JPH11232683A

JPH11232683A - 高周波重畳回路

Info

Publication number: JPH11232683A
Application number: JP10032444A
Authority: JP
Inventors: Masashi Takahara; 誠志高原
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1998-02-16
Filing date: 1998-02-16
Publication date: 1999-08-27

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は高周波重畳回路に関し、不要輻射対策
部品も含めたサイズ小型化を図り、不要輻射削減レベル
を損なうことなく、高周波重畳回路の実装作業の簡略化
を図り、かつ、実装スペースの削減を達成できるように
する。【解決手段】光学的に情報の記録再生、又は再生のみを
行う装置に用いられる高周波重畳回路において、レーザ
ダイオード、高周波重畳回路の構成部品２７、及び不要
輻射の対策素子が接地導体（基板５のＧＮＤパターン、
シールドケース４、光学ベース７等）に囲まれており、
不要輻射の対策素子が高周波重畳回路の構成部品が実装
されている基板５に導体パターンで形成され、レーザダ
イオードと高周波重畳回路の電源ラインが、不要輻射の
対策素子を通して接地導体で囲まれた範囲内から外部に
引き出されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、音楽情報の記録媒
体であるＣＤ（コンパクトディスク）、ビデオ情報等の
記録媒体であるＤＶＤ（ディジタルビデオディスク）、
各種情報の記録媒体であるＭＤ（ミニディスク）、或い
はＭＯ（光磁気ディスク）など、各種情報記録媒体に対
して、光学的に情報の記録再生、又は再生のみを行う装
置等に利用可能な高周波重畳回路に関する。

【０００２】特に、本発明は、レーザー光源であるレー
ザーダイオードの駆動電流に高周波電流を重畳して駆動
するための高周波重畳回路から発生する不要輻射を削減
する手段を備えた高周波重畳回路に関する。なお、以下
の説明では、光学的に情報の記録再生、又は再生のみを
行う装置を「光学的情報記録再生装置」と呼ぶ。

【０００３】

【従来の技術】以下、図面に基づいて従来例を説明す
る。 §１：光学的情報記録再生装置の説明従来、光学的情報記録再生装置による情報の記録再生時
に、戻り光により誘起されるレーザーノイズの発生を防
止する方法として、レーザーダイオードに高周波電流を
供給して駆動する高周波重畳法が知られていた。この高
周波重畳法を用いた光学的情報記録再生装置は、発振回
路を用いてレーザー光出力を数百ＭＨｚの周波数でオ
ン、オフさせる高周波重畳回路を備え、この高周波重畳
回路によりレーザー光の縦モードをマルチ化し、レーザ
ーノイズの発生を防止している（特公昭５９−９０８６
号公報参照）。

【０００４】しかし、前記高周波重畳回路の発振周波数
成分の外部への漏洩は、不要輻射（ラインノイズ、放射
ノイズ）となるので、この漏れを何らかの手段により防
ぐ必要がある。この不要輻射の防止対策を施した光学的
情報記録再生装置（高周波重畳回路実装部）の例とし
て、特開平５−３３４７１０号公報、或いは特開平５−
３１４５２７号公報に記載されたものが知られていた。
以下、この例を図に基づいて具体的に説明する。

【０００５】§２：光学的情報記録再生装置の具体例に
よる説明・・・図６〜８参照図６は従来の装置説明図であり、図は装置の斜視図、
図は図のＣ方向から見た図（一部拡大図）である。
図７は従来の高周波重畳回路説明図であり、図は高周
波重畳回路例、図は貫通コンデンサの断面図である。
図８は従来の高周波重畳回路実装部の説明図であり、
図は例１（図６のＡ方向から見た内部の構成図）、図
は例２（図６のＡ方向から見た内部の構成図）である。

【０００６】図６〜図８において、１は外部引き出し用
のフレキシブルプリント基板、４はシールドケース、７
は光学ベース、１１は貫通コンデンサ、１７はＧＮＤ端
子（接地端子）、１８は貫通コンデンサ１１の貫通端
子、ＬＤはレーザダイオード、ＢＭはバックモニタ素子
（例えば、フォトダイオード）、６はレーザーダイオー
ド部（レーザダイオードＬＤとバックモニタ素子ＢＭを
含めた部品を「レーザダイオード部」と呼ぶ）、Ｔｒは
トランジスタ、Ｒ１１〜Ｒ１３は抵抗、Ｌ１１〜Ｌ１３
はインダクタ、Ｃ１１〜Ｃ１９はキャパシタ、Ｔ１はバ
ックモニタ用電源端子、Ｔ２はレーザダイオード用電源
端子、Ｔ３は回路用電源端子、２５は誘電体、１２は内
部接続用のフレキシブルプリント基板、１６嵌め込み穴
を示す。

【０００７】以下、図６〜図８に基づいて、光学的情報
記録再生装置の従来例を説明する。なお、以下の説明で
は、フレキシブルプリント基板を「ＦＰＣ」と記す。図
６に示した光学的情報記録再生装置に於いては、高周波
重畳回路を実装した部分が、金属製のシールドケース４
で密封されている。そして、ＦＰＣ１に高周波重畳回路
用の電源ラインが引き回され、貫通コンデンサ１１を通
じてシールドケース４内部の高周波重畳回路に通じてい
る。

【０００８】図７の図には、高周波重畳回路を構成す
る部分（以下の説明では、レーザダイオード部６を含め
て「高周波重畳回路」と呼ぶ）が点線で囲われた部分と
して示してあり、これ以外の部品（Ｃ１７〜Ｃ１９）は
不要輻射対策に関わる部品である。すなわち、高周波重
畳回路は、トランジスタＴｒ、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１３、イ
ンダクタＬ１１〜Ｌ１３、キャパシタＣ１１〜Ｃ１６を
含む回路と、レーザダイオード部６により構成される。

【０００９】図６のＡ方向から見た場合の高周波重畳回
路の実装部を、シールドケース４を省略して示した状態
の図として図８に示す。図８に示したように、レーザー
ダイオード部６は光学ベース７に形成された開口に嵌め
込まれ、その端子は高周波重畳回路を搭載した基板５上
に実装されている。

