JPS6313368A - 半導体センサ装置 - Google Patents
半導体センサ装置Info
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- JPS6313368A JPS6313368A JP15626386A JP15626386A JPS6313368A JP S6313368 A JPS6313368 A JP S6313368A JP 15626386 A JP15626386 A JP 15626386A JP 15626386 A JP15626386 A JP 15626386A JP S6313368 A JPS6313368 A JP S6313368A
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 22
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体センサ装置に係り、特に入力信号を電気
的信号に変換する半導体センサ部と、前記電気的信号の
信号処理を行う信号処理回路部と、前記半導体センサ部
と前記信号処理回路部とを接続させる配線部とを同一基
板上に有する半導体センサ装置に関する。
的信号に変換する半導体センサ部と、前記電気的信号の
信号処理を行う信号処理回路部と、前記半導体センサ部
と前記信号処理回路部とを接続させる配線部とを同一基
板上に有する半導体センサ装置に関する。
［従来の技術］
集積化技術のｄ歩により、半導体センサ部と、その信号
処理回路部とを同一基板上に形成することか可涜となり
、その構成について種々の提案がなされてきた。その中
の１つとして、光′心変換部とその演算処理回路部とを
一体化させたモノリシック集苗回路の光センサ装置の構
成についての提案か、特開昭６１−６１４５７号公報に
示されている。
処理回路部とを同一基板上に形成することか可涜となり
、その構成について種々の提案がなされてきた。その中
の１つとして、光′心変換部とその演算処理回路部とを
一体化させたモノリシック集苗回路の光センサ装置の構
成についての提案か、特開昭６１−６１４５７号公報に
示されている。
第４図は上記光センサ装置の回路図である。
同図において、フォトダイオードｌの両端子はオペアン
プ２の入力端子９および１０に接続され、対数変換用の
トランジスタ３はオペアンプ２の入力端子ｌＯと出力端
子１１にｌａ統されている。また、入力端子９には電源
４が接続されている。
プ２の入力端子９および１０に接続され、対数変換用の
トランジスタ３はオペアンプ２の入力端子ｌＯと出力端
子１１にｌａ統されている。また、入力端子９には電源
４が接続されている。
オペアンプ２において、入力端子９３よび１０は、ＭＯ
Ｓトランジスタ５および６の各ゲートにそれぞれ接続さ
れている。１１ＯＳトランジスタ５および６とバイポー
ラトランジスタ７および８とは、Ｂｉ−ＭＯＳ型のＸ動
増幅回路を構成し、才ベアンプ２の入力段となっている
。
Ｓトランジスタ５および６の各ゲートにそれぞれ接続さ
れている。１１ＯＳトランジスタ５および６とバイポー
ラトランジスタ７および８とは、Ｂｉ−ＭＯＳ型のＸ動
増幅回路を構成し、才ベアンプ２の入力段となっている
。
また、接続リーク電流を極力小さくするために１以上の
回路がモノシリツクに形成されている。
回路がモノシリツクに形成されている。
このような構成を有する本実施例において、光りがフォ
トダイオードｌに入射すると、入射光りの強度に対応し
た光電流がフォトダイオードｌに流れる。この光電流か
、オペアンプ２およびトランジスタ３より成る対数変換
回路によって対数圧縮され、出力電圧ｖ０として出力端
子１１から出力される。
トダイオードｌに入射すると、入射光りの強度に対応し
た光電流がフォトダイオードｌに流れる。この光電流か
、オペアンプ２およびトランジスタ３より成る対数変換
回路によって対数圧縮され、出力電圧ｖ０として出力端
子１１から出力される。
このように、入力段かｘｏｓ トランジスタ５および６
であるために、１Ｏ−１ルクスの光りが入射して流れる
１０−１２アンペア程度の微小な光電流てあっても、リ
ーク電流の少ない高インピーダンス入力となり、Ｓ／Ｎ
比の良好な安定した出力を得ることができる。
であるために、１Ｏ−１ルクスの光りが入射して流れる
１０−１２アンペア程度の微小な光電流てあっても、リ
ーク電流の少ない高インピーダンス入力となり、Ｓ／Ｎ
比の良好な安定した出力を得ることができる。
［発明が解決しようとする問題点］
上記光センサ１９：Ｗ１のような半導体センサ部と信号
