JP2003187481A - 光磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光磁気ディスクへのレーザ照射パワーに応じ
て、高周波重畳用の高周波振幅を最適化できる光磁気記
録再生装置を提供すること。 【解決手段】 光磁気記録再生装置１は、磁気的に結合
される再生層と記録層とを備え、前記記録層を磁気多層
膜で構成した光磁気ディスクＭＯを使用し、光磁気ディ
スクＭＯ上に半導体レーザ３からレーザ光を照射すると
ともに光磁気ディスクＭＯの磁気的結合により情報の記
録再生を行なうものである。光磁気記録再生装置１は、
記録再生を制御する光ディスク制御回路２３と、レーザ
ノイズを低減するために半導体レーザ３に高周波を重畳
する高周波重畳回路１９とを備え、高周波重畳回路１９
は、光ディスク制御回路２３から設定される半導体レー
ザ３の照射パワーに応じ高周波の出力振幅を２以上の出
力値に切り換えできる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録媒体上
に半導体レーザからレーザ光を照射するとともに前記光
磁気記録媒体の磁気的結合により情報の記録再生を行な
う光磁気記録再生装置に係り、特に磁気超解像を実現す
る光磁気記録媒体の再生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、各種の光ディスクでは、さらなる
高密度化及び大容量化の傾向があり、光ディスクの高密
度化を達成する技術の一つとして磁気超解像による再生
方法が知られている。なお、光ディスクには、コンパク
トデスク（ＣＤ）、レーザディスク（ＬＤ）、光磁気記
録媒体（ＭＯ）などが挙げられるが、本発明では特に光
磁気記録媒体（以下では、「光磁気ディスク」という
（ＭＯ））について説明するものとする。

【０００３】前記磁気超解像による光磁気ディスクにお
いて、データ再生時の記録層上に積層されたマスク層の
温度分布を利用して一つの微小磁区（開口部）のみを検
出することを可能にした光磁気記録媒体と情報記録再生
装置が提案されている（特開平１−１４３０４１号公
報、特開平１−１４３０４２号公報、特開平３−９３０
５８号公報参照）。また、これらの具体的再生回路構成
が特開平１１−３２８６７８号公報に開示されている。

【０００４】これら公報に記載された光磁気記録再生装
置は、磁気的に結合される再生層と記録層とを備え、前
記記録層を磁気多層膜で構成した光磁気記録媒体を使用
し、前記光磁気記録媒体上に半導体レーザからレーザ光
を照射するとともに前記光磁気記録媒体の磁気的結合に
より情報の記録再生を行なっている。

【０００５】これら公報に記載された光磁気記録再生装
置は、その原理上、従来の光磁気ディスクでの記録情報
の再生レーザパワー出力と比較して、高い再生レーザパ
ワーを必要としている。

【０００６】一方、超解像によらない従来の光磁気記録
再生装置では、記録媒体からの反射光を所望のピームス
プリッタプリズムプリズムなどでＰ偏光とＳ偏光成分に
分離し、これら分離された光信号をそれぞれに配置され
た光電変換素子に注入することにより光電変換して電気
信号を得るとともに、当該電気信号を差動検出させるこ
とにより、同相ノイズを低減した再生信号を得ている。

【０００７】また、超解像によらない従来の光磁気記録
再生装置では、光磁気ディスクからの反射光やレーザの
発光モードの変動（モードホップ）により発生するレー
ザノイズを低減するため、数百［ＭHz］の高周波をレー
ザに重畳していた。また、超解像によらない従来の光磁
気記録再生装置において使用されている再生レーザのパ
ワーは、比較的低出力で、かつ、固定パワーで対応可能
であったため、前記レーザノイズを低減するための高周
波重畳振幅も固定の電流振幅でレーザに印加（重畳）さ
せることで対応が可能であった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、超解像
の光磁気ディスクを使用する光磁気記録再生装置では、
上記のとおり、信号再生に必要となる再生レーザパワー
が高出力であり、かつ、記録媒体の再生箇所により、最
適な再生パワーが異なるため、再生レーザパワーの変動
要因となる光磁気ディスクの再生感度、環境温度、レー
ザの電流／光変換効率（I／Ｌ特性）、光磁気ディスク
の再生箇所及び光磁気ディスクから再生時の光ディスク
の回転数などにより、記録信号の再生に必要なレーザパ
ワーが異なる。したがって、情報の再生に必要な再生レ
ーザパワーの範囲は非常広く設定されることになる。

【０００９】このため、超解像によらない従来の光磁気
記録再生装置と同様に、固定の電流振幅で高周波重畳を
行なうと、再生レーザパワーに関わらず常に大振幅で高
周波を重畳しなければならないため、以下のような問題
が発生する。

【００１０】（１）常に、大振幅の高周波を重畳してい
るため、高周波重畳回路の消費電力か非常に大きなもの
となる。

【００１１】（２）消費電力の増大に伴って、高周波重
畳回路に過大な熱が発生し、光磁気ディスク記録再生装
置としての熱設計が困難なものになる。

【００１２】（３）低い再生レーザパワー時であって
も、過大な高周波を重畳するため、前記再生レーザパワ
ーでの再生信号の劣化が発生する恐れがあり、ジッター
の増大を引き起し、再生信号の信号対雑音（Ｓ／Ｎ）比
が劣化する可能性がある。

【００１３】（４）必要となる再生レーザパワーの範囲
が広く、最大再生レーザパワー時の最大出力電流振幅
が、レーザの閾値電流の２倍を超えた場合、半導体レー
ザに逆バイアス電圧が印加されることにより半導体レー
ザの劣化が発生する可能性がある。