【００１０】前記高周波重畳回路の各電源ライン（回路
用、レーザダイオード用、バックモニタ用の各電源ライ
ン）は、図８に示したように、シールドケース４に形成
された貫通コンデンサ用の嵌め込み穴１６を介して、シ
ールドケース４内からシールドケース４外に引き出さ
れ、ＦＰＣ１に接続している。

【００１１】この様に、高周波重畳回路をシールドケー
ス４で密封し、更に貫通コンデンサ１１を介して高周波
重畳回路の電源をＦＰＣ１から供給することで、電源ラ
インから輻射する不要輻射の漏洩を防止している。ま
た、貫通コンデンサ１１は、図８に示したように、内部
接続用のＦＰＣ１２を介して接続（例１）、又は直接、
高周波重畳回路を実装した基板５に接続（例２）されて
いる。

【００１２】図７の図は、貫通コンデンサ１１がシー
ルドケース４に実装されている状態での貫通コンデンサ
１１の断面を示している。図示のように、貫通コンデン
サ１１の貫通端子１８は電源ラインとなり、その表面は
ＧＮＤ端子（図６の図に示したＧＮＤ端子１７に接続
されている）となっている。そして、シールドケース４
と半田付け等で電気的に接続され、電源ラインとＧＮＤ
端子との間に存在する誘電体２５により、電源ラインと
ＧＮＤとの間にキャパシタが形成されることになる。図
７の図に示した回路例では、Ｃ１７〜Ｃ１９がこれに
相当する。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】前記のような従来のも
のにおいては、次のような課題があった。 (1) ：貫通コンデンサ１１を用いると、その形状と実装
分のスペースを確保する必要があり、高周波重畳回路の
小型化、すなわち、光学的情報記録再生装置における実
装スペースの小型化に限界が生じる。

【００１４】(2) ：貫通コンデンサ１１の一方の端子を
ＦＰＣ１２を介して、又は直接、基板５に接続し、更に
貫通コンデンサ１１の他方の端子を外部引き出し用のＦ
ＰＣ１、又は基板５に接続する必要があるため、実装作
業が煩雑となり、量産工程上での高周波重畳回路の実装
工程簡略化の妨げになっている。

【００１５】(3) ：シールドケース４に貫通コンデンサ
１１の嵌め込み穴１６を設ける必要があるため、シール
ドケース４の作製が容易でなく、加えて、シールドケー
ス４の取り付け作業も容易でない。

【００１６】(4) ：シールドケース４の外部における各
ラインの実装や引回し（引回しの容易性、貫通コンデン
サ１１とＦＰＣ１との実装作業の簡略化）を考慮した場
合、ラインは全てシールドケース４の同一側面から引き
出すことが好ましく、そのため、高周波重畳回路の各電
源ラインに用いられる貫通コンデンサ１１の嵌め込み穴
１６を同一側面に設ける必要があり、そのスペースを確
保することが、光学的情報記録再生装置の小型化の妨げ
になっていた。

【００１７】例えば、２ｍｍφ（本体）の貫通コンデン
サ１１を用い、ＦＰＣ１から高周波重畳回路へ接続する
電源ラインを３本、ＧＮＤラインを１本とすると、図６
の図に示したように、貫通コンデンサ１１の本体の直
径分Ｗｃ＝２ｍｍ必要であり、各嵌め込み穴１６間の間
隔Ｗｓを１ｍｍ、ＧＮＤ端子１７用の占有幅Ｗｇを１ｍ
ｍとすれば、シールドケース４の側面の縦方向の幅は１
１ｍｍとなる。

【００１８】また、横方向についても、嵌め込み穴１６
が占有する幅の両側に、１ｍｍのスペースを確保すると
しても４ｍｍ必要になる。従って、この場合、貫通コン
デンサ１１及びＧＮＤ端子１７の占有する面積は、１１
ｍｍ×４ｍｍ＝４４ｍｍ²必要となる。

【００１９】また、高周波重畳回路の占有スペースを小
型化するためには、高周波重畳回路を構成する部品を削
減することが考えられるが、回路特性の劣化を抑えつ
つ、部品点数を削減するには限界がある。例えば、前記
回路例では、Ｃ１７〜Ｃ１９は不要輻射対策に必要不可
欠な部品であり、これ以外の部品は高周波重畳回路の基
本特性を維持するのに必要不可欠な部品であるから、削
除した場合、特性上の劣化は免れない。

【００２０】(5) ：高周波重畳回路の実装スペースの削
減のため、図７の図に示す高周波重畳回路の構成部品
を、図８に示す基板５上に実装する形態も考えられる
が、基板５の内部、又は表面にパターンにより前記部品
を形成し、基板上に実装する前記構成部品を削減する形
態も考えられる。

【００２１】この時、当然、基板５上に全ての高周波重
畳回路の構成部品を実装する場合と比べ、基板５自体の
サイズを小さくできる。一例として、図７の図の構成
部品全てを基板５上に実装の場合、基板サイズ１５．０
×５．０×０．６ｍｍとなる。また、前記構成部品Ｃ１
１〜１３、Ｌ１１、Ｌ１３を基板５の内部、又は表面に
形成した場合、基板サイズ９．０×５．０×０．６ｍｍ
となる。

【００２２】しかし、従来例だと、貫通コンデンサ１１
の実装スペース削減には限界が生じていた（本体の直径
２ｍｍ、長さ３ｍｍが最小サイズ）為、前記のシールド
ケース側面の面積４４ｍｍ²はこれ以上小さくできな
い。結局、高周波重畳回路のサイズ小型化（光学的情報
記録再生装置への実装スペースの小型化）にも限界が生
じてしまう。

【００２３】いくら高周波重畳回路のサイズ（基板サイ
ズ）が小さくても、不要輻射対策に関わる部品のサイズ
を小さくしない限り、光学的情報記録再生装置における
高周波重畳回路の実装スペースを小さくすることはでき
ない。

