JPH118513A - 高周波ｌｃ発振器 - Google Patents
高周波ｌｃ発振器Info
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- JPH118513A JPH118513A JP17519297A JP17519297A JPH118513A JP H118513 A JPH118513 A JP H118513A JP 17519297 A JP17519297 A JP 17519297A JP 17519297 A JP17519297 A JP 17519297A JP H118513 A JPH118513 A JP H118513A
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- transistor
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- oscillator
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の自己バイアス方式の高周波ＬＣ発振器
においては自己バイアス用の抵抗による出力電圧降下が
避けられず、高周波出力レンジが前記抵抗の電圧降下分
だけ小さくなるという問題があった。本発明は出力レン
ジ広くした発振器を提供することを目的とする。 【解決手段】 発振部である第１のトランジスタのエミ
ッタ−アース間に抵抗と可変抵の直列回路を接続し、前
記可変抵抗の両端の直流電圧を第２のトランジスタのベ
ース電圧として前記発振部に直流の負帰還を掛けると共
に直流電源と第１のトランジスタのコレクタを直結した
高周波ＬＣ発振器である。
においては自己バイアス用の抵抗による出力電圧降下が
避けられず、高周波出力レンジが前記抵抗の電圧降下分
だけ小さくなるという問題があった。本発明は出力レン
ジ広くした発振器を提供することを目的とする。 【解決手段】 発振部である第１のトランジスタのエミ
ッタ−アース間に抵抗と可変抵の直列回路を接続し、前
記可変抵抗の両端の直流電圧を第２のトランジスタのベ
ース電圧として前記発振部に直流の負帰還を掛けると共
に直流電源と第１のトランジスタのコレクタを直結した
高周波ＬＣ発振器である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波ＬＣ発振器に
関し、特に発振器の出力電圧レンジを広くした高周波Ｌ
Ｃ発振器に関する。
関し、特に発振器の出力電圧レンジを広くした高周波Ｌ
Ｃ発振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＣＤ、ＤＶＤ（デジタル・ビディ
オ・ディスク）、ＭＯ（光磁気ディスク）等の光を利用
した高密度記憶情報記録媒体が多量に用いられている。
これら光ディスクに情報を書き込む、あるいは書き込ま
れている情報を読みとるための光ピックアップは半導体
レーザと光学系デバイスとから構成されている。一般
に、光ピックアップは半導体レーザから出射する光ビー
ムを光学系レンズを介して光ディスクに照射し、その反
射光を光検出器で検出することにより光ディスクに記録
された情報を読みとるものである。この際、上記半導体
レーザを直流電流源と高周波電流源の２つの電流源から
の電流で駆動することにより、反射光の帰還による半導
体レーザの光出力変動を抑止している。
オ・ディスク）、ＭＯ（光磁気ディスク）等の光を利用
した高密度記憶情報記録媒体が多量に用いられている。
これら光ディスクに情報を書き込む、あるいは書き込ま
れている情報を読みとるための光ピックアップは半導体
レーザと光学系デバイスとから構成されている。一般
に、光ピックアップは半導体レーザから出射する光ビー
ムを光学系レンズを介して光ディスクに照射し、その反
