JP2000276757A - 光ピックアップ用高周波重畳モジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 機能、特性を損なうことなく、さまざまな形
状の光ピックアップに対応できる高周波重畳モジュール
を提供する。 【解決手段】 基板１５は導体パターンを有する。発振
回路部１は、トランジスタＱ１と、コンデンサＣ１〜Ｃ
３、Ｃ６と、インダクタＬ１、Ｌ２とを含んでいる。イ
ンピーダンス整合部３は、コンデンサＣ４、Ｃ５を含
み、発振回路部１の後段に接続されている。発振回路部
１のコンデンサＣ１〜Ｃ３、インダクタＬ１、Ｌ２及び
インピーダンス整合部３のコンデンサＣ４、Ｃ５は、積
層複合部品５によって、１部品化されている。トランジ
スタＱ１、及び、積層複合部品５は基板１５に搭載さ
れ、導体パターンにより、所要の回路結線が行われてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ピックアップ用
高周波重畳モジュールに関する。この種の高周波重畳モ
ジュールは、ＤＶＤ（ディジタルビデオディスク）、Ｍ
Ｄ（光磁気ディスク）、ＣＤ（コンパクトディスク）等
のような記録媒体を用いた情報記録再生装置において、
光ピックアップの構成部品の一つとして用いられる。

【０００２】

【従来の技術】光ピックアップによる再生時に、戻り光
により誘起されるレーザーノイズの発生を防止する方法
として、レーザーダイオードに、高周波電流を供給して
駆動する高周波重畳法が知られている。

【０００３】この高周波重畳法を用いた光ピックアップ
は、高周波重畳モジュールを備える。高周波重畳モジュ
ールは、発振回路部と、インピーダンス整合部とを含
み、発振回路部で生成された数百ＭＨｚの信号を、イン
ピーダンス整合部を介して、レーザーダイオードに供給
することにより、レーザーダイオードのレーザー光出力
を、数百ＭＨｚの周波数でオン、オフさせ、レーザー光
の縦モードをマルチ化し、レーザーノイズの発生を防止
している（例えば特公昭５９ー９０８６号公報参照）。

【０００４】高周波重畳モジュールを構成する発振回路
部は、トランジスタ等の能動素子と、インダクタ
（Ｌ）、コンデンサ（Ｃ）及び抵抗（Ｒ）等の受動回路
素子とを組み合わせて構成され、インピーダンス整合部
も受動回路素子によって構成される。従来の高周波重畳
モジュールでは、上述した能動素子及び受動回路素子の
ディスクリート部品を、基板上に個別に実装し、基板上
に形成された導体パターンにより、所要の回路結線とな
るように接続してあった。

【０００５】各部品の定数は、高周波重畳モジュールの
主要な特性である発振周波数ｆ０及び出力Ｐ０に関し
て、所定の特性が得られるように、各部品を接続するた
めに形成された導体パターンのＬ値、Ｃ値及びＲ値等を
考慮して、最適値に設計される。

【０００６】しかし、高周波重畳モジュールを搭載すべ
き光ピックアップは、例えば、ノートブック型パソコン
に用いられるか、ディスクトップ型パソコンに用いられ
るか等によって、さまざまな形状をとる。このため、さ
まざまな形状の光ピックアップにおいて、高周波重畳モ
ジュールの形状が異なるたび毎に、部品配置が変わり、
各部品を接続する導体パターンの形状が変わってしま
う。この結果、各構成部品を接続する導体パターンの持
つＬ値、Ｃ値及びＲ値も変化してしまい、各部品の最適
値を、再設計せざるを得なかった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、機
能、及び、特性を損なうことなく、さまざまな形状の光
ピックアップに対応できる高周波重畳モジュールを提供
することである。

【０００８】本発明のもう一つの課題は、部品点数を減
少させ、小型化を図った高周波重畳モジュールを提供す
ることである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明に係る高周波重畳モジュールは、基板と、
発振回路部と、インピーダンス整合部とを含む。前記基
板は、導体パターンを有する。前記発振回路部は、少な
くとも１つの能動素子と複数の受動回路素子とを含む。
前記インピーダンス整合部は、複数の受動回路素子を含
み、前記発振回路部の後段に接続される。この構成によ
れば、発振回路部で生成された発振周波数信号（数百Ｍ
Ｈｚ）を、インピーダンス整合部を介して、レーザーダ
イオードに供給することにより、レーザーダイオードの
レーザー光出力を、発振周波数信号（数百ＭＨｚ）でオ
ン、オフさせ、レーザー光の縦モードをマルチ化し、レ
ーザーノイズの発生を防止することができる。

