JPH10256630A - 高周波重畳用発振器 - Google Patents
高周波重畳用発振器Info
- Publication number
- JPH10256630A JPH10256630A JP7889697A JP7889697A JPH10256630A JP H10256630 A JPH10256630 A JP H10256630A JP 7889697 A JP7889697 A JP 7889697A JP 7889697 A JP7889697 A JP 7889697A JP H10256630 A JPH10256630 A JP H10256630A
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- Japan
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- oscillator
- oscillation
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の高周波重畳用発振器では、発振器の調
整のため５０Ω負荷の測定器で測定する場合と半導体レ
ーザを変調駆動する場合とで周波数が異なり、重畳周波
数を所定の周波数に調整すると変調度もこれに従って変
化し、逆に変調度を調整を所定の値に調整すると重畳周
波数も変動するという問題があった。 【解決手段】 高周波発振部、半導体レーザ用直流電源
及びインターフェース部とから成る高周波重畳用発振器
において、前記発振部の発振ループに低抵抗を挿入して
出力部とし、出力周波数と変調度とを互いに別個に調整
可能とする。
整のため５０Ω負荷の測定器で測定する場合と半導体レ
ーザを変調駆動する場合とで周波数が異なり、重畳周波
数を所定の周波数に調整すると変調度もこれに従って変
化し、逆に変調度を調整を所定の値に調整すると重畳周
波数も変動するという問題があった。 【解決手段】 高周波発振部、半導体レーザ用直流電源
及びインターフェース部とから成る高周波重畳用発振器
において、前記発振部の発振ループに低抵抗を挿入して
出力部とし、出力周波数と変調度とを互いに別個に調整
可能とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は直流電流に重畳して
半導体レーザを駆動する高周波重畳用発振器に関し、特
に発振周波数（重畳周波数）と出力電流とを互いに別個
に調整することを可能とした高周波重畳用発振器に関す
る。
半導体レーザを駆動する高周波重畳用発振器に関し、特
に発振周波数（重畳周波数）と出力電流とを互いに別個
に調整することを可能とした高周波重畳用発振器に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＤＶＤ（デジタル・ビディオ・デ
ィスク）、ＭＯ（光磁気ディスク）及びＰＤ等の光を利
用した高密度記憶情報記録媒体が多量に用いられ、最近
のマルチメディアの一翼をになっている。これら光ディ
スクに情報を書き込む、あるいは書き込まれている情報
を読みとるための光ピックアップは半導体レーザと光学
系デバイスとから構成されている。一般に、光ピックア
ップは例えば特公昭５９−９０８６に開示されているよ
うに、半導体レーザから出射する光ビームを光学系レン
ズを介して光ディスクに照射し、その反射光を光検出器
で検出することにより光ディスクに記録された情報を読
みとるものである。この際、上記半導体レーザを直流電
流源と高周波電流源の２つの電流源からの電流で駆動す
ることにより、反射光の帰還による半導体レーザの光出
力変動を抑止している。
ィスク）、ＭＯ（光磁気ディスク）及びＰＤ等の光を利
用した高密度記憶情報記録媒体が多量に用いられ、最近
のマルチメディアの一翼をになっている。これら光ディ
スクに情報を書き込む、あるいは書き込まれている情報
を読みとるための光ピックアップは半導体レーザと光学
系デバイスとから構成されている。一般に、光ピックア
ップは例えば特公昭５９−９０８６に開示されているよ
うに、半導体レーザから出射する光ビームを光学系レン
ズを介して光ディスクに照射し、その反射光を光検出器
で検出することにより光ディスクに記録された情報を読
みとるものである。この際、上記半導体レーザを直流電
流源と高周波電流源の２つの電流源からの電流で駆動す
ることにより、反射光の帰還による半導体レーザの光出
力変動を抑止している。
【０００３】図２は前記高周波電流源として用いる高周
波発振器（以下、高周波重畳用発振器と称す）の一例で
あって、高周波発振器の回路構成は破線１１で囲んだ発
振部と、破線１２で囲んだ直流電流源ＬＤＤ及び前記発
振部からの高周波分を阻止するローパスフィルタとから
なる直流電流部と、破線１３で囲んだ半導体レーザイン
ターフェイス部とから構成されている。発振部１１は所
謂コルピッツ型発振器であり、その発振周波数は、発振
