JP2000314959A - フォトレジスト組成物、その製造方法及びそれを利用した半導体パターンの形成方法 - Google Patents
フォトレジスト組成物、その製造方法及びそれを利用した半導体パターンの形成方法Info
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- JP2000314959A JP2000314959A JP2000090659A JP2000090659A JP2000314959A JP 2000314959 A JP2000314959 A JP 2000314959A JP 2000090659 A JP2000090659 A JP 2000090659A JP 2000090659 A JP2000090659 A JP 2000090659A JP 2000314959 A JP2000314959 A JP 2000314959A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
- G03F7/0236—Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins
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- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 感度と解像度とが向上されたポジティブ形フ
ォトレジスト組成物、その製造方法及びそれを利用した
半導体パターンの形成方法が開示している。 【解決手段】 フォトレジスト組成物は構造式（１）で
表示される化合物及び構造式（２ａ）又は（２ｂ）で表
示される化合物との混合物、ポジティブ作用性樹脂及び
溶媒を有する。感度と解像度とが優れるので、プロファ
イルが向上された半導体パターンが収得することが出来
る。 【化１】 【化２】 【化３】
ォトレジスト組成物、その製造方法及びそれを利用した
半導体パターンの形成方法が開示している。 【解決手段】 フォトレジスト組成物は構造式（１）で
表示される化合物及び構造式（２ａ）又は（２ｂ）で表
示される化合物との混合物、ポジティブ作用性樹脂及び
溶媒を有する。感度と解像度とが優れるので、プロファ
イルが向上された半導体パターンが収得することが出来
る。 【化１】 【化２】 【化３】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフォトレジスト組成
物、その製造方法及びそれを利用した半導体パターンの
形成方法に関するものであり、詳細には優れたプロファ
イルを有するパターンを得るための高感度と高解像度と
を有するポジティブフォトレジスト組成物、これの製造
方法及びこれを利用した半導体パターンの形成方法に関
するものである。
物、その製造方法及びそれを利用した半導体パターンの
形成方法に関するものであり、詳細には優れたプロファ
イルを有するパターンを得るための高感度と高解像度と
を有するポジティブフォトレジスト組成物、これの製造
方法及びこれを利用した半導体パターンの形成方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近来、コンピュータのような情報媒体の
急速な普及により半導体メモリ素子も飛躍的に発展して
いる。その機能の面において、半導体メモリ素子は高速
に動作すると同時に大容量の貯蔵能力を有することが要
求されている。このような要求に応じて素子の集積度、
信頼性および応答速度等を向上させる方向に製造技術が
発展してきた。このような素子の集積度向上のための主
な技術として微細加工技術の向上は重要な位置を占有し
ている。
急速な普及により半導体メモリ素子も飛躍的に発展して
いる。その機能の面において、半導体メモリ素子は高速
に動作すると同時に大容量の貯蔵能力を有することが要
求されている。このような要求に応じて素子の集積度、
信頼性および応答速度等を向上させる方向に製造技術が
発展してきた。このような素子の集積度向上のための主
な技術として微細加工技術の向上は重要な位置を占有し
ている。
【０００３】最近、半導体の高集積化は加速化してい
る。半導体産業に使用されているダイナミックＲＡＭ
（ＤＲＡＭ）を例に挙げると、１６メガビットＤＲＡＭ
と６４メガビットＤＲＡＭとの量産ができ、最近には２
５６メガビットＤＲＡＭの量産化が進行されており、更
にギガヒットＤＲＡＭの方に高集積化に対する量産研究
が進行されている。
る。半導体産業に使用されているダイナミックＲＡＭ
（ＤＲＡＭ）を例に挙げると、１６メガビットＤＲＡＭ
と６４メガビットＤＲＡＭとの量産ができ、最近には２
５６メガビットＤＲＡＭの量産化が進行されており、更
にギガヒットＤＲＡＭの方に高集積化に対する量産研究
が進行されている。
【０００４】これにより、素子の製造に用いられる微細
加工技術に対する要求も段々厳しくなっている。特に、
レジストプロセス技術は半導体の製造を発展させただけ
でなく、これに使用されるフォトレジストに対する要求
水準も毎年高くなっている。一般的なフォトレジストを
使用するフォトリソグラフィー（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏ
ｇｒａｐｈｙ）技術によるパターンの形成方法は次のよ
うである。
加工技術に対する要求も段々厳しくなっている。特に、
レジストプロセス技術は半導体の製造を発展させただけ
でなく、これに使用されるフォトレジストに対する要求
水準も毎年高くなっている。一般的なフォトレジストを
使用するフォトリソグラフィー（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏ
ｇｒａｐｈｙ）技術によるパターンの形成方法は次のよ
うである。
【０００５】まず、絶縁膜または導伝性膜等のようなパ
ターンを形成しようとする膜が形成された基板上に紫外
線またはＸ線等の光を照射し、アルカリ性の溶液に対し
て溶解度の変化が起こるようになる有機層のフォトレジ
スト膜を形成する。このフォトレジスト膜の上部に所定
の部分のみを選択的に露光することが出来るようにパタ
ーニイング（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）されたマスクパタ
ーンを掲載しフォトレジスト膜に選択的に光を照射した
後、現像し溶解度が大きな部分（ポジティブ形フォトレ
ジストの場合、露光した部分）は除去し、溶解度が小さ
い部分を残してレジストパターンを形成する。フォトレ
ジストが除去された部分の基板はエッチングによりパタ
ーンを形成し、以後、残したレジストを除去し各種配
線、電極等に必要なパターンを形成するようにする。
ターンを形成しようとする膜が形成された基板上に紫外
線またはＸ線等の光を照射し、アルカリ性の溶液に対し
て溶解度の変化が起こるようになる有機層のフォトレジ
スト膜を形成する。このフォトレジスト膜の上部に所定
の部分のみを選択的に露光することが出来るようにパタ
ーニイング（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）されたマスクパタ
ーンを掲載しフォトレジスト膜に選択的に光を照射した
後、現像し溶解度が大きな部分（ポジティブ形フォトレ
ジストの場合、露光した部分）は除去し、溶解度が小さ
い部分を残してレジストパターンを形成する。フォトレ
ジストが除去された部分の基板はエッチングによりパタ
ーンを形成し、以後、残したレジストを除去し各種配
線、電極等に必要なパターンを形成するようにする。
【０００６】露光用の光の中で、紫外線としては従来に
使用して来たＧ−ライン波長（４３６ｎｍ）の光源がよ
く使用されているが、解像性と集積深度との面でより有
利である短波長のＩ−ライン波長（３６５ｎｍ）を用い
る方に変って行っている。この時、露光される光の種類
に従ってフォトレジスト組成物は成分を異にして製造し
なけらばならない。
使用して来たＧ−ライン波長（４３６ｎｍ）の光源がよ
く使用されているが、解像性と集積深度との面でより有
利である短波長のＩ−ライン波長（３６５ｎｍ）を用い
る方に変って行っている。この時、露光される光の種類
に従ってフォトレジスト組成物は成分を異にして製造し
なけらばならない。
【０００７】前記フォトレジスト内の感光性の物質とし
て代表的である物はポリヒドロキシベンゾフェノンとナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸とのエステル化合
物が挙げられる。特に、この中で２，３，４，４´−テ
トラヒドロキシベンゾフェノンのエステル化合物が良く
使用されてきた（文献：Ｓｈｏｊｉ Ｋａｗａｔａ,Ｍ
ｏｔｏｈｕｍｉ Ｋａｓｈｉｗａｇｉ ｅｔｃ。, Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ
ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ, Ｖｏｌ．４、Ｎｏ．
１ｐｐ．１０１−１０８（１９９１）参照）。しかし、
この化合物はＩ−ライン波長で透明度がよくないので、
露光後にもＩ−ライン波長で吸収が大きく、これにより
パターンプロファイル又は解像度に良くない影響を及ぼ
す問題点がある。
て代表的である物はポリヒドロキシベンゾフェノンとナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸とのエステル化合
物が挙げられる。特に、この中で２，３，４，４´−テ
トラヒドロキシベンゾフェノンのエステル化合物が良く
使用されてきた（文献：Ｓｈｏｊｉ Ｋａｗａｔａ,Ｍ
ｏｔｏｈｕｍｉ Ｋａｓｈｉｗａｇｉ ｅｔｃ。, Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ
ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ, Ｖｏｌ．４、Ｎｏ．
１ｐｐ．１０１−１０８（１９９１）参照）。しかし、
この化合物はＩ−ライン波長で透明度がよくないので、
露光後にもＩ−ライン波長で吸収が大きく、これにより
パターンプロファイル又は解像度に良くない影響を及ぼ
す問題点がある。
【０００８】また、クレゾル−ホルムアルデヒドのノボ
ラック樹脂とナフトキノンジアジド基とが置き換えされ
た感光性の物質を含有するフォトレジスト組成物は、例
えば、米国特許第３，０４６，１１８号、第３，１０
６，４６５号、第３，１４８，９８３号、第４，１１
５，１２８号、第４，１７３，４７０号、日本国特開昭
６２−２８４５７号等に記述されており、ノボラック樹
脂とトリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキ
ノンジアジドスルホン酸エステルとを含有する典型的な
レジスト組成物も報告されている（文献：Ｌ．Ｆ．Ｔｈ
ｏｍｐｓｏｎ、 Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｔｏ Ｍ
ｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ、ＡＣＳＰｕｂｌｉｓ
ｈｉｎｇ Ｃｏ．Ｌｔｄ．，Ｎｏ．２１９ｐｐ．１１２
−１２１参照）。又、米国特許第５，６４８，１９４号
にはアルカリ可溶性樹脂、ｏ−ナフトキノンジアジドス
ルホン酸エステルとビニルエ−テル化合物を含むフォト
レジスト組成物が開示されている。米国特許第５，４６
８，５９０号にはキノンジアジド化合物とポリフェノ−
ルを用いて製造したアルカリ可溶性樹脂を含むフォトレ
ジストが開示されている。米国特許第５，４１３，８９
５号にはノボラック樹脂とキノンジアジド化合物とにポ
リフェノ−ルを含め、物性を改選させたフォトレジスト
組成物が開示されている。
ラック樹脂とナフトキノンジアジド基とが置き換えされ
た感光性の物質を含有するフォトレジスト組成物は、例
えば、米国特許第３，０４６，１１８号、第３，１０
６，４６５号、第３，１４８，９８３号、第４，１１
５，１２８号、第４，１７３，４７０号、日本国特開昭
６２−２８４５７号等に記述されており、ノボラック樹
脂とトリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキ
ノンジアジドスルホン酸エステルとを含有する典型的な
レジスト組成物も報告されている（文献：Ｌ．Ｆ．Ｔｈ
ｏｍｐｓｏｎ、 Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｔｏ Ｍ
ｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ、ＡＣＳＰｕｂｌｉｓ
ｈｉｎｇ Ｃｏ．Ｌｔｄ．，Ｎｏ．２１９ｐｐ．１１２
−１２１参照）。又、米国特許第５，６４８，１９４号
にはアルカリ可溶性樹脂、ｏ−ナフトキノンジアジドス
ルホン酸エステルとビニルエ−テル化合物を含むフォト
レジスト組成物が開示されている。米国特許第５，４６
８，５９０号にはキノンジアジド化合物とポリフェノ−
ルを用いて製造したアルカリ可溶性樹脂を含むフォトレ
ジストが開示されている。米国特許第５，４１３，８９
５号にはノボラック樹脂とキノンジアジド化合物とにポ
リフェノ−ルを含め、物性を改選させたフォトレジスト
組成物が開示されている。
【０００９】上述したように感光性物質としてはナフト
キノンジアジド基を含有する化合物を使用することがで
き、これらを特別に限定する必要はないことであるが、
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、ナフ
トキノンジアジド−４−スルホン酸エステル等が望まし
く使用されている（文献：Ｊ．Ｋｏｓａｒ、Ｌｉｇｈｔ
ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｓｙｓｔｅｍｓ、Ｊｏｈｎ ｗｉ
ｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ Ｉｎｃ．ｐｐ．３４３−３６１参
照）。又、米国特許第５，７１４，６２０号にはフェノ
ール化合物のキノンジアジドスルホン酸塩化合物を含む
ポジティブレジストが開示されている。
キノンジアジド基を含有する化合物を使用することがで
き、これらを特別に限定する必要はないことであるが、
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、ナフ
トキノンジアジド−４−スルホン酸エステル等が望まし
く使用されている（文献：Ｊ．Ｋｏｓａｒ、Ｌｉｇｈｔ
ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｓｙｓｔｅｍｓ、Ｊｏｈｎ ｗｉ
ｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ Ｉｎｃ．ｐｐ．３４３−３６１参
照）。又、米国特許第５，７１４，６２０号にはフェノ
ール化合物のキノンジアジドスルホン酸塩化合物を含む
ポジティブレジストが開示されている。
【００１０】高解像力を得るために感光性グループであ
るナフトキノンジアジド基の含量を増加させる為の試し
として、例えば、特開昭６０−１５８４４０号公報には
トリエステルの含量が高い感光性物質を使用する方法が
記述されている。また、特開昭６１−２６０２３９号公
報には溶解度の媒介変数が１１〜１２である有機溶媒を
加える方法が記述されている。しかし、ジメチルスルホ
キシドのような溶媒が使用されるので、レジスト組成物
の貯蔵の安定性が不良し、感度及び解像力が時間が経つ
につれて著しく変る。
るナフトキノンジアジド基の含量を増加させる為の試し
として、例えば、特開昭６０−１５８４４０号公報には
トリエステルの含量が高い感光性物質を使用する方法が
記述されている。また、特開昭６１−２６０２３９号公
報には溶解度の媒介変数が１１〜１２である有機溶媒を
加える方法が記述されている。しかし、ジメチルスルホ
キシドのような溶媒が使用されるので、レジスト組成物
の貯蔵の安定性が不良し、感度及び解像力が時間が経つ
につれて著しく変る。
【００１１】このような訳でポリヒドロキシベンゾフェ
ノン類のナフトキノン−１，２−ジアジドスルホン酸エ
ステルを代わって特定のトリ（ヒドロキシフェニル）メ
タン係化合物を母体にした感光性グループを導入したポ
ジティブ形レジスト組成物が特開平１−１８９６４４号
公報に記述されている。しかし、このようなレジスト組
成物も耐熱性がポリヒドロキシベンゾフェノン係に比べ
て劣り、レジストを製造する場合、感光性グループが容
易に析出されて貯蔵の安定性が不良であるという問題が
あることが明らかになった。
ノン類のナフトキノン−１，２−ジアジドスルホン酸エ
ステルを代わって特定のトリ（ヒドロキシフェニル）メ
タン係化合物を母体にした感光性グループを導入したポ
ジティブ形レジスト組成物が特開平１−１８９６４４号
公報に記述されている。しかし、このようなレジスト組
