JPH0793758A - 光ピックアップ - Google Patents
光ピックアップInfo
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- JPH0793758A JPH0793758A JP5261961A JP26196193A JPH0793758A JP H0793758 A JPH0793758 A JP H0793758A JP 5261961 A JP5261961 A JP 5261961A JP 26196193 A JP26196193 A JP 26196193A JP H0793758 A JPH0793758 A JP H0793758A
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- Japan
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- high frequency
- terminal
- optical pickup
- circuit
- frequency superposition
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波重畳回路基板の小型化を図ることがで
きる光ピックアップを提供すること。 【構成】 情報記録媒体にレーザ光を照射するためのレ
ーザ光源に対する上記情報記録媒体からの戻り光の影響
を防ぐために高周波重畳回路を備える光ピックアップに
おいて、上記高周波重畳回路３３０は、上記レーザ光源
ＬＤの電源用の端子３００と、高周波重畳スイッチを兼
ねる高周波重畳回路電源用の端子３１０と、グランド用
の端子３２０と、を備える光ピックアップ。
きる光ピックアップを提供すること。 【構成】 情報記録媒体にレーザ光を照射するためのレ
ーザ光源に対する上記情報記録媒体からの戻り光の影響
を防ぐために高周波重畳回路を備える光ピックアップに
おいて、上記高周波重畳回路３３０は、上記レーザ光源
ＬＤの電源用の端子３００と、高周波重畳スイッチを兼
ねる高周波重畳回路電源用の端子３１０と、グランド用
の端子３２０と、を備える光ピックアップ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、たとえばデータストレ
ージ用の光磁気ディスク等のディスク状の情報記録媒体
に記録された情報を再生したり、あるいは情報記録媒体
に情報を記録するための光ディスク装置に用いられる光
ピックアップに関するものである。
ージ用の光磁気ディスク等のディスク状の情報記録媒体
に記録された情報を再生したり、あるいは情報記録媒体
に情報を記録するための光ディスク装置に用いられる光
ピックアップに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクのような光ディスクに対
して用いられる光ピックアップは、情報を記録する時に
レーザダイオードから間欠的に光ビームを射出して、所
定の変調磁界を印加した光磁気ディスクにこの光ビーム
を照射することにより、熱磁気記録の手法を適用して所
望の情報を記録するようになっている。また、この種の
光ピックアップは、情報を再生する時に、光磁気ディス
クに照射した光ビームの反射光を受光することにより、
カー効果を利用して記録情報を再生できるようになって
いる。このために、この種の光ピックアップは、このよ
うな光ビームを照射したり受光するための光学系を一体
化しており、この光ピックアップを光磁気ディスクの半
径方向に移動できるようにして、光磁気ディスクの所望
のトラックに情報を記録したりまたはトラックから情報
を再生できるようになっている。
して用いられる光ピックアップは、情報を記録する時に
レーザダイオードから間欠的に光ビームを射出して、所
定の変調磁界を印加した光磁気ディスクにこの光ビーム
を照射することにより、熱磁気記録の手法を適用して所
望の情報を記録するようになっている。また、この種の
光ピックアップは、情報を再生する時に、光磁気ディス
クに照射した光ビームの反射光を受光することにより、
カー効果を利用して記録情報を再生できるようになって
いる。このために、この種の光ピックアップは、このよ
うな光ビームを照射したり受光するための光学系を一体
化しており、この光ピックアップを光磁気ディスクの半
径方向に移動できるようにして、光磁気ディスクの所望
のトラックに情報を記録したりまたはトラックから情報
を再生できるようになっている。