射光を光検出器で検出することにより光ディスクに記録
された情報を読みとるものである。この際、上記半導体
レーザを直流電流源と高周波電流源の２つの電流源から
の電流で駆動することにより、反射光の帰還による半導
体レーザの光出力変動を抑止している。
【０００３】図２はこのような高周波電流源に用いられ
る高周波ＬＣ発振器の回路を示す一例であって、所謂コ
ルピッツ型発振器である。トランジスタＴＲのコレクタ
には直流電源Ｖｃｃから抵抗Ｒ１を介して直流電圧が印
加されると共にコレクタとベース間には自己バイアス電
圧用の抵抗Ｒ２が接続されている。トランジスタＴＲの
ベースには発振周波数を決める主要素子であるインダク
タンスＬ１と容量Ｃ１との直列回路が接続され、その一
方の端はアースに接続されている。また、ベースとエミ
ッタ間には容量Ｃ２が並列接続されている。更に、エミ
ッタは抵抗Ｒ３を介して接地されると共に抵抗Ｒ３のエ
ミッタ側より容量Ｃ３を介して発振出力を取りだし、出
力端と接地間には容量Ｃ４が並列に接続されている。な
お、トランジスタＴＲのコレクタには高周波バイパスコ
ンデンサ用Ｃ５を並列接続する。
る高周波ＬＣ発振器の回路を示す一例であって、所謂コ
ルピッツ型発振器である。トランジスタＴＲのコレクタ
には直流電源Ｖｃｃから抵抗Ｒ１を介して直流電圧が印
加されると共にコレクタとベース間には自己バイアス電
圧用の抵抗Ｒ２が接続されている。トランジスタＴＲの
ベースには発振周波数を決める主要素子であるインダク
タンスＬ１と容量Ｃ１との直列回路が接続され、その一
方の端はアースに接続されている。また、ベースとエミ
ッタ間には容量Ｃ２が並列接続されている。更に、エミ
ッタは抵抗Ｒ３を介して接地されると共に抵抗Ｒ３のエ
ミッタ側より容量Ｃ３を介して発振出力を取りだし、出
力端と接地間には容量Ｃ４が並列に接続されている。な
お、トランジスタＴＲのコレクタには高周波バイパスコ
ンデンサ用Ｃ５を並列接続する。
【０００４】図２に示す高周波ＬＣ発振器の発振周波数
は、発振ループを構成する素子値Ｌ１、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ
３及びＣ４によって決まり、そのいずれかの素子値ある
いは複数の素子値を変化させることにより、高周波ＬＣ
発振回路の発振周波数を可変することができる。
は、発振ループを構成する素子値Ｌ１、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ
３及びＣ４によって決まり、そのいずれかの素子値ある
いは複数の素子値を変化させることにより、高周波ＬＣ
発振回路の発振周波数を可変することができる。
【０００５】図２に示す高周波ＬＣ発振器の動作を説明
すると、該発振器の発振出力、即ち発振起動時の小信号
から出力飽和時の大信号までの安定化をはかるため、一
般的に用いられる自己バイアス方式を採用している。周
知のように自己バイアス方式は温度等によるトランジス
タＴＲの電流増幅率の変化によりコレクタ電流Ｉｃが変
化した場合、抵抗Ｒ１、Ｒ３の両端の電圧Ｖ１、Ｖ３は
それぞれ次式のように表される。 Ｖ１＝Ｒ１×Ｉｃ Ｖ３≒Ｒ３×Ｉｃ トランジスタＴＲのコレクタ−エミッタ間の電圧をＶCE
とすると Ｖｃｃ＝Ｖ１＋ ＶCE ＋Ｖ３ 従って、トランジスタのエミッタ電圧Ｖ３は Ｖ３＝｛Ｒ３／（Ｒ１＋Ｒ３）｝×（Ｖｃｃ− ＶCE） となる。例えば、電源電圧Ｖｃｃ＝５Ｖ、Ｒ１＝１００
Ω、Ｒ３＝１００Ω、ＶCE ＝０．２Ｖとすれば、Ｖ３
＝２．４Ｖとなる。即ち、発振出力はピーク値で２．４
Ｖｐ−ｐ（ピークツーピーク）となる。
すると、該発振器の発振出力、即ち発振起動時の小信号
から出力飽和時の大信号までの安定化をはかるため、一
般的に用いられる自己バイアス方式を採用している。周
知のように自己バイアス方式は温度等によるトランジス
タＴＲの電流増幅率の変化によりコレクタ電流Ｉｃが変
