JP4687700B2 - フォトダイオード用集積回路及びこれを備える光ピックアップ - Google Patents

Description

本発明はフォトダイオード用集積回路に関し、特に、フォトダイオードの暗電流測定のために好適なフォトダイオード用集積回路に関する。また、本発明はこのようなフォトダイオード用集積回路を備えた光ピックアップに関する。

ＣＤ、ＤＶＤ、ブルーレイディスク等の光ディスクへのデータの記録及び再生を行う光記録再生装置は光ピックアップを備えている。光ピックアップには光源であるレーザーダイオードやフォトダイオード用集積回路が含まれ、フォトダイオード用集積回路には、光ディスクにて反射したレーザービームを受光するフォトダイオードなどが備えられている。フォトダイオードは、受光したレーザービームを電気信号に変換する素子であり、その出力信号を参照することにより光ディスクに記録されている情報を読み取ることが可能となる。

しかしながら、フォトダイオードの出力信号は極めて微弱であることから、これを外部に出力するためには、増幅回路が必要である。したがって、フォトダイオード用集積回路にはこのような増幅回路（受光アンプ）も搭載されることになる。特許文献１には、このような増幅回路の一例が示されている。
特開２０００−３３２５４６号公報

ところで、上記フォトダイオード用集積回路において、レーザービームが当たっていないフォトダイオードから出力電流が流れ出ない状態で電流が流れてしまうものを暗電流というが、暗電流がある程度以上大きいと、光ディスクの記録や再生が正常にできなくなる。例えば、集積回路製造工程の１つであるウエハー検査において、暗電流がある程度以上大きいフォトダイオードを見つけ、そのようなフォトダイオードを含むフォトダイオード用集積回路を不良品とすることが必要になる。

そのための具体的な方法として、フォトダイオード用集積回路にフォトダイオードの出力電流測定用端子を設けておき、レーザービームが当たっていない状態でプローバーを当てて電流を測定することにより、暗電流を測定することが考えられる。しかしながら、この方法には、出力電流測定用端子を設置することが、フォトダイオード用集積回路のサイズ（チップサイズ）を拡げ、小型化を妨げる要因になるという問題があった。

したがって、本発明の目的は、フォトダイオードの暗電流を測定可能な、小型化されたフォトダイオード用集積回路を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、このようなフォトダイオード用集積回路を備える光ピックアップを提供することにある。

上記目的を達成するための本発明にかかるフォトダイオード用集積回路は、複数の外部端子と接続される制御部と、前記複数の外部端子のうちの一部と接続されるフォトダイオードと、前記一部の外部端子と前記制御部とを接続する第１モードと、前記一部の外部端子と前記フォトダイオードとを接続する第２モードと、を切り替えるスイッチと、を備えることを特徴とする。

フォトダイオード用集積回路には、ゲイン制御用やフォトダイオード切替用のための制御部を有しているものがある。本発明によれば、このような制御部用の外部端子の一部をフォトダイオードの出力電流測定用端子として用いることができるので、フォトダイオードの暗電流を測定可能な、小型化されたフォトダイオード用集積回路を提供することが可能になる。

また、上記フォトダイオード用集積回路において、前記制御部は、前記一部の外部端子以外の前記各外部端子に入力される信号の組み合わせに応じて前記スイッチの切り替え制御を行う、こととしてもよい。これによれば、スイッチが第２モードであることにより上記一部の外部端子が制御部に接続されていない場合にも、制御部は、スイッチを第１モードに切り替えることができる。

また、上記フォトダイオード用集積回路において、前記第１モードへの切り替えを指示するために前記一部の外部端子以外の前記各外部端子に入力される信号の組み合わせと、前記第２モードへの切り替えを指示するために前記一部の外部端子以外の前記各外部端子に入力される信号の組み合わせと、は互いに異なる、こととしてもよい。これによれば、制御部は、上記一部の外部端子以外の各外部端子に入力される信号の組み合わせにより、スイッチの切り替えを行うことができる。

また、本発明にかかる光ピックアップは、上記各フォトダイオード用集積回路を含むことを特徴とする。これによれば、光ピックアップ内に含まれるフォトダイオード用集積回路を、フォトダイオードの暗電流を測定可能な、小型化されたフォトダイオード用集積回路とすることが可能になる。

