JPH103706A

JPH103706A - 光磁気ディスク及びその記録再生装置

Info

Publication number: JPH103706A
Application number: JP15462396A
Authority: JP
Inventors: Motoyoshi Murakami; 元良村上; Norio Miyatake; 範夫宮武
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1996-06-14
Filing date: 1996-06-14
Publication date: 1998-01-06

Abstract

(57)【要約】【課題】必要な初期化磁界強度もしくはバイアス磁界
強度と信号再生時の出力信号との関係を測定するための
領域及び磁界に関する情報を記録再生できる領域を光磁
気ディスク上に設けることにより、上位互換性があるデ
ィスクの記録再生装置でも簡易な方法でディスクの識別
が可能となり、さらに最適な磁界条件が設定できる。【解決手段】光磁気ディスク基盤１１は環状の案内溝
を有し、セクターマーク１７、アドレスフィールド１８
により、アドレス情報を検出し、そのアドレス情報を用
いて、データフィールド１９にデータを蓄積する。案内
溝の内周部には、ディスクの識別情報を記録した情報領
域２０ａと、磁界条件を測定するための領域２０ｂとが
あり、この学習領域２０ｂを利用して光磁気ディスクの
記録再生時の最適な磁界強度を設定し、情報領域２０ａ
に記録を行う

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光等の光学
的手段を用いて情報の記録、再生または消去を行う光磁
気ディスク、および光磁気ディスクの記録再生装置に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子計算機、情報処理システムの
発達による処理情報量の急激な増加に伴い、低価格でし
かも大容量の補助記憶装置およびその記録媒体、とりわ
け光ディスクが注目されている。光ディスクには、光ス
ポットのトラッキングガイドのための案内溝、あるいは
プリピットが設けられており、これらによって高密度記
録及びランダムアクセスが実現される。

【０００３】情報信号の書換えが可能な光磁気ディスク
は、光磁気記録膜を有し、この膜にレーザビームを照射
して加熱することにより、その部分の磁化の方向（記録
ドメイン）を、記録情報に応じたものとしてディスク上
へ情報の記録を行う。光磁気ディスクが、光磁気記録膜
のほかに反射膜を有する２層以上の膜構成の場合には、
ファラデー効果も利用される。

【０００４】しかし、従来の光磁気ディスクでは、すで
に記録してある部分に再度記録する場合には、あらかじ
め記録部分を消去し、その消去部分に新たに情報を記録
するというプロセスが必要であった。このため、記録時
間の高速化には、一定の限界があった。これを解決する
には、オーバーライト方式を用いることが有効である。
これは、交換結合する２層膜を記録膜に用いたディスク
に対して、初期化磁界を印加しつつ、かつレーザ光の強
度を変調することにより、記録済みの情報の有無にかか
わらず新たな情報をダイレクトオーバーライトできると
いうものである。この方式は、特開昭６２−１７５９４
８号公報、特開昭６３−１１７３５４号公報に開示され
ている。

【０００５】以下、図１３を参照しながら、前記の光強
度変調のオーバーライト方式による記録方式の原理につ
いて説明する。記録膜の記録再生層６１の保磁力をＨc
1、キュリー温度をＴc1、記録補助層６２の保磁力をＨc
2、キュリー温度をＴc2、初期化磁界６４をＨi、記録時
のバイアス磁界６５をＨbとすると、以下の関係が必要
である。

【０００６】Ｔc1＜Ｔc2 Ｈc2＜Ｈi＜Ｈc1 ここで、記録補助層６２は新しい情報が記録される前
に、初期化磁界６４を通過して初期化されている。記録
は、高パワーのレーザ光６３が照射され、記録膜の温度
ＴがＴ≧Ｔc2の条件を満たした場合には、記録補助層６
２へのバイアス磁界により書き込みが行われ、降温過程
で記録補助層６２と記録再生層６１との交換結合力によ
り、バイアス磁界の方向に記録再生層６１の転写が行わ
れ記録される。これに対し、記録時に低パワーのレーザ
光６３が照射され、Ｔc1≦Ｔ＜Ｔc2、Ｈb＜Ｈc2の条件
を満たした場合には、初期化磁界６４で初期化された記
録補助層６２の磁化の向きはバイアス磁界により変化し
ないため、初期化磁界の方向に記録再生層６１は転写す
ることにより消去される。このように、図１３の構成の
光磁気ディスクではレーザ光強度を変調することにより
オーバーライトが可能となる。

【０００７】しかし、前記方式によりオーバーライトは
可能になっても、光ディスクへの情報の線記録密度につ
いては、再生信号のＣ／Ｎによる限界があった。図１４
を用いて、この理由を説明する。従来の一般的な光磁気
ディスクの光記録再生においては、光磁気ディスク上の
レーザビームによる光照射領域であるレーザビームスポ
ット８１の領域のほぼ全てを、再生信号検出領域として
いる。例えば、図１４（ａ）に示すように、レーザビー
ムスポット８１の径ｄが記録ドメイン８２のピッチｔよ
りも小さければ、スポット８１内には、記録ドメインが
１個だけ入り、２個以上の記録ドメインが入ることはな
い。この場合は、再生出力波形は図１４（ｂ）に示すよ
うになり、再生信号Ｓを読み取ることが可能である。と
ころが、図１４（ｃ）に示すように、高密度で記録ドメ
インが形成されていると、レーザビームスポット８１の
径ｄが記録ドメイン８２のピッチｔよりも大きくなる場
合がある。この場合は、スポット８１内には２個以上の
記録ドメインが同時に入り込むこととなり、再生出力波
形は図１４（ｄ）に示すように一定となってしまう。こ
れでは、スポット８１内の記録ドメインをそれぞれ分離
して再生することができず、再生不能となってしまう。
したがって、光磁気ディスクの線記録密度の高密度化
は、レーザビームスポット径に依存することになり、一
定の限界があった。

【０００８】レーザビームスポット径ｄはレーザ光の波
長λと、対物レンズの開口数ＮＡに依存している。そこ
で、従来は波長λの短いレーザ光を使用し、あるいは対
物レンズの開口数ＮＡを大きくすることにより、レーザ
ビームのスポット径ｄを小さくして、高密度記録化を図
る工夫がなされていた。しかし、レーザ光源や光学系上
の問題で、このような高記録密度にも一定の限界があっ
た。

【０００９】また、トラック密度は主として隣接トラッ
クからのクロストークによって制限されている。従来、
このクロストークの量は、レーザビームスポット径ｄに
依存しているため、トラック密度の高密度記録化にも一
定の限界があった。これら前記の問題を解決し、さらに
高密度記録再生を行なう方法として、記録層に希土類遷
移金属合金薄膜の交換結合多層膜を利用し、レーザビー
ムスポットの一部の昇温部分からのみ再生信号を取り出
すものがある。これによれば、記録ドメイン径が０.５
μｍ以下の高密度記録再生を行なうことができる。これ
らは特開平３−９３０５６号公報、特開平３−９３０５
８号公報に開示されている。

