KR100846084B1 - 포지티브 포토레지스트 조성물 - Google Patents

포지티브 포토레지스트 조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 하기 화학식 1의 화합물을 포함하는 감도 및 초점 심도가 개선된 포지티브 포토레지스트 조성물을 제공한다:
[화학식 1]
Figure 112007092584593-pat00021
(상기 식에서, R1 ~ R6은 각각 동일하거나 다르며 수소 원자, 알킬기 또는 알콕시기를 나타내고; l ~ w는 0, 1, 2 또는 3인 정수이고, 이때 l, m, n, o, p, q, r, s, t, u, v 및 w는 동시에 0이 아니며, 또한 l과 r, m과 s, w와 q, v와 p, o와 u, 및 t와 n이 동시에 3이 아니고; R7 ~ R12 는 수소 원자 또는 1,2-퀴논디아지드 화합물 치환기를 포함하며, 단 R7 ∼R12 중 적어도 하나는 1,2-퀴논디아지드 화합물 치환기를 포함한다)
감광성 화합물, 퀴논디아지드 화합물, 포토레지스트 조성물.

Description

포지티브 포토레지스트 조성물{POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION}
도 1은 실시예 1 내지 3 및 비교예 2에서 얻어진 패턴형상(A) 및 비교예 1에서 얻어진 패턴형상(B)을 도시한다.
본 발명은 포지티브 포토레지스트 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 감도가 뛰어나며 동시에 해상도와 포커스 허용성, 현상성 및 패턴 형상이 우수한 감광성 수지 조성물을 포함하는 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 감광성 수지 조성물은 현상성이 뛰어나며 양호한 패턴 형상을 얻을 수 있으며 고감도, 고해상도, 양호한 초점심도 허용성을 갖는다. 본 발명의 감광성 수지조성물은 고집적도의 집적회로 제작용 포토레지스트로 사용할 수 있다.
집적회로의 고집적화에 따라 보다 해상도가 높은 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 포지티브형 포토 레지스트 개발이 강력히 추진되고 있다.
이러한 미세가공에 있어서는 스테퍼(stepper)를 사용하여 포지티브 레지스트에 소정의 마스크 패턴을 조사하여 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고 그 해상도를 향상하는 수단으로 스테퍼의 개구수 (NA)를 크게 하는 방법이 있다. 그리고 일반적으로 스테퍼의 초점 심도(DOF)와 개구수와의 관계는 다음 식으로 나타낸다:
Figure 112001001016867-pat00002
Figure 112001001016867-pat00003
r: 해상력
k1,2: 포토레지스트 공정조건에 따른 실험상수,
λ: 파장
NA : 개구수
DOF : 감도
따라서 이 식에서 보듯이 개구수를 크게 하면 초점심도가 현저하게 작게 된다. 따라서 개구수가 큰 스테퍼를 사용하기 위해서는 포커스 허용성이 뛰어난 포지티브 레지스트가 필요로 하게 되었다.
그러나 종래의 포지티브 레지스트로는 해상 한계에 가까운 곳에서 실용에 사용되어지고 있기 때문에 감도가 저하, 패턴 형상도 악화되어 버린다. 또한 초점이 어긋나면 패턴의 변형이나 설계 선폭과의 차, 현상성의 저하되어 포커스 허용성이 충분하지 않다.
따라서, 감도가 뛰어나며 포커스 허용성과 해상도가 우수한 감광성 수지 조성물이 요구되어 지고 있다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하고자 안출된 것으로서, 본 발명자들은 특정 감광성 수지 조성물을 사용하면 감도가 뛰어나며 동시에 해상도와 포커스 허용성, 현상성 및 패턴 형상이 우수한 포지티브 포토레지스트 조성물을 얻을 수 있음을 발견하고 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
따라서, 본 발명은 감도가 뛰어나며 포커스 허용성과 해상도가 우수한 포토레지스트 조성물을 제공함을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은
a) 알칼리 가용성 수지; 및
b) 하기 화학식 1로 표시되는 감광성 화합물:
[화학식 1]
Figure 112001001016867-pat00022
(상기 식에서,
R1 ~ R6은 각각 동일하거나 다르며 수소 원자, 알킬기 또는 알콕시기를 나타내고; l ~ w는 0, 1, 2 또는 3인 정수이고, 이때 l, m, n, o, p, q, r, s, t, u, v 및 w는 동시에 0이 아니며, 또한 l과 r, m과 s, w와 q, v와 p, o와 u, 및 t와 n이 동시에 3이 아니고; R7 ~ R12 는 수소 원자 또는 1,2-퀴논디아지드 화합물 치환기를 포함하며, 단 R7 ∼R12 중 적어도 하나는 1,2-퀴논디아지드 화합물 치환기를 포함한다)
을 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 포토 레지스트 조성물을 제공한다.
