JP2000335125A

JP2000335125A - 印刷用凹版、それを用いたオフセット印刷方法および画像形成装置

Info

Publication number: JP2000335125A
Application number: JP14819899A
Authority: JP
Inventors: Kazunari Yonemoto; 一成米元; Nobuyuki Ishikawa; 信行石川
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-05-27
Filing date: 1999-05-27
Publication date: 2000-12-05

Abstract

(57)【要約】【課題】ドクタリング工程における凹版パターンでの
ブレード刃面の不均一摩耗を解消し、ブレード接触不良
による版上スジ状インキ残りを防止して、高精細印刷が
可能となる、印刷用凹版、それを用いたオフセット印刷
法および画像形成装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明により、凹部パターン深さが５ミ
クロ以上で、その凹部パターン外側部に深さ０．５ミク
ロン以上〜２ミクロン以下のスジ状溝加工が施してある
ことを特徴とする印刷用凹版が提供され、また上記印刷
用凹版の凹板上の溝方向に対するドクタリング角度を９
０°より小さくすることを特徴とするオフセット印刷方
法および上記印刷用凹板を具備した素子電極形成用画像
形成装置が提供される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は印刷版に形成された
原版パターンを被印刷物の上に高精度に転写印刷形成す
るための印刷用凹板、それを用いた印刷方法、および転
写印刷形成した印刷パターンを用いた画像表示装置に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、大きく重いブラウン管に代わる画
像形成装置として、薄型の平板状画像形成装置が注目さ
れている。平板状画像形成装置としては液晶表示装置が
盛んに研究開発されているが、液晶表示装置には画像が
暗い、視野角が狭いといった課題が依然として残ってい
る。液晶表示装置に代わるものとして自発光型のディス
プレイ、すなわちプラズマディスプレイ、蛍光表示管、
表面伝導型電子放出素子などの電子放出素子を用いたデ
ィスプレイなどがある。自発光のディスプレイは液晶表
示装置に比べ明るい画像が得られるとともに視野角も広
い。一方、最近では３０インチ以上の画面表示部を有す
るブラウン管も登場しつつあり、さらなる大型化が望ま
れている。しかしながらブラン管は大型化の際にはスペ
ースを大きくとることから適しているとは言い難い。こ
のような大型で明るいディスプレイには自発光型の平板
状のディスプレイが適している。

【０００３】本出願人は自発光型の平板状画像形成装置
の中でも電子放出素子を用いた画像形成装置、特に簡単
な構造で電子の放出が得られるM.I.Elinson らによって
発表された（Radio Eng. Electron. Phys., 10, 1290
(1965))表面伝導型電子放出素子を用いた画像形成装置
に着目している。表面伝導型電子放出素子は、基板上に
形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すこと
により、電子放出が生ずる。この表面伝導型電子放出素
子としては、前記エリンソンなどによるＳｎＯ₂薄膜を
用いたもの、Ａｕ薄膜によるもの[G. Dittmer: Thin So
lid Films, 9, 317 (1972)] 、Ｉｎ₂ Ｏ₃ ／ＳｎＯ₂ 薄
膜によるもの［M. Hartwell and C. G. Fonstad: IEEE
Trans. ED Conf., 519 (1975)]、カーボン薄膜によるも
の［荒木久他：真空、第２６巻、第１号、２２頁（１９
８３）］などが報告されている。

【０００４】これらの表面伝導型電子放出素子の典型的
な例として前述のＭ．ハートウェルの素子構成を図５に
模式的に示す。同図において１００１は基板である。１
００４は導電性薄膜で、Ｈ型形状のパターンにスパッタ
で形成された金属酸化物薄膜などからなり、後述の通電
フォーミングと呼ばれる通電処理により電子放出部１０
０５が形成される。なお、図中の素子電極間隔Ｌは０．
５〜１ｍｍ、Ｗ’は０．１ｍｍで設定されている。

