JP2010092922A - 光通信モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】伝送レートに対応した周波数を跨った広い周波数帯域においてフレームグランドに対する放射ノイズの影響を効果的に低減すること。
【解決手段】この光トランシーバモジュール2は、FG用のリードピン12aを有するTOSA4aと、リードピン12aをSG電極に電気的に接続するための導電部20a,20cを有する主回路基板5aと、主面M3と主面M2との間に容量成分が形成されて主回路基板5a上に搭載された2つの副回路基板5bと、リードピン12aと主面M3との間に設けられ、リードピン12aを副回路基板5bに対して電気的に接続するためのFPC38とを備えており、2つの副回路基板5bにはそれぞれ容量成分が形成されており、FPC38には、リードピン12aと2つの容量成分とを接続する互いに幅の異なる導体膜42b,42cが形成されている。
【選択図】図1
【解決手段】この光トランシーバモジュール2は、FG用のリードピン12aを有するTOSA4aと、リードピン12aをSG電極に電気的に接続するための導電部20a,20cを有する主回路基板5aと、主面M3と主面M2との間に容量成分が形成されて主回路基板5a上に搭載された2つの副回路基板5bと、リードピン12aと主面M3との間に設けられ、リードピン12aを副回路基板5bに対して電気的に接続するためのFPC38とを備えており、2つの副回路基板5bにはそれぞれ容量成分が形成されており、FPC38には、リードピン12aと2つの容量成分とを接続する互いに幅の異なる導体膜42b,42cが形成されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、光伝送媒体を介して光送信信号を送信する光通信モジュールに関するものである。
従来から、プリント基板に接続されたケーブルから発生する放射ノイズがフレームグランド(FG)に及ぼす影響を低減するための放射ノイズ低減装置が知られている(下記特許文献1参照)。この放射ノイズ低減装置は、プリント基板に設けられておりシールドケーブルに接続されたFG電極と、SG電極(SG:シグナルグランド)と、FG電極及びSG電極の間に設けられたコンデンサ素子とを有しており、放射ノイズにより発生しフレームグランドに流れるノイズ電流をシグナルグランドに分流する。
特開2003−283177号公報
一般に光トランシーバモジュール等の光通信モジュールはGHzオーダで高速に動作するので、上述のような放射ノイズがフレームグランドに及ぼす影響(ノイズ電流の発生)を低減させるには、FG電極及びSG電極の間に挿入するコンデンサの容量を数pF以上に設定するのが望ましい。しかしながら、光通信モジュールで必要とされるFG電極とSG電極間の絶縁耐圧数kVを有するチップタイプのコンデンサは上記のような容量を有しておらず、そのようなコンデンサの開発も困難である。
また、光トランシーバモジュールのパッケージ(FG)に接続されたケースピンとプリント基板とを接続する際には、規格や製造効率の観点からケースピン及びプリント基板の位置関係に関して制約を受ける場合がある。このような制約によりケースピンがある程度の長さが必要になる場合には、ケースピンがインダクタンス成分を持つ結果、FGとSGとの間の容量成分及びケースピンによりLC直列共振回路に近い構成が生じることがある。このとき、光トランシーバモジュールの動作周波数帯域においてパッケージを構成するステムを十分に低インピーダンスにするためには、容量成分及びケースピンによって構成されるLC回路の時定数を伝送レート付近に設定することが必要となる。しかし、光トランシーバモジュールにおけるクロストークやEMI放射は、各光トランシーバで規定している最高伝送レートの周波数成分だけが問題になるのではなく、最高伝送レートまたは最高伝送レートにおける高調波周波数成分より低い周波数成分も問題になるので、上記LC回路の時定数よりも低周波領域でもステムのインピーダンスを下げることが必要となる。
送信信号に含まれる周波数全域に対するインピーダンスを下げ、且つLC回路の時定数を低下させないためには、FGとSGとの間の容量を大きくし、かつケースピンのインダクタンスを小さくする必要がある。容量を大きくするためには、容量の面積を増加させることが考えられるが、光トランシーバモジュールのプリント基板側には伝送信号用リードピンとの半田付け用のパッドがあるので、容量の面積拡大には限界がある。従って、プリント基板の表面上の容量の層数を多く取らざるを得ない。しかし、容量の層数を増加させるとケースピンの根元とプリント基板の上面との距離も大きくなる。その結果、ケースピンを伸ばしてプリント基板の上面に接続させる必要があり、ケースピンのインダクタンス成分が大きくなる傾向にあった。
