JPH09300586A - オフセット印刷装置、それに用いるブランケット、それらを用いたオフセット印刷方法及びそれらを用いた画像形成装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 幅方向及び印刷方向に位置ずれのないオフセ
ット印刷装置、該印刷装置に用いる周辺部まで均一な形
状で印刷が可能なブランケット、発塵なく印刷の繰返し
により延びのないブランケット及びそれらを用いたオフ
セット印刷方法を提供する。 【解決手段】 印刷版よりインキパターンを受理したブ
ランケットと被印刷物が接触することにより該インキパ
ターンを被印刷物へ転移するオフセット印刷装置におい
て、該接触時における該ブランケットの中心軸と平行方
向の印刷版及び被印刷物の長さが該印刷版及び被印刷物
と該ブランケットとの接触領域の長手方向の長さ長さよ
りも長いこと及びインクの受理・転移に利用される中心
部分は平坦でその左右幅方向は外側に向けてテーパー状
に徐々に肉厚が薄くなり、かつその開始点が版および被
印刷物の左右端面に対応する部分より内側にあることを
特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は印刷版に形成された
原版パターンを被印刷物の上に高精度に転写印刷形成す
る際に使用するオフセット印刷装置、それに用いるブラ
ンケット、それらを用いたオフセット印刷方法及びそれ
らを用いた画像形成装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来オフセット印刷はグラフィックス印
刷用として主に多く用いられている。また近年、電子機
器への応用として記録用サーマルヘッドの電極や液晶表
示装置のカラーフィルター等を作製するための技術開発
が成されている。

【０００３】図６は平台校正機型オフセット印刷装置を
示す図である。本図において１０１はインキローラー１
０４でインキ１０７を展開するインキ練り台であり、１
０２は凹版１０５を固定する版定盤である。また１０３
は被印刷物であるワーク１０６を固定するワーク定盤で
あり本体フレーム１０８の上に固定配置されている。こ
の一列に並んだ３つの定盤の両側に２本のラックギヤー
１０９、１１０を配置し、そのラックギヤー１０９、１
１０の上にギヤー１１１、１１２を噛み合わせたブラン
ケット１１３が配置されている。ブランケット１１３は
その軸を両端のキャリッジ１１４、１１５で固定され、
このキャリッジ１１４、１１５が本体下部からのクラン
クアーム１１６のクランク動作によって前後進し、ブラ
ンケット１１３はインキ練り台１０１、凹版（印刷版）
１０５、ワーク（被印刷物）１０６の上を順次回転摺動
する。ブランケット１１３の表面はゴム状のブランケッ
トラバーが取付けてある。

【０００４】図１４（ａ）〜（ｄ）はオフセット印刷工
程を示す図である。本図に於て１４１はインキ練り台、
１４５は凹版、１４６はワークとなるガラス基板であり
同一平面に直列に配置されている。１４４はインキロー
ルでありインキ練り台１４１上で練ったインキ１４７を
凹版１４５上に転移させる（図１４（ａ））。１４８は
ブレードであり凹版１４５上面を摺動して転移したイン
キ１４７のうち、凹部に充填されたインキ以外をかきと
る（図１４（ｂ））。１４９はブランケットであり凹版
１４５、ガラス基板１４６上面を順に回転接触すること
により、凹版１４５の凹部に充填されたインキを受理し
（図１４（ｃ））、ガラス基板１４６上に凹版１４５の
有するパターン状にインキ１４７を転移する（図１４
（ｄ））。以上により印刷工程が終了する。印刷インキ
１４７は作製するパターンの機能によって適宜選択する
ことができる。即ち記録用サーマルヘッド等の電極には
主にＡｕレジネートペーストと呼ばれる有機Ａｕ金属か
ら成るインキを用い、また、カラーフィルターであれば
Ｒ、Ｇ、Ｂ各色の顔料を分散したインキや有機色素を含
んだインキ等が用いられる。

【０００５】また従来、平面型表示装置を実現する表示
装置としては、液晶表示装置（ＬＣＤ）、プラズマディ
スプレイ（ＰＤＰ）、低速電子線蛍光表示管（ＶＦ
Ｄ）、マルチ電子源フラットＣＲＴ等の平面型表示装置
技術がある。

【０００６】これらの表示装置の例として、マルチ電子
源を用い蛍光体を発光させる発光素子及びこれを用いた
平面型表示装置について説明する。

【０００７】従来より電子源としての電子放出素子には
大別して熱電子放出素子と冷陰極電子放出素子を用いた
２種類のものが知られている。冷陰極電子放出素子には
電界放出型（以下、「ＦＥ型」という。）、金属／絶縁
層／金属型（以下、「ＭＩＭ型」という。）や表面伝導
型電子放出素子等がある。ＦＥ型の例としてはＷ．Ｐ．
Ｄｙｋｅ ＆ Ｗ．Ｗ．Ｄｏｒａｎ”Ｆｉｅｌｄ Ｅｍ
ｉｓｓｉｏｎ”，Ａｄｖａｎｃｅ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ Ｐｈｙｓｉｃｓ，８，８９（１９５６）あるいは
Ｃ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ”Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｐｒｏｐｅ
ｒｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｆｉｅｌｄ
ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｃａｔｈｏｄｅｓｗｉｔｈ ｍｏｌ
ｙｂｄｅｎｉｕｍ ｃｏｎｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈ
ｙｓ．，４７，５２４８（１９７６）等に開示されたも
のが知られている。

【０００８】ＭＩＭ型ではＣ．Ａ．Ｍｅａｄ，”Ｏｐｅ
ｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｔｕｎｎｅｌ−Ｅｍｉｓｓｉｏｎ
Ｄｅｖｉｃｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３
２，６４６（１９６１）等に開示されたものが知られて
いる。

【０００９】表面伝導型電子放出素子型の例としては、
Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，Ｒａｄｉｏ Ｅｎｇ．Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓ．，１０，１２９０（１９６５）
等に開示されたものがある。

【００１０】表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成
された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことによ
り、電子放出が生ずる。この表面伝導型電子放出素子と
しては、前記エリンソン等によるＳｎＯ₂ 薄膜を用いた
もの、Ａｕ薄膜によるもの［Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：Ｔｈ
ｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，９，３１７（１９７
２）］、Ｉｎ₂ Ｏ₃ ／ＳｎＯ₂ 薄膜によるもの［Ｍ．Ｈ
ａｒｔｗｅｌｌ ａｎｄＣ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：ＩＥ
ＥＥ Ｔｒａｎｓ．ＥＤ Ｃｏｎｆ．，５１９（１９７
５）］、カーボン薄膜によるもの［荒木久 他：真空、
第２６巻、第１号、２２頁（１９８３）］等が報告され
ている。

【００１１】これらの表面伝導型電子放出素子の典型的
な例として前述のＭ．ハートウェルの素子構成を図８に
模式的に示す。同図において２０１は基板である。２０
４は導電性薄膜で、Ｈ型形状のパターンにスパッタで形
成された金属酸化物薄膜等からなり、後述の通電フォー
ミングと呼ばれる通電処理により電子放出部２０５が形
成される。尚、図中の素子電極間隔Ｌは０．５〜１ｍ
ｍ、Ｗ’は０．１ｍｍで設定されている。

【００１２】従来、これらの表面伝導型電子放出素子に
おいては、電子放出を行う前に導電性薄膜２０４をあら
かじめ通電フォーミングと呼ばれる通電処理によって電
子放出部２０５を形成するのが一般的であった。即ち、
通電フォーミングとは前記導電性薄膜２０４両端に直流
電圧あるいは非常にゆっくりとした昇電圧を印加通電
し、導電性薄膜を局所的に破壊、変形もしくは変質せし
め、電気的に高抵抗な状態にした電子放出部２０５を形
成することである。尚、電子放出部２０５は導電性薄膜
２０４の一部に亀裂が発生しその亀裂付近から電子放出
が行われる。前記通電フォーミング処理をした表面伝導
型電子放出素子は、上述導電性薄膜２０４に電圧を印加
し、素子に電流を流すことにより上述の電子放出部２０
５より電子を放出せしめるものである。