【０００３】光磁気ディスク（ＭＯ，ＭＤ：ミニディス
ク）やＡｌディスクの情報を再生する時に、レーザダイ
オードの端面に対して光ディスク側から戻り光があると
変調されてしまう。このため、光ピックアップは、レー
ザダイオードの端面への戻り光の影響をキャンセルする
ために、高周波発振器を備える高周波重畳回路を備えて
いる。
ク）やＡｌディスクの情報を再生する時に、レーザダイ
オードの端面に対して光ディスク側から戻り光があると
変調されてしまう。このため、光ピックアップは、レー
ザダイオードの端面への戻り光の影響をキャンセルする
ために、高周波発振器を備える高周波重畳回路を備えて
いる。
【０００４】従来の高周波重畳回路は、図１１と図１２
に示すような構成となっている。すなわち高周波重畳回
路電源用の端子（Ｖｃｃ）１と、レーザダイオード電源
用の端子（ＬＤＡ）２と、高周波重畳スイッチ（回路ス
イッチ端子、ＲＭＳ）３、およびグランド（ＧＮＤ）４
の合計４端子を備える構成が一般的である。端子（ＬＤ
Ａ）２は、レーザダイオードへの順バイアス電流を供給
する端子である。この高周波重畳回路５は、クランプ型
発振器６とカップリングコンデンサＣ６や、発振器との
アイソレート用のインダクタＬ２、およびレーザダイオ
ードＬＤ等を備えている。図１２の発振器のトランジス
タＱ１のベースに抵抗分割（Ｒ１対Ｒ２）して入力され
ており、電源用の端子（Ｖｃｃ）１に電圧をかけた状態
で、スイッチ（ＲＭＳ）３に電圧をかけることにより、
トランジスタＱ１が動作状態になり発振を開始する。
に示すような構成となっている。すなわち高周波重畳回
路電源用の端子（Ｖｃｃ）１と、レーザダイオード電源
用の端子（ＬＤＡ）２と、高周波重畳スイッチ（回路ス
イッチ端子、ＲＭＳ）３、およびグランド（ＧＮＤ）４
の合計４端子を備える構成が一般的である。端子（ＬＤ
Ａ）２は、レーザダイオードへの順バイアス電流を供給
する端子である。この高周波重畳回路５は、クランプ型
発振器６とカップリングコンデンサＣ６や、発振器との
アイソレート用のインダクタＬ２、およびレーザダイオ
ードＬＤ等を備えている。図１２の発振器のトランジス
タＱ１のベースに抵抗分割（Ｒ１対Ｒ２）して入力され
ており、電源用の端子（Ｖｃｃ）１に電圧をかけた状態
で、スイッチ（ＲＭＳ）３に電圧をかけることにより、
トランジスタＱ１が動作状態になり発振を開始する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の高周波重畳回路では、上述したように、合計４端
子が必要であるために、回路基板のスペースに制約がで
きてしまい、小型化が困難である。この基板高周波重畳
回路基板の小型化が困難であるために、光ピックアップ
自体の小型化が難しくなっている。そこで本発明は上記
課題を解消するためになされたものであり、高周波重畳
回路基板の小型化を図ることができる光ピックアップを
提供することを目的としている。
従来の高周波重畳回路では、上述したように、合計４端
子が必要であるために、回路基板のスペースに制約がで
きてしまい、小型化が困難である。この基板高周波重畳
回路基板の小型化が困難であるために、光ピックアップ
自体の小型化が難しくなっている。そこで本発明は上記
課題を解消するためになされたものであり、高周波重畳
回路基板の小型化を図ることができる光ピックアップを
提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明にあ
っては、情報記録媒体にレーザ光を照射するためのレー
ザ光源に対する上記情報記録媒体からの戻り光の影響を
防ぐために高周波重畳回路を備える光ピックアップにお
いて、上記高周波重畳回路は、上記レーザ光源の電源用
の端子と、高周波重畳スイッチを兼ねる高周波重畳回路
電源用の端子と、グランド用の端子と、を備える光ピッ
クアップにより、達成される。また本発明は、好ましく
は、前記高周波重畳回路からの不要輻射は、シールドケ
ースでシールドされている。また本発明は、好ましく
は、前記情報記録媒体は、光磁気ディスクである。
っては、情報記録媒体にレーザ光を照射するためのレー
ザ光源に対する上記情報記録媒体からの戻り光の影響を
防ぐために高周波重畳回路を備える光ピックアップにお
いて、上記高周波重畳回路は、上記レーザ光源の電源用
の端子と、高周波重畳スイッチを兼ねる高周波重畳回路
電源用の端子と、グランド用の端子と、を備える光ピッ
クアップにより、達成される。また本発明は、好ましく
は、前記高周波重畳回路からの不要輻射は、シールドケ