【０００５】本出願人は先に米国特許５，０６６，８８
３において、一対の素子電極間に電子を放出せしめる微
粒子を分散配置させた表面伝導型電子放出素子を提案し
た。この電子放出素子は、上記従来の表面伝導型電子放
出素子に対し、電子放出位置を精密に制御できる。この
表面伝導型電子放出素子の典型的な素子構成を図６に示
す。図６（ａ）は素子構成の平面図、図６（ｂ）は素子
構成の断面図を示す。本図において１１０１は絶縁性基
板、１１０２，１１０３は電気的接続を得るための素子
電極、１１０４は分散配置された微粒子導電材からなる
導電薄膜である。この表面伝導型電子放出素子において
前記一対の素子電極の間隔はＬ１は０．０１μｍ〜１０
０μｍ、導電薄膜１１０４の電子放出部のシート抵抗は
１×１０ ^-3Ω／□〜１×１０^-9Ω／□が適当である。ま
た素子電極は微粒子導電材からなる薄膜と電気的な接続
を保つためにその膜厚ｄを２００ｎｍ以下に薄く形成す
るのが望ましい。

【０００６】本発明者らはこの表面伝導型電子放出素子
を多数、基板上に配置させた画像形成装置の大面積化に
ついて検討を行っている。電子放出素子および配線を基
板上に配置させた電子源基板を作成する方法は様々な方
法が考えられ、その一つとして素子電極、配線など全て
をフォトリソグラフィ法で作成する方法がある。

【０００７】一方、スクリーン印刷、オフセット印刷な
どの印刷技術を転用してこの表面伝導型電子放出素子お
よびそれを含む電子源基板作成を作成する方法が考えら
れる。印刷法は大面積のパターンを形成するのに適して
おり、表面伝導型電子放出素子の素子電極を印刷法によ
り作成することによって多数の表面伝導型電子放出素子
を基板上に形成することが可能となる。またコスト的に
も有利である。印刷法による素子電極の形成においては
薄膜の形成に適しているオフセット印刷技術が素子電極
を形成するのに適している。このオフセット印刷技術を
回路基板に応用した例としては特開平４−２９０２９５
号公報に開示されてものがある。当該公報に開示された
基板は印刷時のパターン伸縮を原因とする電極ピッチ寸
法のバラツキによる接合不良をなくすために回路部品に
接続される複数の接合電極の角度を変化させたものであ
る。そして当該公報には電極パターンをオフセット印刷
により形成することが記載されている。

【０００８】以下に電極パターンやカラーフィルタなど
を形成するための一般的なオフセット印刷装置および印
刷方法について説明する。

【０００９】図７はオフセット印刷法を行う平台校正機
型オフセット印刷装置を示す図である。本図において１
０１はインキローラー１０４でインク１０７を展開する
インキ練り台であり、１０２は凹版１０５を固定する版
定盤である。また１０３は被印刷物であるワーク１０６
を固定するワーク定盤であり本体フレーム１０８の上に
固定配置されている。この一列に並んだ３つの定盤の両
側に２本のラックギヤー１０９，１１０を配置し、その
ラックギヤ−１０９，１１０の上にギヤー１１１，１１
２を噛み合わせたブランケット１１３が配置されてい
る。ブランケット１１３はその軸を両端のキャリッジ１
１４，１１５で固定され、このキャリッジ１１４，１１
５が本体下部からのクランクアーム（図示せず）のクラ
ンク動作によって前後進し、ブランケット１１３はイン
キ練り台１０１、凹版１０５、ワーク１０６の上を順次
回転摺動する。ブランケット１１３の表面はゴム状のブ
ランケットラバーが取り付けてある。

【００１０】図８（ａ）〜（ｄ）はオフセット印刷工程
を示す図である。本図において１０１はインキ練り台、
１０５は凹版、１０６はワークとなるガラス基板であり
同一平面に直列に配置されている。１０４はインキロー
ルであり、インキ練り台１０１上で練ったインキ１０７
を凹版１０５上に転移させる（図８ａ）。１１７はドク
ターブレードであり凹版１０５上面を摺動して転移され
たインキ１０７のうち、凹部に充填されたインキ以外を
かきとる（図８ｂ）。１１３はブランケットであり、凹
版１０５、ガラス基板１０６上面を順に回転接触するこ
とにより、凹版１０５の凹部に充填されたインキを受理
し（図８ｃ）、ガラス基板１０６上に凹版１０５の有す
るパターン状にインキ１０７を転移する（図８ｄ）。