【００１３】上述の表面伝導型放出素子は構造が単純で
製造も容易であることから、大面積にわたって多数素子
を配列形成できる利点がある。そこでこの特徴を活かし
た荷電ビーム源、表示装置等の応用研究がなされてい
る。多数の表面伝導型放出素子を配列形成した例として
は、後述する様に梯型配置と呼ぶ並列に表面伝導型電子
放出素子を配列し、個々の素子の両端を配線（共通配線
とも呼ぶ）で、それぞれ結線した行を多数行配列した電
子源があげられる。（例えば、特開昭６４−０３１３３
２、特開平１−２８３７４９、２−２５７５５２等）ま
た、特に表示装置等の画像形成装置においては、近年、
液晶を用いた平板型表示装置がＣＲＴに替わって普及し
てきたが、自発光型でないためバックライトを持たなけ
ればならない等の問題点があり、自発光型の表示装置の
開発が望まれてきた。自発光型表示装置としては表面伝
導型放出素子を多数配置した電子源と電子源より放出さ
れた電子によって、可視光を発光せしめる蛍光体とを組
み合わせた表示装置である画像形成装置があげられる。
（例えば、ＵＳＰ５０６６８８３）

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の表面伝
導型電子放出素子を複数個配列形成するためにフォトリ
ソグラフィー技術を用いていたが、より大面積に表面伝
導型電子放出素子を形成するにはコスト的、装置的に難
しい点が多い。

【００１５】そこで、上記素子の素子電極部分をオフセ
ット印刷法を用いて作製することが考えられる。

【００１６】しかしながら、以上説明したような画像形
成装置の表面伝導形電子放出素子の一対の素子電極を従
来のオフセット印刷装置を用いて形成した場合には、以
下に述べるような問題点が存在する場合があった。

【００１７】図９（ｂ）に一対の素子電極の形状を示す
が、長方形の片側素子電極１７−１および１７−２が平
行な素子電極間隔１８を隔て存在するのが望ましい。ま
た図９（ａ）に示すように、実際の画像形成装置におい
ては、被印刷物たるガラス基板１５上に、画像表示部１
６が存在し、この領域内に一対の素子電極１７が多数個
規則正しく並んでいる。この画像形成装置が全面にわた
って均一に点灯するためには、多数個存在する一対の素
子電極１７の全てが均一な形状で印刷されている必要が
ある。

【００１８】しかしながら従来のオフセット印刷装置を
用いて単純に一対の素子電極１７を印刷形成した場合、
画像表示部１６の中心部付近では図９（ｂ）の理想的形
状に近い形で印刷されるが、周辺部付近では形状に乱れ
が生じる場合があった。特に左右周辺付近即ちブランケ
ット幅方向左右端付近では、図９（ｃ）に示したよう
に、本来長方形であるべき片側素子電極１７−１および
１７−２に太りが生じ、電極間隔１８が狭くなり平行度
が損なわれ、ひどい場合は左右の片側素子電極１７−１
および１７−２が短絡し機能しなくなる（図９（ｃ）右
図）。また画像表示部１６の下端部付近即ちブランケッ
トの進入箇所周辺では、図９（ｄ）に示すように、印刷
方向に大きな変形を生じる。上記のような素子電極の変
形は、画像形成装置においては、輝度むらを生じ、ひど
い場合は特定の画素が点灯せず、大きな問題となる。

【００１９】印刷物外周付近のパターンの形状変形の発
生理由は、図１５（ｂ）に示すように、印刷中ブランケ
ット１５３と版及び被印刷物１５４との接触領域おい
て、版および被印刷物１５４にブランケット（胴）１５
３からの押圧がかかった場合、ブランケット表面のゴム
層（粘弾性体）１５６が変形し、中心部のゴム厚が外周
部へ逃げ、外周付近の印圧が中心部に比べ大きくなるた
めである。図１５（ｃ）には、この時のニップ幅１５５
（接触領域）を示してある。このように外周付近は大き
な圧力を受けるため、パターンの形状変形が大きくな
る。また、印刷方向の周辺付近即ちブランケットの進入
・離脱付近においても、ブランケットゴム層の局所的変
形により印圧が高くなるため、パターンの形状変形が大
きくなることによるものである。

【００２０】また前記のオフセット印刷に使用するブラ
ンケット表面の構造は図３（ａ）に示す様に、数層の織
布２０３とスポンジ２０４からなる基布２０２に表面ゴ
ム２０１が接着されているのが一般的であり、このブラ
ンケットをオフセット印刷機のブランケット胴に張力を
加えて巻き上げて使用する。しかしながら、印刷時には
ブランケットは印圧を受けた状態で回転するために、ブ
ランケットの基布裏面とブランケット胴表面間で摩擦が
発生し発塵が起こる。また、ブランケットの側面からは
基布の繊維が離脱することがある。このため、この様な
従来の一般的構造のブランケットを使用して、画像形成
装置の電極パターンやカラーフィルターを印刷すると、
ブランケット表面の他、版や被印刷物にも、基布から発
生する繊維ゴミが付着し、歩留りが大きく低下するとい
う問題が生じる。最近では、この繊維ゴミ発生を回避す
るために、図３（ｂ）に示す様な構造のブランケット、
即ち布素材を一切使用せず、スポンジ２０４の上に強度
増のためのフィルム２０５を接着し、この上に表面ゴム
２０１を接着した構造のブランケットが登場している。
しかしながら、確かに発塵による歩留り低下を改善する
には大きな効果があるが、新たな問題として、印刷回数
を重ねると経時的に位置精度が悪化する現象が起こる。
これは、ブランケットを構成する素材が、ゴム−フィル
ム−スポンジという合成高分子のみであるため、張力を
加えると経時的に永久延びが発生し張力が低下し、ブラ
ンケットがゆるむことに起因する。

【００２１】画像形成装置の電極パターンやカラーフィ
ルターには、２０μｍ以下の高精度の絶対位置精度が必
須なため、ブランケットには、経時的な張力低下（延
び）および、歩留りの観点から発塵は許されない。

【００２２】更に、以上に説明した画像形成装置の表面
伝導型電子放出素子の一対の素子電極の集合体をオフセ
ット印刷法を用いて形成するには以下のような問題が存
在する場合があった。

【００２３】（１）高精度に設計されたオフセット印刷
装置においても、版、ワークに接触摺動するブランケッ
ト胴の直進走行のメカ的繰り返し誤差精度は２０ミクロ
ン程度発生する。この直進走行誤差２０ミクロンでブラ
ンケット胴が蛇行し印刷進行したとすると、ブランケッ
ト表面と版の摺動接触位置関係とワークの摺動接触位置
関係がずれてしまう。この時、印刷されたパターンはブ
ランケットの蛇行に従って、印刷位置の変形が生じる。
ブランケット胴の蛇行は直進走行誤差精度内でブランケ
ット胴に外から加わる力の変化によって発生する。

【００２４】（２）上記に加え、オフセット印刷装置の
ブランケット胴には、版や被印刷物（ガラス基板等）か
ら受けるブランケットの圧縮応力が数百ｋｇｆもかかり
ながら印刷が行なわれるため、版や被印刷物の幅方向両
端面にブランケットが喰い込み、ブランケット胴は端部
に倣いながら走行しようとする。このため、印刷物には
版や被印刷物の端面精度に応じた蛇行が発生する。

【００２５】（３）また、ブランケットは版や被印刷物
に進入・離脱する際は、版や被印刷物の印刷方向両端面
により局所的に変形を受けるため、印刷方向両端面近傍
では印刷物に伸縮が発生する。

【００２６】以上問題点を列挙したが、画像形成装置を
製造する上では、配線の接続、バックプレートとフェー
スプレートの合せ等の関係から素子電極のオフセット印
刷に関しては位置ずれをできるだけ抑えることが望まれ
る。印刷パターンの位置ずれを最小にするためには、高
精度に設計されたオフセット印刷装置を使用した上で、
前記問題点（２）（３）を解決する必要がある。

【００２７】従って上述したように、本発明の第１の発
明の目的は中心部のみならず周辺部までも均一な印刷が
可能であり、輝度むらを大幅に低減できるブランケット
及び該ブランケットを装着したオフセット印刷装置を提
供しようとするものである。

【００２８】また本発明の第２の発明の目的は発塵がな
く印刷を繰返しても延びの発生のないブランケット及び
該ブランケットを装着してなるオフセット印刷装置を提
供しようとするものである。