A) 알칼리 가용성 수지
본 발명에 쓰이는 알칼리 가용성 수지로서는 노볼락 수지가 바람직하며 이는 페놀류와 알데히드류를 축합함으로써 얻어진다.
예컨대 페놀류로서는 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 2,3-키시레놀, 2,5-키시레놀, 3,4-키시레놀, 3,5-키시레놀, 2,3,5-트리메틸페놀-키시레 놀등을 사용하며 단독 혹은 2종 이상 혼합 사용할 수 있다.
또한 위의 페놀류와 축합시키는 알데히드류로서는 예컨대 포름알데히드, 트리옥산, 파라포름알데히드, 벤즈알데히드, 아세트알데히드, 프로필알데히드, 페닐아세트알데히드, α 또는 β- 페닐 프로필알데히드, o 또는 m 또는 p-히드록시벤즈알데히드 등을 들 수 있다. 알데히드 사용량은 페놀류 1 mol에 대하여 0.7 ~ 3 mol이 적당하다.
페놀류와 알데히드류와의 축합 반응에는 일반적으로 산성 촉매가 사용된다. 이 산성 촉매로는 예컨대 산, 초산, 황산, 옥살산, p-톨루엔술폰산등을 들 수 있다. 이 산성 촉매의 사용량은 일반적으로 페놀류 1 mol에 대하여 1 ×10-5 ~ 5 ×10-1mol이 적당하다.
일반적으로 반응 용매로는 물이 사용되지만 반응 초기 불균일계가 되는 경우에는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 프로필렌 글리콜모노메틸에테르 등의 알콜류, 테트라히드로푸란, 다이옥산 등의 환상 에테르류, 메틸에틸케톤,메틸이소부틸케톤, 2-헵탄온 등의 케톤류을 사용하여도 좋다. 상기 반응 용매는 반응 원료 100 중량부에 대해 20 ~ 10,000 중량부의 양으로 사용하며, 축합반응시 반응 온도는 원료의 반응성에 의해서 조절할 수 있지만 일반적으로 10 ~ 200 ℃가 바람직하다. 축합 반응이 종료된 후에 잔류해 있는 반응원료와 산성촉매, 반응 용매 등을 제거하기 위해 130 ~ 230℃까지 상승시켜 감압하에 제거하여 노볼락 수지를 얻는다.
또한, 본 발명에 사용하는 노볼락 수지의 중량평균분자량은 2,000 ~ 20,000인 것이 적당하며 특히 3,000 ~ 15,000인 것이 좋다.
또한 고분자량의 노볼락 수지를 얻기 위해 에틸렌글리콜메틸아세테이트, 3-메톡시프로피온산메틸, 메틸이소부틸케톤, 2-헵탄온, 다이옥산, 메탄올, 초산에틸 등의 양용매에 용해한 후 n-헥산, n-헵탄등의 빈용매를 혼합하여 석출된 수지 용액층을 분리하여 고분자량의 노볼락 수지를 얻어 사용하면 좋다.
B) 감광성 화합물
본 발명에 사용되는 감광성 화합물 (B)성분은 화학식 1로 나타내어지는 퀴논 디아지드 화합물이다.