ループを構成する素子値Ｌ１、Ｌ２、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ
９、Ｃ４及びＣ５によってきまり、そのいずれかの素子
値あるいは複数の素子値を変化させることにより、高周
波重畳用発振回路の発振周波数を調整することができ
る。
波発振器（以下、高周波重畳用発振器と称す）の一例で
あって、高周波発振器の回路構成は破線１１で囲んだ発
振部と、破線１２で囲んだ直流電流源ＬＤＤ及び前記発
振部からの高周波分を阻止するローパスフィルタとから
なる直流電流部と、破線１３で囲んだ半導体レーザイン
ターフェイス部とから構成されている。発振部１１は所
謂コルピッツ型発振器であり、その発振周波数は、発振
ループを構成する素子値Ｌ１、Ｌ２、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ
９、Ｃ４及びＣ５によってきまり、そのいずれかの素子
値あるいは複数の素子値を変化させることにより、高周
波重畳用発振回路の発振周波数を調整することができ
る。
【０００４】また、直流電流部１２のインダクタンスＬ
４、Ｌ５と容量Ｃ７、Ｃ８によって構成するローパスフ
ィルタは、高周波発振部１１から直流源ＬＤＤへ流れ込
む高周波電流を阻止する作用をすると共に前記ローパス
フィルタは高周波では高インピーダンスとなるため、高
周波ループへ影響を及ぼさないよう機能する。インター
フェイス部１３は容量Ｃ４及びＣ５、半導体レーザを接
続するためのアノード端子ＬＤ、フォトデテクト端子Ｐ
Ｄと接地端子ＧＮＤから構成される。なお、高周波重畳
用発振回路の出力電流は容量Ｃ４、Ｃ５、インダクタン
スＬ２の素子値を変化させることによって調整すること
ができる。
４、Ｌ５と容量Ｃ７、Ｃ８によって構成するローパスフ
ィルタは、高周波発振部１１から直流源ＬＤＤへ流れ込
む高周波電流を阻止する作用をすると共に前記ローパス
フィルタは高周波では高インピーダンスとなるため、高
周波ループへ影響を及ぼさないよう機能する。インター
フェイス部１３は容量Ｃ４及びＣ５、半導体レーザを接
続するためのアノード端子ＬＤ、フォトデテクト端子Ｐ
Ｄと接地端子ＧＮＤから構成される。なお、高周波重畳
用発振回路の出力電流は容量Ｃ４、Ｃ５、インダクタン
スＬ２の素子値を変化させることによって調整すること
ができる。
【０００５】図３は駆動電流（ｍＡ）と光出力（ｍＷ）
との関係を示した図であり、半導体レーザを直流電流の
みで駆動した場合の光出力を曲線Ａ（重畳前Ａ）で示
し、また、直流電流に高周波電流を重畳して前記半導体
レーザを駆動した場合の光出力を曲線Ｂ（重畳後Ｂ）で
示す。この時、光出力を、例えば５ｍＷで比較すると高
周波電流を重畳した方が少ない駆動電流で済むことがわ
かる。これを重畳効果と云い、曲線Ａと曲線Ｂの同一出
力を得るのに必要な駆動電流の差を変調度と称してい
る。
との関係を示した図であり、半導体レーザを直流電流の
みで駆動した場合の光出力を曲線Ａ（重畳前Ａ）で示
し、また、直流電流に高周波電流を重畳して前記半導体
レーザを駆動した場合の光出力を曲線Ｂ（重畳後Ｂ）で
示す。この時、光出力を、例えば５ｍＷで比較すると高
周波電流を重畳した方が少ない駆動電流で済むことがわ
かる。これを重畳効果と云い、曲線Ａと曲線Ｂの同一出
力を得るのに必要な駆動電流の差を変調度と称してい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２に
示すような従来の高周波重畳用発振器においては、５０
Ω負荷の測定器を用いて、前記発振器の周波数及び出力
電流等の調整を行った上で、前記高周波重畳用発振器を
装置に実装すると発振器の周波数及び出力電流即ち変調
度が上記調整時のそれとは異なったものとなり、再度調
整が必要になるという欠点があった。ところが、前述し
たようにＣ４、Ｃ５、Ｌ２の素子値は周波数と変調度の
双方を決定するものであるため、これら３素子を用いて
重畳周波数を所定の周波数に調整しようとすると変調度
も影響を受けて変化し、逆に変調度を所定の値に調整す
ると重畳周波数も変動するという問題があった。そこで
まず前記３素子を用いて変調度を調整した後にＬ１、Ｃ
１、Ｃ２、Ｃ９を用いて周波数調整しているが、実際に
はこれら４つの素子値を変化させたとき変調度も若干変
化するため、両者を交互に試行錯誤により調整すること
になり、調整工程が煩雑になるという欠点もあった。本
発明は上記問題を解決するためになされたものであっ
て、重畳周波数と変調度を別個に調整できる高周波重畳
用発振回路を提供することを目的とする。
示すような従来の高周波重畳用発振器においては、５０
Ω負荷の測定器を用いて、前記発振器の周波数及び出力
電流等の調整を行った上で、前記高周波重畳用発振器を
装置に実装すると発振器の周波数及び出力電流即ち変調
度が上記調整時のそれとは異なったものとなり、再度調
整が必要になるという欠点があった。ところが、前述し
たようにＣ４、Ｃ５、Ｌ２の素子値は周波数と変調度の
双方を決定するものであるため、これら３素子を用いて
