JP4082536B2 - 光ピックアップ用高周波重畳モジュール - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ピックアップ用高周波重畳モジュールに関する。この種の高周波重畳モジュールは、ＤＶＤ（ディジタルビデオディスク）、ＭＤ（光磁気ディスク）、ＣＤ（コンパクトディスク）等のような記録媒体を用いた情報記録再生装置において、光ピックアップの構成部品の一つとして用いられる。
【０００２】
【従来の技術】
光ピックアップによる再生時に、戻り光により誘起されるレーザーノイズの発生を防止する方法として、レーザーダイオードに、高周波電流を供給して駆動する高周波重畳法が知られている。
【０００３】
この高周波重畳法を用いた光ピックアップは、高周波重畳モジュールを備える。高周波重畳モジュールは、発振回路部と、インピーダンス整合部とを含み、発振回路部で生成された数百ＭＨｚの信号を、インピーダンス整合部を介して、レーザーダイオードに供給することにより、レーザーダイオードのレーザー光出力を、数百ＭＨｚの周波数でオン、オフさせ、レーザー光の縦モードをマルチ化し、レーザーノイズの発生を防止している（例えば特公昭５９ー９０８６号公報参照）。
【０００４】
高周波重畳モジュールを構成する発振回路部は、トランジスタ等の能動素子と、インダクタ（Ｌ）、コンデンサ（Ｃ）及び抵抗（Ｒ）等の受動回路素子とを組み合わせて構成され、インピーダンス整合部も受動回路素子によって構成される。従来の高周波重畳モジュールでは、上述した能動素子及び受動回路素子のディスクリート部品を、基板上に個別に実装し、基板上に形成された導体パターンにより、所要の回路結線となるように接続してあった。
【０００５】
各部品の定数は、高周波重畳モジュールの主要な特性である発振周波数ｆ０及び出力Ｐ０に関して、所定の特性が得られるように、各部品を接続するために形成された導体パターンのＬ値、Ｃ値及びＲ値等を考慮して、最適値に設計される。
【０００６】
しかし、高周波重畳モジュールを搭載すべき光ピックアップは、例えば、ノートブック型パソコンに用いられるか、デスクトップ型パソコンに用いられるか等によって、さまざまな形状をとる。このため、さまざまな形状の光ピックアップにおいて、高周波重畳モジュールの形状が異なるたび毎に、部品配置が変わり、各部品を接続する導体パターンの形状が変わってしまう。この結果、各構成部品を接続する導体パターンの持つＬ値、Ｃ値及びＲ値も変化してしまい、各部品の最適値を、再設計せざるを得なかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、機能、及び、特性を損なうことなく、さまざまな形状の光ピックアップに対応できる高周波重畳モジュールを提供することである。
【０００８】
本発明のもう一つの課題は、部品点数を減少させ、小型化を図った高周波重畳モジュールを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、本発明に係る高周波重畳モジュールは、基板と、発振回路部と、インピーダンス整合部とを含む。前記基板は、導体パターンを有する。前記発振回路部は、少なくとも１つの能動素子と複数の受動回路素子とを含む。前記インピーダンス整合部は、複数の受動回路素子を含み、前記発振回路部の後段に接続される。この構成によれば、発振回路部で生成された発振周波数信号（数百ＭＨｚ）を、インピーダンス整合部を介して、レーザーダイオードに供給することにより、レーザーダイオードのレーザー光出力を、発振周波数信号（数百ＭＨｚ）でオン、オフさせ、レーザー光の縦モードをマルチ化し、レーザーノイズの発生を防止することができる。
【００１０】