【００２４】(6) ：高周波重畳回路の実装スペースの削
減のため、電源ラインの数を削減することも考えられ
る。図７の図に示した回路例にて、回路用の電源とレ
ーザダイオード用の電源ラインは、高周波重畳回路の基
本的な動作上必要不可欠な電源ラインであるが、バック
モニタ用電源ラインについては、バックモニタ素子ＢＭ
を用いず、高周波重畳回路の実装部とは別の光学ベース
７上にバックモニタ素子ＢＭと同様の機能を持つ素子を
配置し、高周波重畳回路ではバックモニタ素子を用いな
い方法も考えられる。

【００２５】しかし、光学ベース７上に新たにバックモ
ニタ素子と同様の機能を持つ素子を配置しなければなら
ず、この素子分のスペースを光学ベース７上で確保する
必要があり、加えて、電源ラインも必要なので、ＦＰＣ
１の引回しも複雑になってしまう。

【００２６】本発明は、このような従来の課題を解決
し、従来から用いられている高周波重畳回路の不要輻射
対策部品も含めたサイズの小型化を図り、従来例と比
べ、不要輻射削減レベルを損なうことなく、光学的情報
記録再生装置における高周波重畳回路の実装作業の簡略
化を図り、かつ、実装スペースの削減を達成できるよう
にすることを目的とする。

【００２７】

【課題を解決するための手段】本発明は前記の目的を達
成するため、次のように構成した。 (1) ：光学的に情報の記録再生、又は再生のみを行う装
置に用いられる高周波重畳回路において、レーザダイオ
ード、高周波重畳回路の構成部品及び不要輻射の対策素
子が接地導体に囲まれており、前記不要輻射の対策素子
が、高周波重畳回路の構成部品が実装されている基板に
導体パターンで形成され、前記レーザダイオードと高周
波重畳回路の電源ラインが、前記不要輻射の対策素子を
通して前記接地導体で囲まれた範囲内から外部に引き出
されている。

【００２８】(2) ：前記(1) の高周波重畳回路におい
て、高周波重畳回路の構成部品が基板上に実装されてお
り、高周波重畳回路の構成部品が実装されている基板面
の反対側の面に、前記高周波重畳回路とレーザダイオー
ドの電源供給用のフレキシブルプリント基板が実装され
ている。

【００２９】(3) ：前記(2) の高周波重畳回路におい
て、前記不要輻射の対策素子が、前記高周波重畳回路の
構成部品が実装されている基板の内部層に導体パターン
で形成されている。

【００３０】(4) ：前記(3) の高周波重畳回路におい
て、前記電源ラインの接地導体で囲まれた範囲内から外
部への引き出しに、スルーホールが用いられている。 (5) ：光学的に情報の記録再生、又は再生のみを行う装
置に用いられる高周波重畳回路において、前記高周波重
畳回路の構成部品が基板上に実装されていて、高周波重
畳回路の構成部品が実装されている基板面の反対側の面
に、前記高周波重畳回路とレーザダイオードの電源供給
用のフレキシブルプリント基板が実装され、前記基板に
設けられた引き出し用の導体により、レーザダイオード
と高周波重畳回路の電源が、前記フレキシブルプリント
基板が実装されている基板面に引き出され、前記フレキ
シブルプリント基板上の電源ラインと電気的に接続され
ている。

【００３１】(6) ：前記(5) の高周波重畳回路におい
て、前記引き出し用導体により不要輻射の対策素子が形
成されている。 (7) ：前記(5) の高周波重畳回路において、前記引き出
し用導体と、基板内部に形成される導体パターンにより
不要輻射の対策素子が形成されている。

【００３２】(8) ：前記(5) の高周波重畳回路におい
て、前記引き出し用導体がスルーホールで形成されてい
る。 (9) ：前記(8) の高周波重畳回路において、前記不要輻
射の対策素子がスルーホールにより形成されている。

【００３３】(10)：前記(8) の高周波重畳回路におい
て、前記不要輻射の対策素子が、前記スルーホールと、
高周波重畳回路の構成部品が実装されている基板に形成
されている。

【００３４】（作用）前記構成に基づく本発明の作用を
説明する。高周波重畳回路は、ＧＮＤ電位のシールドケ
ースと、該シールドケースと電気的に接続された基板の
ＧＮＤパターンとによって囲まれるように実装されてい
る。そして、高周波重畳回路の各電源ラインは、スルー
ホールと各々導通したキャパシタを通じて基板表面に引
き出され、該キャパシタは基板を構成する誘電体層を利
用して形成され、従来例の貫通コンデンサと同じ位置に
構成できる構造となっている。

【００３５】このため、従来例の貫通コンデンサと同様
の機能を有し、不要輻射対策が行える。また、前記構成
とすることで、ラインを伝わってくる基板の外部に漏れ
ようとするノイズ（ラインノイズ）は、外部に漏れるこ
とがないように、前記キャパシタによりＧＮＤに吸収さ
れる。

【００３６】更に、前記構成とすることで、電源ライン
を光学的情報記録再生装置の外部へ引き出すためのフレ
キシブルプリント基板の実装面積は、高周波重畳回路の
構成部品が実装されている基板面の反対側に実装できる
為、基板の面積分、実装面積は自由に設定できる。この
為、高周波重畳回路が小さくなっても、従来例のよう
に、シールドケースの側面に実装する必要がないので、
フレキシブルプリント基板の実装に困難を生じることは
ない。

【００３７】このように、本発明では、従来から用いら
れている高周波重畳回路の不要輻射対策部品も含めたサ
イズ小型化を図り、従来例と比べ、不要輻射削減レベル
を損なうことなく、光学的情報記録再生装置における高
周波重畳回路の実装作業の簡略化を図り、かつ、実装ス
ペースの削減を達成できる。

【００３８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。 §１：光学的情報記録再生装置の説明・・・図１参照図１は装置説明図であり、図は装置の斜視図、図は
図のＣ方向から見た図（一部拡大図）である。以下、
図１に基づいて、高周波重畳回路を実装した光学的情報
記録再生装置（光ピックアップ）の概要を説明する。