重畳周波数を所定の周波数に調整しようとすると変調度
も影響を受けて変化し、逆に変調度を所定の値に調整す
ると重畳周波数も変動するという問題があった。そこで
まず前記３素子を用いて変調度を調整した後にＬ１、Ｃ
１、Ｃ２、Ｃ９を用いて周波数調整しているが、実際に
はこれら４つの素子値を変化させたとき変調度も若干変
化するため、両者を交互に試行錯誤により調整すること
になり、調整工程が煩雑になるという欠点もあった。本
発明は上記問題を解決するためになされたものであっ
て、重畳周波数と変調度を別個に調整できる高周波重畳
用発振回路を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るの請求項１記載の発明は、半導体レーザ
を駆動するための高周波重畳用発振器において、該発振
器の発振ループに低抵抗を挿入してその両端を出力部と
したことを特徴とする高周波重畳用発振器である。
に本発明に係るの請求項１記載の発明は、半導体レーザ
を駆動するための高周波重畳用発振器において、該発振
器の発振ループに低抵抗を挿入してその両端を出力部と
したことを特徴とする高周波重畳用発振器である。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示した実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の一実施
例を示す高周波重畳用発振器であって、破線１で示す高
周波発振部と、破線２で示す半導体レーザ駆動用直流電
源ＬＤＤ及びローパスフィルタからなる直流電源部と、
半導体レーザインターフェイス部とから構成される。高
周波発振部１はコルピッツ型発振器であり、その発振周
波数は、発振ループを構成する素子値Ｃ１、Ｌ１、Ｃ
２、Ｌ２、Ｃ３によってきまり、そのいずれかの素子値
あるいは複数の素子値を変化させれば高周波重畳用発振
器の発振周波数を変動させることができる。
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の一実施
例を示す高周波重畳用発振器であって、破線１で示す高
周波発振部と、破線２で示す半導体レーザ駆動用直流電
源ＬＤＤ及びローパスフィルタからなる直流電源部と、
半導体レーザインターフェイス部とから構成される。高
周波発振部１はコルピッツ型発振器であり、その発振周
波数は、発振ループを構成する素子値Ｃ１、Ｌ１、Ｃ
２、Ｌ２、Ｃ３によってきまり、そのいずれかの素子値
あるいは複数の素子値を変化させれば高周波重畳用発振
器の発振周波数を変動させることができる。
【０００９】本発明の特徴は上記発振ループに抵抗ＲＥ
を挿入して該抵抗を低抵抗とすることにより発振部１の
出力インピーダンスを低くした点であり、これにより半
導体レーザの低インピーダンス特性と整合し易くなり、
半導体レーザの挿入前後で周波数や出力電流がずれると
いった不具合を解消することができる。
を挿入して該抵抗を低抵抗とすることにより発振部１の
出力インピーダンスを低くした点であり、これにより半
導体レーザの低インピーダンス特性と整合し易くなり、
半導体レーザの挿入前後で周波数や出力電流がずれると
いった不具合を解消することができる。
【００１０】一方、図１に示す高周波重畳用発振器の変
調度の調整は、抵抗ＲＥ、容量Ｃｃ、容量ＣＬＤの素子
値を変化させること、及び電源Ｖｃｃに繋がる抵抗Ｒｃ
１、Ｒ１の素子値を変えることで可能であり、変調度を
調整する素子は前記発振器の発振周波数を変化させる素
子と異なるため、互いに別個に行うことができる。即
ち、高周波重畳用発振器の発振周波数の調整は上記した
ように素子値Ｃ１、Ｌ１、Ｃ２、Ｌ２及びＣ３の何れか
の素子値であり、変調度の調整とを互いに独立して行う
ことが可能となった。高周波重畳用発振器の素子値の一
例として図１に記号と共に素子値を示した。この場合の
発振周波数は４００ＭＨｚ、変調度はで５ｍＡあった。
調度の調整は、抵抗ＲＥ、容量Ｃｃ、容量ＣＬＤの素子
値を変化させること、及び電源Ｖｃｃに繋がる抵抗Ｒｃ
１、Ｒ１の素子値を変えることで可能であり、変調度を
調整する素子は前記発振器の発振周波数を変化させる素
子と異なるため、互いに別個に行うことができる。即
ち、高周波重畳用発振器の発振周波数の調整は上記した
ように素子値Ｃ１、Ｌ１、Ｃ２、Ｌ２及びＣ３の何れか
の素子値であり、変調度の調整とを互いに独立して行う
ことが可能となった。高周波重畳用発振器の素子値の一
例として図１に記号と共に素子値を示した。この場合の
発振周波数は４００ＭＨｚ、変調度はで５ｍＡあった。
【００１１】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように発振ルー
プ中に低抵抗を挿入し、該抵抗を介して出力を取り出す
構成としたので、高周波重畳用発振器の出力周波数の調
整と、前記発振器の変調度とを互いに独立して行うこと
が可能となり、前記発振器の調整時間が大幅に短縮でき
るようになった。また、半導体レーザの特性のバラツキ
