ回路と、 を備える信号供給手段である、請求項１の光センサ内蔵
    半導体集積回路。
  3. 【請求項３】 請求項１の光センサ内蔵半導体集積回路
    であって、 前記テスト端子にテスト信号が与えられていないときは
    前記第１の所定信号を形成し、前記テスト端子にテスト
    信号が与えられているときは前記第２の所定信号を形成
    する切替手段と、 前記各基準電圧供給端子と対をなす検出電圧供給端子
    と、 この検出電圧供給端子とこれと対をなす前記基準電圧供
    給端子とを対応する演算回路の同一入力端に接続する入
    力信号供給回路と、 を備え、かつ、 前記各第１の入力信号供給手段は、前記第１の所定信号
    が与えられたときにのみ、前記所定光センサに対応する
    検出電流供給端子に供給された検出電流を検出電圧に変
    換し、この検出電圧を前記検出電圧供給端子に供給する
    スイッチ回路付き電流／電圧変換回路を備え、 前記基準電圧供給手段は、前記第２の所定信号が与えら
    れたときにのみ、前記基準電圧供給端子に基準電圧を供
    給するスイッチ回路を有する、 請求項１の光センサ内蔵半導体集積回路。
  4. 【請求項４】 ４つのフォーカシング用光センサの受光
    部と、 これら４つのフォーカシング用受光部に対応して設けら
    れ、それぞれが対応したフォーカシング用受光部による
    電流信号を電圧信号に変換して出力し、一方と他方の２
    つの群に分けられる４つのフォーカシング用電流電圧変
    換回路と、 前記他方の群におけるフォーカシング用電流電圧変換回
    路に対応して設けられ、テスト信号に応じて、対応のフ
    ォーカシング用電流電圧変換回路からの出力又は基準電
    圧の一方を選択的に出力するフォーカシング用スイッチ
    回路と、 前記一方の群におけるフォーカシング用電流電圧変換回
    路からの出力及び前記他方の群におけるフォーカシング
    用電流電圧変換回路に対応したフォーカシング用スイッ
    チ回路からの出力を受け、これら受けた出力に基づいて
    フォーカシング 誤差信号を出力するフォーカシング誤差
    演算回路と、 を備えた光センサ内蔵半導体集積回路。
  5. 【請求項５】 前記一方の群におけるフォーカシング用
    電流電圧変換回路の数は１つであり、前記他方の群にお
    けるフォーカシング用電流電圧変換回路の数は３つであ
    ることを特徴とする請求項４記載の光センサ内蔵半導体
    集積回路。
  6. 【請求項６】 ２つのトラッキング用光センサの受光部
    と、 これら２つのトラッキング用受光部に対応して設けら
    れ、それぞれが対応したトラッキング用受光部による電
    流信号を電圧信号に変換し、出力する一方と他方の２つ
    のトラッキング用電流電圧変換回路と、 前記他方のトラッキング用電流電圧変換回路に対応して
    設けられ、前記テスト信号に応じて、前記他方のトラッ
    キング用電流電圧変換回路からの出力又は基準電圧の一
    方を選択的に出力するトラッキング用スイッチ回路と、 前記一方のトラッキング用電流電圧変換回路からの出力
    及び前記トラッキング用スイッチ回路からの出力を受
    け、これら受けた出力に基づいてトラッキング誤差信号
    を出力するトラッキング誤差演算回路とを、 さらに備えたことを特徴とする請求項４又は請求項５記
    載の光センサ内蔵半導体集積回路。
  7. 【請求項７】 ２つの群に分けられる４つのフォーカシ
    ング用光センサの受光部と、 前記２つの群のうちの一方の群におけるフォーカシング
    用受光部に対応して設けられ、対応したフォーカシング
    用受光部による電流信号を電圧信号に変換し、出力する
    第１群のフォーカシング用電流電圧変換回路と、 前記２つの群のうちの他方の群におけるフォーカシング
    用受光部に対応して設けられ、テスト信号に応じて活性
    状態か非活性状態かを制御され、活性状態の時、対応し
    たフォーカシング用受光部による電流信号を電圧信号に
    変換し、出力する第２群のフォーカシング用電流電圧変
    換回路と、 この第２群のフォーカシング用電流電圧変換回路に対応
