JPS5836014A - 電子インピ−ダンス装置 - Google Patents
電子インピ−ダンス装置Info
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- JPS5836014A JPS5836014A JP56134006A JP13400681A JPS5836014A JP S5836014 A JPS5836014 A JP S5836014A JP 56134006 A JP56134006 A JP 56134006A JP 13400681 A JP13400681 A JP 13400681A JP S5836014 A JPS5836014 A JP S5836014A
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- transistor
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45479—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/46—One-port networks
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電流帰還型の電子インピーダンス装置に関す
る。
る。
電流帰還型の電子インピーダンス装置としては、例えば
特開昭５２−１１６０５号公報にて公知になされたもの
がある。この装置は、差動増巾回路からなる電圧−電流
変換器と、この電圧−電流変換器の出力の変化分を検出
して上記電圧−電流変換器に出力信号を帰還するように
した可変利得電流増巾器とをそれぞれ具備する装置であ
る。そして、入力端子からみた入力インピーダンスは、
前記可変電流増巾器の利得を制御して可変し得ろように
なされている。
特開昭５２−１１６０５号公報にて公知になされたもの
がある。この装置は、差動増巾回路からなる電圧−電流
変換器と、この電圧−電流変換器の出力の変化分を検出
して上記電圧−電流変換器に出力信号を帰還するように
した可変利得電流増巾器とをそれぞれ具備する装置であ
る。そして、入力端子からみた入力インピーダンスは、
前記可変電流増巾器の利得を制御して可変し得ろように
なされている。
ところで、前述の如く構成された従来の電子インピーダ
ンス装置につき１本願発明者等が検討した結果、以下に
述べるような欠陥が判明した。即ち、入力インピーダン
スを制御するための可変利得電流増巾器ｔ器の制御電流
が数μへ程度の非常に小さな値であった時、電圧−電流
変換器のトランジスタのベース電流が上記微小制御電流
に対して無視できな（なり電圧−電流変換器の入力直流
電圧に直流オフセットが生じる。
ンス装置につき１本願発明者等が検討した結果、以下に
述べるような欠陥が判明した。即ち、入力インピーダン
スを制御するための可変利得電流増巾器ｔ器の制御電流
が数μへ程度の非常に小さな値であった時、電圧−電流
変換器のトランジスタのベース電流が上記微小制御電流
に対して無視できな（なり電圧−電流変換器の入力直流
電圧に直流オフセットが生じる。
このような電子インピーダンス装置の信号を直流増巾器
によって増巾すると直流増巾器の出力には極めて大きな
直流オフセットが呈じる。
によって増巾すると直流増巾器の出力には極めて大きな
直流オフセットが呈じる。
本発明は、上述の如き実状からなさｎたものであって、
その目的とするところは、直流オフセットが低減された
電子インピーダンス装置を提供すろことである。
その目的とするところは、直流オフセットが低減された
電子インピーダンス装置を提供すろことである。
次に本発明な適用した電子インピーダンス装置の第１の
実施例を第１図に付き説明する。
実施例を第１図に付き説明する。
先ず５回路構成について述べると、集積回路ＩＣ内にト
ランジスタＱ＋ ｓ Ｑｌ ｓ半導体拡散抵抗ＲＩ。
ランジスタＱ＋ ｓ Ｑｌ ｓ半導体拡散抵抗ＲＩ。
Ｒ１によって差動増巾回路の形態の電圧−電流変換器ｌ
Ｏが構成されている。また、電圧−電流変換器２０のダ
イオードＤ１ 、Ｄ、によって上記差動増巾回路１０の
出力電流の変化が検出されるとともに、トランジスタＱ
３ 、Ｑ４ 、Ｑ６ 、Ｑ６によってトランジスタＱ、
のベースに電流帰還がなされるように構成されている。
Ｏが構成されている。また、電圧−電流変換器２０のダ
イオードＤ１ 、Ｄ、によって上記差動増巾回路１０の
出力電流の変化が検出されるとともに、トランジスタＱ
３ 、Ｑ４ 、Ｑ６ 、Ｑ６によってトランジスタＱ、
のベースに電流帰還がなされるように構成されている。
更Ｋ、本発明の技術思想に従って、バイアス電圧を設定
するトランジスタＱ１、差動増巾回路１０の電流１゜を