【００１４】本発明は、上述した問題点を解消し、光磁
気ディスクへのレーザ照射パワーに応じて、高周波重畳
用の高周波振幅を最適化できる光磁気記録再生装置を提
供することを目的としている。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明に係る光磁気記録再生装置は、
磁気的に結合される再生層と記録層とを備え、前記記録
層を磁気多層膜で構成した光磁気記録媒体を使用し、前
記光磁気記録媒体上に半導体レーザからレーザ光を照射
するとともに前記光磁気記録媒体の磁気的結合により情
報の記録再生を行なう光磁気記録再生装置であって、記
録再生を制御する光ディスク制御回路と、レーザノイズ
を低減するために前記半導体レーザに高周波を重畳する
高周波重畳回路とを備え、前記高周波重畳回路は、前記
光ディスク制御回路から設定される半導体レーザの照射
パワーに応じ、前記高周波の出力振幅を２以上の出力値
の切換できる手段を設けたことを特徴とする。

【００１６】上記目的を達成するため、請求項２記載の
発明に係る光磁気記録再生装置は、磁気的に結合される
再生層と記録層とを備え、前記記録層を磁気多層膜で構
成した光磁気記録媒体を使用し、前記光磁気記録媒体上
に半導体レーザからレーザ光を照射するとともに前記光
磁気記録媒体の磁気的結合により情報の記録再生を行な
う光磁気記録再生装置であって、記録再生を制御する光
ディスク制御回路と、前記光磁気記録媒体へ照射される
光出力を検出する検出手段と、半導体レーザノイズを低
減するために前記半導体レーザに高周波を重畳する高周
波重畳回路と前記高周波重畳回路の出力振幅値を決定す
るためのパラメータを記録するメモリと、前記光ディス
ク制御回路及び界磁系を制御し各種演算処理を実行する
演算手段とを有し、前記演算手段は、前記検出手段から
の検出信号と前記メモリからパラメータを取り込み、前
記検出信号と前記パラメータとから前記高周波重畳回路
の出力振幅値が一定の変調度に制御させる制御信号を形
成し、前記制御信号で前記高周波重畳回路を出力振幅値
を制御する手段を備えたことを特徴とする。

【００１７】請求項３記載の発明では、請求項１または
２において、前記検出手段は、半導体レーザの駆動電流
値を検出する手段からなることを特徴とする。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。

【００１９】（第１の実施の形態（請求項１に相当））
図１ないし図５は本発明の第１の実施の形態を説明する
ためのものである。ここに、図１は、本発明の第１の実
施の形態に係る光磁気記録再生装置を示すブロック図で
ある。

【００２０】図１において、光磁気記録再生装置１は、
大別して、レーザ光を発射できる半導体レーザ３と、光
磁気ディスクＭＯからの反射光を電気信号に変換する再
生信号検出手段５と、前記半導体レーザ３から出射され
ている光パワーを検出する光パワー検出手段７と、この
半導体レーザ３のレーザ光を光磁気ディスクＭＯと光パ
ワー検出手段７とに導きかつ光磁気ディスクＭＯからの
反射光を再生信号検出手段５に導く光学系９と、半導体
レーザ３を駆動するレーザ駆動回路１１と、前記レーザ
駆動回路１１を制御するレーザ制御回路１３と、光磁気
ディスクＭＯに界磁を印加する界磁系１５と、再生信号
検出手段５からの検出信号からデータを再生するデータ
再生回路１７と、半導体レーザノイズを低減するために
前記半導体レーザ３に高周波を重畳する高周波重畳回路
１９と、光磁気ディスクＭＯを回転させる駆動系２１
と、前記データ再生回路５からの再生信号やその他の信
号を基に光磁気ディスクＭＯへの情報の書込再生を制御
する光ディスク制御回路２３と、界磁系１５を駆動制御
するとともに光ディスク制御回路２３を制御しかつ各種
演算制御を行なうＣＰＵ回路からなる演算手段２５とか
ら構成されている。

【００２１】さらに説明すると、光パワー検出手段７の
出力部はレーザ駆動回路１１に接続されている。レーザ
制御回路１３には、光ディスク制御回路２３からゲート
信号（Write Gate/Read Gate/Erase Gate)と半導体レー
ザパワー制御信号が供給されるようになっている。高周
波重畳回路１９には、光ディスク制御回路２３からゲー
ト信号（Write Gate/Read Gate/Erase Gate)と高周波重
畳ゲイン制御信号とが供給されるようになっている。

【００２２】前記再生信号検出手段５は、光電変換素子
ＰＤ１，ＰＤ２と、電流／電圧変換素子ＩＶ２，ＩＶ３
と、演算増幅器ＯＰ１，ＯＰ２とを備え、次のように構
成されている。光電変換素子ＰＤ１の出力は電流／電圧
変換素子ＩＶ３を介して演算増幅器ＯＰ１のマイナス入
力端子と演算増幅器ＯＰ２のプラス入力端子に接続され
ている。光電変換素子ＰＤ２の出力は電流／電圧変換素
子ＩＶ２を介して演算増幅器ＯＰ１のプラス入力端子と
演算増幅器ＯＰ２のマイナス入力端子に接続されてい
る。演算増幅器ＯＰ１，ＯＰ２の各出力端子は、データ
再生回路１７に接続されている。

【００２３】前記光パワー検出手段７は、光電変換素子
ＭＰＤと、電流／電圧変換素子ＩＶ１とを備え、光電変
換素子ＭＰＤの出力が電流／電圧変換素子ＩＶ１を介し
てレーザ駆動回路１１の入力端子に接続されている。

【００２４】前記光学系９は、各集光レンズＣＯ１，Ｃ
Ｏ２，ＣＯ３と、コリメータレンズＣＯ４と、ピームス
プリッタプリズムＰＢＳ１，ＰＢＳ２と、対物レンズＣ
Ｏ５とが図１に示すように配置されることにより構成さ
れている。