上記基本構成において、前記発振回路部の前記受動回路素子及び前記インピーダンス整合部の前記受動回路素子は、少なくともその一部が、積層複合部品によって、１部品化されている。前記能動素子、及び、前記積層複合部品は、前記基板に搭載され、前記導体パターンにより、所要の回路結線が行われる。従って、発振回路部に含まれる受動回路素子及びインピーダンス整合部に含まれる受動回路素子のうち、積層複合部品として一部品化された受動回路素子については、相互間を接続する導体のＬ値、Ｃ値及びＲ値が固定された不変の値に保持される。
【００１１】
このため、高周波重畳モジュールを搭載すべき光ピックアップが、例えば、ノートブック型パソコン、または、デスクトップ型パソコン等のように、用途の相違に応じて、異なった形状をとり、高周波重畳モジュールの形状が変化した場合でも、導体パターンの変化によるＬ値、Ｃ値及びＲ値の変化を最小にすることができる。このことは、機能、及び、特性を損なうことなく、さまざまな形状の光ピックアップに対応できることを意味する。
【００１２】
しかも、発振回路部の受動回路素子及びインピーダンス整合部の受動回路素子の少なくともその一部が、積層複合部品によって、１部品化されているから、構成部品点数が減少する。更に、受動回路素子を積層して一体化した積層複合部品であるから、基板上での実装占有平面積が小さくなり、基板の外形形状も小型化できる。このため、部品点数を減少させ、小型化を図った高周波重畳モジュールが得られる。
【００１３】
積層複合部品は、発振回路部に含まれる受動回路素子の全てを含んでいてもよいし、インピーダンス整合部に含まれる受動回路素子の全てを含んでいてもよい。
【００１４】
本発明の他の目的、構成及び利点は、実施例である添付図面を参照し、更に詳しく説明する。添付図面は、単なる例示に過ぎない。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係る高周波重畳モジュールの適用可能な回路例を示すブロック図である。図において、点線枠Ｍで囲まれた部分が高周波重畳モジュールを示している。図示された高周波重畳モジュールＭは、発振回路部１と、インピーダンス整合部３とを含む。発振回路部１はフィルタ部７を介して電源端子Ｔ１に接続されている。インピーダンス整合部３は発振回路部１の出力側（後段）に備えられている。インピーダンス整合部３の出力端は、レーザーダイオードＬＤに接続されている。レーザーダイオードＬＤは電源端子Ｔ２に接続されており、バックモニター用のフォトダイオードＰＤは電源端子Ｔ３に接続されている。
【００１６】
発振回路部１で生成された発振周波数信号（数百ＭＨｚ）は、インピーダンス整合部３を介して、レーザーダイオードＬＤに供給される。レーザーダイオードＬＤのレーザー光出力は、発振周波数信号でオン、オフされる。これにより、レーザー光の縦モードがマルチ化され、レーザーノイズの発生が防止される。
【００１７】
高周波重畳モジュールＭの構成には、２タイプあり、図１はそのうちの１つのタイプを示している。このタイプでは、高周波重畳モジュールＭは、発振回路部１と、インピーダンス整合部３とを含むが、レーザーダイオードＬＤの電源ラインと、フォトダイオード（バックモニタ用）ＰＤの電源ラインは含まない。発振回路部１の前段に備えられたフィルタ部７の一部を、高周波重畳モジュールＭに含ませてもよい。
【００１８】
図２はもう一つのタイプの高周波重畳モジュールを示すブロック図である。このタイプでは、高周波重畳モジュールＭは、発振回路部１及びインピーダンス整合３の他、レーザーダイオードＬＤの電源ライン、及び、フォトダイオードＰＤの電源ラインを含む。この場合は、発振回路部１の入力側のフィルタ部７とともに、レーザーダイオードＬＤの電源ラインにも、フィルタ部９が備えられる。フィルタ部９の一部を、高周波重畳モジュールＭの一部として、含んでいてもよい。