規定するトランジスタＱａ 、Ｑｏ、オフセット補償
用のトランジスタＱ＋ｏｓＱ＋＋が設けらｎ、”’ｃい
る。なお、半導体拡散抵抗Ｒ，，，Ｒ。
するトランジスタＱ１、差動増巾回路１０の電流１゜を
規定するトランジスタＱａ 、Ｑｏ、オフセット補償
用のトランジスタＱ＋ｏｓＱ＋＋が設けらｎ、”’ｃい
る。なお、半導体拡散抵抗Ｒ，，，Ｒ。
の抵抗値についてみると、Ｒ１１＝２ｆｔ、になされ、
電流工。と１１ との電流値はＩ。＝２１１になされて
いる。
電流工。と１１ との電流値はＩ。＝２１１になされて
いる。
次に、前述の如く構成さ扛た電子インピーダンス装置の
回路動作について述べる。
回路動作について述べる。
３番端子に電源電圧ｖｃｃが供給さ扛ると、１番端子に
ほぼ１／２Ｖ の基準電圧Ｖ□、が得られＣ る。そして、２番端子に入力信号電流が供給さｎると、
トランジスタＱｔ 、’Ｑ、のコレクタ・工くツタ径
路を流する電流が変化し、この変化分はダイオード０．
、Ｄ、の順方向電圧によってトランジスタＱ８ 、Ｑ
４によって検出される。この結果、トランジスタＱ＝＝
Ｑ４ のコレクタ・工ばツタ径路を流ｎる電流が変化す
ると、その変化分はトランジスタＱＩ 、Ｑ６を介して
トランジスタＱ、のベースに帰還される。
ほぼ１／２Ｖ の基準電圧Ｖ□、が得られＣ る。そして、２番端子に入力信号電流が供給さｎると、
トランジスタＱｔ 、’Ｑ、のコレクタ・工くツタ径
路を流する電流が変化し、この変化分はダイオード０．
、Ｄ、の順方向電圧によってトランジスタＱ８ 、Ｑ
４によって検出される。この結果、トランジスタＱ＝＝
Ｑ４ のコレクタ・工ばツタ径路を流ｎる電流が変化す
ると、その変化分はトランジスタＱＩ 、Ｑ６を介して
トランジスタＱ、のベースに帰還される。
ところで、２番端子の入力インピーダンスを高インピー
ダンス（ＭΩ）にするには、電流工。をｎへ〜μ人、例
えば１００．ｕＡにしなけｎばならな（・。いま仮りに
、Ｉｏが１００μ人であると丁ｎば、トランジスタＱ、
、Ｑ、のコレクタ・エイツタ径路にそｎぞれ５０μＡず
つ流れる。そして、トランジスタＱ、−Ｑｍの約２０の
ｈｆｅによって、それぞれのベースから１番端子とトラ
ンジスタＱ。
ダンス（ＭΩ）にするには、電流工。をｎへ〜μ人、例
えば１００．ｕＡにしなけｎばならな（・。いま仮りに
、Ｉｏが１００μ人であると丁ｎば、トランジスタＱ、
、Ｑ、のコレクタ・エイツタ径路にそｎぞれ５０μＡず
つ流れる。そして、トランジスタＱ、−Ｑｍの約２０の
ｈｆｅによって、それぞれのベースから１番端子とトラ
ンジスタＱ。
のコレクタとに２．５μＡが流する。従って、トランジ
スタＱ、のコレクタに他の回路より２．５μへの電流を
流すことにより、前述したベース電流をキャンセルする
ことが可能になる。
スタＱ、のコレクタに他の回路より２．５μへの電流を
流すことにより、前述したベース電流をキャンセルする
ことが可能になる。
以下、その動作を述べると、半導体拡散抵抗ａ８゜トラ
ンジスタＱ１．定電流回路Ｃ８によって、トランジスタ
Ｑａ ＋ Ｑｓ ＋ Ｑ＋ｏ のバイアス電圧が
設定される。そして、半導体拡散抵抗Ｒ４，トランジス
タＱａ＝Ｑｅによって、電流■。が例えば１００ｐＡに
設定される。この際、半導体拡散抵抗”４１”ｌの抵抗
値は前述の如き関係にあるので、トランジスタＱｓｏ
＋ （Ｌ＋ を流れる電流は５０μＡに設定される。
ンジスタＱ１．定電流回路Ｃ８によって、トランジスタ
Ｑａ ＋ Ｑｓ ＋ Ｑ＋ｏ のバイアス電圧が
設定される。そして、半導体拡散抵抗Ｒ４，トランジス
タＱａ＝Ｑｅによって、電流■。が例えば１００ｐＡに
設定される。この際、半導体拡散抵抗”４１”ｌの抵抗
値は前述の如き関係にあるので、トランジスタＱｓｏ
＋ （Ｌ＋ を流れる電流は５０μＡに設定される。
従って、トランジスタＱ Ｉｔのｈｆｅをトランジスタ
Ｑ、と同一にすれば、そのベースからトランジスタＱ、
のコレクタに２．５μへの電流が流れることになる。こ
の結果、トランジスタＱ１のベース電流が見掛上キャン
セルされることになり、オフセット補償がなされる。
Ｑ、と同一にすれば、そのベースからトランジスタＱ、
のコレクタに２．５μへの電流が流れることになる。こ
の結果、トランジスタＱ１のベース電流が見掛上キャン
セルされることになり、オフセット補償がなされる。
以上に述べた回路動作は、この回路が集積回路に構成さ
れているため極めて安定した状態で行われる。即ち、集
積回路においては、トランジスタのｈｆｅ半導体拡散抵
抗等が、いわゆるバラツキのない状態で構成される。ま
た、温度変化等による半導体拡散抵抗の抵抗値の変化、
トランジスタのｈｆｅの変化も相対的に変化する。従っ
て、前述の如きオフセット補償動作が安定に行い得られ
る。