【００２５】前記界磁系１５は、デジタル／アナログ変
換器１５１と、界磁系駆動回路１５２とからなる。

【００２６】前記データ再生回路１７では、図示しない
可変ゲインアンプ、高域遮断フィルタ、２値化回路、Ｐ
ＬＬ回路により構成されている。

【００２７】次に、レーザ駆動回路周りの構成を図２を
参照して説明する。

【００２８】ここに、図２は、本発明の第１の実施の形
態に係る光磁気記録再生装置に用いるレーザ駆動回路周
り示す回路図である。

【００２９】図２では図１の光パワー検出手段７に代え
て次のようにしている。図２に示す光パワー検出手段７
ａは、光電変換素子ＰＤのアノードを電源Ｖｃに、その
カソードを抵抗Ｒ１を介して接地してあり、また、光電
変換素子ＰＤと抵抗Ｒ１との接続点をレーザ駆動回路１
１の演算増幅器ＯＰ３のプラス入力端子に接続してい
る。このように接続できるのは、光電変換素子ＰＤと抵
抗Ｒ１との接続点から光検出信号が電圧で得られるから
である。

【００３０】前記レーザ駆動回路１１は、前記レーザ制
御回路１３からの電流制御信号を演算増幅器ＯＰ３のマ
イナス入力端子に入力されるようにし、演算増幅器ＯＰ
３の出力端子をトランジスタＴｒ１のベースに接続し、
トランジスタＴｒ１のエミッタを抵抗Ｒ２を介して接地
し、かつトランジスタＴｒ１のコレクタを半導体レーザ
３のカソードに接続することにより構成されている。

【００３１】また、高周波重畳回路１９の高周波出力端
子は、コンデンサＣ１を介して半導体レーザ３のカソー
ドに接続されている。半導体レーザ３のアノードは、電
源Ｖｃに接続されている。

【００３２】なお、レーザ制御回路１３、光ディスク制
御回路２３については図１と同様であるので説明を省略
する。

【００３３】次に、高周波重畳回路周りの回路構成を説
明する。図３は、本発明の第１の実施の形態に係る光磁
気記録再生装置に用いる高周波重畳回路周りの構成を示
す回路図である。

【００３４】図３において、高周波重畳回路１９は、ゲ
ート信号によって発振／停止する発振回路（ＯＳＣ）１
９１と、前記ＯＳＣ１９１で発振した高周波を可変増幅
率で増幅する可変増幅回路部１９２と、この可変増幅回
路部１９２からの高周波を電流成分に変換する電流増幅
部１９３とからなる。

【００３５】可変増幅回路部１９２は、増幅器ＡＭＰ
と、前記増幅器ＡＭＰの入力出力端子間に設けられた可
変抵抗ＶＲ１とスイッチＳＷ１と、前記増幅器ＡＭＰの
入力出力端子間に設けられた可変抵抗ＶＲ２とスイッチ
ＳＷ２と、前記増幅器ＡＭＰの入力出力端子間に設けら
れた可変抵抗ＶＲ３とスイッチＳＷ３と、増幅器ＡＭＰ
の入力端子とＯＳＣ１９１とを接続するコンデンサＣ２
と、増幅器ＡＭＰの出力端子と電流増幅部１９３の入力
端子の間に設けたコンデンサＣ３とからなる。

【００３６】前記電流増幅部１９３は、電源Ｖｃとアー
スとの間に設けた直列抵抗Ｒ３，Ｒ４と、前記抵抗Ｒ
３，Ｒ４の接続点をトランジスタＴｒ２のベースに接続
し、このトランジスタＴｒ２のエミッタを抵抗Ｒ５を介
して接地し、かつ、トランジスタＴｒ２のコレクタをイ
ンダクタンスＬ、抵抗Ｒ６の直列回路を介して電源Ｖｃ
に接続し、インダクタンスＬと抵抗Ｒ６の接続点をコン
デンサＣ５を介して接地し、抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ６の接続
点をコンデンサＣ４を介して接地し、トランジスタＴｒ
のコレクタをコンデンサＣ１を介して半導体レーザ３の
カソードに接続することにより、構成されている。な
お、トランジスタＴｒ２のベースが電流増幅部１９３の
入力端子になる。

【００３７】前記可変増幅回路部１９２のスイッチＳＷ
１，ＳＷ２，ＳＷ３は光ディスク制御回路２３からの高
周波重畳ゲイン制御信号により切り換わり、これによっ
て可変増幅回路部１９２から出力される高周波の振幅が
複数（本実施の形態では３つ）に切り換わって出力され
る。

【００３８】なお、レーザ駆動回路１１と光ディスク制
御回路２３の構成は図１と同一であるので、説明を省略
する。

【００３９】このように構成された光磁気記録再生装置
の動作を図１ないし図３を基に、図４及び図５を参照し
て説明する。ここに、図４は、本発明の第１の実施の形
態に係る光磁気記録再生装置の高周波重畳回路における
波形を示す図であって、図４（ａ）にＯＳＣ、可変増幅
回路部及び電流増幅部の出力波形を示し、図４（ｂ）に
は電流増幅部の出力波形を拡大したものを示すものであ
る。図５は、本発明の第１の実施の形態に係る光磁気記
録再生装置で用いる半導体レーザの特性を示す特性図で
あって、横軸に半導体レーザの駆動電流［ｍＡ］を、縦
軸に発光パワー［ｍＷ］を、それぞれ示したものであ
る。