【００１１】以上により印刷工程が終了する。印刷イン
キ１０７は作製するパターンの機能によって適宜選択す
ることができる。すなわち記録用サーマルヘッドなどの
電極パターンには主にＡｕレジネートペーストと呼ばれ
る有機Ａｕ金属を含むインキを用い、また、液晶表示装
置などに用いられるカラーフィルターであれば、Ｒ，
Ｇ，Ｂ各色の顔料を分散したインキや有機色素を含んだ
インキなどが用いられる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】以上に説明したような
平面型画像表示装置の画面を大面積化するには、以下の
ような問題点がある。

【００１３】前記単純マトリックス液晶表示装置（以下
ＬＣＤと略称する）、薄膜トランジスタ液晶表示装置
（ＴＦＴ）、マルチ電子源フラット（ＣＲＴ）など、薄
膜画像形成素子の電子回路加工工程において被加工物に
機能薄膜を成膜し、これをパターン加工することが行わ
れる。例えば、基板上にＡｌ材を成膜した後、ホトリ
ソ、エッチングにより配線パターンが形成される。

【００１４】しかしながら、例えば、４０ｃｍ角以上の
大型基板上に微細なパターンをホトリソ技術により製造
する場合、大型露光装置を含む大型装置が必要となり莫
大な費用がかかる。また、シリコン半導体用の露光装置
と異なり、大面積基板対応露光装置では、解像力の低下
や、一基板当たりの処理時間が長くなるという製造上の
問題点がる。また、プロセス工程中のハンドリングも難
しくなり、大面積基板上に電子放出素子および配線を作
成するのは容易ではなかった。

【００１５】さらに、１ｍ程度の大面積基板で高精度の
ホトリソを行うことは、製造装置自体の大型化が困難で
あり、製造コストが膨大になるという欠点があった。

【００１６】一方、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）表
示装置のように厚膜による電子回路の加工工程において
は、スクリーン印刷法で、導電性ペーストや絶縁性ペー
ストを直接パターン印刷した後、焼成して電極配線パタ
ーンや絶縁層を形成する方法が行われている。印刷法に
よるパターニングは比較的大面積基板に対応可能であ
り、一基板当たりの処理時間もホトリソ技術に比べて短
い。

【００１７】しかしながら、レジストインキや導電ペー
スト、絶縁ペーストの印刷版から基板への転写時にスク
リーン版の変形が生じ、印刷パターンが変形しやすく、
パターンの位置精度に限界がある。このスクリーン版の
変形は印刷面積が広いほど大きくなる傾向にある。

【００１８】さらには、上記したオフセット印刷装置を
用いて大面積の印刷パターンを形成する場合、ドクタリ
ング工程においては、凹版パターン部にインキを広げて
その後ブレードを使ってドクタリングする際に、ブレー
ドの刃の部分が凹版パターンとの間欠的な接触を繰り返
すために、部分的な摩耗や時には欠けなどが生じてしま
う。そしてそのままドクタリングすると、ブレードの接
触が部分的に不均一であるために、凹版上にすじ状のイ
ンキ残りが生じ印刷不良となっていた。

【００１９】また、これらのブレード摩耗による不均一
接触は、ワーク寸法をさらに大面積化した場合、装置の
大型化に伴いさらに悪化することは容易に判断できる。
このように、ドクタリング不均一が原因の印刷不良が広
範囲で発生するため、平面型画像表示装置画面を高精細
でかつ大面積化することが現状の印刷機では困難であっ
た。

【００２０】したがって、従来のオフセット印刷におけ
るブレードは、使用初期時には刃面仕上げの凹凸を平滑
化するために紙やすりでこすったり、版上で接触慣らし
動作させている。そしてその後のドクタリング工程で
は、凹版上のパターンとの接触によって、ブレード刃面
は不均一研磨、変形され、徐々にインキ引き残りなどの
ドクタリング不良が生じるため、適宜ブレードを再研磨
あるいは取り替える必要があった。

【００２１】本発明は上記した従来の問題点を解決する
もので、ドクタリング工程における凹版パターンでのブ
レード刃面の不均一摩耗を解消し、ブレード接触不良に
よる版上スジ状インキ残りを防止して、高精細印刷が可
能となる、印刷用凹版、それを用いたオフセット印刷法
および画像形成装置を提供することを目的とする。