【００１０】以下、図１５を用いてＦＡＤと呼ばれる超
解像方式（以下ＦＡＤ方式）による再生原理の一例につ
いて説明する。記録膜は再生層７１、中間層７２、記録
層７３からなり、７４はレーザ光ビーム、７５は再生時
のバイアス磁界、７６は記録ドメイン、７７は超解像検
出領域である。本例では、再生はバイアス磁界７５を印
加しながら、通常より高いレーザパワーで行われる。再
生時には、回転中のディスクの中で、レ−ザスポット７
４を通過する部分は、次第に再生層７１の温度が上昇す
る。この場合、光スポット内の前方は、比較的低い温度
領域７７となる。この領域では、中間層７２の温度がキ
ュリー温度以下であり、再生層７１と記録層７３の交換
結合力が大きく、交換結合力と再生層の保磁力の和が、
再生時の外部磁界よりも大きくなる。このため、記録層
７３の磁化が再生層７１に転写されたまま保持されるこ
ととなる。これに対して、レーザスポット後方の高温領
域７８では中間層７２の温度がキュリー温度以上になる
ため、再生層７１と記録層７３との間の交換結合力が弱
くなり、保磁力の小さい再生層７１の磁化は外部磁界７
５の向きに揃えられて情報は消去される。このため、再
生層７１がマスクの働きをする。

【００１１】したがって、再生層７１での保磁力をＨc
1、キュリー温度をＴc1、中間層７２のキュリー温度を
Ｔcm、記録層７３の保磁力をＨc2、キュリー温度をＴc
2、再生時のバイアス磁界をＨrとすると室温、あるい
は、再生時の最高到達温度以下の温度では常に、Ｈc2＞
Ｈrであり、再生可能温度以上の高温では以下の関係が
ある。

【００１２】Ｈc1−Ｈw1＜Ｈr Ｈc1＋Ｈw1＞Ｈr ここで、Ｈw1は再生層７１に働く有効磁界である。この
ように、ＦＡＤ方式では、再生時に光スポット内の中間
層７２がキュリー温度以下の比較的低い温度領域であっ
て、マスクの外れた超解像検出領域７７からのみ記録層
７３の情報が読み取ることができるため、実効的に光ス
ポットの大きさが小さくなる。そして、レ−ザ−光７４
が通り過ぎた後は、また記録膜の温度が下がり、記録層
７３の記録ドメインが再生層７１に転写され元の状態に
戻る。この構造の光磁気記録媒体では、ドメイン長０.
５μｍ以下での記録、再生が可能となる。なお前記した
ようにこのような構成の光磁気ディスクでは、再生時の
レーザ光強度と同様、バイアス磁界強度が非常に重要で
ある。

【００１３】次に、図１６を用いて、高密度再生方式で
あるダブルマスク方式と呼ばれる超解像方式による再生
原理の一例について説明する。図１６はダブルマスク方
式による再生時の構成図を示すものであり、図面を参照
しながら、ダブルマスク方式による再生原理について、
簡単に説明する。記録膜の再生層４１と再生補助層４２
の２層の膜での保磁力をＨc1、キュリー温度をＴc1、中
間層４３のキュリー温度をＴcm、記録層４４の保磁力を
Ｈc2、キュリー温度をＴc2、初期化磁石６４による磁界
をＨi、再生時のバイアス磁界をＨrとすると、室温で
は、Ｈc1＋Ｈw1＜Ｈi Ｈc2−Ｈw2＞Ｈi 再生可能温度以上の高温では、Ｈc1−Ｈw1＜Ｈr Ｈc1＋Ｈw1＞Ｈr また、記録膜の最高到達温度以下の温度では常に、Ｈc2＞Ｈr の関係が必要である。ここで、Ｈw1は再生層４１に働く
有効磁界、Ｈw2は記録層４４に働く有効磁界である。

【００１４】図１６に示すように、ダブルマスク方式で
の再生時には、初期化磁界４６をレーザスポット４５の
直前に配置し、再生層４１、再生補助層４２の磁化の向
きを初期化磁界４６の方向にそろえるため、再生層４１
のレーザスポット４５の前方の領域４８ａはマスクの働
きをする。また、ディスクを回転させレ−ザスポット４
５を通過すると、しだいに記録膜の温度が上昇し、レー
ザスポット４５後方の高温領域４８ｂでは再生補助層４
２がキュリー温度以上に達し、バイアス磁界４７を加え
ることにより、保磁力の小さい再生層４１はバイアス磁
界４７の方向に強制的に磁化することになる。このよう
に、ダブルマスク方式ではレーザスポット４５の前方の
４８ａと、後方の４８ｂがマスクの働きをする。

【００１５】そして、再生層４１と記録層４４との間の
交換結合力と再生時のバイアス磁界４７の和が、再生層
４１の保磁力よりも大きくなると、記録層４４の磁化が
転写される。このとき再生層４１のマスク４８ａ及び４
８ｂの間の部分４８ｃからのみ記録層４４の情報が読み
取れる。ここで、バイアス磁界４７の方向は初期化磁界
４６とは反対方向である。そして、レ−ザ−光４５が通
り過ぎた後は、また記録膜の温度が下がり、記録層４４
の記録ドメインが再生層４１に転写され元の状態に戻
る。この構造の光磁気記録媒体では、ドメイン長０.４
μｍでの記録、再生が可能となる。

【００１６】次に、図１７、図１８を用いて、光磁気記
録膜による磁気的超解像ＲＯＭ方式（以下超解像ＲＯＭ
方式）による再生原理の一例について簡単に説明する。
図１７は、超解像ＲＯＭを用いた光磁気ディスクの構造
図を示すのものである。１１０はレーザ光による光スポ
ット、１１１は信号面に表面粗さの異なる記録ドメイン
からなるプリピットを形成した構成のポリカーボネート
の基板であり、１１２は表面粗さの小さい信号ピットの
形成されていない面、１１３は表面粗さが大きく光スポ
ット径より小さい構成の信号ピット面、１１４は再生信
号を得るためのＴｂＦｅＣｏで形成された記録膜であ
り、１１５はＳｉＮの保護膜、１１６はＣｕＴｉの反射
膜、１１７はエポキシアクリレートのオーバーコート層
である。ここで、信号の無い面１１２と、信号ピット１
１３からなる表面粗さの違いを用いた構成のプラスチッ
ク基板１１１は、超解像ＲＯＭ方式を用いた記録密度を
大きくする方法であり、再生時のドメイン径０．５μｍ
以下の高密度再生の場合にも読み出し信号量を大きくす
ることができるものである。

【００１７】図１８は超解像ＲＯＭ方式による光磁気記
録膜の保磁力の温度特性を示すものである。図１８にお
いて、実線で示すのは表面粗さの大きい信号ピット内の
面１１３での記録膜の保磁力の温度特性、破線で示すの
は表面粗さの小さい面１１２での記録膜の保磁力の温度
特性である。まず、最初に超解像ＲＯＭディスクの記録
膜を初期化磁界を用いるか、あるいはディスク全面を加
熱して一括着磁する方法等により一定方向に着磁してお
く。次に、初期化磁界あるいは一括着磁とは反対方向に
再生磁界を印加しながら、再生パワーのレーザ光を照射
すると、記録膜は加熱され、図１８の再生温度まで記録
膜の温度が上昇する。ここで、図に点線を示した再生磁
界を記録膜に加えると、破線で示した表面粗さの小さい
面１１２の記録膜の磁化の方向は再生磁界の方向に反転
するのに対して、実線で示した表面粗さの大きい信号面
１１３の記録膜は再生磁界の影響を受けないために磁化
の方向は変化しない。従って、表面粗さの小さい面１１
２の記録膜と、表面粗さの大きい記録信号面１１３の記
録膜とは磁化の方向が異なるために、光磁気記録膜によ
るレーザ光の偏光面の回転角の差として信号を検出する
ことができる。また、このとき、表面粗さの小さい面１
１２の記録膜は再生レーザ光の光スポット内でマスクの
働きをするために、検出される信号は信号ピットの形成
された表面粗さの大きい面１１３の記録膜のみとなり、
再生時に光スポットより小さい信号ピットを再生する場
合にも読み出し信号量を大きくすることができるもので
ある。

