KR880001102A - Btl 증폭회로 - Google Patents

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KR880001102A
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히데히코 아오키
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와타리 스기이치로
가부시키가이샤 도시바
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Abstract

내용 없음

Description

BTL 증폭회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 BTL 증폭회로의 1실시예를 나타내는 블럭회로도, 제2도는 제1도에 도시된 회로의 구체적인 구성을 나타내는 회로도.

Claims (9)

  1. 차동회로형식의 전치증폭기(A0)와, 1쌍의 출력단자(T5, T6), 상호 역위상관계의 증폭출력신호를 상기 1쌍의 출력단자(T5, T6)에 출력해 주도록 상기 전치증폭기(A0)와 상기 1쌍의 출력단자(T5, T6) 사이에 병렬로 접속되는 1쌍의 전력증폭기(A1, A2), 이 1쌍의 전력증폭기(A1, A2)의 출력단자 사이의 오프셋트전압을 검출하여 상기 전치증폭기(A0)를 제어하게 되는 오프셋트전압검출회로(A3)를 구비한 BTL 증폭회로에 있어서,
    상기 전치증폭기(A0)는 상호 차동형태로 접속된 1쌍의 트랜지스터(Q1, Q2) 및, 상기 오프셋트전압검출회로(A3)와 결합된 트랜지스터(Q2)의 에미터전류밀도를 보다 작게하는 에미터전류밀도차별수단을 구비하여 이루어져, 한쪽 극성의 전원전압만으로서 상기 오프셋트전압을 보상해 주도록 동작하는 것을 특징으로 하는 BTL 증폭회로.
  2. 제1항에 있어서, 에미터전류밀도차별수단은 오프셋트검출회로(A3)와 결합된 트랜지스터(Q2)의 에미터 면적을 다른쪽 트랜지스터(Q1)의 에미터면적보다 크게 해줌에 따라 실현되는 것을 특징으로 하는 BTL 증폭회로.
  3. 제2항에 있어서, 1쌍의 트랜지스터(Q1, Q2)의 에미터 면적비는 최소한 1:2 로 되는 것을 특징으로 하는 BTL 증폭회로.
  4. 제1항에 있어서, 1쌍의 전력증폭기(A1, A2)는 비반전 입력형이고, 각 전력증폭기(A1, A2)의 입력단은 양 트랜지스터(Q1, Q2)중 대응되는 하나의 트랜지스터 (Q1)(Q2)의 컬렉터에 각각 접속됨과 더불어 그 출력단은 양 트랜지스터(Q2)(Q1)의 에미터에 각각 접속되는 것을 특징으로 하는 BTL 증폭회로.
  5. 제1항에 있어서, 1쌍의 전력증폭기(A1, A2)는 반전입력형태이고, 각 전력증폭기(A1, A2)의 입력단은 양 트랜지스터(Q1, Q2)내에서 대응되는 하나의 트랜지스터(Q1)(Q2)의 컬렉터에 접속되며,그 출력단은 마찬가지로 대응하는 트랜지스터 (Q1)(Q2)의 에미터에 접속되는 것을 특징으로 하는 BTL 증폭회로.
  6. 제1항에 있어서, 전치증폭기(A0)는 양 트랜지스터(Q1, Q2)에 정전류를 공급해 주는 1쌍의 정전류원(I1, I2)에 접속되게 되고 에미터전류밀도차별수단은 오프셋트전압검출회로(A3)에 결합되는 트랜지스터(Q2)에 대한 정전류원(I2)을 다른쪽 정전류원(I1)보다 크게 해 줌에 의해 실현되는 것을 특징으로 하는 BTL 증폭회로.
  7. 제6항에 있어서, 1쌍의 정전류원(I1, I2)의 정전류비는 최소한 1:2로 되는 것을 특징으로 하는 BTL 증폭회로.
  8. 제1항에 있어서, 전치증폭기(A0)는 양 트랜지스터(Q1, Q2)와 직렬로 접속되는 1쌍의 컬렉터부하저항(R3, R4)에 접속하게 되고, 에미터전류밀도차별수단은 오프셋트 전압 검출회로(A3)에 결합되는 트랜지스터(Q2)에 대한 컬렉터부하저항(R4)을 다른쪽의 컬렉터부하저항(R3)보다 작게 해줌에 의해 실현되는 것을 특징으로 하는 BTL 증폭회로.
  9. 제8항에 있어서, 1쌍의 컬렉터부하저항(R3, R4)의 저항비는 최소한 2:1로 되는 것을 특징으로 하는 BTL 증폭회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870005725A 1986-06-06 1987-06-05 Btl증폭회로 KR900008520B1 (ko)

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JP61131226A JPS62287705A (ja) 1986-06-06 1986-06-06 Btl増幅回路

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JPS62287705A (ja) 1987-12-14

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