【００２２】

【課題を解決するための手段】上記した本発明の目的
は、凹部パターン深さが５ミクロン以上で、その凹部パ
ターン外側部に深さ０．５ミクロン以上〜２ミクロン以
下のスジ状溝加工が施してあることを特徴とする印刷用
凹板の提供によって達成される。

【００２３】本発明はさらに、上記した印刷用凹版の凹
版上の溝方向に対するドクタリング角度を９０°より小
さくすることを特徴とするオフセット印刷方法をも提供
するものである。

【００２４】本発明はさらに、上記した印刷用凹版の具
備した素子電極形成用画像形成装置をも提供するもので
ある。

【００２５】上記した本発明による場合は、印刷パター
ンとの接触によって部分的に不均一に摩耗、変形したド
クターブレード刃面が、このスジ溝との接触により矯正
リペアされた広面積パターンにおいても常にドクターブ
レード、凹版とは均一接触となり、インキ引き残りなど
のドクタリング不良が防止できる。そして均一なインキ
充填および良好な印刷パターンが全面で転写可能にな
り、高精細、大面積な画像形成装置を実現するものであ
る。

【００２６】

【発明の実施の形態】本発明において対象とする印刷用
凹版は、その目的によって異なるが凹部パターン深さは
５ミクロン以上のもので、５ミクロンに満たない場合は
本発明の目的が達成されない。

【００２７】凹部パターン外側部に設けられるスジ状溝
加工は、深さ０．５ミクロン以上〜２ミクロン以下であ
る。溝深さが０．５ミクロンに満たない場合および２ミ
クロンを超える場合は本発明の目的が達成されない。

【００２８】凹部パターン外側部のスジ状溝加工の溝数
は、凹部パターンの深さ、形状、配列状態等により、ま
た溝深さ等によっても変わる。

【００２９】本発明の素子電極形成用画像形成装置は、
前記した本発明の印刷用凹版を用いることを除いて通常
用いられる素子電極形成用画像形成装置がそのまま使用
可能である。

【００３０】

【実施例】以下、本発明の印刷用凹版、本発明のオフセ
ット印刷方法および画像形成装置の一実施例について図
面を参照しながら説明する。

【００３１】実施例１図１は本発明の印刷用凹版の第１の実施態様を示す印刷
用凹版の平面図である。図１において、１０５は金属基
材（しんちゅうにＮｉ−Ｃｒコーティングつき）の凹版
であり、１は凹パターン部、２と３はスジ溝部である。

【００３２】図１に示すように、本発明の印刷用凹版
は、凹パターン部は例えば幅１５０μｍ、長さ３００μ
ｍ、深さ８μｍの矩形パットパターンで、多数個整列配
置されており、このときスジ溝部は幅・深さともに１μ
ｍの三角溝形状で、パターン部の前・後位置にパターン
底辺方向と平行な溝として１ｍｍ間隔で１０本ずつ計２
０本加工されている。

【００３３】また図２（ａ），（ｂ）は本発明の第一の
実施例におけるオフセット印刷方法でのドクタリング動
作を示す断面図である。図２（ａ），（ｂ）において１
１７はドクターブレード、１０７はインキ、１０２は版
定盤である。インキングはディスペンサを使い印刷パタ
ーン前面部に供給してあり（図２（ａ））、ドクタリン
グはこのスジ溝方向に対して０度（平行）位置で動作さ
せた（図２（ｂ））。

【００３４】このような構成でドクタリングすることに
より、ドクターはスジ溝部に均一接触しながら動作する
ので、印刷パターンとの接触によって部分的に不均一に
摩耗、変形したドクターブレード刃面が、このスジ溝と
の接触により矯正リペアされ、広面積パターンにおいて
も常にドクター、凹版とは均一接触となり、インキ引き
残りなどのドクタリング不良が防止できる。そして均一
なインキ充填および良好な印刷パターンが全面で転写可
能になる。またこのときスジ溝はパターンに比べて充分
に浅いので、インキが残っても乾燥してしまいパターン
として転写されないので印刷不良となることはない。な
おこのスジ溝加工部はパターン部の前・後の両方にあっ
てもよく、もちろんどちらか一方の溝加工でも構わな
い。