【００１０】上記基本構成において、前記発振回路部の
前記受動回路素子及び前記インピーダンス整合部の前記
受動回路素子は、少なくともその一部が、積層複合部品
によって、１部品化されている。前記能動素子、及び、
前記積層複合部品は、前記基板に搭載され、前記導体パ
ターンにより、所要の回路結線が行われる。従って、発
振回路部に含まれる受動回路素子及びインピーダンス整
合部に含まれる受動回路素子のうち、積層複合部品とし
て一部品化された受動回路素子については、相互間を接
続する導体のＬ値、Ｃ値及びＲ値が固定された不変の値
に保持される。

【００１１】このため、高周波重畳モジュールを搭載す
べき光ピックアップが、例えば、ノートブック型パソコ
ン、または、ディスクトップ型パソコン等のように、用
途の相違に応じて、異なった形状をとり、高周波重畳モ
ジュールの形状が変化した場合でも、導体パターンの変
化によるＬ値、Ｃ値及びＲ値の変化を最小にすることが
できる。このことは、機能、及び、特性を損なうことな
く、さまざまな形状の光ピックアップに対応できること
を意味する。

【００１２】しかも、発振回路部の受動回路素子及びイ
ンピーダンス整合部の受動回路素子の少なくともその一
部が、積層複合部品によって、１部品化されているか
ら、構成部品点数が減少する。更に、受動回路素子を積
層して一体化した積層複合部品であるから、基板上での
実装占有平面積が小さくなり、基板の外形形状も小型化
できる。このため、部品点数を減少させ、小型化を図っ
た高周波重畳モジュールが得られる。

【００１３】積層複合部品は、発振回路部に含まれる受
動回路素子の全てを含んでいてもよいし、インピーダン
ス整合部に含まれる受動回路素子の全てを含んでいても
よい。

【００１４】本発明の他の目的、構成及び利点は、実施
例である添付図面を参照し、更に詳しく説明する。添付
図面は、単なる例示に過ぎない。

【００１５】

【発明の実施の形態】図１は本発明に係る高周波重畳モ
ジュールの適用可能な回路例を示すブロック図である。
図において、点線枠Ｍで囲まれた部分が高周波重畳モジ
ュールを示している。図示された高周波重畳モジュール
Ｍは、発振回路部１と、インピーダンス整合部３とを含
む。発振回路部１はフィルタ部７を介して電源端子Ｔ１
に接続されている。インピーダンス整合部３は発振回路
部１の出力側（後段）に備えられている。インピーダン
ス整合部３の出力端は、レーザーダイオードＬＤに接続
されている。レーザーダイオードＬＤは電源端子Ｔ２に
接続されており、バックモニター用のフォトダイオード
ＰＤは電源端子Ｔ３に接続されている。

【００１６】発振回路部１で生成された発振周波数信号
（数百ＭＨｚ）は、インピーダンス整合部３を介して、
レーザーダイオードＬＤに供給される。レーザーダイオ
ードＬＤのレーザー光出力は、発振周波数信号でオン、
オフされる。これにより、レーザー光の縦モードがマル
チ化され、レーザーノイズの発生が防止される。

【００１７】高周波重畳モジュールＭの構成には、２タ
イプあり、図１はそのうちの１つのタイプを示してい
る。このタイプでは、高周波重畳モジュールＭは、発振
回路部１と、インピーダンス整合部３とを含むが、レー
ザーダイオードＬＤの電源ラインと、フォトダイオード
（バックモニタ用）ＰＤの電源ラインは含まない。発振
回路部１の前段に備えられたフィルタ部７の一部を、高
周波重畳モジュールＭに含ませてもよい。