【００１９】
図３は図１に示した高周波重畳モジュールの具体的な回路例を示す図である。発振回路部１は、トランジスタＱ１でなる能動素子と、抵抗Ｒ１、Ｒ２、コンデンサＣ１〜Ｃ３、Ｃ６及びインダクタＬ１、Ｌ２等の受動回路素子を含んでいる。発振回路部１は、上述したコンデンサＣ１〜Ｃ３、Ｃ６及びインダクタＬ１、Ｌ２によるＬＣ共振現象を用いた発振回路を構成し、数百ＭＨｚの発振周波数信号を生成する。
【００２０】
インピーダンス整合部３は、コンデンサＣ４、Ｃ５を含み、発振回路部１の出力側（後段）に接続されている。発振回路部１で生成された発振周波数信号は、インピーダンス整合部３を介して、レーザーダイオードＬＤに供給される。
【００２１】
フィルタ部７は、インダクタＬ４、Ｌ８及びコンデンサＣ７、Ｃ１２を含んでいる。フィルタ部９はインダクタＬ３、Ｌ７、Ｌ１０及びコンデンサＣ９、Ｃ１１を含んでいる。。
【００２２】
発振回路部１、インピーダンス整合部３及びフィルタ部７、９の回路構成は周知であるので、その詳細は省略する。高周波重畳モジュールＭは、図示された回路構成に限らず、他の構成であってもよい。
【００２３】
図３に示された回路構成において、高周波重畳モジュールＭは、発振回路部１を構成するトランジスタＱ１、コンデンサンサＣ１〜Ｃ３、Ｃ６、インダクタＬ１、Ｌ２及び抵抗Ｒ１〜Ｒ３と、インピーダンス整合部３を構成するコンデンサＣ４、Ｃ５と、フィルタ部７のコンデンサＣ７、インダクタＬ４とを含んでいる。
【００２４】
図４は図１〜図３に示した高周波重畳モジュールを組み込んだ光ピックアップの斜視図である。図４に図示された光ピックアップはノートブック型パソコンに適したものである。高周波重畳モジュールＭは、光学ベース１３の一面側に取り付けられ、フレキシブル基板２０等により、外部回路に接続されている。
【００２５】
図示された光ピックアップは、レーザーダイオードＬＤ（図１〜３参照）から出射されるレーザー光出力を元に、データの記録再生を行うものであり、レーザーダイオードは、高周波重畳モジュールＭの配置された一面とは反対側の面において、光学ベース１３に取り付けられている。
【００２６】
光学ベース１３には、レーザー光を光ディスク上に集光させるための対物レンズ１７が取り付けられている。対物レンズ１７はレーザー光が常に光ディスク（図示しない）上に集光するように、アクチュエータ１９により駆動される。対物レンズ１７から出射された光は、光ディスクに集光され、光ディスク上に記録されている情報により変調され、反射される。反射光は集光レンズを経て、光学ベース１３の内部に備えられた光学系を経由して受光素子（図示しない）に送られる。そして、この受光素子により、変調された光信号は電気信号に変換され、再生信号となる。このような光学的信号伝送及び処理は周知であるので、説明は省略する。
【００２７】
アクチュエータ１９、信号再生用受光素子、レーザーダイオード、高周波重畳モジュールＭの各電源は、フレキシブル基板２０上に形成された導体パターンを介して供給される。レーザーダイオードＬＤ、及び、フォトダイオードＰＤの電源は、フレキシブル基板２０により、高周波重畳モジュールＭを経由せずに、供給される。
【００２８】
図５は本発明に係る高周波重畳モジュールＭの平面図である。図示された高周波重畳モジュールＭは、図３に図示された回路構成において、点線包枠によって囲まれた範囲に含まれている部品を、基板１５上に実装することによって構成されている。この場合、発振回路部１に含まれる受動回路素子及びインピーダンス整合部３に含まれる受動回路素子の少なくともその一部を、積層複合部品５によって、１部品化する。そして、この積層複合部品５を、発振回路部１のトランジスタ（能動素子）Ｑ１、及び、他の回路部品とともに、基板１５に搭載し、基板１５の上に形成された導体パターンにより、図３に図示された所要の回路結線が得られるように接続する。