【００３５】したがって、上記スジ溝付き凹版を使用し
ドクタリングすることで、ドクター不良防止による印刷
品質の向上ができ、かつドクター再研磨、取り替えとい
った作業が減ることによる印刷効率の向上ができた。

【００３６】実施例２以下、オフセット印刷により形成された電子放出素子の
素子電極を用いた画像形成装置の製造方法について以下
に述べる。

【００３７】実施例１で説明した印刷用凹板によってガ
ラス基板上に電子放出素子の素子電極を印刷形成した。
本実施例においてインキは有機金属から成るＰｔレジネ
ートペースト（エヌ・イー・ケム・キャット（株）社
製、エム・オー・ペーストのＥ−３１００）を用いてい
る。ガラス基板上に転移されたインキは約８０℃の乾燥
と約５８０℃の焼成によってＰｔから成る素子電極とし
て利用できる。印刷乾燥後のガラス基板上のインキ転写
厚みは約２ミクロン程度と小さく印刷電極パターン幅の
太りは非常に小さかった。さらに、焼成後のＰｔ電極厚
みは約４００オングストロームと薄く形成することがで
きた。ここで、素子電極のパターン形状としては電子放
出材を配置する素子電極間隔を有し、その寸法を約２０
ミクロンに設定した。

【００３８】以上のようにして形成した素子電極に対し
て配線とＰｄ微粒子から成る薄膜を形成することによっ
て電子源基板を作成することができる。以下図を用いて
説明する。

【００３９】図３において、４０１は青板ガラスから成
る電子源基板。４０２，４０３，４０４は本発明によっ
てオフセット印刷形成された素子電極である。４０７，
４０８，４０９はＡｇペーストインキのスクリーン印
刷、焼成で得られた厚み約７ミクロンの印刷配線であ
る。素子電極４０２，４０３，４０４は印刷配線４０
７，４０８，４０９と各々接続している。４０５，４０
６は有機金属溶液の塗布焼成で得られた厚み約２００オ
ングストロームのＰｄ微粒子から成る薄膜であり、素子
電極４０２，４０３，４０４およびその電極間隔に配置
するようにＣｒ薄膜のリバースエッチ法によってパター
ニングした。４１０，４１１，４１２はメッキ配線で、
印刷配線４０７，４０８，４０９上に厚み約５０ミクロ
ン、幅４００ミクロンのＣｕメッキによって形成した。

【００４０】また４１５は青板ガラスから成るガラス基
板で、電子源基板４０１と５ｍｍ隔てられて対向してい
る。４１６，４１７は蛍光体で、基板４１５上に配置さ
れており、対向した電子源基板４０１上に配置された素
子電極４０２，４０３，４０４から成る素子電極間隔部
に対応した位置に形成されている。蛍光体４１６，４１
７は感光性樹脂を蛍光体を混ぜてスラリー状とし、塗布
乾燥した後ホトリソグラフィ法によってパターニング形
成したものである。４１８は蛍光体４１６、４１７上に
フィルミング工程を施した後、真空蒸着によって厚み約
３００オングストロームのＡｌ薄膜を成膜し、これを焼
成してフィルム層を焼失することによって得られたメタ
ルバックである。以上の、蛍光体およびメタルバックを
ガラス基板４１５上に形成したものをフェースプレート
と呼ぶ。

【００４１】４１９は素子基板とフェースプレート間に
配置されたグリッド電極である。以上を真空外囲器の中
に配置した後、メッキ配線４１０，４１１，４１２間に
電圧を印加して薄膜４０５，４０６の通電処理を行い電
子放出部４１３，４１４を得た。この後メタルバック４
１８をアノード電極として電子の引き出し電圧５ｋＶを
印加し、メッキ配線４１０，４１１，４１２間を通して
素子電極４０２，４０３から電子放出部４１３へ１４Ｖ
の電圧を印加したところ、電子が放出された。この放出
電子をグリッド４１９の電圧を変化させることによって
変調し、蛍光体４１８へ照射される放出電子量を調整す
ることができた。これにより蛍光体４１６を任意に発光
させることができた。同様に素子電極４０３，４０４か
ら電子放出部４１４へ１４Ｖの電圧を印加したところ、
電子が放出された。この放出電子をグリッド４１９の電
圧を変化させることによって変調し、蛍光体４１７へ照
射される放出電子量を調整することができた。これによ
り蛍光体４１７を任意に発光させることができた。