【００１８】図２はもう一つのタイプの高周波重畳モジ
ュールを示すブロック図である。このタイプでは、高周
波重畳モジュールＭは、発振回路部１及びインピーダン
ス整合３の他、レーザーダイオードＬＤの電源ライン、
及び、フォトダイオードＰＤの電源ラインを含む。この
場合は、発振回路部１の入力側のフィルタ部７ととも
に、レーザーダイオードＬＤの電源ラインにも、フィル
タ部９が備えられる。フィルタ部９の一部を、高周波重
畳モジュールＭの一部として、含んでいてもよい。

【００１９】図３は図２に示した高周波重畳モジュール
の具体的な回路例を示す図である。発振回路部１は、ト
ランジスタＱ１でなる能動素子と、抵抗Ｒ１、Ｒ２、コ
ンデンサＣ１〜Ｃ３、Ｃ６及びインダクタＬ１、Ｌ２等
の受動回路素子を含んでいる。発振回路部１は、上述し
たコンデンサＣ１〜Ｃ３、Ｃ６及びインダクタＬ１、Ｌ
２によるＬＣ共振現象を用いた発振回路を構成し、数百
ＭＨｚの発振周波数信号を生成する。

【００２０】インピーダンス整合部３は、コンデンサＣ
４、Ｃ５を含み、発振回路部１の出力側（後段）に接続
されている。発振回路部１で生成された発振周波数信号
は、インピーダンス整合部３を介して、レーザーダイオ
ードＬＤに供給される。

【００２１】フィルタ部７は、インダクタＬ４、Ｌ８及
びコンデンサＣ７、Ｃ１２を含んでいる。フィルタ部９
はインダクタＬ３、Ｌ７、Ｌ１０及びコンデンサＣ９、
Ｃ１１を含んでいる。。

【００２２】発振回路部１、インピーダンス整合部３及
びフィルタ部７、９の回路構成は周知であるので、その
詳細は省略する。高周波重畳モジュールＭは、図示され
た回路構成に限らず、他の構成であってもよい。

【００２３】図３に示された回路構成において、高周波
重畳モジュールＭは、発振回路部１を構成するトランジ
スタＱ１、コンデンサンサＣ１〜Ｃ３、Ｃ６、インダク
タＬ１、Ｌ２及び抵抗Ｒ１〜Ｒ３と、インピーダンス整
合部３を構成するコンデンサＣ４、Ｃ５と、フィルタ部
７のコンデンサＣ７、インダクタＬ４とを含んでいる。

【００２４】図４は図１〜図３に示した高周波重畳モジ
ュールを組み込んだ光ピックアップの斜視図である。図
４に図示された光ピックアップはノートブック型パソコ
ンに適したものである。高周波重畳モジュールＭは、光
学ベース１３の一面側に取り付けられ、フレキシブル基
板２０等により、外部回路に接続されている。

【００２５】図示された光ピックアップは、レーザーダ
イオードＬＤ（図１〜３参照）から出射されるレーザー
光出力を元に、データの記録再生を行うものであり、レ
ーザーダイオードは、高周波重畳モジュールＭの配置さ
れた一面とは反対側の面において、光学ベース１３に取
り付けられている。

【００２６】光学ベース１３には、レーザー光を光ディ
スク上に集光させるための対物レンズ１７が取り付けら
れている。対物レンズ１７はレーザー光が常に光ディス
ク（図示しない）上に集光するように、アクチュエータ
１９により駆動される。対物レンズ１７から出射された
光は、光ディスクに集光され、光ディスク上に記録され
ている情報により変調され、反射される。反射光は集光
レンズを経て、光学ベース１３の内部に備えられた光学
系を経由して受光素子（図示しない）に送られる。そし
て、この受光素子により、変調された光信号は電気信号
に変換され、再生信号となる。このような光学的信号伝
送及び処理は周知であるので、説明は省略する。

【００２７】アクチュエータ１９、信号再生用受光素
子、レーザーダイオード、高周波重畳モジュールＭの各
電源は、フレキシブル基板２０上に形成された導体パタ
ーンを介して供給される。レーザーダイオードＬＤ、及
び、フォトダイオードＰＤの電源は、フレキシブル基板
２０により、高周波重畳モジュールＭを経由せずに、供
給される。