また、一般的にEMI(電磁雑音)は、光トランシーバの最高伝送レートに対応した周波数のみにEMIレベルの特異に高いピーク周波数が存在するのではなく、最高伝送レートに対応した周波数以上及び以下にもピーク周波数を持つ。従って、これらの複数のピーク周波数においてEMIレベルを規定値以下に抑えることが望ましい。
そこで、本発明は、かかる課題に鑑みて為されたものであり、伝送レートに対応した周波数を跨った広い周波数帯域においてフレームグランドに対する放射ノイズの影響を効果的に低減できる光通信モジュールを提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の光通信モジュールは、光伝送媒体を介して光送信信号を送信する光通信モジュールであって、金属製のパッケージと該パッケージに電気的に接続されたグランド用リードピンを含む複数のリードピンとを有し、複数のリードピンを介して印加された電気信号に応じて光送信信号を生成する光送信モジュールと、複数のリードピンを光送信モジュール駆動用の回路部及びグランド電位に電気的に接続するための導電部を有する主回路基板と、第1の主面上に設けられた第1の導電部と第2の主面上に設けられた第2の導電部との間に容量成分が形成されており、第2の導電部と主回路基板の導電部とが対面した状態で電気的に接続されるように主回路基板上に搭載された1以上の副回路基板と、グランド用リードピンと第1の主面との間に設けられ、グランド用リードピンを副回路基板の第1の導電部に対して電気的に接続するためのフレキシブルプリント基板とを備えており、1以上の副回路基板によって複数の容量成分が形成されており、フレキシブルプリント基板には、グランド用リードピンと複数の容量成分に対応する第1の導電部とを接続する互いに幅の異なる複数の配線部が形成されている。
このような光通信モジュールによれば、FGに接続された光送信モジュールのグランド用リードピンが、フレキシブルプリント基板を介して、1以上の副回路基板の第1の主面上に形成された第1の導電部と接続され、且つ副回路基板の第2の主面上に形成された第2の導電部が主回路基板の導電部と対面して接続された状態で、1以上の副回路基板が主回路基板上に載置される。これにより、グランド用リードピンと主回路基板の導電部との間に、フレキシブルプリント基板上に形成された幅の異なる配線部と、1以上の副回路基板によって形成された複数の容量成分とが直列に接続されることになる。その結果、ノイズフィルタの容量成分の確保が容易となるとともに、主回路基板上の配置の制約及び容量の確保のために副回路基板の厚さを厚く取らざるを得ない場合でも、主回路基板の導電部とグランド用リードピンとを副回路基板を経由して接続する際に、フレキシブル基板上の配線部を広く取ってインダクタンスを低減することができる。さらには、グランド用リードピンとSGとの間に複数のLC直列共振周波数を持つ電流パスが形成されるので、伝送レートに対応した周波数を跨った広い動作周波数帯域において、グランド用リードピンのインダクタンスが低減されて放射ノイズをFGからSGへ効果的に逃がすことができる。
1以上の副回路基板によって、少なくとも2以上の容量値を有する複数の容量成分が形成されている、ことが好ましい。この場合、グランド用リードピンとSGとの間に生成される電流パスのLC直列共振周波数を制御することが容易になるので、より広い動作周波数帯域においてEMI特性及びクロストーク特性を向上させることができる。
本発明の光通信モジュールによれば、伝送レートに対応した周波数を跨った広い周波数帯域においてフレームグランドに対する放射ノイズの影響を効果的に低減することができる。
以下、図面を参照しつつ本発明に係る光通信モジュールの好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