Figure 112001001016867-pat00023
(상기 식에서,
R1 ~ R6은 각각 동일하거나 다르며 수소 원자, 알킬기 또는 알콕시기를 나타내고; l ~ w는 0, 1, 2 또는 3인 정수이고, 이때 l, m, n, o, p, q, r, s, t, u, v 및 w는 동시에 0이 아니며, 또한 l과 r, m과 s, w와 q, v와 p, o와 u, 및 t와 n이 동시에 3이 아니고; R7 ~ R12 는 수소 원자 또는 1,2-퀴논디아지드 화합물 치환기를 포함하며, 단 R7 ∼R12 중 적어도 하나는 1,2-퀴논디아지드 화합물 치환기를 포함한다)
본 발명에 사용되는 1,2-퀴논디아지드화합물로는 1,2-퀴논디아지드 4-슬폰산 에스터, 1,2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스터등의 1,2-퀴논디아지드 화합물을 들 수 있다. 이러한 퀴논디아지드화합물은 나프토퀴논디아지드술폰산할로겐 화합물과 페놀 화합물을 약염기하에 반응시켜 얻어진다. 여기서 페놀 화합물로서는 2,3,4-트리히드록시벤조페논, 2,3,4,4-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,2,4-펜타히드록시벤조페논, 트리스 4-히드록시 페닐 메탄, 1,3,5-트리스 4- 히드록시 a-디메틸벤질벤젠, 1,1-비스 4-히드록시페닐-1-4-1-4-히드록시페닐 1-메틸에칠 페닐 에탄, 2-(3,4-디히드록시페닐)-2-(4-히드록시페닐)프로판 등의 화합물을 들 수 있다.
본 발명에서 감광성 화합물로서 사용되는 화학식 1의 퀴논디아지드 화합물은 화학식 1에서 R7 ~ R12가 전부 수소 원자인 경우의 화합물과 1,2-퀴논디아지드 4-술폰산 에스터, 1,2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스터등의 1,2-퀴논디아지드 등의 1,2-퀴논디아지드화합물을 염기 촉매 하에서 반응시켜 얻어진다.
상기 R7 ~ R12가 전부 수소 원자인 경우의 화합물의 구체적인 예로서는 아래의 화학식 2와 화학식 3의 화합물을 들 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112001001016867-pat00006
[화학식 3]
Figure 112001001016867-pat00007
상기 b)1,2-퀴논디아지드화합물의 배합량은 a)수지 100 중량부에 대하여 50 중량부 이하가 적당하다.
본 발명의 조성물에는 필요에 따라 증감제, 계면활성제 등의 각종 배합제를 배합할 수 있다.
증감제로서는 노볼락 수지의 알칼리 가용성을 촉진하기 위해 저분자량의 페놀 화합물을 첨가할 수 있다. 이런 페놀 화합물의 평균분자량은 300~4,000인 것이 적당하다. 예컨대 하기의 화학식 4 내지 6의 화합물, 및 화학식 10으로 표현되는 화합물을 들 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112001001016867-pat00008

[화학식 5]
Figure 112001001016867-pat00009

[화학식 6]
Figure 112001001016867-pat00010
[화학식 10]
Figure 112007046032499-pat00025
상기 화학식 4 내지 6에서, R1 ~ R3은 각각 동일하거나 다르며, 수소 원자, 알킬기 또는 알콕시기를 나타내며; a,b,c,x,y,z는 0, 1, 2 또는 3인 정수이며, 이때 a와 x, b와 y, 및 c와 z가 동시에 3은 아니다.
이러한 페놀 화합물의 배합량은 일반적으로 노볼락 수지 100 중량부에 대하여 50 중량부 이하가 적당하며, 지나치게 많은 양을 배합할 경우 기판과의 밀착성이 떨어진다.
본 발명의 조성물에는 도포성이나 현상성을 향상시키기 위해 계면 활성제를 첨가할 수 있으며 이런 게면 활성제로서는 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르, F171, F172, F173 (회사명 ; 대일본잉크사) FC430, FC431 (회사명 ; 쓰미또모트리엠사) KP341(회사명 ; 신월화학공업사) 등을 들 수 있다. 이들 계면 활성제의 배합량은 고형분 100 중량부에 대하여 2 중량부 이하가 적당하다.