このように、本発明によれば、フォトダイオードの暗電流を測定可能な、小型化されたフォトダイオード用集積回路を提供することが可能になる。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。

まず、図１は、光ディスクの記録再生を行う光記録再生装置において用いられる光ピックアップに含まれるＰＤＩＣ（フォトダイオード用集積回路）１００の外観例を示す図である。同図に示すＰＤＩＣ１００は、光記録再生装置の中でも特にＣＤ／ＤＶＤ／ＢＤコンパチブルレコーダーに用いられるものであり、２０個のフォトダイオード（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４，Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ１，ｅ２，ｆ１，ｆ２）を備えている。各フォトダイオードは、それぞれ受光部Ｒ−１〜６のいずれかに配置されている。

受光部Ｒ−１〜３はＤＶＤ及びＢＤの記録再生用に用いられるものである。受光部Ｒ−１は４つのフォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄにより構成され、ＤＶＤ又はＢＤで反射したメインビームＭＢを受光する。また、受光部Ｒ−２は４つのフォトダイオードＥ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４により構成され、ＤＶＤ又はＢＤで反射したサブビームＳＢ１を受光する。また、受光部Ｒ−３は４つのフォトダイオードＦ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４により構成され、ＤＶＤ又はＢＤで反射したサブビームＳＢ２を受光する。

受光部Ｒ−４〜６はＣＤの記録再生用に用いられるものである。受光部Ｒ−４は４つのフォトダイオードａ，ｂ，ｃ，ｄにより構成され、ＣＤで反射したメインビームＭＢを受光する。また、受光部Ｒ−５は２つのフォトダイオードｅ１，ｅ２により構成され、ＣＤで反射したサブビームＳＢ１を受光する。また、受光部Ｒ−６は２つのフォトダイオードｆ１，ｆ２により構成され、ＣＤで反射したサブビームＳＢ２を受光する。

図２及び図３は、上記ＰＤＩＣ１００の内部回路構成を示す図である。なお、図２及び図３は、２つの図で１つのＰＤＩＣ１００の内部回路構成を示しており、実際には図２の下部と図３の上部とがつながっている。

図２及び図３に示すように、ＰＤＩＣ１００は、上記２０個のフォトダイオード及びそれらの出力信号の増幅回路と、制御部５０、スイッチ５１、及び合成回路６０と、を含んで構成されている。以下の説明では、まず増幅回路及び合成回路６０の構成について説明し、その後、それぞれ本発明の制御部及びスイッチを構成する制御部５０及びスイッチ５１について説明する。

[増幅回路及び合成回路６０]
以下、まず増幅回路及び合成回路６０の構成について説明するが、各フォトダイオードにかかる回路構成には互いに類似している部分が多いので、以下では、フォトダイオードＡ及びフォトダイオードａに着目して説明を行うこととする。

図２に示す回路４０は、フォトダイオードＡ及びフォトダイオードａが受光するレーザービームの強度を電圧信号として出力する回路であり、フォトダイオードＡ及びフォトダイオードａの他、オペアンプ１０、抵抗１６、スイッチ４１、リミッタ回路４２、スイッチ４３、抵抗４４を含んで構成される。このうち、オペアンプ１０及び抵抗１６は増幅回路１を構成している。

フォトダイオードＡは、ＤＶＤ又はＢＤにて反射したレーザービームを受光し、光電変換を行う。一方、同じくフォトダイオードａは、ＣＤにて反射したレーザービームを受光し、光電変換を行う。一例では、これらのフォトダイオードはＰＮダイオード、逆バイアス電源、抵抗を含んで構成され、ＰＮダイオードにレーザービームが当たることによって抵抗の両端の電圧が変動する。この電圧は所定の電圧値（バイアス電圧）を基準として上下に変動し、これらのフォトダイオードの出力となる。このバイアス電圧の電圧値は基準電圧源Ｖｓ（後述）の電圧値に基づいて設定されており、ここではいずれも１．６５Ｖであるとする。

