JP2004022051A - 受光アンプ素子 - Google Patents
受光アンプ素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004022051A JP2004022051A JP2002174370A JP2002174370A JP2004022051A JP 2004022051 A JP2004022051 A JP 2004022051A JP 2002174370 A JP2002174370 A JP 2002174370A JP 2002174370 A JP2002174370 A JP 2002174370A JP 2004022051 A JP2004022051 A JP 2004022051A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light receiving
- amplifier element
- receiving amplifier
- transimpedance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 85
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/13—Optical detectors therefor
- G11B7/131—Arrangement of detectors in a multiple array
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/005—Reproducing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
- G11B7/1275—Two or more lasers having different wavelengths
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B2007/0003—Recording, reproducing or erasing systems characterised by the structure or type of the carrier
- G11B2007/0006—Recording, reproducing or erasing systems characterised by the structure or type of the carrier adapted for scanning different types of carrier, e.g. CD & DVD
Abstract
【解決手段】異なる波長に対応した複数の受光部22,23と、波長に応じた受光部22,23に接続され異なる波長に対応した複数のトランスインピーダンス型増幅器A31・R31・C31,A32・R32・C32と、波長に応じてトランスインピーダンス型増幅器A31・R31・C31,A32・R32・C32からの出力を切換える切換手段S31とを備える。
【選択図】 図3
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、1チップで2つの異なる波長の光出力を持つ半導体2波長レーザー素子を用いた光ピックアップ装置に使用される受光アンプ素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
CD,DVDなどの光ディスクは、音声、映像、文書データなどを記録するメディアとして広く使用されており、光ディスクの再生または記録を行う光学式ディスク装置が各種開発されている。光ピックアップ装置は、前記光学式ディスク装置において先端部分で光ディスクから信号の入出力を行う主要構成要素である。
【0003】
近年急速に普及しているDVD再生装置は、既存のCDも再生できることが必要なため、光ピックアップ装置には、DVD用650nmの波長を持つ半導体レーザー素子とCD用780nmの波長を持つ半導体レーザー素子の2つが必要である。
【0004】
図7は従来技術において、DVD及びCDの再生を行う光ピックアップ装置を示す側面図である。
【0005】
図7を参照して、光ピックアップ装置101は、光源となる2つの半導体レーザー素子107及び108を備えている。半導体レーザー素子107はDVD用650nmの波長を持つ光を出力(出射)し、半導体レーザー素子108はCD用780nmの波長を持つ光を出力(出射)する。半導体レーザー素子107及び108から光ディスク102に至る光路には、プリズム106と、DVD用集光レンズ104及びCD用集光レンズ105から構成される光学レンズ103とが配置されている。
【0006】
更に、光ピックアップ装置101は、光ディスク102で反射したレーザー光が光学レンズ103を介してプリズム106で反射されて受光部(フォトダイオード)を持つ受光アンプ素子109を備えている。ここで、光学レンズ103は選択された波長に合せて、半導体レーザー素子107/108を切換えると同時に、集光レンズ104/105を切換える機能を備えている。
【0007】
DVD(650nm)が選択された場合、半導体レーザー素子107からの出射光は、集光レンズ104を介して光ディスク102に照射され、反射した光は集光レンズ104を介してプリズム106で反射して受光アンプ素子109に入力され、受光アンプ素子109で光電変換されて電気信号が出力される。CD(780nm)が選択された場合は同様に、半導体レーザー素子108からの出射光は、集光レンズ105を介して光ディスク102に照射され、反射した光は集光レンズ105を介してプリズム106で反射して、受光アンプ素子109に入力される。
【0008】
2つの光源(半導体レーザー素子107、108)に対して、2つの集光レンズ104,105によって光路を調整できるため、受光アンプ素子109における受光部(フォトダイオード)形状は図8に示すようなものとなり、DVD650nmの波長及びCD780nmの波長に対しても同一の受光部201でレーザー光を受けることとなる。ここで、中心に配置されている4分割されたメイン受光部202ではフォーカス調整及びデータ信号の再生を行う。また左右に配置されたサブ受光部203ではトラッキング調整を行っている。