본 발명의 레지스트 용액은 알칼리 가용성 수지, 1,2-퀴논디아지드화합물을 함유하는 용제 및 필요에 의해 배합하는 각종 배합제를 예컨대 레지스트 용액 100 중량부에 대하여 고형분 농도가 20~50%가 되도록 제조하여 이를 0.2㎛ filter로 여과하여 사용한다.
본 발명에 쓰이는 용매로서는 예컨대 에틸렌글리콜모노메틸에틸, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸엔글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에틸, 톨루엔, 크실렌, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온, 2-히드록시프로피온에틸, 2-히드록시 2-메틸프로피온산에틸, 에톡시초산에틸, 히드록시초산에틸, 2-히드록시 3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시 2- 메칠프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메톡시 2-메틸프로피온산에틸, 초산에틸, 초산부틸 등을 들 수 있다.
본 발명의 레지스트 용액은 실리콘 웨이퍼나 알루미늄 기판에 스핀 코터를 이용하여 도포하여 레지스트막을 형성한다. 이 때 잔류 용제를 제거하기 위해 80 ~ 110℃로 가열한다. 그 후 g/i-line 방사선을 조사하고 다시 90 ~140℃정도로 가열 공정을 거친 후 현상액으로 현상하여 패턴을 형성한다. 이런 가열 처리 공정을 수행하여 감도, 해상도 향상의 효과를 개선 할 수 있다.
현상액으로는 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 테트라메틸암모늄히드록시드 등의 알칼리성 화합물을 0.1 ~10%가 되도록 용해시킨 알칼리 수용액을 사용 된다. 이런 현상액에 메탄올, 에탄올 등과 같은 수용성 유기성유기용매 및 계면활성제를 적량 첨가할 수 있다. 이 알칼리성 수용액으로 이루어지는 현상액으로 현상한 뒤에는 일반적으로 초순수로 세정한다.
이하 본 발명을 하기 실시예 및 비교예를 참조로 하여 설명한다. 그러나, 이들 예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
[실시예]
수지(A)의 합성
[합성예 1]
m-cresol 73.64g
p-cresol 58.91g
2,3,5-trimethyl phenol 37.09g
37% Formaldehyde 수용액 85.14g
옥살산 2.84g
PGMEA(프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트) 30g
상기 화합물들을 사구 플라스크에 넣고 교반하면서 온도를 100℃로 상승시켜 4시간 동안 축합시켰다. 반응후 180℃까지 온도를 올려 감압하여 잔존하는 반응 원료 및 반응 용매를 제거하여 수지를 얻었다. 이 수지를 수지 a1이라고 한다.
얻은 수지 a1 100 g을 4구 플라스크에 넣은 후 톨루엔 900 g을 넣고 온도를 80℃까지 상승시켜 교반하여 수지를 충분히 녹인 후 상온으로 냉각하여 2층으로 분 리하였다. 하층을 취득하여 에틸 락테이트 300g을 넣어 80℃까지 상승시켜 감압 증류하여 잔존하는 톨루엔을 제거하고 고형분 30%의 알칼리 수지(A1)를 회수하였다.
[합성예 2]
m-cresol 58.91g
p-cresol 73.64g
2,3,5-trimethyl phenol 37.09g
37% Formaldehyde 수용액 85.14g
옥살산 2.84g
프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 30g
상기 화합물들을 사구 플라스크에 넣고 교반하면서 온도를100℃로 상승시켜 4시간 동안 축합시켰다. 반응후 180℃까지 온도를 올려 감압하여 잔존하는 반응 원료 및 반응 용매를 제거하여 수지를 얻고 이 수지를 수지 a2이라고 한다.
얻은 수지a2 100g을 4구 플라스크에 넣은 후 톨루엔 900g을 넣고 온도를 80℃까지 상승시켜 교반하여 수지를 충분히 녹인 후 상온으로 냉각하여 2층으로 분리하였다. 하층을 취득하여 에틸락테이트 300g을 넣어 80℃까지 상승시켜 감압 증류하여 잔존하는 톨루엔을 제거하고 고형분 30%의 알칼리 수지(A2)를 회수하였다.