成物も耐熱性がポリヒドロキシベンゾフェノン係に比べ
て劣り、レジストを製造する場合、感光性グループが容
易に析出されて貯蔵の安定性が不良であるという問題が
あることが明らかになった。
【００１２】又、感光剤として使用されるフェノール性
の水酸基を有する色々の化合物が提示されて来たが、感
度、解像度ないし耐熱性等の色々の特性を全部満足させ
ることは出来ない。でも、お互いに異なった特性の感光
性化合物を使用し物性を改選させる努力をして来た。例
えば、米国特許第５，３７８，５８６号ではお互いに異
なった特性を有するジアジド係のスルホン酸エステル化
合物である感光性化合物を混合し解像度を向上させる為
のフォトレジスト組成物が開示されている。
の水酸基を有する色々の化合物が提示されて来たが、感
度、解像度ないし耐熱性等の色々の特性を全部満足させ
ることは出来ない。でも、お互いに異なった特性の感光
性化合物を使用し物性を改選させる努力をして来た。例
えば、米国特許第５，３７８，５８６号ではお互いに異
なった特性を有するジアジド係のスルホン酸エステル化
合物である感光性化合物を混合し解像度を向上させる為
のフォトレジスト組成物が開示されている。
【００１３】感度を向上させる手段としてはフォトレジ
ストの感光性の成分の量を減らす方法を顧慮することが
出来るが、感光性の成分を減らすと、一般的には解像度
が劣るので望ましくない。又、解像度の向上のためにノ
ボラック樹脂の少数性を増加させると、一般的に感度が
低下される。このようなお互いに相反される傾向がある
感度と解像度とを同時に満足させることは非常に困る。
ストの感光性の成分の量を減らす方法を顧慮することが
出来るが、感光性の成分を減らすと、一般的には解像度
が劣るので望ましくない。又、解像度の向上のためにノ
ボラック樹脂の少数性を増加させると、一般的に感度が
低下される。このようなお互いに相反される傾向がある
感度と解像度とを同時に満足させることは非常に困る。
【００１４】ところが、感度と解像度とはフォトレジス
ト組成物において同時に要求される物性であり、これを
同時に満足させることが出来るフォトレジスト組成物に
対する要求があり続けて来た。また、Ｇ−ライン波長の
光源とＩ−ライン波長の光源とを露光用の光源として使
用することが出来て汎用的なフォトレジスト組成物も製
造の工程上の便利性のため、少なくない要求があった。
特に、最近の高集積化によりＩ−ライン波長の光源を使
用して優れたレジストプロファイルを有するフォトレジ
スト組成物が特に要求されている。
ト組成物において同時に要求される物性であり、これを
同時に満足させることが出来るフォトレジスト組成物に
対する要求があり続けて来た。また、Ｇ−ライン波長の
光源とＩ−ライン波長の光源とを露光用の光源として使
用することが出来て汎用的なフォトレジスト組成物も製
造の工程上の便利性のため、少なくない要求があった。
特に、最近の高集積化によりＩ−ライン波長の光源を使
用して優れたレジストプロファイルを有するフォトレジ
スト組成物が特に要求されている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第１の目的は
解像度、耐熱性、残膜率及び感度等の色々の特性が優
れ，汎用的に使用することが出来るポジティブ作用性フ
ォトレジスト組成物を提供することである。
解像度、耐熱性、残膜率及び感度等の色々の特性が優
れ，汎用的に使用することが出来るポジティブ作用性フ
ォトレジスト組成物を提供することである。
【００１６】本発明の第２の目的は前記したポジティブ
作用性フォトレジスト組成物を製造することに適合した
フォトレジスト組成物の製造方法を提供することであ
る。
作用性フォトレジスト組成物を製造することに適合した
フォトレジスト組成物の製造方法を提供することであ
る。
【００１７】本発明の第３の目的は前記フォトレジスト
組成物を使用しプロファイルが優れた半導体パターンを
形成する方法を提供することである。
組成物を使用しプロファイルが優れた半導体パターンを
形成する方法を提供することである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】前述した本発明の目的を
達成するために本発明は、下記の構造式（１）で表され
る第１感光性化合物３０−７０重量部と、構造式（２
ａ）又は（２ｂ）で表される第２感光性化合物７０−３
０重量部とを混合し得られる感光剤、樹脂及び溶媒を有
することを特徴とするフォトレジスト組成物を提供す
る。
達成するために本発明は、下記の構造式（１）で表され
る第１感光性化合物３０−７０重量部と、構造式（２
ａ）又は（２ｂ）で表される第２感光性化合物７０−３
０重量部とを混合し得られる感光剤、樹脂及び溶媒を有
することを特徴とするフォトレジスト組成物を提供す
る。
【化１】
【化２】
【化３】
【００１９】（前記構造式（１）で、Ｒ1とＲ2とは同一
又は異なってもよく、各々水素原子、１，２−ナフトキ
ノンジアジド−４−スルホニルグループ、１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホニルグループ又は１，２
−ナフトキノンジアジド−６−スルホニルグループを表
し、同時に水素原子をとらなく、ｎ1とｎ2とは各々０、
１、２又は３であり、同時に０ではなく、前記構造式
（２ａ）及び（２ｂ）でＲ3、Ｒ4及びＲ5は同一又は異
なってもよく、各々水素原子、１，２−ナフトキノンジ
アジド−４−スルホニルグループ、１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホニルグループ又は１，２−ナフ
トキノンジアジド−６−スルホニルグループを表し、同
時に水素原子をとらなく、Ｘ1a、Ｘ1b、Ｘ1c、Ｘ1d、Ｘ
2a、Ｘ2b及びＸ2cは同一又は異なってもよく、水素原子
またはアルキルグループを表し、ｎ 3は１又は２を表
す。）
又は異なってもよく、各々水素原子、１，２−ナフトキ
ノンジアジド−４−スルホニルグループ、１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホニルグループ又は１，２
−ナフトキノンジアジド−６−スルホニルグループを表
し、同時に水素原子をとらなく、ｎ1とｎ2とは各々０、
１、２又は３であり、同時に０ではなく、前記構造式
（２ａ）及び（２ｂ）でＲ3、Ｒ4及びＲ5は同一又は異
なってもよく、各々水素原子、１，２−ナフトキノンジ
アジド−４−スルホニルグループ、１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホニルグループ又は１，２−ナフ
トキノンジアジド−６−スルホニルグループを表し、同
時に水素原子をとらなく、Ｘ1a、Ｘ1b、Ｘ1c、Ｘ1d、Ｘ
2a、Ｘ2b及びＸ2cは同一又は異なってもよく、水素原子
またはアルキルグループを表し、ｎ 3は１又は２を表
す。）
【００２０】上述した本発明の第２の目的を達成する為
に、本発明はｉ）構造式（１'）で表されるポリオル化
合物と、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニ
ルクロライド、１，２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホニルクロライド、又は１，２−ナフトキノンジアジ
ド−６−スルホニルクロライドとをエステル化反応させ
て、構造式（１）で表される第１感光性化合物を収得す
る段階と、ｉｉ）構造式（２ａ'）または（２ｂ'）で表
されるポリオル化合物と、１，２−ナフトキノンジアジ
ド−４−スルホニルクロライド、１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホニルクロライド、又は１，２−ナ
フトキノンジアジド−６−スルホニルクロライドとをエ
ステル化反応させて、構造式（２ａ）または（２ｂ）で
表される第２感光性化合物を収得する段階と、そしてｉ
ｉｉ）前記第１感光性化合物の３０乃至７０重量部及び
前記第２感光性化合物の７０乃至３０重量部で混合し構
成された感光剤及び樹脂を溶媒に溶解させる段階とから
なることを特徴とするフォトレジスト組成物の製造方法
を提供する。
に、本発明はｉ）構造式（１'）で表されるポリオル化
合物と、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニ
ルクロライド、１，２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホニルクロライド、又は１，２−ナフトキノンジアジ
ド−６−スルホニルクロライドとをエステル化反応させ
て、構造式（１）で表される第１感光性化合物を収得す
る段階と、ｉｉ）構造式（２ａ'）または（２ｂ'）で表
されるポリオル化合物と、１，２−ナフトキノンジアジ
ド−４−スルホニルクロライド、１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホニルクロライド、又は１，２−ナ
フトキノンジアジド−６−スルホニルクロライドとをエ
ステル化反応させて、構造式（２ａ）または（２ｂ）で
表される第２感光性化合物を収得する段階と、そしてｉ
ｉｉ）前記第１感光性化合物の３０乃至７０重量部及び
前記第２感光性化合物の７０乃至３０重量部で混合し構
成された感光剤及び樹脂を溶媒に溶解させる段階とから
なることを特徴とするフォトレジスト組成物の製造方法
を提供する。
【化１】
【化４】
【化２】
【化５】
【化３】
【化６】
【００２１】（前記構造式（１）及び（１'）で、Ｒ1と
Ｒ2とは同一又は異なってもよく、各々水素原子、１，
２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルグループ、
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルグルー
プ又は１，２−ナフトキノンジアジド−６−スルホニル
グループを表し、同時に水素原子をとらなく、ｎ1とｎ2
とは各々０、１、２又は３であり、同時に０ではなく、
前記構造式（２ａ）、（２ａ'）及び（２ｂ）（２ｂ'）
でＲ3、Ｒ4及びＲ5は同一又は異なってもよく、各々水
素原子、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニ
ルグループ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホニルグループ又は１，２−ナフトキノンジアジド−６
−スルホニルグループを表し、同時に水素原子をとらな
く、Ｘ 1a、Ｘ1b、Ｘ1c、Ｘ1d、Ｘ2a、Ｘ2b及びＸ2cは同
一又は異なってもよく、水素原子またはアルキルグルー
プを表し、ｎ3は１又は２を表す。）
Ｒ2とは同一又は異なってもよく、各々水素原子、１，
２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルグループ、
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルグルー
プ又は１，２−ナフトキノンジアジド−６−スルホニル
グループを表し、同時に水素原子をとらなく、ｎ1とｎ2
とは各々０、１、２又は３であり、同時に０ではなく、
前記構造式（２ａ）、（２ａ'）及び（２ｂ）（２ｂ'）
でＲ3、Ｒ4及びＲ5は同一又は異なってもよく、各々水
素原子、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニ
ルグループ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホニルグループ又は１，２−ナフトキノンジアジド−６
−スルホニルグループを表し、同時に水素原子をとらな
く、Ｘ 1a、Ｘ1b、Ｘ1c、Ｘ1d、Ｘ2a、Ｘ2b及びＸ2cは同
一又は異なってもよく、水素原子またはアルキルグルー
プを表し、ｎ3は１又は２を表す。）
【００２２】前記樹脂としてはアルカリ可溶性樹脂の代
表的な樹脂であるノボラック樹脂が挙げられる。ノボラ
ック樹脂は望ましくはｍ−クレゾール、ｐ−クレゾー
ル、２，３，５−トリメチルフェノールからなるフェノ
ール化合物をホルムアルデヒドと縮合反応させ製造す
る。
表的な樹脂であるノボラック樹脂が挙げられる。ノボラ
ック樹脂は望ましくはｍ−クレゾール、ｐ−クレゾー
ル、２，３，５−トリメチルフェノールからなるフェノ
ール化合物をホルムアルデヒドと縮合反応させ製造す
る。
【００２３】上述した本発明の第３の目的を達成する為
に本発明は、構造式（１）で表される第１感光性化合物
の３０〜７０重量部及び構造式（２ａ）または（２ｂ）
で表れる第２感光性化合物の７０〜３０重量部を混合し
得られる感光剤、樹脂と溶媒とを有するフォトレジスト
組成物を基板上に塗布しフォトレジスト膜を形成する段
階と、前記フォトレジスト膜を光源を使用し選択的に露
光する段階と、そして前記露光されたフォトレジスト膜
を現像しフォトレジストパターンを形成する段階とを有
することを特徴とする半導体パターンの形成方法を提供
する。
に本発明は、構造式（１）で表される第１感光性化合物
の３０〜７０重量部及び構造式（２ａ）または（２ｂ）
で表れる第２感光性化合物の７０〜３０重量部を混合し
得られる感光剤、樹脂と溶媒とを有するフォトレジスト
組成物を基板上に塗布しフォトレジスト膜を形成する段
階と、前記フォトレジスト膜を光源を使用し選択的に露
光する段階と、そして前記露光されたフォトレジスト膜
を現像しフォトレジストパターンを形成する段階とを有
することを特徴とする半導体パターンの形成方法を提供
する。
【化１】
【化２】
【化３】
【００２４】（前記構造式（１）で、Ｒ1とＲ2とは同一
又は異なってもよく、各々水素原子、１，２−ナフトキ
ノンジアジド−４−スルホニルグループ、１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホニルグループ又は１，２
−ナフトキノンジアジド−６−スルホニルグループを表
し、同時に水素原子をとらなく、ｎ1とｎ2とは各々０、
１、２又は３であり、同時に０ではなく、前記構造式
（２ａ）及び（２ｂ）でＲ３、Ｒ４及びＲ５は同一又は
異なってもよく、各々水素原子、１，２−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホニルグループ、１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホニルグループ又は１，２−ナ
フトキノンジアジド−６−スルホニルグループを表し、
同時に水素原子をとらなく、Ｘ1a、Ｘ1b、Ｘ1c、Ｘ1d、
Ｘ2a、Ｘ2b及びＸ2cは同一又は異なってもよく、水素原
子またはアルキルグループを表し、ｎ3は１又は２を表
す。）
又は異なってもよく、各々水素原子、１，２−ナフトキ
ノンジアジド−４−スルホニルグループ、１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホニルグループ又は１，２
−ナフトキノンジアジド−６−スルホニルグループを表
し、同時に水素原子をとらなく、ｎ1とｎ2とは各々０、
１、２又は３であり、同時に０ではなく、前記構造式
（２ａ）及び（２ｂ）でＲ３、Ｒ４及びＲ５は同一又は
異なってもよく、各々水素原子、１，２−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホニルグループ、１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホニルグループ又は１，２−ナ
フトキノンジアジド−６−スルホニルグループを表し、
同時に水素原子をとらなく、Ｘ1a、Ｘ1b、Ｘ1c、Ｘ1d、
Ｘ2a、Ｘ2b及びＸ2cは同一又は異なってもよく、水素原
子またはアルキルグループを表し、ｎ3は１又は２を表
す。）
【００２５】
【作用】本発明によるフォトレジスト組成物を基板上に
塗布してフォトレジスト膜を形成し、これの上部に所定
の部分のみを選択的に露光することが出来るようにパタ
ーニングされたマスクパターンを掲載してフォトレジス
ト膜に選択的に光を照射する。この時、本発明の組成物
はＧ−ライン波長またはＩ−ライン波長の光源両方に反
応する特徴を有する。ところが、最近の高集積度の半導
体装置から要求される微細であるパターンを形成するた
めのＩ−ライン波長以下の光源で優れたパターンプロフ
ァイルが得ることが出来る。必要により適切な光源を使
用して露光することが出来る。露光工程の以後、現像し
て溶解度が大きな部分である露光された部分は除去し、
溶解度が少ない部分は残してプロファイルが優れたフォ
トレジストパターンを形成する。フォトレジストが除去
された部分の基板はエッチングによりパターンを形成
し、以後、残したフォトレジストパターンを除去し各種
の配線、電極の形成に必要である各種の導電性または絶
縁性パターンを形成するようになる。
塗布してフォトレジスト膜を形成し、これの上部に所定
の部分のみを選択的に露光することが出来るようにパタ