【0009】
次に、従来技術における受光アンプ素子の等価回路ブロックを図9に示す。
【0010】
図9において、全体が受光アンプ素子301であり、受光部(フォトダイオード)302は、前記メイン受光部202のA〜D及び、サブ受光部203のE〜Hの各々に対応する。受光部302でレーザー光信号は電流信号に変換されその電流信号Iscを初段アンプA11における抵抗R11で電流電圧変換増幅し、後段アンプA12及び、抵抗R12、R13、R14で更に電圧増幅して、出力端子303に信号出力される。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
従来例で説明した図7の光ピックアップ装置においては、2つの異なる波長(650nm、780nm)に対応するため、それぞれの波長に対応する2つの半導体レーザー素子107,108及び2つの集光レンズ104,105が必要であり、それぞれの波長について半導体レーザー素子位置、集光レンズ位置などの光学系を調整して受光アンプ素子に光ディスクからの反射(信号)光を導く必要がある。このため、半導体レーザー素子を含めた光学設計が複雑であり、2つの波長に対する光学系を切換える機構も必要となるため更に設計を複雑化し、部品が多くなりコストも高くなっていた。
【0012】
そこで、半導体レーザー素子として、2つの異なる波長の光を1チップから出力(出射)する半導体2波長レーザー素子の開発・製品化が進み、2つの半導体レーザー素子を使用する代わりに、1つの半導体2波長レーザー素子を光ピックアップ装置に採用されるようになってきた。
【0013】
ここで、半導体2波長レーザー素子の利点は半導体フォト技術を用いて同一基板上に2つの波長の発光点が形成されるため、発光点間隔距離をμmオーダーで近づけることが可能であり、その位置精度も極めて高いことである。このため、1つの集光レンズを介してレーザー光を光ディスクに照射し、その反射(信号)光を受光アンプ素子に導いても、2つの波長においての受光点間隔も高い精度で固定されることとなる。
【0014】
以上のように、半導体レーザー素子と集光レンズとをそれぞれ1つとすると、受光アンプ素子において2つの波長に対応した受光部(フォトダイオード)が必要となる。また、それぞれの波長に対応する受光部からの光電変換された電気信号を増幅処理する回路が必要となる。
【0015】
そこでこの発明の目的は、上記課題を解決することであり、半導体2波長レーザー素子と1つの集光レンズ(光学素子)を備えて構成される光ピックアップ装置に適した受光アンプ素子を提供することである。
【0016】
【課題を解決するための手段】
この発明に従った受光アンプ素子は、2つの異なる波長のレーザー光を1チップから出力する半導体2波長レーザー素子と、波長に関係なく半導体2波長レーザー素子からのレーザー光を光ディスクに照射しその反射光を受光アンプ素子に導く1つの集光レンズ(光学素子)を備えて構成される光ピックアップ装置に用いられるものである。
【0017】
そして、受光アンプ素子としては、2つの異なる波長に対応した2つの受光部(フォトダイオード)を備え、該2つの受光部それぞれにトランスインピーダンス型増幅器を接続し、選択される波長に応じてトランスインピーダンス型増幅器を選択切換えを行うことで、各2つの波長に対応した受光アンプ出力を得ることができる。更に、各波長に対応した受光部毎にトランスインピーダンス型増幅器を備えるため、各波長毎に回路特性の最適化調整を行うことができる。
【0018】
また、他の受光アンプ素子としては、2つの異なる波長に対応した2つの受光部(フォトダイオード)を備え、該2つの受光部の信号出力端子を互いに接続し、接続された信号は、それぞれ異なる第1及び第2の帰還定数を持つ前記第1及び第2のトランスインピーダンス型増幅器にそれぞれ入力され、第1及び第2の帰還定数(ゲイン抵抗)を再生専用光ディスクと書換え可能光ディスクの反射率に合せて設定することで、各2つの波長どちらに対しても、高反射率を持つ再生専用光ディスク及び、低反射率の書換え可能光ディスクに対して良好な再生特性を得ることができる。
【0019】
また好ましくは、第1の帰還定数(ゲイン抵抗)を再生用、第2の帰還定数を書込み用として設定し、更に第2の帰還回路にはダイオードと抵抗からなるクランプ回路が並列接続することで、書込み時の大光量入力に対して、アンプゲインを下げて受光部の飽和を防止できるため、2つの異なる波長どちらに対しても、再生と書込みに対応した受光アンプ特性を得ることができる。
【0020】
また好ましくは、上記2つの受光部にそれぞれ接続されるトランスインピーダンス型増幅器(前段増幅器)は、第1及び第2の2つの差動器と、該差動器の出力であるコレクタが各々互いに接続される能動負荷となる1つのカレントミラー回路と、エミッタフォロワ出力回路と、2つの帰還回路とから構成されることで、2つの前段増幅器に対して1つの出力端子を持ち、その出力信号は1つの後段増幅器で更に電圧増幅されて出力されるため、2つの受光部に対して後段増幅器及びその外部出力端子は1つとなり、回路規模の増大によるチップコストの上昇を抑制でき、更に外部出力端子(ピン)の増加も無いため、パッケージを含めた受光アンプ素子コストの上昇を抑制することができる。
【0021】
また好ましくは、2つのトランスインピーダンス型増幅器の切換手段としては、トランスインピーダンス型増幅器を構成する差動器のバイアス電流をON/OFF切換えることで、各波長に対応するトランスインピーダンス型増幅器が能動選択するため、少ない素子数で切換え機能が実現しチップ面積増大によるコスト上昇を抑制できる。
【0022】
また好ましくは、2つの波長に対応した2つの受光部をアンプ回路と同一基板上に形成することで、半導体フォト技術により各波長に対する2つの受光部位置精度を高めることができる。
【0023】
更に、2つの受光部間隔距離を使用される半導体2波長レーザー素子の各波長の発光点間隔距離に合せることで良好な受光特性を得ることができる。
【0024】
【発明の実施の形態】
この発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【0025】
(実施の形態1)
図1は、この発明の実施の形態1における光ピックアップ装置を示す側面図である。
【0026】