【００３９】光学的情報記録再生装置（光ピックアッ
プ）は、レーザダイオードから出射される光出力を基
に、記録媒体に対し情報の記録再生が行われるものであ
り、前記レーザダイオードは高周波重畳回路と共に光学
ベース７に取り付けられている。光学ベース７には対物
レンズ２１を有する可動部２２が取り付けられ、この可
動部２２を駆動するためのコイルに給電が行われること
により、対物レンズ２１を図示のフォーカス方向ＦＣＳ
とトラッキング方向ＴＲＫに沿って移動させる。

【００４０】また、前記のように、レーザダイオード部
を含む高周波重畳回路は光学ベース７に実装されている
が、これに対する電源の供給や電気信号の送受は、外部
引き出し用のＦＰＣ１を介して行われる。ここで、高周
波重畳回路は不要輻射の漏洩を防止するため、シールド
ケース４と基板５に囲まれるように実装されている。な
お、２８はレーザダイオード部の端子である。

【００４１】 §２：高周波重畳回路の説明・・・図２参照図２は高周波重畳回路例を示した図である。図２におい
て、図７と同じものは同一符号で示してある。また、Ｒ
１〜Ｒ３は抵抗、Ｌ１〜Ｌ１０はインダクタ、Ｃ１〜Ｃ
１４はキャパシタを示す。この例では、図２の点線で示
した範囲内にある、Ｔｒ、Ｃ１〜Ｃ６、Ｌ１〜Ｌ３、Ｒ
１〜Ｒ３及びレーザダイオード部６を含む回路が高周波
重畳回路であり、それ以外は不要輻射削減手段に係る部
品である。

【００４２】また、Ｔ１はバックモニタ用電源端子、Ｔ
２はレーザダイオード用電源端子、Ｔ３は回路用電源端
子であり、ＦＰＣ１上の電源ラインと高周波重畳回路の
各電源ラインとの電気的接続点となっている。前記高周
波重畳回路は従来例と同様に電源として回路用と、レー
ザダイオード用と、バックモニタ素子用の３つの電源が
必要となっている。

【００４３】ここで、図２に示した回路を構成している
部品は、前記図１に示したシールドケース４と基板５に
囲まれるように実装されており、図１ではシールドケー
ス４に隠れて見えない。前記各電源ラインは、ＦＰＣ１
により光学ベース７の同一方向からまとめて基板５上に
供給されている。

【００４４】 §３：高周波重畳回路の実装例の説明・・・図３参照図３は高周波重畳回路の実装例であり、−１図及び
−２図は実装例１、−１図及び−２図は実装例２を
示す。この場合、−１図は、図１のＡ方向から見た場
合にシールドケース４の裏側に隠れて見えない部品を点
線で示した図であり、−２図は、図１のＢ方向から見
た場合に、基板５の裏側に隠れて見えない部品を点線で
示した図である。また、−１図は−１図に対応した
図であり、−２図は−２図に対応した図である。

【００４５】(1) ：実装例１の説明図３の−１図及び−２図に示した実装例１では、基
板５上に実装されている高周波重畳回路の構成部品２７
（具体的な部品は図示省略してある）は、基板裏面（Ｂ
方向から見た場合の基板５の裏面を「基板裏面」と呼ぶ
ことにする。）に実装されており、シールドケース４と
基板５によって囲まれている。

【００４６】なお、シールドケース４はネジ３０により
光学ベース７に固着されている。この場合、光学ベース
７は接地されていて接地電位（ＧＮＤ電位）となってお
り、ネジ３０による固着で光学ベース７とシールドケー
ス４の電気的接続を図り、シールドケース４の電位を接
地電位（ＧＮＤ電位）にする。

【００４７】レーザダイオード部６の端子２８は、基板
５のスルーホール等に嵌め込まれて実装される。基板表
面（Ｂ方向から見た場合の基板５の表面を「基板表面」
と呼ぶことにする。）には電源供給用のＦＰＣ１が実装
されており、基板５上の電源ラインと図示した接続部２
９で半田付け等により電気的に接続される。図２に示し
た各電源端子Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３はこの接続部２９に相当
する。

【００４８】前記シールドケース４は箱型をしており、
第１の側面３１で基板５の縁を受け、基板５の裏面に設
けられたＧＮＤパターンと接触することにより、基板５
のＧＮＤパターンと電気的に接続される。また、第２の
側面３２は、基板５を挟む形で実装され、基板５のＧＮ
Ｄパターンと接続部３３で半田付け等により電気的に接
続されている。

【００４９】前記高周波重畳回路の各電源ラインは、基
板５に設けられたスルーホールによって基板５の裏面か
ら表面に引き出され、基板表面にパターンで形成された
インダクタンスを通じてＦＰＣ１と接続し、光ピックア
ップ外部の電源へつなげてある。

【００５０】(2) ：実装例２の説明前記実装例１ではシールドケース４を用いているが、Ｇ
ＮＤ電位となっている光学ベース７に、前記シールドケ
ース４と同様の構造を光学ベース７と一体的に作り、そ
こに基板５を実装しても構わない。この時の実装図の一
例を図３の−１図、及び−２図に示す。

【００５１】−１図は−１図と、−２図は−２
図と同じ観点から見た図である。この場合にも前記実装
例１と同じ形状の第１の側面３１、第２の側面３２が存
在し、これは光学ベース７により一体的に形成される。
この場合、前記シールドケース４と光学ベース７を固着
するためのネジ３０は、ここではいらない。

【００５２】§４：基板の構造と高周波重畳回路の実装
例の説明・・・図４、図５参照図４は基板の説明図であり、図は基板の平面図、図
は図のＹ−Ｚ線断面図である。図５は基板の分解平面
図であり、図はレイヤ１（１層目）、図はレイヤ２
（２層目）、図はレイヤ３（３層目）、図はレイヤ
４（４層目の裏面）を示す。以下、図４、図５に基づい
て、基板の構造と高周波重畳回路の実装例を説明する。