増幅回路１は、図２に示すように、オペアンプ１０の反転入力端子（−）にフォトダイオードが接続され、オペアンプ１０の非反転入力端子（＋）に基準電圧源Ｖｓが接続された構成を有している。また、増幅回路１は、オペアンプ１０の出力端と反転入力端子（−）とを接続する帰還回路を備えている。この帰還回路は抵抗１６を含んで構成される。これらの構成により、増幅回路１は所謂反転増幅回路を構成している。

オペアンプ１０の反転入力端子（−）には、外部からの制御に応じたスイッチ４１の動作（詳細は後述する。）により、記録再生対象メディアがＤＶＤ又はＢＤである場合にフォトダイオードＡが接続され、記録再生対象メディアがＣＤである場合にフォトダイオードａが接続される。一方、オペアンプ１０の非反転入力端子（＋）には、所定電圧の電源Ｖｓが接続される。オペアンプ１０及び抵抗１６により構成される増幅回路１は、フォトダイオードの出力信号に増幅処理を施す。その結果、増幅回路１の出力には、いずれかのフォトダイオードが受光したレーザービームの強度に応じた出力が得られる。

スイッチ４３は、抵抗４４を帰還回路へ組み入れたり、帰還回路から切り離したりする機能を有する。このスイッチ４３は制御部５０によって制御されるものであるが、その詳細については後述する。スイッチ４３の動作により、増幅回路１のゲイン制御が可能になっている。

リミッタ回路４２は、オペアンプ１０から出力された信号の振幅が所定の最大値を超えている場合、超えた分の振幅をクリップして、後段に出力する。

リミッタ回路４２の出力信号は、端子ＶＡ／Ｖａから出力されるとともに、合成回路６０にも入力される。端子ＶＡ／Ｖａからの出力信号は、図示しない制御回路において、光スポットのデフォーカスやトラックからのずれを検出するためのサーボ信号として用いられる。

合成回路６０には、上記リミッタ回路４２の出力信号の他、フォトダイオードＢ，Ｃ，Ｄ又はフォトダイオードｂ，ｃ，ｄからも同様にリミッタ回路の出力信号が入力される。これらの各出力信号は合成され、端子ＶＲＦＰ及び端子ＶＲＦＮから出力される。なお、端子ＶＲＦＰ及び端子ＶＲＦＮの出力信号は互いに逆相となる。こうして出力される信号は、図示しない制御回路において、記録されているデータを示すデータ信号として用いられる。

ここで、図４は回路４０の一部分について、その詳細構成を示す図である。以下、同図を参照しながら、増幅回路１及びスイッチ４１について、より詳細に説明する。

図４に示すように、増幅回路１内のオペアンプ１０は差動増幅回路２０及びソースフォロア回路３０からなり、これらが従属接続された構成を有している。つまり、フォトダイオードＡ又はａの出力Ｖｉｎはまず差動増幅回路２０に供給され、さらに差動増幅回路２０の出力がソースフォロア回路３０に供給される。

差動増幅回路２０は、カレントミラー接続されたＰチャンネルＭＯＳトランジスタ２１，２２と、トランジスタ２１，２２にそれぞれ直列接続されたＮチャンネルＭＯＳトランジスタ２３，２４と、トランジスタ２３，２４のソースに接続された定電流源２５によって構成されている。トランジスタ２３のゲートはスイッチ４１を介してフォトダイオードＡ又はａに接続され、トランジスタ２４のゲートは基準電圧源１４（＝基準電圧源Ｖｓ）に接続されている。本実施形態では、上述したように、基準電圧源１４はフォトダイオードのバイアス電圧と同値の電圧（ここでは１．６５Ｖ。）を発生する。差動増幅回路２０の出力は、トランジスタ２１とトランジスタ２３の接続点から取り出される。

ソースフォロア回路３０は、差動増幅回路２０の出力がゲートに供給されるＮチャンネルＭＯＳトランジスタ３１と、トランジスタ３１のソースに接続された定電流源３２によって構成されている。ソースフォロア回路３０の出力は、トランジスタ３１のソースから取り出され、増幅回路１の出力Ｖｏｕｔとなる。トランジスタ３１は、いわゆるデプレッション型のＭＯＳトランジスタである。すなわち、トランジスタ３１のしきい値電圧Ｖｔｈはゼロ又はマイナス値である。