図1を参照して、光ピックアップ装置11は、光源である半導体2波長レーザー素子(以下、「2波長レーザー」と称す)16を備えている。該2波長レーザー16は、同一基板上に2つの異なる波長のレーザー発光点が形成されている。16aはDVD用:650nmの第1の発光点であり、16bはCD用:780nmの第2の発光点である。前記2波長レーザー16から光ディスク12に至る光路には、プリズム15及び、集光レンズ14から構成される光学レンズ13が配置されている。更に光ピックアップ装置11は光ディスク12で反射したレーザー光が光学レンズ13を介してプリズム15で反射されたレーザー光を受光する受光部を持つ受光アンプ素子17を備えている。前記受光部にはフォトダイオードを用いる。
【0027】
上述のように、2波長レーザー16から出力(出射)される2つの異なる波長の光は、固定された1つの集光レンズ14を介して、光ディスク12に照射され、更にその反射光は受光アンプ素子17に入力されるため、受光アンプ素子17における受光部形状は図2に示されるものとなる。
【0028】
図2を参照して、受光アンプ素子の受光部21はDVD:650nm用メイン受光部22と、CD:780nm用メイン受光部23の2つのメイン受光部とサブ受光部24から構成されている。2波長レーザー16から出力されて光ディスクで反射して入力されるDVD:650nmの波長光は受光部22に、CD:780nmの波長光は受光部23にそれぞれ入射するように光学系は設計されている。
【0029】
図3は、図2中の2つの波長に対応する2つのメイン受光部からの光信号を、電気信号として出力する受光アンプ素子の等価回路ブロックを示す図である。
【0030】
受光アンプ素子17は2つのメイン受光部22及び23に対して、それぞれA31・R31・C31及び、A32・R32・C32で構成される第1及び第2のトランスインピーダンス型増幅器(前段増幅器)が接続されている。2つのトランスインピーダンス増幅器の出力は出力切換えスイッチS31を介して、A33・R33〜35で構成される後段増幅器で、更に電圧増幅されて外部出力端子36より、信号出力する。
【0031】
DVD:650nmのレーザー光が入力される場合は、受光部22にレーザー光が入力されるため、A31・R31・C31で構成される第1のトランスインピーダンス型増幅器の出力信号が、後段増幅器へ入力され、電圧増幅されて外部出力端子36より出力される。ここで、2つの波長(受光部)に対して2つのトランスインピーダンス型増幅器を備えているため、各波長の前段増幅器毎に第1の帰還回路R31・C31、第2の帰還回路R32・C32のRとCの値を調整して帰還定数を設定できるため、レーザー光の波長による光強度の差などに応じて、波長毎に回路特性を最適化調整することができる。
【0032】
つまり、従来例では、受光部と前段増幅器が1つで2つの波長に対応するため、一方の波長に合せて受光アンプ素子を設計(前段増幅器の帰還定数を設定)した場合、他方の波長に対する特性は必然的に決まることとなる。一般に、受光部の感度は波長650nmと780nmにおいて特性差があるため、前段増幅器の帰還定数(ゲイン)を一方に合せた場合には,他方波長の感度は受光部の感度特性差で必然的に決まってしまう。また、DVD:650nmは基本周波数が4.5MHz、CD:780nmは基本周波数が0.72MHzと異なるため、応答周波数特性はDVD側に合せる必要があった。
【0033】
この場合、DVD側に合せて周波数帯域を伸ばすことによるノイズ特性の悪化及び、低周波CD使用帯域での特性劣化などが発生することがあった。
【0034】
しかしながら、本実施の形態では、DVD側用とCD側用との2個の前段増幅器を備えているため、個別に感度,応答周波数特性に関する前段増幅器の帰還定数(R,C)をそれぞれの波長に対して最適値の設定できる。
【0035】
図2において、650nm用受光部22と780nm用受光部23の間隔距離Yは、図1における2波長レーザー16の650nmの発光点16aと、780nmの発光点16bの間隔距離Xに略等しくなるよう配置されている。
【0036】
前記2波長レーザー16から出力されたレーザー光は、波長に関係なく1つの集光レンズ14を介して、光ディスク12に照射され、反射したレーザー光が受光アンプ素子17に入力されるため、2波長レーザー16の発光点間隔距離に応じて、受光アンプ素子17上には波長間で異なる位置にレーザー光が照射される。このため、使用される2波長レーザー16の発光点間隔に略等しくなるように、各波長に対応する受光部間隔を設定すれば、レーザー光を最大に受光することができるため、S/Nの良い特性が得られる。更に、各波長に対する受光部を同一基板上に形成することで、受光部間隔の位置精度の向上を図ることができる。
【0037】
図3における2つのトランスインピーダンス型増幅器の1回路例を、図4に示す。
【0038】
図4において、DVD:650nm側(第1の)トランスインピーダンス型増幅器は、トランジスタQ1,Q2の差動器及び、R31・C31の帰還回路で構成される。また、CD:780nm側(第2の)トランスインピーダンス型増幅器は、トランジスタQ3,Q4の差動器及び、R32・C32の帰還回路で構成される。更に、DVD側,CD側差動器共通の能動負荷として、トランジスタQ5,Q6及び、抵抗R1,R2で構成されるカレントミラー回路C1を備えており、2つの差動器共通の出力であるトランジスタQ6のコレクタは、トランジスタQ7及び、定電流源I1から構成される出力バッファ回路(エミッタフォロア出力回路)を介して出力端子Voに信号出力を行う。
【0039】
上述のように、2つの波長に対する2つのトランスインピーダンス型増幅器の出力を共通化しているため、2つの入力(前段増幅器)に対して出力端子は1つで良く、更に信号の電圧増幅を行う後段増幅器も1つで良い。よって、受光アンプ素子において、出力端子を増やすことなく2波長レーザー光に対応した出力が得られ、且つ後段増幅器も従来と同じ1個で良いため、チップサイズの拡大を抑制することができる。
【0040】
また、切換手段としては、前記第1及び第2の差動器のエミッタ接続点をそれぞれ、定電流源、スイッチ回路、カレントミラー回路から構成される第1及び第2の電流源でバイアスし、外部スイッチ信号により前第1及び第2の電流源を切換え、前記第1及び第2つの差動器を能動状態に切換えることとする。
【0041】