ースでシールドされている。また本発明は、好ましく
は、前記情報記録媒体は、光磁気ディスクである。
【０００７】
【作用】上記構成によれば、レーザ光源の電源用の端子
と、高周波重畳スイッチを兼ねる高周波重畳回路電源用
の端子と、そしてグランド用の端子の合計３端子です
む。このため、必要とする基板スペースを小さくでき
る。
と、高周波重畳スイッチを兼ねる高周波重畳回路電源用
の端子と、そしてグランド用の端子の合計３端子です
む。このため、必要とする基板スペースを小さくでき
る。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。尚、以下に述べる実施例は、本
発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々
の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明
において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、こ
れらの態様に限られるものではない。
づいて詳細に説明する。尚、以下に述べる実施例は、本
発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々
の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明
において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、こ
れらの態様に限られるものではない。
【０００９】図１は本発明の光ピックアップの好ましい
実施例を示す斜視図である。この光ピックアップは、好
ましくは光磁気ディスク（たとえばＭＤ）に対して情報
を記録したりあるいは光磁気ディスクに記録されている
情報を読み取るための光学ピックアップである。
実施例を示す斜視図である。この光ピックアップは、好
ましくは光磁気ディスク（たとえばＭＤ）に対して情報
を記録したりあるいは光磁気ディスクに記録されている
情報を読み取るための光学ピックアップである。
【００１０】図１において、光ピックアップは、２軸ア
クチュエータ１０と、スライドベース１２と、２軸カバ
ー１４と、シールドケース１６と、フレキシブルプリン
ト基板１８と、光学ベース２６等を有している。２軸ア
クチュエータ１０は、対物レンズ２０をフォーカス方向
ＦＣＳ（Ｚ軸方向）とトラッキング方向ＴＲＫ（Ｘ軸方
向）に沿ってそれぞれ移動できるような駆動部（図示せ
ず）を備えている。スライドベース１２は、光学ベース
２６と一体であり、メインシャフト２２に対して軸受け
２４を介して支持されており、シーク方向（Ｘ軸方向、
Ｒ方向）に沿ってベース１２を移動をできるようになっ
ている。またサブシャフト受け２３には図示しないシャ
フトに対して移動可能に支持されている。２軸カバー１
４は、２軸アクチュエータ１０を被覆して保護してい
る。フレキシブルプリント基板１８は、上述した２軸ア
クチュエータ１０の駆動部や好ましくはレーザダイオー
ド等に対して給電するための給電ラインである。シール
ドケース１６は、図２に示すような構造となっている。
クチュエータ１０と、スライドベース１２と、２軸カバ
ー１４と、シールドケース１６と、フレキシブルプリン
ト基板１８と、光学ベース２６等を有している。２軸ア
クチュエータ１０は、対物レンズ２０をフォーカス方向
ＦＣＳ（Ｚ軸方向）とトラッキング方向ＴＲＫ（Ｘ軸方
向）に沿ってそれぞれ移動できるような駆動部（図示せ
ず）を備えている。スライドベース１２は、光学ベース
２６と一体であり、メインシャフト２２に対して軸受け
２４を介して支持されており、シーク方向（Ｘ軸方向、
Ｒ方向）に沿ってベース１２を移動をできるようになっ
ている。またサブシャフト受け２３には図示しないシャ
フトに対して移動可能に支持されている。２軸カバー１
４は、２軸アクチュエータ１０を被覆して保護してい
る。フレキシブルプリント基板１８は、上述した２軸ア
クチュエータ１０の駆動部や好ましくはレーザダイオー
ド等に対して給電するための給電ラインである。シール
ドケース１６は、図２に示すような構造となっている。
【００１１】図２において、シールドケース１６は、カ
バーケース３０とホルダーケース３２を備えている。カ
バーケース３０はレーザダイオードシールドケースとも
いう。ホルダーケース３２は、光学ブロックもしくは光
学ベース６０に対してネジ６２により固定されている。