【００２９】
図６は積層複合部品５の一例を示す図である。この実施例に示された積層複合部品５は、発振回路部１に含まれるコンデンサＣ１〜Ｃ３及びインダクタＬ１、Ｌ２と、インピーダンス整合部３に含まれるコンデンサＣ４、Ｃ５を、積層して一体化した構造となっている。これらの受動回路素子は、基板２１の端部に備えられた接続端子Ｔ１１〜Ｔ１６により、所要の回路結線（図３参照）となるように、接続される。
【００３０】
上記積層複合部品５によれば、発振回路部１に含まれる受動回路素子及びインピーダンス整合部に含まれる受動回路素子のうち、積層複合部品５として一部品化されたコンデンサＣ１〜Ｃ３及びインダクタＬ１、Ｌ２と、コンデンサＣ４、Ｃ５については、相互間を接続する導体のＬ値、Ｃ値及びＲ値が固定された不変の値に保持される。
【００３１】
このため、高周波重畳モジュールＭを搭載すべき光ピックアップが、例えば、ノートブック型パソコン、または、デスクトップ型パソコン等のように、用途の相違に応じて、異なった形状をとり、高周波重畳モジュールＭの形状が変化した場合でも、導体パターンの変化によるＬ値、Ｃ値及びＲ値の変化を最小にすることができる。このことは、機能、及び、特性を損なうことなく、さまざまな形状の光ピックアップに対応できることを意味する。
【００３２】
しかも、発振回路部１に含まれる受動回路素子及びインピーダンス整合部３に含まれる受動回路素子のうち、コンデンサＣ１〜Ｃ５及びインダクタＬ１、Ｌ２が積層複合部品５によって、１部品化されているから、構成部品点数が減少する。更に、受動回路素子を積層して一体化した積層複合部品５を用いるから、基板１５上での実装占有平面積が小さくなり、基板１５の外形形状も小型化できる。このため、部品点数を減少させ、小型化を図った高周波重畳モジュールＭが得られる。
【００３３】
次に、従来の高周波重畳モジュールと、本発明に係る高周波重畳モジュールとについて、外形形状、及び、部品点数の差異について、具体的に述べる。
【００３４】
図７は本発明に係る高周波重畳モジュールと対比される従来の高周波重畳モジュールの平面図である。図７に示すように、従来の高周波重畳モジュールでは、発振回路部１に含まれるトランジスタＱ１、コンデンサＣ１〜Ｃ３、インダクタＬ１、Ｌ２及びインピーダンス整合部３のコンデンサＣ４、Ｃ５は、全て、ディスクリート部品であり、基板１５の上に個別的に実装されている。
【００３５】
＜従来例１＞
基板１５の外形寸法：１０．０×７．０ｍｍ
Ｒ１〜Ｒ３、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ４及びＣ１〜Ｃ７：１．０×０．５ｍｍ
トランジスタＱ１：１．４×０．８ｍｍ
部品点数合計：１４点
＜実施例１＞
基板１５の外形寸法：８．０×６．０ｍｍ
Ｒ１〜Ｒ３、Ｌ４及びＣ６、Ｃ７：１．０×０．５ｍｍ
積層複合部品５の外形寸法：３．２×１．６ｍｍ
トランジスタＱ１：１．４×０．８ｍｍ
部品点数合計：８点
実施例１を従来例１と比較すると明らかなように、個別部品として実装される抵抗Ｒ１〜Ｒ３、インダクタＬ３及びコンデンサＣ６、Ｃ７を（１．０×０．５ｍｍ）の形状とし、積層複合部品５の外形を（３．２×１．６ｍｍ）にした場合、実施例１によれば、基板１５の外形を、従来例１の外形（１０．０×７．０ｍｍ）から（８．０×６．０ｍｍ）に小型化できる。しかも、部品点数合計を、従来例１の１４個から８個に減らすことができる。
【００３６】
＜従来例２＞
基板１５の外形寸法：８．０×６．０ｍｍ
Ｒ１〜Ｒ３、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ４及びＣ１〜Ｃ７：０．６×０．３ｍｍ