処理回路部とか一体化された半導体センサ装置において
は、電気的特性評価か、半導体センサ部に外部信号を入
力し、信号処理回路部の出力を調べることでしか行うこ
とができず、半導体センサ部、信号処理回路部の動作を
別々に測定評価を行うことかてきないという問題点を有
していた。半導体センサ部と信号処理回路部の動作を別
々に測定評価する方法としては、特別に半導体センサ部
と信号処理回路部とを分離させて作製し、測定評価を行
う方法があるが、製造工程かオンチップ化した場合に比
べて倍かかり、測定評価のコストが上昇し、また分離さ
せて測定評価を行うためにＡ１等の・配線部分のリーク
電流等の影響を評価することができないという問題点を
有していた。
処理回路部とか一体化された半導体センサ装置において
は、電気的特性評価か、半導体センサ部に外部信号を入
力し、信号処理回路部の出力を調べることでしか行うこ
とができず、半導体センサ部、信号処理回路部の動作を
別々に測定評価を行うことかてきないという問題点を有
していた。半導体センサ部と信号処理回路部の動作を別
々に測定評価する方法としては、特別に半導体センサ部
と信号処理回路部とを分離させて作製し、測定評価を行
う方法があるが、製造工程かオンチップ化した場合に比
べて倍かかり、測定評価のコストが上昇し、また分離さ
せて測定評価を行うためにＡ１等の・配線部分のリーク
電流等の影響を評価することができないという問題点を
有していた。
本発明は半導体センサ部と信号処理回路部の各動作を筒
便に測定することが可鋤な半導体センサ！Ｓこを提供す
ることを目的とする。
便に測定することが可鋤な半導体センサ！Ｓこを提供す
ることを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
上記の問題点は、入力信号を電気的信号に変換する半導
体センサ部と、前記電気的信号の信号処理を行う信号処
理回路と、前記半導体センサ部と前記信号処理回路部と
を接続させる配線部とを同一基板上に有する半導体セン
サ装置において、前記配線部と接続させた測定用端子を
前記基板上に設けたことを特徴とする本発明の半導体セ
ンサ装置によって解決される。
体センサ部と、前記電気的信号の信号処理を行う信号処
理回路と、前記半導体センサ部と前記信号処理回路部と
を接続させる配線部とを同一基板上に有する半導体セン
サ装置において、前記配線部と接続させた測定用端子を
前記基板上に設けたことを特徴とする本発明の半導体セ
ンサ装置によって解決される。
［作用］
本発明は、半導体センサ部と信号処理回路部とを接続さ
せる配線部に測定用端子を接続させ、半導体センサ部の
出力を検出することにより半導体センサ部自体の特性評
価を行い、また半導体センサ部への光を遮断し、測定用
端子から入力信号を送り、信号処理回路部の出力を検出
することにより信号処理回路部自体の特性評価を行うも
のである。
せる配線部に測定用端子を接続させ、半導体センサ部の
出力を検出することにより半導体センサ部自体の特性評
価を行い、また半導体センサ部への光を遮断し、測定用
端子から入力信号を送り、信号処理回路部の出力を検出
することにより信号処理回路部自体の特性評価を行うも
のである。
［実施例］
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明
する。なお本発明の半導体センサ装置の一例として第４
図に示した光センサ装置を取り上げるものとし、同一部
材については同一番号を付する。
する。なお本発明の半導体センサ装置の一例として第４
図に示した光センサ装置を取り上げるものとし、同一部
材については同一番号を付する。
第１図は本発明による光センサ装置の回路図である。
第２図は上記光センサ装置を説明するための概略図であ
る。
る。
第１図において、フォトダイオードｌの一方の端子はオ
ペアンプ２の入力端子ｌＯと測定用端子１２に接続され
ており、他端は入力端子９に接続され、対数変換用のト
ランジスタ３はオペアンプ２の入力端子ＩＯと出力端子
１１に接続されている。また、入力端子９には電源４が
接続されている。
ペアンプ２の入力端子ｌＯと測定用端子１２に接続され
ており、他端は入力端子９に接続され、対数変換用のト
ランジスタ３はオペアンプ２の入力端子ＩＯと出力端子
１１に接続されている。また、入力端子９には電源４が
接続されている。
オペアンプ２において、入力端子９およびＩＯは、ＭＯ
Ｓトランジスタ５および６の各ゲートにそれぞれ接続さ
れている。 ＭＯＳ ）−ランジスタ５および２５とバ
イポーラトランジスタ７および８とは、 Ｒｉ−ＭＯＳ
