JP4101156B2

JP4101156B2 - 回路基板

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Inventors: 真司山田
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Description

本発明は、高周波信号を伝送する回路基板に関し、特に、光磁気ディスク等の磁気記録媒体に記録／再生または再生を行なうための光ピックアップ用に用いられるような回路基板に関する。

一般的に、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）やＭＤ（Mini Disc）等の情報を読み取るために光ピックアップ用レーザダイオードが用いられる。再生時の光ピックアップは、光磁気ディスクに光ビームを照射し、その反射光を受光することにより、カー効果を利用して記録情報を再生する。この光磁気ディスクの記録情報を再生するときに、レーザダイオードの端面に対して光磁気ディスク側から戻り光があると変調されてしまい正確な再生ができなくなる恐れがある。そこで、レーザダイオードの端面への戻り光の影響をキャンセルするために、高周波発振器を備えた高周波重畳回路を用いてレーザダイオードを駆動する駆動信号（電流）に対して数百ＭＨｚの高周波電流を重畳する方式が採用されている。

しかしながら、高周波重畳回路を用いて高周波電流を重畳するために、周辺に不要な高周波成分の輻射ノイズが発生することになる。

この輻射ノイズを抑制するために従来からさまざまな提案がなされており、たとえば特開平５−１２０９２８号公報においては、回路基板において、信号を伝送する供給経路と帰還経路とからなる１対の伝送経路について互いに蛇行させ一方の回路導体と他方の回路導体とが回路導体の面方向と直交する方向から見て、互いに交差する２点間に一方の回路導体と他方の回路導体で囲まれる領域を形成することにより、ツイストペア効果を持たせている。このツイストペア効果を持たせることによって不要な輻射ノイズを抑制する方式が採用されている。あるいは、このツイストペア効果を持たせるさらに別の方式として、基板の絶縁層にスルーホールを設け、スルーホールを介して交互に絶縁層の一方の回路導体から他方の回路導体に移行させながら三次元的に絡ませることにより、ツイストペア効果を持たせる方式も挙げられる。
特開平５−１２０９２８号公報

しかしながら、十分なツイストペア効果を持たせるためには、信号の供給経路と帰還経路とが互いに交差する２点間において一方の回路導体と他方の回路導体とで囲まれる領域を十分に確保する必要がある。したがって、領域を広くとるために蛇行の左右幅は供給経路および帰還経路の配線幅に比べて少なくとも３倍以上確保する必要がある。

一方、記録時の光ピックアップは、反射光を受光して、記録情報を読み取るものでなく、強い光ビームを光磁気ディスクに照射してディスク上の温度を高めて信号の記録を行なう。したがって、光再生時のような戻り光の影響をキャンセルする必要がないため高周波電流の重畳は行なわれない。記録時においては、再生時に比べて強い光ビームを照射する必要があるため、再生時の数倍の電流をレーザダイオードに供給することが要求される。したがって、再生時の数倍の電流を流す必要があるためにある程度の配線幅を持たせることが要求されるが、配線幅を広くしてしまうと、細かく蛇行させることが困難になり、十分なツイストペア効果を生み出すことが難しくなるという問題が発生する。

また、スルーホールを用いてツイストペア効果を持たせる場合においても、スルーホールの個数に応じてツイストペア効果を期待することができるが、当該スルーホールの個数を増やした場合には、直流抵抗分が増大してしまうため、記録時の電流を確保する点で障害となってしまう。

本発明はこのような問題を解決するためになされたものであって、再生時の輻射ノイズを抑制するとともに、記録時における駆動電流も十分確保することが可能な回路基板を提供することを目的とする。

本発明の回路基板は、経路を流れる駆動信号に基づいて発生する輻射ノイズを抑制する回路基板であって、高周波成分および直流成分の駆動信号を内部回路に伝送するための供給経路と、駆動信号を受けて内部回路から帰還する帰還信号を伝送するための帰還経路とを含む。供給経路および帰還経路の一方は、第１および第２の経路を含む。第１の経路は、第２の経路よりも直流成分の抵抗値が低く、第２の経路よりも高周波成分のインピーダンスが高い。第２の経路および供給経路および帰還経路の他方は、互いの配置関係からツイストパターンが形成される。

本構成により、第２の経路および供給経路および帰還経路の他方を用いてツイストパターンが形成されるためツイストペア効果により、輻射ノイズを抑制することができる。さらには、第１の経路は、第２の経路よりも直流成分の抵抗値が低いため、全体の直流抵抗を低減することができ、十分な電流を経路に供給することが可能となる。