化した場合、抵抗Ｒ１、Ｒ３の両端の電圧Ｖ１、Ｖ３は
それぞれ次式のように表される。 Ｖ１＝Ｒ１×Ｉｃ Ｖ３≒Ｒ３×Ｉｃ トランジスタＴＲのコレクタ−エミッタ間の電圧をＶCE
とすると Ｖｃｃ＝Ｖ１＋ ＶCE ＋Ｖ３ 従って、トランジスタのエミッタ電圧Ｖ３は Ｖ３＝｛Ｒ３／（Ｒ１＋Ｒ３）｝×（Ｖｃｃ− ＶCE） となる。例えば、電源電圧Ｖｃｃ＝５Ｖ、Ｒ１＝１００
Ω、Ｒ３＝１００Ω、ＶCE ＝０．２Ｖとすれば、Ｖ３
＝２．４Ｖとなる。即ち、発振出力はピーク値で２．４
Ｖｐ−ｐ（ピークツーピーク）となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の自己バイアス方式の高周波ＬＣ発振器において
は抵抗Ｒ１が不可欠であるが、該抵抗Ｒ１による電圧降
下が避けられず、高周波発振周波数の最大振幅（レベ
ル）、即ちダイナミックレンジが前記抵抗Ｒ１の両端の
電圧降下分だけ小さくなるという問題があった。更に、
例えば５Ｖで設計した電源電圧が３Ｖまで降下すると発
振が停止するという問題がある。本発明は上記問題を解
決するためになされたものであって、ダイナミックレン
ジを広くすると共に電源電圧が１Ｖ程度まで降下しても
発振を継続する高周波ＬＣ発振器を提供することを目的
とする。
た従来の自己バイアス方式の高周波ＬＣ発振器において
は抵抗Ｒ１が不可欠であるが、該抵抗Ｒ１による電圧降
下が避けられず、高周波発振周波数の最大振幅（レベ
ル）、即ちダイナミックレンジが前記抵抗Ｒ１の両端の
電圧降下分だけ小さくなるという問題があった。更に、
例えば５Ｖで設計した電源電圧が３Ｖまで降下すると発
振が停止するという問題がある。本発明は上記問題を解
決するためになされたものであって、ダイナミックレン
ジを広くすると共に電源電圧が１Ｖ程度まで降下しても
発振を継続する高周波ＬＣ発振器を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る高周波ＬＣ発振器の請求項１記載の発明
は、第１のトランジスタＴＲ１のエミッタ−アース間に
固定抵抗Ｒ３と可変抵抗Ｒｖ１の直列回路を接続し、直
流電源に前記ＴＲ１のコレクタを接続すると共に該コレ
クタから固定抵抗Ｒ２とＲ４との直列回路を介してＴＲ
１のベースに直流電圧を印加し、更に前記ＴＲ１のベー
スとアース間にＬＣの共振回路を挿入したＬＣ発振器で
あって、前記Ｒｖ１の両端から直流電圧を抽出しこれを
第２のトランジスタＴＲ２のベース電圧とし、前記抵抗
Ｒ２とＲ４の接続点とＴＲ２とを接続し、ＴＲ２のエミ
ッタを接地したことにより前記ＬＣ発振器に直流の負帰
還を掛けたことを特徴とする高周波ＬＣ発振器である。
請求項２記載の発明は、前記トランジスタの少なくとも
一方をＦＥＴとしたことを特徴とする請求項１記載の高
周波ＬＣ発振器である。
に本発明に係る高周波ＬＣ発振器の請求項１記載の発明
は、第１のトランジスタＴＲ１のエミッタ−アース間に
固定抵抗Ｒ３と可変抵抗Ｒｖ１の直列回路を接続し、直
流電源に前記ＴＲ１のコレクタを接続すると共に該コレ
クタから固定抵抗Ｒ２とＲ４との直列回路を介してＴＲ
１のベースに直流電圧を印加し、更に前記ＴＲ１のベー
スとアース間にＬＣの共振回路を挿入したＬＣ発振器で
あって、前記Ｒｖ１の両端から直流電圧を抽出しこれを
第２のトランジスタＴＲ２のベース電圧とし、前記抵抗
Ｒ２とＲ４の接続点とＴＲ２とを接続し、ＴＲ２のエミ
ッタを接地したことにより前記ＬＣ発振器に直流の負帰
還を掛けたことを特徴とする高周波ＬＣ発振器である。
請求項２記載の発明は、前記トランジスタの少なくとも
一方をＦＥＴとしたことを特徴とする請求項１記載の高
周波ＬＣ発振器である。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示した実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る高