【００１８】ここで、基板の表面粗さの小さい面１１２
での記録膜での保磁力をＨc1、表面粗さの大きい面での
保磁力をＨc2、記録膜のキュリー温度をＴc、初期化磁
石による磁界をＨi、再生時のバイアス磁界をＨrとする
と、室温（あるいは初期化する時の温度）では、Ｈc1＜Ｈc2＜Ｈi また、再生温度では、Ｈc1＜Ｈr＜Ｈc2 の関係が必要である。

【００１９】この構成により、光スポットの一部からの
信号のみを再生することにより、ドメイン長０．５μｍ
以下の高密度での信号の再生が可能となる。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記のよ
うな構成では、以下のような問題があった。

【００２１】（１）高記録密度の記録再生が可能なＦＡ
Ｄ方式等の超解像用光磁気ディスク、あるいは面粗さを
用いた超解像ＲＯＭディスクは、記録再生時の磁界に関
する情報が十分に光磁気ディスクに含まれていない。こ
のため、現在広く普及している光磁気ディスクと容易に
識別することが出来ず、上位互換性もない。

【００２２】（２）前記ＦＡＤ方式等の超解像用光磁気
ディスクの記録再生、あるいは超解像ＲＯＭディスクの
再生では、再生時に初期化磁界、あるいはバイアス磁界
を加えるための、磁界強度、磁界方向に関する情報が重
要である。しかし、磁界の強度がディスクの記録再生層
の交換結合力のバラツキ、あるいは分布によって変化し
易いために、最適な再生磁界の設定が困難である。な
お、光磁気記録再生装置の消費電力を考慮すれば、でき
るだけ小さいバイアス磁界での再生が適している。

【００２３】（３）また、逆に再生時に初期化磁界、あ
るいはバイアス磁界を必要としない光磁気ディスクに対
して、初期化磁界、およびバイアス磁界を加え続けて再
生レーザを照射した場合には、記録膜の劣化、あるいは
すでに記録されている情報の破壊、エラーの発生の原因
になる。

【００２４】（４）さらに、従来の記録再生装置では、
オーバーライト可能な光磁気ディスク、高記録密度の記
録再生が可能なＦＡＤ方式等を用いた超解像用光磁気デ
ィスク、および現在広く普及している光磁気ディスクの
それぞれを容易に識別し、記録再生時のレーザ光照射時
に、初期化磁界、あるいはバイアス磁界を磁界を変化さ
せて測定し、最適な磁界強度を設定しディスクに印加す
ることが出来なかった。すなわち、従来の記録再生装置
は上位互換がとれず、しかも再生磁界に対する学習機能
を有していなかった。

【００２５】本発明は前記問題を解消し、上位互換性が
ある光磁気ディスクの記録再生装置でも、簡易な方法で
ディスクの識別が可能となり、さらに最適な磁界条件が
設定できる光磁気ディスクを提供するものである。ま
た、簡易な方法で光磁気ディスクの識別が可能で、磁界
の制御も容易にでき、適切な磁界とレーザ光をディスク
に印加することができる光磁気ディスクの記録再生装置
を提供するものである。

【００２６】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明の光磁気ディスクおよびその記録再生装置は、下記の
構成からなる。

【００２７】（１）基板上にスパイラル状もしくは同心
円状の案内溝、あるいはプリピットを有し、光により情
報の記録、再生、消去を行う光磁気ディスクであって、
必要な初期化磁界強度もしくはバイアス磁界強度と信号
再生時の出力信号との関係を測定するための領域を光磁
気ディスク上に設けたことを特徴とする。

【００２８】（２）基板上にスパイラル状もしくは同心
円状の案内溝、あるいはプリピットを有し、光により情
報の記録、再生、消去を行い、交換結合した多層膜の記
録再生層により磁気的超解像記録再生が可能な光磁気デ
ィスクであって、必要な初期化磁界強度もしくはバイア
ス磁界強度と信号再生時の出力信号との関係を測定する
ための領域を光磁気ディスク上に設けたことを特徴とす
る。

【００２９】（３）前記（１）及び（２）の光磁気ディ
スク上に、必要な初期化磁界強度もしくはバイアス磁界
強度に関する情報が記録されていることを特徴とする。

【００３０】前記（１）から（３）の光磁気ディスクに
よれば、光磁気ディスクの記録再生装置で、最適な磁界
条件が設定できる。

【００３１】（４）前記（１）及び（２）の光磁気ディ
スク上に、初期化磁界もしくはバイアス磁界が必要であ
るかどうかの識別信号、及び必要な磁界強度に関する情
報が記録されていることを特徴とする。

【００３２】（５）前記（１）及び（２）の光磁気ディ
スク上に、必要な初期化磁界強度もしくはバイアス磁界
強度と信号再生時の出力信号との関係を測定するための
領域において測定した磁界強度に関する情報を記録再生
できる領域を設け、初期化磁界もしくはバイアス磁界が
必要な光磁気ディスクであるかどうかの識別信号、及び
必要な初期化磁界強度もしくはバイアス磁界強度に関す
る情報が記録されていることを特徴とする前記（４）、
（５）の光磁気ディスクによれば、上位互換性がある光
磁気ディスクの記録再生装置でも、簡易な方法でディス
クの識別が可能となり、さらに最適な磁界条件が設定で
きる。

【００３３】（６）光により情報の記録、再生、消去を
行い、情報の再生時に少なくとも初期化磁界もしくはバ
イアス磁界を印加する磁界発生装置を有した構成の、光
磁気ディスクの記録再生装置であって、再生時に必要な
初期化磁界もしくはバイアス磁界条件を前記光磁気ディ
スク上の磁界条件を測定するための領域を用いて測定
し、あるいは、学習することが可能な構成を備えたこと
とを特徴とする。

【００３４】（７）前記（６）の光磁気ディスクの記録
再生装置であって、前記測定領域により測定した情報を
用いて再生条件を設定することにより光磁気ディスクを
再生する構成を備えたことを特徴とする。

【００３５】（８）光により情報の記録、再生、消去を
行い、情報の再生時に少なくとも初期化磁界もしくはバ
イアス磁界を印加する磁界発生装置を有した構成の、光
磁気ディスクの記録再生装置であって、情報の再生時に
少なくとも初期化磁界もしくはバイアス磁界が必要な光
磁気ディスクであるかどうかの識別信号、及び再生磁界
情報を読み取り、読み出した情報を用いて、再生時に必
要な初期化磁界条件もしくはバイアス磁界条件を設定す
ることが可能なことを特徴とする。

【００３６】（９）光により情報の記録、再生、消去を
行い、情報の再生時に少なくとも初期化磁界もしくはバ
イアス磁界を印加する磁界発生装置を有した構成の、光
磁気ディスクの記録再生装置であって、情報の再生時に
少なくとも初期化磁界もしくはバイアス磁界が必要な光
磁気ディスクであるかどうかの識別信号、及び再生磁界
情報を読み取り、再生時に初期化磁界もしくはバイアス
磁界条件が必要な場合には、再生時に必要な初期化磁界
条件もしくはバイアス磁界条件を前記光磁気ディスクの
磁界条件を測定するための領域を用いて測定し、あるい
は学習することが可能な構成の記録再生装置であって、
前記測定領域により測定した再生条件を用いることによ
り光磁気ディスクを再生する構成を備えたことを特徴と
する。