カバーケース３０のダボ（図示せず）はホルダーケース
３２のダボ８０に対して着脱可能にかみ合せて固定され
ている。高周波重畳回路基板１０４は、ダボ８０により
位置決めされている。この高周波重畳回路基板１０４に
対して、好ましくはハイパワー型のレーザダイオードＬ
Ｄのピン１０６が半田付けされている。また、この高周
波重畳回路基板１０４に対しては、３本の線材（ピンと
もいう）１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃの一端が半田付
けされている。
バーケース３０とホルダーケース３２を備えている。カ
バーケース３０はレーザダイオードシールドケースとも
いう。ホルダーケース３２は、光学ブロックもしくは光
学ベース６０に対してネジ６２により固定されている。
カバーケース３０のダボ（図示せず）はホルダーケース
３２のダボ８０に対して着脱可能にかみ合せて固定され
ている。高周波重畳回路基板１０４は、ダボ８０により
位置決めされている。この高周波重畳回路基板１０４に
対して、好ましくはハイパワー型のレーザダイオードＬ
Ｄのピン１０６が半田付けされている。また、この高周
波重畳回路基板１０４に対しては、３本の線材（ピンと
もいう）１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃの一端が半田付
けされている。
【００１２】図３には、高周波重畳回路基板１０４と、
カバーケース３０、およびホルダーケース３２が示され
ている。高周波重畳回路基板１０４の３つの端子３０
０，３１０，３２０に対して、それぞれ線材１０２ａ，
１０２ｂ，１０２ｃの一端が半田付けにより接続されて
いる。この端子３００，３１０，３２０の配列は、図３
と図５に示すような配列にすることができる。しかし図
４あるいは図６に示すような接続部１０４ａ，１０４
ｂ，１０４ｃの配列にすることももちろん可能である。
カバーケース３０、およびホルダーケース３２が示され
ている。高周波重畳回路基板１０４の３つの端子３０
０，３１０，３２０に対して、それぞれ線材１０２ａ，
１０２ｂ，１０２ｃの一端が半田付けにより接続されて
いる。この端子３００，３１０，３２０の配列は、図３
と図５に示すような配列にすることができる。しかし図
４あるいは図６に示すような接続部１０４ａ，１０４
ｂ，１０４ｃの配列にすることももちろん可能である。
【００１３】図３に示す貫通コンデンザアレイ１００
は、たとえば図７に示すような形状となっている。貫通
コンデンサアレイ１００は、本体１００ｃと、２つの貫
通コンデンサ１１０と１２０を備えている。そして、貫
通コンデンサアレイ１００の本体１００ｃは、３つの穴
１３０を有している。１つの穴１３０には、線材１０２
ａが挿入される。また、２つの穴１３０，１３０には、
貫通コンデンサ１１０と１２０が、それぞれ挿入され
る。貫通コンデンサ１１０，１２０の外周には、グラン
ド用の電極１００ａが形成されていると共に、内部には
電極１００ｂが形成されている。図８に示すように、こ
れら電極１００ｂに対して、それぞれ線材１０２ｂ，１
０２ｃが挿入されて、好ましくは半田付けされるように
なっている。この貫通コンデンサ１１０，１２０の電極
１００ａは、本体１００ｃに対して半田付けされてい
る。これに対して線材１０２ａは、本体１００ｃに対し
て直接半田付けして固定されている。そして、本体１０
０ｃは、図２のホルダーケース３２の内底面に半田付け
されている。このホルダーケース３２は、すなわち貫通
コンデンサアレイ１００を保持するための貫通コンデン
サホルダーとも呼ぶことができる。ただし、線材１０２
ｂ，１０２ｃをそれぞれ別々の貫通コンデンサに挿入し
て、そしてこの貫通コンデンサをホルダーケースに直接
取り付けることももちろん可能である。
は、たとえば図７に示すような形状となっている。貫通
コンデンサアレイ１００は、本体１００ｃと、２つの貫
通コンデンサ１１０と１２０を備えている。そして、貫
通コンデンサアレイ１００の本体１００ｃは、３つの穴
１３０を有している。１つの穴１３０には、線材１０２
ａが挿入される。また、２つの穴１３０，１３０には、
貫通コンデンサ１１０と１２０が、それぞれ挿入され
る。貫通コンデンサ１１０，１２０の外周には、グラン
ド用の電極１００ａが形成されていると共に、内部には
電極１００ｂが形成されている。図８に示すように、こ
れら電極１００ｂに対して、それぞれ線材１０２ｂ，１
０２ｃが挿入されて、好ましくは半田付けされるように
なっている。この貫通コンデンサ１１０，１２０の電極