なお、トランジスタ２１，２２の各ソース，及びトランジスタ３１のドレインには電源電圧Ｖｄｄが供給されている。

ここで、増幅回路１の電圧増幅度は、抵抗１６の抵抗値とフォトダイオードの内部抵抗値の調節により、適宜設定される。ただし、フォトダイオードＡ又はａの出力電圧がバイアス電圧の電圧値１．６５Ｖである場合、電圧増幅度にかかわらず、ソースフォロア回路３０の出力電圧（トランジスタ３１のソース電圧）は約１．６５Ｖ程度となる。

トランジスタ３１のしきい値電圧をＶｔｈとすると、トランジスタ３１のゲート電圧は、Ｖｏｕｔ＋Ｖｔｈで与えられるが、本実施形態においてはトランジスタ３１がデプレッション型であるため、Ｖｔｈ≦０である。したがって、トランジスタ３１のゲート電圧は、ソース電圧とほぼ同じか、寧ろこれよりも低くなる。例えば、しきい値電圧Ｖｔｈがほぼ０Ｖであるとすると、トランジスタ３１のゲート電圧は出力Ｖｏｕｔの電圧とほぼ一致することになる。その結果、例えば出力Ｖｏｕｔの電圧が約１．６５Ｖであるとすれば、トランジスタ３１のゲート電圧も約１．６５Ｖとなる。

これにより、カレントミラー回路を構成するトランジスタ２１，２２のソースドレイン間電圧が従来に比べて拡大される。つまり、トランジスタ３１としてエンハンスメント型のトランジスタを用いると、トランジスタ３１のゲート電圧は出力Ｖｏｕｔの電圧よりもしきい値電圧分高くなり、その結果、トランジスタ２１，２２のソースドレイン間電圧が低下し、ダイナミックレンジが狭くなる。このため、ダイナミックレンジを十分に確保するためには、上述したように、電源電圧Ｖｄｄを高くする必要が生じる。

これに対し、本実施形態では、トランジスタ３１としてデプレッション型のトランジスタを用いていることから、電源電圧Ｖｄｄが比較的低くてもダイナミックレンジを十分に確保することが可能となる。例えば、電源電圧Ｖｄｄが３．３Ｖであるとすると、トランジスタ２１，２２のソースドレイン間電圧の振幅の最大値（差動増幅回路２０が出力し得る信号の振幅の最大値）は約１．６５Ｖ（＝３．３Ｖ−１．６５Ｖ（フォトダイオードのバイアス電圧の電圧値））となり、十分な振幅が確保される。なお、この場合における増幅回路１のダイナミックレンジの上限値は３．３Ｖとなる。

次に、スイッチ４１は、フォトダイオードＡ又はａと増幅回路１との接続を切り替えるスイッチである。図示しない操作部を用いてユーザがＤＶＤ、ＢＤ、又はＣＤの記録や再生を指示した場合、操作部から制御部５０（図２）に対して操作内容が伝えられる。制御部５０の詳細については後述するが、ここでは、伝えられた操作内容に基づき、ＤＶＤ、ＢＤ、ＣＤのうちのいずれか１つの選択を受け付ける。そして、受け付けた選択の内容に応じて、回路４０内のスイッチ４１を制御する。具体的には、ＤＶＤ又はＢＤの選択を受け付けた場合にはフォトダイオードＡが増幅回路１に接続されるよう、スイッチ４１を制御する。一方、ＣＤの選択を受け付けた場合にはフォトダイオードａが増幅回路１に接続されるよう、スイッチ４１を制御する。

なお、制御部５０は、フォトダイオードＡ及びａに対応するスイッチ４１だけでなく、他のフォトダイオードに対応するスイッチも同様に制御する。すなわち、ＤＶＤ又はＢＤの選択を受け付けた場合にはＤＶＤ又はＢＤ用のレーザービームを受光するフォトダイオード（フォトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４，Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４）が、それぞれ対応する増幅回路に接続されるよう、スイッチを制御する。一方、ＣＤの選択を受け付けた場合にはＣＤ用のレーザービームを受光するフォトダイオード（フォトダイオードａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ１，ｅ２，ｆ１，ｆ２）が、それぞれ対応する増幅回路に接続されるよう、スイッチを制御する。