【００４２】なお図面上では２個の表示画素に対する構
成で説明したが、表示画素数はこれに限るものではな
い。したがって、配線とグリッドをマトリックス状に形
成し、多数個の電子放出素子を配置、駆動することによ
って多数個の表示画素によって任意の画像表示を可能と
することができる。

【００４３】このときの電子放出素子と蛍光体の位置ず
れによって生ずる蛍光輝点のクロストークはなかった。
すなわち、電子放出部をほぼ決定する、素子電極のギャ
ップ位置と、ホトリソグラフィ法で形成されたフェイス
プレートの蛍光体位置との相対位置が高精度であること
を示している。ここでスクリーン印刷によって形成され
た配線の位置精度は電気的な導通と絶縁が保たれる範囲
で位置ずれしてもよく、直接、蛍光輝点のクロストーク
には影響しない。

【００４４】実施例３以下、本発明の印刷装置および印刷方法、これを用いた
画像形成装置について別の実施例を用いて説明する。

【００４５】実施例１のようにして形成した素子電極に
電導薄膜を形成し、配線を形成することによって電子源
基板を形成することができる。さらに蛍光体を配したフ
ェースプレートを電子源基板に対向配置させた後、真空
容器を形成させることによって画像形成装置を形成する
ことができる。以下順に図４を用いて説明する。

【００４６】図４は本発明の製造装置を用いて形成した
画像形成装置の表面伝導型電子放出素子基板の製造工程
を示した上面図である。図４（ｅ）において不図示の青
板ガラス基板上に対して、電子放出素子を３個×３個、
計９個のマトリックス状に配線と共に形成した例で示
す。本図において５０１は上記オフセット印刷によって
形成された素子電極である。この素子電極パターンは本
実施例において２０μｍのギャップを隔てた一方の電極
が５００μｍ×１５０μｍ、他方が３５０μｍ×２００
μｍの長方形状の一対の電極がマトリクス状に配置され
ている。５０２は印刷Ａｇペーストの焼成によって形成
された下層印刷配線、５０３は印刷ガラスペーストの焼
成によって形成された下層印刷配線に対して直交した短
冊状の絶縁層である。絶縁層５０３は一対の素子電極５
０１の片側の電極位置に切りかき状の開口５０４を有し
ている。５０５は印刷Ａｇペーストの焼成によって形成
された上層印刷配線であり、絶縁層５０３上で短冊状に
配置形成されており、絶縁層５０３の開口５０４部分で
素子電極５０１の片側の電極と電気的に接続している。
下層配線５０２、絶縁層５０３、上層配線５０５は共に
スリーン印刷法で形成されている。

【００４７】５０９は電子放出材であるＰｄ微粒子から
なる薄膜であり素子電極５０１および電極間隔部に配線
形成される。

【００４８】以下、本図（ａ），（ｂ），（ｃ），
（ｄ），（ｅ）を用いて本素子基板の製造方法を順に説
明する。

【００４９】（ａ）上記実施例で作成した一対の素子電
極が多数配置された４０ｃｍ角の電子源基板を準備す
る。

【００５０】（ｂ）その基板上にまず第一の配線（下層
配線）を形成する。導電性ペーストに銀ペーストを用
い、スクリーン印刷法により印刷、焼成を行い、幅１０
０μｍ、厚み１２μｍの下層配線を形成した。

【００５１】（ｃ）次に下層配線と直交する方向に層間
絶縁膜をスクリーン印刷法により形成する。ペースト材
料は酸化鉛を主成分としてガラスバインダーおよび樹脂
を混合したガラスペーストである。このガラスペースト
をスクリーン印刷法により印刷、焼成を２回繰り返し行
いストライプ状に層間絶縁を形成した。

【００５２】（ｄ）次に層間絶縁上に第二の配線（上層
配線）を形成した。下配線と同様な方法により幅１００
μｍ、厚さ１２μｍの上層配線をスクリーン印刷法によ
り形成し、層間絶縁膜を介しテストライブ状の下層配線
とストライブ状の上層配線が直交したマトリクス配線が
形成される。