【００３７】（１０）光により情報の記録、再生、消去
を行い、情報の再生時に少なくとも初期化磁界もしくは
バイアス磁界を印加する磁界発生装置を有した構成の、
光磁気ディスクの記録再生装置であって、情報の再生時
に少なくとも初期化磁界もしくはバイアス磁界が必要な
光磁気ディスクであるかどうかの識別信号、及び再生磁
界情報を読み取り、再生時に初期化磁界もしくはバイア
ス磁界が必要な場合には、再生時に必要な初期化磁界も
しくはバイアス磁界条件を前記光磁気ディスクの磁界条
件を測定するための領域を用いて測定し、あるいは学習
することが可能な構成の記録再生装置であって、前記測
定領域により測定した再生条件を前記光磁気ディスクに
記録する手段を有し、さらに前記光磁気ディスクに記録
した再生条件に関する情報を用いることにより再生条件
を設定し光磁気ディスクを再生する構成を備えたことを
特徴とする。

【００３８】（１１）光により情報の記録、再生、消去
を行い、情報の再生時に少なくとも初期化磁界もしくは
バイアス磁界を印加する磁界発生装置を有した構成の、
光磁気ディスクの記録再生装置であって、情報の再生時
に少なくとも初期化磁界もしくはバイアス磁界が必要な
光磁気ディスクであるかどうかの識別信号、及び再生磁
界情報を読み取り、再生時に初期化磁界条件もしくはバ
イアス磁界条件の書き換えが必要な場合には、再生時に
必要な初期化磁界条件もしくはバイアス磁界条件を前記
光磁気ディスクの磁界条件を測定するための領域を用い
て測定し、あるいは学習することが可能な構成の記録再
生装置であって、前記測定領域により測定した再生条件
を前記光磁気ディスクに書き換える手段を有し、さらに
前記光磁気ディスクに書き換えた再生条件に関する情報
を用いることにより再生条件を設定し、光磁気ディスク
を再生する構成を備えたことを特徴とする。

【００３９】前記（６）から（１１）の光磁気ディスク
の記録再生装置によれば、簡易な方法で光磁気ディスク
の識別が可能で、磁界の制御も容易にでき、適切な磁界
とレーザ光をディスクに印加することができる。

【００４０】

【発明の実施の形態】以下本発明の光磁気ディスクの実
施形態について、図面を参照しながら説明する。図１
は、本発明の光磁気ディスクの第一の実施形態の断面図
を示し、図２は、本実施形態の光磁気ディスクのディス
クフォーマットを示す概略図である。図１において、１
は光スポットのトラッキングガイドのための案内溝を備
えたポリカーボネートの基板であり、２はＺｎＳから成
るエンハンスのための誘電体層、３はＴｂＦｅＣｏから
成る記録層で形成された記録膜であり、４はＺｎＳ・Ｓ
ｉＯ₂の誘電体層、５はＡｌＣｒの反射層、６はエポキ
シアクリレートのオーバーコート層である。図１に示す
ようなダイレクトオーバーライト、もしくは磁気的超解
像を用いない構成の光磁気ディスクでは、新たに情報を
記録しようとする場合には、まず一定方向の磁界を加え
ながら一定の消去パワーのレーザ光を照射することによ
り情報を消去する。その後、この消去部分に消去時とは
反対方向の磁界を加えながらレーザ光を記録情報に応じ
て変調して照射し、消去方向と反対方向の磁化をもった
記録ドメインを形成することにより、情報を記録するこ
とができる。

【００４１】図２において、１は中心部に回転駆動する
ための中心穴を有する光ディスク基板である。光ディス
ク基板１は、トラッキングガイドのための環状の案内溝
を有し、セクターマーク７、およびアドレスフィールド
８によりアドレス情報を検出する。そのアドレス情報を
用いて、データフィールド９にデータを蓄積する。案内
溝の内周部には、光磁気ディスクの記録条件、再生条件
等に関するを情報を蓄積したメモリ領域１０がある。こ
のメモリ領域１０の情報を用いて光磁気ディスクへの情
報の記録再生を行う。本実施形態の光磁気ディスクは、
このメモリ領域１０に、従来の記録再生条件に関する情
報のほかに、ＩＳＯフォーマット準拠のオーバーライト
のできない膜構成の光磁気ディスクとして識別する情
報、および初期化磁界、バイアス磁界を必要としないと
いう情報を記録してある。

【００４２】このような構成により、上位互換性がある
光磁気ディスクの記録再生装置でも、簡易な方法でディ
スクの識別ができることになる。なお、従来の光磁気デ
ィスクの記録再生装置においては、この初期化磁界およ
びバイアス磁界に関する情報信号は読み出す必要はない
ために全く問題にならない。

【００４３】次に、本発明の第二の実施形態について図
３、図４を用いて説明する。図３は、本発明の光磁気デ
ィスクの第二の実施形態の断面図を示し、図４は、本実
施形態の光磁気ディスクのディスクフォーマットを示す
概略図である。図３において、１１は光スポットのトラ
ッキングガイドのための案内溝を備えたポリカーボネー
トの基板であり、１２はＺｎＳから成るエンハンスのた
めの誘電体層、１３、１４はそれぞれＴｂＦｅの記録再
生層、ＧｄＴｂＦｅＣｏの記録補助層で形成された２層
構造の記録膜であり、１５はＺｎＳ・ＳｉＯ₂の保護層、
１６はエポキシウレタンのオーバーコート層である。こ
のディスク構成により、光変調オーバーライトが可能で
ある。このオーバーライトの原理については、図１３を
用いて説明した従来例と同一であるため、説明は省略す
る。

【００４４】本実施形態では、Ｈc1＝１８ｋＯｅ、Ｔc1
＝１３０℃、Ｈc2＝２ｋＯｅ、Ｔc2＝２５０℃である。
また、Ｈi＝３.８ｋＯｅ、Ｈb＝２２０Ｏｅを最適な磁
界強度として設定している。このような構造の光磁気デ
ィスクでは、レーザ光強度を３ｍＷの低パワーと６ｍＷ
の高パワーに変調することにより、ダイレクトオーバー
ライトが可能である。なお、記録時には初期化磁界とバ
イアス磁界が必要である。図４において、１１は中心部
に回転駆動するための中心穴を有する光ディスク基板で
ある。光ディスク基板１１は、トラッキングガイドのた
めの環状の案内溝を有し、セクターマーク１７、および
アドレスフィールド１８により、アドレス情報を検出す
る。そのアドレス情報を用いて、データフィールド１９
にデータを蓄積する。案内溝の内周部には、光磁気ディ
スクの識別情報を記録したメモリー領域２０ａと、必要
な初期化磁界強度もしくはバイアス磁界強度と信号再生
時の出力信号との関係を測定するための領域２０ｂとが
ある。前記信号再生時の出力信号を得るために記録層に
は、あらかじめ磁界強度設定のための基準信号が記録さ
れている。前記学習領域２０ｂにおいて信号を記録再生
させることにより、光磁気ディスクの記録再生時の最適
な磁界強度を設定し、メモリー領域２０ａに記録を行
う。具体的には、このメモリー領域２０ａに、３ｍＷ／
６ｍＷの光強度変調によりダイレクトオーバーライトで
きる光磁気ディスクであることを識別する情報と再生時
には磁界を加える必要のないということに関する情報と
が記録している。さらに、学習領域２０ｂを用いて、記
録時には３.８ｋＯｅの初期化磁界と２２０Ｏｅのバイ
アス磁界が最適であるということを学習することができ
る。

【００４５】このような構成により、互換が可能な光磁
気ディスクの記録再生装置でも、ディスクの識別がで
き、最適な磁界強度の条件設定が可能となる。

【００４６】次に、本発明の第三の実施形態について説
明する。本実施形態は、ＦＡＤ方式を用いるディスクの
製造時のバラツキ、あるいはディスクの記録再生時の位
置によるバラツキ等によりディスクによって再生磁界特
性が異なるという課題を解決するものである。まず、こ
の課題について具体的に説明する。なお、ＦＡＤ方式に
よる再生原理については、図１５を用いて説明した従来
例と同一であるため、説明は省略する。