ーニングされたマスクパターンを掲載してフォトレジス
ト膜に選択的に光を照射する。この時、本発明の組成物
はＧ−ライン波長またはＩ−ライン波長の光源両方に反
応する特徴を有する。ところが、最近の高集積度の半導
体装置から要求される微細であるパターンを形成するた
めのＩ−ライン波長以下の光源で優れたパターンプロフ
ァイルが得ることが出来る。必要により適切な光源を使
用して露光することが出来る。露光工程の以後、現像し
て溶解度が大きな部分である露光された部分は除去し、
溶解度が少ない部分は残してプロファイルが優れたフォ
トレジストパターンを形成する。フォトレジストが除去
された部分の基板はエッチングによりパターンを形成
し、以後、残したフォトレジストパターンを除去し各種
の配線、電極の形成に必要である各種の導電性または絶
縁性パターンを形成するようになる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、添附図面に基づいて本発明
を詳細に説明する。本発明で使用される第１感光性化合
物は下記の構造式（１）を有する。
を詳細に説明する。本発明で使用される第１感光性化合
物は下記の構造式（１）を有する。
【化１】
【００２７】（前記構造式（１）で、Ｒ1とＲ2とは同一
又は異なってもよく、各々水素原子、１，２−ナフトキ
ノンジアジド−４−スルホニルグループ、１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホニルグループ又は１，２
−ナフトキノンジアジド−６−スルホニルグループを表
し、同時に水素原子をとらなく、ｎ1とｎ2とは各々０、
１、２又は３であり、同時に０ではない）
又は異なってもよく、各々水素原子、１，２−ナフトキ
ノンジアジド−４−スルホニルグループ、１，２−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホニルグループ又は１，２
−ナフトキノンジアジド−６−スルホニルグループを表
し、同時に水素原子をとらなく、ｎ1とｎ2とは各々０、
１、２又は３であり、同時に０ではない）
【００２８】特に、前記構造式（１）で表される第１感
光性化合物の例としては２，３，４，４'−テトラヒド
ロキシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド
−４−スルホン酸塩、２，３，４，４'−テトラヒドロ
キシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸塩、２，３，４，４'−テトラヒドロキ
シベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−６
−スルホン酸塩等が挙げることが出来る。
光性化合物の例としては２，３，４，４'−テトラヒド
ロキシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド
−４−スルホン酸塩、２，３，４，４'−テトラヒドロ
キシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸塩、２，３，４，４'−テトラヒドロキ
シベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−６
−スルホン酸塩等が挙げることが出来る。
【００２９】本発明で使用される第２感光性化合物は下
記の構造式（２ａ）または（２ｂ）で表される。
記の構造式（２ａ）または（２ｂ）で表される。
【化２】
【化３】
【００３０】（前記構造式（２ａ）及び（２ｂ）で、Ｒ
3、Ｒ4及びＲ5は同一又は異なってもよく、各々水素原
子、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルグ
ループ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニ
ルグループ又は１，２−ナフトキノンジアジド−６−ス
ルホニルグループを表し、同時に水素原子をとらなく、
Ｘ1a、Ｘ1b、Ｘ1c、Ｘ1d、Ｘ2a、Ｘ2b及びＸ2cは同一又
は異なってもよく、水素原子またはアルキルグループを
表し、ｎ3は１又は２を表す。）
3、Ｒ4及びＲ5は同一又は異なってもよく、各々水素原
子、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルグ
ループ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニ
ルグループ又は１，２−ナフトキノンジアジド−６−ス
ルホニルグループを表し、同時に水素原子をとらなく、
Ｘ1a、Ｘ1b、Ｘ1c、Ｘ1d、Ｘ2a、Ｘ2b及びＸ2cは同一又
は異なってもよく、水素原子またはアルキルグループを
表し、ｎ3は１又は２を表す。）
【００３１】前記構造式（２ａ）又は（２ｂ）で表され
る第２感光性化合物の例としては３−４個のモノヒドロ
キシアルキルベンゼン環で構成される非ベンゾフェノン
の１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸塩、
非ベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸塩または非ベンゾフェノンの１，２−ナフ
トキノンジアジド−６−スルホン酸塩等が挙げることが
出来る。
る第２感光性化合物の例としては３−４個のモノヒドロ
キシアルキルベンゼン環で構成される非ベンゾフェノン
の１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸塩、
非ベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸塩または非ベンゾフェノンの１，２−ナフ
トキノンジアジド−６−スルホン酸塩等が挙げることが
出来る。
【００３２】本発明の感光剤は前記第１感光性化合物と
第２感光性化合物とを混合し収得する。本発明で使用さ
れる第１感光性化合物は感度の面では優れるが、解像力
が劣り、第２感光性化合物は解像度の面では優れるが、
感度は高過ぎる。
第２感光性化合物とを混合し収得する。本発明で使用さ
れる第１感光性化合物は感度の面では優れるが、解像力
が劣り、第２感光性化合物は解像度の面では優れるが、
感度は高過ぎる。
【００３３】もしも、感光剤中の第１感光性化合物の量
が３０重量部より少ないと、感度が低過ぎ、７０重量部
より多いと、熱特性が良くない。これとは反対に、第２
感光性化合物の量が７０重量部より多いと、感度が低過
ぎ、３０重量部より少ないと、熱特性が良くない。従い
まして，第１感光性化合物と第２感光性化合物との混合
比は重量比で３０：７０〜７０：３０であることが望ま
しい。
が３０重量部より少ないと、感度が低過ぎ、７０重量部
より多いと、熱特性が良くない。これとは反対に、第２
感光性化合物の量が７０重量部より多いと、感度が低過
ぎ、３０重量部より少ないと、熱特性が良くない。従い
まして，第１感光性化合物と第２感光性化合物との混合
比は重量比で３０：７０〜７０：３０であることが望ま
しい。
【００３４】前記第１感光性化合物と第２感光性化合物
とからなる感光剤の使用量は前記ポジティブフォトレジ
ストに適用可能である樹脂の１００重量部に対して１０
重量部以下であると、解像度が劣って望ましくなく、１
００重量部を超過すると、フォトレジスト組成物の感度
（ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）が劣って望ましくない。従
って、感光剤の使用量は樹脂１００重量部に対して１０
〜１００重量部、望ましくは１０〜５０重量部である。
とからなる感光剤の使用量は前記ポジティブフォトレジ
ストに適用可能である樹脂の１００重量部に対して１０
重量部以下であると、解像度が劣って望ましくなく、１
００重量部を超過すると、フォトレジスト組成物の感度
（ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）が劣って望ましくない。従
って、感光剤の使用量は樹脂１００重量部に対して１０
〜１００重量部、望ましくは１０〜５０重量部である。
【００３５】ナフトキノンジアジドスルホン酸塩係の感
光剤の中で第１感光性化合物のエステル化の比率が４０
％より少ないとか、第２感光性化合物のエステル化の比
率が２０％より少ないと、他の従来の感光剤に比べて感
光度は増加するが、現像した後、正常的な厚さが減少し
て望ましくない。又、第２感光性化合物のエステル化の
比率が９０％を超過すると、感光度が高過ぎ、フォトレ
ジスト組成物の溶液の安定性が悪くなる。従いまして、
本発明で使用される第１感光性化合物のエステル化の比
率は４０乃至１００％、望ましくは６０乃至９０％であ
り、第２感光性化合物のエステル化の比率は２０乃至９
０％、望ましくは５０乃至７０％である。
光剤の中で第１感光性化合物のエステル化の比率が４０
％より少ないとか、第２感光性化合物のエステル化の比
率が２０％より少ないと、他の従来の感光剤に比べて感
光度は増加するが、現像した後、正常的な厚さが減少し
て望ましくない。又、第２感光性化合物のエステル化の
比率が９０％を超過すると、感光度が高過ぎ、フォトレ
ジスト組成物の溶液の安定性が悪くなる。従いまして、
本発明で使用される第１感光性化合物のエステル化の比
率は４０乃至１００％、望ましくは６０乃至９０％であ
り、第２感光性化合物のエステル化の比率は２０乃至９
０％、望ましくは５０乃至７０％である。
【００３６】前記ポジティブフォトレジストに適用可能
な樹脂の代表的である例としてはノボラック樹脂が挙げ
ることが出来る。ノボラック樹脂はポシティブ作用性樹
脂として広く使用されているアルカリ可溶性の樹脂であ
る。
な樹脂の代表的である例としてはノボラック樹脂が挙げ
ることが出来る。ノボラック樹脂はポシティブ作用性樹
脂として広く使用されているアルカリ可溶性の樹脂であ
る。
【００３７】ノボラック樹脂はフェノール類とアルデヒ
ドとを酸触媒下で縮合反応させ得られる。フェノール類
としてはフェノール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾー
ル、ｏ−クレゾール、２，３−キシレノール、２，５−
キシレノール、３，５−キシレノール、３，４−キシレ
ノール等のキシレノール類、２，３，５−トリメチルフ
ェノール、２，３，５−トリエチルフェノール、ｍ−エ
チルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−エチルフ
ェノール、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、３−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェノ
ール、２−ｔｅｒｔ−ブチル４−メチルフェノール、２
−ｔｅｒｔ−ブチル５−メチルフェノール等のアルキル
フェノール類、ｐ−メトキシフェノール、ｍ−メトキシ
フェノール、ｐ−エトキシフェノール、ｍ−エトキシフ
ェノール等のアルコキシフェノール類、ｏ−イソプロフ
ェニルフェノール、ｐ−イソプロフェニルフェノール、
２−メチル４−イソプロフェニルフェノール、２−エチ
ル４−イソプロフェニルフェノール等のイソプロフェニ
ルフェノール類、ポリヒドロキシフェノール類等が挙げ
られる。これらは単独または２種以上を配合し使用する
ことが出来る。本発明で使用されるノボラック樹脂はｍ
−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾール、２，
３，５−トリメチルフェノールで構成された３原フェノ
ール混合物を使用し製造することが望ましい。
ドとを酸触媒下で縮合反応させ得られる。フェノール類
としてはフェノール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾー
ル、ｏ−クレゾール、２，３−キシレノール、２，５−
キシレノール、３，５−キシレノール、３，４−キシレ
ノール等のキシレノール類、２，３，５−トリメチルフ
ェノール、２，３，５−トリエチルフェノール、ｍ−エ
チルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−エチルフ
ェノール、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、３−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェノ
ール、２−ｔｅｒｔ−ブチル４−メチルフェノール、２
−ｔｅｒｔ−ブチル５−メチルフェノール等のアルキル
フェノール類、ｐ−メトキシフェノール、ｍ−メトキシ
フェノール、ｐ−エトキシフェノール、ｍ−エトキシフ
ェノール等のアルコキシフェノール類、ｏ−イソプロフ
ェニルフェノール、ｐ−イソプロフェニルフェノール、
２−メチル４−イソプロフェニルフェノール、２−エチ
ル４−イソプロフェニルフェノール等のイソプロフェニ
ルフェノール類、ポリヒドロキシフェノール類等が挙げ
られる。これらは単独または２種以上を配合し使用する
ことが出来る。本発明で使用されるノボラック樹脂はｍ
−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾール、２，
３，５−トリメチルフェノールで構成された３原フェノ
ール混合物を使用し製造することが望ましい。
【００３８】使用されるアルデヒド類としてはホルムア
ルデヒド、パラーホルムアルデヒド、アセトアルデヒ
ド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、トリメ
チルアセトアルデヒド、ベンズアルデヒド（ｂｅｎｚａ
ｌｄｅｈｙｄｅ）、テレフタルアルデヒド、フェニルア
セトアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ
−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズ
アルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−メチル
ベンズアルデヒド等が挙げられ、これらは単独あるいは
２種以上を配合し使用することが出来る。特に、ホルム
アルデヒドを使用することが望ましい。
ルデヒド、パラーホルムアルデヒド、アセトアルデヒ
ド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、トリメ
チルアセトアルデヒド、ベンズアルデヒド（ｂｅｎｚａ
ｌｄｅｈｙｄｅ）、テレフタルアルデヒド、フェニルア
セトアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ
−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズ
アルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−メチル
ベンズアルデヒド等が挙げられ、これらは単独あるいは
２種以上を配合し使用することが出来る。特に、ホルム
アルデヒドを使用することが望ましい。
【００３９】又、縮合反応に使用される酸触媒としては
塩酸、硫酸、燐酸等の無機酸と酢酸、ｐ−トルエン酸、
シュウ酸等の有機酸とが挙げることが出来る。その中で
も特に、シュウ酸を使用することが望ましい。縮合反応
は６０~１２０℃で２~３０時間くらい行われる。
塩酸、硫酸、燐酸等の無機酸と酢酸、ｐ−トルエン酸、
シュウ酸等の有機酸とが挙げることが出来る。その中で
も特に、シュウ酸を使用することが望ましい。縮合反応
は６０~１２０℃で２~３０時間くらい行われる。
【００４０】ここで得られたノボラック樹脂はゲル透過
クロマトグラフィー法（Ｇｅｌ ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ
ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）により求めたポリス
チレン換算平均分子量が１，０００から２０，０００ま
での範囲、望ましくは約２，０００乃至１０，０００、
最も望ましくは５，０００から７，０００までの範囲の
ノボラック樹脂である。
クロマトグラフィー法（Ｇｅｌ ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ
ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）により求めたポリス
チレン換算平均分子量が１，０００から２０，０００ま
での範囲、望ましくは約２，０００乃至１０，０００、
最も望ましくは５，０００から７，０００までの範囲の
ノボラック樹脂である。
【００４１】本発明で特に望ましい樹脂としては、ｍ−
クレゾール、ｐ−クレゾール、２，３，５−トリメチル
フェノールで構成されたフェノール化合物とホルムアル