【００２９】更に本発明の第３の発明の目的は幅方向の
位置ずれ等がなく高精度の印刷ができ、輝度むら、クロ
ストークを大幅に低減できるオフセット印刷法及び画像
形成装置を提供しようとするものである。

【００３０】

【課題を解決するための手段】前記の目的は以下の手段
によって達成される。

【００３１】すなわち、本発明は印刷版とブランケット
が接触することにより、該印刷版から該ブランケットが
該印刷版に形成されたインキパターンを受理し、該イン
キパターンを受理したブランケットと被印刷物が接触す
ることにより該インキパターンを被印刷物へ転移するオ
フセット印刷装置において、該接触時における該ブラン
ケットの中心軸と平行方向の該印刷版および該被印刷物
の長さが、該印刷版および該被印刷物と該ブランケット
との接触領域の長手方向の長さよりも、長いことを特徴
とするオフセット印刷装置を提案するものである。ま
た、本発明はインクの受理・転移に利用される中心部分
は平坦で、その左右幅方向は外側に向けてテーパー状に
徐々に肉厚が薄くなり、かつその開始点が、版および被
印刷物の左右端面に対応する部分より内側にあることを
特徴とするブランケット及びインクの受理・転移に利用
される中心部分は平坦で、印刷方向であるその前後は外
側に向けてテーパー状に徐々に肉厚が薄くなり、かつそ
の開始点が、版および被印刷物の前後端面に対応する部
分より内側にあることを特徴とするブランケットを提案
するものであり、前記のテーパー形状の傾きが、中心部
分の平坦面である印刷基準面に対して、１／１００以上
１／０．２以下であることを含む。

【００３２】また本発明は、織布を用いた基布構造を有
するブランケットにおいて、布面が外面に露出しない構
造であることを特徴とするブランケットを提案するもの
であり、前記ブランケットが、裏面及び側面の布面を樹
脂フィルムでラミネートした構造であること、前記ブラ
ンケットが、裏面及び側面の布面に樹脂溶液を含浸させ
乾燥又は硬化させた構造であることを含む。

【００３３】また本発明は、前記のブランケットを装着
したことを特徴とするオフセット印刷装置、前記ブラン
ケット及びオフセット印刷装置を用いたことを特徴とす
るオフセット印刷方法及び版および被印刷物に接触する
部分の横幅が、版および被印刷物の横幅より短いブラン
ケットを使用し、かつブランケットが版および被印刷物
の幅方向両端に接触しないことを特徴とするオフセット
印刷法及び版および被印刷物に接触する部分の縦幅であ
る周長が、版および被印刷物の縦幅である印刷方向の幅
より短いブランケットを使用し、かつブランケットが版
および被印刷物の印刷方向両端に接触しないことを特徴
とするオフセット印刷法を提案するものである。

【００３４】更に本発明は、前記のブランケット、オフ
セット印刷装置及び印刷方法を用いたことを特徴とする
画像形成装置の製造方法を提案するものである。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下本発明を図面を参照して説明
する。

【００３６】図１（ａ）は本発明の一例を示すブランケ
ットの上面図及びブランケットの横断面図及び縦断面図
である。図１（ｂ）はブランケット側面図であり、図１
（ｃ）はニップ幅（ブランケットと版及び被印刷物との
接触領域）の状態を示す図である。

【００３７】本発明のブランケットは、図１（ａ）に示
すように、インクの受理・転移に使用される中心部１に
比べ、外周部２を徐々に薄くしたテーパー形状のブラン
ケットをオフセット印刷機に装着する。この場合、図１
（ｂ）に示すように印刷中に版および被印刷物４にブラ
ンケットからの押圧が加わった場合、ブランケットゴム
層は変形し中心部のゴム厚が外周部へ逃げるが、外周部
はあらかじめテーパー形状で薄くなっているため、この
部分で押圧時に中心部から移動してきた余分なゴム厚を
吸収することができる。よって、中心部も外周部にも均
一な印圧がかかり、図１（ｃ）に示すようにニップ幅５
も均一である。また本発明では、印刷方向についても、
外周部付近がテーパー形状に薄くなっているため、版や
被印刷物にブランケットが進入・離脱する際のブランケ
ットゴムの局所的変形も極めて小さい。つまり、印刷物
外周付近も中心部付近と同様に、パターンの形状変形が
ほとんどない良好な印刷が可能となる。

【００３８】なお、上記のテーパー形状の傾き及び範囲
をどの程度に設定するかは、印刷時のブランケットの押
圧量（印圧）、印刷速度、およびブランケットゴムのポ
アソン比等によって異なるが、印刷基準面（ブランケッ
ト平坦面）に対してテーパー形状の傾き（厚み変位／範
囲）が１／１００以上１／０．２以下のときがおおむね
良好である。

【００３９】以上説明したような本発明のオフセット印
刷装置およびオフセット印刷法を用い、画像形成装置の
表面伝導形電子放出素子の素子電極を印刷形成した場
合、画像表示部全域にわたって均一でかつ理想形状に近
い素子電極が得られるため、全画素の均一性に優れた性
能の良い画像形成装置の製造が可能となる。

【００４０】図２（ａ）は本発明のブランケットの別の
例を示す部分断面図であり、図２（ｂ）は本発明のブラ
ンケットのさらに他の例を示す部分断面図である。

【００４１】本発明のブランケットは布面が外面に露出
しないシール構造のブランケットとしたもので、第１番
目の方法として、図２（ａ）の様に、ブランケット裏面
及び側面に樹脂フィルム８をラミネートする。この際、
基布７の裏面及び側面まで完全に被覆することが重要で
あり、表面ゴム６の印圧を受けない外周部分が同時に被
覆されていてもさしつかえない。樹脂フィルム８は、布
面にラミネート可能なものであれば何れでも使用可能で
あるが、柔軟性のあるＥＶＡ、ＥＰＤＭ等が好ましい。
第２番目の方法として、図２（ｂ）の様に、ブランケッ
ト裏面及び側面に、樹脂溶液を含浸させ乾燥又は硬化さ
せ、樹脂乾燥又は硬化層９を形成させる。樹脂溶液とし
ては、種類に制限はないが、この場合も、乾燥又は硬化
後の柔軟性を考慮すると、フェノール樹脂やポリスチレ
ン等の硬いものよりは、ニトリルゴムやイソプレンゴム
等の軟らかいものの方が好ましい。樹脂含浸された裏面
及び側面の布面の繊維は、樹脂分がバインダーとして働
くため、印刷中にブランケットより離脱し繊維くずとな
ることは決してない。以上述べたように第１番目の樹脂
フィルムラミネート、第２番目の樹脂溶液含浸のどちら
の方法を用いても、織布を用いた基布構造を有するブラ
ンケットからの繊維の離脱、発塵は起こらない。また、
織布を用いた基布構造のため、経時的な張力低下（延
び）も非常に少ない。

【００４２】従って、本発明のブランケットを装着した
オフセット印刷装置を使用して画像形成装置の電極パタ
ーンやカラーフィルターを印刷形成した場合、印刷回数
を重ねても安定した高位置精度が得られ、かつ発塵によ
る歩留り低下も最小限に留めることが可能となる。

【００４３】さらに、本発明は版や被印刷物のサイズよ
りも横も縦も小さいブランケットを装着し、ブランケッ
トが版や被印刷物の各端面には接触せず、内面のみで接
触するオフセット印刷法を使用して素子電極を印刷する
ようにしたものである。図４はブランケットの幅長、周
長と凹版及びワーク（被印刷物）の関係を示した模式図
である。

【００４４】図５において上図のブランケット胴１１の
表面に装着されたブランケット１０が中図、下図の版１
２および被印刷物１４の上を横断する軌跡を１０’（斜
線部）で示した。また１３は版上のパターン部分で、１
３’（格子線部）は被印刷物上に印刷されたパターン部
分である。図４は、図５と同じ番号を用いて、本発明の
特徴を表記した模式図である。図４、図５より明らかな
様に、従来のオフセット印刷法では、ブランケット１０
は版１２および被印刷物１４の４辺の端に当って走行す
るが、本発明のオフセット印刷法では、ブランケット１
０は版１２および被印刷物１４上で必要なパターン部分
には接触するものの、端面には一切接触しない。このた
め、図４、図５の最下部に示した様に、従来のオフセッ
ト印刷法では、ブランケット１０が版１２および被印刷
物１４の幅方向端面に喰い込みながら走行するため、端
面精度に応じた蛇行を生じるが、本発明のオフセット印
刷法では、ブランケット端面が版１２および被印刷物１
４の内面にあり自由端となっているため蛇行の発生はほ
とんどない。また、図示はしていないが、従来のオフセ
ット印刷法では、版および被印刷物に対しブランケット
が進入・離脱する際、印刷方向端面から力を受け、ブラ
ンケットの局所的変形が起こり印刷部位の端面近傍では
伸縮が発生してしまうが、本発明のオフセット印刷法で
は、ブランケットが端面に当らないためこの伸縮も発生
しない。