【００４７】図５（ａ）は、ＦＡＤ方式での再生した時
の、バイアス磁界強度Ｈrに対する、ＣＮＲ（Ｃ／Ｎ）
を示している。このディスクの場合には、２００Ｏｅの
再生磁界で十分特性が飽和しているが、図５（ｂ）のよ
うに、記録層と再生層間での交換結合力の異なるディス
クでは、４００Ｏｅ〜５００Ｏｅ必要ということにな
る。したがって、交換結合力が変化してバラツキがある
場合には、必要なバイアス磁界の強度が変化することに
なる。さらに、図５（ａ）のディスクでは５００Ｏｅ以
上の磁界を印加すると、逆に特性の低下する場合が生
じ、また、記録再生装置としても、必要のない電力を消
費することになる。

【００４８】このような、課題を解決するための本発明
の第三の実施形態であるディスクについて図６、図７を
用いて説明する。図６において、２１は光スポットのト
ラッキングガイドのための案内溝を備えたポリカーボネ
ートの基板であり、２２はＺｎＳから成るエンハンスの
ための誘電体層、２３、２４、２５はそれぞれＧｄＴｂ
Ｆｅの再生層、ＴｂＦｅ中間層、ＴｂＦｅＣｏの記録層
で形成された３層構造の記録再生層であり、２６はＺｎ
Ｓ・ＳｉＯ₂の保護層、２７はエポキシウレタンのオー
バーコート層である。

【００４９】ここで、２３、２４、２５からなる記録再
生層はＦＡＤ方式を用いた記録密度を大きくする方法で
あり、再生時のドメイン径０.５μｍ以下の高密度記録
再生の場合の読み出し信号量を大きくするための交換結
合多層膜の記録膜である。本実施形態では、Ｈc1＝３ｋ
Ｏｅ、Ｔc1＝３００℃、Ｔcm＝１４０℃、Ｈc2＝１０ｋ
Ｏｅ、Ｔc2＝２５０℃としてある。また、ＦＡＤ方式の
再生では、上記の関係式を満たすために、バイアス磁界
強度と信号再生時の出力信号との関係を測定した結果よ
り、バイアス磁界Ｈr＝２００Ｏｅを印加しながら、通
常より高い１.８ｍＷのレーザパワーで再生が行われ
る。

【００５０】図７において、２１は中心部に回転駆動す
るための中心穴を有する光ディスク基板である。光ディ
スク基板２１は、トラッキングガイドのための環状の案
内溝を有し、セクターマーク２８、およびのアドレスフ
ィールド２９により、アドレス情報を検出し、そのアド
レス情報を用いて、データフィールド３０にデータを蓄
積する。案内溝の内周部と外周部には、光磁気ディスク
の再生時のバイアス磁界条件等を設定するための学習領
域３１ａを、さらに、学習した再生磁界に関する情報を
蓄積して記録しておくメモリー領域３１ｂがあり、この
メモリー領域３１ｂの情報を用いて光磁気ディスクへの
情報の記録再生を行う。本実施形態の光磁気ディスク
は、このメモリー領域３１ｂに、ＦＡＤ方式により高密
度記録再生が可能な光磁気ディスクであることを識別す
る情報、および再生時に２００Ｏｅのバイアス磁界、
１.８ｍＷのレーザ光強度により高密度再生が可能であ
りということに関する情報を記録し、さらに記録してあ
る条件を書き換える場合には、再生時のバイアス磁界強
度と信号再生時の出力信号との関係を学習し、得られた
最適な磁界強度に関する情報を新たに記録する。前記信
号再生時の出力信号を得るために記録層には、あらかじ
め磁界強度設定のための基準信号が記録されている。

【００５１】このような構成により、互換が可能な光磁
気ディスクの記録再生装置でも、簡易な方法でディスク
の識別と最適な磁界条件が設定できる、優れた光磁気デ
ィスクを実現できるものである。

【００５２】次に、本発明の第四の実施形態について説
明する。本実施形態は、ダブルマスク方式を用いるディ
スクの製造時のバラツキ、あるいはディスクの記録再生
時の位置によるバラツキ等によりディスクによって再生
磁界特性が異なるという課題を解決するものである。本
課題は、第三の実施形態で前記したＦＡＤ方式のものと
同様であるため、具体例の説明は省略する。また、ダブ
ルマスク方式による再生原理につては、図１６を用いて
説明した従来例と同一であるため、説明は省略する。以
下、図８を用いて説明する。図８は、本発明の第四の実
施形態における光磁気ディスクの断面図を示すものであ
る。図８において、９１は光スポットのトラッキングガ
イドのための案内溝を備えたポリオレフィンの基板であ
り、９２はＳｉＮから成るエンハンスのための誘電体
層、９３はＧｄＦｅＣｏの再生層、９４はＴｂＦｅＣｏ
の再生補助層、９５はＧｄＦｅＣｏの中間層、９６はＴ
ｂＦｅＣｏの記録層で形成された４層構造の記録膜であ
り、９７はＳｉＮの保護層、９８はエポキシアクリレー
トのオーバーコート層である。

【００５３】ここで、９３、９４、９５、９６からなる
記録膜はダブルマスクと呼ばれる超解像方式を用いた、
再生時のドメイン径０.５μｍ以下の高密度記録再生の
場合の読み出し信号量を大きくするための交換結合多層
膜の記録膜である。本実施形態では、Ｈc1＝３ｋＯｅ、
Ｔc1＝３００℃、Ｔcm＝２５０℃、Ｈc2＝１０ｋＯｅ、
Ｔc2＝２５０℃としてある。また、ダブルマスク方式の
再生では、上記の関係式を満たすために磁界強度の学習
領域を用いて、初期化磁界Ｈi＝４ｋＯｅとバイアス磁
界Ｈr＝２００Ｏｅを印加しながら、通常より高い２.５
ｍＷのレーザパワーで再生が行われる。このような課題
を解決するためのディスク構成として、図９は、本発明
の第四の実施形態における光磁気ディスクのディスクフ
ォーマットを示す概略図である。

【００５４】図９は、本実施形態の光ディスクのディス
クフォーマットを示す概略図である。光ディスク基板９
１は、トラッキングガイドのための環状の案内溝を有
し、セクターマーク９９、およびアドレスフィールド１
００により、アドレス情報を検出し、そのアドレス情報
を用いて、データフィールド１０１にデータを蓄積す
る。案内溝の内周部には、光磁気ディスクの記録再生時
の磁界強度と信号再生時の出力信号との関係を測定でき
る学習領域１０３がある。前記信号再生時の出力信号を
得るために記録層９６には、あらかじめ磁界強度設定の
ための基準信号が記録されている。本実施形態の光磁気
ディスクは、メモリー領域１０２に、ダブルマスク方式
により高密度記録再生可能な光磁気ディスクであること
を識別する情報、および再生時に４ｋＯｅの初期化磁
界、２００Ｏｅのバイアス磁界、および２.５ｍＷのレ
ーザ光強度により高密度記録再生が可能であるという情
報を記録する。これらは、ディスクのフォーマット時、
あるいはＲＯＭ情報として記録される。さらに、環境温
度が所定温度変化した場合には、学習領域１０３を利用
して再度測定し、初期化磁界、およびバイアス磁界の強
度に関する情報を新たに記録する。ここで、初期化磁
界、およびバイアス磁界の方向、レーザ光強度について
は、あらかじめメモリー領域１０２に記録してあり、書
き換えずに利用するものとする。