デヒドとをシュウ酸の存在下で縮合反応させ収得し、ポ
リスチレンで計算した重量平均分子量が５，０００乃至
７，０００（特に、約６，０００）であるノボラック樹
脂を使用することが望ましい。
クレゾール、ｐ−クレゾール、２，３，５−トリメチル
フェノールで構成されたフェノール化合物とホルムアル
デヒドとをシュウ酸の存在下で縮合反応させ収得し、ポ
リスチレンで計算した重量平均分子量が５，０００乃至
７，０００（特に、約６，０００）であるノボラック樹
脂を使用することが望ましい。
【００４２】ノボラック樹脂の含量はポジティブ作用性
フォトレジスト組成物内の全ての固形分の含量の約１０
〜６０重量部である範囲で含有することが望ましい。
フォトレジスト組成物内の全ての固形分の含量の約１０
〜６０重量部である範囲で含有することが望ましい。
【００４３】本発明によるポジティブ作用性フォトレジ
ストに使用される溶剤は感光剤とノボラック樹脂とに反
応しなく、十分な溶解力と適当な乾操速度とを有するこ
とにより溶剤が蒸発した後、均一で平滑である塗布膜を
形成する能力を有すると、何れのものも使用することが
出来る。本発明で使用することが出来る溶剤としては感
光剤とノボラック樹脂とに対する溶解力が優れたアルキ
ルラクタート系列と膜の形成能力が優れたアセテート系
列とが使用され、これらは夫々に使用することが出来、
又は、これらを適当な比率で混合し使用することも出来
る。
ストに使用される溶剤は感光剤とノボラック樹脂とに反
応しなく、十分な溶解力と適当な乾操速度とを有するこ
とにより溶剤が蒸発した後、均一で平滑である塗布膜を
形成する能力を有すると、何れのものも使用することが
出来る。本発明で使用することが出来る溶剤としては感
光剤とノボラック樹脂とに対する溶解力が優れたアルキ
ルラクタート系列と膜の形成能力が優れたアセテート系
列とが使用され、これらは夫々に使用することが出来、
又は、これらを適当な比率で混合し使用することも出来
る。
【００４４】好ましくは、エチルラクタートとブチルラ
クタートとの混合溶媒を使用する。混合溶液中でのエチ
ルラクタートの比が８０重量部より多い場合、溶解力は
優れるが、感光性樹脂組成物の粘度が高過ぎて、膜の形
成能力が低くなって好ましくなく、ブチルアセテートの
混合量が重量比で７０％より多い場合、膜の形成能力は
優れるが、感光剤とノボラック樹脂とに対する溶解力が
低下され、感光性樹脂組成物の溶液の安定性が低くなっ
て好ましくない。従って、エチルラクタートとブチルア
セテートの混合比は８０：２０〜３０：７０の重量比で
混合されることが望ましい。
クタートとの混合溶媒を使用する。混合溶液中でのエチ
ルラクタートの比が８０重量部より多い場合、溶解力は
優れるが、感光性樹脂組成物の粘度が高過ぎて、膜の形
成能力が低くなって好ましくなく、ブチルアセテートの
混合量が重量比で７０％より多い場合、膜の形成能力は
優れるが、感光剤とノボラック樹脂とに対する溶解力が
低下され、感光性樹脂組成物の溶液の安定性が低くなっ
て好ましくない。従って、エチルラクタートとブチルア
セテートの混合比は８０：２０〜３０：７０の重量比で
混合されることが望ましい。
【００４５】上述した感光剤、ポジティブ作用性樹脂及
び溶媒を含むフォトレジスト組成物では組成物内の固体
含量が組成物の総量を基準にして２０重量部より少ない
と、粘度が低くて好ましくなく、もしも、固体含量が４
０重量部より多いと、粘度が高過ぎてパターンを形成す
るためにフォトレジストの適用時、厚さの調節が難しく
て好ましくない。従って、フォトレジスト組成物内での
固体含量が組成物の総量を基準にして２０〜４０重量部
になるようにすることが好ましい。この時、フォトレジ
スト組成物の粘度は２８乃至３２ｃＰに調節する。
び溶媒を含むフォトレジスト組成物では組成物内の固体
含量が組成物の総量を基準にして２０重量部より少ない
と、粘度が低くて好ましくなく、もしも、固体含量が４
０重量部より多いと、粘度が高過ぎてパターンを形成す
るためにフォトレジストの適用時、厚さの調節が難しく
て好ましくない。従って、フォトレジスト組成物内での
固体含量が組成物の総量を基準にして２０〜４０重量部
になるようにすることが好ましい。この時、フォトレジ
スト組成物の粘度は２８乃至３２ｃＰに調節する。
【００４６】本発明に使用されるナフトキノンジアジド
スルホン酸塩系の感光剤はポリオル化合物とナフトキノ
ンジアジドスルホン酸塩クロライド化合物とのエステル
反応により製造する。以下、具体的に説明する。
スルホン酸塩系の感光剤はポリオル化合物とナフトキノ
ンジアジドスルホン酸塩クロライド化合物とのエステル
反応により製造する。以下、具体的に説明する。
【００４７】先ず、第１の感光性化合物は下記の構造式
（１'）で表されるポリオル化合物と、１，２−ナフト
キノンジアジド−４−スルホニルクロライド、１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロライド、又
は１，２−ナフトキノンジアジド−６−スルホニルクロ
ライドとをエステル化反応させ収得する。
（１'）で表されるポリオル化合物と、１，２−ナフト
キノンジアジド−４−スルホニルクロライド、１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロライド、又
は１，２−ナフトキノンジアジド−６−スルホニルクロ
ライドとをエステル化反応させ収得する。
【００４８】
【化４】
【００４９】（前記構造式（１'）で、ｎ1とｎ2とは各
々０、１、２又は３であり、同時に０ではない）
々０、１、２又は３であり、同時に０ではない）
【００５０】第２感光性化合物は下記構造式（２ａ'）
または（２ｂ'）で表されるポリオル化合物と、１，２
−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルクロライド、
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロラ
イド、又は１，２−ナフトキノンジアジド−６−スルホ
ニルクロライドとをエステル化反応させ収得する。
または（２ｂ'）で表されるポリオル化合物と、１，２
−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルクロライド、
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロラ
イド、又は１，２−ナフトキノンジアジド−６−スルホ
ニルクロライドとをエステル化反応させ収得する。
【化５】
【化６】
【００５１】（前記構造式（２ａ'）及び（２ｂ'）で、
Ｘ1a、Ｘ1b、Ｘ1c、Ｘ1d、Ｘ2a、Ｘ2b及びＸ2cは同一又
は異なってもよく、水素原子またはアルキルグループを
表し、ｎ3は１又は２を表す。）
Ｘ1a、Ｘ1b、Ｘ1c、Ｘ1d、Ｘ2a、Ｘ2b及びＸ2cは同一又
は異なってもよく、水素原子またはアルキルグループを
表し、ｎ3は１又は２を表す。）
【００５２】これらの第１及び第２の感光性化合物を製
造する反応はエステル反応であり、塩基の存在下で成
る。ここで、塩基としてトリメチルアミン、トリエチル
アミン、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニ
リン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン、ピリジンのようなア
ミン類が挙げられる。又、場合によっては感度調節のた
めに無機塩基等を使用することが出来る。
造する反応はエステル反応であり、塩基の存在下で成
る。ここで、塩基としてトリメチルアミン、トリエチル
アミン、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニ
リン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン、ピリジンのようなア
ミン類が挙げられる。又、場合によっては感度調節のた
めに無機塩基等を使用することが出来る。
【００５３】塩基の使用量は１，２−ナフトキノンジア
ジド−４、５又は６−スルホニルクロライドに対して一
般的に１〜５ｍｏｌ比、好ましくは１．１〜１．２ｍｏ
ｌ比になるようにする。
ジド−４、５又は６−スルホニルクロライドに対して一
般的に１〜５ｍｏｌ比、好ましくは１．１〜１．２ｍｏ
ｌ比になるようにする。
【００５４】前記エステル化反応は一般的にエステル化
の溶媒中で行われ、使用されるエステル化溶媒としては
１，４−ジオキサンのようなジオキサン類、テトラヒド
ロフラン（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｆｕｒａｎｅ）のよう
なエーテル類とアセトン、メチルエチルケトン、シクロ
ヘキサノン、２−ヘプタノンのようなケトン類が挙げら
れる。これらは各々または２種以上を配合して使用して
も良い。
の溶媒中で行われ、使用されるエステル化溶媒としては
１，４−ジオキサンのようなジオキサン類、テトラヒド
ロフラン（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｆｕｒａｎｅ）のよう
なエーテル類とアセトン、メチルエチルケトン、シクロ
ヘキサノン、２−ヘプタノンのようなケトン類が挙げら
れる。これらは各々または２種以上を配合して使用して
も良い。
【００５５】各段階ｉ）及びｉｉ）で、エステル化溶媒
は式（１'）で表されるポリヒドロキシ化合物、または
式（２ａ'）又は（２ｂ'）で表されるポリヒドロキシ化
合物と、１，２−ナフトキノンジアジド−４、５又は６
−スルホニルクロライドを合した量の２−６重量倍の範
囲で使用し、好ましくは４−５重量倍の範囲で使用で使
用するようにする。
は式（１'）で表されるポリヒドロキシ化合物、または
式（２ａ'）又は（２ｂ'）で表されるポリヒドロキシ化
合物と、１，２−ナフトキノンジアジド−４、５又は６
−スルホニルクロライドを合した量の２−６重量倍の範
囲で使用し、好ましくは４−５重量倍の範囲で使用で使
用するようにする。
【００５６】エステル化の反応時間は一般的に３０〜２
４０分位であり、反応の終了後、固形分を濾過した後に
得られる濾過液を１〜２重量部くらいの酢酸水溶液また
は硫酸水溶液のような酸水溶液に徐々に落とすと、沈殿
が生成され、これを濾過、洗浄及び乾燥すると、前記式
（１）又は（２ａ）及び（２ｂ）の感光剤が得ることが
出来る。
４０分位であり、反応の終了後、固形分を濾過した後に
得られる濾過液を１〜２重量部くらいの酢酸水溶液また
は硫酸水溶液のような酸水溶液に徐々に落とすと、沈殿
が生成され、これを濾過、洗浄及び乾燥すると、前記式
（１）又は（２ａ）及び（２ｂ）の感光剤が得ることが
出来る。
【００５７】次に、前述したように、ｍ−クレゾール、
ｐ−クレゾール、２，３，５−トリメチルフェノール等
で構成されたフェノール化合物をホルムアルデヒドのよ
うなアルデヒド化合物を縮合反応させてノボラック樹脂
を製造する。
ｐ−クレゾール、２，３，５−トリメチルフェノール等
で構成されたフェノール化合物をホルムアルデヒドのよ
うなアルデヒド化合物を縮合反応させてノボラック樹脂
を製造する。
【００５８】収得した前記第１感光性化合物、前記第２
感光性化合物、ノボラック樹脂を前述した比率にして溶
媒に溶解させた後、濾過して本発明によるフォトレジス
ト組成物を製造する。
感光性化合物、ノボラック樹脂を前述した比率にして溶
媒に溶解させた後、濾過して本発明によるフォトレジス
ト組成物を製造する。
【００５９】前記式（１）で表される第１感光性化合物
はＧ−ライン波長の光源に露光時に使用されることが出
来る物質であり、前記式（２ａ）又は（２ｂ）で表され
る第２感光性化合物はＩ−ライン波長の光源に露光時に
使用されることが出来る物質である。本発明者等の反復
的な実験の結果、これらの混合物をフォトレジスト組成
物で感光剤として使用した場合には、Ｇ−ライン波長の
光源及びＩ−ライン波長の光源に露光時に優れた感度と
解像力とを提供する事実が分かるようになった。特に、
最近、解像度の面で広く使用されているＩ−ライン波長
（３６５ｎｍ）以下の短波長の光源で優れたプロファイ
ルを有するパターンが得ることが出来ることが分かっ
た。
はＧ−ライン波長の光源に露光時に使用されることが出
来る物質であり、前記式（２ａ）又は（２ｂ）で表され
る第２感光性化合物はＩ−ライン波長の光源に露光時に
使用されることが出来る物質である。本発明者等の反復
的な実験の結果、これらの混合物をフォトレジスト組成
物で感光剤として使用した場合には、Ｇ−ライン波長の
光源及びＩ−ライン波長の光源に露光時に優れた感度と
解像力とを提供する事実が分かるようになった。特に、
最近、解像度の面で広く使用されているＩ−ライン波長
（３６５ｎｍ）以下の短波長の光源で優れたプロファイ
ルを有するパターンが得ることが出来ることが分かっ
た。
【００６０】従って、本発明によるフォトレジストパタ
ーンの形成方法によると、先ず、構造式（１）で表され
る第１感光性化合物３０〜７０重量％重量部及び構造式
（２ａ）又は（２ｂ）で表される第２感光性化合物７０
〜３０重量部を混合し得られる感光剤、ポジティブフォ
トレジストに適用可能である樹脂及び溶媒を含むフォト
レジスト組成物を製造する。次に、本発明の方法により
得られるフォトレジスト組成物を基板上に塗布してフォ
トレジスト膜を形成する。この時、前記組成物の粘度が
２８乃至３２ｃＰであり、前記塗布時の基板またはウェ
ハーの回転速度が９００乃至４０００ＲＰＭである。実
際に適用可能である厚さは１５０００乃至３３０００Å
であることが好ましい。
ーンの形成方法によると、先ず、構造式（１）で表され
る第１感光性化合物３０〜７０重量％重量部及び構造式
（２ａ）又は（２ｂ）で表される第２感光性化合物７０
〜３０重量部を混合し得られる感光剤、ポジティブフォ
トレジストに適用可能である樹脂及び溶媒を含むフォト
レジスト組成物を製造する。次に、本発明の方法により
得られるフォトレジスト組成物を基板上に塗布してフォ
トレジスト膜を形成する。この時、前記組成物の粘度が
２８乃至３２ｃＰであり、前記塗布時の基板またはウェ
ハーの回転速度が９００乃至４０００ＲＰＭである。実
際に適用可能である厚さは１５０００乃至３３０００Å
であることが好ましい。
【００６１】次に、フォトレジスト膜の上部に所定部分
のみを選択的に露光することが出来るようにパターニン
グされたマスクパターンを掲載しフォトレジスト膜に選
択的に光を照査する。この時、本発明の組成物はＧ−ラ
イン波長の光源とＩ−ライン波長以下の短波長を有する
光源とにより反応する特徴を有するので、必要により適
切な光源を使用し露光することが出来る。以後、現像し
て溶解度が大きな部分である露光された部分は除去し、
溶解度が少ない部分は残してレジストパターンを形成す
る。レジストが除去された部分の基板はエッチングによ
りパターン形成し、以後、残したレジストを除去して各
種の配線、電極に要られるパターンを形成するようにな
る。
のみを選択的に露光することが出来るようにパターニン
グされたマスクパターンを掲載しフォトレジスト膜に選
択的に光を照査する。この時、本発明の組成物はＧ−ラ
イン波長の光源とＩ−ライン波長以下の短波長を有する
光源とにより反応する特徴を有するので、必要により適
切な光源を使用し露光することが出来る。以後、現像し
て溶解度が大きな部分である露光された部分は除去し、
溶解度が少ない部分は残してレジストパターンを形成す
る。レジストが除去された部分の基板はエッチングによ
りパターン形成し、以後、残したレジストを除去して各
種の配線、電極に要られるパターンを形成するようにな
る。
【００６２】以下、本発明を具体的である下記の実施例
を通じてより具体的に説明するが、本発明はこれにより
制限されることではない。
を通じてより具体的に説明するが、本発明はこれにより
制限されることではない。
【００６３】（１）感光性化合物の合成 （合成例１）下記構造式（３）で表される感光母体４．
０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル
クロライド７．０ｇ及びアセトン３００ｍｌを３口のフ
ラスコの中に入れて攪拌してこれらの物質を完全に溶解
させた。ここにトリエチルアミン（ｔｒｉｅｔｈｙｌ
ａｍｉｎｅ）３．２ｇを段階的に徐々に滴下した後、室
温で４時間に亙って反応させた。反応が完結された後、
固形分は濾過し捨て、濾過液は１％の硫酸水溶液に滴下
させて沈殿物を形成させた。得られた沈殿物を濾過し収
集した後、メタノールで洗滌及び乾燥してナフトキノン
ジアジドスルホン酸塩系の感光剤である第２感光性化合
物（Ａ−１）３ｇを収得した。
０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル
クロライド７．０ｇ及びアセトン３００ｍｌを３口のフ
ラスコの中に入れて攪拌してこれらの物質を完全に溶解
させた。ここにトリエチルアミン（ｔｒｉｅｔｈｙｌ