周波ＬＣ発振器の一実施例を示す回路図であり、第１の
トランジスタＴＲ１のコレクタは直流電圧源Ｖｃｃに直
結され、電源用端子とアース端子間に高周波バイパスコ
ンデンサＣ５が接続されている。更に、前記電源Ｖｃｃ
より抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ４の直列回路がトランジスタＴＲ
１のベースに接続され、該ベースに直流電圧を供給して
いる。また、トランジスタＴＲ１のベースとアース間に
はインダクタンスＬ１と容量Ｃ１の直列回路が接続さ
れ、トランジスタＴＲ１のベースとエミッタ間には容量
Ｃ２が並列に接続されている。さらに、トランジスタＴ
Ｒ１のエミッタとアース間には、抵抗Ｒ３と可変抵抗Ｒ
ｖ１の直列回路と、容量Ｃ３と容量Ｃ４の直列回路とが
接続され、容量Ｃ３と容量Ｃ４の接続点が発振周波数の
出力端子となっている。この発振回路はいわゆるコルピ
ッツ型発振回路を構成している。
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る高
周波ＬＣ発振器の一実施例を示す回路図であり、第１の
トランジスタＴＲ１のコレクタは直流電圧源Ｖｃｃに直
結され、電源用端子とアース端子間に高周波バイパスコ
ンデンサＣ５が接続されている。更に、前記電源Ｖｃｃ
より抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ４の直列回路がトランジスタＴＲ
１のベースに接続され、該ベースに直流電圧を供給して
いる。また、トランジスタＴＲ１のベースとアース間に
はインダクタンスＬ１と容量Ｃ１の直列回路が接続さ
れ、トランジスタＴＲ１のベースとエミッタ間には容量
Ｃ２が並列に接続されている。さらに、トランジスタＴ
Ｒ１のエミッタとアース間には、抵抗Ｒ３と可変抵抗Ｒ
ｖ１の直列回路と、容量Ｃ３と容量Ｃ４の直列回路とが
接続され、容量Ｃ３と容量Ｃ４の接続点が発振周波数の
出力端子となっている。この発振回路はいわゆるコルピ
ッツ型発振回路を構成している。
【０００９】高周波バイパスコンデンサＣ６を前記可変
抵抗Ｒｖ１に並列接続し、抵抗Ｒ３と可変抵抗Ｒｖ１の
接続点の直流電圧を第２のトランジスタＴＲ２のベース
電圧とする。また、トランジスタＴＲ２のコレクタに直
流電源Ｖｃｃより抵抗Ｒ２を介して電圧が印加され、コ
レクタ−エミッタ間には高周波バイパス用の容量Ｃ７が
並列接続されている。
抵抗Ｒｖ１に並列接続し、抵抗Ｒ３と可変抵抗Ｒｖ１の
接続点の直流電圧を第２のトランジスタＴＲ２のベース
電圧とする。また、トランジスタＴＲ２のコレクタに直
流電源Ｖｃｃより抵抗Ｒ２を介して電圧が印加され、コ
レクタ−エミッタ間には高周波バイパス用の容量Ｃ７が
並列接続されている。
【００１０】図１に示す高周波ＬＣ発振器の発振周波数
は、発振ループを構成する素子値Ｌ１、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ
３及びＣ４によって決まり、そのいずれかの素子値ある
いは複数の素子値を変化させることにより、高周波ＬＣ
発振回路の発振周波数を可変することができる。また、
第１のトランジスタＴＲ１のベースに接続した抵抗Ｒ４
は、ベース電圧を高周波的に高く保持する作用をする。
は、発振ループを構成する素子値Ｌ１、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ
３及びＣ４によって決まり、そのいずれかの素子値ある
いは複数の素子値を変化させることにより、高周波ＬＣ
発振回路の発振周波数を可変することができる。また、
第１のトランジスタＴＲ１のベースに接続した抵抗Ｒ４
は、ベース電圧を高周波的に高く保持する作用をする。
【００１１】図１に示した本発明に係る一実施例の特徴