퀴논디아지드화합물 (B)의 합성
[합성예 1]
화학식 3의 화합물 20g
1,2-나프토 퀴논디아지드 5-술폰산클로라이드 22.73g
다이옥산 170.94g
을 3구 플라스크에 투입하고 상온에서 교반하여 용해시켰다. 충분히 용해를 시킨 후, 트리에틸아민을 다이옥산에 20% 희석한 용액 51.39g을 30분간 천천히 떨어뜨린 후 3시간 동안 반응을 시켰다. 그 후 석출된 트리에틸아민염산염을 여과하여 제거하고 여과액을 약산 수용액에 천천히 떨어뜨려 반응 생성물을 석출시켰다. 석출된 반응생성물을 초순수로 충분히 세정한 후 여과하고 40℃ 오븐에서 건조하여 퀴논디아지드 화합물 (B1)을 얻었다.
[합성예 2]
화학식 3의 화합물 20g
1,2-나프토 퀴논디아지드 5-술폰산클로라이드 22.73g
다이옥산 170.94g
상기 화합물을 3구 플라스크에 투입하고 상온에서 교반하여 용해시켰다. 충분히 용해를 시킨 후, 트리에틸아민을 다이옥산에 20% 희석한 용액 51.39g을 30분간 천천히 떨어뜨린 후 3시간 동안 반응을 시켰다. 그 후 석출된 트리에틸아민염산염을 여과하여 제거하고 여과액을 약산 수용액에 천천히 떨어뜨려 반응 생성물을 석출시켰다. 석출된 반응생성물을 초순수로 충분히 세정한 후 여과하고 40℃ 오븐에서 건조하여 퀴논디아지드 화합물 (B2)을 얻었다.
[합성예 3]
하기 화학식 8의 화합물 20g:
[화학식 8]
Figure 112001001016867-pat00012
1,2-나프토 퀴논디아지드 5-술폰산클로라이드 32.10g
다이옥산 208.40g
상기 화합물들을 3구 플라스크에 투입하고 상온에서 교반하여 용해시켰다. 충분히 용해를 시킨 후, 트리에틸아민 20% 다이옥산 용액 72.56g을 30분간 천천히 떨어뜨린 후 3시간 동안 반응을 시켰다. 그 후 석출된 트리에틸아민염산염을 여과하여 제거하고 여과액을 약산 수용액에 천천히 떨어뜨려 반응 생성물을 석출시켰다. 석출된 반응생성물을 초순수로 충분히 세정한 후 여과하고 40℃ 오븐에서 건조하여 퀴논디아지드 화합물 (B3)을 얻었다.
[합성예 4]
하기 화학식 9의 2.3.4.4'-테트라히드록시벤조페논 20g:
[화학식 9]
Figure 112001001016867-pat00013

1,2-나프토 퀴논디아지드 5-술폰산클로라이드 62.25g
다이옥산 340.99g
상기 화합물들을 3구 플라스크에 투입하고 상온에서 교반하여 용해시켰다. 충분히 용해를 시킨 후 트리에틸아민 20% 다이옥산 용액 147.48g을 30분간 천천히 떨어뜨린 후 3시간 동안 반응을 시켰다. 그 후 석출된 트리에틸아민염산염을 여과하여 제거하고 여과액을 약산 수용액에 천천히 떨어뜨려 반응 생성물을 석출시켰다. 석출된 반응생성물을 초순수로 충분히 세정한 후 여과하고 40℃ 오븐에서 건조하여 퀴논디아지드 화합물 (B4)을 얻었다.
[실시예 1 내지 3, 비교예 1 내지 2]
표 1에 표시한 양의 수지, 용해촉진제, 퀴논디아지드 화합물과 용제를 혼합하여 균일하게 녹인 후 0.2um 필터로 여과하여 실시예 및 비교예의 감광성 조성물 용액을 제조하였다. 이 용액을 실리콘 웨이퍼상에 스핀 코터를 이용하여 도포한 다음, 90℃ 핫플레이트(hot plate)상에서 60초간 프리 베이크를 하여 1.7um의 막을 형성하였다.