ａｍｉｎｅ）３．２ｇを段階的に徐々に滴下した後、室
温で４時間に亙って反応させた。反応が完結された後、
固形分は濾過し捨て、濾過液は１％の硫酸水溶液に滴下
させて沈殿物を形成させた。得られた沈殿物を濾過し収
集した後、メタノールで洗滌及び乾燥してナフトキノン
ジアジドスルホン酸塩系の感光剤である第２感光性化合
物（Ａ−１）３ｇを収得した。
【００６４】（合成例２）下記構造式（３）で表される
感光母体４．０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−４
−スルホニルクロライド７．０ｇ及びアセトン３００ｍ
ｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌してこれらの物質
を完全に溶解させた。ここにトリエチルアミン（ｔｒｉ
ｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）３．２ｇを段階的に徐々に滴
下した後、室温で４時間に亙って反応させた。以後、前
記合成例１での方法と同一の方法を行ってナフトキノン
ジアジドスルホン酸塩系の感光剤である第２感光性化合
物（Ａ−２）３．１ｇを収得した。
感光母体４．０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−４
−スルホニルクロライド７．０ｇ及びアセトン３００ｍ
ｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌してこれらの物質
を完全に溶解させた。ここにトリエチルアミン（ｔｒｉ
ｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）３．２ｇを段階的に徐々に滴
下した後、室温で４時間に亙って反応させた。以後、前
記合成例１での方法と同一の方法を行ってナフトキノン
ジアジドスルホン酸塩系の感光剤である第２感光性化合
物（Ａ−２）３．１ｇを収得した。
【００６５】
【化７】
【００６６】（合成例３）下記構造式（４）で表される
感光母体４．０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホニルクロライド６．８ｇ及びアセトン３００ｍ
ｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌してこれらの物質
を完全に溶解させた。ここにトリエチルアミン（ｔｒｉ
ｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）３．０ｇを段階的に徐々に滴
下した後、室温で４時間に亙って反応させた。以後、前
記合成例１での方法と同一の方法を行ってナフトキノン
ジアジドスルホン酸塩系の感光剤である第２感光性化合
物（Ｂ−１）５ｇを収得した。
感光母体４．０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホニルクロライド６．８ｇ及びアセトン３００ｍ
ｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌してこれらの物質
を完全に溶解させた。ここにトリエチルアミン（ｔｒｉ
ｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）３．０ｇを段階的に徐々に滴
下した後、室温で４時間に亙って反応させた。以後、前
記合成例１での方法と同一の方法を行ってナフトキノン
ジアジドスルホン酸塩系の感光剤である第２感光性化合
物（Ｂ−１）５ｇを収得した。
【００６７】（合成例４）下記構造式（４）で表される
感光母体４．０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−４
−スルホニルクロライド６．８ｇ及びアセトン３００ｍ
ｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌してこれらの物質
を完全に溶解させた。ここにトリエチルアミン（ｔｒｉ
ｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）３．０ｇを段階的に徐々に滴
下した後、室温で４時間に亙って反応させた。以後、前
記合成例１での方法と同一の方法を行ってナフトキノン
ジアジドスルホン酸塩系の感光剤である第２感光性化合
物（Ｂ−２）５．４ｇを収得した。
感光母体４．０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−４
−スルホニルクロライド６．８ｇ及びアセトン３００ｍ
ｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌してこれらの物質
を完全に溶解させた。ここにトリエチルアミン（ｔｒｉ
ｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）３．０ｇを段階的に徐々に滴
下した後、室温で４時間に亙って反応させた。以後、前
記合成例１での方法と同一の方法を行ってナフトキノン
ジアジドスルホン酸塩系の感光剤である第２感光性化合
物（Ｂ−２）５．４ｇを収得した。
【化８】
【００６８】（合成例５）下記構造式（５）で表される
感光母体４．２ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホニルクロライド７．４ｇ及びアセトン３００ｍ
ｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌してこれらの物質
を完全に溶解させた。ここにトリエチルアミン（ｔｒｉ
ｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）３．４ｇを段階的に徐々に滴
下した後、室温で４時間に亙って反応させた。以後、前
記合成例１での方法と同一の方法を行ってナフトキノン
ジアジドスルホン酸塩系の感光剤である第２感光性化合
物（Ｃ−１）７．１ｇを収得した。
感光母体４．２ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホニルクロライド７．４ｇ及びアセトン３００ｍ
ｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌してこれらの物質
を完全に溶解させた。ここにトリエチルアミン（ｔｒｉ
ｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）３．４ｇを段階的に徐々に滴
下した後、室温で４時間に亙って反応させた。以後、前
記合成例１での方法と同一の方法を行ってナフトキノン
ジアジドスルホン酸塩系の感光剤である第２感光性化合
物（Ｃ−１）７．１ｇを収得した。
【００６９】（合成例６）下記構造式（５）で表される
感光母体４．０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホニルクロライド６．８ｇ及びアセトン３００ｍ
ｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌してこれらの物質
を完全に溶解させた。ここにトリエチルアミン（ｔｒｉ
ｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）３．０ｇを段階的に徐々に滴
下した後、室温で４時間に亙って反応させた。以後、前
記合成例１での方法と同一の方法を行ってナフトキノン
ジアジドスルホン酸塩系の感光剤である第２感光性化合
物（Ｃ−２）６ｇを収得した。
感光母体４．０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホニルクロライド６．８ｇ及びアセトン３００ｍ
ｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌してこれらの物質
を完全に溶解させた。ここにトリエチルアミン（ｔｒｉ
ｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）３．０ｇを段階的に徐々に滴
下した後、室温で４時間に亙って反応させた。以後、前
記合成例１での方法と同一の方法を行ってナフトキノン
ジアジドスルホン酸塩系の感光剤である第２感光性化合
物（Ｃ−２）６ｇを収得した。
【化５】
【００７０】（合成例７）下記構造式（６）で表される
感光母体４．０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホニルクロライド６．５ｇ及びアセトン３００ｍ
ｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌してこれらの物質
を完全に溶解させた。ここにトリエチルアミン（ｔｒｉ
ｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）２．５ｇを段階的に徐々に滴
下した後、室温で４時間に亙って反応させた。以後、前
記合成例１での方法と同一の方法を行ってナフトキノン
ジアジドスルホン酸塩系の感光剤である第２感光性化合
物（Ｄ−１）６ｇを収得した。
感光母体４．０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホニルクロライド６．５ｇ及びアセトン３００ｍ
ｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌してこれらの物質
を完全に溶解させた。ここにトリエチルアミン（ｔｒｉ
ｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）２．５ｇを段階的に徐々に滴
下した後、室温で４時間に亙って反応させた。以後、前
記合成例１での方法と同一の方法を行ってナフトキノン
ジアジドスルホン酸塩系の感光剤である第２感光性化合
物（Ｄ−１）６ｇを収得した。
【００７１】（合成例８）下記構造式（６）で表される
感光母体４．０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−４
−スルホニルクロライド６．５ｇ及びアセトン３００ｍ
ｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌してこれらの物質
を完全に溶解させた。ここにトリエチルアミン（ｔｒｉ
ｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）２．５ｇを段階的に徐々に滴
下した後、室温で４時間に亙って反応させた。以後、前
記合成例１での方法と同一の方法を行ってナフトキノン
ジアジドスルホン酸塩系の感光剤である第２感光性化合
物（Ｄ−２）６．３ｇを収得した。
感光母体４．０ｇ、１，２−ナフトキノンジアジド−４
−スルホニルクロライド６．５ｇ及びアセトン３００ｍ
ｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌してこれらの物質
を完全に溶解させた。ここにトリエチルアミン（ｔｒｉ
ｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）２．５ｇを段階的に徐々に滴
下した後、室温で４時間に亙って反応させた。以後、前
記合成例１での方法と同一の方法を行ってナフトキノン
ジアジドスルホン酸塩系の感光剤である第２感光性化合
物（Ｄ−２）６．３ｇを収得した。
【化１０】
【００７２】（合成例９）２，３，４，４′−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン２．５ｇ、１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホニルクロライド６．０ｇ及びア
セトン３００ｍｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌し
てこれらの物質を完全に溶解させた。ここにトリエチル
アミン（ｔｒｉｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）２．５ｇを段
階的に徐々に滴下した後、室温で４時間に亙って反応さ
せた。以後、前記合成例１での方法と同一の方法を行っ
て２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン
のエステル化生成物である第１感光性化合物（Ｅ−１）
５．０ｇを収得した。
ドロキシベンゾフェノン２．５ｇ、１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホニルクロライド６．０ｇ及びア
セトン３００ｍｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌し
てこれらの物質を完全に溶解させた。ここにトリエチル
アミン（ｔｒｉｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）２．５ｇを段
階的に徐々に滴下した後、室温で４時間に亙って反応さ
せた。以後、前記合成例１での方法と同一の方法を行っ
て２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン
のエステル化生成物である第１感光性化合物（Ｅ−１）
５．０ｇを収得した。
【００７３】（合成例１０）２，３，４，４′−テトラ
ヒドロキシベンゾフェノン２．５ｇ、１，２−ナフトキ
ノンジアジド−４−スルホニルクロライド６．０ｇ及び
アセトン３００ｍｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌
してこれらの物質を完全に溶解させた。ここにトリエチ
ルアミン（ｔｒｉｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）２．５ｇを
段階的に徐々に滴下した後、室温で４時間に亙って反応
させた。以後、前記合成例１での方法と同一の方法を行
って２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ンのエステル化生成物である第１感光性化合物（Ｅ−
２）５．３ｇを収得した。
ヒドロキシベンゾフェノン２．５ｇ、１，２−ナフトキ
ノンジアジド−４−スルホニルクロライド６．０ｇ及び
アセトン３００ｍｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌
してこれらの物質を完全に溶解させた。ここにトリエチ
ルアミン（ｔｒｉｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）２．５ｇを
段階的に徐々に滴下した後、室温で４時間に亙って反応
させた。以後、前記合成例１での方法と同一の方法を行
って２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ンのエステル化生成物である第１感光性化合物（Ｅ−
２）５．３ｇを収得した。
【００７４】（比較合成例１）２，３，４−トリヒドロ
キシベンゾフェノン２．３ｇ、１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホニルクロライド６．０ｇ及びアセト
ン３００ｍｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌してこ
れらの物質を完全に溶解させた。ここにトリエチルアミ
ン（ｔｒｉｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）２．５ｇを段階的
に徐々に滴下した後、室温で４時間に亙って反応させ
た。以後、前記合成例１での方法と同一の方法を行って
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンのエステル
化生成物である感光性化合物（Ｆ−１）４．８ｇを収得
した。
キシベンゾフェノン２．３ｇ、１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホニルクロライド６．０ｇ及びアセト
ン３００ｍｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌してこ
れらの物質を完全に溶解させた。ここにトリエチルアミ
ン（ｔｒｉｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）２．５ｇを段階的
に徐々に滴下した後、室温で４時間に亙って反応させ
た。以後、前記合成例１での方法と同一の方法を行って
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンのエステル
化生成物である感光性化合物（Ｆ−１）４．８ｇを収得
した。
【００７５】（比較合成例２）２，３，４−トリヒドロ
キシベンゾフェノン２．３ｇ、１，２−ナフトキノンジ
