JPH1167081A - 平板型画像形成装置の製造方法、および平板型画像形成装置 - Google Patents
平板型画像形成装置の製造方法、および平板型画像形成装置Info
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- JPH1167081A JPH1167081A JP22044797A JP22044797A JPH1167081A JP H1167081 A JPH1167081 A JP H1167081A JP 22044797 A JP22044797 A JP 22044797A JP 22044797 A JP22044797 A JP 22044797A JP H1167081 A JPH1167081 A JP H1167081A
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- pattern
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 少なくともリアプレートと、フェースプレー
トからなり、リアプレート上には複数の電子放出素子を
有し、フェースプレートには画像形成部材を有してなる
平板型画像形成装置の、表示画面の大型化を可能にする
製造方法を提供する。 【解決手段】 リアプレートの電子放出素子の配置エリ
アを複数の領域に分割し、各分割エリア毎に素子電極を
オフセット印刷法で印刷して形成し、乾燥・焼成する。
トからなり、リアプレート上には複数の電子放出素子を
有し、フェースプレートには画像形成部材を有してなる
平板型画像形成装置の、表示画面の大型化を可能にする
製造方法を提供する。 【解決手段】 リアプレートの電子放出素子の配置エリ
アを複数の領域に分割し、各分割エリア毎に素子電極を
オフセット印刷法で印刷して形成し、乾燥・焼成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は印刷版に形成された
原版パターンを被印刷物の上に高精度に転写印刷形成す
る印刷法、印刷装置、及び転写印刷形成した印刷パター
ンを用いた画像表示装置に関するものであり、さらに
は、原版パターンを被印刷物の上に分割して印刷する方
法に関するものである。
原版パターンを被印刷物の上に高精度に転写印刷形成す
る印刷法、印刷装置、及び転写印刷形成した印刷パター
ンを用いた画像表示装置に関するものであり、さらに
は、原版パターンを被印刷物の上に分割して印刷する方
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、大きく重いブラウン管に代わる画
像表示装置として、薄型の平板状画像表示装置が注目さ
れている。平板型画像表示装置としては液晶表示装置が
盛んに研究開発されているが、液晶表示装置には画像が
暗い、視野角が狭いといった課題が依然として残ってい
る。液晶表示装置に代わるものとして自発光型のディス
プレイ、即ちプラズマディスプレイ、蛍光表示管、表面
伝導型電子放出素子などの電子放出素子を用いたディス
プレイなどがある。一方、最近では30インチ以上の画
面表示部を有するブラウン管も登場しつつあり、さらな
る大型化が望まれている。しかしながらブラウン管は大
型化の際もはスペースを大きくとることから適している
とは言い難い。このような大型で明るいディスプレイに
は自発光型の平板状のディスプレイが適している。本出
願人は自発光型の平板状画像表示装置の中でも電子放出
素子を用いた画像表示装置、特に簡単な構造で電子の放
出が得られるM.I.Elinsonらによって発表さ
れた(Radio.Eng.Electron.Phy
s.,10,1290,(1965)))表面伝導型電
子放出素子を用いた画像表示装置に着目している。
像表示装置として、薄型の平板状画像表示装置が注目さ
れている。平板型画像表示装置としては液晶表示装置が
盛んに研究開発されているが、液晶表示装置には画像が
暗い、視野角が狭いといった課題が依然として残ってい
る。液晶表示装置に代わるものとして自発光型のディス
プレイ、即ちプラズマディスプレイ、蛍光表示管、表面
伝導型電子放出素子などの電子放出素子を用いたディス
プレイなどがある。一方、最近では30インチ以上の画
面表示部を有するブラウン管も登場しつつあり、さらな
る大型化が望まれている。しかしながらブラウン管は大
型化の際もはスペースを大きくとることから適している
とは言い難い。このような大型で明るいディスプレイに
は自発光型の平板状のディスプレイが適している。本出
願人は自発光型の平板状画像表示装置の中でも電子放出
素子を用いた画像表示装置、特に簡単な構造で電子の放
出が得られるM.I.Elinsonらによって発表さ
れた(Radio.Eng.Electron.Phy
s.,10,1290,(1965)))表面伝導型電
子放出素子を用いた画像表示装置に着目している。
【0003】表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成
された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことによ
り、電子放出が生ずる。この表面伝導型電子放出素子と
しては、前記エリンソン等によるSnO2薄膜を用いた
もの、Au薄膜によるもの[G.Dittmer:Th
in Solid Films,9,317(197
2)],In2O3/SnO2薄膜によるもの[M.Ha
rtwell andC.G.Fonstad:IEE
E Trans. ED Conf.,519(197
5)]、カーボン薄膜によるもの[荒木久 他:真空、
第26巻、第1号、22頁(1983)]等が報告され
ている。
された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことによ
り、電子放出が生ずる。この表面伝導型電子放出素子と
しては、前記エリンソン等によるSnO2薄膜を用いた
もの、Au薄膜によるもの[G.Dittmer:Th
in Solid Films,9,317(197
2)],In2O3/SnO2薄膜によるもの[M.Ha
rtwell andC.G.Fonstad:IEE
E Trans. ED Conf.,519(197
5)]、カーボン薄膜によるもの[荒木久 他:真空、
第26巻、第1号、22頁(1983)]等が報告され
ている。
【0004】これらの表面伝導型電子放出素子の典型的
な例として前述のM.ハートウェルの素子構成を図7に
模式的に示す。同図において601は基板である。60
4は導電性薄膜で、H型形状のパターンにスパッタで形
成された金属酸化物薄膜等からなり、後述の通電フォー
ミングと呼ばれる通電処理により電子放出部605が形
成される。なお、図中の素子電極間隔Lは0.5〜1m
m、W’は0.1mmで設定されている。
な例として前述のM.ハートウェルの素子構成を図7に
模式的に示す。同図において601は基板である。60
4は導電性薄膜で、H型形状のパターンにスパッタで形
成された金属酸化物薄膜等からなり、後述の通電フォー
ミングと呼ばれる通電処理により電子放出部605が形
成される。なお、図中の素子電極間隔Lは0.5〜1m
m、W’は0.1mmで設定されている。
【0005】本出願人は先に特開平7−235255号
公報において一対の素子電極間に微粒子からなる導電性
薄膜を配置させ、さらに、フォーミングと呼ばれる処理
により、前記導電性薄膜の一部に電子放出部を形成した
表面伝導型電子放出素子を提案した。この電子放出素子
は上記従来の表面伝導型電子放出素子に対し、電子放出
位置を精密に制御できる。この表面伝導型電子放出素子
の典型的な素子構成を図8に示す。図8(a)は素子構
成の平面図、図8(b)は素子構成の断面図を示す。本
図において701は絶縁性基板、702,703は電気
的接続を得るための素子電極、704は微粒子からなる
導電性薄膜である。この表面伝導型電子放出素子におい
て前記一対の素子電極の間隔L1は数μm〜数100μ
m、導電性薄膜704のシート抵抗は1×102Ω/□
〜1×107Ω/□が適当である。
公報において一対の素子電極間に微粒子からなる導電性
薄膜を配置させ、さらに、フォーミングと呼ばれる処理
により、前記導電性薄膜の一部に電子放出部を形成した
表面伝導型電子放出素子を提案した。この電子放出素子
は上記従来の表面伝導型電子放出素子に対し、電子放出
位置を精密に制御できる。この表面伝導型電子放出素子
の典型的な素子構成を図8に示す。図8(a)は素子構
成の平面図、図8(b)は素子構成の断面図を示す。本
図において701は絶縁性基板、702,703は電気
的接続を得るための素子電極、704は微粒子からなる
導電性薄膜である。この表面伝導型電子放出素子におい
て前記一対の素子電極の間隔L1は数μm〜数100μ
m、導電性薄膜704のシート抵抗は1×102Ω/□
〜1×107Ω/□が適当である。
【0006】又、前記導電性薄膜をインクジェット法で
形成する手法が、特開平9−69334号公報により開
示されている。
形成する手法が、特開平9−69334号公報により開
示されている。
【0007】本発明者らはこの表面伝導型電子放出素子
を多数、基板上に配置させた画像表示装置の大面積化に
ついて検討を行ってきた。電子放出素子及び配線を基板
上に配置させた電子源基板(リアプレート)を作成する
方法は様々な方法が考えられ、その一つとして素子電
極、配線等全てフォトリソグラフィ法で作成する方法が
ある。
を多数、基板上に配置させた画像表示装置の大面積化に
ついて検討を行ってきた。電子放出素子及び配線を基板
上に配置させた電子源基板(リアプレート)を作成する