（実施の形態１）
以下、この発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付し、その説明は繰返さない。

図１は、本発明の実施の形態１に従うレーザダイオード駆動回路の概念図である。

図１を参照して、本発明の実施の形態１に従うレーザダイオード駆動回路は、レーザダイオードを駆動するための駆動部１と、レーザダイオードを有するダイオード部１０とを含む。

駆動部１は、ＬＤ駆動出力回路２と、発振器４（以下、ＯＳＣとも称する）と、コンデンサ３とを備える。

ダイオード部１０は、レーザダイオード１１（以下、単にダイオードとも称する）と、コンデンサ１２とを含む。

ＬＤ駆動出力回路２は、電源電圧ＶＣＣおよび接地電圧ＧＮＤを動作電圧とし、レーザパワー制御信号ＡＰＣ（以下、単に制御信号ＡＰＣとも称する）の入力を受けて、ダイオード部１１にＬＤ駆動信号（電流）を出力する。この制御信号ＡＰＣの入力に基づいて、再生時および記録時のＬＤ駆動信号（電流）が調整される。

ＯＳＣ４は、電源電圧ＶＣＣおよび接地電圧ＧＮＤを動作電圧とし、必要に応じて具体的には再生時において、コンデンサ１２を介してＬＤ駆動信号に対して高周波信号（電流）を重畳する。

ダイオード部１０は、駆動部１からのＬＤ駆動信号をダイオード１１に伝送する供給経路となる伝送線Ｌ１と、ダイオード１１からの帰還信号が伝送される帰還経路となる伝送線Ｌ２，Ｌ３と、コンデンサ１２とを含む。伝送線Ｌ３は、一端側がダイオード１１と電気的に結合され、他端側に設けられたコンデンサ１２を介して接地電圧ＧＮＤと電気的に結合される。

図２は、本発明の実施の形態１に従うダイオード部１０の配線構造を説明する概念図である。

図２を参照して、本例においてはダイオード部１０において、３層構造の配線層が示され、図示しない絶縁層により互いの配線層は絶縁されているものとする。

第１層（下層）の配線層Ｐ１に伝送線Ｌ２が形成される。また、第２層（中間層）の配線層Ｐ２に伝送線Ｌ３が形成される。第３層（上層）の配線層Ｐ３に伝送線Ｌ１が形成される。

ここで、上層の配線層Ｐ３において、伝送線Ｌ１はウエーブ状に蛇行しながら形成され、ダイオード１１と電気的に結合される。下層の配線層Ｐ１および中間層の配線層Ｐ２のそれぞれの伝送線Ｌ２，Ｌ３は共にダイオード１１の出力ノードと電気的に結合されている。中間層の配線層Ｐ２において、伝送線Ｌ３は、ウエーブ状に蛇行しながら形成されている。また、伝送線Ｌ３は、下層に設けられたコンデンサ１２とコンタクトホールを介して電気的に結合される。伝送線Ｌ２は、配線幅の広い伝送線であり伝送方向に沿って蛇行することなく形成されている。したがって、本願構成は、レーザダイオード１１の駆動信号の帰還経路について、２つの配線層を用いて伝送線が分岐したものである。具体的には、伝送線Ｌ２は、第１の帰還経路を形成し、伝送線Ｌ３およびコンデンサ１２は、第２の帰還経路を形成する。

図３は、図２で説明した配線層Ｐ１〜Ｐ３の面方向と直交方向から見た概念図である。

図３を参照して、ここでは配線層Ｐ１〜Ｐ３が示されている。図３に示されるように配線層Ｐ３に形成される蛇行する伝送線Ｌ１と配線層Ｐ２に形成される蛇行している伝送線Ｌ３とは、面方向と直交する方向から見て、互いに交差する２点間で囲まれる領域を形成するツイストパターンを形成している。この所定領域を形成するツイストパターンにより、ツイストペア効果を生み出すことができる。たとえば、磁力線の方向を考えた場合に、隣接するこの所定領域に生成される磁力線は互いに逆方向となり、キャンセルされる。これと同様に、輻射ノイズもこのツイストパターンにより互いにキャンセルされ抑制することができる。

図４は、コンタクトホールを介してツイストペア効果を生み出す場合の方式を説明する概念図である。

ここでは、伝送線Ｌ１およびＬ３を形成する際に、中間の配線層Ｐ２および上層の配線層Ｐ３をコンタクトホール（図示せず）により、互いに上下に蛇行しながら形成する。当該構成により、３次元的に伝送線にツイストパターンを形成することができ、ツイストペア効果を生み出すことも可能である。