アジド−４−スルホニルクロライド６．０ｇ及びアセト
ン３００ｍｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌してこ
れらの物質を完全に溶解させた。ここにトリエチルアミ
ン（ｔｒｉｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）２．５ｇを段階的
に徐々に滴下した後、室温で４時間に亙って反応させ
た。以後、前記合成例１での方法と同一の方法を行って
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンのエステル
化生成物である感光性化合物（Ｆ−２）５．０ｇを収得
した。
キシベンゾフェノン２．３ｇ、１，２−ナフトキノンジ
アジド−４−スルホニルクロライド６．０ｇ及びアセト
ン３００ｍｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌してこ
れらの物質を完全に溶解させた。ここにトリエチルアミ
ン（ｔｒｉｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）２．５ｇを段階的
に徐々に滴下した後、室温で４時間に亙って反応させ
た。以後、前記合成例１での方法と同一の方法を行って
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンのエステル
化生成物である感光性化合物（Ｆ−２）５．０ｇを収得
した。
【００７６】（比較合成例３）２，４，４′−トリヒド
ロキシベンゾフェノン２．３ｇ、１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホニルクロライド６．０ｇ及びアセ
トン３００ｍｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌して
これらの物質を完全に溶解させた。ここにトリエチルア
ミン（ｔｒｉｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）２．５ｇを段階
的に徐々に滴下した後、室温で４時間に亙って反応させ
た。以後、前記合成例１での方法と同一の方法を行って
２，４，４′−トリヒドロキシベンゾフェノンのエステ
ル化生成物である感光性化合物（Ｇ−１）５．９８ｇを
収得した。
ロキシベンゾフェノン２．３ｇ、１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホニルクロライド６．０ｇ及びアセ
トン３００ｍｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌して
これらの物質を完全に溶解させた。ここにトリエチルア
ミン（ｔｒｉｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）２．５ｇを段階
的に徐々に滴下した後、室温で４時間に亙って反応させ
た。以後、前記合成例１での方法と同一の方法を行って
２，４，４′−トリヒドロキシベンゾフェノンのエステ
ル化生成物である感光性化合物（Ｇ−１）５．９８ｇを
収得した。
【００７７】（比較合成例４）２，４，４′−トリヒド
ロキシベンゾフェノン２．３ｇ、１，２−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホニルクロライド６．０ｇ及びアセ
トン３００ｍｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌して
これらの物質を完全に溶解させた。ここにトリエチルア
ミン（ｔｒｉｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）２．５ｇを段階
的に徐々に滴下した後、室温で４時間に亙って反応させ
た。以後、前記合成例１での方法と同一の方法を行って
２，４，４′−トリヒドロキシベンゾフェノンのエステ
ル化生成物である感光性化合物（Ｇ−２）５．０ｇを収
得した。
ロキシベンゾフェノン２．３ｇ、１，２−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホニルクロライド６．０ｇ及びアセ
トン３００ｍｌを３口のフラスコの中に入れて攪拌して
これらの物質を完全に溶解させた。ここにトリエチルア
ミン（ｔｒｉｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｅ）２．５ｇを段階
的に徐々に滴下した後、室温で４時間に亙って反応させ
た。以後、前記合成例１での方法と同一の方法を行って
２，４，４′−トリヒドロキシベンゾフェノンのエステ
ル化生成物である感光性化合物（Ｇ−２）５．０ｇを収
得した。
【００７８】（２）ノボラック樹脂の合成 （合成例１１）ｍ−クレゾール５０ｇ、ｐ−クレゾール
４０ｇ、２，３，５−トリメチルフェノール１２ｇで構
成されるフェノール化合物の３原の化合物を通常の方法
に従ってシュウ酸の触媒の存在下でホルムアルデヒドと
縮合反応させてアルカリ可溶性のノボラック樹脂を収得
した。この時、生成されたノボラック樹脂は重量平均分
子量が６，０００（ポリスチレンとして計算）である。
４０ｇ、２，３，５−トリメチルフェノール１２ｇで構
成されるフェノール化合物の３原の化合物を通常の方法
に従ってシュウ酸の触媒の存在下でホルムアルデヒドと
縮合反応させてアルカリ可溶性のノボラック樹脂を収得
した。この時、生成されたノボラック樹脂は重量平均分
子量が６，０００（ポリスチレンとして計算）である。
【００７９】（３）フォトレジスト組成物の製造 （実施例１）合成例１から収得された第２感光性化合物
（Ａ−１）１．２ｇ、合成例９から収得された第１感光
性化合物（Ｅ−１）０．８ｇ及び合成例１１から収得さ
れたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇを、エチルラク
タートとブチルアセテートとを８：２の比率で混合し得
られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得られた溶液を
０．２μｍメンブレンフィルタで濾過してポジティブ作
用性のフォトレジスト組成物を収得した。収得したフォ
トレジスト組成物の固形分の含量は２５％であり、粘度
は２８−３２ｃＰであった。
（Ａ−１）１．２ｇ、合成例９から収得された第１感光
性化合物（Ｅ−１）０．８ｇ及び合成例１１から収得さ
れたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇを、エチルラク
タートとブチルアセテートとを８：２の比率で混合し得
られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得られた溶液を
０．２μｍメンブレンフィルタで濾過してポジティブ作
用性のフォトレジスト組成物を収得した。収得したフォ
トレジスト組成物の固形分の含量は２５％であり、粘度
は２８−３２ｃＰであった。
【００８０】（実施例２）合成例３から収得された第２
感光性化合物（Ｂ−１）１．２ｇ、合成例９から収得さ
れた第１感光性化合物（Ｅ−１）０．８ｇ及び合成例１
１から収得されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇ
を、エチルラクタートとブチルアセテートとを８：２の
比率で混合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得
られた溶液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで濾過し
てポジティブ作用性のフォトレジスト組成物を収得し
た。収得したフォトレジスト組成物の固形分の含量は２
５％であり、粘度は２８−３２ｃＰであった。
感光性化合物（Ｂ−１）１．２ｇ、合成例９から収得さ
れた第１感光性化合物（Ｅ−１）０．８ｇ及び合成例１
１から収得されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇ
を、エチルラクタートとブチルアセテートとを８：２の
比率で混合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得
られた溶液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで濾過し
てポジティブ作用性のフォトレジスト組成物を収得し
た。収得したフォトレジスト組成物の固形分の含量は２
５％であり、粘度は２８−３２ｃＰであった。
【００８１】（実施例３）合成例５から収得された第２
感光性化合物（Ｃ−１）１．２ｇ、合成例９から収得さ
れた第１感光性化合物（Ｅ−１）０．８ｇ及び合成例１
１から収得されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇ
を、エチルラクタートとブチルアセテートとを８：２の
比率で混合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得
られた溶液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで濾過し
てポジティブ作用性のフォトレジスト組成物を収得し
た。収得したフォトレジスト組成物の固形分の含量は２
５％であり、粘度は２８〜３２ｃＰであった。
感光性化合物（Ｃ−１）１．２ｇ、合成例９から収得さ
れた第１感光性化合物（Ｅ−１）０．８ｇ及び合成例１
１から収得されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇ
を、エチルラクタートとブチルアセテートとを８：２の
比率で混合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得
られた溶液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで濾過し
てポジティブ作用性のフォトレジスト組成物を収得し
た。収得したフォトレジスト組成物の固形分の含量は２
５％であり、粘度は２８〜３２ｃＰであった。
【００８２】（実施例４）合成例７から収得された第２
感光性化合物（Ｄ−１）１．２ｇ、合成例９から収得さ
れた第１感光性化合物（Ｅ−１）０．８ｇ及び合成例１
１から収得されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇ
を、エチルラクタートとブチルアセテートとを８：２の
比率で混合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得
られた溶液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで濾過し
てポジティブ作用性のフォトレジスト組成物を収得し
た。収得したフォトレジスト組成物の固形分の含量は２
５％であり、粘度は２８−３２ｃＰであった。
感光性化合物（Ｄ−１）１．２ｇ、合成例９から収得さ
れた第１感光性化合物（Ｅ−１）０．８ｇ及び合成例１
１から収得されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇ
を、エチルラクタートとブチルアセテートとを８：２の
比率で混合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得
られた溶液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで濾過し
てポジティブ作用性のフォトレジスト組成物を収得し
た。収得したフォトレジスト組成物の固形分の含量は２
５％であり、粘度は２８−３２ｃＰであった。
【００８３】（実施例５）合成例２から収得された第２
感光性化合物（Ａ−２）１．２ｇ、合成例９から収得さ
れた第１感光性化合物（Ｅ−１）０．８ｇ及び合成例１
１から収得されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇ
を、エチルラクタートとブチルアセテートとを８：２の
比率で混合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得
られた溶液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで濾過し
てポジティブ作用性のフォトレジスト組成物を収得し
た。収得したフォトレジスト組成物の固形分の含量は２
５％であり、粘度は２８〜３２ｃＰであった。
感光性化合物（Ａ−２）１．２ｇ、合成例９から収得さ
れた第１感光性化合物（Ｅ−１）０．８ｇ及び合成例１
１から収得されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇ
を、エチルラクタートとブチルアセテートとを８：２の
比率で混合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得
られた溶液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで濾過し
てポジティブ作用性のフォトレジスト組成物を収得し
た。収得したフォトレジスト組成物の固形分の含量は２
５％であり、粘度は２８〜３２ｃＰであった。
【００８４】（実施例６）合成例２から収得された第２
感光性化合物（Ａ−２）１．２ｇ、合成例１０から収得
された第１感光性化合物（Ｅ−２）０．８ｇ及び合成例
１１から収得されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇ
を、エチルラクタートとブチルアセテートとを８：２の
比率で混合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得
られた溶液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで濾過し
てポジティブ作用性のフォトレジスト組成物を収得し
た。収得したフォトレジスト組成物の固形分の含量は２
５％であり、粘度は２８〜３２ｃＰであった。
感光性化合物（Ａ−２）１．２ｇ、合成例１０から収得
された第１感光性化合物（Ｅ−２）０．８ｇ及び合成例
１１から収得されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇ
を、エチルラクタートとブチルアセテートとを８：２の
比率で混合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得
られた溶液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで濾過し
てポジティブ作用性のフォトレジスト組成物を収得し
た。収得したフォトレジスト組成物の固形分の含量は２
５％であり、粘度は２８〜３２ｃＰであった。
【００８５】（実施例７）合成例５から収得された第２
感光性化合物（Ｃ−１）１．２ｇ、合成例９から収得さ
れた第１感光性化合物（Ｅ−１）０．８ｇ及び合成例１
１から収得されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇ
を、エチルラクタートとブチルアセテートとを８：２の
比率で混合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得
られた溶液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで濾過し
てポジティブ作用性のフォトレジスト組成物を収得し
た。収得したフォトレジスト組成物の固形分の含量は２
５％であり、粘度は２８〜３２ｃＰであった。
感光性化合物（Ｃ−１）１．２ｇ、合成例９から収得さ
れた第１感光性化合物（Ｅ−１）０．８ｇ及び合成例１
１から収得されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇ
を、エチルラクタートとブチルアセテートとを８：２の
比率で混合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得
られた溶液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで濾過し
てポジティブ作用性のフォトレジスト組成物を収得し
た。収得したフォトレジスト組成物の固形分の含量は２
５％であり、粘度は２８〜３２ｃＰであった。
【００８６】（実施例８）合成例５から収得された第２
感光性化合物（Ｃ−１）１．２ｇ、合成例１０から収得
された第１感光性化合物（Ｅ−２）０．８ｇ及び合成例
１１から収得されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇ
を、エチルラクタートとブチルアセテートとを８：２の
比率で混合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得