すなわち、図4において、トランスインピーダンス型増幅器を構成する差動器のバイアスは、DVD:650nm側(差動器Q1,Q2)に対してはトランジスタQ8、Q9、Qsw1及び定電流源I2で構成され、CD:780nm側(差動器Q3,Q4)に対してはトランジスタQ10、Q11、Qsw2及び定電流源I3で構成されている。更に、トランジスタQsw3,Qsw4及び定電流源I4,I5から構成されるスイッチ回路を備えている。
【0042】
DVD:650nm側において説明すると、トランジスタQsw1がOFFの状態(SW端子がLow)においては、定電流源I2から供給される電流が、トランジスタQ8,Q9で構成されるカレントミラー回路を介して、トランジスタQ1,Q2で構成される差動器に与えられるため、能動状態となる。尚、この時CD:780nm側は非動作状態となっている。SW端子がLow→Highへ切換ると、トランジスタQsw4がON状態となるため、そのコレクタ電位はGND付近まで低下して、トランジスタQsw3はOFF状態となる。トランジスタQsw3がOFF状態の時、そのコレクタ電位はVcc付近まで上昇するため、トランジスタQsw1がON状態となり、定電流源I2からの電流は全てトランジスタQsw1を介してGNDへ流れトランジスタQ1、Q2で構成される差動器にはバイアス電流が流れなくなり、非動作状態となる。尚、この時CD:780nm側は逆に能動状態となる。
【0043】
上述のように、差動器のバイアス電流を切換えることで、2つのトランスインピーダンス型増幅器の切換えを少ない素子で実現することができ、チップサイズ拡大によるコスト上昇の抑制を図ることができる。
【0044】
(実施の形態2)
図5は、図2中の2つの波長に対応する2つのメイン受光部からの光信号を、電気信号として出力する受光アンプ素子の他の等価回路ブロックを示す図である。
【0045】
ここで、図3と異なる点は、2つの受光部22,23の信号出力点が互いに接続され、2つのトランスインピーダンス型増幅器A31,A32それぞれに入力されている点である。また、2つのトランスインピーダンス型増幅器において、帰還抵抗であるR31とR32の値が異なり、且つ抵抗R31の値は、高反射率の再生専用光ディスクに最適な感度(ゲイン)となるよう設定され、抵抗R32の値は、低反射率の書換え可能な光ディスクに最適な感度(ゲイン)となるよう設定されている点が図3と異なる。本実施の形態においては、抵抗の値をR31<R32とする。
【0046】
受光アンプ素子17は、光ディスクからの反射光を信号光としているため、光ディスクの反射率が異なると受光アンプ素子17に入力される信号光量が変動することとなる。一般に、再生専用ROM光ディスクの反射率は高く、書換え可能なRW光ディスクの反射率は、ROM光ディスクの約4分の1程度と低いことが知られている。
【0047】
上述のように、2つの受光部の出力を接続し、2つのトランスインピーダンス型増幅器それぞれに入力し、前段増幅器それぞれの帰還抵抗値を、再生専用光ディスクに最適感度(ゲイン)と書換え可能光ディスクに最適感度(ゲイン)に分けて設定することで、DVD:650nm及びCD:780nmどちらの波長ディスクに対しても光ディスクの反射率の変動による影響を抑制し、安定した受光アンプ素子特性が得られる。
【0048】
(実施の形態3)
図6は、図2中の2つの波長に対応する2つのメイン受光部からの光信号を、電気信号として出力する受光アンプ素子のさらに他の等価回路ブロックを示す図である。
【0049】
ここで、図5と異なる点は2つのトランスインピーダンス型増幅器の帰還回路において、帰還抵抗R32と並列に抵抗R36とダイオードD1〜3から構成されるクランプ回路が接続されている点であり、且つ、帰還抵抗R32は書込み時の大光量対応として、帰還抵抗R31に対して十分小さく(R31>>R32)設定されている点である。アンプA31、帰還抵抗R31、容量C31で構成されるトランスインピーダンス型増幅器を再生用として設定し、アンプA32、帰還抵抗R32、容量C31及び、大光量入力時の飽和を防止するクランプ回路から構成される第2のトランスインピーダンス型増幅器を書込み用として設定することで、DVD:650nm及びCD:780nmの2つの波長に対して、録再機能を備えた受光アンプ素子を実現できる。
【0050】
上述したように、実施の形態1〜6で説明した受光アンプ素子によれば、2つの異なる波長のレーザー光を1チップから出力する2波長レーザーと、波長に関係なく2波長レーザーからのレーザー光を光ディスクに照射しその反射光を受光アンプ素子に導く1つの光学レンズを備えて構成されるピックアップ装置に適した受光アンプ素子を提供できる。
【0051】
【発明の効果】
2つの異なる波長のレーザー光を1チップから出力する半導体2波長レーザーの発光点間隔距離に合せた2つの受光部と、それぞれの受光部に接続されるトランスインピーダンス型増幅器を切換えて1つの出力とするよう構成することで、半導体2波長レーザーを用いた光ピックアップ装置に適した受光アンプ素子を提供できる。
【0052】
また、2つのトランスインピーダンス型増幅器を切換える構成において、帰還回路の定数を調整することにより、光ディスクの反射率が変動する場合にも、安定した出力を得られる半導体2波長レーザーを用いた光ピックアップ装置に適した受光アンプ素子を提供できる。
【0053】
さらに、2つのトランスインピーダンス型増幅器を切換える構成において、一方の帰還回路にクランプ回路を設けることで、録再機能を備えた半導体2波長レーザーを用いた光ピックアップ装置に適した受光アンプ素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の受光アンプ素子を用いた光ピックアップ装置の側面図である。
【図2】本発明の受光アンプ素子の受光部形状を示す図である。
【図3】本発明の実施の形態1にかかる受光アンプ素子の等価回路ブロックを示す図である。
【図4】本発明の受光アンプ素子の回路例を示す図である。
【図5】本発明の実施の形態2にかかる受光アンプ素子の等価回路ブロックを示す図である。
【図6】本発明の実施の形態3にかかる受光アンプ素子の等価回路ブロックを示す図である。
【図7】従来の受光アンプ素子を用いた光ピックアップ装置の側面図である。
【図8】従来の受光アンプ素子の受光部形状を示す図である。