は、第１のトランジスタＴＲ１のエミッタ−アース間に
抵抗Ｒ３と可変抵抗Ｒｖ１との直列接続回路を接続し、
可変抵抗Ｒｖ１の両端に発生する電圧から交流分を容量
Ｃ６によりバイパスして、直流電圧のみを第２のトラン
ジスタＴＲ２のベースに印加しベース電圧とする。トラ
ンジスタＴＲ２のベース−エミッタ間電圧ＶBEを例えば
０．７Ｖとすると、該電圧を越える電圧がベースに印加
されると、トランジスタＴＲ２にベース電流ＩBが流
れ、それに伴いトランジスタＴＲ２に流れるコレクタ電
流ＩCはβＩB（βはエミッタ接地の電流増幅率）とな
る。該コレクタ電流ＩCが流れると、電源よりトランジ
スタＴＲ１のベースに接続されている抵抗Ｒ２の両端の
電圧Ｖ２（＝Ｒ２×ＩC）は増加する。トランジスタＴ
Ｒ２のコレクタ電圧をＶCとすると、Ｖｃｃ＝Ｖ２ ＋Ｖ
Cは一定であるから、 Ｖ２（＝Ｒ２×ＩC）が増加する
とＶCは減少し、トランジスタＴＲ１のベース電圧が降
下することになる。このように本発明になる高周波ＬＣ
発振器は、発振回路のトランジスタＴＲ１のベース電圧
に直流の負帰還をかけるため、温度変動等に対して安定
な回路を構成することができると共に発振回路のトラン
ジスタＴＲ１のコレクタに電源電圧を直結するため、従
来の図２の回路のように抵抗Ｒ１の電圧降下によって発
振電圧レンジが狭まることもなく、発振器出力の範囲を
拡大することが可能となった。
は、第１のトランジスタＴＲ１のエミッタ−アース間に
抵抗Ｒ３と可変抵抗Ｒｖ１との直列接続回路を接続し、
可変抵抗Ｒｖ１の両端に発生する電圧から交流分を容量
Ｃ６によりバイパスして、直流電圧のみを第２のトラン
ジスタＴＲ２のベースに印加しベース電圧とする。トラ
ンジスタＴＲ２のベース−エミッタ間電圧ＶBEを例えば
０．７Ｖとすると、該電圧を越える電圧がベースに印加
されると、トランジスタＴＲ２にベース電流ＩBが流
れ、それに伴いトランジスタＴＲ２に流れるコレクタ電
流ＩCはβＩB（βはエミッタ接地の電流増幅率）とな
る。該コレクタ電流ＩCが流れると、電源よりトランジ
スタＴＲ１のベースに接続されている抵抗Ｒ２の両端の
電圧Ｖ２（＝Ｒ２×ＩC）は増加する。トランジスタＴ
Ｒ２のコレクタ電圧をＶCとすると、Ｖｃｃ＝Ｖ２ ＋Ｖ
Cは一定であるから、 Ｖ２（＝Ｒ２×ＩC）が増加する
とＶCは減少し、トランジスタＴＲ１のベース電圧が降
下することになる。このように本発明になる高周波ＬＣ
発振器は、発振回路のトランジスタＴＲ１のベース電圧
に直流の負帰還をかけるため、温度変動等に対して安定
な回路を構成することができると共に発振回路のトラン
ジスタＴＲ１のコレクタに電源電圧を直結するため、従
来の図２の回路のように抵抗Ｒ１の電圧降下によって発
振電圧レンジが狭まることもなく、発振器出力の範囲を
拡大することが可能となった。
【００１２】上記のように本発明に係る高周波ＬＣ発振
器は、自己バイアス方式の特徴、即ち低電圧から高電圧
まで適切なバイアス電圧を自己設定する機能を生かすと
共に出力電圧レンジの拡大を図った発振回路である。な
お、可変抵抗Ｒｖ１を可変することにより、トランジス
タＴＲ２のベース電圧を可変することができ、直流電圧
の帰還量を可変することができる。図１の発振回路を用
いた試作例では、発振周波数４００ＭＨｚ、５０Ω終端
で３ｄＢｍの出力電圧が得られた。尚、本発明ではトラ
ンジスタを用いて発振回路の作用を説明したが、ＦＥＴ
を用いてもよいことは云うまでもない。
器は、自己バイアス方式の特徴、即ち低電圧から高電圧
まで適切なバイアス電圧を自己設定する機能を生かすと
共に出力電圧レンジの拡大を図った発振回路である。な
お、可変抵抗Ｒｖ１を可変することにより、トランジス
タＴＲ２のベース電圧を可変することができ、直流電圧
の帰還量を可変することができる。図１の発振回路を用
いた試作例では、発振周波数４００ＭＨｚ、５０Ω終端