【００４０】まず、光磁気記録再生装置の全体的な動作
及びレーザ駆動回路の動作を説明する。半導体レーザ３
から出射されたレーザ光は、光学系９を構成するコリメ
ータレンズＣＯ４、ピームスプリッタプリズムＰＢＳ
１、対物レンズＣＯ５を通って光磁気ディスクＭＯの盤
面に照射される。ここで、ピームスプリッタプリズムＰ
ＢＳ１で分離されたレーザ光は、集光レンズＣＯ１で集
光後、光パワー検出手段７の光電変換素子ＭＰＤに入力
される。

【００４１】また、光磁気ディスクＭＯからの反射光
は、前記対物レンズＣＯ５を通ってピームスプリッタプ
リズムＰＢＳ１にて光軸を変更されピームスプリッタプ
リズムＰＢＳ２にて進行方向を２つに分離され、各集光
レンズＣＯ２，ＣＯ３にてそれぞれ集光された後、二つ
の光電変換素子ＰＤ１，ＰＤ２に入射される。

【００４２】また、レーザ制御回路１３は、光ディスク
制御回路２３からの各ゲート信号でのレーザパワー制御
信号（指示値）及び各モードでのゲート信号、記録デー
タ信号、記録基準クロック信号に準じたＬＤ電流制御信
号をレーザ駆動回路１１に与え、記録・再生・消去モー
ドに応じてたレーザー光強度となるように制御を行な
う。

【００４３】また、前記高周波重畳回路１９は、前記光
ディスク制御回路２３からの各モードにおけるゲート信
号に応じて出力切換するとともに、ゲート信号応じた高
周波重畳ゲイン制御信号によって、高周波振幅が制御さ
れる。

【００４４】さらに、光電変換素子ＰＤ１，ＰＤ２で電
流変換された光磁気ディスクＭＯからの再生信号は、そ
れぞれ電流／電圧変換素子ＩＶ３，ＩＶ２により電圧変
換されて、演算増幅器ＯＰ１，ＯＰ２にて演算処理をさ
れた後に、データ再生回路１７に入力される。

【００４５】データ再生回路１７は、再生クロックに動
機した光ディスクアドレスデータ及びＭＯデータの２値
化を実施し、前記光ディスク制御回路２３へ再生クロッ
クに同期した２値化信号（ＩＤ−ｄａｔｅ,ＭＯ−ｄａ
ｔｅ）及びリードクロックを出力する。

【００４６】前記光ディスク制御回路２３は、これら３
つの信号より再生信号を復調し、かつ、記録時には記録
基準クロック及び記録データをレーザ制御回路１３に供
給する。また、光ディスク制御回路２３は、各記録・消
去・再生モードに伴うゲート信号を各回路に供給する。

【００４７】さらに、上記光パワー検出手段７の光電変
換素子ＭＰＤによって光電変換された半導体レーザ３の
出射パワーは、電流電圧変換素子ＩＶ１により電圧変換
された後、レーザ駆動回路１１に入力される。

【００４８】レーザ駆動回路１１では、図２に示すよう
に、電流電圧変換素子ＩＶ１により電圧変換された光検
出レベルが演算増幅器ＯＰ３のプラス入力端子に入力さ
れる。また、レーザ制御回路１３からの目標パワーが演
算増幅器ＯＰ３のマイナス入力端子に入力されている。
演算増幅器ＯＰ３は、光電変換素子ＭＰＤからの光検出
レベルがレーザ制御回路１３からの目標パワーより小さ
いときには半導体レーザ３に流す電流を大きくする誤差
信号を出力し、光電変換素子ＭＰＤからの光検出レベル
がレーザ制御回路１３からの目標パワーより大きいとき
には半導体レーザ３に流す電流を小さくする誤差信号を
出力する。この誤差信号は、トランジスタＴｒ１のベー
スに入力されて、誤差信号に応じた電流を半導体レーザ
３に流すようにトランジスタＴｒ１が動作する。

【００４９】界磁系１５は、前記演算手段２５からの電
流指示値がデジタル／アナログ変換器１５１を介して界
磁系駆動回路１５２に供給される。

【００５０】上記光磁気記録再生装置１の全体動作及び
レーザ駆動回路の動作は以上の如くである。

【００５１】次に、高周波重畳回路１９の動作を説明す
る。

【００５２】まず、ＯＳＣ１９１は、光ディスク制御回
路２３からの出力信号に応じて、高周波信号を出力する
か、又は、出力しない。すなわち、リードゲート信号が
低（Ｌｏｗ）になったときにＯＳＣ１９１が発振し、リ
ードゲート信号が高（Ｈｉｇｈ）になったときにＯＳＣ
１９１は発振を停止する。リードゲート信号が低（Ｌｏ
ｗ）になってＯＳＣ１９１が発振すると、ＯＳＣ１９１
が出力からは発振出力信号（図４（ａ）のＯＳＣ出力参
照）が出力される。この発振出力信号は、可変増幅回路
部１９２の演算増幅器ＡＭＰに入力された後に増幅され
る。このときに、スイッチＳＷ１〜ＳＷ３のオンオフで
演算増幅器ＡＭＰの増幅率が変化する。このスイッチＳ
Ｗ１〜ＳＷ３のオンオフは、光ディスク制御回路２３か
らの高周波重畳ゲイン制御信号によって制御される。

【００５３】光ディスク制御回路２３からの高周波重畳
ゲイン制御信号よって設定された増幅率の演算増幅器Ａ
ＭＰによって増幅された高周波信号（図４（ａ）のＶＧ
Ａ出力参照）は、コンデンサＣ３を介して電流増幅部１
９３のトランジスタＴｒ２のベースに供給される。

【００５４】トランジスタＴｒ２で電流増幅された高周
波信号（図４（ａ）のＬＤ駆動電流参照）は、電流増幅
されてコンデンサＣ１を介して半導体レーザ３のカソー
ドに供給される。