トランジスタＱ１：１．４×０．８ｍｍ
部品点数合計：１４点
＜実施例２＞
基板１５の外形寸法：７．０×５．０ｍｍ
Ｒ１〜Ｒ３、Ｌ４及びＣ６、Ｃ７：１．０×０．５ｍｍ
積層複合部品５の外形寸法：２．０×１．２ｍｍ
トランジスタＱ１：１．４×０．８ｍｍ
部品点数合計：８点
実施例２を、従来例２と比較すると明らかなように、個別部品として実装される抵抗Ｒ１〜Ｒ３、インダクタＬ４及びコンデンサＣ６、Ｃ７を（０．６×０．３ｍｍ）の形状とし、積層複合部品５の外形を（２．０×１．２ｍｍ）にした場合、本発明に係る実施例２によれば、基板１５の外形を、従来例１の外形（８．０×６．０ｍｍ）から（７．０×５．０ｍｍ）に小型化できる。しかも、部品点数合計を、従来例２の１４個から８個に減らすことができる。
【００３７】
次に、図８〜図１０を参照して、図６に示した回路構成を持つ積層複合部品の具体的構造を説明する。図８、９及び１０は図面表示上の都合から分離したもので、１つの積層複合部品５の積層構造を表示するものである。即ち、図８に示された積層構造の下側に図９に示した積層構造が連続し、図９に示した積層構造の下側に図１０に示した積層構造が連続する。以下の説明において、端子Ｔ１１〜Ｔ１６については図６を参照する。
【００３８】
図８〜１０において、誘電体層２１１〜２２６は薄いセラミック誘電体層から構成されている。誘電体層２１１〜２２６は、有機系誘電体で構成することもできる。これらの誘電体層２１１〜２２６の内、誘電体層２１２〜２１４の一面にはインダクタＬ１を構成するコイル導体２３２〜２３４が形成されている。コイル導体２３２〜２３４は巻き方向が連続するように、端部が、スルーホール等によって順次に接続されている。コイル導体２３２の始端は端子Ｔ１３に接続される。
【００３９】
誘電体層２１５の一面上には、コンデンサ電極２３５が形成されている。このコンデンサ電極２３５にはスルーホールにより、誘電体層２１４に形成されたコイル導体２３４の終端が接続されている。
【００４０】
誘電体層２１５の下側には、誘電体層２１６が積層されている。誘電体層２１６には誘電体層２１５と積層される一面上にコンデンサ電極２３６が形成されている。このコンデンサ電極２３６と、誘電体層２１５の一面上に形成されたコンデンサ電極２３５とにより、誘電体層２１５を誘電体層をするコンデンサＣ１が形成される。コンデンサ電極２３６の端部は、端子Ｔ１４に接続される。
【００４１】
誘電体層２１６の下側には、誘電体層２１７〜２２２が順次に積層されている。誘電体層２１７〜２２２は、それぞれの一面上にコンデンサ電極２３７〜２４２が形成されている。この積層構造によれば、コンデンサＣ２〜Ｃ５が構成される。コンデンサＣ２〜Ｃ５の取得される積層構造は次の通りである。
【００４２】
＜コンデンサＣ２について＞
コンデンサ電極２３６と、コンデンサ電極２３７との間に誘電体層２１６を誘電体層とする容量が生じる。コンデンサ電極２３６の端部は端子Ｔ１４に接続されており、コンデンサ電極２３７は端子Ｔ１５に接続されているので、コンデンサ電極２３６と、コンデンサ電極２３７との間に生じた容量は、端子Ｔ１４と端子Ｔ１５とから取り出される。
【００４３】
次に、コンデンサ電極２３７と、コンデンサ電極２３８との間に誘電体層２１７を誘電体層とする容量が生じる。コンデンサ電極２３７の端部は端子Ｔ１５に接続されており、コンデンサ電極２３８は端子Ｔ１４に接続されているので、コンデンサ電極２３７と、コンデンサ電極２３８との間に生じた容量は、端子Ｔ１４と端子Ｔ１５とから取り出される。
【００４４】