また再び、図２を参照して、本構成においては、伝送線Ｌ３は、コンデンサ１２と容量結合されている。したがって、高周波成分のインピーダンスが低下する。それゆえ、伝送線Ｌ３に高周波成分が誘導されやすくなり、より、輻射ノイズの影響をツイストペア効果により抑制することが可能となる。

さらに、本構成においては、もう１つの帰還路となる伝送線Ｌ２が設けられている。具体的には、上述したように蛇行した伝送線Ｌ３を設け、もう一方は、直流の抵抗分の増加をできるだけ抑制するために、導体幅の広い伝送線Ｌ２を設けている。また、伝送線Ｌ３は、上述したようにコンデンサ１２と容量結合されているため直流成分は、この伝送線Ｌ２に流れることになる。この伝送線Ｌ２は、伝送線Ｌ３よりも配線幅が広く、かつスルーホールを設けたり配線層の蛇行等をすることなく、可能な限り直流の抵抗分を抑制するように形成されている。したがって、本構成により、帰還路となる伝送線Ｌ２の直流抵抗を抑制することにより全体の直流抵抗を低減し、結果として記録時にダイオード１１に流れる電流を十分に確保することができる。

本構成により、再生時に生じる不要な輻射ノイズを伝送線Ｌ１およびＬ３のツイストパターンによるツイストペア効果により抑制するとともに、直流抵抗分の小さい伝送線Ｌ２を設けることにより、記録時に流れる電流を十分に確保することが可能となる。

なお、図２の構成ではコンデンサ１２が伝送線Ｌ３の終端部と電気的に結合される配置が示されているが、終端部に限られず、伝送線Ｌ３の始端部もしくは中央付近等任意の位置に配置することも可能である。また、個数も１つに限られず複数個配置することにより、高周波成分のインピーダンスをさらに低下させることも可能である。

（実施の形態１の変形例１）
図５は、本発明の実施の形態１の変形例１に従うダイオード部１０の配線構造を説明する概念図である。

図５を参照して、本変形例の配線構造は、図２で説明した配線構造と比較して、配線層Ｐ２およびＰ３で形成していた伝送線を入れ替えた構成である。具体的には、中間層の配線層Ｐ２に形成していた伝送線Ｌ３を上層の配線層Ｐ３に形成し、上層の配線層Ｐ３に形成していた伝送線Ｌ１を中間層の配線層Ｐ２に形成する。本構成においては、ダイオードの出力ノードは、コンタクトホールＣＨ０、ＣＨ１、ＣＨ２を介して下層の配線層Ｐ１に形成された伝送線Ｌ２と電気的に結合される。また、伝送線Ｌ３は、コンタクトホールＣＨ３、ＣＨ４およびＣＨ５を介してコンデンサ１２と電気的に結合されている。

本配線構造においても、実施の形態１で説明したダイオード部１０と等価な回路を形成することができる。すなわち、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。

また、本変形例１においては、コンタクトホールＣＨを用いて伝送線Ｌ１およびＬ３の形成する配線層を入れ替えることが可能な構成について説明したが、隣接する配線層Ｐ１およびＰ２を用いて伝送線Ｌ１およびＬ３を形成することも可能である。すなわち、コンタクトホールＣＨを用いて、隣接する配線層に伝送線Ｌ１およびＬ３を形成する種々の組み合わせに適用可能であり、設計の自由度が向上する。

（実施の形態１の変形例２）
上記の実施の形態および変形例１においては、帰還経路を２経路、具体的には、直流成分が流れやすい伝送線と、高周波成分が流れやすい伝送線に分配する構成について説明した。本実施の形態１の変形例２においては、供給経路を２経路に分配する構成について説明する。

図６は、本発明の実施の形態１の変形例２に従うレーザダイオード駆動回路の概念図である。

図６を参照して、本発明の実施の形態１の変形例２に従うレーザダイオード駆動回路は、図１で説明した本発明の実施の形態１に従うレーザダイオード駆動回路と比較して、ダイオード部１０をダイオード部１０ａに置換した点が異なる。その他の点は同様であるのでその詳細な説明は繰り返さない。