【００２８】図５は本発明に係る高周波重畳モジュール
Ｍの平面図である。図示された高周波重畳モジュールＭ
は、図３に図示された回路構成において、点線包枠によ
って囲まれた範囲に含まれている部品を、基板１５上に
実装することによって構成されている。この場合、発振
回路部１に含まれる受動回路素子及びインピーダンス整
合部３に含まれる受動回路素子の少なくともその一部
を、積層複合部品５によって、１部品化する。そして、
この積層複合部品５を、発振回路部１のトランジスタ
（能動素子）Ｑ１、及び、他の回路部品とともに、基板
１５に搭載し、基板１５の上に形成された導体パターン
により、図３に図示された所要の回路結線が得られるよ
うに接続する。

【００２９】図６は積層複合部品５の一例を示す図であ
る。この実施例に示された積層複合部品５は、発振回路
部１に含まれるコンデンサＣ１〜Ｃ３及びインダクタＬ
１、Ｌ２と、インピーダンス整合部３に含まれるコンデ
ンサＣ４、Ｃ５を、積層して一体化した構造となってい
る。これらの受動回路素子は、基板２１の端部に備えら
れた接続端子Ｔ１１〜Ｔ１６により、所要の回路結線
（図３参照）となるように、接続される。

【００３０】上記積層複合部品５によれば、発振回路部
１に含まれる受動回路素子及びインピーダンス整合部に
含まれる受動回路素子のうち、積層複合部品５として一
部品化されたコンデンサＣ１〜Ｃ３及びインダクタＬ
１、Ｌ２と、コンデンサＣ４、Ｃ５については、相互間
を接続する導体のＬ値、Ｃ値及びＲ値が固定された不変
の値に保持される。

【００３１】このため、高周波重畳モジュールＭを搭載
すべき光ピックアップが、例えば、ノートブック型パソ
コン、または、ディスクトップ型パソコン等のように、
用途の相違に応じて、異なった形状をとり、高周波重畳
モジュールＭの形状が変化した場合でも、導体パターン
の変化によるＬ値、Ｃ値及びＲ値の変化を最小にするこ
とができる。このことは、機能、及び、特性を損なうこ
となく、さまざまな形状の光ピックアップに対応できる
ことを意味する。

【００３２】しかも、発振回路部１に含まれる受動回路
素子及びインピーダンス整合部３に含まれる受動回路素
子のうち、コンデンサＣ１〜Ｃ５及びインダクタＬ１、
Ｌ２が積層複合部品５によって、１部品化されているか
ら、構成部品点数が減少する。更に、受動回路素子を積
層して一体化した積層複合部品５を用いるから、基板１
５上での実装占有平面積が小さくなり、基板１５の外形
形状も小型化できる。このため、部品点数を減少させ、
小型化を図った高周波重畳モジュールＭが得られる。

【００３３】次に、従来の高周波重畳モジュールと、本
発明に係る高周波重畳モジュールとについて、外形形
状、及び、部品点数の差異について、具体的に述べる。

【００３４】図７は本発明に係る高周波重畳モジュール
と対比される従来の高周波重畳モジュールの平面図であ
る。図７に示すように、従来の高周波重畳モジュールで
は、発振回路部１に含まれるトランジスタＱ１、コンデ
ンサＣ１〜Ｃ３、インダクタＬ１、Ｌ２及びインピーダ
ンス整合部３のコンデンサＣ４、Ｃ５は、全て、ディス
クリート部品であり、基板１５の上に個別的に実装され
ている。

【００３５】＜従来例１＞ 基板１５の外形寸法：１０．０×７．０ｍｍ Ｒ１〜Ｒ３、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ４及びＣ１〜Ｃ７：１．０
×０．５ｍｍ トランジスタＱ１：１．４×０．８ｍｍ 部品点数合計：１４点 ＜実施例１＞ 基板１５の外形寸法：８．０×６．０ｍｍ Ｒ１〜Ｒ３、Ｌ４及びＣ６、Ｃ７：１．０×０．５ｍｍ 積層複合部品５の外形寸法：３．２×１．６ｍｍ トランジスタＱ１：１．４×０．８ｍｍ 部品点数合計：８点 実施例１を従来例１と比較すると明らかなように、個別
部品として実装される抵抗Ｒ１〜Ｒ３、インダクタＬ３
及びコンデンサＣ６、Ｃ７を（１．０×０．５ｍｍ）の
形状とし、積層複合部品５の外形を（３．２×１．６ｍ
ｍ）にした場合、実施例１によれば、基板１５の外形
を、従来例１の外形（１０．０×７．０ｍｍ）から
（８．０×６．０ｍｍ）に小型化できる。しかも、部品
点数合計を、従来例１の１４個から８個に減らすことが
できる。