図1は、本発明の好適な一実施形態にかかる光トランシーバモジュール2の構成を示す一部破断斜視図であり、図2は、図1の光送信モジュールであるTOSA4a(TOSA: Transmitter Optical Sub-Assembly)の光トランシーバモジュール2への取り付け前の軸方向から見た平面図である。光トランシーバモジュール2は、TOSA4a、光受信モジュールであるROSA4b(ROSA: Receiver Optical Sub-Assembly)、回路基板5及びケース6を備える小型光トランシーバである。TOSA4a及びROSA4bはケース6の側壁6aに固定されており、回路基板5はケース6内に収容されている。なお、ケース6は、金属材料から成りFGとしての役割を有する。回路基板5は、絶縁性のプリプレグを主材料として形成されており、その表面上には回路パターンが形成されている。
TOSA4aは、レーザダイオード7と、レーザダイオード7を収容する金属製のパッケージ8aとを有する光送信モジュールである。レーザダイオード7は、アノード端子とカソード端子(図示略)とを有しており、パッケージ8aの外部から供給/印加されるバイアス電流及び変調電流(電気信号)に応じてレーザ光(光送信信号)を生成する。パッケージ8aは金属材料から成る同軸型のパッケージであり、その側面にフランジ16a及びフランジ16bが形成され、フランジ16aとフランジ16bとの間には溝18が設けられている。このパッケージ8aは、TOSA4aが有する全ての電気素子(例えばレーザダイオード7)に対して電気的に絶縁されている。レーザダイオード7は、パッケージ8aの端部10aに収容されており、レーザダイオード7から発光されるレーザ光は、端部14から光ファイバ等の光伝送媒体を介して外部に送信される。
また、TOSA4aは、パッケージ8aの他端部10に設けられたステム10aと、ステム10aから延びている4本のリードピン12a,12b,12c,12dとを更に有する(図2)。このリードピン12aは、パッケージ8aに電気的に接続されたFG用端子であり、パッケージ8aに収容されているTOSA4aの電気素子の何れに対しても絶縁されている。また、リードピン12b,12cは、それぞれ、レーザダイオード7のアノード端子及びカソード端子に接続された発光駆動用端子であり、リードピン12dは、レーザダイオード7の光出力をモニタするためのモニタ出力用端子である。
上記構成のTOSA4aは、ケース6の側壁6aが溝18に嵌め込まれることによって、側壁6aに固定される。このようにして、光トランシーバモジュール2のケース6と、TOSA4aのパッケージ8aとが電気的に接続されている。
ROSA4bは、フォトダイオード(図示せず)と、このフォトダイオードを収容する金属材料から成るパッケージ8bとを有する光受信サブアセンブリである(光受信サブアセンブリからスリーブを除いた部分は光受信モジュールに対応。)。このパッケージ8bは樹脂材料から成るスリーブにより覆われている。このパッケージ8bは、ROSA4bが収容する電気素子の何れに対しても電気的に絶縁されている。ROSA4bは、TOSA4aと同様に溝18aが設けられており、この溝18aにケース6の側壁6aが嵌め込まれている。これにより、ROSA4bが側壁6aに固定される。なお、ROSA4bのパッケージ8bは、このパッケージを覆う樹脂材料から成るスリーブによって側壁6aから絶縁されている。また、ROSA4bは、複数のリードピン12eを有しており、各リードピン12eは、回路基板5の主面M1に設けられた金属材料から成る複数の電極等に接続されている。
回路基板5は、TOSA4a及びROSA4bと後述する電子回路(回路部)24とを電気的に接続するための回路基板であり、主回路基板5aと2つの副回路基板5bとにより構成されている。主回路基板5aの主面M1上には、金属材料から成る導電部20a〜20d等の複数の電極パターンが形成され、導電部20b、20dは、電子回路24と電気的に接続され、導電部20a,20cは主回路基板5a内に設けられたSG電極と電気的に接続されている。この導電部20b,20dには、TOSA4aのリードピン12b,12cがそれぞれ、はんだ接合により電気的に接続されている。
電子回路24は、信号接地電位(SG電位)を有しており、導電部20a〜20dが設けられている回路基板5の主面M1上に設けられている。電子回路24は、ROSA4bからの受信信号を増幅するための増幅回路や、TOSA4aのレーザダイオード7を駆動するための駆動回路等を搭載する。
次に、2つの副回路基板5bの構成について説明する。図3は、図1の副回路基板5bのTOSA4aの中心軸線方向に沿った縦断面図、図4は、副回路基板5bが主回路基板5a上に搭載された状態を示す平面図である。なお、これらの2つの副回路基板5bは同一もしくは別の構造を有する。