【００５３】（ｅ）次に電子放出部を形成する。まず素
子電極、配線が形成された基板上に有機パラジウム（Ｃ
ＣＰ４２３０奥野製薬工業（株））を塗布後、３００
℃、１０分間の加熱処理を行い、Ｐｄからなる導電薄膜
を形成する。導電薄膜はＰｄを主元素とする微粒子から
構成され、その膜厚は１０ｎｍであった。ここでの微粒
子膜は微粒子が集合した膜であり、微粒子が個々に分散
配置された状態のものばかりでなく、微粒子が互いに隣
接、あるいは重なり合った状態（島状も含む）の膜を指
し、その粒径は前記状態で認識可能な微粒子についての
径をいう。このパラジウム膜をフォトリソグラフィ法を
用いてパターニングすることによりフォーミング前まで
の電子源基板を完成する。

【００５４】電子源基板を４０ｃｍ角基板上に４８０個
×４８０個の電子放出素子をマトリクス状に配置して、
Ｒ，Ｇ，Ｂに対応する各蛍光体を有するフェイスプレー
トと共に真空外囲器内に配置した。この後、電子放出素
子の通電処理を行った後、本素子基板の上層印刷配線に
は１４Ｖの任意の電圧信号を、下層印刷配線には０Ｖの
電位を順次印加走査してそれ以外の下層印刷配線は７Ｖ
の電位とした。フェースプレートのメタルバックに５ｋ
Ｖのアノード電圧を印加したところ、任意の画像を表示
することができた。

【００５５】このときの電子放出素子と蛍光体の位置ズ
レによって生ずる蛍光輝点のクロストークはなかった。

【００５６】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、上記スジ溝付き凹版を使用しドクタリングすれば、
印刷パターンとの接触によって部分的に不均一に摩耗、
変形したドクターブレード刃面が、このスジ溝との接触
により矯正リペアされた広面積パターンにおいて常にド
クターブレード、凹版とは均一接触となり、インキ引き
残りなどのドクタリング不良が防止できる。そして均一
なインク充填および良好な印刷パターンが全面で転写可
能となり、高精細、大面積な画像形成装置を実現するこ
とができるという効果がある。また、ドクター再研磨、
取り替えといった作業が減ることによる印刷効率向上と
いう効果も有する。そしてさらに本発明による高精度印
刷パターンを使用することで、高精細ＳＣＥパネルの製
作が可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１の印刷用凹版を示す図。

【図２】本発明の実施例１のドクタリング動作を示す
図。

【図３】本発明の実施例２の画像表示装置を示す断面
図。

【図４】本発明の実施例３の画像形成装置を示す上面
図。

【図５】表面伝導型電子放出素子を示す上面図。

【図６】表面伝導型電子放出素子を示す上面図。

【図７】従来例のオフセット印刷装置を示す上面図。

【図８】従来例のオフセット印刷工程を示す側面図。

【符号の説明】

１凹パターン部２，３スジ溝部１０１インキ練り台１０２版定盤１０３被印刷物１０４インキローラ１０５凹版１０６ワーク（ガラス基板）１０７インキ１０８本体フレーム１１１，１１２ギヤー１１３ブランケット１１４，１１５キャリッジ１１７ドクターブレード４０１電子源基板４０２，４０３，４０４，５０１，１１０２，１１０３
素子電極４０５，４０６薄膜４０７，４０８，４０９印刷配線４１０，４１１，４１２メッキ配線４１３，４１４電子放出部４１５基板（ガラス）４１６，４１７，４１８蛍光体４１９グリッド５０２下層印刷配線５０３絶縁層５０４開口５０５上層印刷配線５０９薄膜１００１基板１００４，１１０４導電性薄膜１００５電子放出部１１０１絶縁性基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】凹部パターン深さが５ミクロン以上で、
その凹部パターン外側部に深さ０．５ミクロン以上〜２
ミクロン以下のスジ状溝加工が施してあることを特徴と
する印刷用凹版。
【請求項２】請求項１に記載の印刷用凹板の凹版上の
溝方向に対するドクタリング角度を９０°より小さくす
ることを特徴とするオフセット印刷方法。
【請求項３】請求項１に記載の印刷用凹版を具備した
素子電極形成用画像形成装置。