【図9】従来の受光アンプ素子の等価回路ブロックを示す図である。
【符号の説明】
11 光ピックアップ装置
12 光ディスク
14 集光レンズ
16 半導体2波長レーザー
16a 第1の発光点
16b 第2の発光点
17 受光アンプ素子
22 第1の受光部
23 第2の受光部
A31・R31・C31 第1のトランスインピーダンス型増幅器
A32・R32・C32 第2のトランスインピーダンス型増幅器
S31 出力切換スイッチ
Claims (9)
- 互いに異なる波長の光を出射する複数の発光点を有する半導体レーザーと、該半導体レーザーの出射光を光ディスクに照射するとともに該光ディスクにて反射された反射光を受光アンプ素子に導く光学素子とを備えた光ピックアップ装置に用いられる受光アンプ素子であって、
前記異なる波長に対応した複数の受光部と、波長に応じた前記受光部に接続され前記異なる波長に対応した複数のトランスインピーダンス型増幅器と、前記波長に応じて前記トランスインピーダンス型増幅器からの出力を切換える切換手段とを備えたことを特徴とする受光アンプ素子。 - 前記複数のトランスインピーダンス型増幅器は、第1の波長に合せた帰還定数を持つ第1のトランスインピーダンス型増幅器と、第2の波長に合せた帰還定数を持つ第2のトランスインピーダンス型増幅器からなることを特徴とする請求項1記載の受光アンプ素子。
- 互いに異なる波長の光を出射する複数の発光点を有する半導体レーザーと、該半導体レーザーの出射光を光ディスクに照射するとともに該光ディスクにて反射された反射光を受光アンプ素子に導く光学素子とを備えた光ピックアップ装置に用いられる受光アンプ素子であって、
前記異なる波長に対応した複数の受光部と、該複数の受光部に接続され反射率が異なる複数の光ディスクに対応した複数のトランスインピーダンス型増幅器と、前記光ディスクに応じて前記トランスインピーダンス型増幅器からの出力を切換える切換手段とを備え、
前記複数の受光部の出力と前記複数のトランスインピーダンス型増幅器の入力との間が共通接続されてなることを特徴とする受光アンプ素子。 - 前記複数のトランスインピーダンス型増幅器は、再生専用光ディスクの反射率に合せた第1の帰還定数を持つ第1のトランスインピーダンス型増幅器と、書換え可能光ディスクの反射率に合せた第2の帰還定数を持つ第2のトランスインピーダンス型増幅器からなることを特徴とする請求項3記載の受光アンプ素子。
- 前記第2の帰還定数を設定する第2の帰還回路にはダイオードと抵抗からなるクランプ回路が並列接続されることを特徴とする請求項4記載の受光アンプ素子。
- 前記第1及び第2のトランスインピーダンス型増幅器は、第1及び第2の2つの差動器と、該差動器の出力であるコレクタが各々互いに接続される能動負荷となる1つのカレントミラー回路と、エミッタフォロワ出力回路と、2つの帰還回路とから構成され、前記1及び第2のトランスインピーダンス型増幅器に対して1つの出力端子を持つことを特徴とする請求項2、4又は5記載の受光アンプ素子。
- 前記切換手段は、前記第1及び第2の差動器のエミッタ接続点をそれぞれ、定電流源、スイッチ回路、カレントミラー回路から構成される第1及び第2の電流源でバイアスし、外部スイッチ信号により前第1及び第2の電流源を切換え、前記第1及び第2つの差動器を能動状態に切換えることを特徴とする請求項6記載の受光アンプ素子。
- 前記複数の受光部と前記複数のトランスインピーダンス型増幅器とが1つのチップ上に形成され、前記複数の受光部間隔が前記複数の発光点間隔に等しいことを特徴とする請求項1から7のいずれか一つに記載の受光アンプ素子。
- 請求項1から8のいずれか一つに記載の受光アンプ素子を用いた光ピックアップ装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002174370A JP2004022051A (ja) | 2002-06-14 | 2002-06-14 | 受光アンプ素子 |
US10/461,596 US7002881B2 (en) | 2002-06-14 | 2003-06-12 | Light receiving amplification element |
CNB031602673A CN1235209C (zh) | 2002-06-14 | 2003-06-14 | 光接收放大元件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002174370A JP2004022051A (ja) | 2002-06-14 | 2002-06-14 | 受光アンプ素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004022051A true JP2004022051A (ja) | 2004-01-22 |
Family
ID=29727964
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002174370A Pending JP2004022051A (ja) | 2002-06-14 | 2002-06-14 | 受光アンプ素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7002881B2 (ja) |
JP (1) | JP2004022051A (ja) |
CN (1) | CN1235209C (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006345459A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Sharp Corp | 増幅回路 |
JP2007060306A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電流増幅回路、及び光ピックアップ装置 |
JP2007104136A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電流増幅回路、及び光ピックアップ装置 |
WO2007125977A1 (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic appliance using the same |