ダイオード部１０ａは、駆動部１からのＬＤ駆動信号をダイオード１１に伝送する供給経路となる伝送線Ｌ４，Ｌ５と、ダイオード１１からの帰還信号が伝送される帰還経路となる伝送線Ｌ６と、コンデンサ１２と、ダイオード１１とを含む。伝送線Ｌ５は、一端側がコンデンサ１２と電気的に結合され、他端側はダイオード１１の入力ノードと電気的に結合される。

図７は、本発明の実施の形態１の変形例２に従うダイオード部１０ａの配線構造を説明する概念図である。

図７を参照して、本例においてはダイオード部１０ａにおいて、３層構造の配線層が示され、図示しない絶縁層により互いの配線層は絶縁されているものとする。

第１層（下層）の配線層Ｐ１に伝送線Ｌ４が形成される。また、第２層（中間層）の配線層Ｐ２に伝送線Ｌ５が形成される。第３層（上層）の配線層Ｐ３に伝送線Ｌ６が形成される。

ここで、上層の配線層Ｐ３において、ダイオード１１の出力ノードと電気的に結合される伝送線Ｌ６はウエーブ状に蛇行しながら形成される。下層の配線層Ｐ１および中間層の配線層Ｐ２は共にダイオード１１の入力ノードと電気的に結合されている。中間層の配線層Ｐ２において、伝送線Ｌ５は、ウエーブ状に蛇行しながら形成されている。また、伝送線Ｌ５は、下層に設けられたコンデンサ１２とコンタクトホールを介して電気的に結合される。伝送線Ｌ４は、配線幅の広い伝送線であり伝送方向に沿って蛇行することなく形成されている。したがって、本願構成は、レーザダイオード１１の駆動信号の供給経路について、２つの配線層を用いて伝送線が分岐したものである。具体的には、伝送線Ｌ４は、第１の供給経路を形成し、伝送線Ｌ５およびコンデンサ１２は、第２の供給経路を形成する。本構成においても、この伝送線Ｌ５およびＬ６で形成されるツイストパターンにより輻射ノイズが互いにキャンセルされて抑制することができる。また、伝送線Ｌ５は、コンデンサ１２と容量結合されており、高周波成分のインピーダンスが低下する。したがって、高周波成分が誘導されやすくなり、より、輻射ノイズの影響をツイストペア効果により抑制することが可能となる。

さらに、本構成においては、もう１つの供給経路となる伝送線Ｌ４が設けられている。具体的には、上述したように蛇行した伝送線Ｌ５を設け、もう一方は、直流の抵抗分の増加をできるだけ抑制するために、導体幅の広い伝送線Ｌ４を設けている。また、伝送線Ｌ５は、上述したようにコンデンサ１２と容量結合されているため直流成分は、この伝送線Ｌ４に流れることになる。この伝送線Ｌ４は、伝送線Ｌ５よりも配線幅が広く、かつスルーホールを設けたり配線層の蛇行等をすることなく、可能な限り直流の抵抗分を抑制するように形成されている。したがって、本構成により、供給経路となる伝送線Ｌ４の直流抵抗を抑制することにより全体の直流抵抗を低減し、結果として記録時にダイオード１１に流れる電流を十分に確保することができる。

（実施の形態２）
図８は、本発明の実施の形態２に従うレーザダイオード駆動回路の概念図である。

図８を参照して、本発明の実施の形態２に従うレーザダイオード駆動回路は、図１で説明した本発明の実施の形態１に従うレーザダイオード駆動回路と比較して、ダイオード部１０をダイオード部１０♯に置換した点が異なる。その他の点は同様であるのでその詳細な説明は繰り返さない。

ダイオード部１０♯は、ダイオード部１０と比較して、コイル１３をさらに設けた点で異なる。コイル１３の一端側は、ダイオード１１の出力ノードと電気的に結合され、他端側は、伝送線Ｌ２と電気的に結合される。

本構成の如く、コイル１３を伝送線Ｌ２と電気的に結合させることにより、伝送線Ｌ２の高周波成分のインピーダンスが増加する。したがって、伝送線Ｌ２には、高周波成分が流れにくくなり、伝送線Ｌ３に主に高周波成分が流れることになる。したがって、伝送線Ｌ１とＬ３より形成されるツイストパターンに基づくツイストペア効果により輻射ノイズをさらに抑制することが可能となる。

