JPH02166748A - 温度検査回路 - Google Patents
温度検査回路Info
- Publication number
- JPH02166748A JPH02166748A JP63322505A JP32250588A JPH02166748A JP H02166748 A JPH02166748 A JP H02166748A JP 63322505 A JP63322505 A JP 63322505A JP 32250588 A JP32250588 A JP 32250588A JP H02166748 A JPH02166748 A JP H02166748A
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- JP
- Japan
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- circuit
- pad
- temperature
- input
- unused
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- Pending
Links
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 4
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、温度検査回路、特にゲートアレイ型半導体集
積回路の温度検査回路に関する。
積回路の温度検査回路に関する。
従来、集積回路チップ（以下、工Ｃチップと略記する）
に設けられる温度検査回路は、ＩＣチップの周縁部に形
成されたパッドおよび入出力回路の前段に設けられた入
力保護素子により構成されていた。
に設けられる温度検査回路は、ＩＣチップの周縁部に形
成されたパッドおよび入出力回路の前段に設けられた入
力保護素子により構成されていた。
第４図に従来の温度検査回路の平面図を模式的に示す。
従来の温度検査回路は、通常他の集積回路として使用さ
れているパッドおよび入力保護回路を利用している。す
なわち、ボンディングパッド２には、ボンディングワイ
ヤ５がボンディングされ、このパッド２は入出力回路３
の前段に設けられた入力保護回路に接４続される。この
とき、ボンディングパッド２から入力保護回路の拡散抵
抗１３までは、たとえば多結晶シリコン等の配線１１が
施される。この配線１１はコンタクトホール１２を介し
てたとえば、Ｐ型基板表層にＮ＋型不純物を拡散して設
けられた拡散抵抗層１３の一端に接続サレ、その他端は
、コンタクトホール１４を介して内部回路３へ結線され
る配線１５に接続される。
れているパッドおよび入力保護回路を利用している。す
なわち、ボンディングパッド２には、ボンディングワイ
ヤ５がボンディングされ、このパッド２は入出力回路３
の前段に設けられた入力保護回路に接４続される。この
とき、ボンディングパッド２から入力保護回路の拡散抵
抗１３までは、たとえば多結晶シリコン等の配線１１が
施される。この配線１１はコンタクトホール１２を介し
てたとえば、Ｐ型基板表層にＮ＋型不純物を拡散して設
けられた拡散抵抗層１３の一端に接続サレ、その他端は
、コンタクトホール１４を介して内部回路３へ結線され
る配線１５に接続される。
また、Ｎ＋型拡散抵抗層１３には、必要に応じて、Ｐ＋
型不純物による拡散領域１６が重ねて設けられ、このＰ
”Ｎ＋接合によりダイオードを形成している。このＰ＋
型拡散領域１６は、入力保護回路の周囲に設けられたガ
ードリング領域１７とともにコンタクトホール１８．ス
ルーホール１９を介して接地（ＧＮＤ）配線２１に接続
される。
型不純物による拡散領域１６が重ねて設けられ、このＰ
”Ｎ＋接合によりダイオードを形成している。このＰ＋
型拡散領域１６は、入力保護回路の周囲に設けられたガ
ードリング領域１７とともにコンタクトホール１８．ス
ルーホール１９を介して接地（ＧＮＤ）配線２１に接続
される。
この構成の等価回路を第５図に示す。ボンディングパッ
ド２は多結晶シリコン配線１１の抵抗１１′を介して入
力保護回路２０中の拡散抵抗１３の一端に接続される。
ド２は多結晶シリコン配線１１の抵抗１１′を介して入
力保護回路２０中の拡散抵抗１３の一端に接続される。
その他端は配線１５を介して、入出力回路３へ接続され
る。拡散抵抗１３には、ＧＮＤとの間にダイオード２１
が形成されている。
る。拡散抵抗１３には、ＧＮＤとの間にダイオード２１
が形成されている。
このような構成において、ＩＣチップ１が動作していな
い状態で周囲温度を変化させ、ＧＮＤからダイオード２
１．拡散抵抗１３．配線抵抗１１′を介してパッド２に
流れる電流値を測定する。この電流値に対応する電圧値
Ｖ、と温度とのグラフをあらかじめ作成しておき、内外
部トランジスタ回路が動作して自己発熱する状態での電
圧値Ｖ。
い状態で周囲温度を変化させ、ＧＮＤからダイオード２
１．拡散抵抗１３．配線抵抗１１′を介してパッド２に
流れる電流値を測定する。この電流値に対応する電圧値
Ｖ、と温度とのグラフをあらかじめ作成しておき、内外
部トランジスタ回路が動作して自己発熱する状態での電
圧値Ｖ。