型の差動増幅回路を構成し、オペアンプ２の入力段とな
っている。
Ｓトランジスタ５および６の各ゲートにそれぞれ接続さ
れている。 ＭＯＳ ）−ランジスタ５および２５とバ
イポーラトランジスタ７および８とは、 Ｒｉ−ＭＯＳ
型の差動増幅回路を構成し、オペアンプ２の入力段とな
っている。
また、接続リーク電流を極力小さくするために１以上の
回路がモノシリツクに形成されている。
回路がモノシリツクに形成されている。
本発明による光センサ装こは上記測定用端子１２をフォ
トダイオードｌの一方の端子９とオペアンプ２の入力端
子１０との間に設けたことを特徴とする。
トダイオードｌの一方の端子９とオペアンプ２の入力端
子１０との間に設けたことを特徴とする。
上記光センサ装置において、フォトダイオードｌに入る
光をＭ断し、測定用端子１２にフォトダイオードｌから
オペアンプ２へ入力される電気信号と同レベルの電気信
号を入力すると、オペアンプ２のみの電気的特性を評価
することができる。
光をＭ断し、測定用端子１２にフォトダイオードｌから
オペアンプ２へ入力される電気信号と同レベルの電気信
号を入力すると、オペアンプ２のみの電気的特性を評価
することができる。
またフォトダイオードに光を照射し、測定用端子１２か
ら出力を検出することにより、フォトダイオードのみの
光電変換特性を評価することもできる。
ら出力を検出することにより、フォトダイオードのみの
光電変換特性を評価することもできる。
測定用端子１２は、第２図に示すように半導体チップ１
３上のフォトダイオード部１４と信号処理回路部１５と
の配線部に接続され、バッド用アルミＮ１６とパット用
スルーホール１７とから構成される。測定用端子１２は
配線パターンを形成する工程と同時に形成され、半導チ
ップ１３上の任意の位置に設けられる。
３上のフォトダイオード部１４と信号処理回路部１５と
の配線部に接続され、バッド用アルミＮ１６とパット用
スルーホール１７とから構成される。測定用端子１２は
配線パターンを形成する工程と同時に形成され、半導チ
ップ１３上の任意の位置に設けられる。
通常半導体チップ１３表面上には、表面保護の目的でパ
ッジベージ（ン膜か堆積されるか、上記測定用端子１２
Ｊ二のパッシベーション膜は測定時に除去される。なお
パッジベージコン膜の除去は測定用の半導体チップのみ
行えばよく１通常の半導体チップはパッシベーション膜
か形成された状ｆｉとなっている。
ッジベージ（ン膜か堆積されるか、上記測定用端子１２
Ｊ二のパッシベーション膜は測定時に除去される。なお
パッジベージコン膜の除去は測定用の半導体チップのみ
行えばよく１通常の半導体チップはパッシベーション膜
か形成された状ｆｉとなっている。
また測定用端子１２はウェハー状態てのチェックのみに
使用し、金線等のワイヤボンディングはしないかよい。
使用し、金線等のワイヤボンディングはしないかよい。
半導体チップ形成時にパッジベージコン膜を除去し、測
定用の金線等を圧着してパッケージと接続させると、そ
の部分から微小電流のリークが発生しやすく、）オドダ
イオード部１４と信号処理回路部１５を合わせた光セン
サ装置の光電変換特性に影響を与えるからである。
定用の金線等を圧着してパッケージと接続させると、そ
の部分から微小電流のリークが発生しやすく、）オドダ
イオード部１４と信号処理回路部１５を合わせた光セン
サ装置の光電変換特性に影響を与えるからである。
次に本発明による光センサ装置の他の実施例について説
明する。
明する。
第３図は、本発明によるセンサアレイの回路図である。
同図に示した光センサアレイは−チップ上に。
第１図に示したフォトダイオード１とオペアンプ２が複
数個設けられたものであり、フォトダイオード部１８と
オペアンプ部１９とから構成される。
数個設けられたものであり、フォトダイオード部１８と
オペアンプ部１９とから構成される。
同図において、複数個のオブアンブ２．．２２゜２：１
．・・・、２ｏの一方の入力端子には、それぞれ測定用
端子１２＋ 、１２２．１２ｚ 、・−，１２ｎとフォ
トタイオード１＋ 、ｌａ 、１＊、・・・、ｌｎのア
ノード側の端子が接続されており、他方の入力端子には
フォトダイオードＩ１．Ｉｔ 、ｌｚ。
．・・・、２ｏの一方の入力端子には、それぞれ測定用
端子１２＋ 、１２２．１２ｚ 、・−，１２ｎとフォ
トタイオード１＋ 、ｌａ 、１＊、・・・、ｌｎのア
ノード側の端子が接続されており、他方の入力端子には
フォトダイオードＩ１．Ｉｔ 、ｌｚ。
・・・、１７のカソード側の端子が接続されている。
本実施例においても、フォトダイオード１１゜１２、ｌ
ｚ、・・・、ｌｎに入る光を遮断し、Ｍ定用端子１２＋
