JPH02302634A - 半導体集積回路の温度センサ - Google Patents
半導体集積回路の温度センサInfo
- Publication number
- JPH02302634A JPH02302634A JP12341289A JP12341289A JPH02302634A JP H02302634 A JPH02302634 A JP H02302634A JP 12341289 A JP12341289 A JP 12341289A JP 12341289 A JP12341289 A JP 12341289A JP H02302634 A JPH02302634 A JP H02302634A
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- Japan
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- temperature
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- wirings
- chip
- temperature sensor
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- Pending
Links
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
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Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要コ
過剰な発熱を防止するための温度センサを備えた半導体
集積回路に関し、 温度被測定部の温度を正確に測定することを目的とし、 熱゛セ対を構成する異種金属の一端をチップ内若しくは
チップ外の温度被測定部で接合し、該異種金属の他端は
チップ内の温度検出回路に接続して構成する。
集積回路に関し、 温度被測定部の温度を正確に測定することを目的とし、 熱゛セ対を構成する異種金属の一端をチップ内若しくは
チップ外の温度被測定部で接合し、該異種金属の他端は
チップ内の温度検出回路に接続して構成する。
［産業上の利用分野］
この発明は過剰な発熱を防止するための温度センサを備
えた半導体集積回路に関するものである。
えた半導体集積回路に関するものである。
パワーＩＣ等の発熱部を有する半導体集積回路では、そ
の発熱部の温度を検出してその過熱による回路の破壊を
防止する温度保護機能を備えている。
の発熱部の温度を検出してその過熱による回路の破壊を
防止する温度保護機能を備えている。
［従来の技術］
従来、濃度保護機能を備えたパワーＩＣではパワートラ
ンジスタが形成されている発熱部の周囲に温度センサと
してＰＮ接合部あるいは抵抗等を配置し、１度変化によ
るＰＮ接合部の拡散電位差あるいは抵抗値の変化を温度
検出回路により発熱部の温度変化として検出し、その検
出温度に基いてパワートランジスタの駆動回路を制御し
て発熱部からの発熱を抑制するように動作させている。
ンジスタが形成されている発熱部の周囲に温度センサと
してＰＮ接合部あるいは抵抗等を配置し、１度変化によ
るＰＮ接合部の拡散電位差あるいは抵抗値の変化を温度
検出回路により発熱部の温度変化として検出し、その検
出温度に基いてパワートランジスタの駆動回路を制御し
て発熱部からの発熱を抑制するように動作させている。
［発明が解決しようとする課題］
ところが、上記のような温度センサではＰＮ接合部ある
いは抵抗等の配置位置が発熱部であるパワートランジス
タの周囲に限定されるため、多数のパワートランジスタ
が集合して形成されて発熱部の面積が大きくなると、発
熱部中央の温度を正確に応答性よく測定することができ
ない。従って、発熱部中央の実際の温度と湿度センサに
よる検出温度とにズレが生じ、温度保護機能が正常に動
作しないおそれがあるという問題点があった。
いは抵抗等の配置位置が発熱部であるパワートランジス
タの周囲に限定されるため、多数のパワートランジスタ
が集合して形成されて発熱部の面積が大きくなると、発
熱部中央の温度を正確に応答性よく測定することができ
ない。従って、発熱部中央の実際の温度と湿度センサに
よる検出温度とにズレが生じ、温度保護機能が正常に動
作しないおそれがあるという問題点があった。
この発明の目的は、温度被測定部の温度を正確に測定可
能とする半導体集積回路の温度センサを提供するにある
。
能とする半導体集積回路の温度センサを提供するにある
。
［ｉ！題を解決するための手段］
第１図は本発明の原理説明図である。すなわち、熱電対
を構成する異種金属２１．２２の一端はチップ１内若し
くはチップ１外の温度被測定部２３で接合され、該異種
金属２１．２２の他端はチップ１内の温度検出回路１１
に接続されている。
を構成する異種金属２１．２２の一端はチップ１内若し
くはチップ１外の温度被測定部２３で接合され、該異種
金属２１．２２の他端はチップ１内の温度検出回路１１
に接続されている。
［作用］
異種金属２１．２２の一端が温度被測定部２３で接合さ
れ、その温度被測定部２３の温度が異種金属２１．２２
のゼーベック効果に基いて温度検出回路１１で検出され
る。
れ、その温度被測定部２３の温度が異種金属２１．２２
のゼーベック効果に基いて温度検出回路１１で検出され
る。
［実施例］
以下、この発明を具体化した第一の実施例を第２図及び
第３図に従って説明すると、第２図に示すパワーＩＣの
チップ１の一側には多数の出力用パワートランジスタ２
が設けられた発熱部３が形成され、そのパワートランジ
スタ２は駆動回路４で駆動される。発熱部３上の配線層
には例えばアルメルとクロメルのように．熱電対を構成
する異種金属にてなる第一の配線５と第二の配線６の先
端部が接合されて温度センサが構成されている。
第３図に従って説明すると、第２図に示すパワーＩＣの
チップ１の一側には多数の出力用パワートランジスタ２
が設けられた発熱部３が形成され、そのパワートランジ
スタ２は駆動回路４で駆動される。発熱部３上の配線層
には例えばアルメルとクロメルのように．熱電対を構成
する異種金属にてなる第一の配線５と第二の配線６の先