【００４５】以上説明した様な本発明のオフセット印刷
装置およびオフセット印刷法を用い、画像形成装置の表
面伝導型電子放出素子の素子電極を印刷形成した。この
場合、印刷位置ずれは画面内全域に渡ってオフセット印
刷装置の版、ワークに接触摺動するブランケット胴の直
進走行のメカ的繰り返し誤差精度以内しか生じない。こ
のため、結果的に、高精度かつ高精細な画像形成装置の
製造が可能となる。

【００４６】

【実施例】以下本発明を実施例により具体的に説明す
る。

【００４７】実施例１ 図６に示す平台校正機形のオフセット印刷装置を用意
し、ブランケット胴の表面に幅３８０ｍｍ×長さ３２０
ｍｍ×厚み２．０ｍｍのブランケットを貼り付けた。

【００４８】但し、このブランケットの厚みは、外周部
４辺の各々端から２０ｍｍの範囲で１／２０の傾斜角を
もちながら外周部にいくにしたがって薄くなっている。
（端部厚みは１．０ｍｍである。）また、使用した版は
外寸法３６０ｍｍ×３００ｍｍの金属製凹版で、中心部
２６０ｍｍ×２００ｍｍの範囲に２４０個×１８０個の
素子電極対を刻んであり、その深さは約８μｍである。
また被印刷物として、版と同寸法の青板ガラスを使用
し、中心部に凹版上のパターンを印刷できるようにセッ
ティングした。なお、上記においてブランケット、版、
印刷物の中心は一致している。また、ブランケットの版
および被印刷物に対する押し込み量（印圧）は２００μ
ｍとした。

【００４９】以上によりガラス基板上に電子放出素子の
素子電極を印刷転写した。本実施例においてインキは有
機金属から成るＰｔレジネートペーストを用いている。
ガラス基板上に転移されたインキは約８０℃の乾燥と約
５８０℃の焼成によってＰｔから成る素子電極として利
用できる。印刷乾燥後のガラス基板上のインキ転写厚み
は約２ミクロン程度と小さく印刷電極パターン幅の太り
は非常に小さかった。さらに、焼成後のＰｔ電極厚みは
約４００オングストロームと薄く形成することができ
た。ここで、素子電極の印刷形状としては導電性薄膜を
配置する素子電極間隔を有し、その寸法を約２０ミクロ
ンに設定した。

【００５０】以上のようにして形成した素子電極に対し
て素子を駆動するための配線と、ＰｄＯ導電性薄膜を形
成することによって電子源基板を作製した。以下図を用
いて上記電子源基板を画像形成装置に適用したので、こ
れを説明する。

【００５１】図１０において、４０１は青板ガラスから
成る電子源基板。４０２、４０３、４０４は本発明によ
ってオフセット印刷形成された素子電極である。４０
７、４０８、４０９はＡｇペーストインキのスクリーン
印刷、焼成で得られた厚み約７ミクロンの印刷配線であ
る。素子電極４０２、４０３、４０４は印刷配線４０
７、４０８、４０９と各々接続してる。４０５、４０６
は有機金属溶液の塗布焼成で得られた厚み約２００オン
グストロームのＰｄＯ微粒子から成る薄膜であり、素子
電極４０２、４０３、４０４及びその電極間隔部に配置
するようにＣｒ薄膜のリバースエッチ法によってパター
ニングした。４１０、４１１、４１２はメッキ配線で、
印刷配線４０７、４０８、４０９上に厚み約５０ミクロ
ン、幅４００ミクロンのＣｕメッキによって形成した。

【００５２】また４１５は青板ガラスから成るガラス基
板で、電子源基板４０１と５ミリメートル隔たれて対向
している。４１６、４１７は蛍光体で、基板４１５上に
配置されており、対向した電子源基板４０１上に配置さ
れた素子電極４０２、４０３、４０４から成る電極間隔
部に対応した位置に形成されている。蛍光体４１６、４
１７は感光性樹脂を蛍光体を混ぜてスラリー状とし、塗
布乾燥した後ホトリソグラフィ法によってパターニング
形成したものである。４１８は蛍光体４１６、４１７上
にフィルミング行程を施した後、真空蒸着によって厚み
約３００オングストロームのＡｌ薄膜を成膜し、これを
焼成してフィルム層を焼失することによって得られたメ
タルバックである。以上の、蛍光体及びメタルバックを
ガラス基板４１５上に形成したものをフェースプレート
と呼ぶ。

【００５３】４１９は素子基板とフェースプレート間に
配置されたグリッド電極である。以上を真空外囲器の中
に配置した後、メッキ配線４１０、４１１、４１２間に
電圧を印加して薄膜４０５、４０６の通電処理を行い電
子放出部４１３、４１４を得た。この後、電子の引き出
し電極であるメタルバック４１８に３ｋＶを印加し、メ
ッキ配線４１０、４１１、４１２間を通して素子電極４
０２、４０３から電子放出部４１３へ１４Ｖの電圧を印
加したところ、電子が放出された。この放出電子をグリ
ッド４１９の電圧を変化させることによって変調し、蛍
光体４１６へ照射される放出電子量を調整することがで
きた。これにより蛍光体４１６を任意に発光させること
ができた。同様に素子電極４０３、４０４から電子放出
部４１４へ１４Ｖの電圧を印加したところ、電子が放出
された。この放出電子をグリッド４１９の電圧を変化さ
せることによって変調し、蛍光体４１７へ照射される放
出電子量を調整することができた。これにより蛍光体４
１７を任意に発光させることができた。

【００５４】またこの時、素子電極の形状変形によって
生じる輝度むらおよび発光しない素子はほとんど発生し
なかった。

【００５５】以上のことから、印刷形成された素子電極
４０２、４０３、４０４に短絡は存在せず、均一な形状
で印刷されていることがわかった。

【００５６】実施例２ 第１の実施例と同様な印刷方法、印刷装置によってガラ
ス基板上に電子放出素子の素子電極を印刷転写した。

【００５７】図７（ａ）〜（ｆ）にオフセット印刷によ
って作製した表面伝導形電子放出素子とマトリックス配
線を組み合わせた図を示す。

【００５８】図７は本実施例の素子基板の製造行程を示
した上面図である。図７（ｆ）において不図示の青板ガ
ラス基板上に対して、多数の電子放出素子をマトリック
ス状に配線と共に形成した例で示す。本図において５０
１は下層印刷配線、５０２は下層印刷配線５０１に並列
した印刷パッドであり、下層印刷配線５０１と同一行程
で印刷金属ペーストの焼成によって形成される。５０３
は印刷ガラスペーストの焼成によって形成された下層印
刷配線に対して直交した短冊状の絶縁層であり、印刷パ
ッド５０２との交差中央部で５０４のコンタクトホール
の開口を有している。５０５は上層印刷配線であり、メ
ッキ配線５０６の下層となるため図面上は露出していな
い。上層印刷配線５０５は絶縁層５０３上の短冊状であ
り、コンタクトホール５０４によって印刷パッド５０２
と電気的に接続しており、印刷金属ペーストの焼成によ
って形成される。５０７、５０８は素子電極であり、下
層印刷配線５０１と印刷パッド５０２とに各々接続して
おり、レジネートペーストインキのオフセット印刷、焼
成によって形成される。素子電極５０７、５０８は相互
の隣接部で電極間隔２０ミクロン、電極幅２００ミクロ
ンの形状を構成している。５０９はＰｄＯ微粒子から成
る導電性薄膜であり素子電極５０７、５０８及び電極間
隔に配線形成される。５１０はこの電極間隔部の薄膜部
位を示しており、後述する電子放出部となる部分であ
る。５０６はメッキ配線であり上層印刷配線５０５上に
短冊状でメッキ法によって形成される厚み約１００ミク
ロンの金属配線である。