【００５３】前記基板５の構成の一例を概略ではあるが
図４の図、及び図５に示す。図５に示した例は、基板
５がレイヤ１〜レイヤ４の表裏の導体パターンを含めて
パターンが４層構成（４層構成の多層基板）となってお
り、図３にてＢ方向から見た場合の各層平面の透視図と
して示してある。また、図４の図に図５と同じ観点か
ら見た、シールドケース４も実装された状態での概略図
を示してある。ここで、ＦＰＣ１に隠れて見えない電源
ラインとスルーホールは点線で示してある。

【００５４】また、図４の図に図４の図にてＹ〜Ｚ
に示す破線で、基板５を切断した時の基板５の断面を図
３のＡ方向から見た場合の図として示してある。図５の
レイヤ４（基板の裏面側）には、基板５上に実装されて
いる表面実装部品（Ｔｒ、Ｒ１〜Ｒ３、Ｌ１、Ｌ２、Ｃ
１〜Ｃ９）が示されているが、各部品をつなぐパターン
は図示省略してある。

【００５５】レイヤ３に示されたＣ１０〜Ｃ１２のパタ
ーンは、レイヤ２のＧＮＤパターン５４との間にキャパ
シタを形成しており、図４の図に示すように、レイヤ
２とレイヤ３との間には誘電体層５２が存在する。ま
た、図２の回路図に示されている部品は、レーザダイオ
ード部６を除き全て図５に示した。

【００５６】パターンで形成された部品は概略ではある
が、そのパターンを示した。図２に示す高周波重畳回路
の回路用電源、レーザダイオード用電源、バックモニタ
用電源の各電源端子Ｔ１〜Ｔ３は、それぞれ図４の図
に示した基板裏面（図５のレイヤ４参照）からスルーホ
ール４６、４７、４８により基板表面（図５のレイヤ１
参照）に引き出され、ＦＰＣ１上の各電源（電源ライ
ン）と電気的に接続される。

【００５７】この場合、ＦＰＣ１上に形成された電源
（電源ライン）としては、図４の図に示したレーザダ
イオード用電源３７、回路用電源３８、バックモニタ用
電源４０であり、これらの各電源（電源ライン）と、前
記各電源端子Ｔ１〜Ｔ３が接続部２９で半田付け等によ
り接続される。なお、３９はＧＮＤ（ＧＮＤ側のライ
ン）である。

【００５８】図４に示されていないが、基板５には図５
のレイヤ２とレイヤ１、４のＧＮＤパターンと導通させ
る為のスルーホールが存在し、基板表面、裏面のＧＮＤ
パターンとレイヤ２のパターンは導通している。図５の
レイヤ４で示す表面実装部品は、シールドケース４とレ
イヤ２のＧＮＤパターンで囲まれた範囲内に配置され、
接地導体で囲まれていることになる。

【００５９】レイヤ２のパターンはスルーホールにてレ
イヤ１（基板表面）またはレイヤ４（基板裏面）のＧＮ
Ｄパターンと電気的に接続されており、図３で示す接続
部３３によりシールドケース４の第２の側面３２と導通
され、基板裏面のＧＮＤパターンでは第１の側面３１と
接触により導通され、シールドケース４と基板５のＧＮ
Ｄパターンは電気的に接続されている。

【００６０】ここで、高周波重畳回路は、電位が接地さ
れた（ＧＮＤ電位の）シールドケース４と、該シールド
ケース４と電気的に接続された基板５に設けられたＧＮ
Ｄパターンとによって囲まれるように実装されており、
高周波重畳回路の各電源ラインはスルーホール４６、４
７、４８を通じて基板表面に引き出されるが、この時、
図２に示されるＣ１０、Ｃ１１、Ｃ１２は、図５のレイ
ヤ３上に形成されたパターンとレイヤ２上に形成された
ＧＮＤパターンとの層間に設けられた誘電体層５２を利
用して形成され、従来例の貫通コンデンサを用いた場合
と同じ配置に構成できる構造となっている。

【００６１】このため、従来例の貫通コンデンサと同様
の機能を有し、不要輻射対策が行える。前記構成とする
ことで、ラインを伝わってきて基板５の外部に漏れよう
とするノイズ（ここでは、「ラインノイズ」と呼ぶこと
にする）は、外部に漏れることがないように、Ｃ１０〜
Ｃ１２によりＧＮＤに吸収される。

【００６２】また、前記構成とすることで、電源ライン
を光学的情報記録再生装置の外部へ引き出すためのＦＰ
Ｃ１の実装面積は、高周波重畳回路の構成部品が実装さ
れている基板面の反対側に実装できる為、図３に示す実
装例のように、基板５の面積分、実装面積は自由に設定
できる。この為、高周波重畳回路が小さくなっても、従
来例のように、シールドケース４の側面に実装する必要
がないので、ＦＰＣ１の実装に困難を生じることはな
い。

【００６３】また、前記構成とすることで、シールドケ
ース４の形状は箱型で良く、基板５は図３に示すシール
ドケース４、又は光学ベース７の第１の側面３１で受
け、第２の側面３２で挟む形で実装すれば良いので、シ
ールドケース４と基板５の作製も容易で、実装も困難で
はない。 §５：不要輻射対策部品の実装位置の説明前記高周波重畳回路から発生する不要輻射成分とは、基
本波から高次高調波成分まで含めた発振周波数成分のこ
とである。この発振周波数成分は回路から直接放出され
るものと、電源ラインを伝わって外部に漏れ、不要輻射
として空間に放出されるものとの２種類がある。

【００６４】前者については、高周波重畳回路をシール
ドケース等のＧＮＤ電位である導体で囲い（この囲われ
たエリア内を「シールド内」と呼ぶ）、隙間を不要輻射
対策の対象とする周波数の波長より充分小さく構成する
ことで対策する。後者は、本明細書中では「ラインノイ
ズ」と呼ぶが、漏洩レベルが外部との接続状況によって
様々な影響を受ける。