、１２ｚ 、１２３ 、・・・、１２ｎに前記フォト
タイオートｌ＋ 、１２．１３．・・・、１０からオペ
アンプ２１，２２ 、２３ 、・−，２ｎへ入力される
電気信号と同レベルの電気信号を入力すると、オペアン
プ２＋、２２．２３ 、・・・、２Ｉ、の出力信号Ｖｌ
ｌｌ ＊ ｖ、、 ｌ ｖ、、 ＋ ””＋ Ｖ
Ｏｎを測定することにより、オペアンプ２１．２□、２
３．・・・。
ｚ、・・・、ｌｎに入る光を遮断し、Ｍ定用端子１２＋
、１２ｚ 、１２３ 、・・・、１２ｎに前記フォト
タイオートｌ＋ 、１２．１３．・・・、１０からオペ
アンプ２１，２２ 、２３ 、・−，２ｎへ入力される
電気信号と同レベルの電気信号を入力すると、オペアン
プ２＋、２２．２３ 、・・・、２Ｉ、の出力信号Ｖｌ
ｌｌ ＊ ｖ、、 ｌ ｖ、、 ＋ ””＋ Ｖ
Ｏｎを測定することにより、オペアンプ２１．２□、２
３．・・・。
２ｏのみの電気的特性を評価することがてきる。
またフォトダイオードｌ＋ 、１２．１：＋、・・・ｌ
ｎに光を照射し、測定用端子１２，１２２．１２．。
ｎに光を照射し、測定用端子１２，１２２．１２．。
・・−，１２，から出力信号を測定することにより、フ
ォトダイオードＩ＋ 、１２ 、ｌｉ、・・・＋ｌ１１
のみの光電変換特性を評価することもてきる。
ォトダイオードＩ＋ 、１２ 、ｌｉ、・・・＋ｌ１１
のみの光電変換特性を評価することもてきる。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、本発明の半導体センサ装こ
によれば半導体センサ部と信号処理回路部とを接続させ
る配線部に測定用端子を接続させたことにより、−チッ
プ上に設けられた半導体センサ部と信号処理回路部との
各々の測定評価を容易に行なうことか可能となった。
によれば半導体センサ部と信号処理回路部とを接続させ
る配線部に測定用端子を接続させたことにより、−チッ
プ上に設けられた半導体センサ部と信号処理回路部との
各々の測定評価を容易に行なうことか可能となった。
第１０は本発明に・よる光センサ装置の回路図である。
第２図は上記光センサ装置を説明するための概略図であ
る。 第３（２１は本発明によるセンサアレイの回路図である
。 第４［２１は従来の光センサ装この回路図である。 ｌ・・・）オドダイオード ２・・・オペアンプ ３・・・トランジスタ ９．１０・・・入力端子 １１・・・出力端子 １２・・・測定用端子 １３・・・半導体チップ １４・・・フォトダイオード部 １５・・・信号処理回路部 １６・・・バッド用アルミ層 １７・・・バッド用スルーホール 代理人 弁理士 山 下 積 平 第１図 第３図 第４図
る。 第３（２１は本発明によるセンサアレイの回路図である
。 第４［２１は従来の光センサ装この回路図である。 ｌ・・・）オドダイオード ２・・・オペアンプ ３・・・トランジスタ ９．１０・・・入力端子 １１・・・出力端子 １２・・・測定用端子 １３・・・半導体チップ １４・・・フォトダイオード部 １５・・・信号処理回路部 １６・・・バッド用アルミ層 １７・・・バッド用スルーホール 代理人 弁理士 山 下 積 平 第１図 第３図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 入力信号を電気的信号に変換する半導体センサ部と、前
記電気的信号の信号処理を行う信号処理回路部と、前記
半導体センサ部と前記信号処理回路部とを接続させる配
線部とを同一基板上に有する半導体センサ装置において
、 前記配線部と接続させた測定用端子を前記基板上に設け
たことを特徴とする半導体センサ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15626386A JPS6313368A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 半導体センサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15626386A JPS6313368A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 半導体センサ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6313368A true JPS6313368A (ja) | 1988-01-20 |
Family