【００５５】この半導体レーザ３のカソードに印加され
る高周波信号は、図４（ｂ）のＨＦＭ回路出力の項に示
されるように、高周波電流の最大値（±Ｉｈｆｍａｘ）
の間で振幅した信号になる。この高周波信号（図４
（ｂ）のＨＦＭ回路出力）が半導体レーザ３のカソード
に印加されると、半導体レーザ３の閾値電流をＩｔｈと
すると、図４（ｂ）のＨＦＭ回路出力の波形の高周波電
流の最大値（−Ｉｈｆｍａｘ）からＩｔｈ以上の部分が
半導体レーザ３から出力されることになる（図４（ｂ）
のＬＤ出射パワーの項参照）。

【００５６】ついで、半導体レーザ３の駆動電流をＩｉ
ｄとし、レーザ駆動回路１１より駆動される電流をＩｏ
ｐとし、高周波重畳回路１９の電流増幅部１９３から出
力される高周波電流をＩｈｆとすると、駆動電流Ｉｉｄ
は、下記数式１に示すように、 Ｉｉｄ＝Ｉｏｐ＋Ｉｈｆ …（１） で与えられる。

【００５７】次に、可変増幅回路部１９２の増幅率の切
換に関して説明する。まず、図５につて説明する。図５
では、高周波重畳回路１９がオフのときの駆動電流対発
光パワーの関係を示す直線が実線で示されており、高周
波重畳回路１９がオンのときの駆動電流対発光パワーの
関係を示す直線が点線で示されている。

【００５８】可変増幅回路部１９２の増幅率の切換は、
光ディスク制御回路２３からの高周波重畳ゲイン制御信
号によって切り換えられることは既に説明した。半導体
レーザ３の閾値電流をＩｔｈとすると、半導体レーザ３
の閾値電流Ｉｔｈは、各半導体レーザによって異なるこ
とから、光磁気記録再生装置を生産時に以下の通り設
定、調整を実施するものとする。

【００５９】まず、光磁気記録再生装置１にて使用でき
る範囲にある半導体レーザ３の出力をＰ１，Ｐ２，Ｐ３
とする。ただし、Ｐ１＜Ｐ２＜Ｐ３とする。

【００６０】（１）高周波重畳回路１９がオフの状態の
ときに、対物レンズ出射パワーがＰ１，Ｐ２，Ｐ３とな
るように、レーザ駆動回路１１への指示を光ディスク制
御回路２３からレーザ制御回路１３に設定する。このと
きに、レーザ駆動回路１１での半導体レーザ３の駆動電
流をＩ１，Ｉ２，Ｉ３とする。

【００６１】（２）次に、高周波重畳回路１９がオンの
状態のときに、同様に、対物レンズ出射パワーがＰ１，
Ｐ２，Ｐ３となり、かつ、レーザ駆動回路１１の駆動電
流がＩ１’，Ｉ２’，Ｉ３’が下記の数式２〜数式４に
なるように、可変増幅回路部１９２のゲイン設定用の抵
抗ＶＲ１，ＶＲ２，ＶＲ３を調整する。

【００６２】 Ｉ１’＝Ｉ１−Ｋ［ｍＡ］ …（２） Ｉ２’＝Ｉ２−Ｋ［ｍＡ］ …（３） Ｉ３’＝Ｉ３−Ｋ［ｍＡ］ …（４） ここに、Ｋは固定の定数である。このＫは、図５から分
かるように、ΔＩｏｐである。通常は、このＫは例えば
３．０〜５．０［ｍＡ］になるように設定するのが一般
的であり、高周波重畳の変調度のパラメータとして用い
られている。

【００６３】また、ここでのＰ１，Ｐ２，Ｐ３は、以下
のとおり設定するものとする。例えば、光磁気記録再生
装置１の再生パワーの範囲が０［ｍＡ］＜リードパワー
＜６［ｍＡ］とすると、これらリードパワーの範囲を３
分割した中央値であるものとする。してがって、ここで
は、Ｐ１＝１．０［ｍＡ］、Ｐ２＝３．０［ｍＡ］，Ｐ
３＝５．０［ｍＡ］とする。

【００６４】上述したように決定された可変増幅回路部
１９２の可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２，ＶＲ３を、その後の
動作では、リード時にレーザ駆動回路１１に指示される
対物レンズ出射パワー目標値に応じて、スイッチＳＷ
１，ＳＷ２，ＳＷ３を切り換えて使用している。

【００６５】具体的な使用状態について説明すると、使
用可能なリード時の対物レンズ出射パワーが０［ｍＡ］
＜リードパワー＜６［ｍＡ］とすると、次のように各ス
イッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３を切り換えればよい。

【００６６】（１）０．０［ｍＡ］＜リードパワー＜
２．０［ｍＡ］の場合には、スイッチＳＷ１をオン、ス
イッチＳＷ２をオフ、スイッチＳＷ３をオフとする。

【００６７】（２）２．０［ｍＡ］＜リードパワー＜
４．０［ｍＡ］の場合には、スイッチＳＷ１をオフ、ス
イッチＳＷ２をオン、スイッチＳＷ３をオフとする。 （３）４．０［ｍＡ］＜リードパワー＜６．０［ｍＡ］
の場合には、スイッチＳＷ１をオフ、スイッチＳＷ２を
オフ、スイッチＳＷ３をオンとする。 このようにしたことにより、リード時のパワー指示値に
よらず、ほぼ一定のΔＩｏｐを得ることがてきる。ま
た、以上のように構成したことにより、光ディスクの種
類や、光ディスク上の再生位置により変化するリードパ
ワーによらず、一定の高周波重畳の変調度を実現し、変
調度不足によるレーザノイズの増加が原因となる高周波
信号のＳ／Ｎの劣化や、高周波重畳振幅の変調度過度に
よる消費電力の増加や回路の発熱、変調度過剰による高
周波重畳信号周波数ノイズによる信号劣化の内光磁気記
録再生装置を提供できる。