方法は様々な方法が考えられ、その一つとして素子電
極、配線等全てフォトリソグラフィ法で作成する方法が
ある。
【0008】一方、スクリーン印刷、オフセット印刷な
どの印刷技術を転用してこの表面伝導型電子放出素子及
びそれを含む電子源基板を作成する方法が考えられる。
印刷法は大面積のパターンを形成するのに適しており、
表面伝導型電子放出素子の素子電極を印刷法により作成
することによって多数の表面伝導型電子放出素子を基板
上に形成することが可能となる。またコスト的にも有利
である。印刷法による素子電極の形成においては薄膜の
形成に適しているオフセット印刷技術が素子電極を形成
するのに適している。このオフセット印刷技術を回路基
板に応用した例としては特開平4−290295号公報
に開示されたものがある。当該公報に開示された基板は
印刷時のパターン伸縮を原因とする電極ピッチ寸法のバ
ラツキによる接合不良をなくすために回路部品に接続さ
れる複数の接合電極の角度を変化させたものである。そ
して当該特開平4−290295号公報には電極パター
ンをオフセット印刷により形成することが記載されてい
る。
どの印刷技術を転用してこの表面伝導型電子放出素子及
びそれを含む電子源基板を作成する方法が考えられる。
印刷法は大面積のパターンを形成するのに適しており、
表面伝導型電子放出素子の素子電極を印刷法により作成
することによって多数の表面伝導型電子放出素子を基板
上に形成することが可能となる。またコスト的にも有利
である。印刷法による素子電極の形成においては薄膜の
形成に適しているオフセット印刷技術が素子電極を形成
するのに適している。このオフセット印刷技術を回路基
板に応用した例としては特開平4−290295号公報
に開示されたものがある。当該公報に開示された基板は
印刷時のパターン伸縮を原因とする電極ピッチ寸法のバ
ラツキによる接合不良をなくすために回路部品に接続さ
れる複数の接合電極の角度を変化させたものである。そ
して当該特開平4−290295号公報には電極パター
ンをオフセット印刷により形成することが記載されてい
る。
【0009】以下に電極パターンやカラーフィルター等
を形成するための一般的なオフセット印刷装置及び印刷
方法について説明する。
を形成するための一般的なオフセット印刷装置及び印刷
方法について説明する。
【0010】図5はオフセット印刷法を行なう平台校正
機型オフセット印刷装置を示す図である。本図において
101はインキローラー104でインキ107を展開す
るインキ練り台であり、102は凹版105を固定する
版定盤である。また103は被印刷物であるワーク10
6を固定するワーク定盤であり本体フレーム108の上
に固定配置されている。この一列に並んだ3つの定盤の
両側に2本のラックギャー109、110を配置し、そ
のラックギャー109、110の上にギャー111、1
12を噛み合わせたブランケット113が配置されてい
る。ブランケット113はその軸を両端のキャリッジ1
14,115で固定され、このキャリッジ114,11
5が本体下部からのクランクアーム116のクランク動
作によって前後進し、ブランケット113はインキ練り
台101、凹版105、ワーク106の上を順次回転摺
動する。ブランケット113の表面はゴム状のブランケ
ットラバーが取付けてある。118はアライメントスコ
ープであり、ワーク106上に印刷されたインキパター
ン位置情報を取り込みワーク交換毎にワーク定盤103
の微調整により所定の位置にアライメントをおこなうも
のである。
機型オフセット印刷装置を示す図である。本図において
101はインキローラー104でインキ107を展開す
るインキ練り台であり、102は凹版105を固定する
版定盤である。また103は被印刷物であるワーク10
6を固定するワーク定盤であり本体フレーム108の上
に固定配置されている。この一列に並んだ3つの定盤の
両側に2本のラックギャー109、110を配置し、そ
のラックギャー109、110の上にギャー111、1
12を噛み合わせたブランケット113が配置されてい
る。ブランケット113はその軸を両端のキャリッジ1
14,115で固定され、このキャリッジ114,11
5が本体下部からのクランクアーム116のクランク動
作によって前後進し、ブランケット113はインキ練り
台101、凹版105、ワーク106の上を順次回転摺
動する。ブランケット113の表面はゴム状のブランケ
ットラバーが取付けてある。118はアライメントスコ
ープであり、ワーク106上に印刷されたインキパター
ン位置情報を取り込みワーク交換毎にワーク定盤103
の微調整により所定の位置にアライメントをおこなうも
のである。
【0011】図6(a)〜(d)はオフセット印刷工程
を示す図である。本図において101はインキ練り台、
105は凹版、106はワークとなるガラス基板であり
これらは同一平面上に直列に配置されている。104は
インキローラでありインキ練り台101上で練ったイン
キ107を凹版105上に転移させる(図6(a))。
117はブレードであり凹版105上面を摺動して転移
したインキ107のうち、凹部に充填されたインキ以外
をかきとる(図6(b))。113はブランケットであ
り凹版105、ガラス基板106上面を順に回転接触す
ることにより、凹版105の凹部に充填されたインキを
受理し(図6(c))、ガラス基板106上に凹版10
5の有するパターン状にインキ107を転移する(図6
(d))。
を示す図である。本図において101はインキ練り台、
105は凹版、106はワークとなるガラス基板であり
これらは同一平面上に直列に配置されている。104は
インキローラでありインキ練り台101上で練ったイン
キ107を凹版105上に転移させる(図6(a))。
117はブレードであり凹版105上面を摺動して転移
したインキ107のうち、凹部に充填されたインキ以外
をかきとる(図6(b))。113はブランケットであ
り凹版105、ガラス基板106上面を順に回転接触す
ることにより、凹版105の凹部に充填されたインキを
受理し(図6(c))、ガラス基板106上に凹版10
5の有するパターン状にインキ107を転移する(図6
(d))。
【0012】以上により印刷工程が終了する。印刷イン
キ107は作製するパターンの機能によって適宜選択す
ることができる。即ち記録用サーマルヘッド等の電極パ
ターンには主にAuレジネートペーストと呼ばれる有機
Au金属を含むインキを用い、また、液晶表示装置等に
用いられるカラーフィルターであればR、G、B各色の
顔料を分散したインキや有機色素を含んだインキ等が用
いられる。
キ107は作製するパターンの機能によって適宜選択す
ることができる。即ち記録用サーマルヘッド等の電極パ
ターンには主にAuレジネートペーストと呼ばれる有機
Au金属を含むインキを用い、また、液晶表示装置等に
用いられるカラーフィルターであればR、G、B各色の
顔料を分散したインキや有機色素を含んだインキ等が用
いられる。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上説
明したような平板型画像表示装置の画面を大面積化する
には以下のような問題点がある。
明したような平板型画像表示装置の画面を大面積化する
には以下のような問題点がある。
【0014】上述のオフセット印刷装置を用いて大面積
にわたって印刷パターンを形成する場合、印刷機の機械
走行精度の限界から凹版105上と、ワーク106上で
走行するブランケット113の接触摺動相対位置にずれ
が生じる。したがって、凹版105に形成されている原
版パターンに対してワーク106に転写形成された印刷
パターンは相対的に印刷位置ずれをおこす。ブランケッ
ト113の相対走行ずれは直接印刷位置ずれの原因とな
っている。印刷位置ずれは、数種類に分類することがで
きる。第1は、ブランケット113が走行中に進行方向
左右にスライドしたとき、印刷位置ずれは印刷方向左右
のずれとなって発生する。第2は、ブランケット113
の印刷方向走行速度と回転周長方向速度の相対値が一致
しない時、印刷ずれは印刷方向の伸縮ずれとなって発生
する。第3はプランケット113が走行中に進行方向に
対してブランケット113の軸左右の進行速度がずれて
ブランケット113がヨーイングしたとき、印刷位置ず
れは印刷方向左右の傾きとなって発生する。
にわたって印刷パターンを形成する場合、印刷機の機械
走行精度の限界から凹版105上と、ワーク106上で
走行するブランケット113の接触摺動相対位置にずれ
が生じる。したがって、凹版105に形成されている原
版パターンに対してワーク106に転写形成された印刷
パターンは相対的に印刷位置ずれをおこす。ブランケッ
ト113の相対走行ずれは直接印刷位置ずれの原因とな
っている。印刷位置ずれは、数種類に分類することがで
きる。第1は、ブランケット113が走行中に進行方向
左右にスライドしたとき、印刷位置ずれは印刷方向左右
のずれとなって発生する。第2は、ブランケット113
の印刷方向走行速度と回転周長方向速度の相対値が一致
しない時、印刷ずれは印刷方向の伸縮ずれとなって発生
する。第3はプランケット113が走行中に進行方向に
対してブランケット113の軸左右の進行速度がずれて
ブランケット113がヨーイングしたとき、印刷位置ず
れは印刷方向左右の傾きとなって発生する。
【0015】一般的な上記従来例のクランクアーム駆動
でベアラ、レールの突き当てによるブランケット高さ規
定を行なう平台オフッセト校正機型印刷機では、ブラン
ケット113の走行精度は版圧印圧をかけない空走状態
で500ミリ長走行でプラスマイナス10ミクロン程度
が限界である。300ミリ角程度のワークに印刷を行な
うには走行長は1000ミリ程度必要となり、ブランケ