１００ａは、本体１００ｃに対して半田付けされてい
る。これに対して線材１０２ａは、本体１００ｃに対し
て直接半田付けして固定されている。そして、本体１０
０ｃは、図２のホルダーケース３２の内底面に半田付け
されている。このホルダーケース３２は、すなわち貫通
コンデンサアレイ１００を保持するための貫通コンデン
サホルダーとも呼ぶことができる。ただし、線材１０２
ｂ，１０２ｃをそれぞれ別々の貫通コンデンサに挿入し
て、そしてこの貫通コンデンサをホルダーケースに直接
取り付けることももちろん可能である。
【００１４】図７に示す線材１０２ｃは、図９のレーザ
ダイオード電源（ＬＤＡ）用の端子３００に半田付けで
接続される端子ピンである。また図３の線材１０２ｂ
は、図９に示す高周波重畳回路電源およびスイッチ（Ｖ
ｃｃ）用の端子３１０に半田付けで接続される端子ピン
である。さらに図３に示す接続ピン１０２ａは、図９に
示すグランド（ＧＮＤ）用の端子３２０に半田付けで接
続される端子ピンである。
ダイオード電源（ＬＤＡ）用の端子３００に半田付けで
接続される端子ピンである。また図３の線材１０２ｂ
は、図９に示す高周波重畳回路電源およびスイッチ（Ｖ
ｃｃ）用の端子３１０に半田付けで接続される端子ピン
である。さらに図３に示す接続ピン１０２ａは、図９に
示すグランド（ＧＮＤ）用の端子３２０に半田付けで接
続される端子ピンである。
【００１５】図９と図１０は、本発明の光ピックアップ
における高周波重畳回路基板１０４の構成例を示してい
る。図９と図１０において高周波重畳回路基板１０４
は、レーザダイオード電源（ＬＤ）用の端子３００と、
高周波重畳回路３３０と、アイソレート用のインダクタ
Ｌ２、および高出力のレーザダイオードＬＤ等から構成
されている。この高周波重畳回路基板１０４に形成され
ている回路は、いわゆる３端子モジュール回路とも呼ば
れる。レーザダイオードＬＤからのレーザ光が光磁気デ
ィスクに射出されレーザダイオードＬＤの端面への戻り
光の影響をキャンセルするための高周波発振器である。
における高周波重畳回路基板１０４の構成例を示してい
る。図９と図１０において高周波重畳回路基板１０４
は、レーザダイオード電源（ＬＤ）用の端子３００と、
高周波重畳回路３３０と、アイソレート用のインダクタ
Ｌ２、および高出力のレーザダイオードＬＤ等から構成
されている。この高周波重畳回路基板１０４に形成され
ている回路は、いわゆる３端子モジュール回路とも呼ば
れる。レーザダイオードＬＤからのレーザ光が光磁気デ
ィスクに射出されレーザダイオードＬＤの端面への戻り
光の影響をキャンセルするための高周波発振器である。
【００１６】そして、上述したシールドケースを構成す
る図２に示すカバーケース３０とホルダーケース３２、
および図３に示した貫通コンデンサアレイ１００によ
り、高周波重畳回路３３０からの高周波の不要輻射をシ
ールドするようになっている。なお、このシールドケー
スを構成するカバーケース３０とホルダーケース３２
は、たとえば板金により作ることができる。
る図２に示すカバーケース３０とホルダーケース３２、
および図３に示した貫通コンデンサアレイ１００によ
り、高周波重畳回路３３０からの高周波の不要輻射をシ
ールドするようになっている。なお、このシールドケー
スを構成するカバーケース３０とホルダーケース３２
は、たとえば板金により作ることができる。
【００１７】図９と図１０において、レーザダイオード
は、ハイパワー型のレーザダイオードであり、光磁気デ
ィスク用のレーザ光の発生源である。図９の高周波重畳
回路３３０は、高周波重畳回路電源およびスイッチ用の
端子３１０と、グランド用の端子３２０および発振回路
３４０等を有している。この高周波重畳回路３３０の詳
細な構成は図１０に示している。
は、ハイパワー型のレーザダイオードであり、光磁気デ
ィスク用のレーザ光の発生源である。図９の高周波重畳
回路３３０は、高周波重畳回路電源およびスイッチ用の
端子３１０と、グランド用の端子３２０および発振回路
３４０等を有している。この高周波重畳回路３３０の詳
細な構成は図１０に示している。
【００１８】すなわち、図１０において高周波重畳回路
３３０は次のような構成となっている。高周波重畳回路
電源およびスイッチ用の端子３１０と、グランド用の端
子３２０が、コンデンサＣ２に接続されている。また抵
抗Ｒ１とＲ２が直列に接続されており、抵抗Ｒ１とＲ２
の間にはトランジスタＱ１のベースが接続されている。
トランジスタＱ１のベースに対してコンデンサＣ３とＣ
４の各一端が接続されている。コンデンサＣ３とグラン