【００３６】＜従来例２＞ 基板１５の外形寸法：８．０×６．０ｍｍ Ｒ１〜Ｒ３、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ４及びＣ１〜Ｃ７：０．６
×０．３ｍｍ トランジスタＱ１：１．４×０．８ｍｍ 部品点数合計：１４点 ＜実施例２＞ 基板１５の外形寸法：７．０×５．０ｍｍ Ｒ１〜Ｒ３、Ｌ４及びＣ６、Ｃ７：１．０×０．５ｍｍ 積層複合部品５の外形寸法：２．０×１．２ｍｍ トランジスタＱ１：１．４×０．８ｍｍ 部品点数合計：８点 実施例２を、従来例２と比較すると明らかなように、個
別部品として実装される抵抗Ｒ１〜Ｒ３、インダクタＬ
４及びコンデンサＣ６、Ｃ７を（０．６×０．３ｍｍ）
の形状とし、積層複合部品５の外形を（２．０×１．２
ｍｍ）にした場合、本発明に係る実施例２によれば、基
板１５の外形を、従来例１の外形（８．０×６．０ｍ
ｍ）から（７．０×５．０ｍｍ）に小型化できる。しか
も、部品点数合計を、従来例２の１４個から８個に減ら
すことができる。

【００３７】次に、図８〜図１０を参照して、図６に示
した回路構成を持つ積層複合部品の具体的構造を説明す
る。図８、９及び１０は図面表示上の都合から分離した
もので、１つの積層複合部品５の積層構造を表示するも
のである。即ち、図８に示された積層構造の下側に図９
に示した積層構造が連続し、図９に示した積層構造の下
側に図１０に示した積層構造が連続する。以下の説明に
おいて、端子Ｔ１１〜Ｔ１６については図６を参照す
る。

【００３８】図８〜１０において、誘電体層２１１〜２
２６は薄いセラミック誘電体層から構成されている。誘
電体層２１１〜２２６は、有機系誘電体で構成すること
もできる。これらの誘電体層２１１〜２２６の内、誘電
体層２１２〜２１４の一面にはインダクタＬ１を構成す
るコイル導体２３２〜２３４が形成されている。コイル
導体２３２〜２３４は巻き方向が連続するように、端部
が、スルーホール等によって順次に接続されている。コ
イル導体２３２の始端は端子Ｔ１３に接続される。

【００３９】誘電体層２１５の一面上には、コンデンサ
電極２３５が形成されている。このコンデンサ電極２３
５にはスルーホールにより、誘電体層２１４に形成され
たコイル導体２３４の終端が接続されている。

【００４０】誘電体層２１５の下側には、誘電体層２１
６が積層されている。誘電体層２１６には誘電体層２１
５と積層される一面上にコンデンサ電極２３６が形成さ
れている。このコンデンサ電極２３６と、誘電体層２１
５の一面上に形成されたコンデンサ電極２３５とによ
り、誘電体層２１５を誘電体層をするコンデンサＣ１が
形成される。コンデンサ電極２３６の端部は、端子Ｔ１
４に接続される。

【００４１】誘電体層２１６の下側には、誘電体層２１
７〜２２２が順次に積層されている。誘電体層２１７〜
２２２は、それぞれの一面上にコンデンサ電極２３７〜
２４２が形成されている。この積層構造によれば、コン
デンサＣ２〜Ｃ５が構成される。コンデンサＣ２〜Ｃ５
の取得される積層構造は次の通りである。