れているため極めて安定した状態で行われる。即ち、集
積回路においては、トランジスタのｈｆｅ半導体拡散抵
抗等が、いわゆるバラツキのない状態で構成される。ま
た、温度変化等による半導体拡散抵抗の抵抗値の変化、
トランジスタのｈｆｅの変化も相対的に変化する。従っ
て、前述の如きオフセット補償動作が安定に行い得られ
る。
次に１本発明の第２の実施例を第２図に付き説明する。
なお、第１の実施例と同一の動作をなす部分には同一の
符号を付し、その説明を省略する。
符号を付し、その説明を省略する。
先ず回路構成について述べると、トランジスタＱ １ｓ
によって差動増巾回路ＩＯを流れる電流■。
によって差動増巾回路ＩＯを流れる電流■。
が設定される。また、半導体拡散抵抗ＥＬａ、トランジ
スタＱ１゜によって、トランジスタＱ＋ｙ ＊ ＱＣｓ
＋Ｑ１・のバイアス電圧が設定されるようになされて
いる。更に、トランジスタＱ、。、Ｑｌ、によってトラ
ンジスタＱ１のバイアス電圧が設定され、トランジスタ
Ｑ！１ ｓＱ＋ｉによってトランジスタＱｔのバイアス
電圧が設定されるようＫなされている。
スタＱ１゜によって、トランジスタＱ＋ｙ ＊ ＱＣｓ
＋Ｑ１・のバイアス電圧が設定されるようになされて
いる。更に、トランジスタＱ、。、Ｑｌ、によってトラ
ンジスタＱ１のバイアス電圧が設定され、トランジスタ
Ｑ！１ ｓＱ＋ｉによってトランジスタＱｔのバイアス
電圧が設定されるようＫなされている。
次に回路動作を述べる。
差動」９巾回路ｌＯと電圧−電流変換回路２０とが前述
の如＜ Ｑｂ作すると、トランジスタＱ３のコレクタ・
エミッタ径路と、トランジスタＱ４のコレクタ・エミッ
タ径路とに、例えば０．５μへの電流が可変電ｂｉｖ源
Ｃ８によって流れる。これと同時に、トランジスタＱ、
。、Ｑ１７に例えばｌＯμへの電流［Ａが流れ、トラン
ジスタＱ２１ ＋ Ｑ＋ａに例えばｌＯμＡの電流ＩＢ
が流れ、更にトランジスタＱ＋＋ ｔ （Ｌｏに例えば
１０ＩＩＡの電流■。が流れる。
の如＜ Ｑｂ作すると、トランジスタＱ３のコレクタ・
エミッタ径路と、トランジスタＱ４のコレクタ・エミッ
タ径路とに、例えば０．５μへの電流が可変電ｂｉｖ源
Ｃ８によって流れる。これと同時に、トランジスタＱ、
。、Ｑ１７に例えばｌＯμへの電流［Ａが流れ、トラン
ジスタＱ２１ ＋ Ｑ＋ａに例えばｌＯμＡの電流ＩＢ
が流れ、更にトランジスタＱ＋＋ ｔ （Ｌｏに例えば
１０ＩＩＡの電流■。が流れる。
そして、トランジスタＱ８のコレクタから、トランジス
タＱｔ＋のベースに０．２μへの電流が流れ。
タＱｔ＋のベースに０．２μへの電流が流れ。
トランジスタＱ、のコレクタからトランジスタＱｕのベ
ースに０．２μ人の電流が流れる。この結果、可変電流
源Ｃ８の電流が微小な電流であって、トランジスタＱ、
のベース電流ｉｂｑ、が流れても、前述した０、２μＡ
の電流によってこれをキャンセルすることが可能になる
。従って、２番人力端子からみた入力インピーダンスの
低電流領域の特性が大巾に改善される。そして、２番人
力端子に直結にて増巾回路が接続された場合、前述の動
作とこの増巾回路に流れる電流によって前記１ｂｑ２
のキャンセルが行われ、より一層の特性改善が行われる
。また、直結にて増巾回路を接続することができるので
、集積回路化した場合のピン数を削減することもでき、
大巾なコストダウンを期待できる。
ースに０．２μ人の電流が流れる。この結果、可変電流
源Ｃ８の電流が微小な電流であって、トランジスタＱ、
のベース電流ｉｂｑ、が流れても、前述した０、２μＡ
の電流によってこれをキャンセルすることが可能になる
。従って、２番人力端子からみた入力インピーダンスの
低電流領域の特性が大巾に改善される。そして、２番人
力端子に直結にて増巾回路が接続された場合、前述の動
作とこの増巾回路に流れる電流によって前記１ｂｑ２
のキャンセルが行われ、より一層の特性改善が行われる
。また、直結にて増巾回路を接続することができるので
、集積回路化した場合のピン数を削減することもでき、
大巾なコストダウンを期待できる。
図面は本発明の実施例を示すものであって、第１図は第
１の実施例を示す電子インピーダンス装置の回路図、第
２図は第２の実施例を示す同上の回路図である。 なお１図面に用いられる符号において、１０；電圧−電
流変換器、２０：可変利得電流増巾器、Ｑ：トランジス
タ、Ｄ・・・ダイオードである。 第 １ 図 第２図 Ｃ
１の実施例を示す電子インピーダンス装置の回路図、第
２図は第２の実施例を示す同上の回路図である。 なお１図面に用いられる符号において、１０；電圧−電
流変換器、２０：可変利得電流増巾器、Ｑ：トランジス
タ、Ｄ・・・ダイオードである。 第 １ 図 第２図 Ｃ
Claims (1)
- 差動増１１回路からなる電圧−電流変換器と、この電圧