に対し発振周波数に影響を与えずに変調度を調整するこ
とが可能であるという優れた効果がある。
プ中に低抵抗を挿入し、該抵抗を介して出力を取り出す
構成としたので、高周波重畳用発振器の出力周波数の調
整と、前記発振器の変調度とを互いに独立して行うこと
が可能となり、前記発振器の調整時間が大幅に短縮でき
るようになった。また、半導体レーザの特性のバラツキ
に対し発振周波数に影響を与えずに変調度を調整するこ
とが可能であるという優れた効果がある。
【図１】本発明に係る高周波重畳用発振器の実施の一形
態例を示す図である。
態例を示す図である。
【図２】従来の高周波重畳用発振器の一例を示す。
【図３】駆動電流と光出力との関係を示す図である。
１・・発振部 ２・・直流電源とローパスフィルタ ３・・インターフェイス部 ＴＲ・・トランジスタ ＲＥ、Ｒ１、Ｒｃ１・・抵抗 Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３・・インダクタンス Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃｃ、ＣＬＤ・
・容量 ＬＤＤ・・半導体レーザ用電源 ＬＤ・・半導体レーザアノード端子 ＬＤ−ＧＮＤ・・半導体レーザ接地
・容量 ＬＤＤ・・半導体レーザ用電源 ＬＤ・・半導体レーザアノード端子 ＬＤ−ＧＮＤ・・半導体レーザ接地
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レーザを駆動するための高周波重
畳用発振器において、該発振器の発振ループに低抵抗を
挿入してその両端を出力部としたことを特徴とする高周
波重畳用発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7889697A JPH10256630A (ja) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | 高周波重畳用発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7889697A JPH10256630A (ja) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | 高周波重畳用発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256630A true JPH10256630A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=13674589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7889697A Pending JPH10256630A (ja) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | 高周波重畳用発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10256630A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7031359B2 (en) | 2003-02-18 | 2006-04-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency superposing module for driving laser diode |
| WO2018192857A1 (de) * | 2017-04-19 | 2018-10-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaser |
-
1997
- 1997-03-12 JP JP7889697A patent/JPH10256630A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7031359B2 (en) | 2003-02-18 | 2006-04-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency superposing module for driving laser diode |
| WO2018192857A1 (de) * | 2017-04-19 | 2018-10-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaser |
| CN110574246A (zh) * | 2017-04-19 | 2019-12-13 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 半导体激光器 |
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