【００４２】＜コンデンサＣ２について＞コンデンサ電
極２３６と、コンデンサ電極２３７との間に誘電体層２
１６を誘電体層とする容量が生じる。コンデンサ電極２
３６の端部は端子Ｔ１４に接続されており、コンデンサ
電極２３７は端子Ｔ１５に接続されているので、コンデ
ンサ電極２３６と、コンデンサ電極２３７との間に生じ
た容量は、端子Ｔ１４と端子Ｔ１５とから取り出され
る。

【００４３】次に、コンデンサ電極２３７と、コンデン
サ電極２３８との間に誘電体層２１７を誘電体層とする
容量が生じる。コンデンサ電極２３７の端部は端子Ｔ１
５に接続されており、コンデンサ電極２３８は端子Ｔ１
４に接続されているので、コンデンサ電極２３７と、コ
ンデンサ電極２３８との間に生じた容量は、端子Ｔ１４
と端子Ｔ１５とから取り出される。

【００４４】更に、コンデンサ電極２３８と、コンデン
サ電極２３９との間に誘電体層２１８を誘電体層とする
容量が生じる。コンデンサ電極２３８の端部は端子Ｔ１
４に接続されており、コンデンサ電極２３９は端子Ｔ１
５に接続されているので、コンデンサ電極２３８と、コ
ンデンサ電極２３９との間に生じた容量は、端子Ｔ１４
と端子Ｔ１５とから取り出される。

【００４５】従って、コンデンサＣ２は、コンデンサ電
極２３６と、コンデンサ電極２３７との間の誘電体層２
１６を誘電体層とする容量と、コンデンサ電極２３７と
コンデンサ電極２３８との間の誘電体層２１７を誘電体
層とする容量と、コンデンサ電極２３８とコンデンサ電
極２３９との間の誘電体層２１８を誘電体層とする容量
とを、並列に接続した容量として、端子Ｔ１４及び端子
Ｔ１５から取り出される。

【００４６】＜コンデンサＣ３について＞コンデンサ電
極２４１とコンデンサ電極２４２との間に、誘電体層２
２１を誘電体層とする容量が生じる。コンデンサ電極２
４１の端部は端子Ｔ１２及び端子Ｔ１３に接続されてお
り、コンデンサ電極２４２の端部は端子Ｔ１５に接続さ
れている。従って、コンデンサ電極２４１とコンデンサ
電極２４２との間に生じた容量は、コンデンサＣ３とし
て、端子Ｔ１２及びＴ１３と、端子Ｔ１５との間から取
り出される。

【００４７】＜コンデンサＣ４について＞コンデンサ電
極２３９とコンデンサ電極２４０との間に、誘電体層２
１９を誘電体層とする容量が生じる。コンデンサ電極２
３９の端部は端子Ｔ１５に接続されており、コンデンサ
電極２４０の端部は端子Ｔ１６に接続されている。従っ
て、コンデンサ電極２３９とコンデンサ電極２４０との
間に生じた容量は、コンデンサＣ４として、端子Ｔ１５
と端子Ｔ１６との間から取り出される。

【００４８】＜コンデンサＣ５について＞コンデンサ電
極２４０とコンデンサ電極２４１との間に、誘電体層２
２０を誘電体層とする容量が生じる。コンデンサ電極２
４０の端部は端子Ｔ１６に接続されており、コンデンサ
電極２４１の端部は端子Ｔ１２、Ｔ１３に接続されてい
る。従って、コンデンサ電極２４０とコンデンサ電極２
４１との間に生じた容量は、コンデンサＣ５として、端
子Ｔ１６と端子Ｔ１２及びＴ１３との間から取り出され
る。

【００４９】更に、誘電体層２２２の下側には、誘電体
層２２３〜２２６が順次に積層されている。誘電体層２
２３〜２２６の一面にはインダクタＬ２を構成するコイ
ル導体２４３〜２４６が形成されている。コイル導体２
４３〜２４６は巻き方向が連続するように、端部が、ス
ルーホール等によって順次に接続されている。コイル導
体２４３の始端は端子Ｔ１１に接続されており、コイル
導体２４６の終端は端子Ｔ１５に接続されている。