端部が接合されて温度センサが構成されている。
すなわち、第３図に示すようにパワートランジスタ２が
形成されたチップ基板１ａ上にはその配線工程の際に絶
縁膜７を介して第一の配線５が形成され、その第一の配
線５上に絶縁膜８を介して第二の配［１６が形成され、
両配［１５，６がその先端部で絶縁膜８に形成されたス
ルーホール９により接点１０で接続されている。そして
、第−及び第二の配線５．６の基端は温度検出回路１１
に接続され、両配線５．６のゼーベック効果によりその
基端間に発生する起電力が同温度検出回路１１で検出さ
れるとともに、その起電力が一定値以上となったときに
は温度検出回路１１は駆動回路４に信号を出力してパワ
ートランジスタ２からの出力電流を低減してその発熱を
抑制するように動作する。
形成されたチップ基板１ａ上にはその配線工程の際に絶
縁膜７を介して第一の配線５が形成され、その第一の配
線５上に絶縁膜８を介して第二の配［１６が形成され、
両配［１５，６がその先端部で絶縁膜８に形成されたス
ルーホール９により接点１０で接続されている。そして
、第−及び第二の配線５．６の基端は温度検出回路１１
に接続され、両配線５．６のゼーベック効果によりその
基端間に発生する起電力が同温度検出回路１１で検出さ
れるとともに、その起電力が一定値以上となったときに
は温度検出回路１１は駆動回路４に信号を出力してパワ
ートランジスタ２からの出力電流を低減してその発熱を
抑制するように動作する。
さて、このように構成された温度センサでは多数のパワ
ートランジスタ２が形成された温度被測定部としての発
熱部３上の配線層に第−及び第二の配置１５．６の接点
１０が配置され、ぜ−ベツク効果によりその接点１０と
両配線５．６の基端部との温度差に基いて発生する起電
力を温度検出回路１１で検出するので、発熱部３の温度
を正確にかつ応答性よく検出することができる。そして
、その検出温度に基いて駆動回路４を制御してパワート
ランジスタ２の異常発熱を抑制することができるので、
異常発熱によるチップ１内の回路の破壌を未然に防止す
ることができる。
ートランジスタ２が形成された温度被測定部としての発
熱部３上の配線層に第−及び第二の配置１５．６の接点
１０が配置され、ぜ−ベツク効果によりその接点１０と
両配線５．６の基端部との温度差に基いて発生する起電
力を温度検出回路１１で検出するので、発熱部３の温度
を正確にかつ応答性よく検出することができる。そして
、その検出温度に基いて駆動回路４を制御してパワート
ランジスタ２の異常発熱を抑制することができるので、
異常発熱によるチップ１内の回路の破壌を未然に防止す
ることができる。
また、この発明は次に示す態様で実施することもできる
。
。
イ）第４図に示すように、チップ１が実装されるととも
に放熱板１６とリードビン１３とを固定支持しているパ
ッケージ１２において、そのリードビン１３上で前記異
種金属で構成される第一のボンディングワイヤ１４と第
二のボンディングワイヤ１５の先端を接続し、両ボンデ
ィングワイヤ１４．１５の基端をチップ１内の温度検出
回路１１に接続すること。このような構成により温度被
測定部である特定のリードビン１３の異常発熱を抑制す
るようにチップ１内のパワートランジスタを動作させる
ことができる。
に放熱板１６とリードビン１３とを固定支持しているパ
ッケージ１２において、そのリードビン１３上で前記異
種金属で構成される第一のボンディングワイヤ１４と第
二のボンディングワイヤ１５の先端を接続し、両ボンデ
ィングワイヤ１４．１５の基端をチップ１内の温度検出
回路１１に接続すること。このような構成により温度被
測定部である特定のリードビン１３の異常発熱を抑制す
るようにチップ１内のパワートランジスタを動作させる
ことができる。
口）第５図に示すように、パッケージ１２に取着された
温度被測定部としての放熱板１６上で前記第−及び第二
のボンディングワイヤ１４．１５の先端を接合し、両ボ
ンディングワイヤ１４．１５の基端をチップ１内の温度
検出回路１１に接続すること。このような構成により放
熱板の異常発熱を抑制するようにチップ１内のパワート
ランジスタを動作させることができる。
温度被測定部としての放熱板１６上で前記第−及び第二
のボンディングワイヤ１４．１５の先端を接合し、両ボ
ンディングワイヤ１４．１５の基端をチップ１内の温度
検出回路１１に接続すること。このような構成により放
熱板の異常発熱を抑制するようにチップ１内のパワート
ランジスタを動作させることができる。
ハ）第６図に示すように、ハイブリットＩＣの実装基板
１７上において抵抗等の発熱体１８が取着された温度被
測定部としての放熱板１９上に前記第−及び第二のボン
ディングワイヤ１４．１５の先端を接合し、両ボンディ
ングワイヤ１４．１５の基端をチップ１内の温度検出回
路１１に接続すること。このような構成により放熱板１
９の発熱状態に基いてチップ１内の回路を動作させるこ
とができる。
１７上において抵抗等の発熱体１８が取着された温度被
測定部としての放熱板１９上に前記第−及び第二のボン
ディングワイヤ１４．１５の先端を接合し、両ボンディ
ングワイヤ１４．１５の基端をチップ１内の温度検出回
路１１に接続すること。このような構成により放熱板１
９の発熱状態に基いてチップ１内の回路を動作させるこ
とができる。
［発明の効果１
以上詳述したように、この発明は発熱部中央の温度を正
確に測定可能とする半導体集積回路の温度センサを提供
することができる優れた効果を発揮する。
確に測定可能とする半導体集積回路の温度センサを提供
することができる優れた効果を発揮する。
第１図は本発明の原理説明図、
第２図は本発明の実施例を示す概念図、第３図はその異
種金属の接点を示す断面図、第４図〜第６図はこの発明
の別の実施例を示す概念図である。 図中、 １はチップ、 １１は温度検出回路、 ２１．２２は異種金属、 ２３は温度被測定部である。 第１図 本発明の原理説明図 第２図 本発明の実態例の概念図 第３図 異種金属の接点を示す断面図
種金属の接点を示す断面図、第４図〜第６図はこの発明
の別の実施例を示す概念図である。 図中、 １はチップ、 １１は温度検出回路、 ２１．２２は異種金属、 ２３は温度被測定部である。 第１図 本発明の原理説明図 第２図 本発明の実態例の概念図 第３図 異種金属の接点を示す断面図
