KR840001016A - 전자 임피던스 장치 - Google Patents

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KR840001016A
KR840001016A KR1019820003169A KR820003169A KR840001016A KR 840001016 A KR840001016 A KR 840001016A KR 1019820003169 A KR1019820003169 A KR 1019820003169A KR 820003169 A KR820003169 A KR 820003169A KR 840001016 A KR840001016 A KR 840001016A
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KR1019820003169A
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가즈오 와다나베 (외 3)
Original Assignee
미쓰다 가쓰시게 (외 1)
가부시기 가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00—Networks using active elements
    • H03H11/02—Multiple-port networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45479—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03H11/00—Networks using active elements
    • H03H11/46—One-port networks

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  • Power Engineering (AREA)
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  • Networks Using Active Elements (AREA)
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Abstract

내용 없음

Description

전자 임피던스 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1의 실시예에 의한 전자 임피던스 장치의 회로도.

Claims (6)

  1. 다음 것들을 포함하여 구성되는 전자 임피던스 장치.
    (1) 그들의 에미터가 차동적으로 결합된 제1도 전형의 제1트랜지스터(Q1)와 제2트랜지스터 Q2로 되는 전압-전류 변환기(10).
    상기의 제1트랜지스터(Q1)의 베이스는 미리 정하여진 바이어스 전압(VREF)로 바이어스되어 있다.
    (2) 그들의 에미터가 차동적으로 결합된 제2도전형의 제3트랜지스터 Q3와 제4트랜지스터 Q4, 그리고 그들의 베이스가 공통으로 접속된 제1전도형의 제5트랜지스터 Q5외 제6트랜지스터 Q6등으로 이루어진 가변이득 전류 증폭기(20).
    상기의 제3트랜지스터(Q3)의 베이스와, 또 상기의 제4트랜지스터(Q4)의 베이스는 상기 제1트랜지스터(Q1)의 콜렉터와 그리고, 상기 제2트랜지스터(Q2)의 콜렉터에 각각 연결되어 있고 상기의 제5트랜지스터(Q5)는 제1부하역활로서 상기한 제3트랜지스터(Q3)의 콜렉터에 접속되고, 상기의 제6트랜지스터(Q6)은 제2부하역활로서 상기한 제4트랜지스터(Q4)의 콜렉터에 접속되며, 상기 제3트랜지스터(Q3)의 콜렉터 신호를 상기 제2트랜지스터(Q2)의 베이스에 궤환되도록 상기 제3트랜지스터(Q3)의 콜렉터를 상기 제2트랜지스터(Q2)의 베이스에 접속한다.
    (3) 상기 제2트랜지스터(Q2)의 베이스와 상기 제3트랜지스터(Q3)의 콜렉터와의 사이에 흐르는 전류를 보상할 수 있도록 상기의 가변이득 전류 증폭기(20)에다 접속되게 한 보상 회로(30).
  2. 특허청구 범위 제1항 기재의 전자 임피던스 장치에서 다음 것을 더 포함하는 것.
    (4) 상기 제1트랜지스터(Q1)의 에미터와 상기 제2트랜지스터(Q2)의 에미터에 접속된 정전류원(Q8, Q9).
    (5) 상기 제3트랜지스터(Q3)의 에미터와 상기 제4트랜지스터(Q4)의 에미터에 접속된 가변정전류원(CS2).
    (6) 상기 제1트랜지스터(Q1)의 에미터와 상기의 정전류원(Q8,Q9)과의 사이에 접속된 제1저항(R1), 그리고,
    (7) 상기 제2트랜지스터(Q2)의 에미터와 상기의 정전류원(Q8,Q9)과의 사이에 접속된 제2저항(R2).
  3. 특허청구범위 제2항 기재의 전자 임피던스 장치에서 상기의 정전류원에 제1도전형의 제1정전류 트랜지스터(Q8)을 포함하는 것.
  4. 특허청구범위 제3항 기재의 전자 임피던스 장치에서 상기의 보상회로(30)은 그의 에미터가 제1동작전위점(第一動作電位點)(VCC)에 접속되어 있고 그의 베이스는 제1정전류 트랜지스터(Q8)의 베이스에 연결되어 있는 제1도전형의 제2정전류 트랜지스터(Q10)와, 그리고 그의 에미터가 상기의 제2정전류 트랜지스터(Q10)의 콜렉터에 접속되어 있고 그의 베이스가 상기 제4트랜지스터(Q4)의 콜렉터에 접속되어 있으며, 그의 콜렉터가 제2동작 전위점(GND)에 접속된 제1도전형의 보상 트랜지스터(Q11)을 포함하는 것.
  5. 특허청구범위 제3항 기재의 전자 임피던스 장치에서 상기의 보상회로(30)는그의 콜렉터가 제1동작 전위점(VCC)에 접속되어 있고 그의 베이스는 상기 제4트랜지스터(Q4)의 콜렉터에 접속된 제2도전형의 보상 트랜지스터(Q11)와, 그의 콜렉터가 상기 보상 트랜지스터(Q11)의 에미터에 접속되어 있고 그의 베이스에는 미리 정하여진 바이어스 전압이 공급되며, 그의 에미터는 제2동작 전위점(접지점)에 접속된 제2정전류 트랜지스터(Q19)를 포함하는 것.
  6. 특허청구범위 제5항 기재의 전자 임피던스 장치에서 다음 것을 더 포함하는 것.
    (8) 그의 베이스·에미터 접합에 의하여 상기의 미리 정하여진 바이어스 전위(VREF)를 상기 제1트랜지스터(Q1)의 베이스에 공급하기 위한 제1에미터 폴로워(emitter follower) 트랜지스터(Q20).
    (9) 그의 콜렉터가 상기의 제1에미터 폴로워 트랜지스터(Q20)의 에미터에 접속되어 있고 그의 베이스에는 상기의 미리 정하여진 바이어스 전압이 공급되며, 그의 에미터는 전기한 제2동작 전위점(접지점)에 접속된 제2도전형의 제3정전류 트랜지스터(Q17).
    (10) 그의 베이스·에미터 접합에 의하여 상기 제3트랜지스터(Q3)의 상기 콜렉터 신호를 상기의 제2트랜지스터(Q2)의 베이스에 궤환시키기 위한 제2도전형의 제2에미터 폴로워 트랜지스터(Q21). 그리고,
    (11) 그의 콜렉터가 상기 제2에미터 폴로워 트랜지스터(Q21)의 에미터에 접속되어 있고 그의 베이스에는 상기의 미리 정하여진 바이어스 전압이 공급되며, 그의 에미터는 상기의 제2동작 전위점(GND)에 접속된 제2도전형의 제4정전류 트랜지스터(Q18).
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR8203169A 1981-08-28 1982-07-16 전자임피던스장치 KR900007035B1 (ko)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP134006 1981-08-28
JP56134006A JPS5836014A (ja) 1981-08-28 1981-08-28 電子インピ−ダンス装置
JP56-134006 1981-08-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR840001016A true KR840001016A (ko) 1984-03-26
KR900007035B1 KR900007035B1 (ko) 1990-09-27