【００６８】なお、上記第１の実施の形態では、前記高
周波重畳回路１９から出力される高周波の出力振幅を３
の出力値に切り換えできるようにしたが、これに限ら
ず、高周波の出力振幅を２の出力値に切り換えたり、あ
るいは、高周波の出力振幅を４つ以上の出力値に切り換
えたりしてもよい。

【００６９】（第２の実施の形態（請求項２に相当））
図６及び図７は、本発明の第２の実施の形態を説明する
ためのものである。ここに、図６は、本発明の第２の実
施の形態に係る光磁気記録再生装置を示すブロック図で
ある。

【００７０】図６において、本発明の第２の実施例に係
る光磁気記録再生装置１ａは、ほぼ第１の実施の形態と
同様な構成であり、半導体レーザ３と、再生信号検出手
段５と、光パワー検出手段７と、光学系９と、レーザ駆
動回路１１と、レーザ制御回路１３と、界磁系１５と、
データ再生回路１７と、高周波重畳回路１９ａと、駆動
系２１と、光ディスク制御回路２３と、演算手段２５と
からなる。また、本発明の第２の実施例に係る光磁気記
録再生装置１ａが、第１の実施の形態と異なるところ
は、高周波重畳回路１９ａと、レーザ駆動電流モニタ回
路２７と、高周波重畳ゲイン制御信号を形成するデジタ
ル／アナログ変換器２９と、メモリ３１とを加えた点に
ある。したがって、第２の実施の形態が第１の実施の形
態と構成の異なる高周波重畳回路周辺に関する構成を説
明する。

【００７１】図７は、本発明の第２の実施の形態に係る
光磁気記録再生装置に使用される高周波重畳回路周りの
回路構成を示す回路図である。

【００７２】図７において、高周波重畳回路１９ａは、
ゲート信号によって発振／停止する発振回路（ＯＳＣ）
１９１と、前記ＯＳＣ１９１で発振した高周波を前記デ
ジタル／アナログ変換器２９からのゲイン指示電圧で設
定されゲインで増幅する可変増幅回路部１９２ａと、こ
の可変増幅回路部１９２ａからの高周波を電流成分に変
換する電流増幅部１９３とからなる。

【００７３】可変増幅回路部１９２は、前記ＯＳＣ１９
１で発振した高周波を、デジタル／アナログ変換器２９
から出力されたゲイン指示電圧で設定されゲインで増幅
することができる。

【００７４】前記電流増幅部１９３は、電源Ｖｃとアー
スとの間に設けた直列抵抗Ｒ３，Ｒ４と、前記抵抗Ｒ
３，Ｒ４の接続点をトランジスタＴｒ２のベースに接続
し、このトランジスタＴｒ２のエミッタを抵抗Ｒ５を介
して接地し、かつ、トランジスタＴｒ２のコレクタをイ
ンダクタンスＬ、抵抗Ｒ６の直列回路を介して電源Ｖｃ
に接続し、インダクタンスＬと抵抗Ｒ６の接続点をコン
デンサＣ５を介して接地し、抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ６の接続
点をコンデンサＣ４を介して接地し、トランジスタＴｒ
のコレクタをコンデンサＣ１を介して半導体レーザ３の
カソードに接続することにより、構成されている。な
お、トランジスタＴｒ２のベースが電流増幅部１９３の
入力端子になる。なお、前記ＯＳＣ１９１は、光ディス
ク制御回路２３からのゲート信号によってＯＮ／ＯＦＦ
する。

【００７５】また、前記レーザ駆動電流モニタ回路２７
は、半導体レーザ３のアノードと電源Ｖｃとの問に抵抗
Ｒｉｄを接続し、半導体レーザ３のアノードと抵抗Ｒｉ
ｄとの接続点をアナログ／デジタル変換器Ａ／Ｄ１の入
力端子に接続し、アナログ／デジタル変換器Ａ／Ｄ１の
デジタル出力を光ディスク制御回路２３に接続して構成
されている。

【００７６】次に、この高周波重畳回路の具体的動作を
説明する。ＯＳＣ１９１は、光ディスク制御回路２３か
らのゲート信号に応じ、高周波出力を出力し、あるい
は、出力停止する。具体的には、ＯＳＣ１９１は、リー
ドゲート信号が低（Ｌｏｗ）で発振し、リードゲート信
号が高（Ｈｉｇｈ）で発振を停止する。リードゲート信
号が低（Ｌｏｗ）で発振したＯＳＣ１９１の高周波出力
信号は、コンデンサＣ２を介して可変増幅回路部１９２
ａに入力される。この高周波出力信号は、可変増幅回路
部１９２ａにおいて、デジタル／アナログ変換器２９か
ら供給されたゲイン指示電圧によって設定された振幅率
で増幅される。

【００７７】可変増幅回路部１９２ａによって所定の振
幅に増幅された高周波出力信号は、電流増幅部１９３に
入力され所定の電流増幅率（にて増幅されてコンデンサ
Ｃ１を介して半導体レーザ３を駆動する。したがって、
半導体レーザ３への駆動電流Ｉｉｄは、レーザ駆動回路
１１より駆動される電流をＩｏｐとすると、上記数式１
と同じになる。

【００７８】次に、可変増幅回路部１９２ａのゲイン設
定について説明する。可変増幅回路部１９２ａのゲイン
は、光ディスク制御回路２３からのデジタル指示をデジ
タル／アナログ変換器２９でデジタルからアナログに変
換したゲイン指示電圧に応じて、リニアに変化する。半
導体レーザ３の閾値電流Ｉｔｈは、半導体レーザ３によ
り異なるのは、既に説明した。また、上記半導体レーザ
３の闘値電流Ｉｔｈは、半導体レーザ３の動作環境によ
っても変化する。これら変化のパラメータとしては、温
度及び光ディスクからの戻り光量（光ディスクの反射率
に対応する）が挙げられる。したがって、半導体レーザ
３の闘値電流Ｉｔｈは、光磁気記録再生装置１ａの環境
温度及び使用する光ディスにより変化する。