られた溶液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで濾過し
てポジティブ作用性のフォトレジスト組成物を収得し
た。収得したフォトレジスト組成物の固形分の含量は２
５％であり、粘度は２８−３２ｃＰであった。
感光性化合物（Ｃ−１）１．２ｇ、合成例１０から収得
された第１感光性化合物（Ｅ−２）０．８ｇ及び合成例
１１から収得されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇ
を、エチルラクタートとブチルアセテートとを８：２の
比率で混合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得
られた溶液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで濾過し
てポジティブ作用性のフォトレジスト組成物を収得し
た。収得したフォトレジスト組成物の固形分の含量は２
５％であり、粘度は２８−３２ｃＰであった。
【００８７】（比較例１）合成例１から収得された第２
感光性化合物（Ａ−１）２．０ｇ、合成例１１から収得
されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇを、エチルラ
クタートとブチルアセテートとを９５：５の比率で混合
し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得られた溶液
を０．２ μｍ メンブレンフィルタで濾過してポジティ
ブ作用性のフォトレジスト組成物を収得した。収得した
フォトレジスト組成物の固形分の含量は２５％であり、
粘度は２８〜３２ｃＰであった。
感光性化合物（Ａ−１）２．０ｇ、合成例１１から収得
されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇを、エチルラ
クタートとブチルアセテートとを９５：５の比率で混合
し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得られた溶液
を０．２ μｍ メンブレンフィルタで濾過してポジティ
ブ作用性のフォトレジスト組成物を収得した。収得した
フォトレジスト組成物の固形分の含量は２５％であり、
粘度は２８〜３２ｃＰであった。
【００８８】（比較例２）合成例２から収得された第２
感光性化合物（Ａ−２）２．０ｇ、合成例１１から収得
されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇを、エチルラ
クタートとブチルアセテートとを３０：７０の比率で混
合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得られた溶
液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで濾過してポジテ
ィブ作用性のフォトレジスト組成物を収得した。収得し
たフォトレジスト組成物の固形分の含量は２５％であ
り、粘度は２８〜３２ｃＰであった。
感光性化合物（Ａ−２）２．０ｇ、合成例１１から収得
されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇを、エチルラ
クタートとブチルアセテートとを３０：７０の比率で混
合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得られた溶
液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで濾過してポジテ
ィブ作用性のフォトレジスト組成物を収得した。収得し
たフォトレジスト組成物の固形分の含量は２５％であ
り、粘度は２８〜３２ｃＰであった。
【００８９】（比較例３）合成例９から収得された第２
感光性化合物（Ｅ−１）２．０ｇ、合成例１１から収得
されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇを、エチルラ
クタートとブチルアセテートとを３０：７０の比率で混
合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得られた溶
液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで濾過してポジテ
ィブ作用性のフォトレジスト組成物を収得した。収得し
たフォトレジスト組成物の固形分の含量は２５％であ
り、粘度は２８〜３２ｃＰであった。
感光性化合物（Ｅ−１）２．０ｇ、合成例１１から収得
されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇを、エチルラ
クタートとブチルアセテートとを３０：７０の比率で混
合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得られた溶
液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで濾過してポジテ
ィブ作用性のフォトレジスト組成物を収得した。収得し
たフォトレジスト組成物の固形分の含量は２５％であ
り、粘度は２８〜３２ｃＰであった。
【００９０】（比較例４）合成例９から収得された第２
感光性化合物（Ｅ−１）１．２ｇ、比較合成例１から収
得された感光剤（Ｆ−１）０．６ｇ及び合成例１１から
収得されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇを、エチ
ルラクタートとブチルアセテートとを３０：７０の比率
で混合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得られ
た溶液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで濾過してポ
ジティブ作用性のフォトレジスト組成物を収得した。収
得したフォトレジスト組成物の固形分の含量は２５％で
あり、粘度は２８〜３２ｃＰであった。
感光性化合物（Ｅ−１）１．２ｇ、比較合成例１から収
得された感光剤（Ｆ−１）０．６ｇ及び合成例１１から
収得されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇを、エチ
ルラクタートとブチルアセテートとを３０：７０の比率
で混合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得られ
た溶液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで濾過してポ
ジティブ作用性のフォトレジスト組成物を収得した。収
得したフォトレジスト組成物の固形分の含量は２５％で
あり、粘度は２８〜３２ｃＰであった。
【００９１】（比較例５）合成例９から収得された第１
感光性化合物（Ｅ−１）１．２ｇ、比較合成例３から収
得された感光剤（Ｇ−１）０．６ｇ及び合成例１１から
収得されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇを、エチ
ルラクタートとブチルアセテートとを２０：８０の比率
で混合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得られ
た溶液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで濾過してポ
ジティブ作用性のフォトレジスト組成物を収得した。収
得したフォトレジスト組成物の固形分の含量は２５％で
あり、粘度は２８−３２ｃＰであった。
感光性化合物（Ｅ−１）１．２ｇ、比較合成例３から収
得された感光剤（Ｇ−１）０．６ｇ及び合成例１１から
収得されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇを、エチ
ルラクタートとブチルアセテートとを２０：８０の比率
で混合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させた。得られ
た溶液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで濾過してポ
ジティブ作用性のフォトレジスト組成物を収得した。収
得したフォトレジスト組成物の固形分の含量は２５％で
あり、粘度は２８−３２ｃＰであった。
【００９２】（比較例６）合成例１から収得された第２
感光性化合物（Ａ−１）０．２ｇ、合成例９から収得さ
れた第１感光性化合物（Ｅ−１）１．８ｇ及び合成例１
１から収得されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇ
を、エチルラクタートとブチルアセテートとを２０：８
０の比率で混合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させ
た。得られた溶液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで
濾過してポジティブ作用性のフォトレジスト組成物を収
得した。収得したフォトレジスト組成物の固形分の含量
は２５％であり、粘度は２８〜３２ｃＰであった。
感光性化合物（Ａ−１）０．２ｇ、合成例９から収得さ
れた第１感光性化合物（Ｅ−１）１．８ｇ及び合成例１
１から収得されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇ
を、エチルラクタートとブチルアセテートとを２０：８
０の比率で混合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させ
た。得られた溶液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで
濾過してポジティブ作用性のフォトレジスト組成物を収
得した。収得したフォトレジスト組成物の固形分の含量
は２５％であり、粘度は２８〜３２ｃＰであった。
【００９３】（比較例７）合成例１から収得された第２
感光性化合物（Ａ−１）１．８ｇ、合成例９から収得さ
れた第１感光性化合物（Ｅ−１）０．２ｇ及び合成例１
５から収得されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇ
を、エチルラクタートとブチルアセテートとを２０：８
０の比率で混合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させ
た。得られた溶液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで
濾過してポジティブ作用性のフォトレジスト組成物を収
得した。収得したフォトレジスト組成物の固形分の含量
は２５％であり、粘度は２８〜３２ｃＰであった。
感光性化合物（Ａ−１）１．８ｇ、合成例９から収得さ
れた第１感光性化合物（Ｅ−１）０．２ｇ及び合成例１
５から収得されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂８ｇ
を、エチルラクタートとブチルアセテートとを２０：８
０の比率で混合し得られる混合溶媒３０ｇで溶解させ
た。得られた溶液を０．２ μｍ メンブレンフィルタで
濾過してポジティブ作用性のフォトレジスト組成物を収
得した。収得したフォトレジスト組成物の固形分の含量
は２５％であり、粘度は２８〜３２ｃＰであった。
【００９４】（４）ポジティブ作用性のフォトレジスト
組成物の評価前記した実施例１−８及び比較例１−７か
ら得られた各フォトレジスト組成物の評価の為に先ず、
各組成物を使用して次のようにウェハー上にパターンを
形成した。
組成物の評価前記した実施例１−８及び比較例１−７か
ら得られた各フォトレジスト組成物の評価の為に先ず、
各組成物を使用して次のようにウェハー上にパターンを
形成した。
【００９５】図１（ａ）ないし図１（ｃ）は前記フォト
レジストを使用してパターンを形成するための工程を示
した概略断面図である。図１（ａ）を参照すると、前記
実施例１−８及び比較例１−７から収得したフォトレジ
スト組成物をスピンコータで９００乃至４０００のＲＰ
Ｍ速度で、シリコンウェハー１０の上部に被服させフォ
トレジスト膜１２を収得した。次に、前記フォトレジス
ト膜１２を９０℃温度のホットプレート（ｈｏｔ ｐｌ
ａｔｅ）で６０秒に亙ってベーキングした。収得したフ
ォトレジスト膜１２の厚さは１．３ μｍ であった。
レジストを使用してパターンを形成するための工程を示
した概略断面図である。図１（ａ）を参照すると、前記
実施例１−８及び比較例１−７から収得したフォトレジ
スト組成物をスピンコータで９００乃至４０００のＲＰ
Ｍ速度で、シリコンウェハー１０の上部に被服させフォ
トレジスト膜１２を収得した。次に、前記フォトレジス
ト膜１２を９０℃温度のホットプレート（ｈｏｔ ｐｌ
ａｔｅ）で６０秒に亙ってベーキングした。収得したフ
ォトレジスト膜１２の厚さは１．３ μｍ であった。
【００９６】図１（ｂ）を参照すると、前記フォトレジ
スト膜１２をＩ−ライン波長（３６５ｎｍ）用のステッ
パ（ｓｔｅｐｐｅｒ）とフォトマスク（示されない）と
を使用してＩライン１４で選択的に露光させた後、１１
０℃温度のホットプレートで６０秒に亙ってベーキング
した。
スト膜１２をＩ−ライン波長（３６５ｎｍ）用のステッ
パ（ｓｔｅｐｐｅｒ）とフォトマスク（示されない）と
を使用してＩライン１４で選択的に露光させた後、１１
０℃温度のホットプレートで６０秒に亙ってベーキング
した。
【００９７】図１（ｃ）を参照すると、２．３８％水酸
化テトラメチルアンモニウム水溶液を使用して１分間現
像し、水で３０秒間洗浄した後、乾燥して露光された部
分を除去して、示したようなシリコンウェハー１０の表
面の一部を露出させる開口部１６を有するフォトレジス
トパターン１２ａを収得した。
化テトラメチルアンモニウム水溶液を使用して１分間現
像し、水で３０秒間洗浄した後、乾燥して露光された部
分を除去して、示したようなシリコンウェハー１０の表
面の一部を露出させる開口部１６を有するフォトレジス
トパターン１２ａを収得した。
【００９８】このように得られたウェハーフォトレジス
トパターンを走査電子顕微鏡で観察しフォトレジストパ
ターン１２ａを評価した。評価の結果を下記の表１に示
す。
トパターンを走査電子顕微鏡で観察しフォトレジストパ
ターン１２ａを評価した。評価の結果を下記の表１に示
す。
【表１】
【００９９】前記表１で相対感度は比較例３の敷居エネ
ルギー（ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｅｎｅｒｇｙ：Ｅｔｈ）
を１．０にした時の相対値を示した。
ルギー（ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｅｎｅｒｇｙ：Ｅｔｈ）
を１．０にした時の相対値を示した。
【０１００】残膜率（％）は現像する前の光に露出され
ない領域での皮膜に対する現像を行った後、光に露出さ
れない領域での皮膜の比率をパーセントで示したことで
ある。
ない領域での皮膜に対する現像を行った後、光に露出さ
れない領域での皮膜の比率をパーセントで示したことで
ある。
【０１０１】レジスト膜の形態(パターンプロファイル)
は０．６ μｍ パターンの断面でウェハーの平面に対し
てレジスト膜が有する角度で示した。
は０．６ μｍ パターンの断面でウェハーの平面に対し
てレジスト膜が有する角度で示した。
【０１０２】耐熱性はシリコンウェハーの上に形成され
た１００ μｍ レジスト膜のパターンをホットプレート
で５分に亙ってベーキングした後、変形されない温度で
示した。
た１００ μｍ レジスト膜のパターンをホットプレート
で５分に亙ってベーキングした後、変形されない温度で
示した。
【０１０３】溶液安定性はポジティブ作用性フォトレジ
スト組成物を３０℃で１２０日間保管した後、組成物の
変性(感度の変化、沈殿)の程度で示したことである。前
記表１の溶液安定性のテストで、○は良好、△は普通、
×は不良を意味する。
スト組成物を３０℃で１２０日間保管した後、組成物の
変性(感度の変化、沈殿)の程度で示したことである。前
記表１の溶液安定性のテストで、○は良好、△は普通、
×は不良を意味する。
【０１０４】表１より実施例１乃至８によるフォトレジ
スト組成物を使用し形成したパターンはレジスト膜の形
態が８５度以上の優れたプロファイルを有することが分
かった。これに比べて、第１感光性化合物のみを使用し
た比較例３及び第２感光性化合物のみを使用した比較例
１及び２の場合にはレジスト膜の形態、耐熱性の面で実
施例１乃至８に比べて劣り、溶液の安定性が良くなかっ
た。
スト組成物を使用し形成したパターンはレジスト膜の形
態が８５度以上の優れたプロファイルを有することが分
かった。これに比べて、第１感光性化合物のみを使用し
た比較例３及び第２感光性化合物のみを使用した比較例
１及び２の場合にはレジスト膜の形態、耐熱性の面で実