【００５９】以下本図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、
（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）を用いて本素子基板の製造方法
を順に説明する。

【００６０】まず、良く洗浄した青板ガラスから成る基
板上にレジネートペーストインキを用いて本発明に沿っ
たオフセット印刷を行い、焼成によって厚み約４００オ
ングストロームのＰｔ素子電極５０７、５０８をパター
ン形成した（図７（ａ））。

【００６１】次にＡｇペーストインキをスクリーン印刷
し、焼成して幅３００ミクロン、厚み７ミクロンの下層
印刷配線５０１及び印刷パッド５０２を形成した。この
時、配線５０１及び印刷パッド５０２は素子電極５０
７、５０８と各々電気的に接続される（図７（ｂ））。

【００６２】次に、ガラスペーストインキをスクリーン
印刷し、焼成して幅５００ミクロン厚み約２０ミクロン
の絶縁層５０３と、開口寸法１００ミクロン角のコンタ
クトホール５０４を形成した（図７（ｃ））。

【００６３】更に、絶縁層５０３上にＡｇペーストイン
キをスクリーン印刷し、焼成して幅３００ミクロン厚み
１０ミクロンの上層印刷配線５０５を形成した。この時
コンタクトホール５０４を通じて上層印刷配線５０５と
印刷パッド５０２は電気的に導通する。また、後工程の
メッキ配線形成によって、コンタクトホールでの充分な
ステップカバーが実現される（図７（ｄ））。

【００６４】次に導電性薄膜５０９を配置したくない部
分にスパッタ法によりＣｒを成膜した後、ホトリソエッ
チング法によってＣｒパターンを作製し、その後有機パ
ラジュウム溶液（奥野製薬（株）キャタペーストＣＣＰ
４２３０）を塗布、焼成してＰｄＯ微粒子膜を得る。更
に、Ｃｒパターンをリバースエッチして導電性薄膜５０
９を素子電極５０７、５０８と電極間隔部にパターニン
グ形成する（図７（ｅ））。

【００６５】次に、上層印刷配線５０５を露出させた形
にメッキレジストをホトリソグラフィ法により形成し、
上層印刷配線５０５に通電してこの部分にＣｕの電解メ
ッキを厚み１００ミクロン形成する。メッキレジストを
剥離することによって素子基板が製造される。この時、
コンタクトホール５０４部分においてＣｕメッキ膜は充
分にコンタクトホール５０４内にも堆積成長して、印刷
パッド５０２と上層印刷配線５０６とは充分な電気的導
通が得られた（図７（ｆ））。

【００６６】本素子基板を３６０ｍｍ×３００ｍｍ角基
板上に、２４０個×１８０個の電子放出素子をマトリッ
クス状に配置してＲ、Ｇ、Ｂに対応する各蛍光体を有す
るフェースプレートと共に真空外囲器内に配置した。こ
の後、電子放出素子の通電処理を行った後、本素子基板
の上層印刷配線には１４Ｖの任意の電圧信号を下層印刷
配線には０Ｖの電位を順次印加走査しそれ以外の下層印
刷配線は７Ｖの電位とした。フェースプレートのメタル
バックに３ｋＶのアノード電圧を印加したところ、任意
の画像を表示することができた。

【００６７】またこの時、画像表示部全体にわたり、素
子電極の形状変形によって生じる輝度むらおよび発光し
ない素子はほとんど発生しなかった。

【００６８】以上のことから、印刷形成された素子電極
５０７、５０８に短絡は存在せず、全面均一な形状で印
刷されていることがわかる。

【００６９】実施例３ 図２（ａ）は本発明のブランケットを最もよく表す図画
であり、６はインクの受理・転移に使用される表面ゴ
ム、７はブランケットの強度を保つための基布、８は基
布７の裏面及び側面からの発塵を防止するための樹脂ラ
ミネートフィルムである。本実施例では、表面ゴム６に
はシリコンゴム０．３５ｍｍ厚、基布７には織綿の３プ
ライ構造１．４ｍｍ厚、ラミネートフィルム８にはＥＶ
Ａ０．１５ｍｍ厚の構造のブランケットを使用した。画
像形成装置の素子電極パターン４８０個×４８０個が刻
れた４０ｃｍ角の金属製凹版を用意し、図６の一般的な
平台校正機型オフセット印刷装置のブランケット１１３
を上記の本発明のブランケットに変更したオフセット印
刷装置を用いて、４０ｃｍ角ガラス基板上に４８０個×
４８０個の素子電極を印刷形成した。

【００７０】本実施例においてインキは有機金属から成
るＰｔレジネートペーストを用いている。ガラス基板上
に転移されたインキは約８０℃の乾燥と約５８０℃の焼
成によってＰｔから成る素子電極として利用できる。印
刷乾燥後のガラス基板上のインキ転写厚みは約２ミクロ
ン程度と小さく印刷電極パターン幅の太りは非常に小さ
かった。さらに、焼成後のＰｔ電極厚みは約４００オン
グストロームと薄く形成することができた。ここで、素
子電極のパターン形状としては導電性薄膜を配置する素
子電極間隔を有し、その寸法を約２０ミクロンに設定し
た。

【００７１】以上のようにして形成した素子電極に対し
て駆動するための配線と、主としてＰｄＯ微粒子から成
る導電性薄膜を形成することによって電子源基板を実施
例１と同様の工程に従い作製することができた。

【００７２】実施例１と同様の工程により作成された電
子源基板の上に配置されたメタルバック４１８をアノー
ド電極として電圧５ｋＶを印加し、メッキ配線４１０、
４１１、４１２間を通して素子電極４０２、４０３から
電子放出部４１３へ１４Ｖの電圧を印加したところ、電
子が放出された。この放出電子をグリッド４１９の電圧
を変化させることによって変調し、蛍光体４１６へ照射
される放出電子量を調整することができた。これにより
蛍光体４１６を任意に発光させることができた。

【００７３】同様に素子電極４０３、４０４から電子放
出部４１４へ１４Ｖの電圧を印加したところ、電子が放
出された。この放出電子をグリッド４１９の電圧を変化
させることによって変調し、蛍光体４１７へ照射される
放出電子量を調整することができた。これにより蛍光体
４１７を任意に発光させることができた。

【００７４】本実施例の表示画素数は４８０個×４８０
個である。従って、配線とグリッドをマトリックス状に
形成し、多数個の電子放出素子を配置、駆動することに
よって多数個の表示画素によって任意の画像表示を可能
とすることができる。

【００７５】以後印刷を１００回繰り返し、１００枚の
画像形成装置を製作した。

【００７６】この時の電子放出素子と蛍光体の位置ズレ
によって生ずる蛍光輝点のクロストークは１枚も無かっ
た。すなわち電子放出部をほぼ決定する、素子電極のギ
ャップ位置と、ホトリソグラフィ法で形成されたフェー
スプレートの蛍光体位置との相対位置が高精度であるこ
とを示している。ここでスクリーン印刷によって形成さ
れた配線の位置精度は電気的な導通と絶縁が保たれる範
囲で位置ずれしても良く、直接、蛍光輝点のクロストー
クには影響しない。

【００７７】実施例４ 図２（ｂ）は本発明のブランケットを最もよく表わす図
画であり、９は基布の裏面及び側面で樹脂溶液が含浸さ
れ乾燥した層である。本実施例では、表面ゴム６にはシ
リコンゴム０．３５ｍｍ厚、基布７には織綿の４プライ
構造１．６ｍｍ厚、樹脂含浸層９は基布の表面から０．
２ｍｍの深さまで樹脂分を含んでいる構造のものを使用
した。後は同様な方法でガラス基板上に素子電極のパタ
ーンをオフセット印刷で形成した。

【００７８】形成した素子電極に導電薄膜を形成し、配
線を形成することによって電子源基板を作成することが
できる。更に蛍光体を配したフェースプレートを電子源
基板に対向配置させた後、真空容器を形成させることに
よって画像形成装置を形成することができる。以下順に
図１１を用いて説明する。