【００５５】このような構成により、従来の光磁気ディ
スクとの互換が可能な光磁気ディスクの記録再生装置に
対しても、簡易な方法でディスクの識別ができ、ディス
クに印加する最適な磁界およびレーザ光強度の学習と制
御も容易となる。

【００５６】また、本実施形態では、ディスク基板の内
周部あるいは外周部に、光磁気ディスクの記録時、ある
いは再生時の初期化に必要な磁界、バイアス磁界に関す
る学習領域を設けた構成を特徴とする光磁気ディスクに
ついて述べてきたが、外周部のみ、あるいは各アドレス
情報ごと磁界に関する情報を学習する、または複数のト
ラック毎に、それぞれの領域に必要な磁界に関する情報
を学習する領域を設けた構成、さらに必要な磁界に関す
る情報を異なった領域に記録した構成の光磁気ディスク
を用いれば、同様あるいはそれ以上の効果が得られる。

【００５７】次に、本発明の第五の実施形態について説
明する。本実施形態は、超解像ＲＯＭ方式を用いるディ
スクの製造時のバラツキ、あるいはディスクの記録再生
時の位置によるバラツキ等によりディスクによって再生
磁界特性が異なるという課題を解決するものである。本
課題は、第三の実施形態で前記したＦＡＤ方式のものと
同様であるため、具体例の説明は省略する。また、超解
像ＲＯＭ方式による再生原理につては、図１７、図１８
を用いて説明した従来例と同一であるため、説明は省略
する。

【００５８】以下、図１０を用いて説明する。図１０
は、本発明の第五の実施形態における光磁気ディスクの
ディスクフォーマットを示す概略図である。１１１は中
心部に回転駆動するための中心穴を有する光ディスク基
板である。光ディスク基板１１１は、トラッキングガイ
ドとアドレス信号の再生に用いるためのプリピットをデ
ータフィールド１１８内に有し（あるいは表面粗さの大
きい記録信号列１１３の一部をアドレス信号に用い）、
そのアドレス情報を用いて、データフィールド１１８の
蓄積データを再生する。ここで、データフィールドの内
周部及び外周部には、光磁気ディスクの記録再生時の磁
界強度と信号再生時の出力信号との関係を測定できる学
習領域１１９ａがあり、あらかじめ面粗さの違いを用い
た超解像ＲＯＭの基準信号を記録しており、バイアス磁
界を変化させながら磁界強度と信号再生時の出力信号と
の関係を測定できる構成となっている。さらに、超解像
ＲＯＭ方式により高密度再生が可能な構成の光磁気ディ
スクであるという識別情報と、再生時に必要な磁界強度
に関する情報を蓄積したメモリー領域１１９ｂがデータ
フィールドの内周部にある。

【００５９】本実施形態の超解像ＲＯＭの光磁気ディス
クは、このメモリー領域１１９ｂに、超解像ＲＯＭ方式
により高密度再生可能な光磁気ディスクであることを識
別する情報、および室温で初期化に必要な磁界強度が８
ｋＯｅであることが記録されている。また再生時に必要
な磁界条件を学習するために、磁界強度と信号再生時の
出力信号との関係を学習領域１１９ａを用いて測定する
ためのレーザパワー等の条件も記録されている。所定の
環境温度、環境条件が変化した場合には、磁界強度と信
号再生時の出力信号との関係を測定する領域を利用して
再度測定し、初期化磁化、バイアス磁界の強度に関する
情報を新たに記録し、再生時の磁界条件として再度設定
することができる。このような構成により、再生時のレ
ーザパワーを２．８ｍＷとすることができる。さらに磁
界強度と信号再生時の出力信号との関係を測定すること
により、信号量が最大となる最適なバイアス磁界強度を
設定することができる。具体的には、バイアス磁界強度
を３８０Ｏｅに設定することにより、高密度再生が可能
となる。ここで、初期化磁界、および、バイアス磁界の
方向、レーザ光強度については、あらかじめメモリー領
域１１９ｂに記録してあり、書き換えずに利用するもの
とする。

【００６０】このように、本実施形態の光磁気ディスク
は、８ｋＯｅ初期化磁界で着磁した後に、再生時に３８
０Ｏｅのバイアス磁界が必要であることを学習可能な領
域１１９ａを用いて測定可能であり、磁界に関する情報
と、超解像ＲＯＭ方式により再生できる光磁気ディスク
を識別できる情報、および、再生時のバイアス磁界強
度、レーザ光強度に関する情報を、ディスクのフォーマ
ット時、あるいは、起動時にメモリー領域１１９ｂに記
録可能であるという構成により、光磁気記録再生装置に
対しても、簡易な方法で従来の光磁気ディスクとの識別
ができ、さらに、本実施形態の超解像ＲＯＭ方式を用い
た光磁気ディスクの場合には、印加するための最適な磁
界条件の学習と制御も容易な、優れた光磁気ディスクを
実現できるものである。

【００６１】なお、本実施形態では、表面粗さの小さい
基板面の中に、表面粗さの大きい信号ピットを形成し、
信号を検出する超解像ＲＯＭ方式について述べてきた
が、初期化磁界、バイアス磁界の方向と大きさを考慮す
れば、表面粗さの大きい基板面の中に、表面粗さの小さ
い信号ピットを形成した構成のディスク基板であっても
よい。

【００６２】なお、第一から第五の実施形態では、ポリ
カーボネートあるいはポリオレフィンのディスク基板を
用い、光スポットのトラッキングガイドのための環状の
案内溝、プリピット、あるいは表面粗さを用いた信号ピ
ットを備えた構成の光磁気ディスクについて述べてきた
が、ディスク基板上に、スパイラル状、あるいはサンプ
ルサーポ方式、ＤＢＦ方式を用いたトラッキングガイド
のためのプリピットを設けた構成、あるいはそれらを組
み合わせた構成のディスク基板を用いてもよい。

【００６３】また、第一から第五の実施形態では、記録
再生層には、ＴｂＦｅＣｏを用いた記録膜あるいは複数
の記録膜を積層した構成の記録再生層からなる光磁気デ
ィスクについて述べてきたが、ＴｂＣｏ、ＧｄＣｏ、Ｇ
ｄＴｂＦｅ、ＤｙＦｅＣｏ等の希土類遷移金属合金、あ
るいは、ＭｎＢｉ、ＰｔＭｎＳｎ、多結晶材料を用いた
光磁気材料、あるいはそれらを含み、かつ、材料または
組成の異なる複数の記録膜より構成された記録再生層で
あればよい。

【００６４】また、第一から第五の実施形態では、交換
結合多層膜の記録膜を用いて、光変調オーバーライト方
式、ＦＡＤ方式およびダブルマスク方式の超解像記録再
生、および、超解像ＲＯＭ方式に利用した場合の記録再
生方式について述べてきたが、それ意外のダイレクトオ
ーバーライト方式、ＲＡＤ方式もしくはそれ以外の超解
像方式、あるいはそのほかの高記録密度化を得るために
記録再生方式を用い、記録再生時の磁界の印加方式とレ
ーザ光強度の異なるディスクについても、その互換性を
保つためには、光磁気ディスクの識別信号と磁界および
レーザ光強度に関する情報を記録した構成を用いれば、
同等あるいはそれ以上の効果が得られる。

【００６５】また、第二から第五の実施形態において
は、必要な磁界強度を学習するためには、記録層に基準
信号を記録した上で測定を行う必要があるが、この基準
信号がディスクの構成要素として、あらかじめ記録され
ている構成としても良い。