以上のようなスイッチ制御の結果、１つの増幅回路で複数種の光ディスクにそれぞれ対応する複数のフォトダイオードの出力信号を増幅することができるようになる。

[制御部５０及びスイッチ５１]
さて、以下制御部５０及びスイッチ５１について、再度図２を参照しながら、詳細に説明する。

制御部５０は、複数の外部端子（ここでは、３つの外部端子ＳＷ１，２，３）と接続される。一方、スイッチ５１は、上記複数の外部端子のうちの一部（ここでは外部端子ＳＷ３）、制御部５０、及びフォトダイオードＡのカソード側端部と接続される。

スイッチ５１は、外部端子ＳＷ３と制御部５０とを接続する第１モードと、外部端子ＳＷ３とフォトダイオードＡとを接続する第２モードと、を切り替える機能を有する。すなわち、このスイッチ５１の動作により、第１モードでは、外部端子ＳＷ３はスイッチ５１を介して制御部５０と接続され、フォトダイオードＡとは切り離される。一方第２モードでは、外部端子ＳＷ３はスイッチ５１を介してフォトダイオードＡと接続され、制御部５０とは切り離される。

制御部５０は、外部端子ＳＷ１，２，３に入力される信号の組み合わせ（信号セット）に応じてスイッチ４１、４３、５１の切り替え制御を行う。表１に、外部端子ＳＷ１，２，３に入力される信号セットを示す。なお、表１にも示すように、外部端子ＳＷ１，２，３に入力される信号はＨ（ハイ）、Ｍ（ミディアム）、Ｌ（ロー）の３値信号である。

ここで、モード１〜３は、それぞれディスクの種類（ＤＶＤ、ＢＤ、ＣＤ）に対応している。制御部５０は、モード１に対応する信号セットが外部端子ＳＷ１，２，３に入力されると、フォトダイオードＡが増幅回路１に接続されるよう、スイッチ４１を制御する（スイッチ４１の動作の詳細は上述した通りである。他のフォトダイオードについても同様である。）。モード２や３に対応する信号セットが入力された場合にも同様である。

また、ゲイン１〜４は、増幅回路１のゲインに対応している。本実施形態の増幅回路１では、ＳＷ４３のオンオフ制御により切り替え可能な２種類のゲインのみを用意しているので、ゲイン１，２のみを使用する。すなわち、ゲイン１に対応する信号セットが外部端子ＳＷ１，２，３に入力されると、制御部５０はスイッチ４３を制御し、抵抗４４を帰還回路へ組み入れる。一方、ゲイン２に対応する信号セットが外部端子ＳＷ１，２，３に入力されると、制御部５０はスイッチ４３を制御し、抵抗４４を帰還回路から切り離す。もちろん、スイッチ４３と抵抗４４の組み合わせを追加することによってゲインを３段階や４段階に切り替えるようにすることも可能であり、その場合、表１中のゲイン３，４が用いられることになる。

スリープは、制御部５０の待機状態と対応している。すなわち、スリープに対応する信号セットが外部端子ＳＷ１，２，３に入力されると、制御部５０は次の信号セットが入力されるまで、処理をしない待機状態に入る。

テストモード１〜４は、それぞれＰＤＩＣ１００に対する各種テストを行うためのモードである。本実施形態におけるフォトダイオードの暗電流の測定はこれらのモードのうちのひとつであり、特にテストモード４が相当する。以下、テストモード４に関する制御部５０の動作について詳細に説明する。

制御部５０は、スイッチ５１が接続されている外部端子以外の外部端子、すなわち外部端子ＳＷ１，２に入力される信号の組み合わせが（Ｍ，Ｌ）である場合に、スイッチ５１を第２モードとする。すなわち、組み合わせ（Ｍ，Ｌ）は、スイッチ５１の第２モードへの切り替えを指示する信号セットである。第２モードでは外部端子ＳＷ３とフォトダイオードＡとが接続されるので、フォトダイオードＡにレーザービームを当てていない状態で外部端子ＳＷ３の出力電流を測定することにより、フォトダイオードＡの暗電流の大きさを測定することができる。