更に、コンデンサ電極２３８と、コンデンサ電極２３９との間に誘電体層２１８を誘電体層とする容量が生じる。コンデンサ電極２３８の端部は端子Ｔ１４に接続されており、コンデンサ電極２３９は端子Ｔ１５に接続されているので、コンデンサ電極２３８と、コンデンサ電極２３９との間に生じた容量は、端子Ｔ１４と端子Ｔ１５とから取り出される。
【００４５】
従って、コンデンサＣ２は、コンデンサ電極２３６と、コンデンサ電極２３７との間の誘電体層２１６を誘電体層とする容量と、コンデンサ電極２３７とコンデンサ電極２３８との間の誘電体層２１７を誘電体層とする容量と、コンデンサ電極２３８とコンデンサ電極２３９との間の誘電体層２１８を誘電体層とする容量とを、並列に接続した容量として、端子Ｔ１４及び端子Ｔ１５から取り出される。
【００４６】
＜コンデンサＣ３について＞
コンデンサ電極２４１とコンデンサ電極２４２との間に、誘電体層２２１を誘電体層とする容量が生じる。コンデンサ電極２４１の端部は端子Ｔ１２及び端子Ｔ１３に接続されており、コンデンサ電極２４２の端部は端子Ｔ１５に接続されている。従って、コンデンサ電極２４１とコンデンサ電極２４２との間に生じた容量は、コンデンサＣ３として、端子Ｔ１２及びＴ１３と、端子Ｔ１５との間から取り出される。
【００４７】
＜コンデンサＣ４について＞
コンデンサ電極２３９とコンデンサ電極２４０との間に、誘電体層２１９を誘電体層とする容量が生じる。コンデンサ電極２３９の端部は端子Ｔ１５に接続されており、コンデンサ電極２４０の端部は端子Ｔ１６に接続されている。従って、コンデンサ電極２３９とコンデンサ電極２４０との間に生じた容量は、コンデンサＣ４として、端子Ｔ１５と端子Ｔ１６との間から取り出される。
【００４８】
＜コンデンサＣ５について＞
コンデンサ電極２４０とコンデンサ電極２４１との間に、誘電体層２２０を誘電体層とする容量が生じる。コンデンサ電極２４０の端部は端子Ｔ１６に接続されており、コンデンサ電極２４１の端部は端子Ｔ１２、Ｔ１３に接続されている。従って、コンデンサ電極２４０とコンデンサ電極２４１との間に生じた容量は、コンデンサＣ５として、端子Ｔ１６と端子Ｔ１２及びＴ１３との間から取り出される。
【００４９】
更に、誘電体層２２２の下側には、誘電体層２２３〜２２６が順次に積層されている。誘電体層２２３〜２２６の一面にはインダクタＬ２を構成するコイル導体２４３〜２４６が形成されている。コイル導体２４３〜２４６は巻き方向が連続するように、端部が、スルーホール等によって順次に接続されている。コイル導体２４３の始端は端子Ｔ１１に接続されており、コイル導体２４６の終端は端子Ｔ１５に接続されている。
【００５０】
従って、上述した積層構造によれば、図６に示した回路結線を持つ積層複合部品５が得られる。
【００５１】
コンデンサＣ１〜Ｃ５の容量値は、コンデンサ電極２３５〜２４２の重なり面積、コンデンサ電極２３５〜２４２の間に存在する層の誘電率及び層厚を選択することにより、適切な値に設定できる。また、インダクタＬ１、Ｌ２のインダクタンス値は、コイル導体２３２〜２３４、２４３〜２４６の幅、長さ、及び、開口面積を選択することにより、適切な値に設定できる。
【００５２】
積層複合部品５は、図５に示したように、高周波重畳モジュールＭの基板１５上に実装される。そして、積層複合部品の端子Ｔ１６を、レーザーダイオードＬＤの端子と基板１５の上に形成された導体パターンで接続することにより、高周波重畳モジュールＭの信号を、レーザーダイオードＬＤへ伝達する。このとき、基板１５上に形成されたレーザーダイオードＬＤの端子と積層複合部品５の端子Ｔ１６との間に形成される導体パターンの持つＬ、Ｃ、Ｒの値を含め、インピーダンス整合部３とレーザーダイオードＬＤとの間で、インピーダンス整合がとれるように設計する。
【００５３】