[표 1]
실시예 알칼리 수지 고형분 용해 촉진제 퀴논 디아지드 화합물
1 2
실시예 1 수지 A1 100 중량부 19 중량부 B1 20 중량부 B4 20 중량부
실시예 2 수지 A2 100 중량부 14 중량부 B2 20 중량부 B4 20 중량부
실시예 3 수지 A1 100 중량부 19 중량부 B2 40 중량부
비교예 1 수지 A1 100 중량부 19 중량부 B3 20 중량부 B4 20 중량부
비교예 2 수지 A2 100 중량부 14 중량부 B3 40 중량부
용해 촉진제로서는 하기 화학식 10의 화합물을 사용하였다:
[화학식 10]
Figure 112001001016867-pat00014
이를 니콘사의 NSR-2205i11D(NA=0.57) 축소 투시형 노광기로 파장 365nm로 노광을 한 후 110℃ 핫플레이트(hot plate)상에서 60초간 포스트 베이크를 하였다. 그 후 2.38% 테트라메틸하이드록시암모늄 수용액으로 현상하였다. 현상 후 초순수로 세정 건조하여 패턴을 형성하였다.
얻어진 패턴의 특성을 다음과 같이 평가하여 그 결과를 표2에 나타내었다:
감도(Eop) : 0.8um L/S 패턴을 1대1에 해상할 때의 노광량
해상도 : 0.8um L/S 패턴을 1대1에 해상할 때의 에너지를 조사하여 형성할 수 있는 최소 치수
패턴 형상 : 주사현미경으로 0.8um 패턴의 단면을 관찰
초점심도 : 실용 감도의 노광량으로 0.8um의 L/S 패턴을 패턴 형상 A의 모양으로 구현 가능한 초점심도 폭 측정
[표 2]
Sample 감도(Eop: (msec)) 해상력(um) 초점심도 (㎛) 패턴형상
실시예 1 160 0.5 1.2 A
실시예 2 160 0.5 1.2 A
실시예 3 510 0.5 1.5 A
비교예 1 160 0.6 1.0 B
비교예 2 500 0.5 1.2 A
상기한 바와 같이, 본 발명은 감도가 뛰어나며 동시에 해상도와 포커스 허용성, 현상성 및 패턴 형상이 우수한 포지티브 포토레지스트 조성물을 제공한다.

Claims (7)

  1. a) 알칼리 가용성 수지; 및
    b) 하기 화학식 1로 표시되는 감광성 화합물
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 포토 레지스트 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112007092584593-pat00024
    (상기 식에서,
    R1 ~ R6은 각각 동일하거나 다르며 수소 원자, 알킬기 또는 알콕시기를 나타내고; l ~ w는 0, 1, 2 또는 3인 정수이고, 이때 l, m, n, o, p, q, r, s, t, u, v 및 w는 동시에 0이 아니며, 또한 l과 r, m과 s, w와 q, v와 p, o와 u, 및 t와 n이 동시에 3이 아니고; R7 ~ R12 는 수소 원자 또는 1,2-퀴논디아지드 화합물 치환기를 포함하며, 단 R7 ∼R12 중 적어도 하나는 1,2-퀴논디아지드 화합물 치환기를 포함한다)
  2. 제 1항에 있어서, 상기 알칼리 가용성 수지가 평균 분자량 2,000 내지 20,000의 노볼락 수지인 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물이 R7 ∼ R12가 전부 수소 원자인 화학식 1의 화합물과 1,2-퀴논디아지드 화합물과의 반응에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물이 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 50 중량부의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 포지티브 포토레지스트 조성물이 증감제 및 계면활성제를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 증감제가 하기 화학식 4 내지 6의 화합물, 및 화학식 10으로 표현되는 화합물로부터 선택되는 페놀 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
    [화학식 4]
    Figure 112007092584593-pat00016
    [화학식 5]
    Figure 112007092584593-pat00017
    [화학식 6]
    Figure 112007092584593-pat00018
    [화학식 10]
    Figure 112007092584593-pat00026
    상기 화학식 4 내지 6에 있어서,
    R1 ~ R3은 각각 동일하거나 다르며, 수소 원자, 알킬기 또는 알콕시기를 나타내며; a,b,c,x,y,z는 0, 1, 2 또는 3인 정수이며, 이때 a와 x, b와 y, 및 c와 z가 동시에 3은 아니다.
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