【００７９】また、最適なリードパワーも光ディスク種
類や光ディスクの再生位置により、異なることは既に説
明したとおりである。特に、上記にて説明を行った磁気
超解像ディスクでは、その原理上、光ディスクの再生位
置による最適リードパワーの変化が大きい。

【００８０】この第２の実施の形態では、半導体レーザ
３のアノードと電源Ｖｃとの間に抵抗Ｒｉｄを直列に接
続し、その接続点の電圧をアナログ／デジタル変換器Ａ
／Ｄ１でデジタルデータにし、これを光ディスク制御回
路２３に入力することで最適な高周波重畳の振幅の変調
度を最適化している。

【００８１】次に、高周波重畳変調度の調整方法につい
て説明する。光磁気記録再生装置１ａにおいて、半導体
レーザ３の使用範囲にある２つのレーザ出力をＰ１，Ｐ
２とする。ただし、Ｐ２＞Ｐ１であり、理想的には、Ｐ
１が下限値、Ｐ２が上限値であることが望ましい。

【００８２】（Ｓ１）高周波重畳回路１９ａがオフ状態
にし、対物レンズ出射パワーがＰ２となるように、レー
ザ駆動回路１１への指示を光ディスク制御回路２３から
レーザ制御回路１３設定する。このとき、レーザ駆動電
流モニタ回路２７での抵抗Ｒｉｄの電圧降下により検出
されたレーザ駆動電流をＩ２とする。

【００８３】（Ｓ２）次に、高周波重畳回路１９ａをオ
ン状態にし、同様に対物レンズ出射パワーがＰ２とな
り、かつ、レーザ駆動回路１１の駆動電流１２’が以下
の通りとなるにうに、高周波重畳回路１９ａの可変増幅
回路部１９２ａのゲインを調整する。ここで、Ｋは固定
の定数である。この定数Ｋは、図５に示すように、ΔＩ
ｏｐに相当する電流であり、通常、３．０［ｍＡ］から
５．０［ｍＡ］となるように設定するのが一般的であ
り、高周波重畳の変調度のパラメータとして用いられて
いる。この高周波重畳回路１９ａのオフ時のレーザ駆動
電流Ｉ２と、前記高周波重畳回路１９ａのオン時のレー
ザ駆動電流Ｉ２’とは、上記数式３に示す関係が成立す
ればよい。

【００８４】（Ｓ３）数式３が成立した際の可変増幅回
路部１９２ａへの指示値（Ｖ２）を光ディスク制御回路
２３から演算手段２５に通知する。演算手段２５は、メ
モリ３１に前記指示値（Ｖ２）を記憶させる。

【００８５】（Ｓ４）そして、高周波重畳回路１９ａを
オフ状態にし、対物レンズ出射パワーがＰ１となるよう
に、上記（Ｓ１）（Ｓ２）を繰り返し、上記数式２が成
立た際の可変増幅回路部１９２ａへの指示値（Ｖ１）を
光ディスク制御回路２３から演算手段２５に通知する。
演算手段２５は、当該指示値（Ｖ１）をメモリ３１に記
憶する。

【００８６】（Ｓ５）上述した学習で得られた「Ｐ２」
に対する「Ｖ２」，「Ｐ１」に対する「Ｖ１」を用い
て、以下の近似直線を算出する。

【００８７】 Ｖ＝αＰ＋β …（５） ここに、Ｖはゲイン指示電圧、Ｐは対物レンズ出射パワ
ー、α，βは定数である。

【００８８】（Ｓ６）上記定数α，βは上述同様メモリ
３１に記憶される。

【００８９】前記演算手段２５は、前記検出手段からの
検出信号を光ディスク制御回路２３を介して取り込むと
ともに、前記メモリ３１からパラメータ（Ｖや定数α，
β）を取り込み、前記検出信号と前記パラメータとから
前記数式５の計算をし、前記高周波重畳回路１９ａの出
力振幅値が一定の変調度に制御させる制御信号を形成
し、 前記制御信号を光ディスク制御回路２３を介して
前記高周波重畳回路に与えて出力振幅値を制御してい
る。

【００９０】すなわち、対物レンズ出射パワー目標値
を、数式５の対物レンズ出射パワーＰを変数として、可
変増幅回路部１９２ａの指示電圧Ｖを算出し、光ディス
ク制御回路２３よりデジタル／アナログ変換器２９を介
して可変増幅回路部１９２ａに設定する。

【００９１】このように構成し動作する第２の実施の形
態に係る光磁気記録再生装置１ａによれば、リードパワ
ー指示値によらない一定のΔＩｏｐが得られる高周波重
畳が実現可能である。これにより、ディスク種類、ディ
スク上の再生位置により変化するリードパワーによら
ず、一定の高周波重畳の変調度を実現し、変調度不足に
よるレーザノイズ増加が原因となる高周波信号のＳ／Ｎ
の劣化や、高周波重畳振幅の変調度過剰による消費電力
の増加及び回路発熱や、変調度過剰による高周波重畳信
号周波数ノイズによる信号劣化のない光ディスクの再生
できる光磁気記録再生装置を得ることができる。

【００９２】（第３の実施の形態）この第３の実施の形
態に係る光磁気記録再生装置は、第１の実施例に係る光
磁気記録再生装置１に、第２実施例における半導体レー
ザ３の駆動電流を検出するレーザ駆動電流モニタ回路２
７を設け、半導体レーザ３の駆動電流を検出し、当該検
出信号を高周波重畳回路１９にフィードバックするよう
にしてもよい。