ド用の端子３２０の間にはコイルＬ１が接続されてい
る。またコンデンサＣ５は、コンデンサＣ４とグランド
用の端子３２０の間に接続されている。コイルＬ３と抵
抗Ｒ３は、トランジスタＱ１のエミッタとグランド用の
端子３２０の間に接続されている。コイルＣ１は、トラ
ンジスタＱ１のコレクタとグランド３２０の間に接続さ
れている。コンデンサＣ６は、トランジスタＱ１のエミ
ッタとレーザダイオードＬＤの間に接続されている。コ
ンデンサＣ７は、コンデンサＣ６とグランド用の端子３
２０の間に接続されている。
３３０は次のような構成となっている。高周波重畳回路
電源およびスイッチ用の端子３１０と、グランド用の端
子３２０が、コンデンサＣ２に接続されている。また抵
抗Ｒ１とＲ２が直列に接続されており、抵抗Ｒ１とＲ２
の間にはトランジスタＱ１のベースが接続されている。
トランジスタＱ１のベースに対してコンデンサＣ３とＣ
４の各一端が接続されている。コンデンサＣ３とグラン
ド用の端子３２０の間にはコイルＬ１が接続されてい
る。またコンデンサＣ５は、コンデンサＣ４とグランド
用の端子３２０の間に接続されている。コイルＬ３と抵
抗Ｒ３は、トランジスタＱ１のエミッタとグランド用の
端子３２０の間に接続されている。コイルＣ１は、トラ
ンジスタＱ１のコレクタとグランド３２０の間に接続さ
れている。コンデンサＣ６は、トランジスタＱ１のエミ
ッタとレーザダイオードＬＤの間に接続されている。コ
ンデンサＣ７は、コンデンサＣ６とグランド用の端子３
２０の間に接続されている。
【００１９】この図１０の回路において、レーザダイオ
ードＬＤに対して順バイアスをかけて、発振器をＯＮす
る。高周波重畳回路電源およびスイッチ用の端子３１０
は、従来と異なり、高周波重畳回路電源（Ｖｃｃ）と回
路スイッチ端子（ＲＭＳ）とを兼ねたものであり、高周
波重畳回路電源と回路スイッチ端子を接続したものであ
る。高周波重畳回路電源およびスイッチ３１０で電源の
ＯＮ，ＯＦＦを行うことにより、回路のＯＮ／ＯＦＦを
も行うこともできる。すなわち、発振器のトランジスタ
Ｑ１のベースに対して、抵抗分割Ｒ１対Ｒ２で入力され
ており、高周波重畳回路電源に電圧をかけると同時に回
路スイッチ端子に電圧をかけることができ、トランジス
タＱ１が動作状態となって、発振を開始することができ
る。この発振器を含む高周波重畳回路は、たとえば光磁
気ディスクの情報の再生時において、レーザダイオード
ＬＤに対して戻り光があると変調されてしまうので、レ
ーザダイオードＬＤの端面への戻り光の影響をキャンセ
ルするのに使用される。
ードＬＤに対して順バイアスをかけて、発振器をＯＮす
る。高周波重畳回路電源およびスイッチ用の端子３１０
は、従来と異なり、高周波重畳回路電源（Ｖｃｃ）と回
路スイッチ端子（ＲＭＳ）とを兼ねたものであり、高周
波重畳回路電源と回路スイッチ端子を接続したものであ
る。高周波重畳回路電源およびスイッチ３１０で電源の
ＯＮ，ＯＦＦを行うことにより、回路のＯＮ／ＯＦＦを
も行うこともできる。すなわち、発振器のトランジスタ
Ｑ１のベースに対して、抵抗分割Ｒ１対Ｒ２で入力され
ており、高周波重畳回路電源に電圧をかけると同時に回
路スイッチ端子に電圧をかけることができ、トランジス
タＱ１が動作状態となって、発振を開始することができ
る。この発振器を含む高周波重畳回路は、たとえば光磁
気ディスクの情報の再生時において、レーザダイオード
ＬＤに対して戻り光があると変調されてしまうので、レ
ーザダイオードＬＤの端面への戻り光の影響をキャンセ
ルするのに使用される。
【００２０】このように本発明の実施例においては図９
と図１０に示すように、高周波重畳回路基板１０４にお
いて、３端子、すなわちレーザダイオード電源用の端子
３００と、高周波重畳回路電源およびスイッチ用の端子
３１０、およびグランド用の端子３２０の、合計３端子
として構成することができるので、次のようなメリット
がある。
と図１０に示すように、高周波重畳回路基板１０４にお
いて、３端子、すなわちレーザダイオード電源用の端子
３００と、高周波重畳回路電源およびスイッチ用の端子
３１０、およびグランド用の端子３２０の、合計３端子
として構成することができるので、次のようなメリット
がある。
【００２１】従来に比べて、高周波重畳回路基板１０４
のサイズを縮小することができる。これにより光ピック
アップの小型化および薄型化を図ることができる。また
高周波重畳回路基板のサイズの縮小に伴ない、基板のコ
ストの削減を図ることができる。さらには貫通コンデン