ット113の走行精度はさらに悪化する。
でベアラ、レールの突き当てによるブランケット高さ規
定を行なう平台オフッセト校正機型印刷機では、ブラン
ケット113の走行精度は版圧印圧をかけない空走状態
で500ミリ長走行でプラスマイナス10ミクロン程度
が限界である。300ミリ角程度のワークに印刷を行な
うには走行長は1000ミリ程度必要となり、ブランケ
ット113の走行精度はさらに悪化する。
【0016】実印刷時は、凹版、ワークに対して、ブラ
ンケット113が押圧摺動するためにキャリッジ11
4,115に負荷がかかり、クランクアーム116の駆
動力を均一に伝達することができなくなるため、ブラン
ケット113の走行精度はさらに悪化する。
ンケット113が押圧摺動するためにキャリッジ11
4,115に負荷がかかり、クランクアーム116の駆
動力を均一に伝達することができなくなるため、ブラン
ケット113の走行精度はさらに悪化する。
【0017】例えば、ブランケット走行長約1000ミ
リメートルの平台校正機型オフセット印刷機を用いて、
300ミリ角ワーク106基板上へ凹版105を用いて
外形200ミリ角のパターン印刷をブランケット113
の凹版105及び、ワーク106への押圧のための押し
込み量を150ミクロンの条件で行ったところ、印刷さ
れた印刷パターンと凹版105の原版パターンの外形寸
法を比較すると、印刷方向左右に40ミクロン幅でずれ
が生じ、かつ印刷方向に対して50ミクロン伸びが認め
られた。また、印刷方向右へ40ミクロン傾いた形状で
印刷された。これら印刷位置ずれはワーク寸法を更に大
面積化した場合、装置の大型化に伴い更に悪化すること
は容易に判断できる。
リメートルの平台校正機型オフセット印刷機を用いて、
300ミリ角ワーク106基板上へ凹版105を用いて
外形200ミリ角のパターン印刷をブランケット113
の凹版105及び、ワーク106への押圧のための押し
込み量を150ミクロンの条件で行ったところ、印刷さ
れた印刷パターンと凹版105の原版パターンの外形寸
法を比較すると、印刷方向左右に40ミクロン幅でずれ
が生じ、かつ印刷方向に対して50ミクロン伸びが認め
られた。また、印刷方向右へ40ミクロン傾いた形状で
印刷された。これら印刷位置ずれはワーク寸法を更に大
面積化した場合、装置の大型化に伴い更に悪化すること
は容易に判断できる。
【0018】このように、印刷位置ずれが大きく発生す
ると画像表示画面を高精細化、大面積化する場合電子放
出素子からの電子ビームの照射により発光する蛍光体等
の画像形成部材が形成されたフェースプレートと電子放
出素子が複数形成されたリアプレートの印刷パターンか
ら成る対応画素部分の相対位置ズレが大きくなり、画面
上のクロストークとなり表示としての画像品位が極端に
不良となる。このため、平板型画像表示装置画面を高精
細でかつ大面積化することが現状の印刷機では困難であ
った。
ると画像表示画面を高精細化、大面積化する場合電子放
出素子からの電子ビームの照射により発光する蛍光体等
の画像形成部材が形成されたフェースプレートと電子放
出素子が複数形成されたリアプレートの印刷パターンか
ら成る対応画素部分の相対位置ズレが大きくなり、画面
上のクロストークとなり表示としての画像品位が極端に
不良となる。このため、平板型画像表示装置画面を高精
細でかつ大面積化することが現状の印刷機では困難であ
った。
【0019】
【課題を解決するための手段】本発明は次のようであ
る。 1.少なくともリアプレートと、フェースプレートから
なり、前記リアプレート上には複数の電子放出素子を有
し、前記フェースプレートには画像形成部材を有してな
る平板型画像形成装置の製造方法において、前記リアプ
レートの電子放出素子の配置エリアを複数個の領域に分
割し、各分割エリア毎にそのエリア中の電子放出素子を
構成する素子電極の形成をオフセット印刷法による印刷
で順次行うことを特徴とする平板型画像形成装置の製造
方法。 2.各分割毎の素子電極のオフセット印刷の後に、それ
ぞれ乾燥工程を付加することを特徴とする上記1に記載
の製造方法。 3.乾燥工程の後にさらにそれぞれまたは一括して焼成
する焼成工程を付加することを特徴とする上記2に記載
の製造方法。 4.電子放出素子の配置エリアの分割が田の字型の4分
割である上記1、2または3に記載の製造方法。 5.上記1〜4の製造方法によって形成された、電子放
出素子の素子電極を用いてなる平板型画像形成装置。
る。 1.少なくともリアプレートと、フェースプレートから
なり、前記リアプレート上には複数の電子放出素子を有
し、前記フェースプレートには画像形成部材を有してな
る平板型画像形成装置の製造方法において、前記リアプ
レートの電子放出素子の配置エリアを複数個の領域に分
割し、各分割エリア毎にそのエリア中の電子放出素子を
構成する素子電極の形成をオフセット印刷法による印刷
で順次行うことを特徴とする平板型画像形成装置の製造
方法。 2.各分割毎の素子電極のオフセット印刷の後に、それ
ぞれ乾燥工程を付加することを特徴とする上記1に記載
の製造方法。 3.乾燥工程の後にさらにそれぞれまたは一括して焼成
する焼成工程を付加することを特徴とする上記2に記載
の製造方法。 4.電子放出素子の配置エリアの分割が田の字型の4分
割である上記1、2または3に記載の製造方法。 5.上記1〜4の製造方法によって形成された、電子放
出素子の素子電極を用いてなる平板型画像形成装置。
【0020】
【発明の実施の形態】本発明にかかわる、リアプレート
上に形成する素子電極を作製する方法について詳しく説
明する。まず、リアプレートとしてガラス等の材質で出
来ている平板状のものを用い、その表面部に、後工程で
位置あわせされるフェースプレートの画像表示部の複数
の画素に対してほぼ同様な位置に対応するように、素子
電極部材として導電性の薄膜パターンをオフセット印刷
法にて形成する。この時、形成される素子電極は、電子
放出素子が形成される画像形成エリアを複数に分割した
部分的なエリア毎に凹版部に充填されたインキをブラン
ケットにて受理し、ワークであるところのリアプレート
上に転移して印刷する。このようにして、順次、分割さ
れたエリアの素子電極の印刷を行うことにより、最終的
に1つのリアプレート上に、画像表示エリア全面にわた
る素子電極の印刷を完了する。
上に形成する素子電極を作製する方法について詳しく説
明する。まず、リアプレートとしてガラス等の材質で出
来ている平板状のものを用い、その表面部に、後工程で
位置あわせされるフェースプレートの画像表示部の複数
の画素に対してほぼ同様な位置に対応するように、素子
電極部材として導電性の薄膜パターンをオフセット印刷
法にて形成する。この時、形成される素子電極は、電子
放出素子が形成される画像形成エリアを複数に分割した
部分的なエリア毎に凹版部に充填されたインキをブラン
ケットにて受理し、ワークであるところのリアプレート
上に転移して印刷する。このようにして、順次、分割さ
れたエリアの素子電極の印刷を行うことにより、最終的
に1つのリアプレート上に、画像表示エリア全面にわた
る素子電極の印刷を完了する。
【0021】本発明にかかわる、リアプレート上に形成
する素子電極を作製する方法について、別の形態を説明
する。前記説明のように、素子電極部材として導電性の
薄膜パターンをオフセット印刷法にて形成する時、部分
的なエリア毎に、凹版部に充填されたインキをブランケ
ットにて受理し、ワークであるところのリアプレート上
に転移して印刷する。この後、次のエリアの印刷を行う
前に、前の工程にてリアプレート上に転移したインキを
乾操し、または乾燥した後さらにインキの焼成を実施し
た後、順次、分割された他のエリアの素子電極の印刷を
行うことにより、最終的に1つのリアプレート上に、画
像形成エリア全面にわたる素子電極の印刷を行うように
して作製する。
する素子電極を作製する方法について、別の形態を説明
する。前記説明のように、素子電極部材として導電性の
薄膜パターンをオフセット印刷法にて形成する時、部分
的なエリア毎に、凹版部に充填されたインキをブランケ
ットにて受理し、ワークであるところのリアプレート上
に転移して印刷する。この後、次のエリアの印刷を行う
前に、前の工程にてリアプレート上に転移したインキを
乾操し、または乾燥した後さらにインキの焼成を実施し
た後、順次、分割された他のエリアの素子電極の印刷を
行うことにより、最終的に1つのリアプレート上に、画
像形成エリア全面にわたる素子電極の印刷を行うように
して作製する。
【0022】以上のように素子電極を形成する領域であ
る画像形成エリアを分割して印刷することによって高精
細でかつ大面積な画像形成装置を実現するものである。
る画像形成エリアを分割して印刷することによって高精
細でかつ大面積な画像形成装置を実現するものである。
【0023】
【実施例】本発明の実施例を以下に示して説明する。
【0024】実施例1 図1は本発明の第1の実施態様を示す素子電極の製造方
法を示す図である。図においてリアプレートの電子放出
素子の配置エリアは田字型に4等分に分割される。1は
リアプレート、2は左上素子電極パターンエリア、3は
右上素子電極パターンエリア、4は左下素子電極パター
ンエリア、5は右下素子電極パターンエリア、6は素子
電極パターンエリア内の素子電極パターンを拡大したも
のである。
法を示す図である。図においてリアプレートの電子放出
素子の配置エリアは田字型に4等分に分割される。1は
リアプレート、2は左上素子電極パターンエリア、3は
右上素子電極パターンエリア、4は左下素子電極パター
ンエリア、5は右下素子電極パターンエリア、6は素子
電極パターンエリア内の素子電極パターンを拡大したも
のである。
【0025】本図に従って、本発明の製造方法を説明す