【００６５】ＦＰＣ上の電源ライン用パターンの特性イ
ンピーダンスや、電源の入力インピーダンスによって影
響を受け、ラインノイズにとってこのインピーダンスが
小さい程漏れ易く、漏洩レベルは増加し、不要輻射が増
加する。また、基板やＦＰＣ上に形成される電源ライン
はパターン形状で形成されるため、シールド内では受信
アンテナとして、シールドケース外では送信アンテナと
して作用し得る。このため、不要輻射レベルは電源ライ
ン形状により大きく影響を受けてしまう。

【００６６】ラインノイズは、発振周波数成分がそのま
まラインを伝わって外部に漏れる場合もあるが、空間に
放出されるのをシールドケース等のＧＮＤ面により外部
へ漏洩するのを防がれた成分が、シールドケース内の電
源ライン（受信アンテナとして作用するパターン）に移
り、この電源ラインを伝わって外部へ漏洩する場合も考
えられる。

【００６７】この為、これらラインノイズを対策するに
は、電源ライン上において、前記ＧＮＤ面に囲まれたシ
ールド内とシールド外部との境目に前記ラインノイズに
とって低インピーダンス（できれば、電源やＦＰＣの特
性インピーダンスより小さい方が好ましい）である部品
を電源ラインとＧＮＤ間に配置するのが最適である。こ
れは、従来例のＣ１７〜Ｃ１９の貫通コンデンサに相当
する。同様に、本発明では、図２のＣ１０〜Ｃ１２を図
７のＣ１７〜Ｃ１９と同じ位置に配置し、ラインノイズ
の漏洩を防いでいる。

【００６８】この時、前記キャパシタのキャパシタンス
値は、ラインノイズにとって限りなく低インピーダンス
であることが望ましい。実際には、高周波重畳回路の発
振周波数の基本波のみ、前記ラインノイズの対象として
考えれば良いというわけではなく、この高調波成分が問
題となる場合もある。このため、前記キャパシタは、よ
り広い周波数帯域において、低インピーダンスを維持で
きる方が望ましい。

【００６９】インダクタＬ８〜Ｌ１０は、図２に示す例
では、キャパシタＣ１０〜Ｃ１２の後段直ぐの箇所に接
続されている。このようにインダクタを配置することに
より、ラインを伝わって、シールドケース内部から外部
へ漏れようとするノイズにとって、前記インダクタは前
記キャパシタと比べ、高インピーダンスとして作用す
る。

【００７０】従って、電源ライン上にて、前記ノイズは
前記インダクタを通過するより、より低インピーダンス
であるキャパシタＣ１０〜Ｃ１２を通じてＧＮＤに吸収
され易くなり、キャパシタＣ１０〜Ｃ１２のラインノイ
ズ吸収効果を高めることができる。

【００７１】前記構成とすることで、ラインの形状や電
源の入力インピーダンスなどの外部との接続条件に制約
を受けることなく、高周波重畳回路の実装を行うことが
できる。一例として、高周波重畳回路の発振周波数の基
本波成分（３５０ＭＨ_Z）を前記ノイズ対策の対象と
し、図２のキャパシタＣ１２のキャパシタンス値を２５
０ｐＦとすれば、キャパシタＣ１２のインピーダンスＺ
_Cは、ｆ＝３５０ＭＨ_Zにて、Ｚ_C＝１／｛２πｆ×
（２５０ｐＦ）｝＝１．８２Ωとなる。

【００７２】また、インダクタＬ８のインダクタンス値
を８２ｎＨとすれば、このインダクタンスによるインピ
ーダンスＺ_Lは、Ｚ_L＝２πｆ×（８２ｎＨ）＝１８０
Ωとなり、約１００倍、Ｃ１２よりＬ８のインピーダン
スの方が大きい。このため、前記ラインノイズは、Ｌ８
よりＣ１２を伝わってＧＮＤに吸収されてしまう。

【００７３】 §６：キャパシタとインダクタの特性についての説明キャパシタの特性として、ここで重要なことは、ライン
を伝送してシールドケース外部へ漏れようとするノイズ
を防ぐ為、ノイズ対策の対象周波数において、より低イ
ンピーダンスとして作用しなければならないということ
である。このため、理想的には、キャパシタの自己共振
点の周波数を前記対象周波数と合わせることが好まし
い。しかし、現実的には、これは困難なので、通常、対
象周波数付近にキャパシタの自己共振点（周波数）がく
るように設計するか、前記自己共振点が前記対象周波数
以下となるように設計する。

【００７４】同様に、インダクタの特性として、ライン
を伝送してシールドケース外部へ漏れようとするノイズ
を防ぐ為、ノイズ対策の対象周波数において、より高イ
ンピーダンスとして作用しなければならない。理想的に
は、インダクタの自己共振点の周波数を前記対象周波数
と合わせることが望ましいが、現実的には困難なので、
通常、前記対象周波数付近に自己共振周波数がくるよう
に設計するか、自己共振点が前記対象周波数以上となる
ように設計する。

【００７５】Ｃ１０〜Ｃ１２のキャパシタンス値は、不
要輻射削減の対象周波数や、削減レベルに応じて調整で
きる。図４、図５に示したレイヤ３に形成されるパター
ン面積をＳ、このパターンとレイヤ２のＧＮＤパターン
との間隔をｄ、レイヤ２とレイヤ３の間に存在する基板
材料の誘電率をεとすれば、キャパシタンス値Ｃは、Ｃ
＝（ε×Ｓ）／ｄとなる。

【００７６】一例として、レイヤ３のＣ１２のキャパシ
タンス値Ｃは、そのパターン面積Ｓ１２を６．０ｍｍ×
３．０ｍｍ＝１８ｍｍ²、レイヤ２とレイヤ３の間の間
隔ｄ１２を０．０１５ｍｍ、基板５のレイヤ２、レイヤ
３間の材料の比誘電率をε１２とすれば、Ｃ＝（ε１２
×Ｓ１２）／ｄ１２＝４７．８ｐＦとなる。前記Ｃ値は
不要輻射削減の対象周波数や削減レベルに応じて、ε、
Ｓ、ｄの値を調整することで可変できる。