【００７９】図１１は本発明の印刷装置を用いて形成し
た画像形成装置の表面伝導型電子放出素子基板の製造工
程を示した図である。図１１（ｅ）において不図示の青
板ガラス基板上に対して、電子放出素子を３個×３個、
計９個のマトリックス状に配線と共に形成した例で示す
が本実施例では４８０×４８０個の電子放出素子をマト
リクス状に配置している。

【００８０】本図において５０１は上記オフセット印刷
によって形成された素子電極である。この素子電極パタ
ーンは本実施例においては２０μｍのギャップを隔てた
一方の電極が５００μｍ×１５０μｍ、他方が３５０μ
ｍ×２００μｍの長方形状の一対の電極がマトリクス状
に配置されている。５０２は印刷Ａｇペーストの焼成に
よって形成された下層印刷配線、５０３は印刷ガラスペ
ーストの焼成によって形成された下層印刷配線に対して
直交した短冊状の絶縁層である。絶縁層５０３は一対の
素子電極５０１の片側の電極位置に切りかき状の開口５
０４を有している。

【００８１】５０５は印刷Ａｇペーストの焼成によって
形成された上層印刷配線であり、絶縁層５０３上で短冊
状に配置形成されており、絶縁層５０３の開口５０４部
分で素子電極５０１の片側の電極と電気的に接続してい
る。下層配線５０２、絶縁層５０３、上層配線５０５は
ともにスクリーン印刷法で形成されている。５０９はＰ
ｄＯ微粒子から成る導電性薄膜であり素子電極５０１及
び、電極間隔部に配線形成される。

【００８２】以下本図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、
（ｄ）、（ｅ）を用いて本素子基板の製造方法を順に説
明する。

【００８３】上述のようにで作成した一対の素子電極が
多数配置された４０ｃｍ角の電子源基板を準備する（図
１１（ａ）。その基板上にまず第一の配線（下層配線）
を形成する。

【００８４】導電性ペーストに銀ペーストを用い、スク
リーン印刷法により印刷、焼成を行幅１００μｍ、厚み
１２μｍの下層配線を形成した（図１１（ｂ））。

【００８５】次に下層配線と直交する方向に層間絶縁膜
をスクリーン印刷法により形成する。ペースト材料は酸
化鉛を主成分としてガラスバインダー及び樹脂を混合し
たガラスペーストである。このガラスペーストをスクリ
ーン印刷法により印刷、焼成を２回繰り返し行いストラ
イプ状に層間絶縁を形成した図１１（ｃ））。

【００８６】次に層間絶縁上に第二の配線（上層配線）
を形成した。下配線と同様な方法により幅１００μｍ、
厚さ１２μｍの上層配線をスクリーン印刷法により形成
し層間絶縁膜を介しストライプ状の下層配線とストライ
プ状の上層配線が直交したマトリクス配線が形成される
（図１１（ｄ））。

【００８７】次に導電性薄膜を形成する。まず素子電
極、配線が形成された基板上に有機パラジウム（ＣＣＰ
４２３０奥野製薬工業（株））を塗布後、３００℃、１
０分間の加熱処理を行い、ＰｄＯからなる導電性薄膜を
形成する。その膜厚は１０ｎｍであった。ここでの微粒
子膜は複数の微粒子が集合した膜であり、微粒子が個々
に分散配置された状態のものばかりでなく、微粒子が互
いに隣接、あるいは重なりあった状態（島状も含む）の
膜を指し、その粒径は前記状態で認識可能な微粒子につ
いての径をいう。このパラジウム膜をフォトリソグラフ
ィ法を用いてパターニングすることによりフォーミング
前までの電子源基板が完成する（図１１（ｅ））。

【００８８】つぎに、以上のようにして作成した電子源
を用いて表示装置を構成した例を、図１２を用いて説明
する。

【００８９】以上のようにして多数の平面型表面伝導電
子放出素子を作製した基板１をリアプレート８１上に固
定した後、基板１の５ｍｍ上方に、フェースプレート８
６（ガラス基板８３の内面に蛍光膜８４とメタルバック
８５が形成されて構成される）を支持枠８２を介して配
置し、フェースプレート８６、支持枠８２、リアプレー
ト８１の接合部にフリットガラスを塗布し、大気中で４
００℃で１０分焼成することで封着した（図１２）。ま
たリアプレート８１への基板１の固定もフリットガラス
で行った。

【００９０】図１２において、７４は電子放出素子、７
２、７３はＸ方向及びＹ方向の素子配線である。

【００９１】蛍光膜８４は、モノクロームの場合は蛍光
体のみから成るが、本実施例では蛍光体はストライプ形
状を採用し、先にブラックストライプを形成し、その間
隙部に各色蛍光体を塗布し、蛍光膜８４を作製した。ブ
ラックストライプの材料としては、通常良く用いられて
いる黒鉛を主成分とする材料を用いた。

【００９２】ガラス基板８３に蛍光体を塗布する方法は
スラリー法を用いた。

【００９３】また、蛍光膜８４の内面側には通常メタル
バック８５が設けられる。メタルバックは、蛍光膜作製
後、蛍光膜の内面側表面の平滑化処理（通常フィルミン
グと呼ばれる）を行い、その後、Ａｌを真空蒸着するこ
とで作製した。

【００９４】フェースプレート８６には、更に蛍光膜８
４の導伝性を高めるため、蛍光膜８４の外面側に透明電
極（不図示）を設けた。

【００９５】前述の封着を行う際、カラーの場合は各色
蛍光体と電子放出素子とを対応させなくてはいけないた
め、十分な位置合わせを行った。

【００９６】以上のようにして完成したガラス容器内の
雰囲気を排気管（図示せず）を通じ真空ポンプにて排気
し、十分な真空度に達した後、容器外端子Ｄｏｘ１ない
しＤｏｘｍとＤｏｙ１ないしＤｏｙｎを通じ電子放出素
子７４の素子電極間に電圧を印加し、導電性薄膜をフォ
ーミング処理を行った。

【００９７】フォーミング処理は、約１×１０の−５乗
ｔｏｒｒの真空雰囲気下で行った。

【００９８】次に、波高値１４Ｖ、パルス幅３０ｕｓの
フォーミングと同様の波形の電圧を素子電極間に印加
し、活性化処理を行った。尚、真空度２×１０の−５乗
の真空度で、素子電流Ｉｆ、放出電流Ｉｅを測定しなが
ら、活性化処理を実行した。

【００９９】以上のようにフォーミング工程、活性化工
程を行い、電子放出部を形成し電子放出素子７４を作製
した。

【０１００】次に１０のマイナス６乗トール程度の真空
度まで排気し、不図示の排気管をガスバーナーで熱する
ことで溶着し外囲器の封止を行った。

【０１０１】最後に封止後の真空度を維持するために、
高周波加熱法でゲッター処理を行った。

【０１０２】以上のように完成した本発明の画像表示装
置において、各電子放出素子には、容器外端子Ｄｘ１な
いしＤｘｍ、Ｄｙ１ないしＤｙｎを通じ、走査信号及び
変調信号を不図示の信号発生手段よりそれぞれ、印加す
ることにより、電子放出させ、高圧端子Ｈｖを通じ、メ
タルバック８４、あるいは透明電極（不図示）に５ｋＶ
以上の高圧を印加し、電子ビームを加速し、蛍光膜８４
に衝突させ、励起・発光させることで画像を表示したと
ころ、ほとんどの画素において、蛍光体の画素中心と電
子ビーム中心がほぼ一致しており、輝度ムラの少ない品
位の高い表示がなされた。また、この時の無効電流も非
常に少なく、駆動電力を抑えた高品位な画像形成装置を
提供可能であることが示された。

【０１０３】尚、本実施例では、電子源基板を４０セン
チメートル角基板上に、４８０個×４８０個の電子放出
素子をマトリックス状に配置してＲ、Ｇ、Ｂに対応する
各蛍光体を有するフェースプレートと共に真空外囲器内
に配置した。この時の蛍光輝点のクロストークは見受け
られなかった。すなわち電子放出部をほぼ決定する、素
子電極のギャップ位置と、ホトリソグラフィ法で形成さ
れたフェースプレートの蛍光体位置との相対位置が高精
度であることを示している。ここでスクリーン印刷によ
って形成された配線の位置精度は電気的な導通と絶縁が
保たれる範囲で位置ずれしても良く、直接、蛍光輝点の
クロストークには影響しない。