る。本実施例では、オフセット印刷装置を用いて、素子
電極を形成する領域を4回に分けて印刷した例を示す。
印刷装置として、ブランケット走行長約1000ミリメ
ートルの図4のような構成の平台校正機型オフセット印
刷装置を用い、リアプレートとしては、1000ミリ角
のソーダライムガラスを用いた。また、素子電極を形成
するエリアは800ミリ角とした。
る。本実施例では、オフセット印刷装置を用いて、素子
電極を形成する領域を4回に分けて印刷した例を示す。
印刷装置として、ブランケット走行長約1000ミリメ
ートルの図4のような構成の平台校正機型オフセット印
刷装置を用い、リアプレートとしては、1000ミリ角
のソーダライムガラスを用いた。また、素子電極を形成
するエリアは800ミリ角とした。
【0026】まず図1(a)のように、素子電極を形成
する予定の左上素子電極パターンエリア2の部分へ、素
子電極パターンを素子電極を形成する領域に対して1/
4程形成した凹版を用いて外形400ミリ角のパターン
印刷を行なった。図4の印刷装置ではワーク定盤を移動
させ、リアプレートの左上部分に素子電極パターンが印
刷可能なようにした。
する予定の左上素子電極パターンエリア2の部分へ、素
子電極パターンを素子電極を形成する領域に対して1/
4程形成した凹版を用いて外形400ミリ角のパターン
印刷を行なった。図4の印刷装置ではワーク定盤を移動
させ、リアプレートの左上部分に素子電極パターンが印
刷可能なようにした。
【0027】この時図4の46のように105の凹版上
の素子電極のパターン形状としては、導電性薄膜を配置
する素子電極間隔を有し、その寸法を約20ミクロンに
設定したものを用いた。この時のブランケットの凹版及
び、ワークへの押圧のための押し込み量は150ミクロ
ンとし、インキは有機金属からなるPtレジネートペー
ストを用いた。印刷後、リアプレートを印刷機のワーク
定盤よりはずし、約80℃の乾燥を実施した。ここでリ
アプレートの左上の部分に印刷された印刷パターンと凹
版105の原版パターンの外形寸法を比較したところ、
印刷方向左右に20ミクロン幅でずれが生じ、かつ印刷
方向に対して20ミクロン伸びた。また、印刷方向右へ
10ミクロン傾いた形状で印刷された。この時のリアプ
レート上のインキ転写厚みは約2ミクロン程度と小さく
印刷パターン幅の太りは非常に小さかった。
の素子電極のパターン形状としては、導電性薄膜を配置
する素子電極間隔を有し、その寸法を約20ミクロンに
設定したものを用いた。この時のブランケットの凹版及
び、ワークへの押圧のための押し込み量は150ミクロ
ンとし、インキは有機金属からなるPtレジネートペー
ストを用いた。印刷後、リアプレートを印刷機のワーク
定盤よりはずし、約80℃の乾燥を実施した。ここでリ
アプレートの左上の部分に印刷された印刷パターンと凹
版105の原版パターンの外形寸法を比較したところ、
印刷方向左右に20ミクロン幅でずれが生じ、かつ印刷
方向に対して20ミクロン伸びた。また、印刷方向右へ
10ミクロン傾いた形状で印刷された。この時のリアプ
レート上のインキ転写厚みは約2ミクロン程度と小さく
印刷パターン幅の太りは非常に小さかった。
【0028】つぎに図1(b)のように、図1(a)と
同様な方法で、リアプレート上の素子電極を形成する予
定の右上素子電極パターンエリア3の部分へ、素子電極
パターンが素子電極エリアに対して1/4程形成した凹
版を用いて外形400ミリ角のパターン印刷を行なっ
た。この時の素子電極のパターン形状、印刷条件、ペー
スト種は、左上の素子電極パターンの印刷時と同様にし
た。印刷後、リアプレートを印刷機のワーク定盤よりは
ずし、約80℃の乾燥を実施した。ここでリアプレート
の右上の部分に印刷された印刷パターンと凹版105の
原版パターンの外形寸法を比較したところ、印刷方向左
右に20ミクロン幅でずれが生じ、かつ印刷方向に対し
て20ミクロン伸びた。また、印刷方向右へ10ミクロ
ン傾いた形状で印刷された。この時のリアプレート上の
インキ転写厚みは約2ミクロン程度と小さく印刷パター
ン幅の太りは非常に小さかった。
同様な方法で、リアプレート上の素子電極を形成する予
定の右上素子電極パターンエリア3の部分へ、素子電極
パターンが素子電極エリアに対して1/4程形成した凹
版を用いて外形400ミリ角のパターン印刷を行なっ
た。この時の素子電極のパターン形状、印刷条件、ペー
スト種は、左上の素子電極パターンの印刷時と同様にし
た。印刷後、リアプレートを印刷機のワーク定盤よりは
ずし、約80℃の乾燥を実施した。ここでリアプレート
の右上の部分に印刷された印刷パターンと凹版105の
原版パターンの外形寸法を比較したところ、印刷方向左
右に20ミクロン幅でずれが生じ、かつ印刷方向に対し
て20ミクロン伸びた。また、印刷方向右へ10ミクロ
ン傾いた形状で印刷された。この時のリアプレート上の
インキ転写厚みは約2ミクロン程度と小さく印刷パター
ン幅の太りは非常に小さかった。
【0029】つぎに図1(c)のように、図1(a)と
同様な方法で、リアプレート上の素子電極を形成する予
定の左下素子電極パターンエリア4の部分へ、素子電極
パターンが素子電極を形成する領域に対して1/4程形
成した凹版を用いて外形400ミリ角のパターン印刷を
行なった。この時の素子電極のパターン形状、印刷条
件、ペースト種は、左上の素子電極パターンの印刷時と
同様にした。印刷後、リアプレートを印刷機のワーク定
盤よりはずし、約80℃の乾燥を実施した。ここでリア
プレートの左下の部分に印刷された印刷パターンと凹版
105の原版パターンの外形寸法を比較したところ、印
刷方向左右に20ミクロン幅でずれが生じ、かつ印刷方
向に対して20ミクロン伸びた。また、印刷方向右へ1
0ミクロン傾いた形状で印刷された。この時のリアプレ
ート上のインキ転写厚みは約2ミクロン程度と小さく印
刷パターン幅の太りは非常に小さかった。
同様な方法で、リアプレート上の素子電極を形成する予
定の左下素子電極パターンエリア4の部分へ、素子電極
パターンが素子電極を形成する領域に対して1/4程形
成した凹版を用いて外形400ミリ角のパターン印刷を
行なった。この時の素子電極のパターン形状、印刷条
件、ペースト種は、左上の素子電極パターンの印刷時と
同様にした。印刷後、リアプレートを印刷機のワーク定
盤よりはずし、約80℃の乾燥を実施した。ここでリア
プレートの左下の部分に印刷された印刷パターンと凹版
105の原版パターンの外形寸法を比較したところ、印
刷方向左右に20ミクロン幅でずれが生じ、かつ印刷方
向に対して20ミクロン伸びた。また、印刷方向右へ1
0ミクロン傾いた形状で印刷された。この時のリアプレ
ート上のインキ転写厚みは約2ミクロン程度と小さく印
刷パターン幅の太りは非常に小さかった。
【0030】つぎに図1(d)のように、図1(a)と
同様な方法で、リアプレート上の素子電極を形成する予
定の右下素子電極パターンエリア5の部分へ、素子電極
パターンが素子電極を形成する領域に対して1/4程形
成した凹版を用いて外形400ミリ角のパターン印刷を
行なった。この時の素子電極のパターン形状、印刷条
件、ペースト種は、左上の素子電極パターンの印刷時と
同様にした。印刷後、リアプレートを印刷機のワーク定
盤よりはずし、約80℃の乾燥を実施した。ここでリア
プレートの左下の部分に印刷された印刷パターンと凹版
105の原版パターンの外形寸法を比較したところ、印
刷方向左右に20ミクロン幅でずれが生じ、かつ印刷方
向に対して20ミクロン伸びた。また、印刷方向右へ1
0ミクロン傾いた形状で印刷された。この時のリアプレ
ート上のインキ転写厚みは約2ミクロン程度と小さく印
刷パターン幅の太りは非常に小さかった。
同様な方法で、リアプレート上の素子電極を形成する予
定の右下素子電極パターンエリア5の部分へ、素子電極
パターンが素子電極を形成する領域に対して1/4程形
成した凹版を用いて外形400ミリ角のパターン印刷を
行なった。この時の素子電極のパターン形状、印刷条
件、ペースト種は、左上の素子電極パターンの印刷時と
同様にした。印刷後、リアプレートを印刷機のワーク定
盤よりはずし、約80℃の乾燥を実施した。ここでリア
プレートの左下の部分に印刷された印刷パターンと凹版
105の原版パターンの外形寸法を比較したところ、印
刷方向左右に20ミクロン幅でずれが生じ、かつ印刷方
向に対して20ミクロン伸びた。また、印刷方向右へ1
0ミクロン傾いた形状で印刷された。この時のリアプレ
ート上のインキ転写厚みは約2ミクロン程度と小さく印
刷パターン幅の太りは非常に小さかった。
【0031】以上のような方法により、リアプレート上
に素子電極パターンを印刷・乾燥して形成した後、リア
プレートを約580℃で焼成し、Ptからなる素子電極
を作製した。
に素子電極パターンを印刷・乾燥して形成した後、リア
プレートを約580℃で焼成し、Ptからなる素子電極
を作製した。
【0032】このように、リアプレート上に素子電極パ
ターンを4つに分割して、4回に分けて印刷を行う際
に、印刷のつどインキの乾燥を実施する方法によれば、
複数に分割したことにより、それぞれの印刷エリアは小
さくなるため、印刷精度は、それぞれの印刷エリアでパ
ターン全体の伸びや左右の位置ズレ並びにパターンの傾
きを押さえることができ、1回で印刷する場合に比べ精
度が向上するため、大面積基板への印刷が精度を維持し
た状態で可能であった。さらに、印刷のたびにインキの
乾燥を実施することにより、分割パターンの境界部付近
のパターンが後工程での印刷によるブランケットのオー
バーラップ部分の押しつけに対しても、前工程で印刷し
たインキが剥がれることはなく、また、パターンも崩れ
ることもなく、精細なパターン形状を保ったままで印刷
可能となった。