副回路基板5bは、主回路基板5aの主面M1上に載置されており、シート状のプリプレグ等の絶縁性材料からなる単位基板26が10枚積層されて構成された多層基板である。この副回路基板5bの主回路基板5a側の一方の主面M2上、すなわち最下層の単位基板26の表面上には、金属材料からなる電極パターンである導電層28aが形成されており、副回路基板5bの他方の主面M3上、すなわち最上層の単位基板26の表面上には電極パターンである導電層30aが形成されている。この導電層30aは、TOSA4aのリードピン12aの接続用の電極であり、導電層28aは、主回路基板5aの導電部20a,20cとの接続用の電極である。
また、副回路基板5bには、隣り合う単位基板26の境界面上において、互いに2層の単位基板26を挟んで対面するように形成された金属製の導電層28bと、2つの導電層28bの中間に位置する単位基板26の境界面上において、2層の単位基板26を挟んで導電層28bと対面するように形成された金属製の導電層30bとがさらに形成されている。この導電層28bは、複数層の単位基板26を貫通するように形成されたスルホール32,34を介して導電層28aと接続され、導電層30bは、複数層の単位基板26を貫通するように形成されたスルホール36を介して導電層30aと電気的に接続されている。このスルホール32,34,36は、内部に金属材料が充填されたものであってもよいし、内面のみに金属材料がコーティングされたものであってもよい。従って、導電層28a,28bは、互いに電気的に接続された1つの導電部28を構成し、導電層30b,30aは、互いに電気的に接続された1つの導電部30を構成する。
このように、副回路基板5bには、導電部28の導電層28bと導電部30の導電層30a,30bとが、互いに対面して配列されるように形成されている。さらに、導電層28bとこの導電層28bに隣接する導電層30a,30bとの間に絶縁性の単位基板26が配置されることにより、導電層28bと導電層30a,30bとの間に容量成分が形成されることになる。このような構造を有する2つの副回路基板5bは、導電層28aと主回路基板5a上に形成された導電部20a,20cとが向かい合った状態で主回路基板5a上に並んで搭載される(図4)。
図5は、1つの副回路基板5bとTOSA4a及び主回路基板5aとの接続形態を示すTOSA4aの中心軸線に沿った縦断面図である。同図に示すように、副回路基板5bは、導電部20aと副回路基板5bの導電層28aとが対面した状態で主回路基板5aの主面M1上に載置され、導電部20aと導電層28aとは、はんだ接合により電気的に接続されている。この主回路基板5aの導電部20aは、スルホールを介して主回路基板5aの内部に形成されたSG電極に接続される。ここで、副回路基板5bは、その主面M2の端部が主回路基板5aの主面M1上からTOSA4a側に向けてはみ出るように配置されている。
さらに、TOSA4aのリードピン12aは、フレキシブルプリント基板(以下、FPCという)38を介して2つの副回路基板5bの主面M3上の導電層30aと電気的に分岐して接続されている。このFPC38は、図2に示すように、柔軟性を有する矩形状の絶縁体平板40をベース部材として、その絶縁体平板40の表面に、一端側から他端側にかけて分岐して帯状に形成された互いに幅の異なる2つの金属製導体膜(配線部)42b,42cを有する。この導体膜42b,42cは、その表面が樹脂で覆われており、それらが共有する一端部には導体膜42b,42cとTOSA4aのリードピン12aとを接続するためのホール44aが形成され、分岐したそれぞれの他端部には2つの副回路基板5bの導電層30aと接続するためのホール44b,44cが形成されている。
さらに、FPC38上の導体膜42b,42cは、ホール44a,44b,44cの周囲において外部に露出する露出部位46a,46b,46cが設けられ、この露出部位46a,46b,46cにおいてリードピン12a又は2つの導電層30aと電気的に接続可能にされている。
このような構造を有するFPC38が、TOSA4aのリードピン12aと2つの副回路基板5bの主面M3との間に配置されることにより、リードピン12aと2つの導体層30aとが電気的に接続される。具体的には、リードピン12aがホール44aに貫通した状態で、リードピン12aとFPC38の露出部位46aとがはんだ接合により接続されると同時に、ホール44a側の一端がリードピン12a側に保持された状態でホール44b,44c側の他端が主面M3に接して伸びるようにFPC38が折り曲げられる(図5)。この状態で、2つの導体層30aとホール44b,44cのそれぞれの露出部位46b,46cとがはんだ接合により接続される。その結果、FPC38上に形成された2つの幅の異なる導体膜42b,42cにより、リードピン12aが2つの副回路基板5bの容量成分につながる導体層30aに分岐して接続されることになる。
