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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7001457B2 (en) 2001-05-01 2006-02-21 Ricoh Company, Ltd. Crystal growth method, crystal growth apparatus, group-III nitride crystal and group-III nitride semiconductor device
US7220311B2 (en) 2002-11-08 2007-05-22 Ricoh Company, Ltd. Group III nitride crystal, crystal growth process and crystal growth apparatus of group III nitride
JP4508613B2 (ja) * 2002-11-26 2010-07-21 株式会社リコー Ｉｉｉ族窒化物の結晶製造方法
US7261775B2 (en) 2003-01-29 2007-08-28 Ricoh Company, Ltd. Methods of growing a group III nitride crystal
JP4534631B2 (ja) 2003-10-31 2010-09-01 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
JP5299213B2 (ja) * 2003-10-31 2013-09-25 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
JP2005194146A (ja) * 2004-01-08 2005-07-21 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
JP4562398B2 (ja) * 2004-01-26 2010-10-13 株式会社リコー Ｉｉｉ族窒化物の結晶製造方法
JP4661069B2 (ja) * 2004-03-26 2011-03-30 三菱化学株式会社 周期表第１３族金属窒化物結晶の製造方法
US7794539B2 (en) * 2004-03-31 2010-09-14 Panasonic Corporation Method for producing III group element nitride crystal, production apparatus for use therein, and semiconductor element produced thereby
KR101077323B1 (ko) 2004-07-07 2011-10-26 스미토모덴키고교가부시키가이샤 질화물단결정 및 그 제조방법
JP4722471B2 (ja) * 2004-12-15 2011-07-13 株式会社リコー Ｉｉｉ族窒化物結晶製造方法およびｉｉｉ族窒化物結晶成長装置
JP4615327B2 (ja) * 2005-02-03 2011-01-19 株式会社リコー Ｉｉｉ族窒化物の結晶製造方法
JP4603498B2 (ja) 2005-03-14 2010-12-22 株式会社リコー Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法及び製造装置
JP5046490B2 (ja) * 2005-03-25 2012-10-10 日本碍子株式会社 単結晶育成用の反応容器および単結晶の育成方法
JP4640943B2 (ja) * 2005-03-28 2011-03-02 株式会社リコー Ｉｉｉ族窒化物の結晶製造方法
TW200706710A (en) 2005-05-12 2007-02-16 Ricoh Co Ltd Process for producing group iii element nitride crystal, apparatus for producing group iii element nitride crystal, and group iii element nitride crystal
JP4732146B2 (ja) * 2005-11-21 2011-07-27 株式会社リコー 結晶成長装置および製造方法
EP1775356A3 (en) 2005-10-14 2009-12-16 Ricoh Company, Ltd. Crystal growth apparatus and manufacturing method of group III nitride crystal
JP4690849B2 (ja) * 2005-10-14 2011-06-01 株式会社リコー 結晶成長装置および製造方法
JP4856934B2 (ja) 2005-11-21 2012-01-18 株式会社リコー ＧａＮ結晶
US20070215034A1 (en) 2006-03-14 2007-09-20 Hirokazu Iwata Crystal preparing device, crystal preparing method, and crystal
JP5053555B2 (ja) * 2006-03-22 2012-10-17 株式会社リコー 結晶製造装置および製造方法
WO2007122867A1 (ja) 2006-03-24 2007-11-01 Ngk Insulators, Ltd. 窒化物単結晶の製造方法および装置
JP4921855B2 (ja) * 2006-06-02 2012-04-25 株式会社リコー 製造方法
JP4848243B2 (ja) * 2006-10-13 2011-12-28 株式会社リコー 結晶製造装置
JP4880499B2 (ja) * 2007-03-08 2012-02-22 株式会社リコー 結晶製造装置
US7708833B2 (en) 2007-03-13 2010-05-04 Toyoda Gosei Co., Ltd. Crystal growing apparatus
JP4926996B2 (ja) * 2007-03-13 2012-05-09 豊田合成株式会社 結晶成長装置
EP2261401A4 (en) 2008-03-03 2012-11-28 Mitsubishi Chem Corp NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
JP5115413B2 (ja) * 2008-09-09 2013-01-09 トヨタ自動車株式会社 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法
JP4956515B2 (ja) * 2008-09-26 2012-06-20 株式会社リコー Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
JP5093924B2 (ja) * 2009-01-09 2012-12-12 住友電気工業株式会社 種結晶表面のエッチング方法
CN102906315B (zh) 2010-05-31 2015-06-24 国际商业机器公司 制造单晶片
US20130015560A1 (en) * 2011-07-13 2013-01-17 The Regents Of The University Of California Growth of bulk group-iii nitride crystals after coating them with a group-iii metal and an alkali metal
JP5589997B2 (ja) * 2011-09-12 2014-09-17 株式会社リコー 結晶製造装置
JP5621870B2 (ja) * 2013-03-22 2014-11-12 株式会社リコー Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
CN115819791A (zh) * 2022-12-16 2023-03-21 烟台大学 一种通过控制保护气压力调控mof形貌的方法

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