ターンを4つに分割して、4回に分けて印刷を行う際
に、印刷のつどインキの乾燥を実施する方法によれば、
複数に分割したことにより、それぞれの印刷エリアは小
さくなるため、印刷精度は、それぞれの印刷エリアでパ
ターン全体の伸びや左右の位置ズレ並びにパターンの傾
きを押さえることができ、1回で印刷する場合に比べ精
度が向上するため、大面積基板への印刷が精度を維持し
た状態で可能であった。さらに、印刷のたびにインキの
乾燥を実施することにより、分割パターンの境界部付近
のパターンが後工程での印刷によるブランケットのオー
バーラップ部分の押しつけに対しても、前工程で印刷し
たインキが剥がれることはなく、また、パターンも崩れ
ることもなく、精細なパターン形状を保ったままで印刷
可能となった。
【0033】尚、本実施例では、4分割した各領域毎
に、異なる凹版を用いたが、共通の凹版で印刷しても同
様に、精度の高いパターンが得られた。
に、異なる凹版を用いたが、共通の凹版で印刷しても同
様に、精度の高いパターンが得られた。
【0034】又、本実施例では、各領域を印刷する度
に、リアプレートをワーク定盤から取り外し、乾燥を行
ったが、印刷機に、例えば、温風を送り出したり、ヒー
ターを有すなどの乾燥手段を設け、ブランケットと同様
に、可動可能とし、各領域の印刷を行った後に、前記乾
燥手段により乾燥を行えば、工程の簡略化及び、取り外
し、取り付けによる位置ずれを防止できるためさらに好
ましい。
に、リアプレートをワーク定盤から取り外し、乾燥を行
ったが、印刷機に、例えば、温風を送り出したり、ヒー
ターを有すなどの乾燥手段を設け、ブランケットと同様
に、可動可能とし、各領域の印刷を行った後に、前記乾
燥手段により乾燥を行えば、工程の簡略化及び、取り外
し、取り付けによる位置ずれを防止できるためさらに好
ましい。
【0035】実施例2 本発明の別の実施例を以下に示して説明する。
【0036】図1に従って、本発明の別の製造方法を説
明する。図の説明は実施例1の項で説明した通りであ
る。本実施例では、オフセット印刷装置を用いて、素子
電極エリアを4回に分けて印刷した例を示す。印刷装置
として、ブランケット走行長約1000ミリメートルの
図4のような構成の平台校正機型オフセット印刷装置を
用い、リアプレートとしては、300ミリ角のソーダラ
イムガラスを用いた。また、素子電極を形成するエリア
は200ミリ角とした。まず図1(a)のように、素子
電極を形成する予定の左上素子電極パターンエリア2の
部分へ、素子電極パターンを素子電極エリアに対して1
/4程形成した凹版を用いて外形100ミリ角のパター
ン印刷を行なった。この時の素子電極のパターン形状と
しては46のように電子放出材を配置する素子電極間隔
を有し、その寸法を約20ミクロンに設定したものを用
いた。この時のブランケットの凹版及び、ワークへの押
圧のための押し込み量は150ミクロンとし、インキは
有機金属からなるPtレジネートペーストを用いた。印
刷後、リアプレートを印刷機のワーク定盤よりはずし、
約80℃の乾燥を実施した後、リアプレートを約580
℃で焼成し、Ptからなる素子電極を作製した。
明する。図の説明は実施例1の項で説明した通りであ
る。本実施例では、オフセット印刷装置を用いて、素子
電極エリアを4回に分けて印刷した例を示す。印刷装置
として、ブランケット走行長約1000ミリメートルの
図4のような構成の平台校正機型オフセット印刷装置を
用い、リアプレートとしては、300ミリ角のソーダラ
イムガラスを用いた。また、素子電極を形成するエリア
は200ミリ角とした。まず図1(a)のように、素子
電極を形成する予定の左上素子電極パターンエリア2の
部分へ、素子電極パターンを素子電極エリアに対して1
/4程形成した凹版を用いて外形100ミリ角のパター
ン印刷を行なった。この時の素子電極のパターン形状と
しては46のように電子放出材を配置する素子電極間隔
を有し、その寸法を約20ミクロンに設定したものを用
いた。この時のブランケットの凹版及び、ワークへの押
圧のための押し込み量は150ミクロンとし、インキは
有機金属からなるPtレジネートペーストを用いた。印
刷後、リアプレートを印刷機のワーク定盤よりはずし、
約80℃の乾燥を実施した後、リアプレートを約580
℃で焼成し、Ptからなる素子電極を作製した。
【0037】ここでリアプレートの左上の部分に印刷さ
れた印刷パターンと凹版105の原版パターンの外形寸
法を比較したところ、印刷方向左右に20ミクロン幅で
ずれが生じ、かつ印刷方向に対して20ミクロン伸び
た。また、印刷方向右へ10ミクロン傾いた形状で印刷
された。この時のリアプレート上のインキ転写厚みは約
2ミクロン程度と小さく印刷パターン幅の太りは非常に
小さかった。さらに、焼成後のPt電極厚みは約400
オングストロームと薄く形成することができた。
れた印刷パターンと凹版105の原版パターンの外形寸
法を比較したところ、印刷方向左右に20ミクロン幅で
ずれが生じ、かつ印刷方向に対して20ミクロン伸び
た。また、印刷方向右へ10ミクロン傾いた形状で印刷
された。この時のリアプレート上のインキ転写厚みは約
2ミクロン程度と小さく印刷パターン幅の太りは非常に
小さかった。さらに、焼成後のPt電極厚みは約400
オングストロームと薄く形成することができた。
【0038】つぎに同図(b)のように、同図(a)と
同様な方法で、リアプレート上の素子電極を形成する予
定の右上素子電極パターンエリア3の部分へ、素子電極
パターンが素子電極エリアに対して1/4程形成した凹
版を用いて外形100ミリ角のパターン印刷を行なっ
た。この時の素子電極のパターン形状、印刷条件、ペー
スト種は、左上の素子電極パターンの印刷時と同様にし
た。印刷後、リアプレートを印刷機のワーク定盤よりは
ずし、約80℃の乾燥を実施した後、リアプレートを約
580℃で焼成し、Ptからなる素子電極を作製した。
同様な方法で、リアプレート上の素子電極を形成する予
定の右上素子電極パターンエリア3の部分へ、素子電極
パターンが素子電極エリアに対して1/4程形成した凹
版を用いて外形100ミリ角のパターン印刷を行なっ
た。この時の素子電極のパターン形状、印刷条件、ペー
スト種は、左上の素子電極パターンの印刷時と同様にし
た。印刷後、リアプレートを印刷機のワーク定盤よりは
ずし、約80℃の乾燥を実施した後、リアプレートを約
580℃で焼成し、Ptからなる素子電極を作製した。
【0039】ここでリアプレートの右上の部分に印刷さ
れた印刷パターンと凹版105の原版パターンの外形寸
法を比較したところ、印刷方向左右に20ミクロン幅で
ずれが生じ、かつ印刷方向に対して20ミクロン伸び
た。また、印刷方向右へ10ミクロン傾いた形状で印刷
された。この時のリアプレート上のインキ転写厚みは約
2ミクロン程度と小さく印刷パターン幅の太りは非常に
小さかった。さらに、焼成後のPt電極厚みは約400
オングストロームと薄く形成することができた。
れた印刷パターンと凹版105の原版パターンの外形寸
法を比較したところ、印刷方向左右に20ミクロン幅で
ずれが生じ、かつ印刷方向に対して20ミクロン伸び
た。また、印刷方向右へ10ミクロン傾いた形状で印刷
された。この時のリアプレート上のインキ転写厚みは約
2ミクロン程度と小さく印刷パターン幅の太りは非常に
小さかった。さらに、焼成後のPt電極厚みは約400
オングストロームと薄く形成することができた。
【0040】つぎに同図(c)のように、同図(a)と
同様な方法で、リアプレート上の素子電極を形成する予
定の左下素子電極パターンエリア4の部分へ、素子電極
パターンが素子電極エリアに対して1/4程形成した凹
版を用いて外形100ミリ角のパターン印刷を行なっ
た。この時の素子電極のパターン形状、印刷条件、ペー
スト種は、左上の素子電極パターンの印刷時と同様にし
た。印刷後、リアプレートを印刷機のワーク定盤よりは
ずし、約80℃の乾操を実施した後、リアプレートを約
580℃で焼成し、Ptからなる素子電極を作製した。
同様な方法で、リアプレート上の素子電極を形成する予
定の左下素子電極パターンエリア4の部分へ、素子電極
パターンが素子電極エリアに対して1/4程形成した凹
版を用いて外形100ミリ角のパターン印刷を行なっ
た。この時の素子電極のパターン形状、印刷条件、ペー
スト種は、左上の素子電極パターンの印刷時と同様にし
た。印刷後、リアプレートを印刷機のワーク定盤よりは
ずし、約80℃の乾操を実施した後、リアプレートを約
580℃で焼成し、Ptからなる素子電極を作製した。
【0041】ここでリアプレートの左下の部分に印刷さ
れた印刷パターンと凹版105の原版パターンの外形寸
法を比較したところ、印刷方向左右に20ミクロン幅で
ずれが生じ、かつ印刷方向に対して20ミクロン伸び
た。また、印刷方向右へ10ミクロン傾いた形状で印刷
された。この時のリアプレート上のインキ転写厚みは約
2ミクロン程度と小さく印刷パターン幅の太りは非常に
小さかった。さらに、焼成後のPt電極厚みは約400
オングストロームと薄く形成することができた。
れた印刷パターンと凹版105の原版パターンの外形寸
法を比較したところ、印刷方向左右に20ミクロン幅で
ずれが生じ、かつ印刷方向に対して20ミクロン伸び
た。また、印刷方向右へ10ミクロン傾いた形状で印刷
された。この時のリアプレート上のインキ転写厚みは約
2ミクロン程度と小さく印刷パターン幅の太りは非常に
小さかった。さらに、焼成後のPt電極厚みは約400
オングストロームと薄く形成することができた。
【0042】つぎに同図(d)のように、同図(a)と
同様な方法で、リアプレート上の素子電極を形成する予
定の右下素子電極パターンエリア5の部分へ、素子電極
パターンが素子電極エリアに対して1/4程形成した凹