以上説明した光トランシーバモジュール2によれば、FGに接続されたTOSA4aのリードピン12aが、FPC38を介して、2つの副回路基板5bの主面M3上に形成された導電層30aと接続され、且つ2つの副回路基板5bの主面M2上に形成された導電層28aが、それぞれ、主回路基板5aの導電部20a,20cと対面して接続された状態で、2つの副回路基板5bが主回路基板5a上に載置される。これにより、リードピン12aと主回路基板5aのそれぞれの導電部20a,20cとの間に、FPC38上に形成された幅の異なる導体膜42b,42cと、2つの副回路基板5bによって形成された2つの容量成分とが直列に接続されることになる。その結果、ノイズフィルタの容量成分の確保が容易となるとともに、主回路基板5a上の配置の制約及び容量の確保のために副回路基板5bの厚さを厚く取らざるを得ない場合でも、主回路基板5aの導電部20a,20cとリードピン12aとを副回路基板5bを経由して接続する際に、FPC38上の配線部を広く取ってインダクタンスを低減することができる。従って、ノイズフィルタの直列共振周波数を光トランシーバの最高伝送レートに対応したEMIレベルの高いピーク周波数に合わせることが容易になる。
さらには、リードピン12aとSGとの間に複数のLC直列共振周波数を持つ電流パスが形成される。一般に、EMIは光トランシーバの最高伝送レートに対応した周波数のみにEMIレベルの高いピーク周波数が存在するのではなく、最高伝送レートに対応した周波数以上の領域、又はその周波数以下の領域にEMIレベルの高いピーク周波数が存在する。従って、複数のLC直列共振周波数を持つ電流パスを有する光トランシーバモジュール2によれば、伝送レートに対応した周波数を跨った広い動作周波数帯域において、リードピン12aのインダクタンスが低減されて放射ノイズをFGからSGへ効果的に逃がすことができる。具体的には、TOSA4aのFGとSGとの間の1つの電流パスが最高伝送レートに対応したピーク周波数に適合された場合でも、その他のEMIレベルの高いピーク周波数に寄与する放射ノイズの発生をも低減することができる。
なお、光トランシーバモジュール2においては、放射ノイズの発生が低減される結果、隣接する光受信系の回路に対する影響も低減することができるので、併せてクロストークの発生も抑制することが可能になる。
また、副回路基板5bにおいて導電層30a,30bと導電層28bとの間に単位基板26を配置することで容量成分が形成されているので、FG電極とSG電極との間で必要な絶縁耐圧が確保される範囲で副回路基板5bを小型化することで容量成分の高容量化が容易となり、FG用リードピン12aと主回路基板5aとの間に介在する副回路基板5bが小さくても、TOSAパッケージ内におけるクロストーク等の放射ノイズの影響を十分に抑えることができる。また、FG電極とSG電極との間で必要な絶縁耐圧が確保される範囲で副回路基板5bの厚さ及び面積を様々に変化させることができ、TOSA4aと主回路基板5aとの配置の自由度が高くなる。
さらに、導電部28及び導電部30のそれぞれは、単位基板26を貫通するスルホールを介して互いに電気的に接続されているので、副回路基板5bの厚さ又は基板の積層数が変化しても導電層どうしを接続する際の加工が容易となる。
なお、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。例えば、FPC上に形成される導体膜の数及び副回路基板によって形成される容量成分の数は2以上であってもよい。図6及び図7には、FPC上に形成される導体膜の数、及び副回路基板によって形成される容量成分の数が3の場合、図8及び図9には、FPC上に形成される導体膜の数、及び副回路基板によって形成される容量成分の数が4の場合のFPCの構造例、及び副回路基板の配置例が示されている。
図6に示すFPC138には、互いに幅の異なる3つの導体膜142b,142c,142dが分岐して形成され、導体膜142b,142c,142dには、一端部にホール144aが形成され、それぞれの他端部には3つのホール144b,144c,144dが形成されている。FPC138の導体膜142b,142c,142dは、主回路基板5a上に並列に搭載された3つの副回路基板5b(図7)によって形成される容量成分にそれぞれ接続される。