図１１は本発明に係る光ピックアップの別の実施例を示す斜視図である。図において、図４に図示された構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付してある。この実施例は、デスクトップ型パソコンに用いるのに適した光ピックアップを示している。高周波重畳モジュールＭは光学ベース１３の側面等の適当な位置に取り付けられている。光学ベース１３は、図４に示した光学ベース厚み寸法Ａよりも大きな厚み寸法Ｂを有する。
【００５４】
図１２は図１１に示した光ピックアップに用いられる高周波重畳モジュールＭの一例を示す平面図である。図において、図５に図示された構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付してある。
【００５５】
図１１の光ピックアップの場合、図４に示した光ピックアップと比べ、高周波重畳モジュールＭが実装されるスペースの形状が異なる。図４に示す例では、高周波重畳モジュールは、対物レンズの取り付けられている面に実装され、形状は長方形状であったが、図１１に示す例では、図４に示す光ピックアップと比べ、セット内での実装スペースの問題から、トラッキングＴＲＫの方向の寸法が制約され、横方向の寸法がとれない。このため、高周波重畳モジュールＭの実装箇所は、光学ベース１３の側面等に限られ、基板１５の形状が正方形に近い形状にならざるを得ない。
【００５６】
本発明に係る高周波重畳モジュールＭでは、発振回路部１の受動回路素子及びインピーダンス整合部３を構成する受動回路素子を、１部品化した積層複合部品５を用いている。
【００５７】
このため、基板１５の形状がどう変化しようと、発振回路部１、インピーダンス整合部３のＬ、Ｃ値は変化することなく、基板１５上の導体パターンの影響を受けることもない。インピーダンス整合部３において、積層複合部品５の端子Ｔ１６とレーザーダイオードＬＤとの間の導体パターンの形状変化による影響が考えられるが、従来と異なり、導体パターンの影響を受けるのは、この１箇所だけである。従って、基板１５が、図５から図１２の形状に変化しても、この箇所の導体パターンだけ、導体パターンのインピーダンス（Ｌ、Ｃ、Ｒの値）を同じように設計することは容易である。発振回路部１においては、図示するように、受動回路素子を全てを、積層複合部品５の内部に埋設してあるので、基板１５の導体パターンの影響を受けることがない。
【００５８】
よって、従来と異なって、高周波重畳モジュールＭの実装形状が変化する度に、構成部品の定数の再設計をする必要はない。また、従来例と比較して、高周波重畳モジュールの実装形状が変化しても、その特性（発振周波数、出力）に及ぼす影響を限りなく小さくすることができる。
【００５９】
また、構成部品の点数も、既に述べたように、従来例と比べて少なくできるので、小型化が可能である。
【００６０】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果を得ることができる。
（ａ）機能、及び特性を損なうことなく、さまざまな形状の光ピックアップに対応できる高周波重畳モジュールを提供することができる。
（ｂ）部品点数を減少させ、小型化を図った高周波重畳モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る高周波重畳モジュールの適用可能な回路例を示すブロック図である。
【図２】本発明に係る高周波重畳モジュールの適用可能な別の回路例を示すブロック図である。
【図３】図２に示した高周波重畳モジュールの具体的な回路例を示す図である。
【図４】図１〜図３に示した高周波重畳モジュールを組み込んだ光ピックアップの斜視図である。
【図５】本発明に係る高周波重畳モジュールの平面図である。
【図６】本発明に係る高周波重畳モジュールに用いられる積層複合部品の一例を示す図である。
【図７】従来の高周波重畳モジュールの平面図である。