版を用いて外形100ミリ角のパターン印刷を行なっ
た。この時の素子電極のパターン形状、印刷条件、ペー
スト種は、左上の素子電極パターンの印刷時と同様にし
た。印刷後、リアプレートを印刷機のワーク定盤よりは
ずし、約80℃の乾燥を実施した後、リアプレートを約
580℃で焼成し、Ptからなる素子電極を作製した。
同様な方法で、リアプレート上の素子電極を形成する予
定の右下素子電極パターンエリア5の部分へ、素子電極
パターンが素子電極エリアに対して1/4程形成した凹
版を用いて外形100ミリ角のパターン印刷を行なっ
た。この時の素子電極のパターン形状、印刷条件、ペー
スト種は、左上の素子電極パターンの印刷時と同様にし
た。印刷後、リアプレートを印刷機のワーク定盤よりは
ずし、約80℃の乾燥を実施した後、リアプレートを約
580℃で焼成し、Ptからなる素子電極を作製した。
【0043】ここでリアプレートの左下の部分に印刷さ
れた印刷パターンと凹版105の原版パターンの外形寸
法を比較したところ、印刷方向左右に20ミクロン幅で
ずれが生じ、かつ印刷方向に対して20ミクロン伸び
た。また、印刷方向右へ10ミクロン傾いた形状で印刷
された。この時のリアプレート上のインキ転写厚みは約
2ミクロン程度と小さく印刷パターン幅の太りは非常に
小さかった。さらに、焼成後のPt電極厚みは約400
オングストロームと簿く形成することができた。
れた印刷パターンと凹版105の原版パターンの外形寸
法を比較したところ、印刷方向左右に20ミクロン幅で
ずれが生じ、かつ印刷方向に対して20ミクロン伸び
た。また、印刷方向右へ10ミクロン傾いた形状で印刷
された。この時のリアプレート上のインキ転写厚みは約
2ミクロン程度と小さく印刷パターン幅の太りは非常に
小さかった。さらに、焼成後のPt電極厚みは約400
オングストロームと簿く形成することができた。
【0044】このように、リアプレート上に素子電極パ
ターンを4つに分割して、4回に分けて印刷を行う際
に、印刷のつどインキの乾燥と焼成を実施する方法によ
れば、複数に分割したことにより、それぞれの印刷エリ
アは小さくなるため、印刷精度は、それぞれの印刷エリ
アでパターン全体の伸びや左右の位置ズレ並びにパター
ンの傾きを押さえることができ、1回で印刷する場合に
比べ精度が向上するため、大面積基板への印刷が高い精
度を維持した状態で可能であった。さらに、印刷のたび
にインキの乾燥と焼成を実施することにより、分割パタ
ーンの境界部付近のパターンが後工程での印刷によるブ
ランケットのオーバーラップ部分の押しつけに対して
も、前工程で印刷したインキが剥がれることはなく、ま
た、パターンも崩れることもなく、精細なパターン形状
を保ったままで印刷可能となった。さらにまた、焼成を
実施することにより、リアプレートのハンドリング等の
不手際で乾燥した素子電極パターンをこすったりしてパ
ターンを壊してしまう等の問題はなくなった。
ターンを4つに分割して、4回に分けて印刷を行う際
に、印刷のつどインキの乾燥と焼成を実施する方法によ
れば、複数に分割したことにより、それぞれの印刷エリ
アは小さくなるため、印刷精度は、それぞれの印刷エリ
アでパターン全体の伸びや左右の位置ズレ並びにパター
ンの傾きを押さえることができ、1回で印刷する場合に
比べ精度が向上するため、大面積基板への印刷が高い精
度を維持した状態で可能であった。さらに、印刷のたび
にインキの乾燥と焼成を実施することにより、分割パタ
ーンの境界部付近のパターンが後工程での印刷によるブ
ランケットのオーバーラップ部分の押しつけに対して
も、前工程で印刷したインキが剥がれることはなく、ま
た、パターンも崩れることもなく、精細なパターン形状
を保ったままで印刷可能となった。さらにまた、焼成を
実施することにより、リアプレートのハンドリング等の
不手際で乾燥した素子電極パターンをこすったりしてパ
ターンを壊してしまう等の問題はなくなった。
【0045】実施例3 実施例1または実施例2のオフセット印刷により作製し
たリアプレート上の電子放出素子の素子電極を用いた画
像表示装置についてまずその製造方法から図9、10を
用いて説明する。本画像形成装置は、図9に示すよう
に、複数の電子放出素子901を列状に配置し、前記電
子放出素子の1対の素子電極をそれぞれ2本の共通配線
902に接続した列状の電子放出素子を複数列配置した
電子源と図10に示すように前記電子放出素子から放出
された電子を制御するグリッド1001と少なくとも蛍
光体1004、及び加速電極であるメタルバック100
5を有するフェイスプレート1003からなる画像形成
装置1006である。
たリアプレート上の電子放出素子の素子電極を用いた画
像表示装置についてまずその製造方法から図9、10を
用いて説明する。本画像形成装置は、図9に示すよう
に、複数の電子放出素子901を列状に配置し、前記電
子放出素子の1対の素子電極をそれぞれ2本の共通配線
902に接続した列状の電子放出素子を複数列配置した
電子源と図10に示すように前記電子放出素子から放出
された電子を制御するグリッド1001と少なくとも蛍
光体1004、及び加速電極であるメタルバック100
5を有するフェイスプレート1003からなる画像形成
装置1006である。
【0046】前記実施例のようにして形成した素子電極
に対して配線とPd微粒子から成る薄膜を形成すること
によって電子源基板を作製する。以下図を用いて説明す
る。
に対して配線とPd微粒子から成る薄膜を形成すること
によって電子源基板を作製する。以下図を用いて説明す
る。
【0047】図2は図10の断面図である。図2におい
て、201は青板ガラスから成るリアプレートであり、
202、203、204は本発明によってオフセット印
刷形成された素子電極である。207、208、209
はAgペーストインキのスクリーン印刷、焼成で得られ
た厚み約7ミクロンの印刷配線である。素子電極20
2、203、204は印刷配線207、208、209
と各々接続している。205、206は有機金属溶液を
インクジェット法で付与し焼成して得られた厚み約20
0オングストロームのPd微粒子から成る薄膜である。
210、211、212はメッキ配線で、印刷配線20
7、208、209上に厚み約50ミクロン、幅400
ミクロンのCuメッキによって形成した。
て、201は青板ガラスから成るリアプレートであり、
202、203、204は本発明によってオフセット印
刷形成された素子電極である。207、208、209
はAgペーストインキのスクリーン印刷、焼成で得られ
た厚み約7ミクロンの印刷配線である。素子電極20
2、203、204は印刷配線207、208、209
と各々接続している。205、206は有機金属溶液を
インクジェット法で付与し焼成して得られた厚み約20
0オングストロームのPd微粒子から成る薄膜である。
210、211、212はメッキ配線で、印刷配線20
7、208、209上に厚み約50ミクロン、幅400
ミクロンのCuメッキによって形成した。
【0048】215は青板ガラスから成る基板で、リア
プレート201と5ミリメートル隔たれて対向してい
る。216、217は蛍光体で、基板215上に配置さ
れており、対向したリアプレート201上に配置された
素子電極202、203、204から成る電極間隔部に
対応した位置に形成されている。蛍光体216、217
は感光性樹脂に蛍光体を混ぜてスラリー状とし、塗布乾
燥した後フォトリソグラフィ法によってパターニング形
成したものである。218は蛍光体216、217上に
フィルミング工程を施した後、真空蒸着によって厚み約
300オングストロームのAl薄膜を成膜し、これを焼
成してフイルム層を焼失させることによって得られたメ
タルバックである。以上の、蛍光体及びメタルバックを
ガラス基板215上に形成したものをフェースプレート
と呼ぶ。
プレート201と5ミリメートル隔たれて対向してい
る。216、217は蛍光体で、基板215上に配置さ
れており、対向したリアプレート201上に配置された
素子電極202、203、204から成る電極間隔部に
対応した位置に形成されている。蛍光体216、217
は感光性樹脂に蛍光体を混ぜてスラリー状とし、塗布乾
燥した後フォトリソグラフィ法によってパターニング形
成したものである。218は蛍光体216、217上に
フィルミング工程を施した後、真空蒸着によって厚み約
300オングストロームのAl薄膜を成膜し、これを焼
成してフイルム層を焼失させることによって得られたメ
タルバックである。以上の、蛍光体及びメタルバックを
ガラス基板215上に形成したものをフェースプレート
と呼ぶ。
【0049】219は素子基板とフェースプレート間に
配置されたグリッド電極である。以上を真空外囲器の中
に配置した後、メッキ配線210、211、212間に
電圧を印加して薄膜205、206の通電処理を行い電
子放出部213、214を得た。この後メタルバック2
18をアノード電極として電子の引き出し電圧5kVを
印加し、メッキ配線210、211、212間を通して
素子電極202、203から電子放出部213へ14v
の電圧を印加したところ、電子が放出され、この放出電
子をグリッド219の電圧を変化させることによって変
調し、蛍光体218へ照射される放出電子量を調整す
る。これにより蛍光体216を任意に発光させることが
できた。同様に素子電極203、204から電子放出部
214へ14Vの電圧を印加したところ、電子が放出さ
れた。この放出電子をグリッド219の電圧を変化させ
ることによって変調し、蛍光体217へ照射される放出
電子量を調整しこれにより蛍光体217を任意に発光さ
せることができた。
配置されたグリッド電極である。以上を真空外囲器の中
に配置した後、メッキ配線210、211、212間に