また、図8に示すFPC238には、互いに幅の異なる4つの導体膜242b,242c,242d,242eが分岐して形成され、導体膜242b,242c,242d,242eには、一端部にホール244aが形成され、それぞれの他端部には4つのホール244b,244c,244d,244eが形成されている。FPC238の導体膜242b,242c,242d,242eは、主回路基板5a上に並列に搭載された4つの副回路基板5b(図9)によって形成される容量成分にそれぞれ接続される。
このような構成の光トランシーバモジュールによれば、最高伝送レートに対応した周波数以上の領域、及びその周波数以下の領域に複数のEMIレベルの高いピーク周波数が存在する場合であっても、複数のピーク周波数に対応して放射ノイズの発生を低減することができる。
また、FPC上に形成される1つの導体膜に接続される副回路基板は複数であってもよい。図10には、このような場合のFPCの構成例が示されている。同図に示すFPC338には、互いに幅の異なる2つの導体膜342b,342cが分岐して形成され、導体膜342b,342cには、一端部にホール344aが形成され、導体膜342bの他端部には2つのホール344bが形成され、導体膜342cの他端部にはホール344cが形成されている。このような構成により、FPC338上の導体膜342bは2つの副回路基板5bによって形成される2つの容量成分に接続される。この場合、TOSA4aのFGとSGとの間の電流パスにおける容量成分を容易に大きくすることができ、光モジュールの最高伝送レートに対応するEMIレベルの高いピーク周波数より小さい周波数領域のノイズをSGに効果的に逃がすことができる。それとともに、FPC上の配線のインダクタンスを小さくしてLC直列共振周波数を最高伝送レートに対応するピーク周波数に容易に合わせることができる。
また、EMIレベルのピーク周波数に対応して主回路基板5a上に多くの副回路基板を搭載するスペースが確保できない場合には、図11〜13に示すように、1つの副回路基板内に複数の容量値の異なる容量成分が形成されていてもよい。図11に示す副回路基板405bには、主面M2上に形成された導電層428aに接続された導電層428bと、主面M1上に独立して設けられた導電層430a,431aのそれぞれに接続された導電層430b,431bとが、互いに対面して配置されるように形成されている。これにより、導電層430a,430bと導電層431a,431bとの面積を異なるように形成することで、2つの導電層430a,431aと導電層428aとの間に2つの容量値の異なる容量成分が形成されることになる。このような副回路基板405bは、副回路基板5bと並列に主回路基板5a上に形成された導電部20e上に搭載され(図13)、リードピン12aに接続されたFPC438上の2つの導体膜442b,442cのそれぞれに、副回路基板405bの導電層430a,431aが接続される。このように容量値の異なる容量成分をTOSAのFGとSGとの間に生成される電流パス上に接続することで、複数の電流パスのLC直列共振周波数を制御することが容易になるので、より広い動作周波数帯域においてEMI特性及びクロストーク特性を向上させることができる。
また、図14(a)〜(b)及び図15(a)〜(b)に示すようにEMIレベルの高いピーク周波数の数に応じて、FPC上の導体膜の数、及び1つの導体膜に接続する容量成分の数を適宜調整することも可能である。図14において、(a)は、EMIレベルのピーク周波数が5つの場合、(b)は、EMIレベルのピーク周波数が3つの場合のFPCの構成を示す図、図15において、(a)は、EMIレベルのピーク周波数が6つの場合、(b)は、EMIレベルのピーク周波数が2つの場合のFPCの構成を示す図である。例えば、光トランシーバの最高伝送レートに対応する周波数より小さい周波数におけるEMIレベル及びクロストークの影響が小さい場合には、副回路基板によって形成する容量成分を小さくすることが可能であり、その場合は、主回路基板5a上に搭載される副回路基板の数を増やしたり、1つの副回路基板内に形成する容量成分の数を増やすことができる。その結果、より広い動作周波数帯域においてEMI特性及びクロストーク特性を向上させることができる。その際、共振周波数を制御するために、FPC上の配線部のインダクタンスを容量値に応じて制御(=配線部の幅を変更)する必要がある。