−電流変換器の出力の変化分を検出して前記電圧−電流
変換器に出力信号を帰還するようにした可変利得電流増
巾器とを夫々具備する電子インピーダンス装置において
、前記電圧−電流変換器を構成する制御素子の制御電流
を補償する補償回路を設け、この補償により入力インピ
ーダンス特性を改善するようにした電子インピーダンス
装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56134006A JPS5836014A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 電子インピ−ダンス装置 |
| KR8203169A KR900007035B1 (ko) | 1981-08-28 | 1982-07-16 | 전자임피던스장치 |
| DE19823230429 DE3230429A1 (de) | 1981-08-28 | 1982-08-16 | Elektronische impedanzschaltung |
| GB08223823A GB2107144B (en) | 1981-08-28 | 1982-08-18 | An electronic impedance circuit |
| US06/411,997 US4520282A (en) | 1981-08-28 | 1982-08-27 | Electronic impedance circuit including a compensation arrangement for d.c. offset |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56134006A JPS5836014A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 電子インピ−ダンス装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5836014A true JPS5836014A (ja) | 1983-03-02 |
| JPH0115168B2 JPH0115168B2 (ja) | 1989-03-16 |
Family
ID=15118169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56134006A Granted JPS5836014A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 電子インピ−ダンス装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4520282A (ja) |
| JP (1) | JPS5836014A (ja) |
| KR (1) | KR900007035B1 (ja) |
| DE (1) | DE3230429A1 (ja) |
| GB (1) | GB2107144B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61145920A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-03 | アドバンスト・マイクロ・デイバイシズ・インコーポレーテツド | 制御可能な実効抵抗を与えるための装置、信号濾波装置および入力信号に応答して出力周波数信号を出力するための装置 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4600847A (en) * | 1984-12-24 | 1986-07-15 | Gte Laboratories Incorporated | Predistortion equalizing circuit |
| JPS62165892A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | 株式会社東芝 | 温度検出装置 |
| DE3835499A1 (de) * | 1988-10-19 | 1990-04-26 | Philips Patentverwaltung | Schaltungsanordnung zum einstellen der amplitude eines signals |
| US5043675A (en) * | 1989-11-20 | 1991-08-27 | Analog Devices, Inc. | Difference amplifier employing input attenuator network and powered by a single polarity power supply |