一方、制御部５０は、外部端子ＳＷ１，２に入力される信号の組み合わせが（Ｍ，Ｌ）以外のものである場合に、スイッチ５１を第１モードとする。すなわち、組み合わせ（Ｍ，Ｌ）以外の全ての組み合わせは、スイッチ５１の第１モードへの切り替えを指示する信号セットである。第１モードでは外部端子ＳＷ３と制御部５０とが接続されるので、制御部５０は、外部端子ＳＷ１，２，３に入力される信号の組み合わせに応じた上記各制御を行える。

以上説明したように、ＰＤＩＣ１００によれば、元々制御部５０用として用意されていた外部端子ＳＷ３をフォトダイオードＡの出力電流測定用端子として用いることができるので、フォトダイオードの暗電流を測定可能な、小型化されたフォトダイオード用集積回路を提供することが可能になる。

また、スイッチ５１の切り替えを制御部５０の制御により行うことができ、しかも、スイッチ５１が第２モードであることにより外部端子ＳＷ３が制御部５０に接続されていない場合にも、制御部５０は、スイッチ５１を第１モードに切り替えることができる。すなわち、第１モードへの切り替えを指示するために外部端子ＳＷ１，２に入力される信号セットと、第２モードへの切り替えを指示するために外部端子ＳＷ１，２に入力される信号セットと、を互いに異なるものとしたので、制御部５０は、外部端子ＳＷ１，２に入力される信号の組み合わせにより、スイッチ５１の切り替えを行うことができる。

なお、上記実施形態では、２０個のフォトダイオードのうちフォトダイオードＡの出力電流のみを測定する例を説明したが、これは、複数のフォトダイオードを有するフォトダイオード用集積回路において、そのうち１つのフォトダイオードが不良品でなければ、同時に作られた他のフォトダイオードが不良品である確率は極めて小さくなるためである。もちろん、２０個全てのフォトダイオードの出力電流を測定することとしてもよい。この場合、スイッチ５１と各フォトダイオードを接続し、スイッチ５１の第２モードを分割して第２−Ａモード、第２−ａモード、第２−Ｂモード、第２−ｂモード等とし、これらにそれぞれ対応するテストモードを設けることにより制御部５０からスイッチ５１の上記各モードの切り替えを行うこととすればよい。また、各フォトダイオードの暗電流の合計値により不良品判断を行うこととしてもよく、その場合には図２に示したスイッチ５１の構成において、スイッチ５１のフォトダイオードＡ側端部に、さらに他のフォトダイオードを接続することとすればよい。こうすれば、スイッチ５１の第２モードにおいて、外部出力端子ＳＷ３には、各フォトダイオードの暗電流の合計値に相当する電流値の電流が流れることになる。

ここで、上記ＰＤＩＣ１００を備える光ピックアップ１０１の全体構成について、光ピックアップ１０１の構成を示す模式図である図５を参照しつつ、説明しておく。

図５に示すように、光ピックアップ１０１は、レーザ光源１０２と、レーザ光源１０２からのレーザービームを複数に分割する回折格子１０３と、回折格子１０３から出射されたレーザービームを平行光にするコリメートレンズ１０４と、平行光とされたレーザービームを光ディスク２００側へ導くミラー１０５と、ミラー１０５で反射されたレーザービームを円偏光に変換して対物レンズ１０６に入射する１／４波長板１１０と、１／４波長板１１０から入射されたレーザービームをディスク面に収束させる対物レンズ１０６と、光ディスク２００により反射されミラー１０５でさらに反射された光をＰＤＩＣ１００側へ導くビームスプリッタ１０７と、ビームスプリッタ１０７からの反射光を収束させるアナモフィックレンズ１０８と、アナモフィックレンズ１０８によって収束された反射光を受光するＰＤＩＣ１００とを備えている。ＰＤＩＣ１００は、上述したように２０個のフォトダイオードを備え、各フォトダイオードは、上記反射光を受光して光電変換し、反射光の強度に応じた電圧信号を出力する。

なお、光ディスク２００に対する対物レンズ１０６の位置は、対物レンズ駆動装置１０９によって高精度に制御される。詳細には、対物レンズ１０６をフォーカス方向へ駆動することにより、光ディスク２００の記録面にビームスポットの焦点を合わせるフォーカス補正が行われ、トラッキング方向へ駆動することにより、光ディスク２００のトラックにビームスポットを追従させるトラッキング補正が行われる。また、タンジェンシャル方向を回転軸にして対物レンズ１０６をトラッキング方向に回転させることにより、ディスクの反りに対応するチルト角の補正が行われる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることは勿論である。