【００６６】次に本発明の光磁気ディスクの記録再生装
置の第一の実施形態について、図面を参照しながら説明
する。図１１は、本実施形態の概念図を示すものであ
る。以下、動作方法について説明する。まず、記録再生
装置に光磁気ディスク５０を挿入する。次に、レーザ駆
動回路５３により、再生パワーに設定レーザ光源５２か
らのレーザ光をディスク識別信号部に照射する。このと
きディスクの識別情報と、記録時あるいは再生時の磁界
に関する情報信号を検出する。この信号は偏向ビームス
プリッタ５１、検出器５４からヘッドアンプ５５を通過
し、信号処理部５６ａに至る。ここで、挿入されたディ
スクが従来の光磁気ディスク、あるいはオーバーライト
可能な光磁気ディスク、ＦＡＤ方式、ダブルマスク方式
等の超解像方式によりドメイン長０.５μｍ以下での記
録再生が可能な光磁気ディスク、超解像ＲＯＭディスク
のいずれであるかの識別を行う。このディスクの識別情
報と、記録時あるいは再生時の初期化磁界もしくは再生
時のバイアス磁界およびレーザ光強度に関する情報を用
いて制御部５６ｂにより、初期化磁界の磁界駆動回路５
７及びバイアス磁界の磁界駆動回路５８の磁界の制御を
行う。また、レーザ光強度に関する情報信号を用いて、
レーザ駆動回路５３によりレーザ光源５２の制御を行
う。このような構成により、簡易な方法で光磁気ディス
クの識別が可能で、磁界の制御も容易にでき、適切な磁
界とレーザ光をディスクに印加することができることに
なる。

【００６７】次に、本発明の光磁気ディスクの記録再生
装置の第二の実施形態について、図面を参照しながら説
明する。図１２は、本実施形態の概念図を示すものであ
る。以下、動作方法について説明する。まず、記録再生
装置に光磁気ディスク１２０を挿入する。次に、レーザ
駆動回路１２３により再生パワーに設定されたレーザ光
をディスク識別信号部に照射する。このときディスクの
識別情報と、記録時あるいは再生時の磁界に関する情報
信号を検出する。この検出した信号は偏向ビームスプリ
ッタ１２１、検出器１２４からヘッドアンプ１２５を通
過し、信号処理部のメモリ部１２６に記録される。この
情報により、従来の光磁気ディスク、あるいはオーバー
ライト可能な光磁気ディスク、ＦＡＤ方式、ダブルマス
ク方式等の超解像方式によりドメイン長０.５μｍ以下
での記録再生が可能な光磁気ディスク、、超解像ＲＯＭ
ディスクのいずれであるかの識別を行う。このディスク
の識別情報と記録時、あるいは再生時の初期化磁界もし
くは再生時のバイアス磁界およびレーザ光強度に関する
情報を用いて制御部１２７により、初期化磁界の磁界駆
動回路１２８及びバイアス磁界の磁界駆動回路１２９の
磁界の制御を行う。また、レーザ光強度に関する情報信
号を用いて、レーザ駆動回路１２３によりレーザ光源１
２２の制御を行う。

【００６８】このように、本実施形態の光磁気ディスク
記録再生装置は、、簡易な方法で光磁気ディスクの識別
が可能で、磁界の制御も容易にでき、適切な磁界とレー
ザ光をディスクに印加することができることになる。

【００６９】

【発明の効果】以上のように本発明は、下記のような効
果がある。

【００７０】（１）必要な初期化磁界強度もしくはバイ
アス磁界強度と信号再生時の出力信号との関係を測定す
るための領域を光磁気ディスク上に設けることにより、
ディスクの記録再生装置で最適な磁界条件が設定でき
る。

【００７１】（２）初期化磁界もしくはバイアス磁界が
必要な光磁気ディスクであるかどうかの識別信号と、前
記必要な初期化磁界強度もしくはバイアス磁界強度と信
号再生時の出力信号との関係を測定するための領域と、
この測定領域において測定した情報、及び磁界に関する
情報を記録再生できる領域を光磁気ディスク上に設ける
ことにより、上位互換性がある光磁気ディスクの記録再
生装置でも、簡易な方法でディスクの識別が可能とな
り、さらに最適な磁界条件が設定できる。

【００７２】（３）光磁気ディスクの記録再生装置が、
前記光磁気ディスク上の識別信号及び再生磁界情報を読
み取り、再生時に初期化磁界もしくはバイアス磁界が必
要な場合には、再生時に必要な初期化磁界条件もしくは
バイアス磁界条件を前記光磁気ディスクの磁界条件を測
定するための領域を用いて測定することが可能な、ある
いは学習することが可能な構成であって、前記測定領域
により測定した再生条件を前記光磁気ディスクに書き換
える手段を有し、さらに前記光磁気ディスクに書き換え
た再生条件に関する情報を用いることにより、簡易な方
法で光磁気ディスクの識別が可能で、磁界の制御も容易
にでき、適切な磁界とレーザ光をディスクに印加するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一の実施形態における光磁気ディス
クの断面図