| JPH0826911B2 (ja) * | 1990-02-07 | 1996-03-21 | 三菱電機株式会社 | 自動車用電磁クラツチ電流制御装置 |
| DE4320006C2 (de) * | 1993-06-17 | 1997-08-28 | Telefunken Microelectron | Schaltungsanordnung zur elektronischen Nachbildung von Arbeitswiderständen |
| US5359235A (en) * | 1993-06-18 | 1994-10-25 | Digital Equipment Corporation | Bus termination resistance linearity circuit |
| JP3356223B2 (ja) * | 1993-07-12 | 2002-12-16 | 富士通株式会社 | 降圧回路及びこれを内蔵した半導体集積回路 |
| JPH07202593A (ja) * | 1993-12-29 | 1995-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電圧電流変換回路 |
| US5563549A (en) * | 1995-03-17 | 1996-10-08 | Maxim Integrated Products, Inc. | Low power trim circuit and method |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5947495B2 (ja) * | 1975-04-04 | 1984-11-19 | 株式会社日立製作所 | 可変インピ−ダンス回路 |
| GB1568056A (en) * | 1975-10-31 | 1980-05-21 | Dolby Laboratories Inc | Electrically variable impedance ciruits |
| GB1573616A (en) * | 1976-03-04 | 1980-08-28 | Nat Semiconductor Uk Ltd | Electronic impedance devices |
| US4288707A (en) * | 1978-03-14 | 1981-09-08 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Electrically variable impedance circuit |
-
1981
- 1981-08-28 JP JP56134006A patent/JPS5836014A/ja active Granted
-
1982
- 1982-07-16 KR KR8203169A patent/KR900007035B1/ko active
- 1982-08-16 DE DE19823230429 patent/DE3230429A1/de active Granted
- 1982-08-18 GB GB08223823A patent/GB2107144B/en not_active Expired
- 1982-08-27 US US06/411,997 patent/US4520282A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61145920A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-03 | アドバンスト・マイクロ・デイバイシズ・インコーポレーテツド | 制御可能な実効抵抗を与えるための装置、信号濾波装置および入力信号に応答して出力周波数信号を出力するための装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2107144B (en) | 1984-12-05 |
| GB2107144A (en) | 1983-04-20 |
| JPH0115168B2 (ja) | 1989-03-16 |
| DE3230429A1 (de) | 1983-03-10 |
| DE3230429C2 (ja) | 1991-11-14 |
| KR840001016A (ko) | 1984-03-26 |
| KR900007035B1 (ko) | 1990-09-27 |
| US4520282A (en) | 1985-05-28 |
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