で３ｄＢｍの出力電圧が得られた。尚、本発明ではトラ
ンジスタを用いて発振回路の作用を説明したが、ＦＥＴ
を用いてもよいことは云うまでもない。
【００１３】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、従来回路では抵抗Ｒ１により出力電圧レンジが抵
抗Ｒ１の電圧降下分だけ狭められていた。本発明では電
源電圧と発振回路のコレクタを直結したのでダイナミッ
クレンジを広げられるのみならず電源電圧の降下に対し
ても発振を継続し、電源電圧５Ｖの場合で約１Ｖまで降
下した場合でも発振するという優れた特性を有する。
ので、従来回路では抵抗Ｒ１により出力電圧レンジが抵
抗Ｒ１の電圧降下分だけ狭められていた。本発明では電
源電圧と発振回路のコレクタを直結したのでダイナミッ
クレンジを広げられるのみならず電源電圧の降下に対し
ても発振を継続し、電源電圧５Ｖの場合で約１Ｖまで降
下した場合でも発振するという優れた特性を有する。
【図１】本発明に係る高周波ＬＣ発振器の実施の一形態
例を示す回路図である。
例を示す回路図である。
【図２】従来の高周波ＬＣ発振器の一例を示す回路図で
ある。
ある。
ＴＲ１、ＴＲ２・・トランジスタ Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４・・抵抗 Ｒｖ１・・可変抵抗 Ｌ１・・インダクタンス Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７・・容量 Ｖｃｃ・・直流電源 ＧＮＤ・・アース
Claims (2)
- 【請求項１】 第１のトランジスタＴＲ１のエミッタ−
アース間に固定抵抗Ｒ３と可変抵抗Ｒｖ１の直列回路を
接続し、直流電源に前記ＴＲ１のコレクタを接続すると
共に該コレクタから固定抵抗Ｒ２とＲ４との直列回路を
介してＴＲ１のベースに直流電圧を印加し、更に前記Ｔ
Ｒ１のベースとアース間にＬＣの共振回路を挿入したＬ
Ｃ発振器であって、前記Ｒｖ１の両端から直流電圧を抽
出しこれを第２のトランジスタＴＲ２のベース電圧と
し、前記抵抗Ｒ２とＲ４の接続点とＴＲ２とを接続し、
ＴＲ２のエミッタを接地したことにより前記ＬＣ発振器
に直流の負帰還を掛けたことを特徴とする高周波ＬＣ発
振器。 - 【請求項２】 前記トランジスタの少なくとも一方をＦ
ＥＴとしたことを特徴とする請求項１記載の高周波ＬＣ
発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17519297A JPH118513A (ja) | 1997-06-16 | 1997-06-16 | 高周波ｌｃ発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17519297A JPH118513A (ja) | 1997-06-16 | 1997-06-16 | 高周波ｌｃ発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118513A true JPH118513A (ja) | 1999-01-12 |
Family
ID=15991906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17519297A Pending JPH118513A (ja) | 1997-06-16 | 1997-06-16 | 高周波ｌｃ発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH118513A (ja) |
-
1997
- 1997-06-16 JP JP17519297A patent/JPH118513A/ja active Pending
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