【図２】本発明の第一の実施形態における光磁気ディス
クのディスクフォーマットを示す概略図

【図３】本発明の第二の実施形態における光磁気ディス
クの断面図

【図４】本発明の第二の実施形態における光磁気ディス
クのディスクフォーマットを示す概略図

【図５】ＦＡＤ方式の再生磁界に対する再生信号の特性
を示した図

【図６】本発明の第三の実施形態における光磁気ディス
クの断面図

【図７】本発明の第三の実施形態における光磁気ディス
クのディスクフォーマットを示す概略図

【図８】本発明の第四の実施形態における光磁気ディス
クの断面図

【図９】本発明の第四の実施形態における光磁気ディス
クのディスクフォーマットを示す概略図

【図１０】本発明の第五の実施形態における光磁気ディ
スクのディスクフォーマットを示す概略図

【図１１】本発明の光磁気ディスクの記録再生装置の第
一の実施形態における構成を示す概念図

【図１２】本発明の光磁気ディスクの記録再生装置の第
二の実施形態における構成を示す概念図

【図１３】光強度変調オーバーライト方式の記録時の構
成図

【図１４】レーザビーム・スポット径と再生可能な記録
ドメインの記録密度との関係を説明する図

【図１５】ＦＡＤ方式による再生時の構成図

【図１６】ダブルマスク方式による再生時の構成図

【図１７】本発明の第五の実施形態における超解像ＲＯ
Ｍ方式光磁気ディスクの構造図

【図１８】超解像ＲＯＭ方式の再生磁界による再生原理
を示すための記録層の温度に対する保持力特性を示す図

【符号の説明】

１，１１，２１，９１，１１１基板２，４，１２，２２，９２誘電体層３記録膜５反射層６，１６，２７，９８オーバーコート層７，１７，２８，９９セクターマーク８，１８，２９，１００アドレスフィールド９，１９，３０，１０１，１１８データフィールド１０，２０ａ，３１ｂ，１０２，１１９ｂメモリー領
域１３記録再生層１４記録補助層１５，２６，９７保護層２０ｂ，３１ａ，１０３，１１９ａ学習領域２３，９３再生層２４，９５中間層２５，９６記録層５０，１２０光磁気ディスク５１，１２１偏向ビームスプリッタ５２，１２２レーザ光源５３，１２３レーザ駆動回路５４，１２４検出器５５，１２５ヘッドアンプ５６ａ信号処理部５６ｂ，１２７制御部５７，１２８初期化磁界駆動回路５８，１２９バイアス磁界駆動回路９４再生補助層１２６メモリ部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上にスパイラル状もしくは同心円状
の案内溝、あるいはプリピットを有し、光により情報の
記録、再生、消去を行う光磁気ディスクであって、必要
な初期化磁界強度もしくはバイアス磁界強度と信号再生
時の出力信号との関係を測定するための領域を前記基板
上に設けたことを特徴とする光磁気ディスク。
【請求項２】前記光磁気ディスク上に、必要な初期化
磁界強度もしくはバイアス磁界強度に関する情報が記録
されている請求項１記載の光磁気ディスク。
【請求項３】前記光磁気ディスク上に、初期化磁界も
しくはバイアス磁界が必要な光磁気ディスクであるかど
うかの識別信号が記録されている請求項１記載の光磁気
ディスク。
【請求項４】前記光磁気ディスク上に、必要な初期化
磁界強度もしくはバイアス磁界強度に関する情報、及び
初期化磁界もしくはバイアス磁界が必要な光磁気ディス
クであるかどうかの識別信号が記録されている請求項１
記載の光磁気ディスク。
【請求項５】前記光磁気ディスク上に、必要な初期化
磁界強度もしくはバイアス磁界強度と信号再生時の出力
信号との関係を測定するための領域において測定した磁
界強度に関する情報を記録再生できる領域を設け、初期
化磁界もしくはバイアス磁界が必要な光磁気ディスクで
あるかどうかの識別信号、及び必要な初期化磁界強度も
しくはバイアス磁界強度に関する情報が記録されている
請求項１記載の光磁気ディスク。
【請求項６】基板上にスパイラル状もしくは同心円状
の案内溝、あるいはプリピットを有し、光により情報の
記録、再生、消去を行い、交換結合した多層膜の記録再
生層により磁気的超解像記録再生が可能な光磁気ディス
クであって、前記光磁気ディスク上に、必要な初期化磁
界強度もしくはバイアス磁界強度と信号再生時の出力信
号との関係を測定するための領域を前記基板上に設けた
ことを特徴とする光磁気ディスク。
【請求項７】前記光磁気ディスク上に、必要な初期化
磁界強度もしくはバイアス磁界強度に関する情報が記録
されている請求項６記載の光磁気ディスク。
【請求項８】前記光磁気ディスク上に、初期化磁界も
しくはバイアス磁界が必要な光磁気ディスクであるかど
うかの識別信号が記録されている請求項６記載の光磁気
ディスク。
【請求項９】前記光磁気ディスク上に、必要な初期化
磁界強度もしくはバイアス磁界強度に関する情報、及び
初期化磁界もしくはバイアス磁界が必要な光磁気ディス
クであるかどうかの識別信号が記録されている請求項６
記載の光磁気ディスク。
【請求項１０】前記光磁気ディスク上に、必要な初期
化磁界強度もしくはバイアス磁界強度と信号再生時の出
力信号との関係を測定するための領域において測定した
磁界強度に関する情報を記録再生できる領域を設け、初
期化磁界もしくはバイアス磁界が必要な光磁気ディスク
であるかどうかの識別信号、及び必要な初期化磁界強度
もしくはバイアス磁界強度に関する情報が記録されてい
る請求項６記載の光磁気ディスク。
【請求項１１】光により情報の記録、再生、消去を行
い、情報の再生時に少なくとも初期化磁界もしくはバイ
アス磁界を印加する磁界発生装置を有した構成の、光磁
気ディスクの記録再生装置であって、情報の再生時に必
要な初期化磁界条件もしくはバイアス磁界条件を、前記
光磁気ディスク上の磁界条件を測定するための領域を用
いて測定することが可能な、あるいは学習することが可
能な構成を備えたこととを特徴とする光磁気ディスクの
記録再生装置。
【請求項１２】前記の情報の再生時に必要な初期化磁
界条件もしくはバイアス磁界条件を測定するための領域
により測定した情報を用いて再生条件を設定することに
より、光磁気ディスクを再生する構成を備えた請求項１
１記載の光磁気ディスクの記録再生装置。
【請求項１３】光により情報の記録、再生、消去を行
い、情報の再生時に少なくとも初期化磁界もしくはバイ
アス磁界を印加する磁界発生装置を有した構成の光磁気
ディスクの記録再生装置であって、情報の再生時に少な
くとも初期化磁界もしくはバイアス磁界が必要な光磁気
ディスクであるかどうかの識別信号、及び再生磁界情報
を読み取り、読み出した情報を用いて、再生時に必要な
初期化磁界条件もしくはバイアス磁界条件を設定するこ
とが可能なことを特徴とする光磁気ディスクの記録再生
装置。
【請求項１４】光により情報の記録、再生、消去を行
い、情報の再生時に少なくとも初期化磁界もしくはバイ
アス磁界を印加する磁界発生装置を有した構成の、光磁
気ディスクの記録再生装置であって、情報の再生時に少
なくとも初期化磁界もしくはバイアス磁界が必要な光磁
気ディスクであるかどうかの識別信号、及び再生磁界情
報を読み取り、再生時に初期化磁界もしくはバイアス磁
界が必要な場合には、再生時に必要な初期化磁界条件も
しくはバイアス磁界条件を前記光磁気ディスクの磁界条
件を測定するための領域を用いて測定することが可能
な、あるいは学習することが可能な構成の記録再生装置
であって、前記の磁界条件を測定するための領域により
測定した再生条件を用いることにより光磁気ディスクを
再生する構成を備えたことを特徴とする光磁気ディスク
の記録再生装置。
【請求項１５】光により情報の記録、再生、消去を行
い、情報の再生時に少なくとも初期化磁界もしくはバイ
アス磁界を印加する磁界発生装置を有した構成の、光磁
気ディスクの記録再生装置であって、情報の再生時に少
なくとも初期化磁界もしくはバイアス磁界が必要な光磁
気ディスクであるかどうかの識別信号、及び再生磁界情
報を読み取り、再生時に初期化磁界もしくはバイアス磁
界が必要な場合には、再生時に必要な初期化磁界条件も
しくはバイアス磁界条件を前記光磁気ディスクの磁界条
件を測定するための領域を用いて測定することが可能
な、あるいは学習することが可能な構成の記録再生装置
であって、前記の磁界条件を測定するための領域を用い
て測定した再生条件を前記光磁気ディスクに記録する手
段を有し、さらに前記光磁気ディスクに記録した再生条
件に関する情報を用いることにより再生条件を設定し、
光磁気ディスクを再生する構成を備えたことを特徴とす
る光磁気ディスクの記録再生装置。
【請求項１６】光により情報の記録、再生、消去を行
い、情報の再生時に少なくとも初期化磁界もしくはバイ
アス磁界を印加する磁界発生装置を有した構成の、光磁
気ディスクの記録再生装置であって、情報の再生時に少
なくとも初期化磁界もしくはバイアス磁界が必要な光磁
気ディスクであるかどうかの識別信号、及び再生磁界情
報を読み取り、再生時に初期化磁界条件もしくはバイア
ス磁界条件の書き換えが必要な場合には、再生時に必要
な初期化磁界条件もしくはバイアス磁界条件を前記光磁
気ディスクの磁界条件を測定するための領域を用いて測
定することが可能な、あるいは学習することが可能な構
成の記録再生装置であって、前記の磁界条件を測定する
ための領域を用いて測定した再生条件を前記光磁気ディ
スクに書き換える手段を有し、さらに前記光磁気ディス
クに書き換えた再生条件に関する情報を用いることによ
り再生条件を設定し、光磁気ディスクを再生する構成を
備えたことを特徴とする光磁気ディスクの記録再生装
置。