JP2007305214A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Sharp Corp | 受光アンプ回路、受光ic及び電子機器 |
JP2008159106A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-10 | Tdk Corp | 光ピックアップ用受光装置および光ピックアップ装置 |
US7514665B2 (en) | 2005-10-03 | 2009-04-07 | Panasonic Corporation | Differential amplifier circuit with rectifier for optical pick-up device |
JP2009088582A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Tdk Corp | 増幅回路及びこれを備える光ピックアップ |
US7705283B2 (en) | 2005-05-23 | 2010-04-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
JPWO2011122389A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2013-07-08 | 日清オイリオグループ株式会社 | 糖尿病の予防又は治療用油脂組成物 |
US8514165B2 (en) | 2006-12-28 | 2013-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2018087815A1 (ja) * | 2016-11-08 | 2018-05-17 | オリンパス株式会社 | 光検出装置および画像取得装置 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0413610D0 (en) * | 2004-06-18 | 2004-07-21 | Melexis Nv | DVD reading apparatus |
US7470885B2 (en) * | 2004-09-13 | 2008-12-30 | Panasonic Corporation | Photodetector-amplifier circuit and optical pickup device |
EP1744308A3 (en) * | 2005-07-12 | 2009-03-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light receiving element circuit and optical disk drive |
KR101281991B1 (ko) * | 2005-07-27 | 2013-07-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2007096593A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Toshiba Corp | 受信装置 |
JP2007135106A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電流増幅回路、及び光ピックアップ装置 |
JP2007272972A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Sharp Corp | 前段アンプ回路、受光アンプ回路、ならびに光ピックアップ装置 |
US7791012B2 (en) * | 2006-09-29 | 2010-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising photoelectric conversion element and high-potential and low-potential electrodes |
US8509140B2 (en) * | 2006-11-21 | 2013-08-13 | Honeywell International Inc. | System and method for transmitting information using aircraft as transmission relays |
US8058675B2 (en) * | 2006-12-27 | 2011-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device using the same |
US7729263B2 (en) * | 2007-08-08 | 2010-06-01 | Honeywell International Inc. | Aircraft data link network routing |
US9264126B2 (en) * | 2007-10-19 | 2016-02-16 | Honeywell International Inc. | Method to establish and maintain an aircraft ad-hoc communication network |
US8811265B2 (en) * | 2007-10-19 | 2014-08-19 | Honeywell International Inc. | Ad-hoc secure communication networking based on formation flight technology |
US8570990B2 (en) * | 2007-12-04 | 2013-10-29 | Honeywell International Inc. | Travel characteristics-based ad-hoc communication network algorithm selection |
US9467221B2 (en) * | 2008-02-04 | 2016-10-11 | Honeywell International Inc. | Use of alternate communication networks to complement an ad-hoc mobile node to mobile node communication network |