Claims (1)
- １．熱電対を構成する異種金属（２１，２２）の一端を
チップ（１）内若しくはチップ（１）外の温度被測定部
（２３）で接合し、該異種金属（２１，２２）の他端は
チップ（１）内の温度検出回路（１１）に接続したこと
を特徴とする半導体集積回路の温度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12341289A JPH02302634A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 半導体集積回路の温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12341289A JPH02302634A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 半導体集積回路の温度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02302634A true JPH02302634A (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=14859918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12341289A Pending JPH02302634A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | 半導体集積回路の温度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02302634A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030031297A (ko) * | 2001-10-13 | 2003-04-21 | 엘지전자 주식회사 | 제벡 효과를 이용한 이동 통신 단말기의 온도 감지 장치 |
| KR100434237B1 (ko) * | 2001-11-26 | 2004-06-04 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 반도체 집적회로의 열검출 차단 회로 |
| JP2008203600A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Ricoh Co Ltd | 現像装置、画像形成装置 |
| JP2009293986A (ja) * | 2008-06-03 | 2009-12-17 | Denso Corp | 半導体装置 |
| EP2302673A3 (de) * | 2009-09-28 | 2016-05-25 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Halbleiteranordnung und Verfahren zur Ermittlung der Sperrschichttemperatur eines Halbleiterbauelements |
| WO2023167000A1 (ja) * | 2022-03-02 | 2023-09-07 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| WO2024122399A1 (ja) * | 2022-12-07 | 2024-06-13 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| WO2024122343A1 (ja) * | 2022-12-07 | 2024-06-13 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-05-17 JP JP12341289A patent/JPH02302634A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030031297A (ko) * | 2001-10-13 | 2003-04-21 | 엘지전자 주식회사 | 제벡 효과를 이용한 이동 통신 단말기의 온도 감지 장치 |
| KR100434237B1 (ko) * | 2001-11-26 | 2004-06-04 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 반도체 집적회로의 열검출 차단 회로 |
| JP2008203600A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Ricoh Co Ltd | 現像装置、画像形成装置 |
| JP2009293986A (ja) * | 2008-06-03 | 2009-12-17 | Denso Corp | 半導体装置 |
| EP2302673A3 (de) * | 2009-09-28 | 2016-05-25 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Halbleiteranordnung und Verfahren zur Ermittlung der Sperrschichttemperatur eines Halbleiterbauelements |
| WO2023167000A1 (ja) * | 2022-03-02 | 2023-09-07 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| WO2024122399A1 (ja) * | 2022-12-07 | 2024-06-13 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| WO2024122343A1 (ja) * | 2022-12-07 | 2024-06-13 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
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