ID=15623980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15626386A Pending JPS6313368A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 半導体センサ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6313368A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2697367A1 (fr) * | 1992-10-26 | 1994-04-29 | Kyoei Sangyo Co Ltd | Circuit intégré à semi-conducteurs ou sont incorporés des photodétecteurs. |
| WO1998044563A1 (fr) * | 1997-04-03 | 1998-10-08 | Rohm Co., Ltd. | Dispositif a circuit integre de conversion photoelectrique |
| JP2006275757A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Mitsumi Electric Co Ltd | 検出装置及びそのテスト方法 |
| JP2007012905A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Mitsumi Electric Co Ltd | 受光装置 |
| JP2014067822A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Seiko Npc Corp | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-07-04 JP JP15626386A patent/JPS6313368A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2697367A1 (fr) * | 1992-10-26 | 1994-04-29 | Kyoei Sangyo Co Ltd | Circuit intégré à semi-conducteurs ou sont incorporés des photodétecteurs. |
| WO1998044563A1 (fr) * | 1997-04-03 | 1998-10-08 | Rohm Co., Ltd. | Dispositif a circuit integre de conversion photoelectrique |
| EP0975025A1 (en) * | 1997-04-03 | 2000-01-26 | Rohm Co., Ltd. | Photoelectric conversion integrated circuit device |
| EP0975025A4 (en) * | 1997-04-03 | 2001-06-20 | Rohm Co Ltd | DEVICE WITH INTEGRATED PHOTOELECTRIC CONVERSION CIRCUIT |
| US6316955B1 (en) | 1997-04-03 | 2001-11-13 | Rohm Co., Ltd. | Photoelectric conversion integrated circuit device |
| JP2006275757A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Mitsumi Electric Co Ltd | 検出装置及びそのテスト方法 |
| JP4586608B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2010-11-24 | ミツミ電機株式会社 | 光検出装置及びそのテスト方法 |
| JP2007012905A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Mitsumi Electric Co Ltd | 受光装置 |
| JP2014067822A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Seiko Npc Corp | 半導体装置 |
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