【０１０４】実施例５ 図６の平台校正機形のオフセット印刷装置を用意し、図
４に示した形態で、幅７００ｍｍ×周径１９６ｍｍのブ
ランケット胴の表面に、３００ｍｍ×３００ｍｍ角、厚
み２．０ｍｍのブランケットを貼り付けた。また、使用
した版は外寸法５００ｍｍ×４００ｍｍの金属製凹版
で、中心部２６０ｍｍ×２００ｍｍの範囲に２４０個×
１８０個の素子電極対のパターンを刻んでありその深さ
は約８μｍである。また、被印刷物として外寸法４６０
ｍｍ×３６０ｍｍの青板ガラスを使用し、中心部に凹版
上のパターンを印刷できるようセッティングした。な
お、上記凹版および青板ガラスの端面は切断後未研摩の
ため、外寸法に対して±１００μｍ程度のうねりを有し
ていた。また、ブランケットの版および被印刷物に対す
る押し込み量（印圧）は２００μｍとした。

【０１０５】オフセット印刷により形成された電子放出
素子の素子電極を用いた画像形成装置の製造方法につい
て以下に述べる。

【０１０６】上記実施例で説明した印刷方法、印刷装置
によってガラス基板上に電子放出素子の素子電極を印刷
転写した。本実施例においてインキは有機金属から成る
Ｐｔレジネートペーストを用いている。ガラス基板上に
転移されたインキは約８０℃の乾燥と約５８０℃の焼成
によってＰｔから成る素子電極として利用できる。印刷
乾燥後のガラス基板上のインキ転写厚みは約２ミクロン
程度と小さく印刷電極パターン幅の太りは非常に小さか
った。さらに、焼成後のＰｔ電極厚みは約４００オング
ストロームと薄く形成することができた。ここで、素子
電極のパターン形状としては電子放出材を配置する素子
電極間隔を有し、その寸法を約２０ミクロンに設定し
た。

【０１０７】以上のようにして形成した素子電極に対し
て配線及び導電性薄膜を実施例１のように形成すること
によって電子放出素子基板を作製することができる。

【０１０８】図１０において以上のように形成した電子
源基板を用いて図１０のような画像形成装置を作成し
た。メタルバック４１８をアノード電極として電子の引
き出し電圧３ｋＶを印加し、メッキ配線４１０、４１
１、４１２間を通して素子電極４０２、４０３から電子
放出部４１３へ１４Ｖの電圧を印加したところ、電子が
放出された。この放出電子をグリッド４１９の電圧を変
化させることによって変調し、蛍光体４１６へ照射され
る放出電子量を調整することができた。これにより蛍光
体４１６を任意に発光させることができた。同様に素子
電極４０３、４０４から電子放出部４１４へ１４Ｖの電
圧を印加したところ、電子が放出された。この放出電子
をグリッド４１９の電圧を変化させることによって変調
し、蛍光体４１７へ照射される放出電子量を調整するこ
とができた。これにより蛍光体４１７を任意に発光させ
ることができた。

【０１０９】この時の電子放出素子部と蛍光体およびグ
リッド電極の位置ずれによって生じるクロストークおよ
び輝度むらは大幅に低減された。

【０１１０】なお別途、素子基板上に本発明のオフセッ
ト印刷によって形成された素子電極の位置を測長機で計
測したところ、基板全面において、設計値からの位置ず
れは２０μｍ以内であった。

【０１１１】実施例６ 実施例５と同様な印刷方法、印刷装置によってガラス基
板上に２４０個×１８０個の電子放出素子の素子電極を
印刷転写した。

【０１１２】図１３ａ〜ｆにオフセット印刷によって作
製した表面伝導形電子放出素子とマトリックス配線を組
み合わせた図を示す。なお、説明の簡略化のため、図１
３では３個×３個の電子放出素子しか図示していない。

【０１１３】図１３は本実施例の素子基板の製造行程を
示した上面図である。図１３（ｆ）において不図示の青
板ガラス基板上に対して、電子放出素子を３個×３個、
計９個のマトリックス状に配線と共に形成した例で示
す。本図において５０１は下層印刷配線、５０２は下層
印刷配線５０１に並列した印刷パッドであり、下層印刷
配線５０１と同一工程で印刷金属ペーストの焼成によっ
て形成される。５０３は印刷ガラスペーストの焼成によ
って形成された下層印刷配線に対して直交した短冊状の
絶縁層であり、印刷パッド５０２との交差中央部で５０
４のコンタクトホールの開口を有している。５０５は上
層印刷配線であり、メッキ配線５０６の下層となるため
図面上は露出していない。上層印刷配線５０５は絶縁層
５０３上の短冊状であり、コンタクトホール５０４によ
って印刷パッド５０２と電気的に接続しており、印刷金
属ペーストの焼成によって形成される。５０７、５０８
は素子電極であり、下層印刷配線５０１と印刷パッド５
０２とに各々接続しており、レジネートペーストインキ
のオフセット印刷、焼成によって形成される。素子電極
５０７、５０８は相互の隣接部で電極間隔２０ミクロ
ン、電極幅２００ミクロンの形状を構成している。５０
９はＰｄＯ微粒子から成る導電性薄膜であり素子電極５
０７、５０８の間隔に配線形成される。５１０は電子放
出部である。５０６はメッキ配線であり上層印刷配線５
０５上に短冊状でメッキ法によって形成される厚み約１
００ミクロンの金属配線である。

【０１１４】以下本図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、
（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）を用いて本素子基板の製造方法
を順に説明する。

【０１１５】まず、良く洗浄した青板ガラスから成る基
板上にレジネートペーストインキを用いて本発明に沿っ
たオフセット印刷を行ない、焼成によって厚み約４００
オングストロームのＰｔ素子電極５０７、５０８をパタ
ーン形成した（図１３（ａ））。

【０１１６】次にＡｇペーストインキをスクリーン印刷
し、焼成して幅３００ミクロン、厚み７ミクロンの下層
印刷配線５０１及び印刷パッド５０２を形成した。この
時、配線５０１及び印刷パッド５０２は素子電極５０
７、５０８と各々電気的に接続される（図１３
（ｂ））。

【０１１７】次に、ガラスペーストインキをスクリーン
印刷し、焼成して幅５００ミクロン厚み約２０ミクロン
の絶縁層５０３と、開口寸法１００ミクロン角のコンタ
クトホール５０４を形成した（図１３（ｃ））。

【０１１８】更に、絶縁層５０３上にＡｇペーストイン
キをスクリーン印刷し、焼成して幅３００ミクロン厚み
１０ミクロンの上層印刷配線５０５を形成した。この時
コンタクトホール５０４を通じて上層印刷配線５０５と
印刷パッド５０２は電気的に導通する。また、後工程の
メッキ配線形成によって、コンタクトホールでの充分な
ステップカバーが実現される（図１３（ｄ））。

【０１１９】次に導電性薄膜５０９を配置したくない部
分にスパッタ法によりＣｒを成膜した後、ホトリソエッ
チング法によってＣｒパターンを作製し、その後有機パ
ラジュウム溶液（奥野製薬（株）キャタペーストＣＣＰ
４２３０）を塗布、焼成してＰｄＯ微粒子膜を得た。更
に、Ｃｒパターンをリバースエッチして薄膜５０９を素
子電極５０７、５０８と電極間隔部にパターニング形成
する（図１３（ｅ））。

【０１２０】次に、上層印刷配線５０５を露出させた形
にメッキレジストをホトリソグラフィ法により形成し、
上層印刷配線５０５に通電してこの部分にＣｕの電解メ
ッキを厚み１００ミクロン実施する。メッキレジストを
剥離することによって素子基板が製造される。この時、
コンタクトホール５０４部分においてＣｕメッキ膜は充
分にコンタクトホール５０４内にも堆積成長して、印刷
パッド５０２と上層印刷配線５０５とは充分な電気的導
通が得られた（図１３（ｆ））。

【０１２１】以上のように４６０×３６０ｍｍ角基板上
に、２４０個×１８０個の電子放出素子をマトリックス
状に配置しＲ、Ｇ、Ｂに対応する各蛍光体を有するフェ
ースプレートと共に真空外囲器内に配置した。この後、
電子放出素子の通電処理を行った後、本素子基板の上層
印刷配線には１４Ｖの任意の電圧信号を下層印刷配線に
は０Ｖの電位を順次印加走査しそれ以外の下層印刷配線
は７Ｖの電位とした。フェースプレートのメタルバック
に５ｋＶのアノード電圧を印加したところ、任意の画像
を表示することができた。このときの電子放出素子と蛍
光体の位置ズレによって生ずる蛍光輝点のクロストーク
は大幅に低減された。