を測定し、前記作成したグラフよりＩＣチップの温度を
知る。そのため第４図においてパッド２がら入出力回路
３を介して信号が内部回路へ入力あるいは出力されてい
る場合、出力回路３の動作を停止してから電圧値ｖＦを
測定していた。
知る。そのため第４図においてパッド２がら入出力回路
３を介して信号が内部回路へ入力あるいは出力されてい
る場合、出力回路３の動作を停止してから電圧値ｖＦを
測定していた。
従来の温度測定回路では入力保護回路を利用しているた
めＩＣチップ端の温度に左右され、内部回路用トランジ
スタの温度、特にＰＮ接合部で発生する熱の正確な温度
測定が出来なかった。
めＩＣチップ端の温度に左右され、内部回路用トランジ
スタの温度、特にＰＮ接合部で発生する熱の正確な温度
測定が出来なかった。
又、前記入力バッファの動作を停止させてから測定する
ので動作している時のジャンクション温度と誤差が生じ
るという欠点がある。
ので動作している時のジャンクション温度と誤差が生じ
るという欠点がある。
本発明の目的は、以上の欠点を解決し、温度検査回路を
内部回路用トランジスタで形成することでＩＣチップ内
部の正確なジャンクション温度を内外部トランジスタ回
路の動作、停止にかかわらず測定することが可能な温度
測定回路を提供することにある。
内部回路用トランジスタで形成することでＩＣチップ内
部の正確なジャンクション温度を内外部トランジスタ回
路の動作、停止にかかわらず測定することが可能な温度
測定回路を提供することにある。
本発明の温度検査回路は、ゲートアレイ型半導体集積回
路において、未使用の内部セル中のトランジスタのゲー
ト電極の一端を接地電位に接続し、他端を未使用のパッ
ドに接続し、温度検査回路への測定用パッドとしたこと
でチップ内部の正確なジャンクション温度を内外部トラ
ンジスタの動作、停止にかかわらず測定を可能にしたも
のである。
路において、未使用の内部セル中のトランジスタのゲー
ト電極の一端を接地電位に接続し、他端を未使用のパッ
ドに接続し、温度検査回路への測定用パッドとしたこと
でチップ内部の正確なジャンクション温度を内外部トラ
ンジスタの動作、停止にかかわらず測定を可能にしたも
のである。
以下、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の構成を示す平面図である。
第１図において温度検査回路は、ＩＣチップ１の周縁部
に設けられたパッド２，２′及び入出力回路３用トラン
ジスタ群及び内部回路４用トランジスタ群のうち、実用
製品回路で未使用となり、ボンディングワイヤ５のポン
ディングされていないパッド２′と、同様に未使用の入
出力回路３′および内部セル４′とを結線して構成され
る。
に設けられたパッド２，２′及び入出力回路３用トラン
ジスタ群及び内部回路４用トランジスタ群のうち、実用
製品回路で未使用となり、ボンディングワイヤ５のポン
ディングされていないパッド２′と、同様に未使用の入
出力回路３′および内部セル４′とを結線して構成され
る。
第２図は第１図の具体例であり、パッド２′から未使用
の内部回路４′のトランジスタまでは、未使用の入出力
回路３′中の間隙部と内部回路中を介してバターニング
された配線６により接続される。配線６はコンタクトホ
ール７を介して、多結晶シリコンにより構成されるゲー
ト電極８の一端に接続され、その他端はコンタクトホー
ル９を介して、接地（ＧＮＤ）配線１０に接続されてい
る。ここで入出力回路３′中の配線６は、回路３′中の
各トランジスタが作動しないように、周囲の間隙部等を
通して配線される。この温度検査回路の等価回路を第３
図に示す。パッド２′は入出力回路３′を介して設けら
れた配線６により内部セル４′に接続され、セル４′中
のゲート電極８の抵抗８′の一端に接続され、その他端
は、ＧＮＤ配線１０を介して接地されている。このよう
な回路によりパッド２′から、配線６、ゲート電極８、
配線１０を介してＧＮＤに流れる電流を周囲温度を変化
させながら測定し、抵抗８′に流れる電流値とジャンク
ション温度との特性グラフをあらかじめ作成しておく。
の内部回路４′のトランジスタまでは、未使用の入出力
回路３′中の間隙部と内部回路中を介してバターニング
された配線６により接続される。配線６はコンタクトホ
ール７を介して、多結晶シリコンにより構成されるゲー
ト電極８の一端に接続され、その他端はコンタクトホー
ル９を介して、接地（ＧＮＤ）配線１０に接続されてい
る。ここで入出力回路３′中の配線６は、回路３′中の
各トランジスタが作動しないように、周囲の間隙部等を
通して配線される。この温度検査回路の等価回路を第３
図に示す。パッド２′は入出力回路３′を介して設けら
れた配線６により内部セル４′に接続され、セル４′中
のゲート電極８の抵抗８′の一端に接続され、その他端
は、ＧＮＤ配線１０を介して接地されている。このよう
な回路によりパッド２′から、配線６、ゲート電極８、
配線１０を介してＧＮＤに流れる電流を周囲温度を変化
させながら測定し、抵抗８′に流れる電流値とジャンク
ション温度との特性グラフをあらかじめ作成しておく。
内外部トランジスタ回路が動作して自己発熱のある状態
で抵抗８′を流れる電流を測定し、作成したグラフより