    して設けられ、前記テスト信号に応じて、前記第２群の
    フォーカシング用電流電圧変換回路とは相補的に、活性
    状態か非活性状態かを制御され、活性状態の時、所定の
    電圧を出力する フォーカシング用所定電圧発生回路と、 前記第２群のフォーカシング用電流電圧変換回路に対応
    して設けられ、対応したフォーカシング用電流電圧変換
    回路からの出力又は対応したフォーカシング用所定電圧
    発生回路からの出力に応じて出力するフォーカシング用
    出力回路と、 前記第１群のフォーカシング用電流電圧変換回路からの
    出力及び前記出力回路からの出力を受け、これら受けた
    出力に基づいてフォーカシング誤差信号を出力するフォ
    ーカシング誤差演算回路と、 を備えた光センサ内蔵半導体集積回路。
  8. 【請求項８】 前記一方の群におけるフォーカシング用
    受光部の数は１つであり、前記他方の群におけるフォー
    カシング用受光部の数は３つであることを特徴とする請
    求項７記載の光センサ内蔵半導体集積回路。
  9. 【請求項９】 ２つのトラッキング用光センサの受光部
    と、 一方のトラッキング用受光部に対応して設けられ、一方
    のトラッキング用受光部による電流信号を電圧信号に変
    換し、出力する第１のトラッキング用電流電圧変換回路
    と、 他方のトラッキング用受光部に対応して設けられ、前記
    テスト信号に応じて活性状態か非活性状態かを制御さ
    れ、活性状態の時、他方のトラッキング用受光部による
    電流信号を電圧信号に変換し、出力する第２のトラッキ
    ング用電流電圧変換回路と、 この第２のトラッキング用電流電圧変換回路に対応して
    設けられ、前記テスト信号に応じて、前記第２のトラッ
    キング用電流電圧変換回路とは相補的に、活性状態か非
    活性状態かを制御され、活性状態の時、所定の電圧を出
    力するトラッキング用所定電圧発生回路と、 前記第２のトラッキング用電流電圧変換回路からの出力
    又は前記トラッキング用所定電圧発生回路からの出力に
    応じて出力するトラッキング用出力回路と、 前記第１トラッキング用電流電圧変換回路からの出力及
    び前記トラッキング用出力回路からの出力を受け、これ
    ら受けた出力に基づいてトラッキング誤差信号を出力す
    るトラッキング誤差演算回路とを、 さらに備えたことを特徴とする請求項７又は請求項８記
    載の光センサ内蔵半導 体集積回路。
  10. 【請求項１０】 第１電源線と、第２電源線と、基準電
    位線と、をさらに備え、 前記第２群のフォーカシング用電流電圧変換回路の各１
    が、 前記第１電源線に一端が接続された第１抵抗と、 当該第１抵抗の他端に一方主電極が接続された第１導電
    型の第１トランジスタと、 当該第１トランジスタの他方主電極に、一方主電極が共
    通に接続された第１導電型の第２および第３トランジス
    タと、 前記第２トランジスタの他方主電極に一方主電極が接続
    され、前記第２電源線に他方主電極が接続された第２導
    電型の第４トランジスタと、 前記第３トランジスタの他方主電極に一方主電極と制御
    電極とが接続され、前記第２電源線に他方主電極が接続
    され、前記制御電極が前記第４トランジスタの制御電極
    にも接続されている第２導電型の第５トランジスタと、 前記第４トランジスタの前記制御電極と前記一方主電極
    とに、一端と他端とがそれぞれ接続されるコンデンサ
    と、 前記第２トランジスタの制御電極に一端が接続された第
    ２抵抗と、 前記第３トランジスタの制御電極と前記基準電位線と
    に、一端と他端とがそれぞれ接続された第３抵抗と、を
    備え、 前記フォーカシング用所定電圧発生回路の各々が、 前記第１電源線に一端が接続された第４抵抗と、 当該第４抵抗の他端に一方主電極が接続された第１導電
    型の第６トランジスタと、 当該第６トランジスタの他方主電極に一方主電極が接続
    され、前記第２トランジスタの前記他方主電極に他方主
    電極が接続された第１導電型の第７トランジスタと、 前記第６トランジスタの前記他方主電極に一方主電極が
    接続され、前記第３トランジスタの前記他方主電極に他