【００５０】従って、上述した積層構造によれば、図６
に示した回路結線を持つ積層複合部品５が得られる。

【００５１】コンデンサＣ１〜Ｃ５の容量値は、コンデ
ンサ電極２３５〜２４２の重なり面積、コンデンサ電極
２３５〜２４２の間に存在する層の誘電率及び層厚を選
択することにより、適切な値に設定できる。また、イン
ダクタＬ１、Ｌ２のインダクタンス値は、コイル導体２
３２〜２３４、２４３〜２４６の幅、長さ、及び、開口
面積を選択することにより、適切な値に設定できる。

【００５２】積層複合部品５は、図５に示したように、
高周波重畳モジュールＭの基板１５上に実装される。そ
して、積層複合部品の端子Ｔ１６を、レーザーダイオー
ドＬＤの端子と基板１５の上に形成された導体パターン
で接続することにより、高周波重畳モジュールＭの信号
を、レーザーダイオードＬＤへ伝達する。このとき、基
板１５上に形成されたレーザーダイオードＬＤの端子と
積層複合部品５の端子Ｔ１６との間に形成される導体パ
ターンの持つＬ、Ｃ、Ｒの値を含め、インピーダンス整
合部３とレーザーダイオードＬＤとの間で、インピーダ
ンス整合がとれるように設計する。

【００５３】図１１は本発明に係る光ピックアップの別
の実施例を示す斜視図である。図において、図４に図示
された構成部分と同一の構成部分については、同一の参
照符号を付してある。この実施例は、ディスクトップ型
パソコンに用いるのに適した光ピックアップを示してい
る。高周波重畳モジュールＭは光学ベース１３の側面等
の適当な位置に取り付けられている。光学ベース１３
は、図４に示した光学ベース厚み寸法Ａよりも大きな厚
み寸法Ｂを有する。

【００５４】図１２は図１１に示した光ピックアップに
用いられる高周波重畳モジュールＭの一例を示す平面図
である。図において、図５に図示された構成部分と同一
の構成部分については、同一の参照符号を付してある。

【００５５】図１１の光ピックアップの場合、図４に示
した光ピックアップと比べ、高周波重畳モジュールＭが
実装されるスペースの形状が異なる。図４に示す例で
は、高周波重畳モジュールは、対物レンズの取り付けら
れている面に実装され、形状は長方形状であったが、図
１１に示す例では、図４に示す光ピックアップと比べ、
セット内での実装スペースの問題から、トラッキングＴ
ＲＫの方向の寸法が制約され、横方向の寸法がとれな
い。このため、高周波重畳モジュールＭの実装箇所は、
光学ベース１３の側面等に限られ、基板１５の形状が正
方形に近い形状にならざるを得ない。

【００５６】本発明に係る高周波重畳モジュールＭで
は、発振回路部１の受動回路素子及びインピーダンス整
合部３を構成する受動回路素子を、１部品化した積層複
合部品５を用いている。

【００５７】このため、基板１５の形状がどう変化しよ
うと、発振回路部１、インピーダンス整合部３のＬ、Ｃ
値は変化することなく、基板１５上の導体パターンの影
響を受けることもない。インピーダンス整合部３におい
て、積層複合部品５の端子Ｔ１６とレーザーダイオード
ＬＤとの間の導体パターンの形状変化による影響が考え
られるが、従来と異なり、導体パターンの影響を受ける
のは、この１箇所だけである。従って、基板１５が、図
５から図１２の形状に変化しても、この箇所の導体パタ
ーンだけ、導体パターンのインピーダンス（Ｌ、Ｃ、Ｒ
の値）を同じように設計することは容易である。発振回
路部１においては、図示するように、受動回路素子を全
てを、積層複合部品５の内部に埋設してあるので、基板
１５の導体パターンの影響を受けることがない。

【００５８】よって、従来と異なって、高周波重畳モジ
ュールＭの実装形状が変化する度に、構成部品の定数の
再設計をする必要はない。また、従来例と比較して、高
周波重畳モジュールの実装形状が変化しても、その特性
（発振周波数、出力）に及ぼす影響を限りなく小さくす
ることができる。

【００５９】また、構成部品の点数も、既に述べたよう
に、従来例と比べて少なくできるので、小型化が可能で
ある。

【００６０】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果を得ることができる。 （ａ）機能、及び特性を損なうことなく、さまざまな形
状の光ピックアップに対応できる高周波重畳モジュール
を提供することができる。 （ｂ）部品点数を減少させ、小型化を図った高周波重畳
モジュールを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る高周波重畳モジュールの適用可能
な回路例を示すブロック図である。