US20090318138A1 (en) * | 2008-06-20 | 2009-12-24 | Honeywell International Inc. | System and method for in-flight wireless communication |
US8190147B2 (en) * | 2008-06-20 | 2012-05-29 | Honeywell International Inc. | Internetworking air-to-air network and wireless network |
US7944290B2 (en) * | 2009-01-26 | 2011-05-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Trans-impedance amplifier |
JP2011150775A (ja) * | 2009-12-21 | 2011-08-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5729511A (en) * | 1991-02-15 | 1998-03-17 | Discovision Associates | Optical disc system having servo motor and servo error detection assembly operated relative to monitored quad sum signal |
JP2001202646A (ja) | 2000-01-18 | 2001-07-27 | Hitachi Ltd | 光検出器切り替え回路 |
JP3663110B2 (ja) | 2000-04-21 | 2005-06-22 | 三洋電機株式会社 | 光ピックアップ装置 |
US6910174B2 (en) * | 2001-06-01 | 2005-06-21 | Dphi Acquisitions, Inc. | Error correction code block format |
-
2002
- 2002-06-14 JP JP2002174370A patent/JP2004022051A/ja active Pending
-
2003
- 2003-06-12 US US10/461,596 patent/US7002881B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-14 CN CNB031602673A patent/CN1235209C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7705283B2 (en) | 2005-05-23 | 2010-04-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
US8263926B2 (en) | 2005-05-23 | 2012-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
JP2006345459A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Sharp Corp | 増幅回路 |
JP2007060306A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電流増幅回路、及び光ピックアップ装置 |
US7442913B2 (en) | 2005-08-24 | 2008-10-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photocurrent amplifier circuit and optical pick-up device |
JP2007104136A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電流増幅回路、及び光ピックアップ装置 |
US7335872B2 (en) | 2005-09-30 | 2008-02-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Photocurrent amplifier circuit and optical pick-up device |
JP4646772B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2011-03-09 | パナソニック株式会社 | 光電流増幅回路、及び光ピックアップ装置 |
US7514665B2 (en) | 2005-10-03 | 2009-04-07 | Panasonic Corporation | Differential amplifier circuit with rectifier for optical pick-up device |
WO2007125977A1 (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic appliance using the same |
US7531784B2 (en) | 2006-04-27 | 2009-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic appliance using the same |
JP2007305214A (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-22 | Sharp Corp | 受光アンプ回路、受光ic及び電子機器 |
JP4499061B2 (ja) * | 2006-05-10 | 2010-07-07 | シャープ株式会社 | 受光アンプ回路、受光ic及び電子機器 |
JP2008159106A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-10 | Tdk Corp | 光ピックアップ用受光装置および光ピックアップ装置 |
