JPS63208313A - 電流電圧変換回路 - Google Patents
電流電圧変換回路Info
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- JPS63208313A JPS63208313A JP62040018A JP4001887A JPS63208313A JP S63208313 A JPS63208313 A JP S63208313A JP 62040018 A JP62040018 A JP 62040018A JP 4001887 A JP4001887 A JP 4001887A JP S63208313 A JPS63208313 A JP S63208313A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明はリニヤ増幅回路の信号入力用回路に関し、特に
高感度の半導体集積回路の特性試験に適用するものであ
る。
高感度の半導体集積回路の特性試験に適用するものであ
る。
（従来の技術）
半導体集積回路素子としてはＤ−ＲＡＭ、 ５−ＲＡＭ
ならびにバイポーラ型素子等に加えて１例えばバイポー
ラ型集積回路素子に受光素子を、４層の半導体層で構成
するサイリスタ構造にＭｏｓゲート構造を付設したもの
等のように単一の半導体基板に複数の素子をモノリシッ
クに集積する複合半導体素子の多種類が開発され、実用
化されている。
ならびにバイポーラ型素子等に加えて１例えばバイポー
ラ型集積回路素子に受光素子を、４層の半導体層で構成
するサイリスタ構造にＭｏｓゲート構造を付設したもの
等のように単一の半導体基板に複数の素子をモノリシッ
クに集積する複合半導体素子の多種類が開発され、実用
化されている。
その−例として第４図に示す電流電圧変換回路がある。
これは小信号トランジスタ３個と抵抗４個を、シリコン
半導体基板表面に堆積するエピタキシャル成長層に形成
したもので、この入力Ａがフォトダイオード（図示せず
）からのｌμ八へ下の微小電流で付勢され、出力Ｂから
は出力電圧を得て同様に図示しないバイポーラ型集積回
路へ入力する。
半導体基板表面に堆積するエピタキシャル成長層に形成
したもので、この入力Ａがフォトダイオード（図示せず
）からのｌμ八へ下の微小電流で付勢され、出力Ｂから
は出力電圧を得て同様に図示しないバイポーラ型集積回
路へ入力する。
この電流電圧変換回路のチップ状態での特性試験に当っ
ては、前述のようにシリコン半導体基板表面に堆積する
エピタキシャル成長層５０に形成する前記電流電圧変換
回路に電気的に接続するかあるいはその一部であるＡρ
もしくはＡ４合金からなるパッド５１に接触する金属針
５２に信号を伝導する方法に頼っていた。
ては、前述のようにシリコン半導体基板表面に堆積する
エピタキシャル成長層５０に形成する前記電流電圧変換
回路に電気的に接続するかあるいはその一部であるＡρ
もしくはＡ４合金からなるパッド５１に接触する金属針
５２に信号を伝導する方法に頼っていた。
（発明が解決しようとする問題点）
このような試験方法をゲインが大きい増幅回路に適用す
ると金属針に浮遊容量が発生して回路の発振等が起り測
定が困難になるし、電流電圧変換回路のように微小電流
を入力する回路を試験するために、金属針を通じて微小
電流を入力しようとしても、浮遊容量等によって吸収さ
れて正確な入力ができない等の問題がある。
ると金属針に浮遊容量が発生して回路の発振等が起り測
定が困難になるし、電流電圧変換回路のように微小電流
を入力する回路を試験するために、金属針を通じて微小
電流を入力しようとしても、浮遊容量等によって吸収さ
れて正確な入力ができない等の問題がある。
本発明は、このような難点を除去する新規な電流電圧変
換回路を提供することを目的とするものである。
換回路を提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
複数の小信号トランジスタならびに抵抗によって、１μ
Ａ以下の入力信号を変換して出力電圧を得る電流電圧変
換回路において、この入力とは別の入力に印加する電圧
で微小電流を付勢する回路を付設したものである。
Ａ以下の入力信号を変換して出力電圧を得る電流電圧変
換回路において、この入力とは別の入力に印加する電圧
で微小電流を付勢する回路を付設したものである。
（作 用）
このように本発明に係る電流電圧変換回路は１μ八以下
の微小電流を変換して出力電圧を得るが、この入力端子
とは別に印加する電圧によって微小電流を得る回路を付
設したので、半導体基板に接触する金属針間に発生する
浮遊容量の影響を受けずに、この電流電圧変換回路特性
を調査可能とした。
の微小電流を変換して出力電圧を得るが、この入力端子