図９は、本発明の実施の形態２に従うダイオード部１０＃の配線構造を説明する概念図である。

本発明の実施の形態２に従うダイオード部１０＃の配線構造は、図５のダイオード部１０の配線構造と比較して、コイル１３がさらに設けられている点が異なる。その他の点は同様であるのでその説明は繰返さない。なお、ここでは、コンタクトホールＣＨ０〜ＣＨ２を用いて、伝送線Ｌ２とＬ３とが電気的に結合される構成を示していないが、コンタクトホールＣＨ０〜ＣＨ２およびコイル１３を介して伝送線Ｌ３と伝送線Ｌ２とを電気的に結合する構成とすることも可能である。

なお、図９の構成ではコイル１３が伝送線Ｌ２の始端部と電気的に結合される配置が示されているが、始端部に限られず、伝送線Ｌ２の終端部もしくは中央付近等任意の位置に配置することも可能である。また、個数も１つに限られず複数個配置することにより、高周波成分のインピーダンスをさらに増加させることも可能である。

（実施の形態２の変形例１）
実施の形態２においては、コイル１３を新たに付加するとともに、帰還経路を２経路、具体的には、直流成分が流れやすい伝送線と、高周波成分が流れやすい伝送線に分配する構成について説明した。本実施の形態２の変形例１においては、コイル１３を新たに付加するとともに、供給経路を２経路に分配する構成について説明する。

図１０は、本発明の実施の形態２の変形例１に従うレーザダイオード駆動回路の概念図である。

図１０を参照して、本発明の実施の形態２の変形例１に従うレーザダイオード駆動回路は、図６のレーザダイオード駆動回路と比較して、ダイオード部１０ａをダイオード部１０ａ＃に置換した点が異なる。ダイオード部１０ａ＃は、ダイオード部１０と比較して、コイル１３をさらに設けた点で異なる。コイル１３の一端側は、伝送線Ｌ４と電気的に結合され、他端側は、ダイオード１１の入力ノードと電気的に結合される。その他の部分については同様であるのでその詳細な説明は繰り返さない。

図１１は、本発明の実施の形態２の変形例１に従うダイオード部１０ａ＃の配線構造を説明する概念図である。

図１１を参照して、ダイオード部１０ａ＃は、図７のダイオード部１０ａの配線構造と比較して、コイル１３を伝送線Ｌ４とダイオード１１との間に設けた点が異なる。その他の構成については同様であるのでその詳細な説明は繰り返さない。

本構成により、実施の形態１の変形例２よりもさらに、伝送線Ｌ４のインピーダンスを高くすることができる。したがって、伝送線Ｌ４には、高周波成分が流れにくくなり、伝送線Ｌ５に主に高周波成分が流れることになる。したがって、伝送線Ｌ５とＬ６より形成されるツイストパターンに基づくツイストペア効果により輻射ノイズをさらに抑制することが可能となる。

（実施の形態２の変形例２）
上記の実施の形態においては、供給経路あるいは帰還経路について、２経路に分配する構成について説明したが本発明の実施の形態２の変形例２においては、これらを組み合わせて、供給経路および帰還経路をともに２経路に分配する構成について説明する。

図１２は、本発明の実施の形態２の変形例２に従うレーザダイオード駆動回路の概念図である。

図１２を参照して、本発明の実施の形態２の変形例２に従うレーザダイオード駆動回路は、図１０で説明した本発明の実施の形態２の変形例１に従うレーザダイオードと比較して、ダイオード部１０ａ＃をダイオード部１０ｂに置換した点が異なる。その他の点は同様であるのでその詳細な説明は繰り返さない。

具体的には、ダイオード部１０ｂは、伝送線Ｌ６の代わりに伝送線Ｌ２，Ｌ３およびコンデンサ１２＃と、コイル１３＃とを配置した点が異なる。その他の点はダイオード部１０ａ＃と同様であるのでその詳細な説明は繰り返さない。ダイオード部１０ｂにおいて、伝送線Ｌ２はコイル１３＃を介してダイオード１１の出力ノードと電気的に結合される。また、伝送線Ｌ３は、コンデンサ１２＃を介してダイオード１１の出力ノードと電気的に結合される。

図１３は、本発明の実施の形態２の変形例２に従うダイオード部１０ｂの配線構造を説明する概念図である。

図１３を参照して、ダイオード部１０ｂの配線構造は、図１１のダイオード部１０ａ＃の配線構造と比較して、新たにコンデンサ１２＃と、コイル１３＃と、伝送線Ｌ２およびＬ３を設けた点が異なる。