サ等を併用することにより、貫通コンデンサやシールド
ケースを用いることにより、ＥＭＩ（電磁気障害）対策
部品の点数の削減をすることができる。さらに、線材と
もいう端子の数が１つ減るので、端子のシールドケース
に対する半田付けの数を削減することができる。
のサイズを縮小することができる。これにより光ピック
アップの小型化および薄型化を図ることができる。また
高周波重畳回路基板のサイズの縮小に伴ない、基板のコ
ストの削減を図ることができる。さらには貫通コンデン
サ等を併用することにより、貫通コンデンサやシールド
ケースを用いることにより、ＥＭＩ（電磁気障害）対策
部品の点数の削減をすることができる。さらに、線材と
もいう端子の数が１つ減るので、端子のシールドケース
に対する半田付けの数を削減することができる。
【００２２】以上のようにして、基板の小型化および半
田付け等の作業の簡略化が図れることにより、全体とし
てコストの低減化が図れる。ところで本発明は上記実施
例に限定されるものではない。光ディスクは、光磁気デ
ィスクに限らずコンパクトディスク（ＣＤ）等も含む。
田付け等の作業の簡略化が図れることにより、全体とし
てコストの低減化が図れる。ところで本発明は上記実施
例に限定されるものではない。光ディスクは、光磁気デ
ィスクに限らずコンパクトディスク（ＣＤ）等も含む。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、高
周波重畳回路基板の小型化を図ることができ、したがっ
て光ピックアップの小型化が可能である。
周波重畳回路基板の小型化を図ることができ、したがっ
て光ピックアップの小型化が可能である。
【図１】本発明の光ピックアップの好ましい実施例を示
す斜視図。
す斜視図。
【図２】図１におけるシールドケースの内部に配置され
た高周波重畳回路基板およびその周辺を示す図。
た高周波重畳回路基板およびその周辺を示す図。
【図３】図２のシールドケースおよび高周波重畳回路基
板を示す分解斜視図。
板を示す分解斜視図。
【図４】高周波重畳回路基板の線材（端子）の接続部分
を示す図。
を示す図。
【図５】図４に示した高周波重畳回路基板の別の実施例
を示す図。
を示す図。
【図６】図４に示した高周波重畳回路基板の別の実施例
を示す図。
を示す図。
【図７】高周波重畳回路基板とシールドケースの間に関
連して設けられる貫通コンデンサアレイの一例を示す
図。
連して設けられる貫通コンデンサアレイの一例を示す
図。
【図８】貫通コンデンサの１つを示す図。
【図９】本発明の高周波重畳回路基板の概略を示す回路
図。
図。
【図１０】図９に示す回路の詳細を示す図。
【図１１】従来の高周波重畳回路基板を示す概略図。
【図１２】図１１の従来の高周波重畳回路基板の詳細を
示す図。
示す図。
１０ ２軸アクチュエータ １６ シールドケース ２０ 対物レンズ １０４ 高周波重畳回路基板 ３００ レーザダイオード電源（ＬＤ電源）用の端子 ３１０ 高周波重畳回路電源およびスイッチ（Ｖｃｃ）
用の端子 ３２０ グランド（ＧＮＤ）用の端子 ３３０ 高周波重畳回路 ＬＤ レーザダイオード
用の端子 ３２０ グランド（ＧＮＤ）用の端子 ３３０ 高周波重畳回路 ＬＤ レーザダイオード
Claims (3)
- 【請求項１】 情報記録媒体にレーザ光を照射するため
のレーザ光源に対する上記情報記録媒体からの戻り光の
影響を防ぐために高周波重畳回路を備える光ピックアッ
プにおいて、 上記高周波重畳回路は、上記レーザ光源の電源用の端子
と、高周波重畳スイッチを兼ねる高周波重畳回路電源用
の端子と、グランド用の端子と、を備えることを特徴と
する光ピックアップ。 - 【請求項２】 前記高周波重畳回路からの不要輻射は、
シールドケースでシールドされている請求項１に記載の
光ピックアップ。 - 【請求項３】 前記情報記録媒体は、光磁気ディスクで