【００７７】図２のＣ１０〜Ｃ１２のキャパシタンス値
を大きくしようとすれば、ε、Ｓの値を大きくするか、
ｄの値を小さくすれば良いが、Ｓを大きくすることは、
基板５の面積拡大につながる。よって、基板５の面積を
小さくし、Ｃ１０〜Ｃ１２のキャパシタンス値を上げる
には、ｄを小さくするか、εを上げるかの方法が考えら
れる。しかし、基板５をより多層にして、Ｃ１０〜Ｃ１
２のパターンを形成する層と、ＧＮＤ層の２層の組を積
層型に積み重ねれば、ｄ、εの値を変えずに前記キャパ
シタンス値を上げることができる。

【００７８】また、図５のレイヤ４に示すＬ４〜Ｌ７
と、レイヤ１に示すＬ８〜Ｌ１０はパターンで形成され
ており、図２の回路図をみれば分かるが、全て前段にキ
ャパシタが接続されており、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ９〜Ｃ１３
にラインノイズ吸収の効果をもたらす為のものである。

【００７９】ここで、Ｃ１３は、図５にて、レーザダイ
オード部６のバックモニタ素子端子（ＢＭ端子）４２
と、レイヤ２のＧＮＤパターンとの間に基板材料の誘電
率により形成されるキャパシタである。同様に、レーザ
ダイオード部６のレーザダイオード端子（ＬＤ端子）４
１も、レイヤ２のＧＮＤパターンとの間にキャパシタを
形成するが、図２の回路図上ではＣ５と並列に接続され
ることになるので、図２ではＣ５に含めて記した。

【００８０】図４、図５の例ではレイヤ２のＧＮＤパタ
ーンと基板エッジとの間に隙間５０が生じているが、こ
のＧＮＤパターンは隙間５０が生じない様に基板エッジ
まで伸ばしても高周波重畳回路の特性には何ら影響する
ものではない。目的とする不要輻射削減の対象周波数や
レベルに応じて、この隙間５０は調整すれば良い。

【００８１】例えば、高周波重畳回路の発振周波数が３
００ＭＨ_Zで、この基本波成分を削減することを目的と
するならば、１波長は真空中で１ｍなので、基板５の比
誘電率を４．５とすれば、隙間５０を抜けようとする時
の１波長λａはおよそ、λａ＝１ｍ／２．１２１＝０．
４７１ｍとなる。

【００８２】よって、隙間５０のＧＮＤパターンと基板
エッジとの間隔は、前記１λａのおよそ０．００１倍の
０．５ｍｍとすれば、隙間５０を抜けようとする基本波
成分は充分対策できる。基本波を含めその高次高調波成
分まで対策する場合は、隙間５０を更に小さくすれば良
い。

【００８３】また、高周波重畳回路の各電源ラインとな
っているスルーホール４６、４７、４８（金属導体によ
りスルーホールメッキされている）と、レイヤ２のＧＮ
Ｄパターンとの間に隙間５１が生じるが、スルーホール
とＧＮＤパターン間に存在する基板材料（誘電体）によ
り隙間５１の箇所はキャパシタが形成される。この構造
は、従来例の貫通コンデンサと同じである。回路図上で
は、図２のＣ１０、Ｃ１１、Ｃ１２と並列に形成される
ことになるので、図２の回路図では、Ｃ１０〜Ｃ１２の
中に含めてある。

【００８４】隙間の間隔が、対策しようとする周波数の
１波長、１／２波長、１／４波長となると、隙間に定在
波が発生し、そこから電磁波が輻射してしまうので、本
発明の高周波重畳回路では、隙間５０、５１の間隔は、
対策しようとする周波数の波長に対して十分小さい１／
１０波長以下と考える。

【００８５】図５の例では、不要輻射対策に関わるＬ４
〜Ｌ７は全てレイヤ４に形成されているが、レイヤ３
や、基板５を６層の層構成とし、４層と５層目に形成し
ても良い。この場合、図５の例と比べ、Ｌ４〜Ｌ７のパ
ターン分の面積が削減できるので、基板５の面積は図２
の例より更に小さくできる。また、図３の例では、Ｌ４
〜Ｌ７をパターンで形成したが、図２に示す高周波重畳
回路の構成部品Ｌ１〜Ｌ３、Ｃ１〜Ｃ６、Ｒ１〜Ｒ３を
図５に示すレイヤ４や、内層面にパターンで形成しても
良い。

【００８６】また、高周波重畳回路における不要輻射対
策素子の構成と電源ラインの引き出し手段は、図４、５
に示す構成に限定しない。例えば、３〜４層目のパター
ン間でキャパシタを形成してもよく、基板内部、又は表
面の導体パターンを用いて不要輻射の対策素子を形成し
ても良い。

【００８７】そして、形成された不要輻射の対策素子を
通じて電源ラインをレイヤ１の基板表面に引き出しても
良い。また、電源ラインの引き出しには、スルーホール
を用いることに限定しない。導体パターンを用いれば手
段は限定しない。更に、図５に示すレイヤ２とレイヤ３
が入れ代わり、ＧＮＤ面が３層目に、Ｃ１０〜Ｃ１２が
２層目に形成されても良い。

【００８８】前記高周波重畳回路の電源ラインは、回路
用、レーザダイオード用、バックモニタ用の３つである
が、これに限定しない。不要輻射対策部品と、レーザダ
イオード部６を含めた高周波重畳回路の複数の電源ライ
ンについて、前記の例と同じ構造でキャパシタを形成
し、電源ラインのＧＮＤパターンで囲われたシールド内
からの引き出しを行えば良い。

【００８９】ここで、本発明のポイントは、高周波重畳
回路の光学的情報記録再生装置への実装が、基板５に形
成されたＧＮＤパターンと、ＧＮＤ電位であるシールド
ケース４、または光学ベース７とに囲まれた構造となっ
ており、一つ以上の高周波重畳回路の電源ラインが、基
板５に形成されたＧＮＤ面との間にキャパシタンスを形
成するスルーホール形状の導体パターンにより、接地導
体で囲まれた範囲内から外部へ引き出されている構造と
なっていることである。