【図２】本発明に係る高周波重畳モジュールの適用可能
な別の回路例を示すブロック図である。

【図３】図２に示した高周波重畳モジュールの具体的な
回路例を示す図である。

【図４】図１〜図３に示した高周波重畳モジュールを組
み込んだ光ピックアップの斜視図である。

【図５】本発明に係る高周波重畳モジュールの平面図で
ある。

【図６】本発明に係る高周波重畳モジュールに用いられ
る積層複合部品の一例を示す図である。

【図７】従来の高周波重畳モジュールの平面図である。

【図８】本発明に係る高周波重畳モジュールに用いられ
る積層複合部品の一部を示す分解斜視図である。

【図９】本発明に係る高周波重畳モジュールに用いられ
る積層複合部品の一部を示す分解斜視図である。

【図１０】本発明に係る高周波重畳モジュールに用いら
れる積層複合部品の一部を示す分解斜視図である。

【図１１】本発明に係る高周波重畳モジュールを組み込
んだ光ピックアップの別の例を示す斜視図である。

【図１２】図１１に示された光ピックアップに用いられ
ている高周波重畳モジュールの平面図である。

【符号の説明】

１ 発振回路部 ３ インピーダンス整合部 ５ 積層複合部品 ７ フィルタ部 ９ フィルタ部 １５ 基板 Ｑ１ トランジスタ（能動素子） Ｃ１〜Ｃ７ コンデンサ（受動回路素子） Ｌ１〜Ｌ３ インダクタ（受動回路素子） Ｔ１〜Ｔ３ 端子

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板と、発振回路部と、インピーダンス
   整合部とを含む光ピックアップ用高周波重畳モジュール
   であって、 前記基板は、導体パターンを有しており、 前記発振回路部は、少なくとも１つの能動素子と複数の
   受動回路素子とを含んでおり、 前記インピーダンス整合部は、複数の受動回路素子を含
   み、前記発振回路部の後段に接続されており、 前記発振回路部の前記受動回路素子及び前記インピーダ
   ンス整合部の前記受動回路素子は、少なくともその一部
   が、積層複合部品によって、１部品化されており、 前記能動素子、及び、前記積層複合部品は、前記基板に
   搭載され、前記導体パターンにより、所要の回路結線が
   行われている光ピックアップ用高周波重畳モジュール。
2. 【請求項２】 請求項１に記載された光ピックアップ用
   高周波重畳モジュールであって、 前記積層複合部品は、前記発振回路部に含まれる受動回
   路素子の全てを含む光ピックアップ用高周波重畳モジュ
   ール。
3. 【請求項３】 請求項１または２の何れかに記載された
   光ピックアップ用高周波重畳モジュールであって、 前記積層複合部品は、前記インピーダンス整合部に含ま
   れる受動回路素子の全てを含む光ピックアップ用高周波
   重畳モジュール。
4. 【請求項４】 少なくとも１つの高周波重畳モジュール
   と、少なくとも１つのレーザーダイオードとを含む光ピ
   ックアップであって、 前記高周波重畳モジュールは、請求項１乃至３の何れか
   で記載されたものでなり、 前記レーザーダイオードは、前記高周波重畳モジュール
   の前記インピーダンス整合部から信号の供給を受ける光
   ピックアップ。
5. 【請求項５】 光ピックアップ用高周波重畳モジュール
   に用いられる積層複合部品であって、 前記高周波重畳モジュールに含まれる発振回路部の受動
   回路素子、及び、前記高周波重畳モジュールに含まれる
   インピーダンス整合部の受動回路素子の少なくとも一部
   を含み、１部品化されている積層複合部品。
6. 【請求項６】 請求項５に記載された積層複合部品であ
   って、 前記発振回路部に含まれる受動回路素子の全てを含む積
   層複合部品。
7. 【請求項７】 請求項５または６の何れかに記載された
   積層複合部品であって、 前記インピーダンス整合部に含まれる受動回路素子の全
   てを含む積層複合部品。