ある請求項１に記載の光ピックアップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5261961A JPH0793758A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 光ピックアップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5261961A JPH0793758A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 光ピックアップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0793758A true JPH0793758A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17369064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5261961A Pending JPH0793758A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 光ピックアップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793758A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6798730B2 (en) | 2000-04-21 | 2004-09-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Superimposing circuit module for reducing spurious electromagnetic wave emissions and small variations in circuit parameters |
| US6914872B2 (en) | 2001-02-22 | 2005-07-05 | Tdk Corporation | Optical pickup and high-frequency superposition module therefor |
| US6970050B2 (en) | 2003-02-18 | 2005-11-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Oscillator and high-frequency superposing module for driving laser diode |
| CN1314175C (zh) * | 2003-02-18 | 2007-05-02 | 株式会社村田制作所 | 用于驱动激光二极管的高频叠加模块 |
| JP2011070734A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 光ピックアップ及び光ディスク装置 |
-
1993
- 1993-09-24 JP JP5261961A patent/JPH0793758A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6798730B2 (en) | 2000-04-21 | 2004-09-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Superimposing circuit module for reducing spurious electromagnetic wave emissions and small variations in circuit parameters |
| US6914872B2 (en) | 2001-02-22 | 2005-07-05 | Tdk Corporation | Optical pickup and high-frequency superposition module therefor |
| US6970050B2 (en) | 2003-02-18 | 2005-11-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Oscillator and high-frequency superposing module for driving laser diode |
| CN1312844C (zh) * | 2003-02-18 | 2007-04-25 | 株式会社村田制作所 | 振荡器和用于驱动激光二极管的高频叠加模块 |
| CN1314175C (zh) * | 2003-02-18 | 2007-05-02 | 株式会社村田制作所 | 用于驱动激光二极管的高频叠加模块 |
| JP2011070734A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 光ピックアップ及び光ディスク装置 |
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