KR920001849A - 기준전압원회로 - Google Patents

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KR920001849A
KR920001849A KR1019910010388A KR910010388A KR920001849A KR 920001849 A KR920001849 A KR 920001849A KR 1019910010388 A KR1019910010388 A KR 1019910010388A KR 910010388 A KR910010388 A KR 910010388A KR 920001849 A KR920001849 A KR 920001849A
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KR
South Korea
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transistor
circuit
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reference voltage
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Application number
KR1019910010388A
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Inventor
히로시 요시노
Original Assignee
아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H—ELECTRICITY
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    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
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    • H03K17/615—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors in a Darlington configuration
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    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
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    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
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    • G05F3/265—Current mirrors using bipolar transistors only

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Abstract

내용 없음

Description

기준전압원회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예를 나타낸 회로도.
제2도는 본 발명의 제2실시예를 나타낸 회로도.

Claims (3)

  1. 다링톤접속된 트랜지스터회로(12)에 기준바이어스전원을 공급하는 기준전압원회로에 있어서, 공통에미터가 정전류원(13)에 의해 바이어스되는 차동쌍 트랜지스터(14)와, 이 차동쌍 트랜지스터의 각 커렉터에 접속되어 있으면서 이들 트랜지스터와는 역도전성의 트랜지스터에 의해 구성된 전류미러회로(15), 상기 차동쌍 트랜지스터중 일측 트랜지스터의 베이스와 접지전위사이에 접속된 기준전위회로(Q15)및, 상기 전류미러회로의 출력을 상기 차동쌍 트랜지스터의 다른 측 트랜지스터의 베이스에 부귀환하여 전압팔로워를 구성하는 회로수단을 구비하고, 상기 접지전위와 상기 차동쌍 트랜지스터의 다른 측 트랜지스터의 베이스 사이의 전압을 다링통접속된 트랜지스터의 기준바이어스전원으로 하고 있는 것을 특징으로 하는 기준전압원회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 다링톤접속된 트랜지스터회로중 출력단트랜지스터(Q17)의 에미터의 면적은 상기 차동쌍 트랜지스터의 정수배로 되어 있는 것을 특징으로 하는 기준전압원회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기준전위회로는 다이오드접속된 트랜지스터에 의해 구성되고, 상기 다링톤접속된 트랜지스터회로중 입력단트랜지스터(Q16)에 에미터의 면적은 상기 다이오드접속된 트랜지스터의 정수배로 되어 있는 것을 특징으로 하는 기준전압원회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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