US8514165B2 (en) | 2006-12-28 | 2013-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2009088582A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Tdk Corp | 増幅回路及びこれを備える光ピックアップ |
JPWO2011122389A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2013-07-08 | 日清オイリオグループ株式会社 | 糖尿病の予防又は治療用油脂組成物 |
WO2018087815A1 (ja) * | 2016-11-08 | 2018-05-17 | オリンパス株式会社 | 光検出装置および画像取得装置 |
US10704953B2 (en) | 2016-11-08 | 2020-07-07 | Olympus Corporation | Light detecting apparatus and image acquiring apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1235209C (zh) | 2006-01-04 |
US20030231574A1 (en) | 2003-12-18 |
CN1495735A (zh) | 2004-05-12 |
US7002881B2 (en) | 2006-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004022051A (ja) | 受光アンプ素子 | |
US7470885B2 (en) | Photodetector-amplifier circuit and optical pickup device | |
JP4646772B2 (ja) | 光電流増幅回路、及び光ピックアップ装置 | |
JP4844072B2 (ja) | 受光増幅回路、及びそれを用いた光ピックアップ装置 | |
US7263046B2 (en) | Photo-detector amplifier circuit for optical disk device | |
JP2003006905A (ja) | 光ディスク記録再生装置のレーザダイオード駆動回路及びfpdアンプ回路 | |
JP2007110021A (ja) | 受光回路 | |
JPH0684176A (ja) | 光学データ記憶システムにおける光検出器用差動増幅器 | |
US7405386B2 (en) | Light receiving device for reading an optical medium with reducing influence of dark current and stray light performance | |
US20070108374A1 (en) | Photocurrent amplifier circuit and optical pick-up device | |
JP2007122841A (ja) | 受光アンプ回路及び光ピックアップ装置 | |
JP4129464B2 (ja) | 受光増幅回路及び光ピックアップ装置 | |
JP4090476B2 (ja) | 光電流増幅回路、及び光ピックアップ装置 | |
US7408143B2 (en) | Previous amplifier circuit, light-receiving amplifier circuit, and optical pickup apparatus having grounded emitter amplifier circuits each with a grounded emitter transistor | |
JP2008060271A (ja) | 光半導体装置、及び光ピックアップ装置 | |
WO2010064442A1 (ja) | 受光増幅回路および光ディスク装置 | |
KR101233797B1 (ko) | 신호 구동장치 및 이것을 이용한 광픽업장치 | |
US7567489B2 (en) | Light detector, optical pickup, and optical disc apparatus | |
JP4680118B2 (ja) | 受光増幅回路および光ピックアップ | |
JP2005210147A (ja) | 受光アンプ回路及びそれを備える光ピックアップ素子 | |
JP3604125B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
JP2008152849A (ja) | 光ピックアップ装置および光検出器 | |
WO2011099088A1 (ja) | 光集積素子及びそれを用いた光ピックアップ装置 | |
US20090296562A1 (en) | Photoelectric converting device, and optical disk apparatus and adjustment method of the same | |
JP4687700B2 (ja) | フォトダイオード用集積回路及びこれを備える光ピックアップ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050225 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070130 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070329 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070329 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070821 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071022 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080701 |