本発明の実施形態にかかるＰＤＩＣの外観例を示す図である。 本発明の実施形態にかかるＰＤＩＣの内部回路構成を示す図である。 本発明の実施形態にかかるＰＤＩＣの内部回路構成を示す図である。 本発明の実施形態にかかる回路をより詳細に示す回路図である。 本発明の実施形態にかかるＰＤＩＣを備える光ピックアップの構成を示す模式図である。

符号の説明

１ 増幅回路
１０ オペアンプ
１４ 基準電圧源
１６，４４ 抵抗
２０ 差動増幅回路
２１，２２ ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ
２３，２４ ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ
２５，３２ 定電流源
３０ ソースフォロア回路
３１ デプレッション型トランジスタ
４０ 回路
４１，４３，５１ スイッチ
４２ リミッタ回路
５０ 制御部
６０ 合成回路
１００ フォトダイオード用集積回路
１０１ 光ピックアップ
１０２ レーザ光源
１０３ 回折格子
１０４ コリメートレンズ
１０５ ミラー
１０６ 対物レンズ
１０７ ビームスプリッタ
１０８ アナモフィックレンズ
１０９ 対物レンズ駆動装置
１１０ １／４波長板
２００ 光ディスク
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４，Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４，ｅ１，ｅ２，ｆ１，ｆ２ フォトダイオード

Claims (5)

1. 第１の端子を含む複数の外部端子と、
   第２の端子と、
   前記複数の外部端子と接続される制御部と、
   前記第１及び第２の端子と接続される第１のフォトダイオードと、
   前記第２の端子と接続される第２のフォトダイオードと、
   前記第１の端子と前記制御部とを接続する第１モードと、前記第１の端子と前記第１のフォトダイオードとを接続する第２モードと、を切り替える第１のスイッチと、
   前記第１のフォトダイオードと前記第２の端子とを接続するモードと、前記第２のフォトダイオードと前記第２の端子とを接続するモードと、を切り替える第２のスイッチとを備え、
   前記制御部は、前記第１の端子以外の前記複数の外部端子に入力される信号の組み合わせに応じて前記第１のスイッチの切り替え制御を行うとともに、前記第１モードにおいて前記複数の外部端子に入力される信号の組み合わせに応じて前記第２のスイッチの切り替え制御を行う、
   ことを特徴とするフォトダイオード用集積回路。
2. 前記第２の端子を入力端子とし、かつゲインを切り替え可能に構成された増幅回路をさらに備え、
   前記制御部は、前記第１モードにおいて前記複数の外部端子に入力される信号の組み合わせに応じて前記増幅回路のゲインを切り替える、
   ことを特徴とする請求項１に記載のフォトダイオード用集積回路。
3. 第１の端子を含む複数の外部端子と、
   第２の端子と、
   前記複数の外部端子と接続される制御部と、
   前記第１及び第２の端子と接続される第１のフォトダイオードと、
   前記第１の端子と前記制御部とを接続する第１モードと、前記第１の端子と前記第１のフォトダイオードとを接続する第２モードと、を切り替える第１のスイッチと、
   前記第２の端子を入力端子とし、かつゲインを切り替え可能に構成された増幅回路をさらに備え、
   前記制御部は、前記第１の端子以外の前記複数の外部端子に入力される信号の組み合わせに応じて前記第１のスイッチの切り替え制御を行うとともに、前記第１モードにおいて前記複数の外部端子に入力される信号の組み合わせに応じて前記増幅回路のゲインを切り替える、
   ことを特徴とするフォトダイオード用集積回路。
4. 前記第１モードへの切り替えを指示するために前記第１の端子以外の前記各外部端子に入力される信号の組み合わせと、前記第２モードへの切り替えを指示するために前記第１の端子以外の前記各外部端子に入力される信号の組み合わせと、は互いに異なる、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のフォトダイオード用集積回路。
5. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載のフォトダイオード用集積回路を含むことを特徴とする光ピックアップ。

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