2…光トランシーバモジュール、5a…主回路基板、5b,405b…副回路基板、8a…パッケージ、12a…FG用リードピン、12b,12c,12d…リードピン、20a,20b,20c,20d…導電部、24…電子回路(回路部)、28,30…導電部、42b,42c,142b,142c,142d,242b,242c,242d,242e,342b,342c,442b,442c…導体膜(配線部)、M2,M3…主面、38,138,238,338,438,…FPC(フレキシブルプリント基板)。
Claims (2)
- 光伝送媒体を介して光送信信号を送信する光通信モジュールであって、
金属製のパッケージと該パッケージに電気的に接続されたグランド用リードピンを含む複数のリードピンとを有し、前記複数のリードピンを介して印加された電気信号に応じて光送信信号を生成する光送信モジュールと、
前記複数のリードピンを前記光送信モジュール駆動用の回路部及びグランド電位に電気的に接続するための導電部を有する主回路基板と、
第1の主面上に設けられた第1の導電部と第2の主面上に設けられた第2の導電部との間に容量成分が形成されており、前記第2の導電部と前記主回路基板の前記導電部とが対面した状態で電気的に接続されるように前記主回路基板上に搭載された1以上の副回路基板と、
前記グランド用リードピンと前記第1の主面との間に設けられ、前記グランド用リードピンを前記副回路基板の前記第1の導電部に対して電気的に接続するためのフレキシブルプリント基板とを備えており、
前記1以上の副回路基板によって複数の容量成分が形成されており、
前記フレキシブルプリント基板には、前記グランド用リードピンと前記複数の容量成分に対応する前記第1の導電部とを接続する互いに幅の異なる複数の配線部が形成されている、
ことを特徴とする光通信モジュール。 - 前記1以上の副回路基板によって、少なくとも2以上の容量値を有する複数の容量成分が形成されている、
ことを特徴とする請求項1記載の光通信モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008258642A JP2010092922A (ja) | 2008-10-03 | 2008-10-03 | 光通信モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008258642A JP2010092922A (ja) | 2008-10-03 | 2008-10-03 | 光通信モジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2010092922A true JP2010092922A (ja) | 2010-04-22 |
Family
ID=42255394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2008258642A Pending JP2010092922A (ja) | 2008-10-03 | 2008-10-03 | 光通信モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2010092922A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014092941A (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-19 | Sony Corp | 情報処理装置及び情報処理方法、並びにコンピューター・プログラム |
CN108700867A (zh) * | 2016-03-01 | 2018-10-23 | 株式会社富士 | 机床管理装置 |
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2008
- 2008-10-03 JP JP2008258642A patent/JP2010092922A/ja active Pending
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JP2014092941A (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-19 | Sony Corp | 情報処理装置及び情報処理方法、並びにコンピューター・プログラム |
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