とは別に印加する電圧によって微小電流を得る回路を付
設したので、半導体基板に接触する金属針間に発生する
浮遊容量の影響を受けずに、この電流電圧変換回路特性
を調査可能とした。
（実施例）
第１図乃至第３図により本発明を詳述する。
測定対象となる電流電圧変換回路上はシリコン半導体基
板表面に常法通りに積層したエピタキシャル成長層に設
けることは前述の通りであるが、この回路接続はＮＰＮ
ＴＲ２〜４と抵抗５〜８で構成され、入力端Ａに入力し
た１μＡ以下の微小電流はぼゾ抵抗８で示すＲｆの比で
出力端Ｂに電圧が発生するものである。
板表面に常法通りに積層したエピタキシャル成長層に設
けることは前述の通りであるが、この回路接続はＮＰＮ
ＴＲ２〜４と抵抗５〜８で構成され、入力端Ａに入力し
た１μＡ以下の微小電流はぼゾ抵抗８で示すＲｆの比で
出力端Ｂに電圧が発生するものである。
この各抵抗の値は ５−１２にΩ、 ６−１４にΩ、７
−５にΩならびに ８−５にΩであり、Ｖｃｃは＋５ｖ
であり、入力端ＡはＮＰＮＴＲ２のベースへ、コレクタ
をＶｃｃに接続する。このＮＰＮＴＲ２のエミッタは抵
抗６ならびにＮＰＮ ＴＲ４のベースに結び、このＮＰ
Ｎ ＴＲ４のコレクタを抵抗５を介してＶｃｃに接続す
る。一方ＮＰＮＴＲ３のコレクタはＶｃｃと、そのベー
スはＮＰＮＴＲ４のコレクタ及び抵抗５の間に結び、エ
ミッタは抵抗７ならびに出力端８に接続する。更に抵抗
６．７ならびにＮＰＮ ＴＲ４のエミッタは共にＯｖと
し又入力端Ａと出力端８間には抵抗８で示すＲｆを接続
して電流電圧変換回路上を得る。
−５にΩならびに ８−５にΩであり、Ｖｃｃは＋５ｖ
であり、入力端ＡはＮＰＮＴＲ２のベースへ、コレクタ
をＶｃｃに接続する。このＮＰＮＴＲ２のエミッタは抵
抗６ならびにＮＰＮ ＴＲ４のベースに結び、このＮＰ
Ｎ ＴＲ４のコレクタを抵抗５を介してＶｃｃに接続す
る。一方ＮＰＮＴＲ３のコレクタはＶｃｃと、そのベー
スはＮＰＮＴＲ４のコレクタ及び抵抗５の間に結び、エ
ミッタは抵抗７ならびに出力端８に接続する。更に抵抗
６．７ならびにＮＰＮ ＴＲ４のエミッタは共にＯｖと
し又入力端Ａと出力端８間には抵抗８で示すＲｆを接続
して電流電圧変換回路上を得る。
この付設する回路としては図中点線で囲んだ部分であり
入力端Ａに抵抗１１ならびにＮＰＮＴＲ９のコレクタを
、又他の入力Ａ′には抵抗１０とＮＰＮＴＲ９のベース
を、更に抵抗１０とＮＰＮＴＲ９のベース間を抵抗１２
を介してエミッタと共に電流電圧変換回路上の０■に接
続する。この他の入力Ａ′に結ぶパッドに電圧を印加す
ると抵抗１０．１２で決まるベース電流がＮＰＮ ＴＲ
９に供給されてＯＮ状態になって入力端への電位と抵抗
１１によって決定する電流１３が流れることになる。こ
の抵抗１１の値を１４０にΩに選定すると、この回路で
はシリコン半導体基板に堆積するエピタキシャル層に形
成する電流電圧変換回路−月の入力端Ａ電位は１．４■
となるので、ＮＰＮＴＲ９を飽和すると約１０μＡの電
流が流れることになる。
入力端Ａに抵抗１１ならびにＮＰＮＴＲ９のコレクタを
、又他の入力Ａ′には抵抗１０とＮＰＮＴＲ９のベース
を、更に抵抗１０とＮＰＮＴＲ９のベース間を抵抗１２
を介してエミッタと共に電流電圧変換回路上の０■に接
続する。この他の入力Ａ′に結ぶパッドに電圧を印加す
ると抵抗１０．１２で決まるベース電流がＮＰＮ ＴＲ
９に供給されてＯＮ状態になって入力端への電位と抵抗
１１によって決定する電流１３が流れることになる。こ
の抵抗１１の値を１４０にΩに選定すると、この回路で
はシリコン半導体基板に堆積するエピタキシャル層に形
成する電流電圧変換回路−月の入力端Ａ電位は１．４■
となるので、ＮＰＮＴＲ９を飽和すると約１０μＡの電
流が流れることになる。
４一
つまり他の入力端Ａ′に接続するパッドに電圧を印加す
ることによって１０μＡ程度の微小電流を制御できるこ
とになり、抵抗１１の値を更に大きく選定すれば更に微
小な電流を制御し得る。
ることによって１０μＡ程度の微小電流を制御できるこ
とになり、抵抗１１の値を更に大きく選定すれば更に微
小な電流を制御し得る。
更に前記パッドに印加する電圧を適宜選定すると電流１
３を更に微細に制御できるので、交流信号の供給も可能
となり、又この回路ではＮＰＮＴＲ９のベースは抵抗１
０を介してエミッタに接続されているので前記パッドを
開放するとＮＰＮＴＲ９は完全にオフしてこの付設回路
は主たる電流電圧変換回路の動作に影響を及ぼすことは
ない。
３を更に微細に制御できるので、交流信号の供給も可能
となり、又この回路ではＮＰＮＴＲ９のベースは抵抗１
０を介してエミッタに接続されているので前記パッドを
開放するとＮＰＮＴＲ９は完全にオフしてこの付設回路