電圧を印加して薄膜205、206の通電処理を行い電
子放出部213、214を得た。この後メタルバック2
18をアノード電極として電子の引き出し電圧5kVを
印加し、メッキ配線210、211、212間を通して
素子電極202、203から電子放出部213へ14v
の電圧を印加したところ、電子が放出され、この放出電
子をグリッド219の電圧を変化させることによって変
調し、蛍光体218へ照射される放出電子量を調整す
る。これにより蛍光体216を任意に発光させることが
できた。同様に素子電極203、204から電子放出部
214へ14Vの電圧を印加したところ、電子が放出さ
れた。この放出電子をグリッド219の電圧を変化させ
ることによって変調し、蛍光体217へ照射される放出
電子量を調整しこれにより蛍光体217を任意に発光さ
せることができた。
【0050】なお図面上では2個の表示画素に対する構
成で説明したが、表示画素数はこれに限るものではな
い。したがって、配線とグリッドをマトリックス状に形
成し、多数個の電子放出素子を配置、駆動することによ
って多数個の表示画素によって任意の画像表示を可能と
することができる。
成で説明したが、表示画素数はこれに限るものではな
い。したがって、配線とグリッドをマトリックス状に形
成し、多数個の電子放出素子を配置、駆動することによ
って多数個の表示画素によって任意の画像表示を可能と
することができる。
【0051】本実施例で作製したリアプレート上の素子
電極の印刷精度はほぼ20ミクロン以下であるため、こ
の時の電子放出素子と蛍光体の位置ズレによって生ずる
蛍光輝点のクロストークは無かった。すなわち電子放出
部をほぼ決定する素子電極のギャップ位置と、フォトリ
ソグラフィ法で形成されたフェイスプレートの蛍光体位
置との相対位置は問題なく、高精度であることを示して
いる。
電極の印刷精度はほぼ20ミクロン以下であるため、こ
の時の電子放出素子と蛍光体の位置ズレによって生ずる
蛍光輝点のクロストークは無かった。すなわち電子放出
部をほぼ決定する素子電極のギャップ位置と、フォトリ
ソグラフィ法で形成されたフェイスプレートの蛍光体位
置との相対位置は問題なく、高精度であることを示して
いる。
【0052】実施例4 以下、実施例1または実施例2のオフセット印刷により
作製したリアプレート上の電子放出素子の素子電極を用
いた画像表示装置について別の例を用いて説明する。
作製したリアプレート上の電子放出素子の素子電極を用
いた画像表示装置について別の例を用いて説明する。
【0053】図3は本発明のリアプレート上の素子電極
の製造方法を用いて形成した画像表示装置の表面伝導型
電子放出素子基板の製造行程を示した上面図である。図
3(f)において不図示の青板ガラス基板上に対して、
電子放出素子を3個X3個、計9個のマトリックス状に
配線と共に形成した例で示す。
の製造方法を用いて形成した画像表示装置の表面伝導型
電子放出素子基板の製造行程を示した上面図である。図
3(f)において不図示の青板ガラス基板上に対して、
電子放出素子を3個X3個、計9個のマトリックス状に
配線と共に形成した例で示す。
【0054】図3(f)において、307、308は前
記オフセット印刷によって形成された素子電極である。
この素子電極パターンは本実施例においては20μmの
ギャップを隔てた一方の電極が500μmX200μ
m、他方が350μmX200μmの長方形状の一対の
電極がマトリクス状に配置されている。301は印刷A
gペーストの焼成によって形成された下層印刷配線、3
02は下層印刷配線301に並列した印刷パッドを示
し、印刷パッド302は下層印刷配線301と同一工程
で印刷金属ペーストの焼成によって形成される。303
は印刷ガラスペーストの焼成によって形成された下層印
刷配線に対して直交した短冊状の絶縁層である。絶縁層
303は印刷パッド302との交差中央部で開口したコ
ンタクトホール304を有している。図3(d)の30
5は印刷Agペーストの焼成によって形成された上層印
刷配線であり、上層印刷配線305は図3(f)のメッ
キ配線306の下層となるため図3(f)の図面上は露
出していない。また、上層印刷配線305は短冊状の絶
縁層303(図3(c))上にあって、絶縁層303の
開口304部分で印刷パッド302(図3(b))と電
気的に接続している。307、308は前記オフセット
印刷によって形成された素子電極であるが、素子電極3
07、308は下層印刷配線301と印刷パッド302
とに各々接続されている。下層配線302、絶縁層30
3、上層配線305はともにスクリーン印刷法で形成さ
れている。309は電子放出材であるPd微粒子から成
る薄膜を示し、薄膜309は素子電極307、308の
電極間隔部に配線形成される。310はこの電極間隔部
の薄膜部位を示し、後述する電子放出部となる部分であ
る。306はメッキ配線を示し、メッキ配線306は上
層印刷配線305上に短冊状でメッキ法によって形成さ
れる厚み約50ミクロンの金属配線である。
記オフセット印刷によって形成された素子電極である。
この素子電極パターンは本実施例においては20μmの
ギャップを隔てた一方の電極が500μmX200μ
m、他方が350μmX200μmの長方形状の一対の
電極がマトリクス状に配置されている。301は印刷A
gペーストの焼成によって形成された下層印刷配線、3
02は下層印刷配線301に並列した印刷パッドを示
し、印刷パッド302は下層印刷配線301と同一工程
で印刷金属ペーストの焼成によって形成される。303
は印刷ガラスペーストの焼成によって形成された下層印
刷配線に対して直交した短冊状の絶縁層である。絶縁層
303は印刷パッド302との交差中央部で開口したコ
ンタクトホール304を有している。図3(d)の30
5は印刷Agペーストの焼成によって形成された上層印
刷配線であり、上層印刷配線305は図3(f)のメッ
キ配線306の下層となるため図3(f)の図面上は露
出していない。また、上層印刷配線305は短冊状の絶
縁層303(図3(c))上にあって、絶縁層303の
開口304部分で印刷パッド302(図3(b))と電
気的に接続している。307、308は前記オフセット
印刷によって形成された素子電極であるが、素子電極3
07、308は下層印刷配線301と印刷パッド302
とに各々接続されている。下層配線302、絶縁層30
3、上層配線305はともにスクリーン印刷法で形成さ
れている。309は電子放出材であるPd微粒子から成
る薄膜を示し、薄膜309は素子電極307、308の
電極間隔部に配線形成される。310はこの電極間隔部
の薄膜部位を示し、後述する電子放出部となる部分であ
る。306はメッキ配線を示し、メッキ配線306は上
層印刷配線305上に短冊状でメッキ法によって形成さ
れる厚み約50ミクロンの金属配線である。
【0055】以下図3の(a)〜(f)を用いて本素子
基板の製造方法を順に説明する。前記実施例で作成した
一対の素子電極が多数配置された30cm角の電子源基
板であるところのリアプレートを準備する(図3(a)
参照)。その基板上にまず第一の配線(下層配線)を形
成する。導電性ペーストに銀ペーストを用い、スクリー
ン印刷法により印刷、焼成を行い幅100μm、厚み1
2μmの下層配線を形成した(図3(b)参照)。
基板の製造方法を順に説明する。前記実施例で作成した
一対の素子電極が多数配置された30cm角の電子源基
板であるところのリアプレートを準備する(図3(a)
参照)。その基板上にまず第一の配線(下層配線)を形
成する。導電性ペーストに銀ペーストを用い、スクリー
ン印刷法により印刷、焼成を行い幅100μm、厚み1
2μmの下層配線を形成した(図3(b)参照)。
【0056】次に下層配線と直交する方向に層間絶縁膜
をスクリーン印刷法により形成する。ペースト材料は酸
化鉛を主成分としてガラスバインダー及び樹脂を混合し
たガラスペーストである。このガラスペーストをスクリ
ーン印刷法により印刷、焼成を2回繰り返し行いストラ
イプ状に層間絶縁を形成した(図3(c)参照)。
をスクリーン印刷法により形成する。ペースト材料は酸
化鉛を主成分としてガラスバインダー及び樹脂を混合し
たガラスペーストである。このガラスペーストをスクリ
ーン印刷法により印刷、焼成を2回繰り返し行いストラ
イプ状に層間絶縁を形成した(図3(c)参照)。
【0057】次に層間絶縁上に第二の配線(上層配線)
を形成した。下層配線と同様な方法により幅100μ
m、厚さ12μmの上層配線をスクリーン印刷法により
形成し、層間絶縁膜を介しストライプ状の下層配線とス
トライプ状の上層配線が直交したマトリクス配線が形成
される(図3(d)参照)。
を形成した。下層配線と同様な方法により幅100μ
m、厚さ12μmの上層配線をスクリーン印刷法により
形成し、層間絶縁膜を介しストライプ状の下層配線とス
トライプ状の上層配線が直交したマトリクス配線が形成
される(図3(d)参照)。
【0058】次に電子放出部を形成する。まず素子電
極、配線が形成された基板上に有機パラジウム(CCP
4230、奥野製薬工業(株))を塗布後、300℃、
10分間の加熱処理を行い、Pdからなる導電薄膜を形
成する。導電薄膜はPdを主元素とする微粒子から構成
され、その膜厚は10nmであった。ここでの微粒子膜
は複数の微粒子が集合した膜であり、微粒子が個々に分
散配置された状態のものばかりでなく、微粒子が互いに
隣接、あるいは重なりあった状態(島状も含む)の膜を
指し、その粒径は前記状態で認識可能な微粒子について
の径をいう。このパラジウム膜をフォトリソグラフィ法
を用いてパターニングすることによりフォーミング前ま
での電子源基板が完成する(図3(e)参照)。