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ID=15118169

Family Applications (1)

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KR8203169A KR900007035B1 (ko) 1981-08-28 1982-07-16 전자임피던스장치

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DE (1) DE3230429A1 (ko)
GB (1) GB2107144B (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4608543A (en) * 1984-12-17 1986-08-26 Advanced Micro Devices, Inc. Controllable effective resistance and phase lock loop with controllable filter
US4600847A (en) * 1984-12-24 1986-07-15 Gte Laboratories Incorporated Predistortion equalizing circuit
JPS62165892A (ja) * 1986-01-17 1987-07-22 株式会社東芝 温度検出装置
DE3835499A1 (de) * 1988-10-19 1990-04-26 Philips Patentverwaltung Schaltungsanordnung zum einstellen der amplitude eines signals
US5043675A (en) * 1989-11-20 1991-08-27 Analog Devices, Inc. Difference amplifier employing input attenuator network and powered by a single polarity power supply
JPH0826911B2 (ja) * 1990-02-07 1996-03-21 三菱電機株式会社 自動車用電磁クラツチ電流制御装置
DE4320006C2 (de) * 1993-06-17 1997-08-28 Telefunken Microelectron Schaltungsanordnung zur elektronischen Nachbildung von Arbeitswiderständen
US5359235A (en) * 1993-06-18 1994-10-25 Digital Equipment Corporation Bus termination resistance linearity circuit
JP3356223B2 (ja) * 1993-07-12 2002-12-16 富士通株式会社 降圧回路及びこれを内蔵した半導体集積回路
JPH07202593A (ja) * 1993-12-29 1995-08-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電圧電流変換回路
US5563549A (en) * 1995-03-17 1996-10-08 Maxim Integrated Products, Inc. Low power trim circuit and method

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5947495B2 (ja) * 1975-04-04 1984-11-19 株式会社日立製作所 可変インピ−ダンス回路
GB1568056A (en) * 1975-10-31 1980-05-21 Dolby Laboratories Inc Electrically variable impedance ciruits
GB1573616A (en) * 1976-03-04 1980-08-28 Nat Semiconductor Uk Ltd Electronic impedance devices
US4288707A (en) * 1978-03-14 1981-09-08 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Electrically variable impedance circuit

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Publication number Publication date
JPH0115168B2 (ko) 1989-03-16
US4520282A (en) 1985-05-28
DE3230429C2 (ko) 1991-11-14
GB2107144B (en) 1984-12-05
DE3230429A1 (de) 1983-03-10
GB2107144A (en) 1983-04-20
KR900007035B1 (ko) 1990-09-27
JPS5836014A (ja) 1983-03-02

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