【００９０】本発明の高周波重畳回路の実施の形態は、
前記のように、接地導体で囲まれた構造であるが、密封
された構造と限定しない。対策しようとする周波数の１
波長に対して十分小さい１／１０以下のスペースであれ
ば良い。スルーホールの大きさの一例として、０．３ｍ
ｍφ程度であり、従来例と比べ、十分高周波重畳回路の
サイズの小型化に対応できる。

【００９１】このため、従来例のように、貫通コンデン
サの形状で不要輻射対策部品を含めた高周波重畳回路の
小型化が制約されることはない。また、前記構成とする
ことで、ＦＰＣ１、シールドケース４等の実装に困難を
生じることはない。なお、前記高周波重畳回路は、光学
的に情報の記録及び再生を行う装置だけでなく、光学的
に情報の再生のみを行う装置にも同様にして実装するこ
とができることは前述の通りである。

【００９２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。 (1) ：従来例のような貫通コンデンサを用いた場合に比
べ、不要輻射削減レベルを損なうことなく、不要輻射対
策部品も含めた高周波重畳回路の小型化と、光学的情報
記録再生装置への実装スペースの削減が可能になる。

【００９３】(2) ：貫通コンデンサを用いた場合に比
べ、不要輻射削減に係る部品の実装、組み立てが容易に
なる。また、高周波重畳回路の構成に関わる基板、フレ
キシブルプリント基板（ＦＰＣ）、シールドケースの実
装も容易になる。

【００９４】(3) ：貫通コンデンサの形状を考慮せず、
高周波重畳回路の回路基板の形状、サイズを決定するこ
とができるので、シールドケースの形状を単純にでき
る。 (4) ：貫通コンデンサを用いた場合に比べ、シールドケ
ースから引き出されるラインが増加しても、不要輻射削
減に係る部品が占有するスペースが、大幅に増加するこ
とがないので、回路構成の変更、レーザダイオードの変
更等による電源、信号ライン等の追加を容易に行うこと
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態における装置説明図であ
る。

【図２】実施の形態における高周波重畳回路例である。

【図３】実施の形態における高周波重畳回路の実装例で
ある。

【図４】実施の形態における基板の説明図である。

【図５】実施の形態における基板の分解平面図である。

【図６】従来の装置説明図である。

【図７】従来の高周波重畳回路説明図である。

【図８】従来の高周波重畳回路実装部の説明図である。

【符号の説明】

１外部引き出し用のフレキシブルプリント基板４シールドケース５基板６レーザダイオード部７光学ベース１１貫通コンデンサ１２内部接続用のフレキシブルプリント基板１６嵌め込み穴１７、４３ＧＮＤ端子（接地端子）１８貫通端子２１対物レンズ２２可動部２５誘電体２７高周波重畳回路の構成部品２８レーザダイオードの端子２９、３３接続部３０ネジ３１第１の側面３２第２の側面３７レーザダイオード用電源３８回路用電源３９ＧＮＤ４０バックモニタ用電源４１レーザダイオード端子（ＬＤ端子）４２バックモニタ素子端子（ＢＭ端子）４６〜４８スルーホール５０、５１隙間５２誘電体層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光学的に情報の記録再生、又は再生のみを
行う装置に用いられる高周波重畳回路において、レーザダイオード、高周波重畳回路の構成部品及び不要
輻射の対策素子が接地導体に囲まれており、前記不要輻射の対策素子が、高周波重畳回路の構成部品
が実装されている基板に導体パターンで形成され、前記レーザダイオードと高周波重畳回路の電源ライン
が、前記不要輻射の対策素子を通して前記接地導体で囲
まれた範囲内から外部に引き出されていることを特徴と
する高周波重畳回路。
【請求項２】高周波重畳回路の構成部品が基板上に実装
されており、高周波重畳回路の構成部品が実装されてい
る基板面の反対側の面に、前記高周波重畳回路とレーザ
ダイオードの電源供給用のフレキシブルプリント基板が
実装されていることを特徴とする請求項１記載の高周波
重畳回路。
【請求項３】前記不要輻射の対策素子が、前記高周波重
畳回路の構成部品が実装されている基板の内部層に導体
パターンで形成されていることを特徴とする請求項２記
載の高周波重畳回路。
【請求項４】前記電源ラインの接地導体で囲まれた範囲
内から外部への引き出しに、スルーホールが用いられて
いることを特徴とする請求項３記載の高周波重畳回路。
【請求項５】光学的に情報の記録再生、又は再生のみを
行う装置に用いられる高周波重畳回路において、前記高周波重畳回路の構成部品が基板上に実装されてい
て、高周波重畳回路の構成部品が実装されている基板面
の反対側の面に、前記高周波重畳回路とレーザダイオー
ドの電源供給用のフレキシブルプリント基板が実装さ
れ、前記基板に設けられた引き出し用の導体により、レーザ
ダイオードと高周波重畳回路の電源が、前記フレキシブ
ルプリント基板が実装されている基板面に引き出され、
前記フレキシブルプリント基板上の電源ラインと電気的
に接続されていることを特徴とする高周波重畳回路。
【請求項６】前記引き出し用導体により不要輻射の対策
素子が形成されていることを特徴とする請求項５記載の
高周波重畳回路。
【請求項７】前記引き出し用導体と、基板内部に形成さ
れる導体パターンにより不要輻射の対策素子が形成され
ていることを特徴とする請求項５記載の高周波重畳回
路。
【請求項８】前記引き出し用導体がスルーホールで形成
されていることを特徴とする請求項５記載の高周波重畳
回路。
【請求項９】前記不要輻射の対策素子がスルーホールに
より形成されていることを特徴とする請求項８記載の高
周波重畳回路。
【請求項１０】前記不要輻射の対策素子が、前記スルー
ホールと、高周波重畳回路の構成部品が実装されている
基板に形成されていることを特徴とした請求項８記載の
高周波重畳回路。