施例１乃至８に比べて劣り、溶液の安定性が良くなかっ
た。
【０１０５】比較例４及び５のように第１感光性化合物
と従来の他種類の感光性化合物とを混合した場合にはレ
ジスト膜のプロファイルが良くなく、耐熱性と溶液の安
定性とも十分ではなかった。
と従来の他種類の感光性化合物とを混合した場合にはレ
ジスト膜のプロファイルが良くなく、耐熱性と溶液の安
定性とも十分ではなかった。
【０１０６】一方、第１感光性化合物の比率が高過ぎる
比較例６の場合には相対感度と残膜率、パターンプロフ
ァイル、耐熱性及び溶液の安定性が良くなかった。第２
感光性化合物の比率が高過ぎる比較例７の場合、相対感
度は良かったが、耐熱性が劣り、溶液の安定性は普通で
あった。
比較例６の場合には相対感度と残膜率、パターンプロフ
ァイル、耐熱性及び溶液の安定性が良くなかった。第２
感光性化合物の比率が高過ぎる比較例７の場合、相対感
度は良かったが、耐熱性が劣り、溶液の安定性は普通で
あった。
【０１０７】従って、実施例１乃至８によるフォトレジ
スト組成物を使用し形成したパターンは比較例１乃至７
によるフォトレジスト組成物を使用し形成したパターン
よりもっと優れ、残膜率、耐熱性及び溶液の安定性の面
でもより優れることが分かる。
スト組成物を使用し形成したパターンは比較例１乃至７
によるフォトレジスト組成物を使用し形成したパターン
よりもっと優れ、残膜率、耐熱性及び溶液の安定性の面
でもより優れることが分かる。
【０１０８】前記フォトレジスト膜の厚さは１．３ μ
ｍ で形成したが、本発明者達の実験の結果、実際に現
場で適用される１５０００乃至３３０００Åの厚さを有
するフォトレジスト膜を形成する場合においても、上述
したように優れたプロファイルを有するフォトレジスト
パターンが得ることが出来た。
ｍ で形成したが、本発明者達の実験の結果、実際に現
場で適用される１５０００乃至３３０００Åの厚さを有
するフォトレジスト膜を形成する場合においても、上述
したように優れたプロファイルを有するフォトレジスト
パターンが得ることが出来た。
【０１０９】
【発明の効果】以上のように本発明によるフォトレジス
ト組成物は感度と解像度とが優れ、耐熱性と溶液の安定
性とも優れる。従って、得られるパターンのプロファイ
ルが優れ、他のフォトレジスト組成物に比べて長期間に
亙って安定に保管することが可能である。又、汎用性に
おいて、Ｇ−ライン波長の光源とＩ−ライン波長の光源
との両方を露光用の光源として使用することが出来るの
で、必要によって光源が選択することが出来る。従っ
て、本発明の組成物を使用して半導体パターンを製造す
ると、生産の状況に併せて選択的に露光用の光源が使用
することが出来るので、既存の設備を交替しなくても良
く、量産性が非常に高い。
ト組成物は感度と解像度とが優れ、耐熱性と溶液の安定
性とも優れる。従って、得られるパターンのプロファイ
ルが優れ、他のフォトレジスト組成物に比べて長期間に
亙って安定に保管することが可能である。又、汎用性に
おいて、Ｇ−ライン波長の光源とＩ−ライン波長の光源
との両方を露光用の光源として使用することが出来るの
で、必要によって光源が選択することが出来る。従っ
て、本発明の組成物を使用して半導体パターンを製造す
ると、生産の状況に併せて選択的に露光用の光源が使用
することが出来るので、既存の設備を交替しなくても良
く、量産性が非常に高い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるフォトレジスト組成物を使用し半
導体パターンを形成する方法を示す模式的な断面図であ
る。
導体パターンを形成する方法を示す模式的な断面図であ
る。
１０ シリコンウェハー １２ フォトレジスト膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 全 相文 大韓民国京畿道城南市盆唐区九美洞エルジ ーアパート205−1802 (72)発明者 李 富燮 大韓民国仁川市西区佳佐洞472−２
Claims (20)
- 【請求項１】 構造式（１）で表される第１感光性化合
物３０〜７０重量部と、構造式（２ａ）又は（２ｂ）で
表される第２感光性化合物７０〜３０重量部とを混合し
て得られる感光剤、樹脂及び溶媒を有することを特徴と
するフォトレジスト組成物。 【化１】 【化２】 【化３】 （前記構造式（１）で、Ｒ1とＲ2とは同一又は異なり、
各々水素原子、１，２−ナフトキノンジアジド−４−ス
ルホニルグループ、１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホニルグループ又は１，２−ナフトキノンジアジ
ド−６−スルホニルグループを表し、同時に水素原子を
とらず、ｎ1とｎ2とは各々０、１、２又は３であり、同
時に０ではなく、前記構造式（２ａ）及び（２ｂ）でＲ
3、Ｒ4及びＲ5は同一又は異なり、各々水素原子、１，
２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルグループ、
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルグルー
プ又は１，２−ナフトキノンジアジド−６−スルホニル
グループを表し、同時に水素原子をとらず、Ｘ1a、
Ｘ1b、Ｘ1c、Ｘ1d、Ｘ2a、Ｘ2b及びＸ2cは同一又は異な
り、水素原子またはアルキルグループを表し、ｎ3は１
又は２を表す。） - 【請求項２】 前記構造式（１）で表される第１感光性
化合物が２，３，４，４'−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン
酸塩、２，３，４，４'−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノンの１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
塩または２，３，４，４'−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−６−スルホン
酸塩からなる群から選ばれたいずれか１つの化合物であ
ることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト組
成物。 - 【請求項３】 前記構造式（２ａ）又は（２ｂ）で表さ
れる第２感光性化合物が３−４個のモノヒドロキシアル
キルベンゼン環で構成される非ベンゾフェノンの１，２
−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸塩、非ベンゾ
フェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸塩または非ベンゾフェノンの１，２−ナフトキノン
ジアジド−６−スルホン酸塩からなる群から選ばれたい
ずれか１つの化合物であることを特徴とする請求項１に
記載のフォトレジスト組成物。 - 【請求項４】 前記樹脂はノボラック樹脂であることを
特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト組成物。 - 【請求項５】 前記ノボラック樹脂はフェノール類とア
ルデヒドとを酸触媒下で縮合反応させて収得し、ポリス
チレン換算平均分子量が１０００乃至２００００である
ことを特徴とする請求項４に記載のフォトレジスト組成
物。 - 【請求項６】 前記ノボラック樹脂はｍ−クレゾール、
ｐ−クレゾール、２，３，５−トリメチルフェノールで
構成されたフェノール化合物とホルムアルデヒドとをシ
ュウ酸の存在下で縮合反応させて収得し、ポリスチレン
換算平均分子量が５０００乃至７０００であることを特
徴とする請求項５に記載のフォトレジスト組成物。 - 【請求項７】 前記溶媒がエチルラクタート、ブチルア
セテートからなる群から選ばれ、エチルラクタートとブ
チルアセテートとを８０：２０〜３０：７０の重量比で
混合して得られる混合溶媒であることを特徴とする請求
項１に記載のフォトレジスト組成物。 - 【請求項８】 前記フォトレジスト組成物内の固体含量
が前記組成物の総量１００重量部に対して２０〜８０重
量部であることを特徴とする請求項１に記載のフォトレ
ジスト組成物。 - 【請求項９】 前記第１及び第２感光性化合物の総使用
量は前記樹脂１００重量部に対して１０〜１００重量部
であることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジス
ト組成物。 - 【請求項１０】 前記構造式（１）の第１感光性化合物
はエステル化の比率が４０〜１００％であり、前記構造
式（２ａ）又は（２ｂ）の第２感光性化合物はエステル
化の比率が２０〜９０％であることを特徴とする請求項
１に記載のフォトレジスト組成物。 - 【請求項１１】 粘度が２０〜３２ｃＰであることを特
徴とする請求項１に記載のフォトレジスト組成物。 - 【請求項１２】 ｉ）構造式（１'）で表されるポリオ
ル化合物と、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スル
ホニルクロライド、１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホニルクロライド、又は１，２−ナフトキノンジ
アジド−６−スルホニルクロライドとをエステル化反応
させて、構造式（１）で表される第１感光性化合物を収
得する段階と、 ｉｉ）構造式（２ａ'）または（２ｂ'）で表されるポリ
オル化合物と、１，２−ナフトキノンジアジド−４−ス
ルホニルクロライド、１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホニルクロライド、又は１，２−ナフトキノン
ジアジド−６−スルホニルクロライドとをエステル化反
応させて、構造式（２ａ）または（２ｂ）で表される第
２感光性化合物を収得する段階と、 ｉｉｉ）前記第１感光性化合物の３０〜７０重量部及び
前記第２感光性化合物の７０〜３０重量部で混合し構成
された感光剤及び樹脂を溶媒に溶解させる段階と、 を含むことを特徴とするフォトレジスト組成物の製造方
法。 【化１】 【化４】 【化２】 【化５】 【化３】 【化６】 （前記構造式（１）及び（１'）で、Ｒ1とＲ2とは同一
又は異なり、各々水素原子、１，２−ナフトキノンジア
ジド−４−スルホニルグループ、１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホニルグループ又は１，２−ナフト
キノンジアジド−６−スルホニルグループを表し、同時
に水素原子をとらず、ｎ1とｎ2とは各々０、１、２又は
３であり、同時に０ではなく、前記構造式（２ａ）、
（２ａ'）及び（２ｂ）（２ｂ'）でＲ3、Ｒ4及びＲ5は
同一又は異なり、各々水素原子、１，２−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホニルグループ、１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホニルグループ又は１，２−ナ
フトキノンジアジド−６−スルホニルグループを表し、
同時に水素原子をとらず、Ｘ1a、Ｘ1b、Ｘ1c、Ｘ1d、Ｘ
2a、Ｘ2b及びＸ2cは同一又は異なり、水素原子またはア
ルキルグループを表し、ｎ3は１又は２を表す。） - 【請求項１３】 前記段階ｉ）及びｉｉ）のエステル化
の反応はジオキサン類、エーテル類及びケトン類からな
る群から選ばれた１つ又は２つ以上の混合物で構成され
たエステル化の溶媒中で行われることを特徴とする請求
項１２に記載のフォトレジスト組成物の製造方法。 - 【請求項１４】 前記エステル化の溶媒の重量は、前記
構造式（１'）で表されるポリオル化合物または構造式
（２ａ'）又は（２ｂ'）で表されるポリオル化合物と、
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルクロラ
イド、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル
クロライド、又は１，２−ナフトキノンジアジド−６−
スルホニルクロライドとの総重量の２〜６倍であること
を特徴とする請求項１３に記載のフォトレジスト組成物
の製造方法。 - 【請求項１５】 前記段階ｉ）及びｉｉ）のエステル化
の反応は塩基としてトリメチルアミン、トリエチルアミ
ン、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリ
ン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン及びピリジンからなる群
から選ばれた少なくとも１つのアミンの存在下で行われ
ることを特徴とする請求項１２に記載のフォトレジスト
組成物の製造方法。 - 【請求項１６】 前記段階ｉ）及びｉｉ）のエステル化
の反応で使用される塩基の量は１，２−ナフトキノンジ
アジド−４−スルホニルクロライド、１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホニルクロライド、又は１，２
−ナフトキノンジアジド−６−スルホニルクロライドの
量の１〜５モル比で使用されることを特徴とする請求項
１５に記載のフォトレジスト組成物の製造方法。 - 【請求項１７】 前記樹脂はｍ−クレゾール、ｐ−クレ
ゾール、２，３，５−トリメチルフェノールからなるフ
ェノール化合物をホルムアルデヒドと縮合反応させ製造
したノボラック樹脂であることを特徴とする請求項１２
に記載のフォトレジスト組成物の製造方法。 - 【請求項１８】 構造式（１）で表される第１感光性化
合物の３０〜７０重量部及び構造式（２ａ）または（２
ｂ）で表れる第２感光性化合物の７０〜３０重量部を混
合し得られる感光剤、樹脂と溶媒とを有するフォトレジ
スト組成物を基板上に塗布しフォトレジスト膜を形成す
る段階と、 前記フォトレジスト膜を光源を使用し選択的に露光する
段階と、 前記露光されたフォトレジスト膜を現像しフォトレジス
トパターンを形成する段階と、 を含むことを特徴とする半導体パターンの形成方法。 【化１】 【化２】 【化３】 （前記構造式（１）で、Ｒ1とＲ2とは同一又は異なり、
各々水素原子、１，２−ナフトキノンジアジド−４−ス
ルホニルグループ、１，２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホニルグループ又は１，２−ナフトキノンジアジ
ド−６−スルホニルグループを表し、同時に水素原子を
とらず、ｎ1とｎ2とは各々０、１、２又は３であり、同
時に０ではなく、前記構造式（２ａ）及び（２ｂ）でＲ
3、Ｒ4及びＲ5は同一又は異なってもよく、各々水素原
子、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルグ
ループ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニ
ルグループ又は１，２−ナフトキノンジアジド−６−ス
ルホニルグループを表し、同時に水素原子をとらず、Ｘ
1a、Ｘ1b、Ｘ1c、Ｘ1d、Ｘ2a、Ｘ2b及びＸ2cは同一又は
異なり、水素原子またはアルキルグループを表し、ｎ3
は１又は２を表す。） - 【請求項１９】 前記光源が３６５ｎｍ以下の波長を有
する光源であることを特徴とする請求項１８に記載の半
導体パターンの形成方法。 - 【請求項２０】 前記組成物の粘度が２８〜３２ｃＰで
あり、前記基板の回転速度が９００〜４０００ＲＰＭで
あり、形成されたフォトレジスト膜の厚さが１５０００
〜３３０００Åであることを特徴とする請求項１８に記
載の半導体パターンの形成方法。
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|---|---|---|---|
| KR19990011058 | 1999-03-30 | ||
| KR1999P11058 | 1999-09-30 | ||
| KR1999P41936 | 1999-09-30 | ||
| KR1019990041936A KR100323831B1 (ko) | 1999-03-30 | 1999-09-30 | 포토레지스트 조성물, 이의 제조 방법 및 이를 사용한 패턴의 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP3660195B2 JP3660195B2 (ja) | 2005-06-15 |
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|---|---|---|---|
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-
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-
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