【０１２２】

【発明の効果】本発明によれば、オフセット印刷装置に
装着されたブランケットが、４辺の端面近傍で徐々に厚
みが薄くなるテーパー形状であるため、印刷中に版や被
印刷物上で加圧された場合、加圧により生じるゴム厚が
この部分へ逃げるため、全面で均一な印圧を維持でき
る。従って本発明を用いれば、中心部ばかりでなく周辺
部でも均一な形状で印刷が可能となる。また、本発明の
オフセット印刷装置とオフセット印刷法を用いて表面伝
導形電子放出素子を作製し、画像形成装置を製造すれ
ば、全画素の均一性に優れた性能の良い製品ができる。
また、素子電極の短絡による、一部分発光しないという
不良品も発生しないため、歩留りも向上する。

【０１２３】また本発明によれば、織布を用いた基布構
造のブランケットの布面が外面に露出しない様に、ブラ
ンケットの裏面及び側面に樹脂フィルムをラミネートす
るか、もしくは、樹脂溶液を含浸させ乾燥又は硬化させ
た構造であるため、ブランケットからの発塵がほとんど
ない。また、織布を用いた基布であるため、印刷を重ね
てもブランケットの延びもほとんど発生しない。従っ
て、このブランケットを装着したオフセット印刷装置を
使用して、画像形成装置の電極パターンやカラーフィル
ターを形成すれば、歩留りが向上し、かつ位置精度に優
れた製品の製造が可能である。

【０１２４】更に本発明によれば、オフセット印刷装置
に装着されたブランケットが版および被印刷物の外寸法
より小さい。このため、幅方向両端面にブランケットが
喰い込まず、幅方向の位置ずれ（蛇行）の発生がほとん
どなく、更にブランケットの進入・離脱時に印刷方向両
端面にも接触しないため、この両端面近傍での位置ずれ
（伸縮）もほとんど発生しない。従って本発明を用いれ
ば、版の寸法とほとんど同じ高精度な印刷ができる。ま
た、本発明のオフセット印刷法を用いて表面伝導形電子
放出素子を作製し、画像形成装置を製造すれば、素子電
極と蛍光体との合わせ精度が良くなるため輝度むら、ク
ロストークが大幅に低減された性能の良い製品ができ
る。また、研摩等の端面処理をした高価な版、ガラス基
板等を用いる必要がないため、結果的に製品コストを下
げることもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は本発明のブランケットの
一例を示す模式図である。

【図２】図２（ａ）、（ｂ）は本発明のブランケットの
別の例を示す部分断面図である。

【図３】図３（ａ）、（ｂ）は従来のブランケットの断
面図である。

【図４】本発明のブランケットのサイズを示す図であ
る。

【図５】従来のブランケットのサイズを示す図である。

【図６】平台校正機型印刷装置を示す上面図である。

【図７】図７（ａ）〜（ｆ）は実施例２の素子基板の製
造工程を示す上面図である。

【図８】表面伝導型電子放出素子の構成を示す上面図で
ある。

【図９】図９（ａ）〜（ｄ）は素子電極の形状を示す模
式図である。

【図１０】本発明の画像形成装置の断面図である。

【図１１】図１１（ａ）〜（ｅ）は実施例４の素子基板
の製造工程を示す上面図である。

【図１２】本発明の画像形成装置の一例を示す一部切欠
き斜視図である。

【図１３】図１３（ａ）〜（ｆ）は実施例６の素子基板
の製造工程を示す上面図である。

【図１４】図１４（ａ）〜（ｄ）は従来のオフセット印
刷工程を示す断面図である。

【図１５】従来のブランケットの模式図である。

【符号の説明】

１ ブランケットの平坦部 ２ ブランケットのテーパ部 ３ ブランケット胴 ４ 版又は被印刷物 ５ ニップ幅 ６ 表面ゴム ７ 基布 ８ 樹脂フィルム ９ 乾燥又は硬化層 １０ ブランケット １０’ 版及び被印刷物上を横断する軌跡部分 １１ ブランケット胴 １２ 版及び被印刷物 １３ 版上のパターン部分 １３’ 被印刷物上のパターン部分 １４ 被印刷物 １５ ガラス基板 １６ 画像表示部 １７ 一対の素子電極 １７−１、１７−２ 片側素子電極 １８ 素子電極間隔 １９ 喰い込み部 ４０１ 電子源基板 ４０２、４０３、４０４ 素子電極 ４０５、４０６ Ｐｄ微粒子からなる薄膜 ４０７、４０８、４０９ 印刷配線 ４１０、４１１、４１２ メッキ配線 ４１３、４１４ 電子放出部 ４１５ ガラス基板 ４１６、４１７ 蛍光体 ４１８ メタルバック ４１９ グリッド電極 ５０１ 下層印刷配線 ５０２ 印刷パッド ５０３ 絶縁層 ５０４ 開口（コンタクトホール） ５０５ 上層印刷配線 ５０６ メッキ配線 ５０７、５０８ 素子電極 ５０９ ＰｄＯ微粒子からなる薄膜 ５１０ 電極間隔部の薄膜部位

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 印刷版とブランケットが接触することに
   より、該印刷版から該ブランケットが該印刷版に形成さ
   れたインキパターンを受理し、該インキパターンを受理
   したブランケットと被印刷物が接触することにより該イ
   ンキパターンを被印刷物へ転移するオフセット印刷装置
   において、該接触時における該ブランケットの中心軸と
   平行方向の該印刷版および該被印刷物の長さが、該印刷
   版および該被印刷物と該ブランケットとの接触領域の長
   手方向の長さよりも、長いことを特徴とするオフセット
   印刷装置。
2. 【請求項２】 インクの受理・転移に利用される中心部
   分は平坦で、その左右幅方向は外側に向けてテーパー状
   に徐々に肉厚が薄くなり、かつその開始点が、版および
   被印刷物の左右端面に対応する部分より内側にあること
   を特徴とするブランケット。
3. 【請求項３】 インクの受理・転移に利用される中心部
   分は平坦で、印刷方向であるその前後は外側に向けてテ
   ーパー状に徐々に肉厚が薄くなり、かつその開始点が、
   版および被印刷物の前後端面に対応する部分より内側に
   あることを特徴とするブランケット。
4. 【請求項４】 前記のテーパー形状の傾きが、中心部分
   の平坦面である印刷基準面に対して、１／１００以上１
   ／０．２以下である請求項２または３に記載のブランケ
   ット。
5. 【請求項５】 織布を用いた基布構造を有するブランケ
   ットにおいて、布面が外面に露出しない構造であること
   を特徴とするブランケット。
6. 【請求項６】 前記ブランケットが、裏面及び側面の布
   面を樹脂フィルムでラミネートした構造である請求項５
   に記載のブランケット。
7. 【請求項７】 前記ブランケットが、裏面及び側面の布
   面に樹脂溶液を含浸させ乾燥又は硬化させた構造である
   請求項５に記載のブランケット。
8. 【請求項８】 請求項２乃至７のうちいずれか１項に記
   載のブランケットを装着した請求項１に記載のオフセッ
   ト印刷装置。
9. 【請求項９】 前記ブランケット及びオフセット印刷装
   置を用いたことを特徴とするオフセット印刷方法。
10. 【請求項１０】 版および被印刷物に接触する部分の横
    幅が、版および被印刷物の横幅より短いブランケットを
    使用し、かつブランケットが版および被印刷物の幅方向
    両端に接触しないことを特徴とするオフセット印刷法。
11. 【請求項１１】 版および被印刷物に接触する部分の縦
    幅である周長が、版および被印刷物の縦幅である印刷方
    向の幅より短いブランケットを使用し、かつブランケッ
    トが版および被印刷物の印刷方向両端に接触しないこと
    を特徴とするオフセット印刷法。
12. 【請求項１２】 前記のブランケット、オフセット印刷
    装置及び印刷方法を用いたことを特徴とする画像形成装
    置の製造方法。