【図８】本発明に係る高周波重畳モジュールに用いられる積層複合部品の一部を示す分解斜視図である。
【図９】本発明に係る高周波重畳モジュールに用いられる積層複合部品の一部を示す分解斜視図である。
【図１０】本発明に係る高周波重畳モジュールに用いられる積層複合部品の一部を示す分解斜視図である。
【図１１】本発明に係る高周波重畳モジュールを組み込んだ光ピックアップの別の例を示す斜視図である。
【図１２】図１１に示された光ピックアップに用いられている高周波重畳モジュールの平面図である。
【符号の説明】
１ 発振回路部
３ インピーダンス整合部
５ 積層複合部品
７ フィルタ部
９ フィルタ部
１５ 基板
Ｑ１ トランジスタ（能動素子）
Ｃ１〜Ｃ７ コンデンサ（受動回路素子）
Ｌ１〜Ｌ３ インダクタ（受動回路素子）
Ｔ１〜Ｔ３ 端子

Claims (5)

1. 対物レンズと、アクチュエータと、光学ベースと、少なくとも１つの高周波重畳モジュールと、少なくとも１つのレーザーダイオードとを含む光ピックアップであって、
   前記対物レンズは、レーザー光を光ディスク上に集光させ、
   前記アクチュエータは、前記レーザー光が常に前記光ディスク上に集光するように前記対物レンズを駆動し、
   前記光学ベースは、外周の一部が平坦な側面をなし、前記外周により取り囲まれる一面上に前記対物レンズと、前記アクチュエータとが取り付けられるとともに、反対側の一面には前記レーザーダイオードが、前記側面には前記高周波重畳モジュールが取り付けられ、
   前記高周波重畳モジュールは、基板と、発振回路部と、インピーダンス整合部とを含み、
   前記発振回路部は、少なくとも１つのトランジスタと複数のインダクタ及びコンデンサとを含んでおり、
   前記インピーダンス整合部は、複数のコンデンサを含み、前記発振回路部の後段に接続されており、
   前記発振回路部の前記インダクタ及びコンデンサと前記インピーダンス整合部の前記コンデンサは、少なくともその一部が、積層複合部品によって、１部品化されており、
   前記積層複合部品に含まれる前記インダクタは、
   一巻以上のコイル導体が形成された複数の薄板状の誘電体層を、互いに隣接する層間で前記コイル導体の端部がスルーホールにより順次に接続されるように、積層してなり、
   前記積層複合部品に含まれる前記コンデンサは、
   一面にコンデンサ電極が形成された複数の薄板状の誘電体層を、互いに隣り同士にある一対の前記コンデンサ電極の間に挟まれた前記誘電体層を容量として、積層してなり、
   前記基板は、
   前記側面に合わせた形状をなし導体パターンが形成され、
   前記積層複合部品を、前記発振回路部及びインピーダンス整合部に含まれる他の回路部品とともに搭載して、前記導体パターンにより所要の回路結線を行っており、
   前記レーザーダイオードは、前記高周波重畳モジュールの前記インピーダンス整合部から信号の供給を受ける
   光ピックアップ。
2. 請求項１に記載された光ピックアップであって、
   前記積層複合部品は、前記発振回路部に含まれるインダクタ及びコンデンサの全てを含む
   光ピックアップ。
3. 請求項１または２の何れかに記載された光ピックアップであって、
   前記積層複合部品は、前記インピーダンス整合部に含まれるコンデンサの全てを含む
   光ピックアップ。
4. 請求項１乃至３の何れかに記載された光ピックアップであって、
   前記積層複合部品は、直方体をなす
   光ピックアップ。
5. 請求項４に記載された光ピックアップであって、
   前記積層複合部品は、接続端子を端部に備える
   光ピックアップ。

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