ジャンクション温度を知ることができる。
で抵抗８′を流れる電流を測定し、作成したグラフより
ジャンクション温度を知ることができる。
以上の説明で明らかな如く、本発明の温度検査回路によ
れば実用製品用の未使用のパッドを利用してＩＣチップ
内部のジャンクション温度を正確に測定することができ
る。
れば実用製品用の未使用のパッドを利用してＩＣチップ
内部のジャンクション温度を正確に測定することができ
る。
・・・・・内部回路、５・・・・・ボンディングワイヤ
、６゜１５・・・・・・配線、７，９，１２，１４．１
８・・・・・・コンタクトホール、８・・・・・・ゲー
ト電極、８′・・・・・・ゲート電極抵抗、１．０．２
１・・・・・・接地（ＧＮＤ）配線、１１・・・“・・
・多結晶シリコン配線、１１′・・・・・・多結晶シリ
コン配線の抵抗、１３・・・・・・拡散抵抗、１６・・
・・・・不純物拡散領域、１７・・・・・・ガードリン
グ領域、１９・・・・・・スルーホール、２０・・・・
・・入力保護回路。
、６゜１５・・・・・・配線、７，９，１２，１４．１
８・・・・・・コンタクトホール、８・・・・・・ゲー
ト電極、８′・・・・・・ゲート電極抵抗、１．０．２
１・・・・・・接地（ＧＮＤ）配線、１１・・・“・・
・多結晶シリコン配線、１１′・・・・・・多結晶シリ
コン配線の抵抗、１３・・・・・・拡散抵抗、１６・・
・・・・不純物拡散領域、１７・・・・・・ガードリン
グ領域、１９・・・・・・スルーホール、２０・・・・
・・入力保護回路。
代理人 弁理士 内 原 晋
第１図は、本発明の一実施例の構成を示す平面図、第２
図は第１図の構成による温度検査回路の具体例を示す平
面図、第３図は第２図の等価回路図、第４図は従来の温
度検査回路の構成による温度検査回路の平面図、第５図
は第４図の等価回路図である。 １・・・・・・集積回路チップ、２，２′・・・・・・
ボンディングパッド、３，３′・・・・・入出力回路、
４，４′第１図 第２図 第３ 図− 筋４図
図は第１図の構成による温度検査回路の具体例を示す平
面図、第３図は第２図の等価回路図、第４図は従来の温
度検査回路の構成による温度検査回路の平面図、第５図
は第４図の等価回路図である。 １・・・・・・集積回路チップ、２，２′・・・・・・
ボンディングパッド、３，３′・・・・・入出力回路、
４，４′第１図 第２図 第３ 図− 筋４図
Claims (1)
- 半導体主面上に内部回路用トランジスタ群、入出力回路
用トランジスタ群およびボンディングパッドが予め形成
されたゲートアレイ型半導体集積回路において、前記内
部回路用トランジスタ群のうち、未使用となる内部回路
用トランジスタのゲート電極の一端に前記ボンディング
パッドのうち未使用となるボンディングパッドが接続さ
れ、前記ゲート電極の他端が所定電位電源に接続される
ことを特徴とする温度検査回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322505A JPH02166748A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 温度検査回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322505A JPH02166748A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 温度検査回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02166748A true JPH02166748A (ja) | 1990-06-27 |
Family
ID=18144401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63322505A Pending JPH02166748A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 温度検査回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02166748A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0474438U (ja) * | 1990-11-09 | 1992-06-30 | ||
| JP2000298156A (ja) * | 1999-04-14 | 2000-10-24 | Nec Corp | 半導体装置の検査方法 |
-
1988
- 1988-12-20 JP JP63322505A patent/JPH02166748A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0474438U (ja) * | 1990-11-09 | 1992-06-30 | ||
| JP2000298156A (ja) * | 1999-04-14 | 2000-10-24 | Nec Corp | 半導体装置の検査方法 |
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