極、配線が形成された基板上に有機パラジウム(CCP
4230、奥野製薬工業(株))を塗布後、300℃、
10分間の加熱処理を行い、Pdからなる導電薄膜を形
成する。導電薄膜はPdを主元素とする微粒子から構成
され、その膜厚は10nmであった。ここでの微粒子膜
は複数の微粒子が集合した膜であり、微粒子が個々に分
散配置された状態のものばかりでなく、微粒子が互いに
隣接、あるいは重なりあった状態(島状も含む)の膜を
指し、その粒径は前記状態で認識可能な微粒子について
の径をいう。このパラジウム膜をフォトリソグラフィ法
を用いてパターニングすることによりフォーミング前ま
での電子源基板が完成する(図3(e)参照)。
【0059】次に、上層印刷配線305を露出させた形
にメッキレジストをフォトリソグラフィー法により形成
し、上層印刷配線305に通電してこの部分にCuの電
解メッキを厚み50ミクロン実施する。メッキレジスト
を剥離することによって素子基板が製造される。この時
コンタクトホール304内にも堆積成長して、印刷パッ
トと上層印刷配線305は充分な電気的導通が得られた
(図3(f)参照)。
にメッキレジストをフォトリソグラフィー法により形成
し、上層印刷配線305に通電してこの部分にCuの電
解メッキを厚み50ミクロン実施する。メッキレジスト
を剥離することによって素子基板が製造される。この時
コンタクトホール304内にも堆積成長して、印刷パッ
トと上層印刷配線305は充分な電気的導通が得られた
(図3(f)参照)。
【0060】このリアプレートであるところの電子源基
板を30センチメートル角基板上に、480個X148
個の電子放出素子をマトリックス状に配置してR、G、
Bに対応する各蛍光体を有するフェイスプレートと共に
真空外囲器内に配置した。この後、電子放出素子の通電
処理を行った後、本素子基板の上層印刷配線には14V
の任意の電圧信号を、下層印刷配線には0Vの電位を順
次印加走査しそれ以外の下層印刷配線は7Vの電位とし
た。フェースプレートのメタルバックに5kVのアノー
ド電圧を印加したところ、任意の画像を表示することが
できた。この時の電子放出素子と蛍光体の位置ズレによ
って生ずる蛍光輝点のクロストークは無かった。
板を30センチメートル角基板上に、480個X148
個の電子放出素子をマトリックス状に配置してR、G、
Bに対応する各蛍光体を有するフェイスプレートと共に
真空外囲器内に配置した。この後、電子放出素子の通電
処理を行った後、本素子基板の上層印刷配線には14V
の任意の電圧信号を、下層印刷配線には0Vの電位を順
次印加走査しそれ以外の下層印刷配線は7Vの電位とし
た。フェースプレートのメタルバックに5kVのアノー
ド電圧を印加したところ、任意の画像を表示することが
できた。この時の電子放出素子と蛍光体の位置ズレによ
って生ずる蛍光輝点のクロストークは無かった。
【0061】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
リアプレート上の素子電極を分割印刷により形成するこ
とにより、高精細、大面積の平板型画像表示装置を実現
することができる。
リアプレート上の素子電極を分割印刷により形成するこ
とにより、高精細、大面積の平板型画像表示装置を実現
することができる。
【図1】本発明の実施態様を説明するリアプレートの模
式的平面図である。
式的平面図である。
【図2】本発明の画像形成装置を説明する模式的断面図
である。
である。
【図3】本発明のリアプレートの製造工程を示す模式的
平面図である。
平面図である。
【図4】本発明の平板型画像形成装置の製造方法の印刷
工程を説明する図である。
工程を説明する図である。
【図5】従来例のオフセット印刷装置を示す模式的平面
図である。
図である。
【図6】従来例のオフセット印刷工程を示す模式的側面
図である。
図である。
【図7】表面伝導型電子放出素子の従来例を示す図であ
る。
る。
【図8】表面伝導型電子放出素子の他の従来例を示す図
である。
である。
【図9】本発明の画像形成装置の電子放出素子の配列の
一例を示す摸式的平面図である。
一例を示す摸式的平面図である。
【図10】本発明の画像形成装置の構成の一例を示す一
部破断斜視図である。
部破断斜視図である。
1 リアプレート 2 素子電極パターンエリア 3 素子電極パターンエリア 4 素子電極パターンエリア 5 素子電極パターンエリア 6 素子電極 46 素子電極パターン 101 インキ練り台 102 版定盤 103 ワーク定盤 104 インキローラ 105 凹版 106 ワーク 107 インキ 108 本体フレーム 109 ラックギア 110 ラックギア 111 ギア 112 ギア 113 ブランケット 114 キャリッジ 115 キャリッジ 116 クランクアーム 117 ブレード 118 アライメントスコープ 119 ディスペンサー 200 フェースプレート 201 リアプレート 202 素子電極 203 素子電極 204 素子電極 205 薄膜 206 薄膜 207 印刷配線 208 印刷配線 209 印刷配線 210 メッキ配線 211 メッキ配線 212 メッキ配線 213 電子放出部 214 電子放出部 215 ガラス基板 216 蛍光体 217 蛍光体 218 メタルバック 219 グリッド電極 301 下層印刷配線 302 印刷パッド 303 絶縁層 304 コンタクトホール 305 上層印刷配線 306 メッキ配線 307 素子電極 308 素子電極 309 薄膜 310 電子放出部 601 基板 602 素子電極 603 素子電極 604 導電性薄膜 605 電子放出部 701 絶縁性基板 702 素子電極 703 素子電極 704 導電性薄膜 705 電子放出部 901 電子放出素子 902 共通配線 1001 グリット 1003 フェースプレート 1004 蛍光体 1005 メタルバック 1006 画像形成装置 1007 リアプレート
Claims (5)
- 【請求項1】 少なくともリアプレートと、フェースプ
レートからなり、前記リアプレート上には複数の電子放
出素子を有し、前記フェースプレートには画像形成部材
を有してなる平板型画像形成装置の製造方法において、
前記リアプレートの電子放出素子の配置エリアを複数の
領域に分割し、各分割エリア毎にそのエリア中の電子放
出素子を構成する素子電極の形成をオフセット印刷法に
よる印刷で順次行うことを特徴とする平板型画像形成装
置の製造方法。 - 【請求項2】 各分割毎の素子電極のオフセット印刷の
後に、それぞれ乾燥工程を付加することを特徴とする請
求項1に記載の製造方法。 - 【請求項3】 乾燥工程の後にさらにそれぞれまたは一
括して焼成する焼成工程を付加することを特徴とする請
求項2に記載の製造方法。 - 【請求項4】 電子放出素子の配置エリアの分割が田の
字型の4分割である請求項1、2または3に記載の製造
方法。 - 【請求項5】 特許請求項1、2、3または4の製造方
法によって形成された、電子放出素子の素子電極を用い
てなる平板型画像形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22044797A JPH1167081A (ja) | 1997-08-15 | 1997-08-15 | 平板型画像形成装置の製造方法、および平板型画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22044797A JPH1167081A (ja) | 1997-08-15 | 1997-08-15 | 平板型画像形成装置の製造方法、および平板型画像形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1167081A true JPH1167081A (ja) | 1999-03-09 |
Family
ID=16751267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22044797A Pending JPH1167081A (ja) | 1997-08-15 | 1997-08-15 | 平板型画像形成装置の製造方法、および平板型画像形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1167081A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006344545A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el素子の製造方法および有機el素子 |
KR20150062124A (ko) * | 2013-11-28 | 2015-06-05 | 토와 가부시기가이샤 | 압축 성형 장치의 수지 재료 공급 방법 및 공급 기구, 및 압축 성형 방법 및 압축 성형 장치 |
-
1997
- 1997-08-15 JP JP22044797A patent/JPH1167081A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006344545A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el素子の製造方法および有機el素子 |
KR20150062124A (ko) * | 2013-11-28 | 2015-06-05 | 토와 가부시기가이샤 | 압축 성형 장치의 수지 재료 공급 방법 및 공급 기구, 및 압축 성형 방법 및 압축 성형 장치 |
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