    方主電極が接続された第１導電型の第８ランジスタと、 前記第７トランジスタの制御電極と前記第２抵抗の他端
    とに、一端と他端とがそれぞれ接続された第４抵抗と、 前記第８トランジスタの制御電極と前記基準電位線と
    に、一端と他端とがそれぞれ接続された第５抵抗と、を
    備え、 前記フォーカシング用出力回路の各々が、 前記第１電源線に一端が接続された定電流源と、 当該定電流源の他端と前記第２抵抗の前記他端とに一方
    主電極が接続され、前記第２電源線に他方主電極が接続
    され、前記第２トランジスタの前記他方主電極に制御電
    極が接続された第１導電型の第９トランジスタと、を備
    え、 前記テスト信号とその反転信号の中の、一方と他方と
    が、前記第１トランジスタの制御電極と、前記第６トラ
    ンジスタの制御電極とに、それぞれ入力され、 前記フォーカシング用受光部による前記電流信号は、前
    記第２トランジスタの前記制御電極へ入力され、 前記フォーカシング用所定電圧発生回路の各々は、前記
    第９トランジスタの前記一方主電極から出力する、請求
    項７ないし請求項９のいずれかに記載の光センサ内蔵半
    導体集積回路。
  11. 【請求項１１】 第１電源線と、第２電源線と、基準電
    位線と、をさらに備え、 前記第２のトラッキング用電流電圧変換回路が、 前記第１電源線に一端が接続された第１抵抗と、 当該第１抵抗の他端に一方主電極が接続された第１導電
    型の第１トランジスタと、 当該第１トランジスタの他方主電極に、一方主電極が共
    通に接続された第１導電型の第２および第３トランジス
    タと、 前記第２トランジスタの他方主電極に一方主電極が接続
    され、前記第２電源線に他方主電極が接続された第２導
    電型の第４トランジスタと、 前記第３トランジスタの他方主電極に一方主電極と制御
    電極とが接続され、前記第２電源線に他方主電極が接続
    され、前記制御電極が前記第４トランジスタの制御電極
    にも接続されている第２導電型の第５トランジスタと、 前記第４トランジスタの前記制御電極と前記一方主電極
    とに、一端と他端とがそれぞれ接続されるコンデンサ
    と、 前記第２トランジスタの制御電極に一端が接続された第
    ２抵抗と、 前記第３トランジスタの制御電極と前記基準電位線と
    に、一端と他端とがそれぞれ接続された第３抵抗と、を
    備え、 前記トラッキング用所定電圧発生回路が、 前記第１電源線に一端が接続された第４抵抗と、 当該第４抵抗の他端に一方主電極が接続された第１導電
    型の第６トランジスタと、 当該第６トランジスタの他方主電極に一方主電極が接続
    され、前記第２トランジスタの前記他方主電極に他方主
    電極が接続された第１導電型の第７トランジスタと、 前記第６トランジスタの前記他方主電極に一方主電極が
    接続され、前記第３トランジスタの前記他方主電極に他
    方主電極が接続された第１導電型の第８ランジスタと、 前記第７トランジスタの制御電極と前記第２抵抗の他端
    とに、一端と他端とがそれぞれ接続された第４抵抗と、 前記第８トランジスタの制御電極と前記基準電位線と
    に、一端と他端とがそれぞれ接続された第５抵抗と、を
    備え、 前記トラッキング用出力回路が、 前記第１電源線に一端が接続された定電流源と、 当該定電流源の他端と前記第２抵抗の前記他端とに一方
    主電極が接続され、前記第２電源線に他方主電極が接続
    され、前記第２トランジスタの前記他方主電極に制御電
    極が接続された第１導電型の第９トランジスタと、を備
    え、 前記テスト信号とその反転信号の中の、一方と他方と
    が、前記第１トランジスタの制御電極と、前記第６トラ
    ンジスタの制御電極とに、それぞれ入力され、 前記他方トラッキング用受光部による前記電流信号は、
    前記第２トランジスタの前記制御電極へ入力され、 前記トラッキング用所定電圧発生回路は、前記第９トラ
    ンジスタの前記一方主 電極から出力する、請求項９に記
    載の光センサ内蔵半導体集積回路。
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