具体的には、第１層（下層）の配線層Ｐ１に伝送線Ｌ４とともに、伝送線Ｌ２が形成される。また、第２層（中間層）の配線層Ｐ２に伝送線Ｌ５が形成される。第３層（上層）の配線層Ｐ３に伝送線Ｌ３が形成される。コイル１３＃は、ダイオード１１の出力ノードと伝送線Ｌ２との間に配置される。コイル１３＃は、コンデンサ１２＃と並列にダイオード１１の出力ノードと電気的に結合され、コンタクトホールを介して第１層の配線層Ｌ２と電気的に結合される。伝送線Ｌ３は、コンデンサ１２＃を介してダイオード１１の出力ノードと電気的に結合される。

本構成により、供給経路および帰還経路をともに２経路に分配し、上記の実施の形態の構成よりもさらに、再生時に生じる不要な輻射ノイズを伝送線Ｌ３およびＬ５のツイストパターンによるツイストペア効果により抑制するとともに、直流抵抗分の小さい伝送線Ｌ２，Ｌ４を設けることにより、記録時に流れる電流を十分に確保することが可能となる。

なお、上記の構成においては、代表的にレーザダイオード駆動回路の回路基板を用いて高周波の輻射ノイズを低減するとともに、直流抵抗分を抑制して、十分な電流を供給可能な構成について説明したが、これに限られず他の回路基板においても同様の目的で適用可能である。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明の実施の形態１に従うレーザダイオード駆動回路の概念図である。本発明の実施の形態１に従うダイオード部１０の配線構造を説明する概念図である。図２で説明した配線層Ｐ１〜Ｐ３の面方向と直交方向から見た概念図である。コンタクトホールを介してツイストペア効果を生み出す場合の方式を説明する概念図である。本発明の実施の形態１の変形例１に従うダイオード部１０の配線構造を説明する概念図である。本発明の実施の形態１の変形例２に従うレーザダイオード駆動回路の概念図である。本発明の実施の形態１の変形例２に従うダイオード部１０ａの配線構造を説明する概念図である。本発明の実施の形態２に従うレーザダイオード駆動回路の概念図である。本発明の実施の形態２に従うダイオード部１０＃の配線構造を説明する概念図である。本発明の実施の形態２の変形例１に従うレーザダイオード駆動回路の概念図である。本発明の実施の形態２の変形例１に従うダイオード部１０ａ＃の配線構造を説明する概念図である。本発明の実施の形態２の変形例２に従うレーザダイオード駆動回路の概念図である。本発明の実施の形態２の変形例２に従うダイオード部１０ｂの配線構造を説明する概念図である。

符号の説明

１駆動部、２ＬＤ駆動出力回路、３，１２，１２＃コンデンサ、４発振器、１０，１０ａ，１０＃，１０ａ＃，１０ｂダイオード部、１１レーザダイオード、１３，１３＃コイル。

Claims

経路を流れる駆動信号に基づいて発生する輻射ノイズを抑制する回路基板であって、
前記高周波成分および直流成分の駆動信号を内部回路に伝送するための供給経路と、
前記駆動信号を受けて前記内部回路から帰還する帰還信号を伝送するための帰還経路とを備え、
前記供給経路および帰還経路の一方は、
第１および第２の経路を含み、
前記第１の経路は、前記第２の経路よりも直流成分の抵抗値が低く、前記第２の経路よりも高周波成分のインピーダンスが高く、
前記第２の経路および前記供給経路および帰還経路の他方は、互いの配置関係からツイストパターンが形成される、回路基板。
前記第２の経路および前記供給経路および帰還経路の他方は、絶縁されるとともに互いに蛇行して形成され、かつ、所定方向から見て、互いが交差するように形成される、請求項１記載の回路基板。
前記第２の経路および前記供給経路および帰還経路の他方は、絶縁層を介して隣接する２つの配線層の一方および他方に形成される、請求項２記載の回路基板。
前記第２の経路および前記供給経路および帰還経路の他方は、コンタクトホールにより絶縁層を介して隣接する２つの配線層を用いて互いに形成される、請求項２記載の回路基板。
前記第２の経路は、コンデンサを含む、請求項１記載の回路基板。
前記第１の経路は、コイルを含む、請求項１記載の回路基板。
前記第１の経路の経路幅は、前記第２の経路幅よりも大きく、かつ、蛇行しない、請求項１記載の回路基板。
前記供給経路および帰還経路の他方は、第３および第４の経路を含み、
前記第３の経路は、前記第４の経路よりも直流成分の抵抗値が低く、前記第４の経路よりも高周波成分のインピーダンスが高く、
前記第１の経路および前記第４の経路は、互いの配置関係からツイストパターンが形成される、請求項１記載の回路基板。