【００９３】このようにすることにより、リードパワー
指示値によらず、ほほ一定のΔＩｏｐが得られる高周波
重畳が実現可能である。これにより、ディスク種類・デ
ィスク上の再生位置により変化するリードパワーによら
ず、一定の高周波重畳の変調度を実現し、変調度不足に
よるレーザノイズ増加が原因となる高周波信号のＳ／Ｎ
の劣化や、高周波重畳振幅の変調度過剰による消費電力
の増加及び回路発熱や、変調度過剰による高周波重畳信
号周波数ノイズによる信号劣化のない光ディスク記録得
生装置の得ることができる。

【００９４】なお、上記各実施の形態において、図示し
ないホールセンサ等の温度センサにより、光磁気記録再
生装置の内部の温度変化量が所定の変化量を越えた場合
に、この温度センサからの検出信号を使用して高周波重
畳の最適化を図っててもよい。

【００９５】

【発明の効果】以上説明したように請求項１及び２記載
の発明に係る光磁気記録再生装置によれば、高周波重畳
回路による変調度をほぼ一定あるいは一定に制御可能と
なることから、次のような効果がある。

【００９６】（１）最適な振幅で高周波重畳ができるた
め、高周波重畳回路の消費電力を小さくできる。

【００９７】（２）消費電力を小電力化したことによ
り、高周波重畳回路に発熱が少なくなり、光磁気記録再
生装置としての熱設計が容易になる。

【００９８】（３）低再生パワー時では、低再生パワー
に応じた高周波を重畳するため、前記低再生パワーでの
再生信号の劣化がなく、ジッターの発生もなく、再生信
号のＳ／Ｎが向上する。

【００９９】（４）必要となる再生レーザパワーの範囲
が広くても、最適な高周波重畳を行えるので、半導体レ
ーザの劣化がなく半導体レーザの寿命が延びる利点があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光磁気記録再
生装置を示すブロック図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態に係る光磁気記録再
生装置に用いるレーザ駆動回路周り示す回路図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態に係る光磁気記録再
生装置に用いる高周波重畳回路周りの構成を示す回路図
である。

【図４】本発明の第１の実施の形態に係る光磁気記録再
生装置の高周波重畳回路における波形を示す図である。

【図５】本発明の第１の実施の形態に係る光磁気記録再
生装置で用いる半導体レーザの特性を示す特性図であ
る。

【図６】本発明の第２の実施の形態に係る光磁気記録再
生装置を示すブロック図である。

【図７】本発明の第２の実施の形態に係る光磁気記録再
生装置に使用される高周波重畳回路周りの回路構成を示
す回路図である。

【符号の説明】

１，１ａ…光磁気記録再生装置 ３…半導体レーザ ５…再生信号検出手段 ７…光パワー検出手段 ９…光学系 １１…レーザ駆動回路 １３…レーザ制御回路 １５…界磁系 １７…データ再生回路 １９，１９ａ…高周波重畳回路 ２１…駆動系 ２３…光ディスク制御回路 ２５…演算手段 ２７…レーザ駆動電流モニタ回路 ２９…デジタル／アナログ変換器 ３１…メモリ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5D119 AA11 AA12 AA31 AA34 AA37 BA01 BB05 DA05 FA05 HA28 HA30 HA41 HA54 HA68 5D789 AA11 AA12 AA31 AA34 AA37 BA01 BB05 DA05 FA05 HA28 HA30 HA41 HA54 HA68

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気的に結合される再生層と記録層とを
   備え、前記記録層を磁気多層膜で構成した光磁気記録媒
   体を使用し、前記光磁気記録媒体上に半導体レーザから
   レーザ光を照射するとともに前記光磁気記録媒体の磁気
   的結合により情報の記録再生を行なう光磁気記録再生装
   置であって、 記録再生を制御する光ディスク制御回路と、 レーザノイズを低減するために前記半導体レーザに高周
   波を重畳する高周波重畳回路とを備え、 前記高周波重畳回路は、前記光ディスク制御回路から設
   定される半導体レーザの照射パワーに応じ、前記高周波
   の出力振幅を２以上の出力値の切換できる手段を設けた
   ことを特徴とする光磁気記録再生装置。
2. 【請求項２】 磁気的に結合される再生層と記録層と
   を備え、前記記録層を磁気多層膜で構成した光磁気記録
   媒体を使用し、前記光磁気記録媒体上に半導体レーザか
   らレーザ光を照射するとともに前記光磁気記録媒体の磁
   気的結合により情報の記録再生を行なう光磁気記録再生
   装置であって、 記録再生を制御する光ディスク制御回路と、 前記光磁気記録媒体へ照射される光出力を検出する検出
   手段と、 半導体レーザノイズを低減するために前記半導体レーザ
   に高周波を重畳する高周波重畳回路と前記高周波重畳回
   路の出力振幅値を決定するためのパラメータを記録する
   メモリと、 前記光ディスク制御回路及び界磁系を制御し各種演算処
   理を実行する演算手段とを有し、 前記演算手段は、前記検出手段からの検出信号と前記メ
   モリからパラメータを取り込み、前記検出信号と前記パ
   ラメータとから前記高周波重畳回路の出力振幅値が一定
   の変調度に制御させる制御信号を形成し、前記制御信号
   で前記高周波重畳回路を出力振幅値を制御する手段を備
   えたことを特徴とする光磁気記録再生装置。
3. 【請求項３】 前記検出手段は、半導体レーザの駆動電
   流値を検出する手段からなることを特徴とする請求項１
   又は２記載の光磁気記録再生装置。