は主たる電流電圧変換回路の動作に影響を及ぼすことは
ない。
この付設回路は電流電圧変換回路より引込む形式である
が、第２図には逆に電流電圧回路に電流を流すことも可
能となる。即ち、ＮＰＮ ＴＨに代えてＰＮＰ ＴＲ１
３のベースを入力端Ａに接続する抵抗１４に結び、その
エミッタは、この抵抗に接続する抵抗１５と結ぶ。又第
１図で説明したパッドに接続する他の入力端Ａ′はＰＮ
Ｐ ＴＲ１３のコレクタに結ぶ抵抗１６に連結して点線
で囲む付設回路を構成する。
が、第２図には逆に電流電圧回路に電流を流すことも可
能となる。即ち、ＮＰＮ ＴＨに代えてＰＮＰ ＴＲ１
３のベースを入力端Ａに接続する抵抗１４に結び、その
エミッタは、この抵抗に接続する抵抗１５と結ぶ。又第
１図で説明したパッドに接続する他の入力端Ａ′はＰＮ
Ｐ ＴＲ１３のコレクタに結ぶ抵抗１６に連結して点線
で囲む付設回路を構成する。
第３図に示す前記電流電圧変換回路上にかえて、オペア
ンプの入力電流をＲｆの比で出力する回路にも前記付設
回路は適用可能である。
ンプの入力電流をＲｆの比で出力する回路にも前記付設
回路は適用可能である。
前記付設回路の複数個を並列に接続し、電流を決める抵
抗１１（第１図）を各々の回路毎に選定しておくと、ど
の回路に電圧を印加するかによって複数の電流値による
試験が可能になる。
抗１１（第１図）を各々の回路毎に選定しておくと、ど
の回路に電圧を印加するかによって複数の電流値による
試験が可能になる。
このように本発明に係る電流電圧変換回路はその特性試
験を接触針と半導体基板間の浮遊容量等に影響されずに
測定即ち１μＡ以下の微小電流による試験が可能となり
、更に本来の特性には影響を与える恐れは全くない。
験を接触針と半導体基板間の浮遊容量等に影響されずに
測定即ち１μＡ以下の微小電流による試験が可能となり
、更に本来の特性には影響を与える恐れは全くない。
第１図乃至第３図は本発明に係る実施例を示す回路図第
４図は従来の回路図第５図は測定時の状態を示す斜視図
である。
４図は従来の回路図第５図は測定時の状態を示す斜視図
である。
Claims (1)
- 複数の小信号トランジスタ及び抵抗で入力信号が１μＡ
以下の微小電流を変換して出力電圧を得る電流電圧変換
回路において、この入力とは別の入力に印加する電圧に
よって微小電流を附勢する回路を付設することを特徴と
する電流電圧変換回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62040018A JPS63208313A (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 電流電圧変換回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62040018A JPS63208313A (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 電流電圧変換回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63208313A true JPS63208313A (ja) | 1988-08-29 |
Family
ID=12569166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62040018A Pending JPS63208313A (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 電流電圧変換回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63208313A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013247395A (ja) * | 2012-05-23 | 2013-12-09 | Sharp Corp | 電荷供給装置、チャージアンプ、チャージアンプ検査システム、センサシステム、および通信システム |
-
1987
- 1987-02-25 JP JP62040018A patent/JPS63208313A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013247395A (ja) * | 2012-05-23 | 2013-12-09 | Sharp Corp | 電荷供給装置、チャージアンプ、チャージアンプ検査システム、センサシステム、および通信システム |
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